UNIDAD 4

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

INTRODUCCIÓN

Estos términos se utilizan indistintamente para describir dispositivos cuya

operación obedece los siguientes principios generales:

a) El dispositivo actúa como interruptor entre dos de sus terminales; es decir,

tiene elevada resistencia en el estado “apagado”, baja resistencia en el
estado “encendido” y no tiene otra región operativa.
b) El dispositivo se dispara del estado “apagado” al estado “encendido”
mediante un valor específico de voltaje o corriente aplicado a la terminal
apropiada.
c) Una vez que el dispositivo se ha disparado a “encendido” permanece en
ese estado, aunque el voltaje o la corriente de disparo se hayan suprimido.
En otras palabras, dicho dispositivo es retenido en “encendido”. El
interruptor normalmente pasa a “apagado” al reducirse el flujo de corriente a
través de él por debajo de un valor mínimo. Una vez en “apagado”, el
dispositivo puede volver a dispararse al estado “encendido”

OBJETIVOS DE APRENDIZAJE

1. Utilizar el modo de activación y desactivación de varios tiristores.

2. Analizar las diferentes configuraciones de circuitos con tiristores en

aplicaciones de procesos industriales.

3. Analizar las configuraciones de potencia para los transistores y el encendido

de dispositivos de potencia utilizando diferentes tipos de tiristores.

3. Comprobar el funcionamiento de un puente H para controlar cargas

inductivas.
 TEMA I

CIRCUITOS DE DISPARO

Objetivo de aprendizaje:

1. Utilizar el modo de activación y desactivación de varios tiristores.

1.1.1. Identificar las posibles formas de activación y desactivación de los

tiristores.
ACTIVACION DEL TIRISTOR
Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede llevar a
cabo mediante una de las siguientes formas.
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en el
número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este
aumento en las corrientes hará que 1 y 2 aumenten. Debido a la acción
regenerativa (1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este
tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los
pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La activación de tiristores por
luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo VBO, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una
activación regenerativa. Este tipo de activación puede resultar destructiva por lo
que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente
de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor.
Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor por lo que el
dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt
máximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor está polarizado en directa, la
inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de
compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará al tiristor.
Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo
directo, tal y como aparece en la fig. 3.1.
Fig. 3.1 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.
 TEMA 2

APLICACIÓN DE LOS TIRISTORES

Objetivo de aprendizaje:

2. Analizar las diferentes configuraciones de circuitos con tiristores en

aplicaciones de procesos industriales.

2.1.1. Comprobar varias configuraciones de control con tiristores.

Circuitos típicos de control de compuerta.

1. Simple.

El ángulo de disparo no puede ajustarse a más de 90º.

Figura 3.2. Circuito simple y su curva de respuesta.

Ejemplo:

En el circuito de la figura 3.2, asumamos que la tensión de la fuente es de 127

Vrms, IG = 20 mA y R1 = 2,7 kΩ Ω, y que se desea un ángulo de disparo de 90º.
Entonces, ¿a qué valor debemos ajustar R2?

Respuesta:

A 90º, el valor instantáneo de tensión que proporciona la fuente es:

Vmax = (127 V)(1,41) = 179 V

Si despreciamos la tensión en la carga y los 0,6 V que se caén en la unión

compuerta-cátodo, la resistencia total (RT) del circuito sería:
RT = 179 V / 20 mA = 8,95 kΩ Ω
esto es que:
RT = R1 + R2
por lo tanto:
R2 = RT – R1

R2 = 8,95 kΩ
Ω – 2,7 kΩ
Ω

R2 = 6,26 kΩ
Ω

2. Retardo en el disparo usando un capacitores.

El ángulo de disparo puede ajustarse a más de 90º. El valor del capacitor es

alrededor de 0,01 µF. El valor de la constante de tiempo (RC) debe oscilar de
1 a 30 ms, esto si usamos como fuente de alimentación la red eléctrica a 60
Hz.

Fig. 3.3 Circuito de retardo utilizando capacitores.

Al entrar el semiciclo negativo, el capacitor se carga con polaridad inversa (-/+),
ocasionando con ello que el SCR se encuentre apagado. En el momento en que
aparece el semiciclo positivo, el capacitor tarda en cargarse de forma directa (+/-
), debido al valor de los resistores, originando con ello que esto se logre más allá
de los 90º. Cuanto mayor sea el valor de los resistores, la carga del capacitor
tarda más tiempo.

La constante de tiempo es (R1+R2)••C.

Fig. 3.4 Circuito de disparo utilizando capacitores.

El efecto es el mismo que en el caso anterior, pero ahora el capacitor debe

generar una tensión VC mayor a 0,6 V para producir la IG necesaria para
disparar el SCR. El efecto, es lograrlo más allá de los 90º. La constante de
tiempo es (R1+R2)••C.

Fig. 3.5 Circuito con dos capacitores.

El efecto es el mismo que en el caso de la figura 3.4, pero ahora la caída de
tensión en primer capacitor (VC1) servirá para cargar el segundo capacitor de
forma directa y lograr disparar el SCR. Nuevamente, el efecto es lograrlo más
allá de los 90º. Aquí cabe hacer un comentario, la constante de tiempo de R3C
debe ser cercana al menor valor del intervalo de
ajuste del disparo del SCR. Las constantes de tiempo son (R1+R2)•C y . R3•C.

Ejemplo:

Considere el circuito de la figura 3.5. El valor de C1 = 0,068 µF y el de C2 =

0,033 µF, y que el intervalo de ajuste del disparo del SCR es de 2 ms a 25 ms.
Calcular entonces el valor de los resistores R1, R2 y R3 para lograr esto.

Respuesta:
R1 = 29,4 kΩ
Ω

R2 = 338,25 kΩ

Y si asumimos un tiempo de 5 ms para la segunda constante de tiempo:

R3 = 151,52 kΩ
Ω

Métodos de extinción del SCR cuando se maneja en corriente continua.

Extinción del SCR interrumpiendo el circuito mediante un cortocircuito (Figura

3.6 (a) y (b)) o introduciendo una corriente inversa usando una fuente auxiliar
(Figura 3.6 (c)) o un capacitor (Figura 3.6 (d) y (e)).

Fig. 3.6 Circuito por metodo de extinción del SCR.

 TEMA 3

TRANSISTORES BIPOLARES DE POTENCIA

Objetivo de aprendizaje:

3. Analizar las configuraciones de potencia para los transistores bipolares

y el encendido de dispositivos de potencia, utilizando diferentes tipos
de tiristores.

3.1.1 Analizar las configuraciones de potencia para los transistores

bipolares y diferentes tipos de tiristores.

TRANSISTOR MONOUNION (UJT).

El transistor monounión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de

disparo en los SCR. En la fig.3.7 se muestra un circuito básico de disparo UJT.
Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2.
Entre B1 y B2 la monounión tiene las características de una resistencia ordinaria
(la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K).
Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd, se carga el capacitor C a
través de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT está en estado
abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el
voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico
Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a través de RB1 a una velocidad
determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1.
Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja
de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para
activar el SCR. El periodo de oscilación, T, es totalmente independiente del
voltaje de alimentación Vs y está dado por:
 T = 1/f = RC ln 1/1-n

Fig.3.7 Circuito básico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE.

El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor que aparece

en la fig.3.8. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajación, tal y
como se muestra en la fig.3.8b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde
la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el
voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp está fijo para un dispositivo
por el voltaje de alimentación de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al
modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del ánodo VA es
menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservará en su estado
inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta en una caída de
voltaje de diodo VD, se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará. La
corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de
alimentación en cd Vs. N general Rk está limitado a un valor por debajo de 100
Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilación T está
dado en forma aproximada por:
T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)
 Fig.3.8 Circuito de disparo para un PUT.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en

antiparalelo, con una conexión de compuerta común, como se muestra en la
fig.3.9.
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus
terminales como ánodo y cátodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la
terminal MT1, se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta, entre la
compuerta y la terminal MT1. No es necesario que esten presentes ambas
polaridades en las señales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con
una sola señal positiva o negativa de compuerta. En la práctica, la sensibilidad
varía de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I
(voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y
corriente de compuerta negativos).
 Fig.3.9 Circuito equivalente de un TRIAC

MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III

mediante la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito
de disparo. A continuación se verán los fenómenos internos que tienen lugar en
los cuatro modos de disparo posibles.

Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya
que la metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa
emisora N2 con la P2.

La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unión

P2N2 y en parte a través de la zona P2. Se produce la natural inyección de
electrones de N2 a P2 que es favorecida en el área próxima a la puerta por la
caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de puerta.
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1, que
bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose la
conducción.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce

la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de
puerta y P de cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de
T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de
potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura principal que soporta la
tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura
auxiliar, entrando en conducción.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en

conducción la estructura P2N1P1N4.
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los
que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de
unión, haciéndose más conductora. El potencial positivo de puerta polariza más
positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1,
provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada
en conducción.

Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

También se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las

capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1.
La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más
positivamente que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta huecos de
P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los
modos I + y III - los más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es
el disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo, conducción y
de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.
Fig.3.10 Características V-I de un TRIAC
 TEMA 4

OTROS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Objetivo de aprendizaje:

4. Comprobar el funcionamiento de un puente H para controlar cargas

inductivas.

4.1.1. Comprobar un puente H para controlar cargas inductivas

Lista de componentes para realizar un puente en H con montaje Darlington:

4 transistores npn BC548 (en el esquema serían los: A, C, E y G)

VmCB=30v; VmCE=20v; Ic=200mA

(transistores equivalentes: BC309, 2N6003)

4 transistores npn BD135 (en el esquema serían los: B, D, F y H)

VmCB=45v; VmCE=45v; Ic=1A

(transistores equivalentes: BD169, 2N4923) Numeración corregida

2 diodos 1N4007 (en el esquema Di, Dd)

2 resistencias de 1k ( en el esquema Ri, Rd)

2 resistencias de 4k7 (en el esquema las Re)

Puente H con LM 386

Cuando pretendemos controlar cargas inductivas con un microcontrolador, nos
encontramos que no podemos realizarlo directamente. Debemos usar un "driver"
o exitador para separar la señal emitida por el microcontrolador, del circuito
inductivo o de potencia. Para esto se necesita un Puente H que puede armarse
de distintas formas. Elegimos este circuito integrado por ser de fácil adquisición
y económico, además se evita el trabajo de armar un Puente H con
componentes discretos.
Este circuito permite realizar un Puente H para hacer girar motores de CC en
ambas direcciones, del tipo de los que se utilizan en juguetes, radio grabadores,
lectoras de CDs, etc.
Con dos integrados (4 LM 386) se pueden controlar motores paso a paso de
cuatro terminales.

Fig. 3.13 Puente H con LM386.

El conexionado no es el mismo que se utiliza cuando se emplea el LM 386 como
amplificador de audio, esto se hace para lograr un comportamiento casi digital.
El funcionamiento es muy simple, poniendo en estado alto uno de los pines de
entrada, el motor DC gira en un sentido. Al invertir el estado de los pines de
entrada, gira en el otro. Con los dos pines en alto o en bajo simultáneos no gira.