Tiristores

Ronald Moreno Arias 20441625328, Nicolás Sánchez Chacón 20441521522

Universidad Antonio Nariño
1 Resumen
En el siguiente informe se podrá observar diagrama, Se muestra el corte transversal de un tiristor en la figura 2
funcionamiento (encendido y apagado) para los tiristores y donde se puede dividir en dos partes NPN y PNP.
unas ciertas técnicas clave para un buen manejo de ellos al
momento de manejarlos en industrias.

2 Introducción
Los tiristores son dispositivos semiconductores de
potencia que tiene un uso extenso en el área de
electrónica en potencia. Pueden actuar como
interruptores biestables al manejar dos estados
donde uno conduce y el otro no. Se supone que los
tiristores son dispositivos ideales y confiables en
Figura 1. Corte transversal de un tiristor.
muchas aplicaciones de electrónica y en industria
pero ellos presentan ciertas características en
limitaciones. Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al
Los tiristores convencionales se diseñan sin la ánodo, la unión J2 está directamente polarizada pero las
capacidad de apagado controlado por el usuario, uniones J1 y J3 están inversamente polarizadas. Esto es
debido a esto él puede entrar en sus dos estados de como dos diodos conectados en serie con voltaje inverso a
conducción y no conducción solo cuando por través de ellos. El tiristor está en el estado de bloqueo
medios externos se hace que la corriente baje a inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como
cero. Esos tiristores por apagado de compuerta corriente inversa IR, fluye a través del dispositivo.
(GTO) se diseñan para tener encendido y apagado
controlados. Un tiristor se puede encender aumentando el Vak más allá
Uno de los fuertes del tiristor es que tiene bajas de Vbo, pero ese encendido podría dañar el tiristor en
perdidas en el estado de conducción y manejan prácticas.
grandes capacidades de potencia.
En la gráfica de la figura 3 en la línea de rayas vemos que si
2.1 Características de un tiristor se aplica un voltaje positivo entre su compuerta y cátodo él
se enciende. Cuando él se enciende con una señal de
compuerta y la corriente del ánodo es mayor que la
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro
corriente de retención (corriente mínima para manterse
patas con una estructura PNP. Con tres uniones PN. tiene
encendido) el dispositivo conduce debido a su
tres terminales, ánodo, cátodo, y compuerta.
retroalimentación positiva sin importar que la señal de la
compuerta se desaparezca. Estos dispositivos son de cierre
o bloqueo.

Figura 1. Símbolo del tiristor y tres uniones pn.

1
 Donde α1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente
de fuga para Q1. Asimismo, para el transistor Q2, la
corriente del colector IC2 es
𝐼𝐶2 = 𝛼 2𝐼𝐾 + 𝐼𝐶𝐵𝑂2
Ecuación (2.2.3)
Donde α2 es la ganancia de corriente e ICBO2 es la corriente
de fuga de Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos
𝐼𝐴 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 = 𝛼 1𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝐵𝑂1 + 𝛼 2𝐼𝐾 + 𝐼𝐶𝐵𝑂2
Ecuación (2.2.4)
Para una corriente de control de compuerta IG, IK = IA + IG
y despejando IA de la ecuación (2.2.4) obtenemos
𝐼𝐶𝐵𝑂2
𝐼𝐴 = 𝛼2𝐼𝐺 +
Figura 3. Circuito del tiristor y características v-i 1 − (𝛼1 − 𝛼2)
Ecuación (2.2.5)
Putos clave de la sección 2.1

Un tiristor al ser un dispositivo de retención, mantiene su

conducción total en sentido directo cuando su ánodo es
positivo respecto al cátodo y como se dijo anteriormente si
se aplica un pulso de voltaje o corriente en su terminal de
compuerta. Ellos pertenecen a la familia de dispositivos con
cuatro capas.

2.2 Modelo de tiristores de dos

transistores
La acción de retroalimentación de un tiristor se puede
mostrar con un modelo de dos transistores. Se considera un Figura 4, modelo de tiristor de dos transistores.
tiristor como dos transistores complementarios, un PNP,
Q1 y el otro un NPN, Q2, como se muestra en la figura 4a. y
el modelo equivalente se muestra en la figura 4b. Podemos
observar unas ecuaciones sacadas del circuito equivalente
de este modo:
La corriente IC del colector de un tiristor está relacionada,
por lo general, con la corriente IE del emisor y la corriente
de fuga de la unión colector-base, ICBO.
𝐼𝐶 = 𝛼 𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
Ecuación (2.2.1)
Figura 5, modelo de tiristor de dos transistores.
La ganancia de corriente de la base común se define como
α ≃ IC/IE. Para el transistor Q1, la corriente del emisor y la En la figura 5 se muestra una variación típica de la ganancia
corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se de corriente alfa (α) con la corriente del emisor IE. Si la
puede determinar por la ecuación (2.2.1) corriente de la compuerta se incrementa de repente, por
ejemplo de 0 a 1 mA, la corriente del ánodo IA se
𝐼𝐶1 = 𝛼 1𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝐵𝑂1 incrementa de inmediato, y α1 y α2 se incrementarían aún
Ecuación (2.2.2) más. La ganancia de corriente α2 depende de IA e IG. El
aumento de los valores de α1 y α2 aumenta aún más IA. Por

2
consiguiente, hay un efecto de retroalimentación y α2) puede tender a la unidad y el tiristor se puede
regenerativa o positiva. Si (α1 + α2) tiende a la unidad, el encender. Este tipo de encendido puede provocar una
denominador de la ecuación (2.2.5) tiende a cero, y el avalancha térmica y por lo común se evita.
resultado es un valor grande de la corriente del ánodo IA, y Luz: Si se permite que la luz incida en la unión de un tiristor,
el tiristor se enciende con una pequeña corriente de los pares electrón-hueco se incrementan y el tiristor se
compuerta. puede encender. Los tiristores activados por luz se
encienden al permitir que la luz incida en las obleas de
silicio.
Alto voltaje: Si el voltaje directo de ánodo a cátodo es
mayor que el voltaje de ruptura en sentido directo VBO,
fluye suficiente corriente de fuga para iniciar el encendido
regenerativo. Este tipo de encendido puede ser destructivo
y se debe evitar.
Dv/dt: Observemos en la ecuación (2.2.6) que si la tasa de
elevación del voltaje de ánodo a cátodo es alta, la corriente
de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente
para encender el tiristor. Un alto valor de la corriente de
carga puede dañar el tiristor y el dispositivo debe estar
Figura 6, modelo de tiristor de los transistores, en condiciones transitorias protegido contra una alta dv/dt. Los fabricantes especifican
de emisor. la dv/dt máxima permisible de los tiristores.
Corriente de compuerta: Es cuando se aplica una pulso
En condiciones transitorias, la capacitación de unión pn, de voltaje o corriente por la compuerta positiva y el cátodo
como se muestra en la figura 6 influyen en las el hace variaciones en nuestros alfa 1 y alfa 2 y así produce
características del tiristor. Si el esta ene stado de bloqueo,
la retroalimentación positiva y ello enciende el transistor
un voltaje que se eleva con rapidez provoca un flujo de
corriente por ellos. La corriente a través del capacitor Cj2
se expresa como: 2.4 Apagado del tiristor
𝑑(𝑞𝑗2) 𝑑 𝑑𝐶𝑗2 𝑑𝑉𝑗2 Un tiristor que esta encendido se puede apagar
𝑖𝑗2 = = (𝐶𝑗2𝑉𝑗2) = 𝑉𝑗2 + 𝐶𝑗2
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 reduciendo la corriente en sentido directo por debajo
de la corriente de retención. Hay varias técnicas de
Ecuación (2.2.6) apagado en un tiristor y en ellas la corriente del ánodo
se mantiene por debajo de la corriente de retención
Si la velocidad de elevación del voltaje dv/dt es grande, durante un tiempo largo para que todos los portadores
entonces ij2 sería grande y las corrientes de fuga ICBO1 e no logren recombinarse.
ICBO2 se incrementarían. Los valores suficientemente altos La unión pn interna necesita un tiempo para
de ICBO1 e ICBO2 pueden hacer que (α1 + α2) tienda a la recombinarse. Un voltaje negativo inverso reduciría
unidad y provocar un encendido indeseable del tiristor. Sin este tiempo. Al final del apagado se genera una capa de
embargo, una corriente grande a través de los capacitores agotamiento y el tiristor recupera la capacidad de
de la unión también puede dañar el dispositivo. soportar voltaje directo. En todas las técnicas se aplica
voltaje inverso durante el proceso de apagado.

2.3 Encendido del tiristor

2.5 Tipos de tiristores
Tenemos varias maneras de encender un tiristor
adecuadamente sin embargo debemos evitar unas que Los tiristores se fabrican por difusión. La corriente del
hacen que se dispare debido a du dv/dt. ánodo necesita un tiempo para propagarse por toda el
Un tiristor se enciende tras aumentar la corriente en el área de unión. Los fabricantes utilizan varias
ánodo. Esto se puede realizar de las siguientes maneras. estructuras de compuerta para controlar di/dt, el
tiempo de encendido y apagado. Los tiristores se
Térmica: Si la temperatura de un tiristor es alta, el número encienden de manera sencilla. Para apagarse necesitan
de pares electrón-hueco crece, lo que incrementa las circuitos especiales de control para auxiliar el proceso
corrientes de fuga. Este aumento de las corrientes hace que de apagado. Hay varias versiones de tiristores con la
α1 y α2 se incrementen. Debido a la acción regenerativa (α1 capacidad de apagarse y desde ahí se van mejorando

3
para que su apagado sea más sencillo. El dispositivo
con solo la capacidad de apagado se conoce como
tiristor convencional o tiristor.
El tiristor o rectificador de silicio (SRC) hace término al
convencional, sin embargo existen 13 tipos de
tiristores que varía dependiendo cada uno en su
construcción:
1. Tiristores controlados por fase (o SCRs)
2. Tiristores bidireccionales controlados por fase
(BCTs)
3. Tiristores asimétricos de conmutación rápida (o
ASCRs)
4. Rectificadores controlados de silicios activados por
luz (LASCRs)
5. Tiristores de tríodo bidireccionales (TRIACs)
6. Tiristores de conducción inversa (RCTs)
7. Tiristores apagados por compuerta (GTOs)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTHs)
9. Tiristores apagados por MOS (MTOs)
10. Tiristores de apagado (control) por emisor (ETOs)
11. Tiristores conmutados por compuerta integrada
(IGCTs)
12. Tiristores controlados por MOS (MCTs)
13. Tiristores de inducción estática (SITHs)
Los GTO y los IGBT se utilizan más en las aplicaciones de alta
potencia
2.6 Funcionamiento en serie de
tiristores
Para las aplicaciones en alto voltaje se puede realizar
una conexión en serie para proporcionar una
capacidad de voltaje. Debido a la producción varían en
unas características de cada uno. La figura 7 muestra la
característica en estado de apagado de dos tiristores.
Con la misma corriente en estado de apagado, sus
voltajes difieren.
Figura 8, dos tiristores conectados en serie en estado de apagado
4
Figura 7, tres tiristores conectados en serie
Por otro lado, en los de diodos solamente se tienen que
compartir los voltajes de bloqueo en sentido inverso, en
tanto que en el caso de los tiristores se requieren redes que
compartan el voltaje tanto en condiciones inversas como en
estado de apagado. Por lo común, el reparto del voltaje se
logra conectando resistores en paralelo con cada tiristor,
como se muestra en la figura 7. Para un voltaje compartido
por igual las corrientes en estado de apagado difieren,
como se muestra en la figura 8.
La difusión de la corriente en estado de apagado es
ΔID = ID2 - ID1 = IT - I2 - IT + I1 = I1 - I2 o I2 = I1 -ΔID
El voltaje a través de T1 es VD1 = RI1. Utilizando la ley del
voltaje de Kirchhoff se obtiene
Vs = VD1 + 1ns - 12 I2R = VD1 + 1ns - 121I1 - ΔID2R
= VD1 + 1ns - 12 I1R - 1ns - 12 R ΔID
= nsVD1 - 1ns - 12R ΔID
Despejando la ecuación anterior para el voltaje VD1 a
través de T1 se obtiene
VD1 =Vs + 1 ns − 12 R ΔID
Ns
2.7 Funcionamiento en paralelo de
tiristores
Cuando los tiristores se conectan de forma paralela, la
corriente de la carga no se comparte por igual por las
diferencias en sus características. Si un tiristor conduce
más corriente que los demás, su disipación de potencia se
incrementa de tal modo que se incrementa la temperatura
de la unión y reduce la resistencia interna. Esto, a su vez,
incrementa la corriente compartida y puede dañar el
tiristor.
Figura 9, corriente compartida de los tiristores
Se puede conectar una pequeña resistencia, como se
muestra en la figura 9a, en serie con cada tiristor para hacer
que la corriente se comparta por igual, pero puede haber
una perdida considerable de potencia en las resistencias en
serie. Un método común para que los tiristores compartan
la corriente es utilizar inductores magnéticamente
acoplados, como se muestra en la figura 9b.Si la corriente a
través del tiristor T1 aumenta, se puede inducir un voltaje
de polaridad opuesta en los devanados del tiristor T2 y se
puede reducir la impedancia a través de la trayectoria de
T2, con lo cual se incrementa el flujo de corriente a través
de T2.

2.8 Protección contra di/dt

Un tiristor requiere un tiempo mínimo para propagar de
manera uniforme la conducción de corriente por todas las
uniones. Si la tasa de subida de la corriente del ánodo es
muy rápida en comparación con la velocidad de
propagación de un proceso de encendido, se puede dar un
“punto caliente” localizado por la alta densidad de la
corriente y el dispositivo puede fallar a consecuencia de la
temperatura excesiva.
Figura 10, Circuito de conmutación de tiristor con inductores que limitan
la di/dt.
2.9 Protección contra dv/dt
Si el interruptor S1 de la figura 11a se cierra cuando t = 0,
se puede aplicar un voltaje escalonado a través del tiristor
T1 y puede ser que la dv/dt sea lo bastante alta para
encender el dispositivo. La dv/dt se puede limitar
conectando un capacitor Cs como se muestra en la figura
11a. Cuando el tiristor se enciende, la corriente de descarga
del capacitor se limita con el resistor Rs, como se muestra
en la figura 11b. Con un circuito RC conocido como circuito
amortiguador, el voltaje a través del tiristor sube
exponencialmente como se muestra en la figura 11c y la
dv/dt del circuito se determina aproximadamente según:
Figura 11, Circuitos de proteccion contra dv/dt
2.10 Transistor de una unión
El transistor de una unión (UJT) se utiliza por lo común
para generar señales de disparo para SCRs . En la figura 12a
se muestra un circuito de disparo UJT básico. Un UJT tiene
tres terminales llamadas emisor E, base uno B1 y base dos
B2. Entre B1 y B2 la unión única tiene las características de
una resistencia normal. Esta resistencia es la resistencia
entre bases RBB y sus valores van de 4.7 a 9.1 kΩ. Las
características estáticas de un UJT se muestran en la figura
12b.
Cuando se aplica el voltaje Vs de suministro de cd, el
capacitor C se carga por conducto del resistor R porque el
circuito del emisor del UJT se encuentra en el estado
abierto.
La constante de tiempo del circuito de carga es τ1 = RC.
Cuando el voltaje del emisor VE, el cual es igual al voltaje
del capacitor vC, alcanza el voltaje pico Vp, el UJT se
enciende y el capacitor C se descarga a través de RB1 a una
velocidad determinada por la constante de tiempo τ1 =
RB1C. τ2 es mucho menor que τ1. Cuando el voltaje del
emisor VE decae al punto del valle Vv, el emisor deja de
conducir, el UJT se apaga, y el ciclo de carga se repite.

Dv/dt=0.632Vs /τ =0.632Vs/RsCs

5

Figura 12, circuito de disparo de UJT
Por lo general, RB1 se limita a un valor por debajo de 100
Ω, aunque son posibles valores hasta de 2 o 3 kΩ en algunas
aplicaciones. Se suele conectar un resistor RB2 en serie con
la base dos para compensar la reducción de Vp por la
elevación de la temperatura y para proteger el UJT de
posibles avalanchas térmicas. El resistor RB2 tiene un valor
de 100 Ω o mayor y se puede determinar de forma
aproximada según:
RB2 =104/ηVs
2.10 Transistor de una unión
programable
El transistor de una unión programable (PUT) es un
pequeño tiristor el cual se muestra en la figura 13a. Un PUT
se puede usar como oscilador de relajación en la figura 13b.
El voltaje de compuerta VG se mantiene con la fuente
gracias a los resistores divisores R1 y R2, y determina el
voltaje de punto pico Vp. En el caso del UJT, el voltaje de
6
suministro de cd fija el voltaje Vp para un dispositivo. Sin
embargo, se puede hacer variar el Vp de un PUT si se
modifican los resistores divisores R1 y R2. Si el voltaje del
ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, el
dispositivo puede permanecer en su estado de apagado.
Figura 13, Circuito de disparo de un PUT.
Si VA es mayor que el voltaje de compuerta por el voltaje en
sentido directo del diodo uno VD, el punto pico se alcanza y
el dispositivo se enciende. La corriente pico Ip y la corriente
de punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente
en la compuerta RG = R1R2/(R1 + R2), y del voltaje de
suministro de cd Vs. Por lo general Rk se limita a un valor
por debajo de 100 Ω.
Vp esta dado por:
Vp =R2/R1 + R2*Vs
lo que da la relación intrínseca como:
η =Vp/Vs=R2/R1 + R2
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo
de oscilación T esta dado aproximadamente por:
T =1/f ≈ RC ln/Vss - Vp= RC ln (1 +R2/R1)
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