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 Transistores de unión unipolar


 Unión unipolar programable

Transistor uniunión programable,2N6027


Código RS 221-282P
Fabricante ON Semiconductor
Referencia del
2N6027G
Fabricante
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Documentación Técnica

Atributos

Atributo Valor
Tipo UJT programable
Encapsulado TO92
Corriente de punto de valle típica 18mA
Disipación de potencia PD 300mW

Detalles

Transistores monounión programables

2N6027: para todo tipo de aplicaciones


2N6028: para temporizadores con intervalos de tiempo largos y aplicaciones para las
que se precisan corrientes de fugas y corrientes de pico bajas.

 Las características monounión se programan mediante dos valores de resistencia


del circuito: N, Rbb, Ip, IV
Aptos para temporizadores, circuitos de control de ángulo de fase de alta
ganancia y osciladores de relajación
Carcasa TO92

Vista del lado de los terminales

Características técnicas
 
Valores nominales máximos absolutos
Máx. de avance de cátodo de puerta +40 V
Máx. inversa de cátodo de puerta -5 V
Máx. inversa de ánodo de puerta +40 V
Máx. de ánodo-cátodo ±40 V
Corriente de ánodo dc 150 mA
Ánodo de pico con corriente de avance recurrente 1 A
Ánodo de pico, corriente de avance no recurrente 5 A
Corriente de puerta ±20 mA
Energía de descarga de capacitancia 250 μJ
Potencia 300 mW

Características eléctricas
Corriente de pico máxima (RG=10 k) 5 μA
Tensión de desajuste máxima (RG=10 k) 0,6 V
Corriente de valle mínima (RG=10 k) 70 μA
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Descripción de la gama

Unión unipolar programable

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Transistor uniunión programable,2N6027


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© Amidata S.A.
Avenida de Europa, 19, 28224 - Pozuelo de Alarcón - Madrid

ELECTRONICA DE POTENCIA
TIRISTORES
Osciladores de Relajación
Dispositivos UJT, PUT, SUS/SBS y DIAC
Antonio Nachez
A-4-32-2 ELECTRONICA IV
A-4.32.2 Electrónica IV
Osciladores de Relajación
2
Osciladores de Relajación
3
INDICE
1.- Introducción
2.- Funcionamiento generalizado
3.- Teoría y características del Transistor Unijuntura
3.1.- Teoría de Operación
3.2.- Oscilador a Relajación con UJT
4.- Teoría y características del Transistor Unijuntura Programable
4.1.- Teoría de Operación
4.2.- Oscilador a Relajación con PUT
5.- Teoría y características de las Llaves Unilaterales y Bilaterales de Silicio
6.- Teoría y características de los DIAC
Osciladores de Relajación
4
Osciladores de Relajación
5
OSCILADORES DE RELAJACIÓN
1.- Introducción.
Un Oscilador de Relajación es un circuito generador de pulsos, separados por
intervalos regulares, y cuyo principio de funcionamiento se encuentra basado en la
utilización de dispositivos que presenten una zona de operación con resistencia
negativa.
Dado que los Osciladores de Relajación son ampliamente utilizados en el disparo de
dispositivos semicontrolados como SCRs y TRIACS, se realiza el estudio de su
funcionamiento en forma general para luego aplicarlo en implementaciones con
diversos elementos del mercado.
2.- Funcionamiento generalizado.
A modo de análisis general se considera el circuito de la figura 2.1 cuyo elemento no
lineal presenta la característica V/I indicada en la figura 2.2.
Figura 2-1
Figura 2.2
Vi = Vcc
R1
+
-
V
+
-
C R2
VR2
+
-
Elemento con
Resistencia Negativa
1
2
3
4
Q
VH
IH
IP
VS
IS
V
I
Osciladores de Relajación
6
Si en t=0 se aplica Vi = Vcc a la entrada del circuito de la figura 2.1, el condensador C
se carga con una constante de tiempo = R1C, despreciando la corriente que toma el
elemento de resistencia negativa. Esta tensión se aplica al circuito serie compuesto
por dicho dispositivo y la resistencia R2, por lo que el punto de trabajo Q se desplaza
sobre la característica V/I, determinado por su intersección con la recta de pendiente
R2. De la figura 2.2 puede verificarse que inicialmente la corriente por el circuito serie
es despreciable, toda la tensión aplicada cae sobre el elemento de resistencia
negativa y en consecuencia la tensión de salida es prácticamente nula.
Cuando la tensión del condensador de entrada es la suficiente para que dispositivo
alcance la zona de resistencia negativa determinada por el punto 1, éste comienza a
conducir y el punto de trabajo se desplaza del punto 1 al punto 2. La corriente máxima
por el circuito serie es IP y el pico de la tensión de salida R2IP.
Esta corriente es provista principalmente por el capacitor C, que al descargarse
provoca que el punto de trabajo se desplace de 2 a 3. Al llegar a 3 el dispositivo
ingresa nuevamente en la zona de resistencia negativa, su resistencia aumenta y el
punto de trabajo pasa del punto 3 al punto 4. El dispositivo vuelve a la condición de
alta resistencia no derivando mas corriente, por lo que el condensador C vuelve a
cargarse y recomienza el ciclo.
Del funcionamiento descrito se observa que el primer pulso, a partir del momento que
se aplica tensión al circuito, se produce al cabo de un intervalo de tiempo mayor que
los restantes. En el primer caso el condensador C se carga desde cero a la tensión
que lleva al dispositivo al punto 1, en cambio todos los pulsos posteriores se producen
luego de transcurrido el tiempo necesario para hacer pasar el dispositivo del punto 4 al
punto 1.
Cabe destacar que si bien el punto 1 es prácticamente coincidente con el
correspondiente a VS/IS, el primero se encuentra fijado cuando la recta R2 es tangente
a la característica V/I del dispositivo, mientras que VS/IS es donde la tensión V sobre el
dispositivo es máxima.
Para que el circuito oscile el valor de la resistencia de temporización R 1 debe
encontrarse en un entorno fijado por sus valores máximo y mínimo. Considerando que
el punto 1 y el de VS/IS coinciden, el máximo valor de R1 se encuentra fijado por la
necesidad de poder cargar el condensador a VS. Si R1 es de un valor tal que la
corriente de entrada pueda ser inferior a IS en un momento de la operatoria, el
condensador C no puede cargarse a VS y el dispositivo nunca alcanza la zona de
resistencia negativa. Por el contrario, si R1 es de un valor tan bajo que una vez
disparado el dispositivo, circule una corriente superior a IH, éste permanece en
conducción sin alcanzar el punto 3 (despreciando la caída en R 2).
De las condiciones anteriores puede fijarse:
R1max = Vi – VS / IS R1min = Vi – VH / IH
Para una correcta operación de un circuito Oscilador de Relajación, además de sus
características estáticas debe tenerse en cuenta su comportamiento dinámico. Un
dispositivo con elevados tiempos de conmutación, que pase lentamente del punto 1 al
punto 2, en realidad nunca lo alcanza dado que durante este lapso el condensador ya
se ha ido descargando. El resultado es que el valor de IP es menor y en consecuencia
lo es también la amplitud del pulso de salida. En general, para = R2C mayores a diez
veces los tiempos de conmutación, puede considerarse que se alcanza el valor de I P y
Osciladores de Relajación
7
la máxima amplitud de salida. Para constantes de tiempo R2C menores, hay que
prever la degradación del pulso de salida debido a las consideraciones anteriores.
Múltiples dispositivos reales se utilizan en la implementación de Osciladores de
Relajación, los mas usuales son:
UJT Transistores Unijuntura
PUT Transistores Unijuntura Programables
SUS Llaves Unilaterales de Silicio
SBS Llaves Bilaterales de Silicio
DIAC Diodos para Corriente Alterna
3.- Teoría y características del Transistor Unijuntura.
El transistor unijuntura, UJT de sus denominación en inglés Unijunction Transistor, es
un dispositivo introducido en forma teórica en el año 1948 y cuyas características
fueron descriptas por Skockley y Haynes al año siguiente. Su primer fabricación
comercial fue realizada en al año 1952.
3.1.- Teoría de Operación
El UJT es un dispositivo de tres terminales denominados emisor (E), Base Uno (B 1) y
Base Dos (B2). Su símbolo, característica, tensiones y corrientes se indican en la
figura 3.1
|
Figura 3.1
Como indica su nombre, el UJT tiene solo una juntura PN, por lo que presenta una
característica completamente diferente a un transistor convencional.
Para explicar su funcionamiento, es conveniente modelizarlo por una estructura de
barra como se indica en la figura 3.2. (a), cuyo circuito equivalente se indica en la
figura 3.2 (b). Circuito válido para corrientes de emisor iguales o inferiores a las de la
corriente de pico.
VB2B1
IB2
E
B1
B2
IE
VE
Osciladores de Relajación
8
Figura 3.2
E
B2
B1
VD
rB2
rB1
A VB2B1
+
.
E
B2
B1
VD
rB2
rS
A VB2B1
+
.
E
B2
B1
VD
rB2
rB1
A VB2B1
+
.
(b) Circuito equivalente válido para I E menor o igual a IP
(c) Circuito equivalente válido para la región
de resistencia negativa
rS
rN
(d) Circuito equivalente válido para la región
de saturación
E Estructura de Silicio
Tipo N
(a) Estructura simplificada del UJT
P
B2
B1
Osciladores de Relajación
9
Al aplicarse una tensión VB2B1 circula una corriente en la barra de silicio entre los dos
terminales de base. Como la barra es una resistencia de valor rBB, la corriente
interbase resulta
I B2 = VB2B1 / rBB
Una fracción de esta tensión aparece en el punto A, donde se encuentra el terminal de
emisor, fracción conocida como coeficiente intrínseco e identificada por la letra griega
. Sin tensión aplicada al emisor, la tensión del punto A es VB2B1, por lo que la juntura
PN se encuentra inversamente polarizada y solo circula una pequeña corriente
inversa.
Si se incrementa la tensión de emisor hasta al alcanzar el valor que justo inicia la
conducción de a la juntura PN, este valor se corresponde con el valor de pico de la
tensión de emisor Vp. Cuyo valor constituye la ecuación fundamental de los UJT
trabajando como osciladores de relajación:
Vp = VD + VB2B1
A partir de este valor, al polarizarse en sentido directo la juntura PN, se inyectan
huecos desde el emisor hacia la barra de silicio. El campo eléctrico dentro de la barra
tiene la polaridad adecuada para transportar a los huecos hacia el terminal de base
uno. Como la conductividad de un material semiconductor es una función directa de la
concentración y movilidad de los portadores, la inyección de huecos aumenta la
conductibilidad en la zona, dando origen a un proceso de realimentación positiva
denominado modulación de la conductividad. El incremento de portadores, reduce la
resistividad, causando a su vez un aumento en la caída de tensión entre el emisor y
base uno. Proceso que a su vez permite que mas huecos sean inyectados desde el
emisor, volviendo a disminuir la resistividad. Mientras el UJT está sometido a este
proceso entre los terminales de emisor y base uno se encuentra en la zona de
resistencia negativa.
En la figura 3.2 (c), se grafica esta situación. Para corrientes de emisor iguales o
inferiores a su valor de pico, la resistencia rBB puede considerarse dividida en dos
partes rB1 y rB2 de acuerdo a las siguientes expresiones:
rB1 = rBB
rB2 = rBB - rB1
En la zona de resistencia negativa, la resistencia rB1 puede considerarse compuesta
por una parte fija rs (resistencia de saturación) y una variable rn (resistencia negativa) ,
siendo rs el mínimo valor de rB1 una vez finalizado el proceso de realimentación
positivo y rn se haya hecho nula.
Cuando rB1 = rs, el UJT ya no se encuentra en la zona de resistencia negativa y el
punto de la característica donde rB1 alcanza su valor mínimo es el punto de valle,
determinado por el par de valores IV y VV de la característica de emisor. Pasado este
punto, el UJT entra en la zona de saturación, donde la corriente de emisor es una
función lineal de la tensión de emisor. El circuito equivalente en esta región se indica
en la figura 3.2 (d)
En la curva característica del UJT de la figura 3.1 pueden diferenciarse las tres zonas;
de corte, de resistencia negativa y de saturación. La primera de ellas no está dibujada
a escala para poder visualizar el punto de pico, ya que mientras Ip es del orden de los
Osciladores de Relajación
10
nA/uA, la Iv es del orden de los mA. A la izquierda del punto de pico se encuentra la
región de corte, donde la juntura PN se encuentra inversamente polarizada a
excepción de las cercanías del punto de pico, y solo circula la pequeña corriente de
pérdidas. A la derecha de este punto, y hasta el punto de valle, se encuentra la zona
de modulación de conductividad que da origen al comportamiento de resistencia
negativa del UJT. A la derecha del punto de valle se encuentra la zona de saturación
donde la corriente de emisor está limitada por rs. La característica de emisor para
corriente nula de base dos es esencialmente igual a la de un diodo de silicio.
En la siguiente tabla se indican valores típicos de un transistor unijuntura.
Parámetro Símbolo Valores típicos
Coeficiente intrínseco 0,7
Resistencia interbase rBB 7 Kohm
Corriente de pico Ip 1 uA
Corriente de valle Iv 10 mA
Corriente inversa de emisor IEO 0,1 uA
Tensión de saturación de emisor VEB1 (SAT) 1,5 V
Caída directa de la juntura de emisor VD 0,6 V
Tensión de valle Vv 1,5 V
3.2.- Oscilador a Relajación con UJT
El la figura 3.3. se indica el circuito de aplicación típico de un UJT trabajando como un
oscilador a relajación:
Figura 3.3
Cuando se aplica la tensión de alimentación, CE se carga exponencialmente a través
de RE hasta alcanzar el valor de disparo Vp.
A esta tensión, la juntura PN entre emisor y base uno, se polariza en forma directa y la
característica de emisor entra en la zona de resistencia negativa. El capacitor CE se
descarga al circular una corriente de emisor, produciendo un pulso positivo en el
terminal B1. Este pulso se produce sobre la resistencia R1, que puede existir
físicamente o bien representar la impedancia de entrada de la compuerta del tiristor
que se desea disparar mediante el oscilador de relajación.
R2
RCE 1
RE
RE = 10 K
CE = 0,01 uF
R2 = 270 ohm
R1 = 27 ohm
Vcc = 12 V
Osciladores de Relajación
11
Antes de dispararse, una corriente IB2 se encuentra circulando entre las dos bases.
Cuando el UJT entra en la zona de resistencia negativa, la I B2 se incrementa, dado que
rB2 disminuye al valor de rs, dando origen a un pulso negativo en el terminal de B 2.
Cuando la tensión en el emisor decrece al valor de valle por la descarga del capacitor,
el UJT se corta, el capacitor CE vuelve a cargarse y el ciclo se repite, si se satisface
que el valor de R1 se encuentra entre los máximos y mínimos permitidos.
Para el cálculo del período en régimen permanente, la tensión en el capacitor C E sigue
una evolución dada por:
VCE = Vv + (Vcc – Vv) (1 –e –t/) con = RE CE
El disparo se produce cuando
VCE = Vp = VD + VB1B2
Por lo que resulta un período
T = RE CE ln (Vcc – Vv) / (Vcc – VD – VB1B2)
Usualmente, despreciando Vv y VD, el período queda expresado por:
T = RE CE ln 1 / (1-) = ln/ (1-)
Para la correcta operación de un oscilador a relajación en el disparo de tiristores, debe
asegurarse que el período se mantenga constante y la amplitud del pulso de salida
sobre R1 sea de la energía requerida
El período calculado se ve afectado por la variación de la temperatura. Variación que
puede minimizarse mediante la adecuada elección del valor de la resistencia R 2 en el
circuito de la figura 3.3.
La ecuación básica del UJT operando como oscilador de relajación es
Vp = VD + VB1B2
La presencia de R2, y despreciando R1, la modifica como:
Vp = VD + Vcc / (rBB + R2) VB1B2
Sin la presencia de R2, si la temperatura aumenta, como VD y tienen un coeficiente
negativo de variación con la temperatura, Vp disminuye con la temperatura. La
inclusión de R2 introduce a rBB en la expresión de Vp. rBB presenta un coeficiente
positivo de variación con la temperatura, tendiendo a compensar la disminución de Vp
debidos a VD y , al incrementarse la temperatura.
Si R2 no varía con la temperatura, puede elegirse un valor adecuado, que permite
alcanzar una variación del 1% en Vp sobre una variación en 50º C. El valor de R 2
puede calcularse a partir de la información de los fabricantes sobre la variación de los
parámetros con la temperatura, pero como primer aproximación en circuitos no
críticos, para independizar el período de los cambios de temperatura se toma::
R2 = 15 % rBB
Osciladores de Relajación
12
En cuanto a la energía entregada en el pulso de descarga del capacitor C E durante la
zona de resistencia negativa, en principio la tensión en el mismo no puede variar
instantáneamente, tendiendo a establecer una corriente dada por el valor de Vp al cual
se ha cargado CE y las resistencias rs (resistencia de saturación emisor base 1) y R1.
El tiempo que tarda en establecerse esta corriente es del orden de los microsegundos.
Durante este tiempo de conmutación, CE puede ir descargándose y producir un pulso
de amplitud menor que el esperado en función de los valores del circuito.
Estas variaciones se encuentran graficadas en la figura 3.4, para distintos valores de
CE y de VB1B2, ensayado en un circuito como el de la figura 3.3 con los siguientes
valores
RE = 10 ohm
R2 = 1 Kohm
R1 = 27 ohm
En la figura puede observarse como para distintos valores de CE y VB1B2 se obtienen
diferentes valores de corriente de emisor
Figura 3.4
4.- Teoría y características del Transistor Unijuntura Programable.
El transistor unijuntura programable, PUT de sus denominación en inglés
Programmable Unijunction Transistor, es un dispositivo de cuatro capas, perteneciente
a la familia de los tiristores, con acceso al terminal de compuerta de ánodo y utilizado
en aplicaciones de osciladores de relajación. Su nombre se deriva de su uso en este
tipo de circuitos en lugar de los UJT, y denominados programables por no tener un
coeficiente intrínseco fijo, sino que puede ser modificado por el circuito.
Osciladores de Relajación
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4.1.- Teoría de Operación
El PUT, como el UJT, es un dispositivo de tres terminales, que por pertenecer a la
familia de los tiristores, utilizan los usuales de ánodo, cátodo y compuerta. Su símbolo,
y circuito equivalente se indican en la figura 4.1.
Figura 4.1
De la figura puede observarse que el disparo se produce por el terminal de ánodo en
lugar del de cátodo, haciendo a la compuerta negativa con respecto al ánodo para
pasar del estado de corte al de conducción.
El uso de los PUTs se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de
relajación para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su
alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de
temporización o pequeños valores de capacidad, en aplicaciones de baja corriente,
tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías.
Adicionalmente, por su conmutación debido a un proceso de realimentación positiva
de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutación que los UJT donde
este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por
inyección de portadores. En consecuencia menores valores de capacidad producen
pulsos de disparo de la potencia adecuada
En la figura 4.2. se indica un oscilador a relajación típico implementado con PUT. En el
mismo puede apreciarse que se fija el potencial de la compuerta de ánodo a un valor
Vs determinado por el divisor resistivo R1 y R2. La resistencia y capacidad de
temporización RT y CT, fijan la evolución de la tensión del ánodo. Cuando alcance el
potencial de la compuerta, mas la necesaria para vencer la caída directa de la juntura
ánodo compuerta, el PUT se encuentra con tensión ánodo cátodo positiva y corriente
de compuerta, por lo que pasa del estado de corte al de conducción como cualquier
miembro de la familia de los tiristores.
Osciladores de Relajación
14
Figura 4.2
En este circuito, la curva característica que vincula la tensión ánodo cátodo con la
corriente de ánodo del PUT es como se indica en la figura 4.3. Pueden observarse los
puntos estables de pico y de valle en ambos extremos de la zona de resistencia
negativa.
Figura 4.3
Osciladores de Relajación
15
La tensión de pico Vp es prácticamente la fijada por el divisor resistivo, mas la caída
en un diodo polarizado directamente. Como la referencia es fijada por el circuito y no
por el dispositivo en si, puede ser modificada a voluntad, y en este sentido la tensión
de pico Vp es programable.
Al caracterizar a un PUT, se acostumbra referirlas a la tensión y resistencia de
Thevenin Vs y RG, visto desde el terminal de compuerta:
Vs = V1 R1 / (R1 + R2)
RG = R1R2 / (R1 + R2)
La mayoría de los parámetros de un PUT son función de los valores de Vs y R G, como
de hecho lo es la curva de la figura 4.3. Disminuir RG produce un aumento en los
valores de las corrientes de pico y de valle, dado que por encontrarse R G en paralelo
con el PUT, la disminución de RG torna al PUT mas insensible.
En la siguiente tabla se suministran valores de pico y de valle de los PUT Motorola
tipos 2N6027 y 2N6028 para distintos valores de RG
Símbolo RG 2N6027 2N6028 Unidades
Ip RG = 1 mohm
RG = 10 Kohm
1,25
4
0,08
0,70
uA
uA
Iv RG = 1 Mohm
RG = 10 Kohm
18
150
18
150
uA
uA
Otros valores típicos son:
Símbolo Descripción Valor Típico Observaciones
VAG Caída directa ánodo
compuerta 25 °C
0,3 V @ IAG
0,1 uA
0,7 V @ IAG
1 mA
Coeficiente negativo con la
temperatura, -2,4 V/°C @ 10
nA y -1,6 V/°C @ 10 mA
IGKS Corriente inversa
compuerta cátodo con el
ánodo cortocircuitado
5 nA
IGAO Corriente inversa
compuerta ánodo con
cátodo abierto
1 na @ 25° Se duplica cada 10 °C
VF Caída directa ánodo cátodo 0.8 V
4.2.- Oscilador a Relajación con PUT
El la figura 4.2 se indica el circuito de aplicación típico de un UJT trabajando como un
oscilador a relajación. Su funcionamiento es análogo al explicado para los UJT. Dadas
las características constructivas y funcionales de los PUT, en su aplicación en
osciladores de bloqueo deben tenerse en cuenta las siguientes consideraciones:
_ Al igual que en los UJT, la resistencia de temporización RT debe ser lo
suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta
Osciladores de Relajación
16
para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT
debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de R G.
_ El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un
divisor resistivo como el de la figura 4.2.
_ La ecuación básica del PUT es:
Vp = VT + Vs
Siendo Vs la tensión de Thevenin vista desde la compuerta y VT una tensión de
offset compuesta por la caída directa de la juntura ánodo compuerta V AG mas la
caída producida en RG por la corriente Ip justo antes del disparo.
_ Como VT = VAG + Ip RG, un cambio en RG afecta a ambos términos en forma
opuesta. Si RG aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a VAG, pero como Ip no se
reduce tan rápido como RG se incrementa, el producto Ip RG aumenta, aumentando
el valor de VT. Como estas variaciones son difíciles de estimar, es de uso
generalizado tomar para la mayoría de las aplicaciones.
VT = 0,5 V
_ El período de un oscilador a relajación basado en PUT resulta:
VCT = Vp = VT + Vs
Por lo que resulta un período
T = RT CT ln (Vcc – Vv) / (Vcc – VT - Vs)
Despreciando Vv y VT, se reduce a una expresión equivalente a la ya obtenida para
los UJT.
T = RT CT ln (1 + R1 / R2)
_ Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de
conmutación, especialmente para capacidades inferiores a 0,01 uF.
_ Valores típicos de frecuencias de oscilación se encuentran comprendidas entre los
0,003 Hz y 2,5 KHz.
_ El PUT operando como oscilador de bloqueo presenta una baja dependencia de su
frecuencia con la temperatura debido a que su tensión de compuerta se encuentra
fijada exteriormente. Para aplicaciones críticas deben implementarse circuitos de
compensación
5.- Teoría y características de las Llaves Unilaterales y Bilaterales de
Silicio.
Estos dispositivos, conocidos por sus siglas SBS y SUS de sus denominaciones en
inglés Silicon Unilateral Switch y Silicon Bilateral Switch, también pertenecen a la
familia de los tiristores, integrando PUT y diodos zener para fijar el valor de la tensión
de referencia.
Osciladores de Relajación
17
En la figura 5.1 se indica el símbolo, el circuito equivalente y la curva característica de
los SUS.
Figura 5.1
La figura 5.2 presenta los mismos datos para los SBS.
Figura 5.2
De las figuras precedentes puede observarse que son dispositivos de tres terminales
con una característica equivalente a la de los PUT, por lo que su utilización en circuitos
osciladores de relajación es similar al de la figura 4.2, pero con la tensión de referencia
de compuerta fijada por el diodozener interno en lugar de serlo por el circuito exterior.
La tabla siguiente presenta algunos valores típicos de un SUS como el D13D1
Símbolo Descripción Valor Típico
Vs Tensión de disparo 6 a 10 V
Is Corriente de disparo 0,5 mA máximo
VH Tensión de mantenimiento 0,7 V @ 25º
IH Corriente de mantenimiento 1,5 mA
VF Caída directa 1,75 V @ 200 mA
Vo Tensión de pico del pulso 3,5 V mínimo
El valor de Vo se obtiene sobre una resistencia de cátodo de 20 ohms, con un circuito
de temporización alimentado desde 15 V y con valores de resistencia y capacitor de
100 K y 0,1 uF.
Puede observarse que presentan un valor relativamente elevado de la corriente de
pico, y que ésta no difiere significativamente de la de valle, por lo que las frecuencias
Osciladores de Relajación
18
máximas y mínimas de operación se encuentran limitadas. Por estas razones,
actualmente se disponen dispositivos integrados que presentan características
similares y mejores valores de sus parámetros.
Los SBS, como por ejemplo el D13E1, son esencialmente dos SUS idénticos en anti
paralelo. Como puede operar con polaridades opuestas de la tensión de alimentación,
su principal uso se encuentra en el disparo de tiristores bidireccionales como los
TRIAC. Esta operación se logra excitando el circuito del oscilador con tensiones
alternas en vez de continuas.
6.- Teoría y características de los DIAC.
Los DIAC son dispositivos de solo dos terminales, cuyo símbolo y características se
indican en la figura 6.1.
Figura 6.1
Estos dispositivos pertenecen a la familia de los tiristores, se encuentran construidos
con las cuatro capas típicas de la familia, pero con la particularidad que su disparo no
se produce por la inyección de portadores en el terminal de compuerta, sino por
tensión de ruptura. Forma de disparo que generalmente resulta destructiva para la
mayoría de los miembros de la familia de tiristores, pero que es la utilizada en los
DIAC.
Puede observarse de su característica, que la zona de resistencia negativa comienza
al superarse la tensión de ruptura y luego permanece permanentemente en esta zona,
por lo que no existe un punto de valle.
La siguiente tabla contiene valores típicos del DIAC ST-2:
Osciladores de Relajación
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Símbolo Descripción Valor Típico
V(BR) Tensión de ruptura 28 a 36 V
I(BR) Corriente de ruptura 200 uA máximo
ep Tensión de pico del pulso 3 V mínimo
El valor de ep se mide en un circuito con los mismos valores que los utilizados para la
determinación del pulso de disparo de los SUS.
A aplicación típica de los DIAC es para el disparo de TRIAC.

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