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TEMA :
SEMESTRE II
EL TRANSISTOR BIPOLAR
GRUPO A

1. OBJETIVOS

 Obtener las curvas características de amplificación de corriente.

 Analizar el modo de operación del circuito con transistor bipolar.
 Realizar el laboratorio cumpliendo siempre las normas de seguridad.

2. MATERIALES

2.1 Fuente DC

Figura 1. Fuente DC (doble)

2.2 Tablero universal de conexiones

Figura 2. Tablero universal de conexiones

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GRUPO A

2.3 Resistencias

Figura 3. Resistencias (1kΩ, 1kΩ, 100kΩ)

2.4 Transistor bipolar

Figura 4.Transistor bipolar

2.5 Multímetro Digital

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Figura 5. Multímetro digital

2.6 Conectores

Figura 6. Conectores

2.7 Multímetro Analógico

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GRUPO A

Figura 7. Multímetro analógico

3. SEGURIDAD EN LA EJECUCION DEL LABORATORIO

Tener cuidado con el tipo y niveles de

voltaje que suministran a las tarjetas

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse

que está en el rango y magnitud eléctrica
adecuada

Tener cuidado en la conexión y en la

desconexión de los equipos utilizados

4. FUNDAMENTO TEORICO
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GRUPO A

Un transistor bipolar está formado por dos uniones (p n) en contraposición.

Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados NPN y PNP:

Figura 8.Transistores Bipolares NPN y PNP.

A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente análogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora más fuertemente dopada con

donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector.
Su función es la de emitir electrones a la base. La base es la zona más estrecha y se
encuentra débilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona más
ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia
entre el emisor y la base.

Condiciones de funcionamiento

Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el

diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en
inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base
consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es

transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento
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adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de

colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre emisor y colector. El
transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de
forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-
C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de
colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su
circuito C-E como un interruptor abierto.

Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como

amplificadores de señales. Las zonas de corte y saturación son útiles en circuitos
digitales.

Figura 9. Familia de curvas características de salida con la recta de

resistencia

5. PROCEDIMIENTO:

Para realizar este laboratorio, con un procedimiento correcto tenemos que realizarlo con
precaución, debido a que estamos trabajando con tensiones.
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5.1. VERIFICACIÓN DEL DISPOSITIVO.

Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando los terminales

(base, emisor y colector), usando el multímetro (prueba de diodos), reporte las
mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente).

POLARIZACION BASE-COLECTOR BASE – EMISOR

DIRECTA 0.681 V 0.685 V

INVERSA 0L 0L

TABLA N. 1.

Figura 10. Primer montaje

5.2. OBTENCIÓN ESTATICA DE LA CURVA CARACTERISTICA BASE – EMISOR

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Arme el circuito y coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce = 1 V, mida
Vbe e Ib (amperímetro escala microamperios); para cada nuevo valor de Vbb reajuste
Vcc para mantener Vce = 1 V, y completar la tabla.

ESQUEMA N. 1.

Vbb (Volts) Vbe (Volts) Ib (µA)

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0 0 0
0.5 0.51 0
1.0 0.593 1
1.5 0.616 3
2.0 0.626 4
2.5 0.635 5
3.0 0.641 6.5
3.5 0.646 8
4.0 0.651 9.2
4.5 0.654 10
5.0 0.658 12

TABLA N.2.

Grafique Vbe vs. Ib:

GRAFICA Vbe vs Ib
4

3.5

2.5

1.5

0.5

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5

5.3. CURVA CARACTERISTICA COLECTOR – EMISOR

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Arme el circuito Vcc a +12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente base Ib = 12 µA
(ajuste en amperímetro a la escala micro amperios) ajuste Vcc a cero y complete la
tabla (para todas las medidas mantener constante Ib = 12 µA).

Figura 11.
Segundo montaje

ESQUEMA N. 2.

Vcc (Volts) Vce (Volts) Ic (mA)

0 0.003 0.00
1 0.070 0.45
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2 0.091 0.85
3 0.110 1.55
4 0.128 1.75
5 0.146 2.45
6 0.191 2.80
7 0.445 3.00
8 1.412 3.25
9 2.146 3.50
10 2.871 3.60
11 3.810 3.80
12 4.760 4.20
TABLA N. 3

Grafique Vce vs Ic

GRAFICO Vce vs Ic
4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

6.- CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Conclusiones
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 El transistor es un dispositivo bipolar que trabaja en función a la corriente de base.

 Dependiendo de donde se encuentra el punto de trabajo, se sabe si el transistor esta
trabajando no.
 El transistor puede trabajar con valores positivos de voltaje o negativos dependiendo del
tipo de juntura.
 Si realizamos variaciones en la resistencia de la base podremos mover el punto de trabajo
del transistor y de esta manera lograr que se adecue a la corriente voltaje que necesitemos.
 Podemos realizar la medición de un transistor sin conocer cual es su base, emisor o su
colector.
 El funcionamiento de un transistor. Ya sea NPN o PNP, depende de la polarización que se
le aplica en sus terminales, ya que una mala polarización podría funcionar mal todo el
circuito en el que se le aplique o el usuario no podría tener los resultados satisfactorios.
 Durante el experimento pudimos comprobar la teoría que fue asimilada en el salón de
clases, por ejemplo. Que la corriente del colector después de cierto voltaje se aproxima a la
corriente del emisor.
 También se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base se puede
obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base así se puede comprobar que este
tipo de dispositivos se pueden utilizar como amplificadores.
Observaciones

 Se debe de apuntar cual es la polaridad de la punta de prueba de la base al momento de la

medición para determinar si es NPN o PNP.
 Mantener siempre la posición inicial de referencia para determinar cuáles son los bornes
del transistor.
 Se debe ajustar el osciloscopio antes de realizar la medición.
 Las corrientes del transistor se deben de medir con micro amperímetros.
 El Vbb debe estar en el valor establecido de 1V y no se debe se mover.
 Podemos notar como varia la gráfica del transistor conforme variamos la resistencia del
potenciómetro.

HISTORIA DEL TRANSISTOR

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En el año 1956 el premio Nobel de física fue compartido por tres grandes científicos:
William Bradford Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain por el que es
considerado como el mayor desarrollo tecnológico del siglo XX: el transistor. La historia
de cómo se inició la carrera por la miniaturización de los dispositivos tecnológicos que
aún no ha terminado en nuestros días me parece fascinante. Llena de brillantez, peleas
y afán de superación.

La construcción de los primeros transistores respondía a una necesidad técnica: hacer

llamadas telefónicas a larga distancia. Es por esto que los descubridores de esta nueva
tecnología trabajaban para la American Telephone and Telegraph Corporation (AT&T),
fundada por Alexander Graham Bell y conocida inicialmente como la Bell Telephone
Company.
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En 1906 el inventor Lee De Forest desarrolló un triodo en un tubo de vacío. ¿Qué

significado tuvo? Colocando este invento a lo largo de la línea telefónica se podía
amplificar la señal lo suficiente como para poder hacer llamadas a larga distancia. El
triodo está compuesto de tres partes: un cátodo que emite electrones, un ánodo que los
capta y una rejilla situada entre los dos a la que se puede aplicar tensión. Variando
ligeramente la tensión de la rejilla podemos variar enormemente el flujo de electrones
entre el cátodo y el ánodo, en esto consiste la amplificación de la señal eléctrica en la
que se ha traducido la señal sonora.
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Además podía utilizarse como rectificador (para convertir corriente alterna en continua) y
como una puerta que permitiese pasar la corriente o no (on-off), la base de la electrónica
y computación posterior. Es más, uno de los limitantes en las primeras computadoras
era la gran cantidad de triodos que necesitaban. Pero lo que no se les puede negar es
que revolucionaron su época al permitir amplificar las señales de radio dando un impulso
a este medio de comunicación que le llevó a ser el más importante durante la primera
mitad del siglo XX.
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AT&T rápidamente compró la patente y mejoró el tubo. Pero surgió un problema. Los
tubos de vacío producían mucho calor, necesitaban mucha energía y debían ser
reemplazados continuamente. Era necesario otro método para amplificar la señal.
Buscando respuestas la compañía creó en 1926 un centro de investigación conocido
como Laboratorios Telefónicos Bell (Bell Labs), responsable de descubrimientos tan
importantes como el lenguaje de programación C, la astronomía radial, el sistema
operativo Unix, y lo  que nos atañe, el transistor.

El pensador, el experimentador y el visionario

Después de finalizada la Segunda Guerra Mundial el director del laboratorio Mervin Kelly
buscó un grupo de científicos que dieran con la solución a los problemas que causaba el
tubo de vacío y tenía algo en mente para reemplazarlo: los semiconductores. ¿Qué es
un semiconductor? Un elemento que en determinadas condiciones puede conducir la
electricidad (por ejemplo, a una temperatura alta), pero si cambiamos esas condiciones
deja de permitir el paso de electrones. Los más importantes son el silicio (Si) y el
germanio (Ge).
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El director del nuevo equipo de investigadores fue William Shockley, un visionario capaz
de ver la importancia de los transistores antes que nadie, Walter Brattain, un físico
experimental capaz de construir y reparar prácticamente cualquier cosa y John Bardeen,
capaz de ir más allá en la comprensión de los  fenómenos aparentemente complejos y
exponerlos de la manera más sencilla posible. Tres personajes con una marcada
personalidad, lo que les llevaría a alguna que otra confrontación, lo que se manifestó a la
hora de repartirse los méritos.

En 1947, durante el conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de

diciembre realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar a
conseguir su objetivo: el primer transistor de contacto puntual, hecho con dos púas de
metal (oro) que se presionan sobre la superficie de material semiconductor (germanio)
en posiciones muy próximas entre sí.

Choque de egos

Shockley pensaba que él era el merecedor de la gloria, era el supervisor y había

aportado la idea inicial. Así que decidió patentar el transistor a su nombre. A decir
verdad Shockley mejoró considerablemente el transistor en un mes, creando el transistor
de unión. Bardeen pronto describió la situación como intolerable.
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Eran habituales las imágenes de prensa en las que aparecía en un primer plano
Shockley sentado al lado de un microscopio con Bardeen y Brattain detrás de él
mirándole. Brattain admitió después que odiaba esa foto. Ya no podían seguir trabajando
juntos.

Y cada uno siguió su camino, Brattain como profesor en el Whitman College, Bardeen
como físico teórico en la Universidad de Illinois, y Shockley fundó su propia compañía de
semiconductores, la primera de su tipo en lo que llegó a ser Silicon Valley, aunque
conocida por no ser nunca capaz de sacar un producto comercialmente viable.

El impacto de los transistores fue enorme, transformaron el mundo de la electrónica y el

diseño de computadoras al permitir disminuir infinitamente su tamaño al librarse de los
voluminosos y frágiles triodos de vacío. Y así comenzaron a disminuir las tallas de
nuestros dispositivos electrónicos. Hasta hoy día, en el que empieza a ser común un
móvil con el tamaño de un reloj.

INDICE
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TEMA :
SEMESTRE II
EL TRANSISTOR BIPOLAR
GRUPO A

1. OBJETIVOS………………………………………………………………......

2. MATERIALES………………………………………………………………...

3. SEGURIDAD EN LA EJECUCION DEL LABORATORIO………………

4. FUNDAMENTO TEORICO………………………………………………….

5. PROCEDIMIENTO…………………………………………………………...

6. OBSERVACIONES………………………………………………………….

7. CONCLUSIONES……………………………………………………………

8. ANALISIS DE TRABAJO SEGURO………………………………………

9. INFORMACION ADICIONAL (HISTORIA DEL TRANSISTOR)………