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REPORTE UNIDAD 2

Diodos y Transistores

Integrantes.
Eduardo Fabian Zamudio Castro (E19120332)
José Ángel Ruiz Lázaro (E19120346)
Daniel Alberto Rosiles González (E19120353)

Instituto Tecnológico Superior Del Sur De Guanajuato


Ing. Electrónica
PRACTICA 1
Introducción.
En esta práctica analizaremos un circuito dado con transistores BJT,
analizaremos su comportamiento en corte y saturación.
Teoría.
Utilizamos como base de la práctica y para entender el comportamiento de
esta configuración lo prendido y visto en clase. Es bueno recordar que un
transistor, también es conocido como un BJT, y existen varias
configuraciones de ellos, pero ahora utilizamos una básica no tan
complicada. Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo
de la electrónica, pero comúnmente son utilizados como interruptores
electrónicos, amplificadores deseñales o como conmutadores de baja
potencia. Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo
del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones
del transistor pueden ser:

EN ESTA PRÁCTICA VEREMOS EL COMPORTAMIENTO DE LA REGIÓN DE


CORTE Y SATURACIÓN.
PRACTICA 1
DESARROLLO.
Para poder realizar la práctica se ocupó el siguiente material y equipo:
• Resistencias de 100kΩ y 220kΩ.
• 1 LEDde cualquier color.
• Un transistor 2N2222.
• Una fuente de Voltaje.
• Un generador de funciones
Resultados.
CONCLUSIONES:
Observamos que el transistor empezó a tener un comportamiento de un
switch el cual hacía que encendiera y apagara el led, esto pues que el
transistor en saturación es como si estuviera abierto, y cuando se está en
corte este se cierra y deja pasar la corriente, por lo cual cuando subimos la
misma o la bajamos, se comportara como switch.
PRACTICA 2
Introducción: El objetivo de esta práctica es medir las corrientes y el voltaje
del colector emisor con los 2 valores de corriente.

TEORIA.
Utilizamos como base de la práctica y para entender el comportamiento de
esta configuración lo prendido y visto en clase. Es bueno recordar que un
transistor, también es conocido como un BJT, y existen varias
configuraciones de ellos, pero ahora utilizamos una básica no tan
complicada.
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la
electrónica, pero comúnmente son utilizados como interruptores
electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores de baja
potencia. Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo
del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones
del transistor pueden ser:
Materiales:
• 3 resistencias con valores de 1MΩ, 2.2KΩ, 1KΩ.
• 1 transistor 2N2222
• 2 Fuentes de Voltaje
• 2 multímetro Armamos nuestro circuito, y nos queda de la siguiente
manera.
Ahora procedimos a realizar nuestra conexión con las fuentes de voltaje. Y
multímetros.
Graficando nuestros valores nos queda lo siguiente:

CONCLUSIÓN:
Esta fue una de las practicas con la que más aprendimos, pues el maestro
nos enseñó a medir de manera correcta, a no basarnos al primer resultado
que nos dé como el principal, y a saber detectar cuando las mediciones son
erróneas. Esta práctica fue algo sencilla pero interesante y muy fructífera
en cuestión de saber el comportamiento de los transistores y sus curvas
características.
PRACTICA 3
INTRODUCCIÓN.
En esta práctica el objetivo era posicionar el punto Q (punto de operación),
enVCE=9v. donde lo lograremos a través de realizar la practica bien y con
los materiales adecuados.

TEORIA. Utilizamos como base de la práctica y para entender el


comportamiento de esta configuración lo prendido y visto en clase. Es bueno
recordar que un transistor, también es conocido como un BJT, y existen
varias configuraciones de ellos, pero ahora utilizamos una básica no tan
complicada. Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo
de la electrónica, pero comúnmente son utilizados como interruptores
electrónicos, amplificadores deseñales o como conmutadores de baja
potencia. Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo
del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones
del transistor pueden ser:

DESARROLLO.
Para poder realizar la práctica se ocupó el siguiente material y equipo:
• Resistencias de 10kΩ, 1kΩ y 4.7kΩ.
• Un potenciómetro de 100kΩ
• Un transistor 2N2222.
• Una fuente de Voltaje.
• Un multímetro Para obtener los valores de R1 y R2 se hizo el cálculo
considerando una β de 200.
Posterior se pasó a armar el circuito, pero no tenemos un potenciómetro, así
que tuvimos que poner resistencias en paralelo y en serie para hacer la
función del potenciómetro.
Resultados

CONCLUSIONES:
El maestro y la práctica pedían que llegáramos a un punto Q de 9, lo cual
nuestra practica ya hecha, nos arrogo una variación que nos dio un punto
de 9.15, lo que nos hizo posicionar el punto de trabajo Q un poco más arriba
de lo buscado y 1.25mA, para esto era necesario calculas los valores de
resistencias para R1 y R2 que nos permitieran este comportamiento. Y como
no teníamos el potenciómetro esa variación fue obtenida por utilizar las
resistencias necesarias para llegar al valor obtenido de punto Q.

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