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Sistemas de Control Secuencial  Profesor: Juan P. Narváez

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Memorias
Antes de entrar a analizar las distintas memorias, volvemos a citar cierta clasificación de ellas.
Memorias centrales. Son las que se encuentran en el interior de los sistemas microprogramables y están
directamente regidas por la CPU. En ellas se almacenan los sistema operativos, las tablas de datos, el
programa de usuario que se encuentra en ejecución y los datos de la pila de memoria, según su principio
de funcionamiento
•   Memorias de existen los de
núcleo siguientes
ferrita. tipos:
Fue el primer tipo de memoria empleado, hoy en desuso.
Formadas por núcleos toroidales de algunas décimas de milímetro de diámetro recorridos por
tres hilos, dos de selección y uno de lectura.
•   Memorias integradas. Son las únicas empleadas actualmente. Se clasifican en:
-  Memorias de lectura y escritura, o memorias RAM
-  Memorias de sólo lectura o memorias ROM
Memorias masa. Son las unidades de memoria de más alta capacidad que existen y están situadas en los
periféricos. Su función es almacenar grandes cantidades de datos, así como los programas de usuario y
el sistema operativo cuando no están en ejecución. Las más importantes hoy día son:
•   Memorias en disco duro
•   Memorias en disquete
•   Memorias en disco óptico: CD-ROM y DVD
•   Memorias integradas extraíbles: Pen Drive y SD

Clasificación de las memorias integradas

Memorias RAM.-
Las siglas RAM significan memoria de acceso aleatorio (Random Acces Memory). Son memorias
volátiles, en las que se puede leer y escribir
Tipos:
RAM estáticas o SRAM. Las celdas de memoria o de almacenamiento están formadas por flip-flops,
que permanecen indefinidamente en su estado mientras no se elimine la alimentación o se haga bascular.
RAM dinámicas o DRAM. Las celdas de almacenamiento están formadas por pequeños condensadores
que almacenan la información (Tecnología CMOS). Tienen el defecto de, por inevitables corrientes de
fuga pierden la información. Por tal motivo se requiere de un circuito de refresco (proceso de reescritura
periódico) que restablezca la información. El tiempo típico de refresco de 2 milisegundos. Este proceso
requiere un tiempo y una mayor complejidad de hardware, es decir la memoria dinámica no está
disponible
el contrarioenlatodo
DRAMmomento
ofrecepara ser leídadeo un
la ventaja escrita,
mayor ya número
que el proceso
de bits de
porrecarga noque
chip, lo es instantáneo.
redunda en Por
un
precio más bajo y en unas dimensiones de montaje más pequeñas, sin olvidar que el circuito de refresco
encarece un poco el conjunto.
RAM con pila. Este tipo de memorias es no volátil, es decir no pierden la información al ser
desconectadas, se trata de una memoria RAM CMOS que lleva incorporada en su encapsulado una
pequeña batería de litio que asegura una estabilidad de los datos durante diez años, con el chip extraído
del circuito.. en lugar de ellas hoy se utilizan las EEPROM, que estudiaremos a continuación.

Memorias ROM. Las siglas ROM significan, memorias de sólo lectura (Read Only Memory)
Son memorias no volátiles, en las que sólo se puede leer, ya que su proceso de grabado es más complejo
y se realiza normalmente fuera del sistema. Según la forma en que se procede a grabar los datos, se
dividen a su vez en los tipos siguientes:
•  ROM  (programable por máscara). Los datos se graban en la memoria durante su proceso de
fabricación. Proceso fotolitográfico. Evidentemente estos datos son indelebles y nunca se podrán
borrar o cambiar.
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•   PROM. (Rom programable) Grabadas o programadas por el usuario una sola vez. El fabricante
las suministra en estado virgen, con tos sus bits puestos a “0” o a “1”, según los tipos. El
proceso de grabación se hace mediante un equipo programador de PROM que produce fusiones
de carácter irreversible de acuerdo con los datos que se pretende grabar.
•   EPROM (ROM borrable y programable) Son similares a las PROM, pero el proceso de
grabación no completamente
policristalino es destructivo. Los datosenseelalmacenan
aislados seno de unainduciendo cargas
capa de óxido de en electrodos
silicio. de silicio
La grabación se
realiza mediante un programador de EPROM y a partir de ese momento los datos permanecen
inalterables. Cuando se requiera borrar los datos, la devolvemos a su estado original mediante la
acción de rayos ultravioletas a través de una ventana dispuesta a tal fin. El número de ciclos de
borrado-grabado es limitado ya que el proceso produce una cierta degradación de los datos.
•   EEPROM (ROM, borrables eléctricamente). Son las memorias que logran el ideal de alcanzar
una memoria de lectura-escritura que no pierde su contenido al cortar la alimentación. Estas
memorias pueden alterar su contenido sobre el montaje definitivo sin necesidad de extraer el chip
y sin utilizar una instrumentación específica.
•   Tener en cuenta los siguientes términos. EAROM (ROM (alterable eléctricamente) y
EEPROM ((ROM borrable eléctricamente)

Resumen de las características DRAM

•  La capacidad de almacenamiento de los chips de memoria DRAM es, a igualdad de tamaño,
superior a la de los chips de memoria SRAM.
•  El consumo de las memorias DRAM es considerablemente superior al de las RAM
•  La adaptación de las memorias DRAM a los sistemas basados en microprocesadores es más
complicada que la adaptación de memorias SRAM, dado que las primeras obligan a la
incorporación de la adecuada lógica de refresco.

Evolución de las memorias DRAM.

•  Memoria FPM RAM (Fast Page Mode RAM) Memoria DRAM diseñada para trabajar en modo
página, es decir, para accesos a bloques de memoria consecutivo.
•  Memorias EDO RAM  (Extended Data Out RAM) Son una variante de las anteriores que
mediante la utilización de un búfer en su salida le permite estar finalizando la lectura de un dato
de la matriz y simultáneamente, decodificar la dirección del siguiente dato que se va a leer.
•

  Memorias SDRAM
Su estructura consta (Synchronous
de dos o másDRAM).
matrices,Escuyo
el tipo de memoria DRAM
funcionamiento más empleada
se organiza de forma hoy.
que
mientras se está realizando el acceso a una matriz, otra se está preparando el siguiente acceso.
•   Memorias DDR  SDRAM (Double Date Rate SDRAM). La más moderna de la familia de
memorias DRAM soporta dos operaciones de memoria por ciclo de reloj, así que proporciona el
doble de velocidad.

Módulos de memorias.
  Módulos SIMM (Single In- Line Memory Module) hoy prácticamente en desuso.
•

-  SIMM de 30 contactos (4 MB y 16 MB)

-  SIMM de 72 contactos ( 16 MB y 32 MB)
-  SIMM de 168 contactos (16 MB, 32 MB y 64 MB)
  Módulos DIMM de memoria DRAM ( Dual In-Line Memory Module). Este tipo es el empleado
•

actualmente. Consta como los anteriores de un conjunto de zócalo y tarjeta de circuito impreso
que contiene los chips de memoria, actualmente del tipo SDRAM o
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DDRAM, pero en éstos los conectores están en ambas caras y contienen información diferente. Estos
módulos trabajan con palabras de 64 bits
-  DIMM de 72 contactos. Fueron los primeros en aparecer en el mercado
-  DIMM de 144 contactos. Con memoria DDRAM t capacidad de 1024 MB por módulo
-  DIMM de 168 contactos
-  DIMM de 184 contactos con memoria SDRAM y capacidad de 512 MB por módulo
-  DIMM de 200 contactos, para portátiles con memoria DDRAM y capacidad de 1024 MB
por módulo

Modo de acceso.

Se entiende por modo de acceso, el método que la memoria emplea para acceder a una información
almacena en ella.
  Acceso aleatorio. Se puede ir a cualquier posición directamente. El sistema asigna a cada
•

posición de memoria un código y por él la identifica. El tiempo de acceso es independiente de la

posición de la memoria. Un ejemplo de este tipo de memorias son las integradas RAM y ROM.
  Acceso secuencial. Las memorias de este tipo de acceso no se utilizan hoy día. Para acceder a
•

una determinada posición era necesario recorrer previamente todas las posiciones anteriores.
Formaban parte de las memorias masas ya que formaban parte de algunos periféricos. El
dispositivo más característico de este tipo de memoria es la cinta magnética.
  Acceso cíclico. Este modo de acceso es una combinación de los dos anteriores. Los dispositivos
•

de memorias que emplean este tipo de acceso son los discos duros, los disquetes los CDROM y
DVD. En todos los casos el disco está dividido en pistas concéntricas y en y en un número par de
divisiones. La información está almacenada en un sector. Para leer la cabeza accede de forma
aleatoria para localizar la pista y después de manera secuencial para acceder al sector.
  Acceso por Pila o LIFO (Last in, first out),  último en entrar primero en salir
•

  Acceso por P
• Pila
ila o F
FIFO
IFO  ( FFirst
irst in, first out) primero en entrar, primero en salir
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Repaso esquemático
esquemático de las memoria
memoriass , sus características, etc.. y
ejercicios de memorias
(Cálculo dede memorias,
ampliación estudios de memorias,n de
programación
programació bloques
m dePLA,
matrices
atrices memorias,
etc…)
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