Fundamentos de la conductividad eléctrica en materiales sólidos

1 Fundamentos de la conductividad eléctrica.....................................1 4.1.6 Recombinación en la región de carga espacial.................
108
1.1 Conducción en materiales sólidos ..............................................1 4.2 Admitancia y circuito equivalente .........................................111
1.2 Ley de Ohm .................................................................................4 4.3 Cuestionario ............................................................................117
1.2.1 Conductores metálicos ........................................................12 5 Uniones metal-semiconductor y metal-aislante-semiconductor .119
1.2.2 Conductores no metálicos ...................................................14 5.1 Heteroestructuras ...................................................................119
1.3 Aplicaciones de los conductores................................................15 5.2 Unión metal-aislante-semiconductor .....................................123
1.3.1 Electromigración .................................................................19 6 Transistores MOSFET..................................................................133
2 Electrónica física de semiconductores............................................23 6.1 MOSFET ideal en inversión ...................................................134
2.1 Bandas de energía en cuerpos sólidos......................................24 6.2 MOSFET ideal en saturación .................................................138
2.1.1 Ocupación de bandas en equilibrio termodinámico...........34 6.3 Frecuencia límite de operación del MOSFET........................141
2.2 Donadores y aceptores ..............................................................43 6.4 MOSFET real ..........................................................................143
2.3 Degeneramiento ........................................................................48 7 Diodos emisores de luz (LED).......................................................153
2.4 Diagrama de bandas .................................................................49 7.1 Características de emisión......................................................158
2.5 Generación y recombinación.....................................................53 7.2 Pérdidas en LED .....................................................................161
2.5.1 Absorción .............................................................................56 7.2.1 Pérdidas por absorción......................................................163
2.5.2 Tipos de recombinación.......................................................62 7.2.2 Pérdidas por reflexión.......................................................164
2.5.3 Tasa de generación bajo iluminación .................................67 7.2.3 Pérdidas por reflexión total interna.................................165
2.6 Cuestionario ..............................................................................69 8 Diodos LASER...............................................................................169
3 Ecuaciones fundamentales .............................................................71 8.1 Emisión estimulada en semiconductores...............................169
3.1 Densidad de carga y campo eléctrico .......................................71 8.2 Condiciones necesarias ...........................................................171
3.2 Corrientes..................................................................................73 8.2.1 Ancho espectral natural....................................................181
3.2.1 Corrientes debidas al campo eléctrico................................74 8.3 Curvas características ............................................................182
3.2.2 Corrientes de difusión.........................................................77 8.4 Tipos de diodos LASER...........................................................186
3.3 Ecuaciones de continuidad .......................................................80 8.4.1 Diodos guiados por ganancia ............................................188
3.4 Tiempo de vida ..........................................................................81 8.4.2 Diodos guiados por índice .................................................191
3.5 Generalización de τ n , p para múltiples procesos de 8.4.3 Diodos tipo DBR y DFB ....................................................193
recombinación.....................................................................................83 8.4.4 Diodos de pozos cuánticos y diodos VCSEL .....................195
3.6 Longitud de difusión .................................................................85 Glosario................................................................................................199
3.7 Cuestionario ..............................................................................89 Glosario................................................................................................199
4 Análisis del diodo pn .......................................................................91
4.1.1 Electrostática de la unión pn abrupta ...............................92
4.1.2 La unión pn en equilibrio termodinámico..........................94
4.1.3 Electrostática de la unión pn bajo tensión.........................99
4.1.4 Unión pn bajo tensión, a oscuras......................................101
4.1.5 Diodo pn funcionando como fotodetector y célula solar ..107
Kurt Taretto – Apunte de Elementos de Electrónica y Optoelectrónica – 2013 Kurt Taretto – Apunte de Elementos de Electrónica y Optoelectrónica – 2013
Fundamentos de la conductividad eléctrica 1 Fundamentos de la conductividad eléctrica 2
1 Fundamentos de la conductividad
eléctrica Figura 1.1. Representación esquemática en dos dimensiones de un
sólido cristalino (izquierda) y un sólido amorfo (derecha).
Si bien la Figura 1.1 muestra un único tipo de núcleos atómicos, en

todo sólido real encontramos átomos de impurezas inmersos en ellos.
1.1 Conducción en materiales sólidos No existe el sólido perfectamente puro, aunque en la microelectrónica
se utilice silicio con un altísimo grado de pureza: un átomo de
Los sólidos pueden agruparse según el tipo de ordenamiento que
impureza cada diez millones de átomos de silicio!
muestran sus átomos, en amorfos y cristalinos. En los sólidos
En los sólidos cristalinos, la red cristalina se observa en dominios o
cristalinos encontramos los átomos ordenados en forma regular y
parcelas denominadas granos. Excepto en los monocristales, un
periódica, formando una red tridimensional. Para cada dirección que
trozo de material cristalino puede pensarse como una aglomeración
se escoja dentro del cristal, la distancia entre dos átomos vecinos es
de granos unidos entre sí como ocurre en un terrón de azúcar. En
una constante propia y característica de cada sólido. En los sólidos
cada grano de azúcar, encontramos una estructura cristalina similar
amorfos, en cambio, el distanciamiento entre átomos no es regular
a la de la Figura 1.1, y cada grano de azúcar tiene la misma
aunque existe una distancia media característica entre ellos. La
estructura cristalina y distanciamiento entre átomos, sólo que las
Figura 1.1 muestra la distribución de los núcleos atómicos para estos
redes de distintos granos no están alineadas entre sí. Este tipo de
sólidos en dos dimensiones. Se omiten las nubes de electrones y el
estructura poseen la gran mayoría de los materiales, incluyendo los
tamaño de los núcleos fue magnificado para hacerlos visibles. En
conductores metálicos ordinarios, y reciben el nombre de sólidos
ambos ejemplos, cada átomo forma cuatro uniones (no representadas)
policristalinos, o multicristalinos, o microcristalinos, dependiendo del
con sus vecinos, tanto en el sólido cristalino como en el amorfo.
tamaño de los granos.
La microelectrónica utiliza una excepción del mundo de los materiales
cristalinos, ya que se basa en el silicio monocristalino , donde toda
la oblea de silicio está constituida por una única red cristalina, sin
granos ni bordes de grano intermedios. El resto de los materiales
utilizados en microchips, aislantes y conductores, son amorfos y
policristalinos, respectivamente.
El movimiento de electrones en sólidos depende fuertemente del tipo
de estructura (cristalina o amorfa), de la concentración de impurezas
en el material, de la cantidad de granos en el material, de los defectos
cristalinos, y de la temperatura. Los defectos cristalinos son por
ejemplo los límites entre dos granos cristalinos (llamados bordes de
grano), que constituyen interrupciones de la red cristalina y por lo
tanto entorpecen el vuelo de electrones. Luego tendremos por ejemplo
átomos intersticiales ubicados en sitios que no pertenecen a la red
cristalina, y un sinnúmero de defectos posibles. Además, por encima Figura 1.2. Vuelo de un electrón a través de una red cristalina,
interaccionando con un átomo intersticial, luego atravesando un
del cero absoluto de temperatura, los átomos vibran a una frecuencia
borde de grano, una impureza, etc.
de unos 10 THz en torno a su posición media, influyendo con su
A continuación analizamos la conducción en materiales conductores,
campo eléctrico oscilante al vuelo del electrón. La Figura 1.2 muestra
dejando los mecanismos de conducción en materiales semiconductores
el vuelo de un electrón acelerado por un campo eléctrico externo. El
para más adelante. De todos modos, la conducción en
electrón no sigue la trayectoria recta dictada por el campo debido a la
semiconductores incluye los mecanismos descritos a continuación
interacción del mismo con diversos defectos.
para conductores.
1.2 Ley de Ohm

La conducción eléctrica en conductores está descripta por la Ley de
Ohm, ley empírica que establece que la corriente I a través de un
conductor es directamente proporcional a la diferencia de potencial V
entre sus extremos, siendo la constante de proporcionalidad la
resistencia R, obteniéndose V = I×R. En esta sección se obtendrá una
expresión de la ecuación de la Ley de Ohm de una manera no producto escalar, obteniendo J = σ.E. De ahora en adelante,
empírica, la cual nos permitirá arrojar algo de luz sobre la simple tomaremos J y E como cantidades vectoriales o escalares J y E para
proporcionalidad V = I×R. casos particulares, pero consideraremos materiales isotrópicos tales
La principal magnitud física que entra en juego en el estudio de que σ sea siempre una cantidad escalar.
conductores es la conductividad específica σ (que denominaremos Si bien la ley de Ohm parece simple a primera vista, esconde cierta
simplemente conductividad de ahora en adelante), o resistividad complejidad porque en la conductividad σ aparecen variables propias
específica ρ = 1/σ. Un conductor de longitud L y sección A constante, de los mecanismos microscópicos de transporte de electrones en
presenta una resistencia dada por sólidos. Nos adentramos brevemente en σ a los fines de entender a
ρL
L grandes rasgos la parte microscópica tras la conductividad.
R= = . (1.1)
A σA
Expresamos la definición de densidad de corriente en función de la
El área también relaciona la corriente eléctrica I por el conductor y la
velocidad media v de movimiento de los portadores
densidad (areal) de corriente J según la ecuación
J = −qnv , (1.5)
I = JA . (1.2)
que considera la conducción de portadores de carga negativa de valor
En un material homogéneo, el campo eléctrico E dentro del mismo se
q con una concentración volumétrica n de portadores por unidad de
corresponde con la diferencia de potencial V entre los extremos del
volumen, viajando a velocidad media v . La velocidad v depende de la
conductor por donde entra y sale la corriente eléctrica según
intensidad del campo eléctrico, en ausencia del campo eléctrico, E = 0,
V
E= . (1.3) los portadores se mueven en direcciones aleatorias y resulta v = 0.
L
Con estas ecuaciones, expresamos la ley de Ohm según Cuando el campo eléctrico ejerce una fuerza sobre un electrón en un
J = σE . (1.4) conductor, éste se acelera, y parecería que la ec. (1.5) debería ser
La Ley de Ohm tiene un amplio alcance porque describe la conducción utilizada con v dependiendo del tiempo total de aceleración bajo el
tanto en materiales homogéneos como inhomogéneos, en cuyo caso σ campo eléctrico desde que éste apareció. Pero como veremos a
será una función de la posición considerada en el material, y en continuación, los electrones volando dentro de conductores se
materiales isotrópicos como anisotrópicos, en cuyo caso σ depende de aceleran y desaceleran constantemente, y veremos que es correcta la
la dirección de movimiento de los portadores (o del campo externo idea de considerar una velocidad promedio. Consideramos entonces el
aplicado). Por ello, en el estudio de fenómenos de conducción inicio del movimiento de un electrón a partir del instante de
anisotrópica, la ec. (1.4) sigue siendo perfectamente válida utilizando aplicación del campo eléctrico externo. Luego de un tiempo de
magnitudes vectoriales, es decir cuando J y E son vectores, y σ un aceleración, ocurre algún tipo de interacción entre él y los átomos del
material conductor u otros electrones. La única interacción posible es
tensor de segundo orden, en cuyo caso utilizamos las negritas y el
mediante fuerzas electrostáticas (aparte de la del campo eléctrico La velocidad instantánea de movimiento del electrón puede
externo). Por lo tanto, un electrón interactuará con átomos de la red descomponerse en dos componentes vectoriales, la velocidad vE
cristalina del material conductor, con impurezas ionizadas dentro del debida al campo eléctrico y en dirección paralela al mismo, más la
material, o con defectos cristalinos del material. Estas interacciones velocidad v0 resultante de los procesos de interacción, resultando
modifican completamente la trayectoria del electrón, y por ello se v = vE + v0 . (1.6)
habla también de colisiones. Realmente, los electrones no colisionan
Para hallar la velocidad media v de movimiento del conjunto de
en un sentido clásico como si fuesen pelotas arrojadas contra objetos,
electrones involucrados en la conducción eléctrica que necesitamos en
pero los fenómenos de interacción desvían de tal manera su
la ecuación (1.5), debemos considerar el promedio vectorial v de las
trayectoria que recuerdan a las colisiones entre partículas clásicas
velocidades v de todos los electrones. Descomponemos v en la suma
con objetos. Luego de estas colisiones, los electrones son dispersados
de dos promedios, el promedio de las velocidades vE , mas el promedio
en direcciones aleatorias, perdiéndose la dirección y velocidad original
de las velocidades v0 . El promedio de v0 es necesariamente cero, ya
del movimiento antes de la colisión, cambiando su impulso vectorial.
que en ausencia del campo eléctrico ( vE = 0) no hay movimiento neto
Pero el campo eléctrico externo volverá a modificar la trayectoria del
de los electrones (J = 0, v = 0). 1
electrón en el mismo sentido que antes de la colisión. Resulta así un
De modo que cuando existe un campo eléctrico externo E y la
desplazamiento neto del electrón a través del conductor, tal como se
esquematiza en la Figura 1.3. correspondiente corriente eléctrica, v viene dada únicamente por el
promedio de las vE de todos los electrones en juego. Obviamente la vE
de cada electrón depende del tiempo transcurrido después de una

colisión: los electrones que acaban de colisionar, tienen vE = 0,
mientras que los que colisionaron anteriormente tienen vE > 0, y los
que colisionaron muy anteriormente, tienen vE >> 0. El tratamiento
de estos tiempos también es estadístico, y resulta que en promedio,

los electrones vuelan durante un tiempo de dispersión τ entre
Figura 1.3. Modelo de “colisiones” que sufre un electrón acelerado

dentro de un sólido (los átomos y demás electrones del sólido fueron
omitidos). 1 Una analogía sería asociar un grupo de electrones con una nube de mosquitos. Los mosquitos se
mueven en todas direcciones dentro de la nube, pero cuando aparece un viento, toda la nube se
mueve conjuntamente a una velocidad. La velocidad total individual de los mosquitos es mucho
mayor a la velocidad de la nube de mosquitos.
colisiones. La distancia media recorrida, el camino libre medio l, σ = q μn n . (1.12)
resulta entonces Hasta ahora, la conductividad involucrada en la ec. (1.1), se
l= vτ. (1.7) presentaba simplemente como una propiedad del material, pero
Cuanto mayor es el campo eléctrico, proporcionalmente mayor es la desconocíamos su dependencia de las características del material.
velocidad media v . La constante de proporcionalidad se denomina Éramos incapaces de explicar porqué algunos metales poseen
movilidad μn, obteniéndose conductividades eléctricas mayores a otros. Con la ec. (1.12), en
v = μnE . (1.8) cambio, sabemos de qué parámetros microscópicos del material
Podemos calcular de manera sencilla la velocidad media v . Según la depende la conductividad y podemos analizar con cierto detalle la
segunda ley de Newton (F = m×a), donde F = qE es la fuerza del conducción eléctrica. Para empezar, investigamos cómo puede variar
la movilidad en un material. Debido a que μ es proporcional al tiempo
campo eléctrico, la cual es igual al producto entre la masa del electrón
de dispersión τ, conviene entender éste antes de continuar. La
y la aceleración media v /τ, y obtenemos así la velocidad
qEτ frecuencia τ −1 de “colisión” de los portadores aumenta con el aumento
v= * . (1.9)
me de los defectos cristalinos, vibraciones de los átomos (denominadas
En esta ecuación, en vez de utilizar la masa del electrón libre me, fonones) e impurezas. Por lo tanto esperamos que la movilidad μ
vemos la masa efectiva me* , que ya incluye todas las alteraciones que disminuya al aumentar el grado de impureza y de imperfección de un
material. Además, como las vibraciones de los átomos se intensifican
la física cuántica provee a la segunda ley de Newton. Finalmente
con la temperatura, también cabe esperar una disminución de μn con
estamos en condiciones de reescribir la definición de densidad de
T. La masa efectiva depende de material en material de acuerdo a la
corriente de la ec. (1.5), obteniendo
estructura cristalina, y es tema específico de la física cuántica del
q 2nτ
J =− E. (1.10)
me* sólido. Aquí consideraremos que su dependencia de la temperatura es
Acabamos de obtener la Ley de Ohm recorriendo un camino no despreciable y puede asumirse como una constante del material. En
empírico, ya que esta expresión refleja la linealidad entre campo y suma, la movilidad μn tiende en general a disminuir con la
densidad de corriente. Con las ecs. (1.5) y (1.8), la movilidad se temperatura.2 La densidad n de electrones aumenta con la
expresa según temperatura ya que los átomos liberan más y más electrones para la
qτ conducción cuanto mayor es la temperatura. La formulación exacta de

μ= , (1.11)
me* la dependencia de n con T también se halla en la física cuántica. De
y por comparación con la ec. (1.4), obtenemos la ecuación de la

2 Cuando un material contiene impurezas ionizadas, puede observarse también un incremento de
conductividad σ
la movilidad con la temperatura.
las dependencias de μn y n con T, resulta que en metales, la
conductividad σ disminuye con la temperatura, mientras que
⎛ dt ⎞
(
p1 (t + dt ) = ⎜1 − ⎟ p(t ) + f (t )dt + O ( dt )
⎝ τ ⎠
2
) (1.13)
aumenta para semiconductores. Los electrones que sí sufrieron una colisión a tiempo t, fueron
Si bien σ contiene una gran complejidad proveniente por dispersados en direcciones aleatorias, por lo que en promedio, éstos
ejemplo de todos los mecanismos de colisión involucrados en τ, la ley electrones tienen momento igual a cero a tiempo t. El momento que
de Ohm es una ley simple porque σ es independiente del campo éstos adquieren en el intervalo de dt posterior a la colisión, es el
eléctrico E, al menos para el rango de valores de E al que es posible debido a la fuerza del campo eléctrico durante dicha fracción de dt, de
manera que contribuyen al momento medio total con
someter un conductor en la práctica. De modo que para un material
específico, a una temperatura y frecuencias dadas, la ec. (1.4) es ⎛ dt ⎞
τ
⎝ ⎠
(
p2 (t + dt ) < ⎜ ⎟ f (t )dt + O ( dt ) .
2
) (1.14)
realmente una función lineal de E .
Por lo tanto obtenemos
Resulta conveniente también estudiar la ecuación de
⎛ dt ⎞
p(t + dt ) − p(t ) = − ⎜ ⎟ p(t ) + f (t )dt + O ( dt ) ,
2
movimiento del electrón, que nos permitirá ver qué tipo de fuerza (1.15)
⎝τ ⎠
representan las colisiones que sufren los portadores. Para un electrón
donde p(t) ya es el momento medio total del conjunto de electrones.
viajando a tiempo t con impulso p(t), calcularemos el impulso a un
Dividiendo por dt y en el límite dt → 0, obtenemos la ecuación de
tiempo infinitesimalmente posterior t + dt, p(t+dt). Un electrón
movimiento
escogido al azar en t colisionará al tiempo t + dt con una probabilidad
dp(t ) p(t )
=− + f (t ) . (1.16)
dada por dt/τ, de manera tal que cuando transcurra un tiempo dt = τ, dt τ
la probabilidad de colisión es 1. La probabilidad de “no colisión” luego De esta ecuación de movimiento, vemos que el término que contiene el
de dt, es por lo tanto 1 - dt/τ. Durante este tiempo de “no colisión”, el tiempo de dispersión τ, actúa como un factor de amortiguamiento
electrón se mueve bajo la influencia de la fuerza f(t) del campo debido al signo negativo. En la analogía mecánica, esta fuerza sería
eléctrico. Para no perder generalidad, consideramos que el campo una fuerza de fricción, y aquí es la fuerza que impide a los electrones
eléctrico, y por lo tanto f(t), son dependientes del tiempo. El impulso acelerarse continuamente bajo la acción del campo eléctrico,
adicional adquirido debido a f(t), es entonces f(t)dt + O(dt2), donde estableciendo una velocidad límite a su movimiento. En
O(dt2) representa un término proporcional a dt2, resultante de la semiconductores monocristalinos de alta pureza, la velocidad límite es
expansión de Taylor de f(t). El impulso medio p1 (t + dt ) de este de alrededor de 107 cm/s.
primer grupo de electrones que no sufrieron colisión durante dt es
1.2.1 Conductores metálicos
entonces
La Tabla 1 muestra la resistividad ρ a temperatura ambiente, que en
metales generalmente se da en unidades de μΩ×cm. Los metales
aparecen en orden creciente correspondiente a la tabla periódica de La conductividad térmica de los metales es descrita por la Ley de
los elementos. Wiedemann-Franz de 1853, una ley empírica (demostrada
Tabla 1. Resistividad de diversos metales a temperatura ambiente. teóricamente mucho tiempo después), que establece que el cociente
entre conductividad térmica y conductividad eléctrica, κ/σ, es
Metal Na Al Fe Ni Cu Zn Ag Sn Au Pb
Resistividad directamente proporcional a la temperatura, y que,
4.2 2.7 9.7 6.8 1.7 5.9 1.6 12 2.2 21
ρ [μΩcm]
espectacularmente, la constante de proporcionalidad es
prácticamente la misma para la mayoría de los metales. El modelo de
Los metales en forma de elementos puros son raramente utilizados,
Drude asume que la corriente eléctrica es conducida por una nube de
normalmente se utilizan aleaciones de metales para mejorar alguna
electrones dentro del metal. Debido a la observación empírica que los
de sus propiedades y así adaptar el conductor al sistema donde será
conductores eléctricos también conducen bien el calor, y que
utilizado. Una aleación entre dos metales A y B tendrá propiedades
aisladores eléctricos son malos conductores térmicos, se deduce que
diferentes a las de los metales A y B por separado. Según la regla
los iones del material no contribuyen notablemente a la conductividad
empírica de Nordheim, la resistividad ρ de una aleación de dos
eléctrica.
metales A y B, con resistividades ρA y ρB, y fracciones volumétricas XA
y XB, está dada por la ecuación 1.2.2 Conductores no metálicos
ρ = X A ρ A + X B ρ B + cX A X B , (1.17) Los conductores no metálicos son peores conductores que los
donde c es una constante que debe obtenerse empíricamente. Una vez metálicos, pero ofrecen ventajas y propiedades que no pueden
conocida la constante c para aleaciones de A con B, esta regla nos obtenerse con los metales. Dentro de los conductores no metálicos
sirve para predecir ρ a partir de las fracciones XA y XB (XA + XB = 1). encontramos polímeros, conductores transparentes (en general
Además, vemos de esta ecuación que la resistividad resultante para óxidos), conductores iónicos, silicatos y nitruros, y finalmente
una aleación, siempre es mayor a la resistividad de cada uno de los superconductores.
elementos por separado. Esto nos indica que es imposible obtener un Los polímeros fueron tradicionalmente asociados más bien al grupo
conductor con resistividad menor a la de la plata (Ag) por medio de de los aisladores, y el descubrimiento en la década de 1970 de su
aleaciones. Una aplicación que requiriera ρ < ρAg tendría que utilizar posible conductividad eléctrica mereció el premio Nobel de física en
superconductores. Las aleaciones no pueden utilizarse entonces para 2000. La contaminación de polímeros con elementos iónicos produce
crear conductores con resistividades especialmente pequeñas, pero sí polímeros con muy baja resistividad del orden de 7 μΩcm, como el
permiten el ajuste gradual de otros parámetros de peso en las figuras poliacetileno dopado con Iodo. En una ponderación donde entre en
de mérito, como por ejemplo la dureza, la resistencia a la fricción, la juego el peso específico, un polímero con estas características sería el
temperatura de trabajo, etc.
ganador, ya que los polímeros son mucho menos densos que los como Cu y Mg, y Qe = 5 para metales muy poco estables como Na, K,
metales (incluso que Na). Ca. Definido de esta forma, el metal a escoger corresponde a aquel
Los conductores transparentes a la luz visible tienen con la mayor figura de mérito. Utilizando los precios actuales de
resistividades mucho mayores a la de los metales. El mejor conductor metales, el metal “ganador” es Al. El aluminio resulta, de hecho,
transparente es el óxido de estaño (SnO2) dopado con In2O3, que ganador también en otras figuras de mérito posibles, pero no en
recibe el nombre de ITO (indium tin oxide). El ITO posee una todas. Por ejemplo, si se necesita un conductor que resista muy altas
resistividad un millón de veces mayor a la de los metales, rondando temperaturas de 3000 K, la única alternativa disponible actualmente
ρ = 1 Ωcm. Este conductor transparente ha cobrado gran importancia es el carbono en forma de grafito.
en aplicaciones de pantallas planas, células solares, y en aplicaciones En microelectrónica, el aluminio fue hasta mediados de la década de
de investigación. 1990 el conductor favorito para realizar los contactos de los
componentes integrados y las líneas conductoras dentro de los
1.3 Aplicaciones de los conductores
circuitos integrados. Ofrece las ventajas de tener una conductividad
La selección de metales como conductores eléctricos no se restringe alta, bajo costo, alta compatibilidad con el silicio y el SiO2 en el que se
únicamente a precio y resistividad. Dependiendo de la aplicación, deben hallar inmersas las pistas o conexiones entre los transistores.
otros parámetros cobran importancia además del precio. La selección En microchips basados en silicio, existen tres factores fundamentales
de metales puede incluir por lo tanto también el peso específico, la para la utilización de un metal para las interconexiones:
dureza, la resistencia a la fricción, resistencia a la corrosión, el 1. Compatibilidad con el silicio, el óxido de silicio, y las tecnologías
coeficiente de expansión térmica, la compatibilidad con otros y procesos de producción involucrados.
materiales, etc. 2. Alta conductividad para minimizar la disipación térmica.
3. Alta conductividad para minimizar el acoplamiento
Cuando varios parámetros resultan importantes para una aplicación
electromagnético entre líneas conductoras.
determinada, se recurre a la definición de una figura de mérito que 4. Alta resistencia a la electromigración.
pondera lo más adecuadamente posible los parámetros en juego. Por Trataremos estos aspectos en el orden dado, pero veremos que están
ejemplo, podríamos definir una figura de mérito F tal que fuertemente interrelacionados, y que cuando se altera uno de los
F = σ /P C Qe, donde Qe es un coeficiente de estabilidad química, P el factores (por ejemplo se opta por un conductor diferente), debe tenerse
peso específico del metal, y C el costo por unidad de volumen. El en cuenta la incidencia sobre el resto de los factores. En cuanto a la
coeficiente de estabilidad química Qe es un parámetro que debe compatibilidad con el Si y la conductividad (1 y 2), el Al fue el
estimarse a partir de las características químicas conocidas de cada candidato favorito desde los inicios de la era del microprocesador.
metal. Podríamos tomar por ejemplo Qe = 1 para metales estables Pero con el tiempo surgieron complicaciones. La tendencia a reducir
como Au, Ag y Al, luego Qe = 2 para metales de estabilidad media el tamaño de todos los componentes de un microchip, fuerza a reducir
las secciones de las líneas conductoras. Para una reducción a la mitad las líneas, cada vez menor con la reducción constante de los tamaños.
de la sección de línea conductora, la resistencia R se duplica! Esto La Figura 1.4 muestra el acople capacitivo entre líneas conductoras
implica un aumento de la disipación térmica por efecto Joule en la inmersas en un microchip, y su representación esquemática como un
línea conductora, aumentando la disipación y necesidad de conjunto de resistencias y capacitores.
refrigeración del microchip. Teniendo en cuenta que un microchip
tiene varios kilómetros de líneas conductoras, el calentamiento por
efecto Joule se torna un aspecto de gran severidad en el desarrollo y
diseño de procesadores. Esta desventaja del aumento de la disipación
térmica con la reducción de las secciones de conductor se pudo
compensar optimizando las propiedades térmicas de los microchips y
dimensionando correspondientemente los sistemas de refrigeración, Figura 1.4. Niveles de conductores y acoplamiento RC en una vista en
corte de un microchip. Las letras “T” indican la posición donde se
hasta que otros factores determinaron que el aluminio se tornara
encuentran físicamente los transistores contactados, sin mostrar sus
inservible para realizar las interconexiones. La tecnología de diferentes regiones ni contactos de puerta.
microchips actual utiliza interconexiones de tungsteno (W), níquel–
Para un par de líneas conductoras dado, tendremos una constante de
titanio (NiTi) y mayoritariamente de cobre (Cu). La conductividad del
carga capacitiva dada por τ = RC. Agrupando los factores geométricos
Cu es 1.6 veces mayor a la del Al, aliviando el problema del aumento
involucrados (tales como áreas, secciones, distancias entre líneas) en
de la disipación térmica con la reducción de sección de conductor (ley
una constante Fgeom , escribimos
de Wiedemann–Franz). El Cu no fue implementado inicialmente en la
τ = Fgeom ρε , (1.18)
tecnología de circuitos integrados, porque los átomos de Cu tienden a
“contaminar” fácilmente el Si, destruyendo la operación de los donde ρ es la resistividad del metal de las líneas conductoras, y ε la
componentes del circuito. Por ello se invirtieron enormes cantidades constante dieléctrica del SiO2 que las separa. Esta constante de
de dinero en desarrollo de tecnologías que permitan compatibilizar el tiempo es la necesaria para cargar las líneas, una vez cargadas puede
Cu con el Si. La solución encontrada fue realizar envainados de líneas extenderse el flujo de electrones de un extremo a otro de las líneas,
de Cu con otros metales de manera de prevenir el contacto directo dando lugar a la transmisión de señales deseada. Es evidente
entre Cu y Si/SiO2. entonces que un microchip debe operar a frecuencias de reloj menores
En cuanto al acoplamiento electromagnético entre líneas conductoras a 1/τ ! Al utilizar SiO2 y Al en microchips, los valores de ρ y ε arrojan
(item 3), éste existe simplemente porque dos líneas conductoras en un 1/τ ≈ 1 GHz. Este valor no presentó un problema hasta fines de la
microchip, aisladas entre sí por SiO2, constituyen efectivamente un década de 1990, cuando comenzaron a desarrollarse microchips con
capacitor cuyo espesor de dieléctrico está dado por la separación entre frecuencias de reloj por encima del GHz. La única opción para operar
a frecuencias altas fue entonces utilizar materiales con valores cada y preponderantemente en una única dirección, el “viento” de
vez menores de ρ y ε. Desde 2000, este problema se solucionó electrones produce el arrastre de átomos de la red. Con el tiempo,
temporalmente utilizando Cu, cuya resistividad es un 40 % menor a puede producirse una acumulación del material conductor, con una
la del Al. Además, actualmente la industria también está optando por reducción de la sección de conductor en el extremo aguas arriba, tal
reemplazar el tradicional dieléctrico de SiO2 por otros como el SiO2 como muestra la Figura 1.5.
fluorinado (ε = 3.2-3.6) y polímeros como el PTFE, también conocido
por su nombre comercial Teflon, con una constante dieléctrica
relativa de ε = 1.9-2.5. Incluso valores efectivos ε < 2 son posibles
utilizando materiales nanoporosos, tanto cerámicos como poliméricos,
o bien dejando espacios de aire de manera controlada entre pistas.
Los bajos valores de ε alcanzados por estos dieléctricos permiten
reducir aún más el valor de τ y trabajar a mayores frecuencias de Figura 1.5. Ejemplo de los efectos de la electromigración en una línea
conductora, produciendo un cortocircuito, y ahuecamientos que
operación.
redundan en disminuciones de la sección de conducción.
1.3.1 Electromigración Para que un átomo pueda moverse dentro de la red de átomos, debe
El fenómeno de la electromigración (4), es desde el inicio de la era de haber un sitio atómico vacante hacia el cual pueda desplazarse.
los circuitos integrados, una suerte de virus que se fortalece a medida Vacancias siempre hay en cualquier material porque a temperaturas
que se reducen los tamaños de las líneas de transmisión. En las fases mayores a 0 °K siempre tendremos algunos átomos fuera de su
de diseño de microchips, se emplean constantemente estrategias cada posición esperada en la red cristalina. Además, tenemos defectos
vez más sofisticadas para minimizar su acción. La vida útil de todo como bordes de grano, zonas donde la movilidad de átomos se ve
microchip está dictada por la eficacia de este virus para destruir el especialmente favorecida. Por ello, la electromigración se produce
chip. primeramente cerca de bordes de grano del metal, a partir de los
La electromigración consiste en el desplazamiento de átomos del cuales comienza a desplazarse material y a generarse acumulación de
material conductor debido a las “colisiones” entre electrones y átomos. un lado y angostamiento y huecos del otro. En las zonas de
Normalmente, cuando hacemos circular una corriente en un angostamiento, la sección de conducción es menor y por lo tanto
conductor, el flujo de electrones y las colisiones con los núcleos aumenta considerablemente la resistencia local R, y en consecuencia,
descritas anteriormente, no producen más que una mínima se acentúa el efecto Joule y se produce un calentamiento local de la
desviación temporal de los átomos de la red cristalina respecto a su línea conductora. El calentamiento, a su vez, favorece al movimiento
posición media. Pero cuando las densidades de corriente son elevadas, de los átomos, acelerando la electromigración. El proceso continúa
hasta la ruptura total de la línea conductora, o hasta el cortocircuito la constante de Boltzmann, y T la temperatura del conductor. Esta
con otra línea conductora vecina. Allí finaliza la vida útil del ecuación muestra claramente que cuanto mayor es la densidad de
microchip. El diseño de los microchips está dictado por la vida útil corriente utilizada en una línea conductora, reducimos
que se desea para el microchip, en función de la cual se dimensionan importantemente la vida media de la línea, y que cuanto mayor sea la
las secciones de líneas conductoras respetando la sección mínima temperatura de trabajo, tanto más se acelera la electromigración,
calculada según la resistencia a la electromigración requerida. reduciéndose tm.
Mientras se utilizaban líneas de Al, la electromigración tendió a
reducirse introduciendo un 0.5 % de Cu al Al, y alterando los procesos
de deposición de Al de forma tal que tuviera el menor número de
granos (y por lo tanto de bordes de grano que favorecen la
electromigración). Las líneas realizadas enteramente en Cu,
utilizadas actualmente, son mucho más resistentes a la
electromigración, pero por otra parte se redujo su tamaño y la
temperatura de trabajo de los microchips actuales es mayor a la
utilizada en épocas anteriores, lo cual redunda en una mayor
sensibilidad de las líneas a la electromigración.
Debido a la electromigración, las líneas conductoras poseen un tiempo
de vida limitado, y empíricamente se ha demostrado que este tiempo
es inversamente proporcional al cuadrado de la densidad de corriente
J que circula por el conductor. La ley empírica de Black, hallada
mediante estudios estadísticos de datos experimentales, cuantifica la
vida de una línea conductora según la mediana temporal tm
⎛E ⎞
K exp ⎜ act ⎟
tm = ⎝ kT ⎠ , (1.19)
J2
donde K es una constante determinada empíricamente mediante
experimentos comparables a la situación real dentro de un microchip,
Eact es una energía de activación que representa la facilidad con que
un átomo pueda desplazarse hacia el sitio vacante más próximo, k es
Electrónica física de semiconductores 23 Electrónica física de semiconductores 24
(a) (b)
Figura 2.1: proceso de absorción (parte a) y recombinación con

emisión de fotones (parte b).
2 Electrónica física de
Cuando el estado E1 se encuentra libre, un electrón excitado (o
semiconductores transportado hasta allí desde otro átomo vecino) puede caer del
estado E2 al estado E1 . Este proceso, mostrado en la Figura 2.1b, es
Los semiconductores son materiales apropiados para la realización de el inverso de la absorción y se denomina recombinación, y constituye
componentes ópticos activos como diodos emisores de luz (LED), un proceso fundamental para la emisión de luz en diodos LED.
diodos láser, o células solares, porque pueden emitir y absorber Cuando la recombinación conlleva la emisión de un fotón, hablamos
fotones según las corrientes eléctricas a las que se vean sometidos de recombinación radiante, proceso esencial para el funcionamiento
bajo circunstancias particulares. Este capítulo estudia la física de los componentes semiconductores emisores de radiación. En el
electrónica de los semiconductores orientada al entendimiento de la ejemplo sencillo de la Figura 2.1b, el proceso de recombinación
emisión y absorción de fotones y el transporte de portadores de carga. implica la emisión de un fotón, más adelante se presentan otros
La absorción de un fotón conlleva la excitación de un electrón (ligado procesos de recombinación donde el electrón pierde su energía sin
a un núcleo atómico) desde una energía E1 a una energía mayor E2 , emitir un fotón.
como vemos en la Figura 2.1a. Este proceso de excitación produjo dos A los fines de cuantificar los procesos de absorción y de
recombinación necesitamos conocer:
nuevos portadores de carga libres: el electrón en el estado de E2 , y el
1. las energías electrónicas permitidas para el material en
“hueco” que representa la ausencia del electrón en el estado E1 . Tanto cuestión, y
el electrón excitado como el hueco incrementan la conductividad del 2. el grado de ocupación con electrones de cada uno de esos estados
de energía.
material en cuestión.
2.1 Bandas de energía en cuerpos sólidos
Las energías permitidas en cuerpos sólidos se obtienen a partir de la Las bandas de energía ocupan un rango de valores de energía que
descripción cuántica de la materia, que requiere un conocimiento de depende de cuán ligados se encuentran los átomos entre sí, y la
las posiciones de los átomos, y de los potenciales electrostáticos de los intensidad con que se hallan ligados depende en gran medida de la
núcleos atómicos correspondientes.3 Un átomo aislado posee una serie distancia que existe entre los núcleos atómicos. La Figura 2.2
de energías permitidas para electrones, a valores discretos bien muestra las bandas de energías permitidas en función de la distancia
definidos. Estas energías posibles se denominan estados de energía, interatómica d. Observamos que cuanto menor es la distancia entre
que en este texto son denominados simplemente estados. Al acercar átomos, mayor es la cantidad de estados que aparecen y mayor es el
suficientemente un segundo átomo, los electrones de uno y otro átomo rango de energía ocupado por las bandas permitidas, debido a la
pueden ligarse al átomo vecino, modificándose la configuración mayor cantidad de estados de energía surgentes.
energética del conjunto. La molécula resultante posee más estados
electrónicos que cada átomo aislado. Este fenómeno se denomina
bifurcación de estados, y puede ejemplificarse mediante una analogía
de la mecánica. Imaginemos un sistema resorte-masa, con su modo de
vibración de resonancia y la energía asociada a él. Luego, acoplamos
mediante otro resorte este sistema a otro igual, y el sistema
resultante tendrá mas de dos modos de vibración de resonancia.
Si en vez de dos átomos acoplados consideramos la agrupación de una Figura 2.2: Bandas de energía electrónica en función de la distancia
gran cantidad de átomos, como en el caso de un material masivo, la interatómica d. Cuando los átomos están aislados, conservan sus
valores de energía discretos E1, E2, E3. Al acercar los átomos, las
cantidad de estados nuevos que aparece es tan grande, que a los interacciones entre niveles de energía aumentan, resultando la
efectos prácticos puede considerarse que hay un continuo o una banda bifurcación de estados de energía, y la formación de bandas de
energía para valores suficientemente pequeños de d.
de energías permitidas. En rigor, recordaremos que una banda de
energía está formada por una gran cantidad de niveles de energía La última banda ocupada con electrones se denomina banda de
permitidas muy próximos energéticamente, pero a los efectos conducción, mientras que la penúltima banda ocupada recibe el
prácticos podremos considerar que existe una función continua de la nombre de banda de valencia. Más allá de la banda de conducción
densidad de estados en función de la energía electrónica. también existen bandas de energía completamente desocupadas, pero
no son de interés para las transiciones electrónicas que interesan en
la fotovoltaica y en la electrónica. La diferencia de energía existente
3 El potencial electrostático de los núcleos atómicos es el que necesitamos para formular la

entre la máxima energía de la banda de valencia y la mínima energía
ecuación de Schrödinger para el cuerpo sólido. de la banda de conducción, se denomina el ancho de la banda
prohibida Eg de un material (en inglés “band gap”). Esta banda elemental de átomos que constituye el cuerpo en cuestión. Una vez
prohibida existe en semiconductores y en aisladores. Desde el punto conocida esta celda primitiva, lo único que se necesita para obtener la
de vista del ancho de la banda prohibida, separamos los posición de todos los núcleos atómicos de todo el sólido, es “copiar” la
semiconductores de los aisladores según el valor de Eg: celda una gran cantidad de veces, y pegar las copias una a
semiconductores: 0.1 < Eg < 3...4 eV,
• continuación de la otra en todas direcciones. La Figura 2.3 muestra la
aisladores: Eg > 3...4 eV.
•
celda primitiva del silicio, mostrando con esferas las posiciones de los
Para que un electrón de valencia pueda contribuir a la conducción
núcleos atómicos.4 La celda básica del silicio mide 0.543 nanómetros
eléctrica del material, éste debe pasar hacia la banda de conducción.
de lado (es decir unos cinco radios del átomo de hidrógeno).
Esto es posible cuando un electrón en la banda de valencia recibe una
cantidad de energía térmica (suministrada por la red cristalina), o al
recibir energía electromagnética de fotones, proceso en que se apoya
la fotovoltaica y los fotodetectores optoelectrónicos. Notamos que para
absorber fotones, los aisladores y conductores requieren fotones con
energías hν tales que hν > E g , y que estos materiales son
transparentes a fotones con hν < E g .
En la Figura 2.2 vemos que por debajo de un espaciado entre átomos

menor a cierto valor crítico, las bandas de conducción y de valencia se
solapan. Dicho solape existe en los metales, que no presentan una Figura 2.3: Celda primitiva del silicio en perspectiva. Las esferas
banda prohibida de energía. Por ello, los metales absorben fotones con indican las posiciones de los núcleos atómicos. El lado de la celda
cúbica es de 0.543 nm.
cualquier energía. Sin embargo, sabemos que los metales reflejan
bien la luz. Esto se debe a que en los metales, la luz es reemitida muy Para determinar los estados de energía permitidos en un sólido de
eficientemente debido a la recombinación. estructura cristalina determinada, se recurre a la resolución de la
El caso particular de los sólidos cristalinos perfectos constituye ecuación de Schrödinger, considerando que un único electrón se
la base del modelado de la electrónica y la microelectrónica. En encuentra en el cristal, anulándose así las interacciones
sólidos cristalinos perfectos los átomos se encuentran ordenados electrostáticas con otros electrones. Entonces se plantea la ecuación
r
periódicamente, lo cual simplifica el planteo y la resolución de las de onda de Schrödinger Ψ(r ) utilizando el potencial electrostático
ecuaciones de la cuántica para obtener las bandas de la Figura 2.2.

Según se estudia en física del estado sólido, un cuerpo cristalino es 4 Los núcleos atómicos propiamente dichos serían prácticamente invisibles si la Figura 2.3
descrito por su celda primitiva. La celda primitiva es el grupo respetara las dimensiones reales.
r r
VE (r ) resultante únicamente de los núcleos atómicos (situados en el Ψ kr (r ) se extienden a través de todo el cristal con un vector de onda
r r
punto medio de sus vibraciones caracterizado por un vector r = k , y están dadas por la forma
(x,y,z)). Debido a la periodicidad de la red cristalina, el potencial r r r r
Ψ kr (r ) = exp(ik ⋅ r )uk (r ) . (2.5)
cumple la condición de periodicidad
Esta función se denomina onda de Bloch, y está compuesta por una
r r r
VE (r ) = VE (r + R ) , (2.1)
onda plana expresada por el término exponencial complejo, y una
r r
donde R representa el vector de periodicidad de la red en tres r
función de Bloch uk (r ) , que además es periódica con periodicidad R ,
dimensiones. La ecuación de Schrödinger resultante para un cristal r
al igual que el potencial electrostático VE (r ) . La función de Bloch
tridimensional es entonces r
Ψ kr (r ) no es periódica, y cumple con la propiedad
⎡ h2 2 r ⎤ r r
⎢ − 2m ∇ + VE (r ) ⎥ Ψ = E Ψ , (2.2) r r r
⎣ ⎦ Ψ kr (r + R ) = exp(ik ⋅ R )Ψ kr (r ) . (2.6)
donde m es la masa en reposo del electrón, ∇ es el operador vectorial De la solución de la ec. (2.2) se desprende, además de las funciones de
r
∇ = ( ∂ / ∂x , ∂ / ∂y, ∂ / ∂z ) , y E la energía total del electrón. Para Bloch, la relación de dispersión E ( k ) , también denominada estructura
r
completar el planteo de la ecuación diferencial (2.2), debemos agregar de bandas. Se demuestra que la estructura de bandas E ( k ) es
r
las condiciones de borde. En primer lugar, se impone la condición de periódica en el espacio de vectores de onda k , y simétrica en torno a
normalización, forzando la probabilidad de encontrar un electrón en k = 0 . Por ejemplo, para un cristal con constante de red a1 en la
r
todo el volumen V del cristal al valor 1. Para ello, debemos integrar la dirección x, E ( k ) resulta periódica con periodicidad 2π/a1. Por lo
r 2
densidad de probabilidades Ψ ( r ) en todo V e igualarla a la unidad, tanto, a lo largo de la dirección x dentro del cristal, toda información
r 2 necesaria acerca de los estados permitidos para el electrón contenida
∫ Ψ(r ) dV = 1 . (2.3) r
V
en E ( k ) se encuentra disponible en el intervalo del módulo del vector
r
Además, debido a que la red es periódica con periodicidad R y el de onda k ∈ [0;2π/a1], es decir abarcando la periodicidad 2π/a1. Es
r 2
potencial electrostático también, la densidad de probabilidad Ψ ( r ) decir que dos electrones viajando dentro de un cristal en una
r
tiene que cumplir también con la periodicidad de la red cristalina, determinada dirección, pero con valores del módulo de k que difieren
valiendo exactamente en la cantidad a1, dispondrán de un mismo conjunto de

r 2 r r 2 energías permitidas E que podrán asumir. Además, el módulo del
Ψ( r ) = Ψ( r + R ) (2.4)
vector de onda asume únicamente valores discretos tales que k =
El teorema de Bloch demuestra que bajo las condiciones planteadas
nπ/L donde n es un número natural, y L la dimensión principal del
aquí para un sólido cristalino genérico, las ondas de Schrödinger
trozo del cristal en cuestión. En general, se utilizan materiales
masivos cuyas dimensiones son mucho mayores a las constantes de conducción, como en el caso de la Figura 2.4b, y reciben el nombre de
red, de modo que fácilmente se verifica la condición L >> a1, y semiconductores indirectos.
entonces los valores de k pertenecientes a la región [0;2π/a1] se
encuentran distribuidos prácticamente de manera uniforme, pese a a) Semiconductor directo b) Semiconductor indirecto
que en rigor se hallen discretizados.
r
La estructura de bandas E ( k ) no es una función matemática ya que
r
es multivaluada, es decir que electrones con un mismo valor de k
pueden tener distintos valores de energía E, según la banda de
energía en la que se encuentren. Aquí nos interesan los electrones en
las bandas de valencia y de conducción. El intervalo de energías entre
ambas bandas se denomina banda prohibida porque no existen
energías permitidas en él. La Figura 2.4 muestra esquemáticamente
dos estructuras de bandas características para semiconductores, Figura 2.4: Estructura de bandas en un semiconductor directo (parte
donde se aprecian las bandas de valencia y de conducción. Los a), y en un semiconductor indirecto (parte b). En el indirecto, el
máximo de la banda de valencia y el mínimo de la de conducción
electrones obedecen a estas relaciones de dispersión asumiendo ocurren a valores diferentes del vector de onda k.
únicamente energías que se encuentran directamente sobre las
¿Cómo “se lee” una estructura de bandas? La dirección del vector de
curvas mostradas.
onda k, indica la dirección escogida dentro de la celda primitiva. La
La estructura de bandas de los semiconductores permite, en primer r
longitud del vector, está relacionada al momento cristalino pk
lugar, clasificar a los semiconductores en directos e indirectos.
mediante la relación de de Broglie
Cuando el máximo de la banda de valencia ocurre al mismo valor de k r
r
que el mínimo de la banda de conducción (Figura 2.4a), hablamos de pk = hk . (2.7)
r
semiconductores directos. Esto ocurre por ejemplo en el arseniuro de El momento cristalino pk es una cantidad que describe la interacción
r
galio (GaAs), en el antimoniuro de indio (InSb), en el silicio amorfo (a- entre un electrón viajando por el cristal en la dirección de k y los
Si), el telururo de cadmio (CdTe), o en el seleniuro de cobre, galio e núcleos atómicos, sin considerar otras interacciones con electrones
indio (Cu(In,Ga)Se2). En algunos semiconductores como el silicio, el cercanos. La definición del momento cristalino se basa en que el
germanio, y el telururo de plomo (PbTe), el máximo de la banda de movimiento del electrón a través de la red cristalina es descrito
valencia no se halla al mismo valor de k que el mínimo de la banda de mediante una onda de Schrödinger infinita. A esta onda, se asocia
una longitud de onda del electrón λ = 2π/k.
La energía total E del electrón que se representa en la estructura de material en estudio, una correspondiente a cada eje cristalográfico
r
bandas E ( k ) , puede descomponerse en la suma de la energía cinética principal.
Ecin y la energía potencial electrostática E pot Como se sugiere en la Figura 2.4, la estructura de bandas cerca del
mínimo de la banda de conducción y cerca del máximo de la banda de
E = Ecin + E pot . (2.8)
valencia, sigue una forma que puede ser aproximada por curvas
La cuántica muestra que la energía cinética Ecin de un electrón en un
parabólicas. Este hallazgo nos permite afirmar que:
cristal es función de pk , análogamente a la expresión clásica para la
1. por seguir una forma parabólica en la vecindad del mínimo de la
energía cinética del electrón libre, y viene dada por la ecuación banda de conducción, la energía total de un electrón más allá
pk2 del valor EC (o debajo de EV si consideramos huecos), es
Ecin = , (2.9)
2meff netamente energía cinética Ecin . La energía total E es entonces
E = Ecin + EC , y EC es energía netamente potencial
donde meff es la denominada masa efectiva del electrón. Para el
electrostática.
electrón libre tenemos meff = m0 (siendo m0 la masa libre del 2. en el rango donde la aproximación parabólica es válida, la
electrón), pero en un cristal, la masa efectiva cobra un sentido más derivada segunda de E(k) es constante, indicando que la masa
efectiva meff es constante.
abstracto, y contiene el efecto del potencial electrostático de los
La estructura de bandas entrega más información aún. Se demuestra
núcleos atómicos. La masa efectiva suele adquirir incluso valores r
que la velocidad ve de un electrón con energía E y vector de onda k
negativos, perdiéndose el sentido clásico de masa. El valor de meff se
r viene dada por
calcula a partir de la estructura de bandas E ( k ) mediante la ecuación r r
∇E ( k )
v r = , (2.11)
h2 e E ,k
h
meff = . (2.10)
d 2E ( k ) / dk2 es decir que la velocidad del electrón es proporcional al gradiente de
En principio, el cálculo de la energía cinética del electrón parece una r
la estructura de bandas propia de la dirección de k a lo largo de la
tarea tediosa, ya que debemos conocer la curvatura (es decir la cual se considera el movimiento del electrón.
derivada segunda) de la estructura de bandas a cada energía E. Pero
afortunadamente, los estados ocupados con electrones se encuentran 2.1.1 Ocupación de bandas en equilibrio termodinámico
Hasta aquí, sabemos a qué valores de la energía existen estados
en general en zonas donde se verifica una relación parabólica entre E
permitidos para electrones, y entre qué valores de energía se halla la
y k, en cuyo caso obtenemos un valor constante para meff (ver la ec.
banda prohibida del semiconductor. ¿Pero para una energía E, qué
(2.10)). En general, la masa efectiva difiere según la dirección
cantidad máxima de electrones pueden encontrarse allí? La respuesta
escogida dentro del cristal, típicamente se obtienen tres masas
a esta pregunta también se obtiene del análisis cuántico del sistema
efectivas dependiendo del tipo de estructuras cristalográficas del
electrón-cristal. En esta sección analizamos el caso del equilibrio
termodinámico, para un material cuya temperatura es igual a la del
medio que lo rodea, y por lo tanto no existe una transferencia neta de
energía entre el cristal y el medio circundante.
La solución de la ecuación de Schrödinger arroja, además de la
estructura de bandas, una densidad de estados D(E) de energías para
el electrón. La densidad de estados es el número de estados
electrónicos permitidos por unidad de volumen y unidad de energía,
expresada normalmente en cm-3eV-1. En semiconductores reales, la
densidad de estados varía en forma muy compleja con la energía, ya
que se conjugan todos los estados disponibles según todas las
direcciones de k. Las líneas continuas de la Figura 2.5 muestra Figura 2.5: Esquema de la densidad de estados D(E) (líneas
esquemáticamente la densidad de estados en un semiconductor en las continuas) en relación a la energía electrónica E en un semiconductor.
Las líneas punteadas indican las aproximaciones parabólicas de D(E)
cercanías de la banda prohibida. También observamos que, cerca de cerca de los bordes de la banda de conducción y de valencia.
los bordes de la banda de valencia y de conducción, respectivamente,
D(E) es una función parabólica, representada por las líneas Afortunadamente, los casos que atañen a la electrónica y a la
punteadas en la Figura 2.5. fotovoltaica, no requieren un conocimiento de la función D(E) más

allá de la vecindad de EC o EV donde la función parabólica resulta una
muy buena aproximación para D(E). Para energías cercanas al borde
de la banda de conducción, la densidad de estados DC ( E ) viene
entonces dada por

3/2
1 ⎛ 2me* ⎞
DC ( E ) = ⎜ ⎟ E − EC , (2.12)
2π 2 ⎝ h2 ⎠
mientras que para energías cercanas al borde de la banda de valencia,

tendemos
3/ 2
1 ⎛ 2mh* ⎞
DV ( E ) = ⎜ ⎟ EV − E . (2.13)
2π 2 ⎝ h2 ⎠
Los estados permitidos para electrones en las bandas de energía se
llenan con electrones según dos principios: D(E) permitidos difiere de material en material).
1. en equilibrio termodinámico la energía total U del sistema En la Figura 2.6 vemos la función f(E), que se asemeja a un escalón,
electrones-cristal tiende a ser mínima, y la entropía total S cuya forma depende de la temperatura. Cuanto más alta la
tiende a ser máxima. Debe minimizarse por lo tanto la energía
temperatura, más suave es el escalón, y más electrones se admiten a
libre F = U – T S. Luego tenemos
2. el principio de exclusión de Pauli, que establece que cada energías E > E F , siempre que allí existan estados permitidos y una
estado permitido puede ser ocupado a lo sumo por dos densidad de estados suficiente. En el otro extremo, a muy bajas
electrones.
temperaturas, tenemos una muy baja ocupación de estados por
Realizando un análisis estadístico para una gran cantidad de
encima de E F . En semiconductores, el valor de esta energía cae en la
elementos indistinguibles entres sí, distribuidos en valores de energía
banda prohibida, y en metales cae justo sobre la energía de solape
respetando estos dos principios, se obtiene una función de ocupación
entre las bandas de valencia y la de conducción.
de estados. Dicha función recibe el nombre de distribución de
Fermi f para el equilibrio termodinámico, viene dada por
1
f (E ) = . (2.14)
⎛ E − EF ⎞
1 + exp ⎜ ⎟
⎝ kT ⎠
La función de Fermi permite calcular inmediatamente la ocupación
de un estado con electrones o también con huecos si calculamos el
defecto de ocupación con electrones, ya que 1 - f(E) = ocupación con
huecos. En la ec. (2.14) aparece la energía de Fermi E F , una cantidad
estadística que indica la energía media del conjunto de electrones del

sistema. Una propiedad de la función de Fermi es que para la energía
E = E F , únicamente la mitad de los estados permitidos a esa energía
están ocupados, independientemente de la temperatura, ya que según Figura 2.6: Función de Fermi a distintas temperaturas. La función es
la ec. (2.14), f ( E F ) = 1/2. Además, dos sistemas electrónicos se hallan igual a ½ cuando la energía del electrón es igual a la energía de
Fermi, E = E F .
en equilibrio cuando la energía de Fermi de ambos sistemas tiene el
mismo valor. Cuando existe contacto físico entre dos materiales, Finalmente, conociendo la función de densidad de estados D(E) y la
fluyen electrones de uno a otro hasta que la energía de Fermi de probabilidad f(E) de ser ocupados con electrones, obtenemos la
ambos sistemas se iguala (lo cual no significa que la concentración de densidad de electrones n(E) a cada valor de E, calculando el producto
electrones en ambos sistemas se iguale, porque la densidad de estados n( E ) = f ( E )D( E ) . Para huecos, utilizamos el producto
p( E ) = (1 − f ( E ) ) D( E ) . Estas densidades de electrones y huecos por conducción se obtiene integrando el producto f(E)D(E) entre las
unidad de energía se muestran en la Figura 2.7, donde también se energías E = EC y E = ∞, respectivamente5

∞
indican las funciones de Fermi y densidad de estados para electrones
n= ∫ f ( E )D( E )dE , (2.15)
(líneas continuas), y las correspondientes para huecos (líneas EC
punteadas). valiendo una ecuación análoga para calcular la densidad de huecos p

en la banda de valencia. Existe una solución analítica de la ec. (2.15)
para el caso en que ( EC − E F ) > 3kT y ( E F − EV ) > 3kT , donde k ya no
es algún vector de onda sino la constante de Boltzmann que

utilizaremos de aquí en adelante. En estos casos, f(E) puede
aproximarse con gran exactitud mediante la aproximación de
Boltzmann de la función de Fermi, dada por
⎛E −E⎞
f ( E ) ≅ exp ⎜ F ⎟, (2.16)
⎝ kT ⎠
donde k = 1.38 × 10−23 J/K es la constante de Boltzmann. Esta
aproximación resultará válida para la gran mayoría de los casos que
analizaremos a lo largo de este texto, excepto para los diodos
láser. Con (2.16) y (2.12), la integral (2.15) resulta
3/2 ∞
Figura 2.7: Productos de la función de Fermi f(E) con la densidad de 1 ⎛ 2me* ⎞ ⎛E ⎞ ⎛ E ⎞
n= ⎜ ⎟ exp ⎜ F ⎟ ∫ E − EC exp ⎜ − ⎟ dE , (2.17)
estados D(E) (en su región parabólica), indicando la densidad de 2π 2 ⎝ h2 ⎠ ⎝ kT ⎠ EC ⎝ kT ⎠
electrones y huecos por intervalo de energía. Se indican también la
función de Fermi y densidad de estados para electrones (líneas y puede integrarse directamente, obteniéndose
continuas) y huecos (líneas punteadas).
⎛ E − EC ⎞
n = NC exp ⎜ F ⎟, (2.18)
¿Cuántos electrones participarán de la conducción eléctrica de un ⎝ kT ⎠
semiconductor? Para responder a esta pregunta, debemos calcular el donde se ha incorporado, por comodidad, la densidad efectiva de
total de electrones en la banda de conducción y de huecos en la banda estados
de valencia. La densidad total de electrones n en la banda de
5 Es posible simplificar la integración fijando el límite superior al infinito, porque la función de

Fermi f(E) decrece muy rápidamente, mientras que la densidad de estados crece con mucho menor
rapidez.
⎛ m*kT ⎞
3/2
adquiere una energía cinética suficiente como para escapar del núcleo
NC = 2 ⎜ e 2 ⎟ , (2.19)
⎝ 2π h ⎠ atómico al que se hallan ligados y, desde el punto de vista energético,
cuyas unidades son cm-3. Analizando este resultado, vemos que la ec. dar el salto desde la banda de valencia a la de conducción.
(2.18) arroja la concentración total de electrones n en la banda de Las ecuaciones (2.18) y (2.20) nos muestran que la densidad total de
conducción como si todos los electrones se encontrasen a la energía portadores de carga en una banda de un semiconductor, está fijada no
E = EC , a cuyo valor habría N C estados disponibles. sólo por la temperatura, sino también por la separación entre la
En la ec. (2.17) se ha utilizado la masa efectiva de densidad de estados energía de Fermi E F y la energía de la banda de conducción EC o la
para electrones me* , que pondera el peso de las diferentes masas de valencia EV . La diferencia entre el nivel de Fermi y las energías
efectivas de los principales ejes cristalográficos del material. de los bordes de las bandas nos indica cuán llena con electrones se
Igualmente se halla una masa efectiva de densidad de estados para encuentra la banda de conducción, o de huecos la de valencia. Por
huecos mh* . La concentración de huecos en la banda de valencia se ejemplo, si nuestro semiconductor posee un nivel de Fermi a una
energía cercana a EC , tendremos una gran cantidad de electrones en
halla dada análogamente por la ecuación
la banda de conducción, y al mismo tiempo una muy baja
⎛ E − EF ⎞
p = NV exp ⎜ V ⎟, (2.20)
⎝ kT ⎠ concentración de huecos en la banda de valencia. Realizando el
donde producto np, obtenemos
⎛ m* kT ⎞
3/2
⎛ E − EV ⎞ ⎛ E ⎞
NV = 2 ⎜ h 2 ⎟ . (2.21) np = N C NV exp ⎜ − C ⎟ = N C NV exp ⎜ − g ⎟ . (2.22)
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠
⎝ 2π h ⎠
Las ecuaciones para calcular n y p serán fundamentales de aquí en Este producto ya no depende de E F . Sólo interviene la energía de la
adelante para obtener concentraciones de portadores de carga en banda prohibida Eg y la temperatura. A una temperatura
semiconductores sólidos cristalinos perfectos en equilibrio determinada, el producto np es por lo tanto una constante particular
termodinámico. Los términos de n y p que más fuertemente dependen para cada semiconductor. Cualesquiera sean las concentraciones n y
de la temperatura son los exponenciales, es decir que podemos alterar p, su producto será una constante. Esta constante define por lo tanto
drásticamente las concentraciones n y p variando la temperatura del la concentración intrínseca ni de portadores de carga del
semiconductor. Si enfriamos el semiconductor, le quitamos energía al semiconductor mediante la ecuación
sistema, y los electrones de la banda de conducción se mueven con ni2 = np , (2.23)
energías cinéticas bajas y “caen” a la de valencia fácilmente,
y reemplazando ni2 en la ec. (2.22) obtenemos
ocupando estados donde había huecos. Al aumentar la temperatura,
suministramos energía a los electrones, y una porción de éstos
⎛ E /2⎞ reciben el nombre de átomos donadores. Los aceptores podrán

ni = NC NV exp ⎜ − g ⎟ , (2.24)
⎝ kT ⎠ “atrapar” en sus órbitas atómicas de valencia un electrón proveniente
ecuación válida en condiciones de equilibrio termodinámico. Más de los átomos del semiconductor, y por ello estos elementos se
adelante introducimos las modificaciones necesarias para considerar denominan aceptores. Los semiconductores dopados con donadores,
situaciones fuera del equilibrio termodinámico. poseen más electrones en la banda de conducción que el material
Notamos también que en el caso particular que en un semiconductor intrínseco y se denominan tipo n, mientras que los dopados con
intrínseco, es decir un cristal perfecto, no alterado con átomos aceptores tienen más huecos que el intrínseco y se denominan tipo p.
donadores, aceptores, impurezas, o imperfecciones, debe haber tantos Siguiendo el ejemplo del silicio tipo n, notamos que el quinto
electrones en la banda de conducción como huecos en la banda de electrón de los átomos donadores debe estar lo suficientemente
valencia, n = p. Siendo el producto ni2 = np , resulta n = p = ni . En la “suelto” para poder viajar libremente entre los átomos de silicio, es
práctica, es imposible encontrar un material realmente intrínseco, ya decir pertenecer realmente a la banda de conducción del material.
que siempre se producen defectos e imperfecciones. Sin embargo, el Esto se logra escogiendo átomos donadores cuyo último orbital
conocimiento de ni es de gran utilidad porque permite calcular n o p a ocupado (con el quinto electrón) se encuentre a una energía dentro de
la banda prohibida del Si cercana al borde de la banda de conducción,
partir de una de las dos concentraciones y ni . La ecuación (2.24) se
de manera que el electrón sobrante pueda saltar fácilmente a la
llama también regla de la palanca en semiconductores, ya que nos
banda de conducción absorbiendo una pequeña cantidad de energía de
indica que un aumento de una de ambas concentraciones en un factor,
la red cristalina. Análogamente, los aceptores poseen un estado vacío
implica la reducción de la concentración restante con el mismo factor.
cerca del borde de la banda de valencia del semiconductor. Esta
2.2 Donadores y aceptores cercanía posibilita que los electrones de la banda de valencia puedan
En general, los semiconductores para la microelectrónica y la saltar fácilmente hacia el nivel aceptor, dejando un hueco en la banda
fotovoltaica se utilizan con aditivos que alteran su conductividad, de valencia. De esta forma, agregamos electrones o huecos al
impurezas introducidas durante el proceso de obtención del material semiconductor, alterando su conductividad eléctrica.
semiconductor. Los elementos de impureza se escogen de manera tal Caracterizamos a los elementos donadores o aceptores por su energía
que tengan más o menos electrones de valencia que los del del nivel donador ED o del aceptor EA. Rigurosamente hablando, estos
semiconductor que los alberga. Para silicio, que cuenta con cuatro niveles de energía no son discretos, es decir tendremos una
electrones de valencia por átomo, se escoge normalmente fósforo o distribución de energías o incluso bandas de energía estrechas
arsénico, con cinco electrones de valencia, o boro, con tres electrones alrededor de los valores ED o EA, con la correspondiente densidad de
de valencia. Los átomos de impureza que entregan un electrón estados. Sin embargo, dicha distribución es tan estrecha, que queda
totalmente justificado asumir niveles discretos de energía.
La ocupación de niveles donadores o aceptores con electrones o conducción, indicando que en esa banda aumentó la ocupación con
huecos, también responde a una función de Fermi f(E) formalmente electrones. Al incrementar la concentración de electrones, reducimos
igual a la ec. (2.14). Supongamos nuevamente un nivel donador. Este simultáneamente la concentración de huecos en la banda de valencia,
tendrá su energía característica ED donde se hallaría su quinto ya que debe cumplirse la igualdad ni2 = np , sea cual fuera el
electrón. Utilizando la diferencia ED - EF, la función de Fermi f(E) mecanismo utilizado para alterar n. En la Figura 2.8 se muestra
predice cuántos átomos donadores han cedido el quinto electrón a la también una cierta cantidad remanente de electrones nD(E) en el
banda de conducción. Debido a que ED se encuentra por encima de EF, nivel del donador.
y cerca de EC, la gran mayoría de los “quintos electrones” se hallarán En general, se conoce o se determina mediante mediciones la cantidad
en la banda de conducción. Obtendremos así una distribución de de donadores o aceptores introducidos en el semiconductor. Además,
portadores de carga como la indicada en la Figura 2.8. como sus energías son cercanas a los bordes de las bandas, sabemos
que a temperatura ambiente, prácticamente todos los donadores (o
aceptores) habrán entregado (o recibido) su electrón. Asumiremos
entonces que a temperatura ambiente, la concentración N D+ de
donadores ionizados, es igual a la concentración total de donadores

N D , es decir N D+ ≅ N D . Esto equivale a decir que la concentración de
electrones en el nivel ED, ligados a sus respectivos átomos donadores,

es cero, o a decir que todos los “quintos electrones” están totalmente
desligados de sus átomos originales.
La regla de la palanca ni2 = np , nos indica que cualquier incremento
de n o p está ligado forzosamente a un drástico decremento de p o n.

Si tenemos por ejemplo silicio (ni = 1010 cm-3) con una muy baja
concentración de donadores N D+ = 1014 cm-3, obtenemos la
Figura 2.8: Distribución de electrones y huecos en la energía, en el
concentración de electrones
caso de un semiconductor dopado con átomos donadores de una
energía ED cercana a la banda de conducción. n = 1014 + 1010 = 1.0001 × 1014 cm-3 ≅ 1014 cm-3 .
Esta figura muestra el aumento de la concentración de electrones en La regla de la palanca arroja una concentración de
la banda de conducción. Este aumento es consecuentemente reflejado huecos p = 1020/1014 cm-3 = 106 cm-3, ocho órdenes de magnitud menor
por el nivel de Fermi EF, que se encuentra más cerca de la banda de a la de electrones! Por ello, cuando tenemos semiconductores dopados
con donadores, podemos despreciar la concentración de huecos en la
suma p + n. Valdrán las reglas de uso descriptas en la Tabla 2.1, que 2.3 Degeneramiento
resultan útiles para realizar simplificaciones en cálculos y ecuaciones, Cuando un semiconductor es dopado de forma tal que el nivel de
como veremos más adelante. Fermi se acerca notablemente a las bandas de conducción/valencia,
invalidando la aproximación de Boltzmann, hablamos de
Tabla 2.1: Relaciones entre concentraciones de electrones y huecos n y semiconductores degenerados. El degeneramiento aparece por
p, en equilibrio termodinámico en semiconductores cuya
concentración intrínseca de portadores de carga es ni. ejemplo en emisores de transistores integrados o diodos láser. Para
alcanzar esta condición, se utilizan concentraciones de átomos de
tipo de conductividad órdenes en equilibrio
termodinámico dopaje muy elevadas, tales que el nivel de Fermi alcance los valores
Intrínseco n = p = ni de EC o EV, o incluso se halle dentro de la banda de conducción.
tipo n n >> ni >> p
tipo p p >> ni >> n Al tratar con semiconductores degenerados, las expresiones de
Boltzmann ya no son válidas y las concentraciones de portadores
Qué valor de energía posee el nivel de Fermi en un semiconductor
deben computarse con la distribución de Fermi no simplificada
dopado? Suponiendo por ejemplo que tenemos un material dopado con
(ec. (2.14)) aunque sigue resultando en general válido asumir
donadores, podemos extraer el valor de E F planteando la condición de
neutralidad de carga del material, la cual establece que tiene que densidades de estados D(E) parabólicas según las ecs. (2.12) y (2.13).
haber tantas cargas positivas móviles (huecos) y fijas (átomos Las concentraciones totales deben calcularse entonces evaluando
donadores o aceptores) como negativas móviles (electrones), de 3/2 ∞
1 ⎛ 2me* ⎞ E − EC
manera que se cumpla la ecuación n= ⎜
π 2 ⎝ h2 ⎠
⎟ ∫
EC 1 + exp
⎛ E − EF ⎞
dE (2.27)
n2
⎜ ⎟
n = p + N D+ = i
+ N D+ (2.25) ⎝ kT ⎠
n
y, simplificando 1 - f(E),
válida para el material tipo n. Asumiendo ND+ = ND, y reemplazando
3/2 E
n con la ecuación (2.18), podemos calcular numéricamente E F . En 1 ⎛ 2mh* ⎞ V
EV − E
p= ⎜
π 2 ⎝ h2 ⎠
⎟ ∫
−∞ 1 + exp
⎛ EF − E ⎞
dE (2.28)
+
general, la concentración N es suficientemente grande y es posible ⎜ ⎟
D ⎝ kT ⎠
despreciar el valor de p frente a N D+ . En ese caso, suponiendo la Normalmente, se suelen señalar con n+ y n++, p+ y p++, las zonas n y p
validez de la aproximación de Boltzmann, la ec. (2.25) puede degeneradas y muy degeneradas, respectivamente. Muy degeneradas
expresarse según la ecuación son denominadas aquellas regiones del semiconductor donde EF se
⎛ E − EC ⎞ + encuentra dentro de una de las bandas.
N C exp ⎜ F ⎟ = ND (2.26)
⎝ kT ⎠
de donde podemos despejar directamente E F .
2.4 Diagrama de bandas

El diagrama de bandas se obtiene a partir de una versión simplificada
de la estructura de bandas, y permite un análisis detallado del
funcionamiento de componentes electrónicos. El diagrama de bandas
muestra únicamente los bordes de la banda de conducción y de
valencia EC y EV, sin especificar el valor de k, pero dando la posición x
dentro del semiconductor. La Figura 2.9 muestra la correlación entre
la estructura de bandas mostrada en la parte (a) (en este caso para un
semiconductor indirecto) y el diagrama de bandas en la parte (b)
válido para el caso unidimensional. Además, al utilizarse el diagrama
de bandas, asumimos que toda energía electrónica por encima de EC, Figura 2.9: la estructura de bandas de un semiconductor indirecto
(parte a), junto a la aproximación parabólica cerca del mínimo de la
es energía cinética que se agrega a la potencial EC. Esto es válido banda de conducción (curva punteada). En la parte (b) se muestra el
únicamente para entornos de E(k) tales que la estructura de bandas diagrama de bandas válido para electrones y huecos con energías
cercanas a los bordes de las bandas donde las aproximaciones
sigue una forma parabólica tal que E ∝ k2. Debido a que esta parabólicas de E(k) son válidas.
condición se cumple en general únicamente cerca del máximo de la
Es razonable asumir que todos los electrones y huecos se encuentran
banda de valencia y del mínimo de la banda de conducción, el
cerca de las energías EV y EC? La respuesta a esta pregunta está dada
diagrama de bandas es válido para energías de los electrones/huecos
por la distribución de electrones n(E) y huecos p(E). En la Figura 2.8,
cercanas al mínimo de la banda de conducción/valencia.
las funciones n(E) y p(E) fueron calculadas a altas temperaturas para
facilitar la visualización de las mismas. Puede mostrarse que el ancho
de las distribuciones Δn(E) es de aproximadamente Δn(E) ≅ kT. A las
temperaturas normales de funcionamiento de componentes
electrónicos, a 300 K, por ejemplo, el ancho de la distribución es de
kT = 25.6 meV. Es decir que en general, alrededor de la temperatura
ambiente, podremos asumir que todos los electrones y huecos se
encuentran cerca de los bordes de sus respectivas bandas, en un
intervalo de energías muy estrecho comparado con el ancho de la
banda prohibida de alrededor de Eg = 1000 meV. Es decir que el uso
del diagrama de bandas es válido para la gran mayoría de los análisis
de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, desde transistores a
células solares.
Nos resta incluir un elemento importante en el diagrama de bandas:
la energía de Fermi EF. En la Figura 2.10 se muestran los diagramas
de bandas correspondientes a tres materiales con diferentes energías
de Fermi:
a) un semiconductor intrínseco, con nivel de Fermi dado por la Figura 2.11: diagramas de bandas para dos semiconductores tipo n
degenerados.
ecuación n = p, que de acuerdo a las expresiones de Boltzmann posee
Podemos ir un paso más lejos y tratar de trazar el diagrama de
EC + EV kT ⎛ NV ⎞
una energía E F = Ei = + ln ⎜ ⎟ (2.29) bandas en una unión de dos semiconductores de diferente tipo: uno
2 2 ⎝ NC ⎠
tipo n y otro tipo p. Una forma práctica de comenzar con esta tarea es
b) un semiconductor dopado tipo n, no degenerado. También se
suponer la unión en equilibrio termodinámico. En equilibrio
incluye el nivel de energía ED del donador, que en este caso cae entre
termodinámico, sabemos que debe haber un único nivel de Fermi para
EF y EC.
todo el sistema, independientemente del tipo de materiales que se
c) un semiconductor dopado tipo p, no degenerado, con el nivel EA del
pongan en contacto y del tipo de conducción de los mismos. En otras
último nivel libre para los átomos aceptores, que en este caso cae
palabras, el valor de la energía de Fermi no depende de la posición
entre EV y EF.
considerada una vez alcanzado el equilibrio termodinámico. La
Figura 2.12 muestra el diagrama de bandas resultante para una
unión n-p.
Figura 2.10: diagramas de bandas para tres semiconductores de

distinto tipo.
En el caso de semiconductores degenerados, el nivel de Fermi puede

acercarse a los bordes de las bandas traspasando el nivel de aceptores Figura 2.12: diagrama de bandas de una unión n-p, en condiciones de
o donadores, e ingresando incluso en las bandas, tal como se muestra equilibrio termodinámico.
en la Figura 2.11. Luego veremos que esta situación es necesaria para Los bordes de las bandas se acoplan en la unión, sin modificarse el
el funcionamiento de diodos láser. ancho de la banda prohibida a lo largo de toda la unión. Observamos
que en las lejanías de la unión, el diagrama de bandas es igual al que un semiconductor con fotones de energía hν > Eg, se produce la
tendríamos si trazáramos el diagrama de bandas para cada material excitación de un electrón a la banda de conducción. También logramos
por separado. En la unión misma, el nivel de Fermi cruza por el el mismo efecto bombardeando el semiconductor con un haz de
centro de la banda prohibida. Esta posición del nivel de Fermi indica electrones en un tubo catódico. En ese caso, los electrones del haz
que allí, las densidades de portadores n y p son pequeñas (ver ecs. entregarían parte de su energía a los electrones de la banda de
(2.18) y (2.20)). Más adelante se presentan reglas exactas para el valencia, excitándolos hacia la de conducción. Las concentraciones n y
trazado de diagramas de banda arbitrarios para uniones entre p poseerán ahora mayores valores a los correspondientes al equilibrio
materiales diferentes, incluyendo metales, necesarios para extraer térmico dado por la temperatura del material, y el semiconductor se
corrientes eléctricas de los componentes. hallará fuera del equilibrio termodinámico. Las tasas de generación y
recombinación serán mayores al caso de equilibrio,
2.5 Generación y recombinación
G > G0 ,
(2.31)
Hasta aquí, hemos visto las concentraciones n y p en un R > R0 .
semiconductor en equilibrio termodinámico, es decir un Fuera del equilibrio termodinámico, no es posible caracterizar la
semiconductor que entrega tanta energía como recibe del medio energía del sistema con un único nivel de Fermi EF. Entran en juego
circundante. En ese estado, la excitación de un electrón hacia la dos niveles de Fermi: el nivel de quasi-Fermi de electrones EFn y el de
banda de conducción se produce únicamente por el aumento de la huecos EFp. Estos están desplazados respecto a la posición original de
energía potencial de los electrones luego de absorber energía térmica EF y entonces las ecuaciones (2.18) y (2.20), y en caso de
de los átomos circundantes, o también, de absorber un fotón emitido semiconductores degenerados, las ecs. (2.27) y (2.28), arrojan
por otro electrón que recombina con un hueco en sus cercanías. En correctamente las concentraciones (artificialmente incrementadas) n
estas condiciones, la tasa de generación en equilibrio termodinámico y p. Por ejemplo, las aproximaciones de Boltzmann necesarias para
G0 debe ser igual a la de recombinación R0, es decir obtener las concentraciones n y p, fuera del equilibrio termodinámico,
G0 = R0 , (2.30) están dadas por
donde se utiliza el subíndice “0” para indicar el equilibrio ⎛ E − EC ⎞
n = NC exp ⎜ Fn ⎟, (2.32)
termodinámico. Las tasas G y R se expresan típicamente en unidades ⎝ kT ⎠
de cm-3s-1, indicando la cantidad de pares electrón-hueco que se y
generan o eliminan por centímetro cúbico, en un segundo. ⎛ E − E Fp ⎞
p = NV exp ⎜ V ⎟. (2.33)
Las concentraciones n y p pueden desviarse de sus valores de ⎝ kT ⎠
equilibrio termodinámico mediante otros mecanismos además del Con estas ecuaciones, el producto np ya no es igual a ni2, ya que el
suministro de energía térmica al material. Por ejemplo, al iluminar producto arroja
⎛ E − E Fp ⎞ Tabla 2.2: Clasificación de niveles de inyección en semiconductores de

np = ni2 exp ⎜ Fn ⎟. (2.34) diferente tipo.
⎝ kT ⎠
Nos interesa conocer EFn y EFp porque más adelante veremos que la nivel de tipo de órdenes fuera del
inyección conductividad equilibrio termodinámico
diferencia EFn - EFp está estrechamente relacionada con la diferencia
alto tipo n Δn ≥ n0
de potencial V medible con un voltímetro en los contactos de todo tipo p Δp ≥ p0
diodo. Cómo podemos calcular los niveles de quasi-Fermi? En este bajo tipo n Δp, Δn << n0
tipo p Δp, Δn << p0
contexto, resulta útil definir el nivel de inyección en un
semiconductor, y diremos que las cantidades n y p se alteran en Los diodos y las células solares pueden trabajar en ambos regímenes
función del nivel de inyección, es decir del grado de alejamiento del de inyección. Las células que utilizan concentración de luz, alcanzan
equilibrio termodinámico. Se utiliza el término inyección porque se siempre niveles de inyección altos (independientemente del dopaje
entiende que la alteración de las concentraciones provendrá de un escogido), mientras que las células sin artefactos concentradores de
suministro externo de portadores o por la generación de pares luz trabajan en general a niveles de inyección bajos. Los láseres
electrón-hueco mediante absorción de luz en el material. semiconductores trabajan a un nivel de inyección alto, ya que
Denominando con n0 y p0 a las concentraciones en equilibrio funcionan cuando la densidad de portadores recombinantes es
termodinámico, tendremos las cantidades n y p incrementadas en Δn excesivamente elevada.
y Δp:
2.5.1 Absorción
n = n0 + Δn,
(2.35) Cuando en un material hallamos un flujo de fotones Φ 0 en una
p = p0 + Δp.
sección dada del mismo, y en ausencia de generación de fotones
El grandor de Δn o Δp resulta útil para clasificar el nivel de inyección.
dentro del mismo, el flujo de fotones dentro del cristal decae con la
Es conveniente realizar la clasificación de los niveles de inyección
profundidad x en el semiconductor al valor Φ( x ) según la ley de
según los criterios expuestos en la Tabla 2.2. Estas clasificaciones
sirven para simplificar cálculos y ecuaciones, como veremos más Beer, válida para ondas de fotones planas
adelante. Como podemos ver, el nivel de inyección dependerá del Φ( x ) = Φ 0 exp( −α x ) . (2.36)
dopaje, y en materiales dopados débilmente se requiere una De aquí vemos que el coeficiente de absorción α tiene unidades de
excitación (por ejemplo una intensidad de luz) menor para alcanzar el 1/distancia, y en semiconductores es común expresarla en unidades
nivel de inyección alto que en un material altamente dopado. de cm-1 o μm-1. Es decir que la magnitud física que describe la
absorción de fotones en un material es el coeficiente de absorción α, y
depende de la energía de los fotones hν. El coeficiente de absorción α
puede medirse por ejemplo mediante ensayos de transmitancia, y
calcularse mediante la estructura de bandas del semiconductor. Aquí momentos de cada cuanto no aparece graficada en la Figura 2.13a,
explicaremos básicamente los procesos de absorción y daremos justamente para enfatizar el hecho de que el impulso del fotón es tan
directamente las expresiones del coeficiente de absorción α(hν), sin débil, que el incremento del impulso del electrón al absorber el fotón,
adentrarnos en su obtención a partir de E(k). En los procesos de es despreciable. La excitación de un segundo electrón mostrada en la
absorción, deben conservarse la energía y el momento del sistema Figura 2.13a, corresponde a un segundo fotón con mayor energía.
electrón-fotón. El fotón posee una energía hν, y un momento h/λ,
mucho menor al momento cristalino hk .
Denominamos absorción fundamental a la excitación de un electrón a) b)
desde el máximo de la banda de valencia hacia el mínimo de la banda
de conducción.
A los fines de realizar un fotodiodo o una célula solar, deben escogerse
materiales cuyo ancho de la banda prohibida esté más o menos
ajustado al valor de la energía de los fotones que se desean absorber,
en el caso de células solares los materiales deben poseer valores de Eg
contenidos en el espectro solar. Para fotones con hν < Eg, los
semiconductores resultan transparentes.
Absorción en semiconductores directos. La Figura 2.13a

muestra en la estructura de bandas una excitación de dos electrones
diferentes desde la banda de valencia hacia la de conducción en un Figura 2.13: Procesos de absorción de fotones en un semiconductor
semiconductor directo. El electrón mostrado sobre el máximo de la directo (parte a) y en un semiconductor indirecto (parte b).
banda de valencia experimenta un proceso de absorción fundamental. El coeficiente de absorción depende de la ocupación de los estados
Para ambos electrones mostrados en este caso, vemos que la finales e iniciales, ya que un electrón no puede “arribar” a un estado
diferencia de energías del electrón entre el estado final e inicial es si éste está ocupado por otro. Sabemos que las densidades de estados
justamente hν, conservándose así la energía. La conservación del D(E) son bajas cerca del mínimo de la banda de conducción y del
momento exige que el momento cristalino del electrón pk después de máximo de la de valencia, esto dará como resultado que α tiene
la excitación, sea igual a la suma del momento del electrón antes de la valores bajos para energías hν cercanas a Eg. Los cálculos analíticos
excitación y del momento del fotón h/λ. Esta separación de los
arrojan expresiones sencillas para α(hν) cuando hν → Eg. Para incrementa al absorber (o emitir) un fonón de la red cristalina. Al
semiconductores directos se obtiene la expresión absorber el electrón un fonón, la energía vibracional de la red
α dir (hν ) hν →E = Adir ( hν − E g ) disminuye en una cantidad igual a la energía EP del fonón. Esto
1/ 2
, (2.37)
g
implica un “enfriamiento” de la red cristalina, ya que el electrón quitó
donde Adir es una constante que depende de las masas efectivas
energía a la misma. Por el contrario, el proceso de absorción puede
correspondientes al diagrama E(k) del material bajo estudio. Como
también producir la emisión de un fonón, con el correspondiente
valor orientativo, considerando masas efectivas iguales a la masa del
calentamiento de la red al entregar parte de su energía cinética a la
electrón libre, se obtiene Adir = 2×104 eV-1/2cm-1. Para hν >> Eg, α
red cristalina.
aumenta con mayor rapidez con hν que (2.37) porque la densidad de
Para energías cercanas a hν = Eg, el coeficiente de absorción de
estados aumenta rápidamente con E.
semiconductores indirectos αind resulta ser
Absorción en semiconductores indirectos. En el caso de
( hν − Eg + EP ) + Aind ( hν − Eg − EP ) , (2.38)
2 2
α ind (hν ) hν →E = Aind
abs em
semiconductores indirectos, la absorción fundamental entre el g
máximo de la banda de valencia y el mínimo de la de conducción tiene donde el primer término caracteriza la absorción con absorción de
que realizarse con un incremento de impulso cristalino que el fotón no abs
fonones con una constante Aind , y el segundo caracteriza la absorción
puede aportar. Interviene entonces un contribuyente adicional que em
con emisión de fonones con Aind .
aporta (o cede) el momento adicional para completar la absorción.
Como hemos visto, la absorción de fotones en semiconductores
Dicho contribuyente es el cuanto denominado fonón, que caracteriza
indirectos es un proceso que requiere la intervención de dos cuantos
las oscilaciones ordenadas de los átomos del material.6 El fonón posee
simultáneamente: el fotón y el fonón. Esto hace que el proceso de
una energía EP muy baja, pero un momento cristalino que puede
excitación del electrón sea muy poco probable. Esta baja probabilidad
alcanzar valores altos. Cómo ocurre entonces la excitación de un abs em
se refleja en bajos valores de las constantes Aind y Aind , indicando que
electrón desde el máximo de la banda de valencia al mínimo de la
los semiconductores indirectos absorben la luz en forma mucho menos
banda de conducción mediante el uso de un fotón y un fonón? La
eficiente que los directos. Por ello, para absorber una cantidad de
Figura 2.13b muestra, abstractamente en dos pasos separados, la
fotones con un semiconductor indirecto, necesitamos un espesor de
absorción fundamental en el semiconductor indirecto. La energía del
material mucho mayor al necesario para absorber la misma cantidad
electrón aumenta al absorber el fotón, y luego el momento se
de fotones con un semiconductor directo.
En la Figura 2.14 se muestran las constantes de absorción
6 Este nuevo cuanto no es ni más ni menos abstracto que los demás cuantos tratados hasta ahora.
halladas experimentalmente para Ge, Si, CuInSe2, InP y GaAs.
Así como aceptamos que un fotón es una partícula asociada a una onda electromagnética,
podemos aceptar que las ondas vibracionales de los átomos de una red cristalina también pueden Comparando por ejemplo GaAs (directo) con Si (indirecto), notamos
ser descritas por su propio cuanto, el fonón.
que el coeficiente de absorción del GaAs es alrededor de un orden de Figura 2.14: Constantes de absorción del Ge, Si, CuInSe2, InP y GaAs,
junto a los valores de Eg y el tipo de semiconductor para cada
magnitud mayor a la del silicio a través de un amplio rango de
material.
energías. Esto se debe precisamente a que el silicio absorbe la luz
2.5.2 Tipos de recombinación
débilmente por ser indirecto. La Figura 2.14 también muestra que
Hasta ahora vimos la recombinación desde un punto de vista general,
para el silicio hay un incremento de α en un orden de magnitud
sin especificar de qué formas puede ocurrir el decaimiento de un
alrededor de hν = 3.4 eV. Esto se debe a la transición directa que
electrón de la banda de conducción a la banda de valencia. Existen
ocurre en el silicio a partir de ese valor de hν, de acuerdo a la
varias formas en que esta recombinación pueda ocurrir. En la Figura
estructura de bandas del silicio.
2.15 se muestran los principales procesos de recombinación. Éstos se
Notamos que el coeficiente de absorción refleja la estructura de
hallan separados en procesos radiantes (con emisión de un fotón), y
bandas E(k) de cada material, y constituye una herramienta
no-radiantes.
fundamental para el diseño de una célula solar ya que define el grado
de adaptación óptica entre el material de la célula (el receptor) y el
espectro del sol (el emisor). Conociendo α y el espectro solar, podemos
calcular cómo y cuánta luz absorbe una célula.
Figura 2.15: Procesos fundamentales de absorción directa y

recombinación en semiconductores. Se omiten los procesos de
absorción indirecta.
Se define recombinación radiante al proceso de recombinación

espontánea (sin la estimulación de un fotón), con la emisión de un
fotón. Análogamente al proceso de absorción, en semiconductores
indirectos, este proceso requiere adicionalmente la emisión o
absorción de fonones. Para que se produzca la recombinación radiante
debe haber un electrón en la banda de conducción, y un hueco en la de
valencia, que se encuentren espacialmente cerca uno del otro. Por Auger, y la recombinación a través de estados de defectos en la banda
esto último, la tasa Rrad de recombinación radiante es proporcional al de energía prohibida. Ambos procesos de recombinación se muestran
producto de la concentración de electrones n y la de huecos p, en la parte derecha de la Figura 2.15. En la recombinación de Auger,
mediante la ecuación un electrón recombina con un hueco entregando la energía E (> Eg) a
Rrad = Bnp , (2.39) un segundo electrón de la banda de conducción, que aumenta su
donde B es la constante de recombinación radiante, particular energía y luego decae hacia el borde de la banda de conducción
para cada semiconductor.7 En silicio (indirecto) vale B = 3×10-15 cm3/s, mediante cascadas de fonones. Estas cascadas son múltiples
mientras que en un semiconductor directo como el GaAs vale emisiones de fonones por parte del electrón, perdiendo varias veces la
B = 7×10-10 cm3/s (mostrando que la recombinación radiante es unas energía del fonón EP hasta la relajación a una energía cercana a EC.
200000 veces más probable en el GaAs!). Cuando existen estados de Este proceso también existe para huecos. La tasa RAuger es
energía de defectos o también de impurezas cercanos a las bandas, proporcional al producto np multiplicado por n, ya que un electrón
puede aparecer una recombinación en etapas donde en uno de los que recombine mediante este proceso debe encontrar otro electrón en
saltos más grandes de energía se emite el fotón, como en el proceso de su vecindad. Considerando electrones y huecos, resulta la tasa
recombinación por dopantes mostrado en la Figura 2.15. RAuger = Cnn2 p + C p p2n, (2.40)
El quinto proceso de recombinación mostrado en la Figura 2.15 donde Cn y Cp son constantes que dependen del material.
es la recombinación estimulada, necesaria en todo diodo LASER. Un proceso de recombinación extremadamente importante en
Interesantemente, la recombinación radiante puede ser “gatillada”, es fotovoltaica y en microelectrónica es la recombinación por niveles de
decir externamente estimulada por otro fotón. El fotón incidente es de energía de defectos. Debemos recordar que en la realidad, todo
igual energía a la que tendrá el fotón emitido por la recombinación material posee defectos tales como vacancias, intersticiales,
radiante. Luego de la recombinación, el fotón radiante es gemelo al impurezas; que perturban la perfección de la red. Estos defectos
fotón estimulante, tienen igual fase, frecuencia (y por lo tanto igual producen estados permitidos en la banda prohibida del
longitud de onda), dirección y sentido. Un medio que emite fotones en semiconductor, que pueden ser ocupados por portadores de carga
estas condiciones, se denomina una fuente coherente. cuando se halla en las cercanías del defecto. La recombinación a
Dentro de los procesos de recombinación que no presentan través de niveles de defectos es un proceso similar a la recombinación
emisión de fotones, tenemos principalmente la recombinación de directa, con la diferencia de que en vez de decaer hacia la banda de
valencia, el electrón decae hacia un estado en la banda prohibida y
7 Con esta ecuación, podemos calcular cuántos electrones y huecos recombinan en equilibrio desde allí hacia la de valencia (ver Figura 2.15). Puede pensarse como
termodinámico: valiendo ni2 = np , y ni = 1010 cm-3, encontramos que por segundo y centímetro
un proceso en el que el estado de defecto de la banda prohibida
cúbico, recombinan 3×105 pares electrón-hueco (R0 = G0 = 3×105 cm-3s-1).
“asiste” al electrón a decaer hacia la banda de valencia. Para un único banda prohibida. En ese caso, la tasa de recombinación RSRH se suele
estado de defecto en la banda prohibida a una energía Et, se utiliza calcular suponiendo que cada estado de defecto actúa
una tasa de recombinación RSRH , expresión encontrada por Shockley, independientemente con las bandas de valencia y conducción, y
Read y Hall, dada por la ecuación entonces puede evaluarse directamente la integral
np − ni2 Etmax
np − ni2
RSRH = , (2.41)
τ 0 p ( n + n1 ) + τ 0n ( p + p1 ) RSRH = ∫ n + n1 p + p1
dE . (2.46)
Etmin +
vthσ p ( E )Dt ( E ) vthσ n ( E )Dt ( E )
donde τ 0 p y τ 0n son tiempos de transición entre la banda de valencia y
Para defectos con niveles discretos, la densidad de estados Nt se
el estado del defecto, y entre la banda de conducción y el estado del
expresa simplemente en unidades de concentración volumétrica,
defecto, respectivamente. Estas cantidades se definen según las
normalmente cm-3, mientras que para defectos con bandas de energía
ecuaciones
debe expresarse en concentración de defectos por unidad de energía,
τ 0 p = (vthσ p Nt ) ,
−1
(2.42)
cm-3eV-1. También interesa la recombinación por defectos en
y superficies o interfaces entre diferentes materiales, en cuyo caso la
τ 0n = (vthσ n Nt ) ,
−1
(2.43) densidad de estados de defecto se denomina Ns y viene dada en
donde se introdujeron la densidad de estados del defecto Nt, la unidades de cm-2eV-1 y RSRH en unidades de cm-2s-1. El modelo de
velocidad térmica de los electrones vth, y las secciones de captura de recombinación de Shockley-Read-Hall puede ser modificado para
huecos y de electrones, σ p y σ n respectivamente. Las densidades n1 y considerar situaciones donde los portadores de carga recombinan con
pasos intermedios entre varios niveles de energía de defectos, en cuyo
p1 que aparecen en la ec. (2.41) carecen de una interpretación física
caso deben incorporarse las modificaciones necesarias a la ec. (2.41).8
directa, son más bien cantidades matemáticas, dadas por las
Considerando todos los mecanismos de recombinación presentes
ecuaciones
simultáneamente en un semiconductor, calculamos la tasa total R de
⎛ E − ET ⎞
p1 = NV exp ⎜ V ⎟, (2.44)
⎝ kT ⎠ recombinación volumétrica según la suma
y R = Rrad + RAuger + RSRH , (2.47)
⎛ E − EC ⎞ donde Rrad corresponde a la suma de todos los mecanismos de

n1 = NC exp ⎜ T ⎟. (2.45)
⎝ kT ⎠ recombinación con emisión de fotones.
En el caso general, en vez de un único nivel de energía de defectos Si bien los semiconductores utilizados en electrónica son de alta
tenemos varios o una distribución de niveles de energía, formando pureza, siempre hay una concentración de defectos significativa, y la
estrechas bandas de densidad de estados de defectos Dt ( E ) en la
8 Ver por ejemplo A. Schenk, U. Krumbein, J. Appl. Phys. 78, 3185 (1995).
tasa RSRH cobra gran importancia en el comportamiento (y por lo iluminado con un espectro continuo, como el de la radiación solar,
tanto en el diseño) de componentes electrónicos. En el caso ideal que debemos integrar G(x) en todo el espectro Φ 0 (hν )
no tengamos defectos, nos restan las tasas Rrad y RAuger, que no ∞
pueden ser reducidas mediante purificación de los materiales ya que

G( x ) = G0 + ∫ Φ (hν )α (hν ) exp ( −α (hν )x ) d(hν ) .
Eg
0 (2.49)
son propias de todo cristal. El rendimiento máximo posible de una Hasta aquí hemos visto el instante de generación de un par electrón-
célula solar está entonces limitado por la recombinación radiante y la hueco mediante la absorción de fotones. Un electrón que haya llegado
de Auger. En semiconductores directos domina la recombinación a una energía E de la banda de conducción, caerá rápidamente al
radiante, mientras que en semiconductores indirectos la estado permitido de menor energía posible, cerca del mínimo EC.
recombinación de Auger también debe considerarse al investigar el Desde allí, puede o bien viajar a través de la red cristalina, que es el
rendimiento máximo para células fotovoltaicas. efecto deseable en una célula solar, o caer nuevamente a la banda de
2.5.3 Tasa de generación bajo iluminación valencia, es decir recombinar.
Dado un nivel de iluminación, cuál es la tasa de generación de pares

electrón-hueco? La tasa total de generación G estará compuesta por la
tasa de generación G0 del equilibrio termodinámico, más la
componente de la generación por iluminación. Ésta última se calcula
mediante la ley de Beer. Sabemos que cada fotón absorbido produce
un par electrón-hueco, de manera que el decaimiento de la cantidad
de fotones entre una profundidad x y x + dx nos da directamente la
cantidad de pares electrón-hueco generada en el intervalo dx.
Podemos entonces escribir la siguiente ecuación para la tasa total G
de generación:
dΦ( x )
G( x ) = G0 − = G0 + Φ 0α exp ( −α x ) . (2.48)
dx
Si tenemos una fuente de luz que emite fotones de diferentes
longitudes de onda, necesitamos calcular cada componente de G(x)
con cada valor individual de α para las longitudes de onda en
cuestión, y luego sumar todas las componentes de G(x) obtenidas. Por
ello, para calcular la tasa de generación en un semiconductor
Electrónica física de semiconductores 69
2.6 Cuestionario
1. Supongamos que tenemos tres materiales con igual densidad
efectiva de estados NC = NV = 1019 cm-3. El material a posee una
banda prohibida Eg = 0.5 eV, el b tiene Eg = 1 eV y el c Eg = 2
eV. Suponiendo que estos materiales no se han dopado, qué
cantidad de portadores de carga tenemos en cada material a una
temperatura de 300 K?
2. Dibujar una estructura de bandas de un semiconductor directo y
representar: un proceso de absorción con hν ≈ 2E g . Mostrar
luego la secuencia de frenado del electrón y la siguiente
recombinación radiante del mismo.
3. En la Figura 2.13b se muestra un proceso de absorción
fundamental en un semiconductor indirecto, en el cual el
electrón absorbe la energía y el impulso de un fonón. El mismo
proceso se verifica también con la emisión de la energía del
fonón. Completar la Figura 2.13b con este último proceso.
4. Cómo alcanzaría el grado de degeneramiento en un
semiconductor?
5. La constante de recombinación radiante B es mucho menor en
Si que en GaAs, BSi << BGaAs. Cómo puede explicarse este
resultado? Implica este resultado que el Si es necesariamente
más apropiado para realizar células solares que el GaAs?
6. De acuerdo a lo visto en la pregunta anterior, cuál de ambos
materiales sería más apropiado para realizar diodos LED, el Si
o el GaAs? A qué longitud de onda esperaría la emisión de
radiación en cada caso?
7. Cuáles de las transiciones de absorción y recombinación cree
que representan un factor de pérdidas en LEDs? Alguno de esos
procesos puede minimizarse técnicamente?
8. Modifique la ley de Beer considerando que además de absorción,
un semiconductor se halla en condiciones de emitir radiación
con una constante de emisión γ.
Kurt Taretto – Apunte de Elementos de Electrónica y Optoelectrónica – 2013

Ecuaciones fundamentales 71 Ecuaciones fundamentales 72
ecuación de Poisson) establece que la densidad de carga determina el
campo eléctrico E en la posición x de la siguiente forma:
dE ρ
= , (3.2)
dx ε 0ε S
donde ε 0 (típicamente en Farad/cm) es la constante dieléctrica del
vacío y ε S la constante dieléctrica relativa del semiconductor.
Además, el campo eléctrico se relaciona al potencial electrostático ψ

mediante la definición diferencial del potencial9
3 Ecuaciones fundamentales E =−
dψ
. (3.3)
dx
Como hemos visto anteriormente, la energía total que leemos en una
estructura de bandas y en un diagrama de bandas, está compuesta
por energía cinética más potencial electrostática. El potencial
3.1 Densidad de carga y campo eléctrico
electrostático ψ está relacionado entonces con la energía Epot
En un semiconductor encontramos una serie de cargas que son
mediante la ecuación
determinantes para el funcionamiento de dispositivos electrónicos:
E pot
electrones, huecos, dopantes ionizados (donadores o aceptores), y las ψ =− , (3.4)
q
indeseadas impurezas ionizadas (donadoras o aceptoras). El
donde el signo negativo corresponde a la carga del electrón definida
semiconductor, en su conjunto, es neutral, no tiene carga neta, pero a
negativa. Ahora bien, según la aproximación de estructura de bandas
nivel microscópico puede presentar cargas no balanceadas. Estas
parabólica ( E ∝ k2 ), sabemos que exactamente en el mínimo de la
cargas no balanceadas presentan campos eléctricos internos que se
banda de conducción y en el máximo de la banda de valencia, vale que
superponen a los campos eléctricos atómicos. La densidad de carga ρ
la energía electrónica EC,V es netamente de tipo potencial
en una determinada posición x dentro del semiconductor está dada
electrostática. Por ello, asumimos que los valores de EC y EV se
por la ecuación
corresponden con el potencial electrostático ψ según las ecuaciones
ρ = q ( p − n + N D+ − N A− + pt − nt ) , (3.1)
donde incluimos las concentraciones pt y nt de defectos positiva y

negativamente ionizados, respectivamente. En el tratamiento de
dispositivos semiconductores, ρ se expresa generalmente en C/cm3. 9 Aquí el símbolo para el potencial electrostático no debe confundirse con el utilizado para la
Para el caso unidimensional, la tercera ecuación de Maxwell (o función de onda de Schrödinger.
EC E + Eg E • los gradientes de temperatura ∇T , que de acuerdo a

ψ =− + ψ ref = − V + ψ ref = − V + ψ ref
′ , (3.5)
q q q las expresiones de Boltzmann para n y p resultarían
en gradientes de las concentraciones.
donde ψ ref es un potencial de referencia escogido convenientemente.
En este texto consideraremos únicamente las corrientes de
Ahora podemos utilizar este resultado para volver a la ec. (3.3) y
portadores de carga producidas por campos eléctricos y por gradientes
obtener
de concentración de portadores. Mostraremos más adelante que las
dψ 1 dEC ,V
E =− = . (3.6) curvas de tensión-corriente de diodos y fotocélulas típicos pueden ser
dx q dx
modeladas considerando tan solo las corrientes originadas por
Esta ecuación es extremadamente práctica para el análisis de
gradientes de concentración.
diagramas de banda ya que nos permite deducir la intensidad de
En la Figura 3.1 se muestran dos casos donde habrá conducción
campos eléctricos internos en componentes semiconductores
de electrones y huecos. En el primero, las corrientes se deben al
analizando la pendiente del borde de la banda de valencia o de
campo eléctrico, mientras que en el segundo, aparecen corrientes de
conducción.
difusión originadas por los gradientes de n y p. Se indican los sentidos
3.2 Corrientes de movimiento de los portadores de carga en cada caso, y el sentido

convencional de las corrientes.
Existe una variedad de fuerzas que actúan sobre portadores de carga
fluyendo en semiconductores, todas ellas contribuyen a la corriente
neta que circula por los componentes. Pero generalmente, sólo una o
un par de fuerzas controlan realmente el funcionamiento de los
mismos. La fuerza gravitatoria resulta por ejemplo despreciable en
todo tipo de componente electrónico. Luego debemos considerar las
siguientes fuerzas, algunas de ellas aparecen únicamente en
semiconductores: Figura 3.1: flujo de portadores de carga debido a campos eléctricos y
• la fuerza FE ejercida por el campo eléctrico E, gradientes de concentración. Se indican los sentidos convencionales
de las densidades de corriente Jn y Jp, de electrones y huecos
• los gradientes de concentraciones de portadores de
respectivamente.
carga, ∇p y ∇n ,
• los gradientes de las densidades de estados ∇DC ( E ) y 3.2.1 Corrientes debidas al campo eléctrico
∇DV ( E ) a lo largo de un componente cuyo material o En el caso del flujo bajo campo eléctrico, la Figura 3.1 indica
composición varía con la posición, esquemáticamente que el electrón gana energía cinética y “colisiona”
• las fuerzas debidas a campos magnéticos, y con un átomo de la red, entregando parte de su energía emitiendo un
fonón. La colisión consiste en un intercambio de energía cinética entre la dependencia de la movilidad con E en el caso de Si y GaAs
el electrón y la nube de electrones ligados al núcleo atómico por medio intrínsecos, mostrando la región de decrecimiento asintótico de μ.
de fuerzas eléctricas. Luego de la colisión, el electrón vuelve a
acelerarse hasta producirse otro choque, repitiéndose el ciclo.
Debido a que el movimiento de portadores originado por el
campo eléctrico tiene sentido opuesto para electrones y huecos, las
corrientes convencionales por campo eléctrico llevan igual signo tanto
para electrones como para huecos. Las corrientes por campo eléctrico
son proporcionales al producto del campo eléctrico y la concentración
de portadores de carga. La constante de proporcionalidad se
denomina movilidad μ. La movilidad nos indica cuán fácil le resulta a
un portador de carga adquirir una velocidad media v bajo la acción de
un campo eléctrico E, quedando definida según la ecuación
v = μE . (3.7)
Esta definición vale tanto para electrones como para huecos. En
general, la movilidad de electrones es mayor a la de huecos, μn > μp,
Figura 3.2: Dependencia de la movilidad con el campo eléctrico para
debido a que el movimiento de los huecos se basa en el Si y GaAs intrínsecos, a 300 K.
reordenamiento de los electrones en la banda de valencia, un proceso
Sabemos, además, que la movilidad depende en gran medida de las
más complejo y dificultoso que el flujo prácticamente imperturbado de
concentraciones de portadores, de impurezas y defectos de un
electrones en la banda de conducción. La ec. (3.7) indica una
material. Este efecto se agrega al de la reducción de la movilidad con
proporcionalidad directa de la velocidad con el campo eléctrico. Sin
E y con la temperatura. Las movilidades μn, μp disminuyen al
embargo, debido al “rozamiento” entre los portadores con otros
aumentar las concentraciones n o p, debido a que los portadores
portadores y con los fonones e impurezas de la red, v no puede
comienzan a interactuar y perturbar su vuelo entre sí. Este hecho
aumentar indefinidamente con E. La velocidad media alcanza un
cobra especial importancia en MOSFETs ya que el tiempo de vuelo
valor de saturación de típicamente vsat = 107 cm/s en semiconductores
entre fuente y drenaje se ve limitado por la densidad de portadores en
muy puros. Esto significa que la movilidad debe tender
el canal. Un aumento de la concentración de portadores aparece
asintóticamente a cero ( μ ∝ E -1 ) para altos valores de E, de manera
también con el dopaje, y las impurezas ionizadas agregan un
que la ec. (3.7) arroje una velocidad límite vsat. La Figura 3.2 muestra
mecanismo de dispersión (reducción de μn, μp) al material. Por ello el
silicio monocristalino muestra un decremento de la movilidad de posible probar que D está relacionada con μ mediante la relación de
electrones del valor 1500 cm2/Vs para silicio no dopado, al valor 250 Einstein
cm2/Vs en silicio dopado con 1018 átomos/cm3 de fósforo. D = Vt μ , (3.10)
Pese al decremento en μn, μp, la conductividad en donde Vt es la tensión térmica dada por Vt = kT/q.
semiconductores dopados es mayor a la hallada en los no dopados La densidad de corriente debida a gradientes de concentración viene
porque la densidad de portadores aumenta en varios órdenes de entonces dada por la ecuación
magnitud, mientras que la movilidad decrece a lo sumo dos órdenes dn dp
J (dif ) = qDn − qDp . (3.11)
de magnitud para valores altos del dopaje. En semiconductores, dx dx
debemos computar las conductividades σ n, p debidas a los electrones y Frecuentemente resulta conveniente separar las corrientes totales
debidas al campo eléctrico y a la difusión de portadores, en las
huecos, obteniendo la corriente total por campo eléctrico
densidades de corriente Jn de electrones y Jp de huecos, que vendrán
⎛ dψ ⎞
J (E ) = σ E = (σ n + σ p )E = (σ n + σ p ) ⎜ − ⎟. (3.8)
⎝ dx ⎠ dadas por
Las conductividades σ n, p de electrones y huecos son directamente ⎛ V dn ⎞

Jn = σ n ⎜E + t ,
⎝ n dx ⎟⎠
proporcionales a la densidad de portadores y a la movilidad, de (3.12)
⎛ V dp ⎞
J p = σ p ⎜E − t .
acuerdo a las expresiones ⎝ p dx ⎟⎠
σ n = q μnn, En estas ecuaciones reemplazamos n y p según las expresiones de
. (3.9)
σ p = q μ p p.
Boltzmann, y considerando la ecuación (3.6), obtenemos
σ n dE Fn
3.2.2 Corrientes de difusión Jn = ,
q dx
Los flujos de portadores originados por gradientes de concentraciones (3.13)
σ p dE Fp
se denominan corrientes de difusión. Estos flujos son indiferentes al Jp = .
q dx
signo de los portadores: si tenemos una concentración mayor de De acuerdo a estas igualdades, las energías de quasi-Fermi, además
portadores en la posición x1 que en la x2, éstos fluirán desde el x1 a x2. de indicar el “nivel de llenado” de las bandas, nos brindan
Para un gradiente de concentraciones de igual signo, las corrientes de información adicional: su pendiente nos indica en qué dirección y
difusión resultarán entonces de signo opuesto entre portadores magnitud fluyen los portadores de carga.
positivos y negativos ya que convencionalmente se definen corrientes La Figura 3.3 ejemplifica estas observaciones mediante dos casos:
positivas para flujos de cargas positivos. En forma similar a las a) un semiconductor iluminado de forma tal que G = constante
corrientes por campo eléctrico, la constante de proporcionalidad es para toda posición, entre cuyos extremos se aplica una
“una movilidad de difusión”, denominada coeficiente de difusión D. Es
diferencia de potencial. Aparece una corriente neta distinta de el que no circula corriente, existe una diferencia de potencial interna
cero. Δψ denominada Vbi, que no es posible medir con un voltímetro! Esto
b) un semiconductor iluminado no uniformemente, donde hay
no resulta sorprendente si consideramos que el semiconductor se
corrientes de electrones y huecos hacia la parte menos
iluminada. La corriente neta Jn + Jp podría ser cero ya que encuentra en equilibrio termodinámico, y por lo tanto tenemos un
Jn y Jp llevan signos opuestos. único nivel de Fermi cuyo valor no varía a lo largo de todo el diodo: el
voltímetro indicará el valor cero.
3.3 Ecuaciones de continuidad

Al tratar problemas de flujo de cualquier tipo de gases, líquidos,
partículas u objetos, se considera el principio de continuidad. Éste
expresa que si por una sección ingresa una cantidad n1 de partículas
Figura 3.3: diagramas de banda para dos semiconductores fuera del (o cualquier otro objeto), y por otra sección de la misma vía de
equilibrio termodinámico, donde aparecen dos niveles de quasi-Fermi.
conducción egresa una cantidad n2, entonces la diferencia entre
Comparando las ecs. (3.13) con la (3.8), advertimos que en un ambas cantidades es igual a la tasa con que se generan y eliminan
semiconductor no basta con conocer una diferencia de potencial esos objetos en la trayectoria considerada. Por ejemplo, la diferencia
electrostático entre dos puntos para determinar una corriente. La del caudal de agua entre la entrada y la salida de una cañería con
corriente viene dada por las diferencias de los niveles de quasi-Fermi. pérdidas, es precisamente igual al caudal de pérdidas. En el caso del
Cuando una corriente circula por un voltímetro y produce la medida flujo de portadores de carga en semiconductores, esto es exactamente
de una diferencia de potencial ΔV entre dos puntos a y b de un igual, y tenemos una tasa de generación G de pares electrón-hueco, y
componente semiconductor, se debe a que hay una diferencia de los una de recombinación R. Por lo tanto, si en una sección de un
niveles de energía de quasi-Fermi (de electrones o huecos) entre semiconductor observamos un incremento de la densidad de corriente
dichos puntos tal que dJ/dx, éste tiene que ser proporcional a G – R. Este razonamiento da
E Fn (b) − E Fn ( a ) origen a las ecuaciones de continuidad en semiconductores, en una
ΔV = . (3.14)
q
dimensión dadas por las ecuaciones
A diferencia de las mediciones de diferencia de potencial que se dJ n
= −q (G − R ) , (3.15)
pueden realizar en materiales conductores, la medida de ΔV en el dx
semiconductor no nos dice nada acerca de la diferencia de potencial y
electrostático Δψ entre los puntos a y b. Esto se ve reflejado por
ejemplo en el hecho de que entre la región n y la p de un diodo np por
dJ p ∂n
= q (G − R ) . (3.16) q = q (G0 − Bnp0 ) = q (G0 − B ( n0 + Δn ) p0 ) . (3.20)
dx ∂t
Hasta aquí hemos discutido únicamente el estado estacionario en Aquí despreciamos la reabsorción de los fotones emitidos con la
semiconductores, con todas las variables en juego independientes del recombinación radiante, lo cual sería razonable para una lámina
tiempo. Durante transitorios, las ecuaciones (3.15) y (3.16) no se suficientemente delgada de material.
cumplen, las variaciones instantáneas de las concentraciones n y p Siguiendo la ec. (3.20) considerando que G0 = R0 = Bn0 p0 , tenemos
responden a las ecuaciones de continuidad ∂ ( n0 + Δn ) ∂Δn
= = − B Δnp0 , (3.21)
∂n dJ n ∂t ∂t
q = q (G − R ) + (3.17)
∂t dx cuya solución para el incremento Δn viene dada por
∂p dJ p
y q = q (G − R ) − . (3.18) ⎛ t ⎞
∂t dx Δn(t ) = Δn * exp ⎜ − ⎟, (3.22)
⎜ ( Bp ) ⎟
−1
⎝ 0 ⎠
3.4 Tiempo de vida donde Δn * es el incremento de n en el instante en que finaliza el
Los pares e-h recombinan luego de un determinado tiempo, que destello. Los electrones generados luego del destello recombinan con
podemos calcular ahora utilizando las ecs. (3.17), (3.18). Supondremos los huecos mayoritarios, y la concentración incremental Δn de
un semiconductor tipo p, con concentraciones de portadores en electrones desaparece exponencialmente con el transcurso del tiempo.
equilibrio p0, n0, en ausencia de corrientes netas, teniendo La constante de decaimiento es denominada tiempo de vida de los
dJ n, p / dx = 0 . Se lo quita del equilibrio termodinámico durante un electrones, τn
τ n = ( Bp0 ) .
−1
tiempo arbitrariamente breve, por ejemplo iluminando con una luz de (3.23)
destello. Supondremos que la generación de pares e-h producida por El tiempo de vida de huecos como minoritarios en un semiconductor
el destello no es fuerte, de modo que el nivel de inyección es bajo, tipo n viene análogamente dado por
valiendo Δn = Δp << p0, y ∂p / ∂t = 0 . Considerando recombinación τ p = ( Bn0 ) .
−1
(3.24)
radiante únicamente, la ec. (3.17) en un punto x dado resulta
Veremos que el tiempo de vida será un parámetro determinante en
∂n
q = q (G − Bnp0 ) , (3.19) todos los dispositivos semiconductores que se basan en el movimiento
∂t
de portadores minoritarios. Tal es el caso de los diodos tipo pn y
y justo después que aparece la generación del destello, G vuelve al
transistores bipolares.
valor de equilibrio termodinámico G0, obteniéndose
3.5 Generalización de τ n, p para múltiples procesos de el nivel de energía del defecto coincide con el valor de la energía de
Fermi del semiconductor intrínseco, es decir cuando Et = Ei ,
recombinación
situándonos en la situación más desfavorable. Con Et = Ei obtenemos
El tiempo de vida calculado anteriormente con recombinación
n1 = p1 = ni, que debemos introducir en la expresión de la tasa RSRH,
únicamente radiante puede calcularse también al existir diferentes
obteniendo
procesos de recombinación simultáneamente.
np0 − ni2
Los tiempos de vida τ n, p fueron definidos anteriormente al analizar la RSRH = . (3.27)
(τ 0p + τ 0 n ) ni + τ 0 pn + τ 0n p0
recombinación radiante en un material dopado a un nivel de inyección
Asumiendo que los tiempos de transición τ 0n y τ 0 p son de órdenes de
bajo, lo cual permitía escribir R = Bp0n para un material tipo p.
magnitud similares, se cumple que τ 0 pn << τ 0 n p0 , y debido a que p0 >>
Luego definimos el tiempo de vida τ n = ( Bp0 )−1 porque para un
ni, obtenemos
material con una concentración de átomos de dopaje conocida, queda
2
ni
determinada la concentración p0, y el producto Bp0 es una constante }
np0 − n0 p0 n − n0
RSRH = = , (3.28)
del material que posee unidades de 1/tiempo. Para los demás procesos τ 0n p0 τ 0n
de recombinación también es posible definir un tiempo de vida en cuyo caso podemos definir
siempre que pueda hallarse una relación lineal entre R y n, como la τ n,SRH = τ 0n . (3.29)
que hallamos con la recombinación radiante. Al considerar la Con estas simplificaciones válidas para un material tipo p a nivel de
recombinación de Auger en un material dopado y un nivel de inyección bajo, la tasa total de recombinación R = Rrad + RAuger + RSRH
inyección bajo, resulta p0 >> n,n0, y la tasa de recombinación de Auger
resulta entonces proporcional a la concentración n y podemos definir
queda simplificada a la expresión
el tiempo de vida de electrones resultante según
RAuger = C p p02n , (3.25)
1 1 1 1
= + + , (3.30)
de la que podemos obtener el tiempo de vida de recombinación de τn τ n,rad τ n ,Auger τ n ,SRH
Auger para electrones y análogamente, el tiempo de vida de huecos resultante en un
τ n,Auger = (C p p )
−1
2
0 , (3.26) material tipo n en nivel de inyección bajo viene dado por
1 1 1 1
valiendo la expresión análoga para huecos. = + + . (3.31)
τp τ p,rad τ p,Auger τ p,SRH
Para la recombinación por niveles de defectos, es necesario realizar
un análisis más detallado, considerando únicamente un nivel de
energía del defecto. En estas condiciones, se puede demostrar que la
máxima tasa de recombinación por defectos RSRH se encuentra cuando
3.6 Longitud de difusión densidad superficial de electrones n(0) = n0 + Δn(0). Resulta entonces
El concepto de longitud de difusión es fundamental para el un gradiente de concentración de electrones orientado de la superficie
entendimiento del al interior del semiconductor, que origina una corriente de difusión de
funcionamiento de electrones hacia el interior que expresamos según la ec. (3.11):
diodos, transistores de dn
para todo x > 0, J n = qDn
.
dx
doble juntura, y células Los electrones viajarán hacia el interior, recorriendo alguna
solares. Supongamos trayectoria antes de encontrar huecos con los cuales recombinarán.
que iluminamos un En el infinito, ya no habrá electrones de exceso y entonces para
semiconductor de x → ∞, Jn = 0. La ec. (3.15) establece que
extensión infinita con luz ultravioleta. Para luz ultravioleta, el dJ n
para todo x > 0, = −q (G0 − R ) .
coeficiente de absorción α(hν) del semiconductor es muy alta, lo cual dx
Considerando que p ≅ p0 y el tiempo de vida τn de los electrones,
implica que prácticamente todos los fotones son absorbidos en las
reemplazamos n por n0 + Δn, y obtenemos la tasa de recombinación
primeras capas atómicas del material vecinas a la superficie
R = n0/τn + Δn/τn = G0 + Δn/τn. Además, dG0/dx =0, lo cual nos
expuesta a la radiación (de acuerdo a la Ley de Beer). La alta
permite expresar Jn de la siguiente forma:
densidad de portadores cerca de la superficie implicará la formación
dΔn
de un gradiente de concentraciones de portadores y por lo tanto J n = qDn,
dx
corrientes de portadores fluyendo hacia el interior del semiconductor, y reemplazando en la ecuación de continuidad obtenemos
que calculamos a continuación. d 2 Δn Δn
para todo x > 0, Dn = .
Asumiremos que G = G0 para todo x > 0, y G = G0 + Gsup para dx 2 τn
La solución de esta ecuación es de la forma
x = 0, siendo G0 la tasa de generación correspondiente al equilibrio
termodinámico donde R0 = G0. En la superficie tendremos entonces un ⎛ x ⎞ ⎛ x ⎞
Δn = A exp ⎜ − ⎟ + B exp ⎜ ⎟. (a)
⎜ Dnτ n ⎟ ⎜ Dτ ⎟
incremento Δn(0) = Δp(0) de las concentraciones de electrones y ⎝ ⎠ ⎝ n n ⎠
Aplicando las condiciones de borde en x = 0 y x = ∞, resulta B = 0, y

huecos. Considerando un semiconductor tipo p (tal que p >> n), y un
A = Δn(0). Por lo tanto, el perfil de electrones en exceso Δn está dado
nivel de inyección bajo, la concentración de huecos estará fijada al
por la ecuación
valor de equilibrio p ≅ p0. Es decir que el gradiente de concentración
de huecos es despreciable: dp/dx ≅ 0. ⎛ x ⎞
Δn = Δn(0) exp ⎜ − ⎟,
⎜ Dnτ n ⎟⎠
Cuál es el perfil de concentración de electrones? La tasa de ⎝
graficada en la Figura 3.4. El exceso de electrones cae
generación Gsup debida a la absorción en la superficie produce una
exponencialmente desde la superficie hacia el interior del
semiconductor. Los electrones generados en la superficie difunden Lp = Dpτ p . (3.33)
hacia el interior, recombinando eventualmente con huecos, resultando
Más allá del ejemplo donde la concentración de portadores en exceso
concentraciones de electrones menores cuanto mayor es la
es máxima en la superficie porque allí se absorben todos los fotones,
profundidad x.
la conclusión más importante del concepto de longitud de difusión es
que si en alguna posición en un semiconductor existe una
concentración de portadores en exceso respecto al equilibrio
termodinámico, éstos fluirán hacia regiones de menor concentración
recombinando en el camino con portadores de signo opuesto, y se
espera que recorrerán típicamente una distancia Ln,p antes de
recombinar, tardando un tiempo τn,p. Por ejemplo, al inyectar
portadores a través de los contactos de un diodo pn, cuando éstos
cruzan la unión, pasando a ser portadores minoritarios, recombinarán
y sus concentraciones decaerán exponencialmente de acuerdo a la
longitud de difusión.
La longitud de difusión Ln,p depende de magnitudes estadísticas
Figura 3.4: perfil de concentración de electrones en exceso Δn(x) en un como el coeficiente de difusión Dn,p y el tiempo característico de
semiconductor cuyo exceso de concentración de electrones en la
superficie, en x = 0, es Δn(0). Para x → ∞ , Δn → 0 y la concentración recombinación τn,p, es por lo tanto una longitud media estadística que
de electrones conserva el valor del equilibrio termodinámico. recorrerán los portadores de carga antes de recombinar. La longitud
Luego de varias constantes de decaimiento de la función exponencial, de difusión es uno de los parámetros más importantes a tener en
no observamos aumento alguno de n: lejos de la superficie, el cuenta para caracterizar diodos pn, diodos LED, transistores y células
semiconductor no “ve” lo que ocurre en la superficie. La constante de solares.
decaimiento está dada por la cantidad Dnτ n , y de ahora en más la
denominamos longitud de difusión de electrones

Ln = Dnτ n . (3.32)
Análogamente, cuando los huecos son portadores minoritarios

(material tipo n en condiciones de inyección baja), tendremos la
longitud de difusión de huecos Lp
tipo intrínseco, mientras que el b es tipo p. Con líneas
3.7 Cuestionario punteadas, se muestra también el nivel de Fermi EF en
1. Qué conductividad posee el cobre? Compare el valor hallado con equilibrio termodinámico, antes de iluminar. Porqué cree que en
la conductividad calculada para un semiconductor tipo n con el caso b EFp no aparece desplazado hacia la banda de valencia,
1018 cm-3 átomos de dopaje y μn = 250 cm2/Vs. mientras que en el caso a sí?
2. El siguiente diagrama de bandas muestra un semiconductor con
tres regiones dopadas diferentemente. Se encuentra el
semiconductor en equilibrio termodinámico? Indique el tipo de
conductividad (n, p) de cada región, e identifique la región con
mayor densidad de átomos de dopaje, y el punto de mayor
campo eléctrico.
5. En una célula solar se necesita que los portadores generados por

la absorción de luz alcancen los contactos para ser conducidos
hacia una carga externa. Independientemente del tipo de célula
y material, explique cuál de las siguientes condiciones cree que
debe cumplirse en células solares eficientes, considerando que d
es el espesor de la célula:
i. Ln,p > d
3. Cuál es el sentido de las corrientes de electrones y huecos en los ii. Ln,p < d.
siguientes semiconductores? Puede decirse que circula corriente
neta hacia su exterior? En qué posición se halla la máxima
concentración de electrones, y en qué posición la máxima
concentración de huecos en cada uno de ellos?
4. Los semiconductores mostrados en la figura se encuentran

iluminados, y consecuentemente, los niveles de quasi-Fermi se
encuentran separados una cantidad ΔEF. El semiconductor a es
Análisis del diodo pn 91 Análisis del diodo pn 92
En la parte (b) de la misma figura, vemos el caso de iluminación

con los contactos del diodo cortocircuitados (qV = 0). En este caso, los
portadores fotogenerados difunden libremente, eventualmente
alcanzando la zona opuesta, donde son mayoritarios y terminan
egresando por los contactos. El flujo de corriente total ocurre en
sentido opuesto con respecto al caso de tensión directa analizado
anteriormente. Esta corriente proveniente únicamente del efecto de
absorción de fotones, se denomina fotocorriente, en la cual se basan
4 Análisis del diodo pn las células solares y los diodos fotodetectores.
a) oscuridad y tensión V en b) iluminación y cortocircuito

“directa”
La parte (a) de la Figura 4.1 muestra el diagrama de bandas de una

juntura pn en oscuridad. La unión del material p con el n produjo un
escalón en el diagrama de bandas, conformando una barrera de
potencial, que investigaremos más adelante. Además, en la Figura
4.1a se asume que se ha aplicado una diferencia de potencial V entre
los extremos en forma “directa”, es decir aplicando un potencial
negativo al extremo de la zona n con respecto al aplicado a la zona p.
Esta diferencia de potencial reduce la barrera de potencial del Figura 4.1: Unión pn separando cargas generadas por un fotón (a), y
unión pn conduciendo portadores bajo la aplicación de una diferencia
equilibrio termodinámico, permitiendo que difundan portadores hacia
de potencial entre sus contactos (b).
la zona opuesta, donde son portadores minoritarios y recorren una
4.1.1 Electrostática de la unión pn abrupta
longitud de difusión hasta recombinar. Esta condición recibe el
Para analizar la constitución de la unión pn, realizamos un
nombre de inyección porque se inyectan portadores a través de los
experimento imaginario. Supongamos que tenemos dos
contactos, alimentando la recombinación de los mismos en la zona
semiconductores de distinto tipo, uno n y otro tipo p, y que los átomos
opuesta a la que fueron inyectados. En esta situación operan
de dopaje en cada uno donan o aceptan sólo un electrón. La parte a de
normalmente diodos en estado de conducción, diodos LED emitiendo
la Figura 4.2 muestra ambos trozos de semiconductor, el tipo n con los
luz, y diodos láser.
iones de los átomos donadores ( ) y electrones en la banda de
conducción (z), y el tipo p con iones de átomos aceptores ( ) y huecos El proceso de unir dos materiales a nivel atómico es obviamente
({). Para temperaturas y concentraciones de átomos de dopaje imaginario, no se utiliza en la práctica para preparar uniones. Las
suficientemente altas, resulta válido decir que encontramos igual uniones pn se fabrican tomando por ejemplo un semiconductor tipo p,
cantidad de iones que de portadores de carga, tal como muestra la que se coloca a alta temperatura en una atmósfera con vapor de
Figura 4.2. átomos donadores que difundirán hacia el interior del semiconductor,
Imaginamos ahora que ambos materiales son puestos en formando la zona n.
contacto atómico, de forma tal que formen una única masa, como
vemos en la parte b de la Figura 4.2. Este tipo de unión se denomina (a) (b)
abrupta porque se asume que los átomos de dopaje de uno y otro tipo
cambian en una interfaz definida, en forma escalonada. De manera
que hasta una sección determinada encontramos únicamente
donadores, conformando la zona n, y desde allí en adelante
únicamente aceptores, conformando la zona p. Si bien es un caso
extremo que en la práctica resulta imposible, su análisis resulta de
amplia validez para los casos reales porque se verifica que los perfiles
de concentración de átomos donadores o aceptores son en general
extremadamente abruptos.
Continuando con nuestro experimento, notamos que al realizar
el contacto, el lado n muestra un exceso de electrones respecto del Figura 4.2: La parte a) muestra dos trozos de un mismo
semiconductor dopado tipo n (izquierda), y otro tipo p (derecha). La
lado p, y por ello difundirán electrones hacia el lado p, recombinando parte b) muestra la unión de ambos trozos y la región de carga
con huecos. Entonces la región del semiconductor tipo n cercana a la espacial resultante.
unión queda con la carga positiva correspondiente a todos los iones de 4.1.2 La unión pn en equilibrio termodinámico
átomos donadores (cargas fijas), como indica la Figura 4.2b. Lo Calcularemos el valor del campo eléctrico asumiendo que la unión pn
opuesto ocurre del lado p ya que los huecos difunden hacia el lado n, y ha alcanzado el equilibrio termodinámico. No existen corrientes netas
dejan de compensar las cargas fijas negativas de los átomos aceptores de portadores, un único y constante nivel de Fermi EF reina a través
del lado p. De esta manera se forma una región con cargas que de todo el sistema, tal como muestra el diagrama de bandas de la
aparece a uno y otro lado de la unión, denominada región de carga parte inferior de la Figura 4.3. En este diagrama se han incluido,
espacial, que abreviaremos RCE. Fuera de la RCE, tenemos las esquemáticamente, los portadores de carga mayoritarios,
regiones neutrales. despreciando la presencia de los portadores minoritarios. Suponiendo
concentraciones de átomos de dopaje suficientemente elevadas, y la La diferencia entre las energías de la banda de conducción a la
totalidad de los átomos de dopaje ionizados ( N A = N A− , N D = N D+ ), izquierda y derecha de la unión, ECder – ECizq, refleja la existencia del
arribamos a que en las zonas neutrales de nuestro semiconductor vale campo eléctrico (ver la sección 3.1) y un escalón de potencial
p ≅ N A (zona p), y n ≅ N D (zona n). En la RCE, estas igualdades no electrostático dentro de la célula. En la zona neutral de la región tipo
n, calculamos la concentración nn de electrones
son válidas debido a que obviamente no hay neutralidad de carga.
⎛ E − ECizq ⎞
nn = NC exp ⎜ F ⎟ = ND , (4.1)
⎝ kT ⎠
mientras que en la zona neutral de la región tipo p, donde los
electrones son portadores minoritarios, tendremos la concentración np
de electrones
2
⎛ E − ECder ⎞ ni
n p = N C exp ⎜ F =
⎟ N . (4.2)
⎝ kT ⎠ A
De ambas ecuaciones obtenemos por lo tanto la diferencia

⎛N N ⎞
ECder − ECizq = kT ln ⎜ A 2 D ⎟ . (4.3)
⎝ ni ⎠
Definimos como potencial de difusión Vbi a la diferencia de
potencial electrostático de la unión pn mediante la ecuación
(recordando que kT/q = Vt)
⎛N N ⎞
Vbi = Vt ln ⎜ A 2 D ⎟ . (4.4)
⎝ ni ⎠
Para obtener el perfil del campo eléctrico y de la energía potencial
electrostática y poder trazar con exactitud el diagrama de bandas de
la unión pn, necesitamos resolver la ecuación de Poisson allí donde
existe campo eléctrico E, es decir en la zona de carga espacial. Esto
puede realizarse con cierta facilidad al despreciar las concentraciones
n y p de cargas libres en la RCE, asumiendo que el lado n de la RCE
Figura 4.3: Densidad de carga, perfil de campo eléctrico y diagrama tiene una densidad de carga ρn ≅ qN D+ , mientras que en el lado p de la
de bandas mostrando el potencial de difusión Vbi en una unión pn en
equilibrio termodinámico. RCE tendremos ρ p ≅ −qN A− , resultando el perfil de densidad carga
ρ(x) mostrado con línea punteada en la parte superior de la Figura La continuidad en x = 0, con el campo eléctrico máximo
4.3. La zona de carga positiva se extiende desde x = -wn hasta x = 0, y Emax = qN Dwn (ε 0ε S )−1 = qN Aw p (ε 0ε S )−1 , se verifica la condición de
la zona de carga negativa va desde x = 0 hasta x = wp. Los valores de neutralidad qwn N D = qw p N A deducida anteriormente. El valor de Emax
wn y wp están relacionados: para conservar la neutralidad de carga de
se halla pasando por el potencial electrostático mediante la
todo el sistema, la carga a uno y otro lado de la zona de carga espacial
integración de (4.8). La integral del campo eléctrico entre ambos lados
debe igualarse:
se corresponde con la caída de potencial interna Vbi según
qwn N D = qw p N A , (4.5) x
ψ ( x ) = − ∫ E dx ',
y el ancho total W = wn + wp de la RCE resulta xref
⎛ N ⎞ ⎧ qN D
W = w p ⎜1 + A ⎟ .
N
(4.6)
⎪− (
wn x + 12 x 2 + ψ n ) para -wn ≤ x ≤ 0 , (4.9)
⎝ D ⎠ ⎪ ε 0ε S
ψ (x ) = ⎨
⎪ qN A −w x + 1 x 2 + ψ
Ahora estamos en condiciones de calcular analíticamente el
⎪⎩ ε 0ε S p ( 2 p ) para 0 ≤ x ≤ w p .
campo eléctrico mediante la ecuación de Poisson. Las condiciones de
borde son E = 0 en los puntos x = -wn y en x = wp, y la continuidad de E Las constantes de integración ψ n y ψ p representan el potencial
en el punto x = 0. A cada uno de los lados, la ecuación de Poisson electrostático de referencia. Si tomamos ψ ( x ) = 0 para x < -wn,
queda expresada según entonces el potencial para x > wp es ψ (w p ) ≡ −Vbi . Obtenemos entonces
⎧ qN D
⎪ , para -wn ≤ x ≤ 0 qN D 2
dE ⎪ ε 0ε S ψ n = Vbi − wn ,
=⎨ (4.7) 2ε 0ε S
dx ⎪ qN A (4.10)
− , para 0 ≤ x ≤ w p , qN A 2
⎪ ε 0ε S ψp = wp
⎩ 2ε 0ε S
donde ε 0 es la constante dieléctrica del vacío, y ε S es la constante y el potencial electrostático resulta entonces
dieléctrica relativa del semiconductor. Fuera de la RCE, el campo ⎧ qN D
( x + wn )
2
⎪− para -wn ≤ x ≤ 0
eléctrico y su derivada son cero. Al resolver estas ecuaciones para ⎪ 2 ε ε
0 S
ψ (x ) = ⎨ (4.11)
hallar E(x) con las condiciones de borde dadas, obtenemos el perfil qN
⎪ 2ε 0ε S (
⎪ x − w p ) + Vbi
2
A
para 0 ≤ x ≤ w p .
triangular del campo eléctrico mostrado en la parte central de la ⎩
Figura 4.3, dado por Ambas ecuaciones deben arrojar el mismo potencial en x = 0, por lo
⎧ qN D que obtenemos la relación

⎪ ( x + wn ) para -wn ≤ x ≤ 0
⎪ ε 0ε S −
qN D 2 qN A 2
wn = w p − Vbi . (4.12)
E (x ) = ⎨ (4.8)
2ε 0ε S 2ε 0ε S
⎪− qN A x − w
⎪ ε 0ε S ( p) para 0 ≤ x ≤ w p .
⎩ Con esta ecuación y la ec. (4.5), encontramos los anchos
2ε 0ε SVbi tensión se aplica de manera tal que se inyectan portadores hacia la

wn = ,
⎛ N ⎞ unión (‘en directa’), reducimos el ancho de la RCE, y la unión entra en
qN D ⎜1 + D ⎟
⎝ NA ⎠
(4.13) estado de conducción. Al aplicar una tensión en reversa, extraemos
2ε 0ε SVbi portadores hacia los contactos y la RCE se ensancha. La Figura 4.4
wp = .
⎛ NA ⎞
qN A ⎜1 + ⎟ muestra la densidad de carga y el perfil del campo eléctrico de la
⎝ ND ⎠
unión pn en equilibrio (líneas continuas), luego de aplicar una tensión
Cualquiera de estas ecuaciones permite hallar el valor del campo
‘en reversa’ (líneas punteadas), y luego de aplicar una tensión V ‘en
eléctrico máximo Emax . El ancho total de la RCE resulta
directa’ (líneas discontinuas).
2ε 0ε S N D + N A
W= Vbi (4.14)
q NDN A
La capacidad eléctrica formada por el capacitor de placas paralelas

que constituye la zona de carga espacial de la unión pn, está dada por
la distancia virtual entre las placas, que en este caso es el ancho de la
carga espacial W. Calculamos entonces la capacidad CRCE según la
ecuación
ε 0ε S A
CRCE = (4.15)
W
Para familiarizarnos con las cantidades definidas en esta sección,
calculamos el potencial de difusión y el ancho de la RCE en una unión
pn de silicio con ND = 1018 cm-3 y NA = 1015 cm-3. Obtenemos una
diferencia de potencial interna
⎛ 10181015 ⎞
Vbi = 0.025 V × ln ⎜ 20 ⎟ = 0.77 V ,
⎝ 10 ⎠
y obtenemos el ancho de la zona de carga espacial Figura 4.4: Densidad de carga, y campo eléctrico en una unión pn en
equilibrio termodinámico (trazo continuo) y luego de la aplicación de
2 10-12 F/cm 1018 cm-3 +1015 cm-3 una diferencia de potencial entre ambos extremos en reversa (trazo
W= 0.77 V ≅ 10-4 cm = 1 μm .
1.6 10-19 C 10181015 cm-6 punteado), y en directa, en estado de conducción (trazo discontinuo).
4.1.3 Electrostática de la unión pn bajo tensión Debido a que el potencial externo aplicado entre los contactos se
Al aparecer una diferencia de potencial V entre los extremos de la superpone con el potencial interno Vbi, el ancho W de la RCE para
unión pn, el campo eléctrico externo se superpone con el interno. Si la tensiones V < Vbi resulta
2ε 0ε S N D + N A el salto de potencial electrostático en la unión pn, permitiendo el flujo

W= (Vbi − Vr ) (4.16)
q NDN A de portadores hacia las regiones opuestas, donde son minoritarios. La
Esta ecuación muestra que cuanto la tensión disminuye hasta Figura 4.5 muestra una unión pn antes (parte a) y después de aplicar
hacerse reversa (V < 0), el ancho de la RCE aumenta de acuerdo a la la tensión (parte b).
raíz de la tensión en reversa aplicada.

La capacidad debida a la RCE de la unión pn depende entonces de V,
y viene dada por
qε 0ε S
CRCE = A , (4.17)
⎛ 1 1 ⎞
2⎜ + ⎟ (Vbi − Vr )
⎝ N A ND ⎠
de la cual extraemos la relación
2 ⎛ 1 1 ⎞
⎟ (Vbi − Vr ) .
−2
CRCE = ⎜ + (4.18)
qε 0ε S A 2 ⎝ N A N D ⎠
Si medimos la capacidad en reversa para diferentes valores de V, y

−2
graficamos CRCE en función de V, obtenemos una recta de pendiente
negativa en caso que los perfiles de dopaje sean escalonados. La

intersección de la recta con el eje de tensiones arroja el valor de Vbi,
imposible de medir con un voltímetro. Además, normalmente uno de
los dos niveles de dopaje es mucho mayor que el otro, por ejemplo
−2
ND >> NA, en cuyo caso la pendiente de la recta CRCE permite extraer
NA .
4.1.4 Unión pn bajo tensión, a oscuras

Ahora analizamos el flujo de corrientes a través de la unión pn al
aplicar una tensión V en directa entre sus extremos, inyectando
portadores hacia la unión. Consideraremos el caso de un nivel bajo de
inyección, es decir tensiones que no resulten en un incremento Figura 4.5: Densidad de carga, y campo eléctrico en una unión pn en
apreciable de la concentración de los portadores mayoritarios en las equilibrio termodinámico (parte a) y luego de la aplicación de una
diferencia de potencial entre ambos extremos en directa (parte b).
zonas neutrales. Debido a que se aplica en directa, la tensión reduce
Notamos que al reducir la barrera de potencial del equilibrio Para una zona p de 100 μm = 0.1 cm de espesor, este campo eléctrico
termodinámico, se habilita la difusión de portadores mayoritarios a implica VR = 0.078 V/cm 0.1 cm = 7.8 mV, mucho menor a la tensión
través de la RCE hacia la zona opuesta. La concentración de V = 600 a 700 mV que se requiere aplicar para obtener la corriente de
portadores en exceso que aparecen en los bordes de la RCE, decae 50 mA/cm2.
exponencialmente de acuerdo a la longitud de difusión. Por ello vemos Simplificamos entonces el análisis asumiendo que la tensión aplicada
en la parte b de la figura, que la separación EFn – EFp de los niveles de cae completamente en la RCE. El potencial aplicado V reduce
quasi-Fermi se reduce a medida que nos alejamos del borde de la RCE directamente el potencial interno Vbi al valor (Vbi – V), y el escalón de
por el que ingresan a la zona neutral. Puede demostrarse, utilizando las bandas de conducción y de valencia se reduce en la cantidad de
las expresiones de las corrientes Jn y Jp en función de EFn y Efp y el energía qV. Cuando los portadores de carga mayoritarios
decaimiento exponencial de la concentración de portadores en exceso, suministrados por la fuente de tensión conectada a la unión pn
que en las zonas neutrales los niveles de quasi-Fermi de portadores atraviesan la RCE, pasan a ser portadores minoritarios. Tenemos así
minoritarios decaen con una pendiente kT/Ln,p para portadores un incremento de la densidad de portadores minoritarios Δn del lado
inyectados a la zona p o n, respectivamente. p, y Δp del lado n, que difunden a la región neutral a la que ingresan.
Debido a que el nivel de inyección es bajo, la densidad de portadores Esta corriente depende del potencial aplicado, ya que éste controla
mayoritarios no se altera sensiblemente, y el movimiento de los cuántos portadores pueden cruzar la RCE. Se obtiene así la curva de
mismos hacia la RCE es por fuerza eléctrica, con una caída de tensión/corriente de la unión pn que calculamos a continuación.
potencial resistiva VR, graficada para la zona p en la Figura 4.5. Asumiremos que las longitudes de difusión son mucho mayores
Notamos que la mayor parte de V cae en la RCE, y apenas una leve al ancho de la RCE, es decir
porción VR de V cae en las zonas neutrales por efecto resistivo, donde Ln , Lp >> W ,
apreciamos una pequeña pendiente de las bandas. Esto se debe a que una aproximación que corregiremos más adelante al considerar la
normalmente, se utilizan dopajes suficientemente elevados y el efecto recombinación en la RCE. Esta aproximación nos permite afirmar que
resistivo de las zonas neutrales es despreciable. La máxima caída de en la RCE, no se pierden portadores por recombinación, es decir que
potencial aparece allí donde la densidad total de portadores (n + p) es la corriente de cada portador permanece independiente de x a lo largo
mínima, es decir en la RCE. Mostraremos esto realizando un cálculo de W. Por lo tanto inmediatamente a uno y otro lado de la RCE, las
de VR. Suponiendo una densidad corriente en directa de 50 mA/cm2 en corrientes individuales de cada portador deben tener el mismo valor,
una unión de silicio cuya zona p posee NA = 1016 cm-3, y μp = 400 y se basan en mecanismos de transporte diferente. Entonces podemos
cm2/Vs, obtenemos escribir
-2
0.05 Acm
E= -19
= 0.078 V/cm .
1.6×10 C × 400 cm2 /Vs × 1016 cm-3
J n (w p ) ≅ J n ( −wn ) , y (4.19) válido para wp ≤ x < ∞. La densidad de corriente de electrones en la

1
424 3 1424 3
difusión campo
zona p decae entonces exponencialmente con la distancia x según
J p (w p ) ≅ J p ( −wn ) . (4.20) Dn ⎛ x − wp ⎞
1
424 3 1424 3 J n ( x ≥ w p ) = −q Δn(w p ) exp ⎜ − (4.23)
⎟
campo difusión
Ln ⎝ Ln ⎠
La corriente total J = Jn(x) + Jp(x) no es una función de x porque nos
y, análogamente, la densidad de corriente Jp de huecos que ingresan a
hallamos en el estado estacionario, es decir sin acumulación de cargas
la zona n vendrá dada por
en ninguna región. Entonces basta con obtener J en una posición x
Dp ⎛ x + wn ⎞
donde resulte particularmente sencillo el cálculo de las corrientes J p ( x ≤ −wn ) = −q Δp( −wn ) exp ⎜ ⎟⎟ (4.24)
Lp ⎜
⎝ Lp ⎠
Jn(x) y Jp(x) y luego sumarlas. Al tomar por ejemplo el borde de la
Evaluando estas densidades de corriente en los bordes de la RCE, y
RCE con x = wp, y haciendo uso de las ecuaciones (4.19) y (4.20)
reemplazando en (4.21), obtenemos la corriente total
obtenemos
⎛D D ⎞
J = J (w p ) = J n (w p ) + J p (w p ) ≅ J n (w p ) + J p ( −wn ) , (4.21) J = −q ⎜ n Δn(w p ) + p Δp( −wn ) ⎟ .
⎜L ⎟
(4.25)
⎝ n Lp ⎠
aproximación que se mantiene únicamente bajo la condición
Nos resta calcular las cantidades Δn(wp) y Δp(-wn). En equilibrio
Ln , Lp >> W .
termodinámico, la concentración de electrones np0 para x ≥ w p puede
Calculamos ahora las corrientes de difusión en los bordes de la RCE.
calcularse a partir de la concentración nn = ND del lado n y Vbi, y
Aquí calculamos las corrientes asumiendo que el diodo pn tiene
según la expresión de Boltzmann para electrones obtenemos
dimensiones mayores a las longitudes de difusión de portadores, lo
⎛ qV ⎞
cual equivale a suponer que el diodo es de extensiones infinitas. La n p0 = nn exp ⎜ − bi ⎟ , (4.26)
⎝ kT ⎠
corriente de difusión Jn de electrones ingresando a la zona p, estará y análogamente, para x ≤ −wn vale
dada por
⎛ qV ⎞
d(n p0 + Δn) pn 0 = pp exp ⎜ − bi ⎟ . (4.27)
dn d Δn ⎝ kT ⎠
J n ( x ≥ w p ) = qDn = qDn = qDn , (4.22)
dx dx dx
Al aplicar la diferencia de potencial, tenemos que restar la cantidad
donde asumimos que la concentración de electrones np0 en equilibrio,
qV a qVbi, obteniendo, en el borde x = wp de la RCE
del lado p, no depende de x, y por ello vale dnp0/dx = 0, válida en 2
⎛ q(Vbi − V ) ⎞ ⎛ qV ⎞ ni ⎛ qV ⎞
materiales homogéneamente dopados. Como hemos visto en la n p (w p ) = nn exp ⎜ − ⎟ = n p0 exp ⎜ ⎟ = exp ⎜ ⎟ ,(4.28)
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠ N A ⎝ kT ⎠
definición de la longitud de difusión, el perfil de portadores en exceso
y, para huecos en el borde x = −wn
debido a la difusión viene dado por el decaimiento exponencial
⎛ x − wp ⎞
Δn = Δn(w p ) exp ⎜ − ⎟,
⎝ Ln ⎠
ni2 ⎛ qV ⎞ fotogenerados a la corriente total, integrando las ecuaciones de

pn ( −wn ) = exp ⎜ ⎟, (4.29)
ND ⎝ kT ⎠ continuidad
de donde obtenemos Ln +w p 0
2
n ⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
Jn = q ∫ Gdx , y J p = q ∫ Gdx . (4.32)
Δn(w p ) = ( )
⎟ − 1⎟ ,
0
i
exp ⎜ − Lp +wn
N A ⎜⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠
(4.30) Asumimos, por simplicidad, que G no depende de x, y cambiaremos de
n2 ⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
Δp( −wn ) = i ⎜ exp ⎜ ⎟ − 1⎟. signo las corrientes para ser consecuentes con el cambio de signo
ND ⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠
realizado previamente en la corriente de oscuridad. Obtenemos
Al insertar estas ecuaciones en la ec. (4.25), obtenemos, cambiando
entonces la fotocorriente
arbitrariamente el signo de J, la curva de tensión corriente a oscuras
J foto = ( J n + J p ) = qG ( Ln + W + Lp ) . (4.33)
⎛ Dn Dp ⎞ ⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
J = qni2 ⎜ + exp ⎜ ⎟ − 1⎟ . (4.31)
⎜L N L N ⎟⎟ ⎝⎜ ⎝ kT ⎠ ⎠ Mediante Jfoto, arribamos a la curva ideal de tensión/corriente del
⎝ n A p D ⎠
fotodetector y la célula solar pn

4.1.5 Diodo pn funcionando como fotodetector y célula solar
⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
J = J 0 ⎜ exp ⎜ ⎟ − 1 ⎟ − J foto . (4.34)
Agregamos ahora a la curva de tensión/corriente del diodo pn en ⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠
oscuridad, otro desequilibrio termodinámico además de la inyección La célula solar es operada en la región activa del cuarto cuadrante de
de portadores desde contactos: el efecto de la iluminación. Nos la ec. (4.34) (J < 0 y V > 0), mientras que el fotodetector es operado en
valemos para ello del principio de superposición, adicionando reversa, en el tercer cuadrante (J < 0 y V < 0). Entonces, de acuerdo a
simplemente a J la fotocorriente Jfoto. La corriente Jfoto ocurre en la ec. (4.34), para el fotodetector vale J ≅ −J foto ∝ G . Es decir que la
sentido opuesto al de la corriente a oscuras, y los portadores
señal J es prácticamente independiente de la tensión de reversa, y
generados a menos de una longitud de difusión de la RCE logran
directamente proporcional a la cantidad de fotones incidentes,
atravesarla y alcanzar la zona donde son mayoritarios, contribuyendo
contenida en la tasa de generación.
a Jfoto. Para calcular la corriente de fotogeneración, consideramos las
ecuaciones de continuidad 4.1.6 Recombinación en la región de carga espacial
dJ n dJ p Dentro de las pérdidas por recombinación, nos resta calcular la

= −qG , y = qG ,
dx dx componente de recombinación en la región de carga espacial de la
donde notamos que las tasas G0 y R de generación térmica y de juntura pn. Desde el punto de vista del planteamiento de las
recombinación fueron omitidas correctamente ya que nos interesa ecuaciones, la particularidad de la RCE es que posee un campo
conocer únicamente la componente de J debida a la generación por eléctrico variable, y concentraciones n y p con valores similares. Para
absorción de luz. Calculamos el aporte de todos los portadores calcular la corriente de recombinación en esta región, consideramos
las ecuaciones de continuidad con G = 0, ya que el término de razonable n = 1014 cm-3, tenemos Rrad = 3×1013 cm-3s-1 y
generación por iluminación en esta zona ya fue incluido en la RSRH = 5×1018 cm-3s-1. Esta estimación muestra entonces que en la
expresión de Jfoto de la ec. (4.33). Respecto a la tasa de recombinación RCE, RSRH es la tasa de recombinación dominante.10 En la ec. (4.37)
R, tenemos que decidir cuál es la dominante en esta zona. La reemplazamos n = niexp((EFn - EFp)/2kT), y a su vez, reemplazando
recombinación radiante Rrad = Bnp podría ser importante, ya que su E Fn − E Fp = qV , obtenemos
valor se maximiza cuando n = p. Para calcular la tasa de
ni ⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞
RSRH = exp ⎜ ⎟ − 1⎟ . (4.38)
recombinación por defectos, utilizaremos la expresión más simple de 2τ 0 ⎜⎝ ⎝ 2kT ⎠ ⎠
la tasa de recombinación por defectos de Shockley-Read-Hall Para hallar la densidad de corriente de recombinación en la zona de
considerando un único nivel de defectos en la banda prohibida. Para carga espacial, debemos integrar las ecuaciones de continuidad entre
comparar los valores de ambas tasas de recombinación, consideramos los extremos de la zona. En primer aproximación, consideramos RSRH
el punto de máxima recombinación de la RCE, es decir el punto donde = constante a lo largo de la RCE, dada por la ec. (4.38). La integral de
n = p. En este caso, para silicio, tendremos una tasa de recombinación la ecuación de continuidad de corriente de electrones resulta entonces
radiante wp
Rrad = 3 × 10 −15 3 -1
cm s n . 2
(4.35)
J n = qRSRH
−wn
∫ dx ,
Ahora estimaremos el valor de RSRH asumiendo un nivel de defecto y la corriente total debido a recombinación en la zona de carga
colocado a la energía del nivel de Fermi intrínseco, es decir Et = Ei, espacial JSRH = Jn + Jp = 2Jn, resulta
obteniendo n1 = p1 = ni. Suponemos, por simplicidad, que este nivel de qniW ⎛ ⎛ qV ⎞ ⎞

J SRH = exp ⎜ ⎟ − 1⎟ . (4.39)
defectos tiene además tiempos de transición idénticos, τ0p = τ0n = τ0.
τ 0 ⎜⎝ ⎝ 2kT ⎠ ⎠
Obtenemos entonces Con esta ecuación definimos la densidad de corriente de saturación
np − ni2 correspondiente a la zona de carga espacial J02 según

RSRH = , (4.36)
τ 0 ( n + p + 2ni ) qniW
J 02 = . (4.40)
τ0
En el centro de la RCE, se verifica la condición n = p, y obtenemos
En la expresión (4.39) vemos que la tensión aplicada V está dividida
n − ni
RSRH = . (4.37)
2τ 0 por el factor 2. Dicho factor se denomina “idealidad” del diodo n2 que
El valor de τ0 depende de la densidad de defectos que tengamos, representa la recombinación en la RCE. En este caso, n2 = 2 debido a
siendo plausible el rango 10-9 s < τ0 < 10-5 s. Para comparar Rrad y que hemos considerado n1 = p1, τ0p = τ0n, y n = p a lo largo de toda la
RSRH, nos situamos en el caso para el que RSRH sea lo más pequeño 10 Este ejemplo es válido para silicio. En diodos realizados con semiconductores directos, puede
posible, es decir τ0 = 10-5 s. Entonces, asumiendo por ejemplo el valor ocurrir que Rrad >> RSRH aún en la zona de carga espacial porque el valor de B sería mucho mayor
al de silicio.
RCE. Además hemos considerado un único nivel de estados de difusión de los portadores minoritarios. Esta capacidad debida a la
defectos. Pero como hemos visto anteriormente, en general se tienen difusión aparece conjuntamente con la capacidad de la RCE y por ello
muchos estados discretos o incluso bandas de energías de defectos ambas capacidades se hallan en paralelo.
dentro de la banda prohibida, y tiempos de transición τ0p ≠ τ0n. Esto Supondremos que la tensión aplicada al diodo responde a la ecuación
origina corrientes de saturación J02 que dependen de V, y, lo que es V ( > 0) = VDC + V ′ exp( jωt ) , originando una densidad de corriente
más importante, idealidades que caen en el rango 1 < n2 < 2. El valor J = J DC + J ′ exp ⎡⎣ j(ωt + θ )⎤⎦, con V´ y J´ constantes reales, asumiendo
de n2 puede variar incluso con la tensión aplicada.
que la amplitud de la onda sinusoidal 2V ′ agregada a la componente
Denominando J01 la corriente de saturación correspondiente a
de continua de V es mucho menor al valor absoluto total de V, es decir
las zonas neutrales, y reemplazando kT/q = Vt (“tensión térmica”),
V ≅ VDC . La tensión alterna produce una variación temporal en la
obtenemos la ecuación de la curva de tensión/corriente de la célula pn
cantidad de portadores inyectados de una zona a la otra del diodo. Los
⎛ ⎛ V ⎞ ⎞ ⎛ ⎛ V ⎞ ⎞
J = J 01 ⎜ exp ⎜ ⎟ − 1 ⎟⎟ + J 02 ⎜⎜ exp ⎜ ⎟ − 1 ⎟ − J foto . (4.41) electrones que son inyectados desde la zona n hacia la p necesitan un
⎜ n1Vt ⎠ ⎠ n2Vt ⎠ ⎟⎠
⎝ ⎝
144424443 144424443 ⎝ ⎝
tiempo hasta que recombinan o llegan al contacto opuesto, y por ello
zonas neutrales RCE
se produce cierta acumulación de carga que da origen a una
En los diodos y células que verifican esta ecuación, al graficar ln(J)
capacidad. Debido a que la tensión aplicada es alterna, la cantidad de
vs. V, aparecen dos partes rectas debido a que en general n2 > 1, y
carga inyectada Qiny varía alternamente, apareciendo la capacidad de
n1 = 1. La recta observable a valores bajos de V, corresponderá al
difusión
segundo término y tendrá una pendiente ( n2Vt ) , de la cual podemos
−1
dQiny
Cdif = . (4.42)
extraer el valor de n2 y así evaluar la incidencia de los niveles de dV
defectos en el comportamiento de la recombinación en la RCE. Suponiendo que el espesor del diodo es varias veces mayor a la
longitud de difusión Ln, podremos calcular la cantidad total de
4.2 Admitancia y circuito equivalente
electrones inyectados en la zona p evaluando la integral
En esta sección interpretaremos el comportamiento del diodo real con ∞
⎛ x − wp ⎞
la ayuda de elementos electrotécnicos básicos como resistores y Qiny = A ∫ qΔn(w p ) exp ⎜ − ⎟ dx = qA Δn(w p )Ln , (4.43)
wp ⎝ Ln ⎠
capacitores. Analizaremos entonces la admitancia, y primeramente la
siendo A el área del diodo. Reemplazando Δn(w p ) según (4.30),
capacidad que representa un diodo alimentado mediante una
obtenemos
componente sinusoidal de tensión alterna alrededor de un punto de
operación V0 perteneciente al primer cuadrante (“en directa”) de la
curva de tensión corriente del diodo. Además de la capacidad de la
RCE, aparece una capacidad debida a la respuesta temporal de la
ni2 ⎛ qV ⎞ ⎛ ⎞
Qiny ≅ qA exp ⎜ ⎟ Ln . (4.44) ⎜ ⎟
NA ⎝ kT ⎠ Dp ⎟ exp ⎛ VDC ⎞ .
2
qAn ⎜ Dn
Ydif = i
+ ⎜ ⎟ (4.48)
Siguiendo este procedimiento podemos sumar la carga inyectada Vt ⎜ N Ln Lp ⎟
⎝ Vt ⎠
⎜ A ND ⎟
⎜ 1 + jωτ n 1 + jωτ p ⎟
debida a huecos. Incluyendo el aporte de los huecos inyectados, y ⎝ ⎠
calculando la derivada (4.42), obtenemos la capacidad en directa A bajas frecuencias tales que ωτ n << 1 , obtenemos la conductancia de
ni2 ⎛ Ln L ⎞ ⎛V ⎞ difusión
Cdif = qA ⎜ + p ⎟ exp ⎜ DC ⎟ . (4.45)
Vt ⎝ N A N D ⎠ ⎝ Vt ⎠ 1 ⎛ Dn Dp ⎞ ⎛V ⎞
Gdif = qAni2 ⎜⎜ + ⎟⎟ exp ⎜ DC ⎟ , (4.49)
Esta ecuación muestra que la capacidad por difusión crece en directa Vt ⎝ N A Ln N D Lp ⎠ ⎝ Vt ⎠
exponencialmente con el punto de operación VDC, y generalmente se que puede obtenerse también derivando la ec. (4.31) respecto a V. La
verifica que Cdif >> CRCE. capacidad en directa a bajas frecuencias está expresada por la ec.
Podremos obtener el circuito equivalente para diodos operando con (4.45). A altas frecuencias, ωτ n >> 1 , obtenemos la admitancia
señales alternas si calculamos la admitancia Y del diodo. Al utilizar la
qAni2 ⎛ Dn jωτ n Dp jωτ p ⎞ ⎛V ⎞
tensión alterna en (4.30), obtenemos11 Ydif ≅ ⎜ + ⎟ exp ⎜ DC ⎟ , (4.50)
Vt ⎜ N A Ln N D Lp ⎟ ⎝ Vt ⎠
⎝ ⎠
ni2 ⎛ V + V ′ exp( jωt ) ⎞
Δn(w p ) = exp ⎜ DC ⎟, y (4.46)
NA Vt y al utilizar j = (1 + j ) / 2 , obtenemos
⎝ ⎠
ni2 ⎛ V + V ′ exp( jωt ) ⎞ qAni2 ⎛ Dn Dp ⎞ ⎛V ⎞
Δp( −wn ) = exp ⎜ DC ⎟. Gdif ≅ ⎜ + ⎟ ω 1/ 2 exp ⎜ DC ⎟ , (4.51)
ND ⎝ Vt ⎠ Vt 2 ⎜⎝ N A ND ⎟
⎠ ⎝ Vt ⎠
Si estas expresiones se utilizan como condiciones de borde para y la capacidad a altas frecuencias
resolver las ecuaciones de difusión idénticamente al caso de corriente
qAni2 ⎛ Dn Dp ⎞ ⎛V ⎞
continua, obtenemos la densidad de corriente total Cdif ≅ ⎜ + ⎟ ω −1/ 2 exp ⎜ DC ⎟ . (4.52)
Vt ⎜ N ND ⎟ ⎝ Vt ⎠
⎝ A ⎠
J = J DC + J ′ =
Mientras la admitancia de difusión crece con la frecuencia, la
⎛ ⎞
⎜ ⎟ capacidad de difusión disminuye, confiriéndole al diodo pn su carácter
= J DC
V′
+ qni2 ⎜
Dn
+
Dp ⎟ exp ⎛ VDC ⎞ , (4.47)
⎜ ⎟
Vt ⎜ N Ln Lp ⎟
⎝ Vt ⎠ de pasa-bajos con una frecuencia de corte 1/ τ n , p dada por los tiempos
⎜ A ND ⎟
⎜ 1 + jωτ n 1 + jωτ p ⎟
⎝ ⎠ de recombinación. La capacidad de difusión constituye entonces una
dando la admitancia de difusión Ydif = A ( J ′ / V ′ ) = Gdif + jωCdif limitación fundamental para la operación de diodos pn a altas
frecuencias. Para aumentar la frecuencia de corte, deben disminuirse
los tiempos de recombinación, lo cual se practica introduciendo
11 Ver por ejemplo S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, Nueva York, 1981),
95. impurezas que produzcan niveles de defectos en la banda prohibida,
reduciendo τ n, p . En diodos de silicio esto se realiza introduciendo para representar Jfoto. La particularidad de este circuito consiste en
átomos de oro en la red cristalina. La reducción de los tiempos de que Rdif y Cdif varían exponencialmente con la tensión, dando la curva
recombinación empeoran las características rectificadoras del diodo, exponencial típica del diodo. La capacidad CRCE depende menos
ya que la reducción de τ n, p aumenta considerablemente la corriente de fuertemente de la tensión. Por ello para tensiones en reversa, la
capacidad en reversa se debe prácticamente a CRCE, mientras que en
saturación inversa J0.
directa se encuentra fuertemente controlada por Cdif. La dependencia
relativamente débil de CRCE con V se explota al utilizar diodos como
condensadores controlados por tensión, dando origen a los diodos
varactores.
Figura 4.7: Circuito equivalente para un diodo, diodo LED, y diodo

láser.
Además, hemos visto que Rdif y Cdif dependen de la frecuencia ω. El

comportamiento como pasa-bajos de los diodos pn viene dado porque
Figura 4.6: Dependencia de la conductancia Gdif y la capacidad Cdif de
la frecuencia ω de operación en baja señal alrededor de un punto de la Cdif ∝ ω −1/ 2 , impidiendo la operación de diodos a frecuencias mucho
curva de tensión-corriente en directa. La curva de Cdif indica que el
mayores a la inversa de los tiempos de recombinación.
diodo pn actúa como un filtro pasa-bajos.
Teniendo en cuenta las capacidades analizadas hasta ahora,

agregando la resistencia serie RS de las zonas neutrales y los
contactos, y la resistencia paralelo RP por efectos de borde, obtenemos
el circuito equivalente de la Figura 4.7. Este circuito vale para diodos
en general, incluyendo LEDs y láseres. Para células solares debemos
agregar, en paralelo con la rama paralelo, una fuente de corriente
Análisis del diodo pn 117
4.3 Cuestionario
1. Discutir la importancia de purificar el material con el que se
desee hacer un diodo a los fines de obtener buenas características de
rectificación con bajos valores de la corriente de saturación en
reversa.
2. La característica exponencial de tensión-corriente de un diodo
proviene del decaimiento exponencial con x de las concentraciones de
portadores minoritarios?
3. Suponiendo una unión pn de silicio, calcule el ancho W de la
zona de carga espacial en función de la tensión aplicada para los
valores de la tensión V = 0, 0.35, 0.7 V, considerando dos juegos de
dopaje diferentes: NA = 1015 cm-3 y ND = 1018 cm-3, y NA = 1017 cm-3 y
ND = 1018 cm-3. Compare los valores hallados con el espesor típico de
diodos y células solares de silicio entre 250 y 500 µm. Calcular las
capacidades correspondientes en cada caso.
4. En principio, el término exponencial en J de exp ( qV / kT ) en la
ec. (4.31) parece indicar que para una tensión V dada, J disminuye
con T. Sin embargo sabemos que la corriente de un diodo aumenta
con la temperatura, y que ésta es un parámetro importante en la
especificación y diseño de diodos. Analizar la dependencia de J con T
de un diodo utilizando la ec. (4.31), obteniendo el resultado correcto
que J aumenta con T.
5. Qué tipo de diodo pn podrá ser operado eficientemente a
mayores frecuencias, uno de GaAs con τ n, p ≅ 1 ns , o uno de Si con
τ n, p ≅ 1 μ s ? Comparar las diferencias esperables en la frecuencia de
corte.

Uniones metal-semiconductor y metal-aislante-semiconductor 119 Uniones metal-semiconductor y metal-aislante-semiconductor 120
de carga espacial en heteroestructuras implican una curvatura de las
bandas de valencia y de conducción en el semiconductor.
El diagrama de bandas de una heteroestructura se traza
considerando que en equilibrio termodinámico, el nivel de Fermi debe
ser único a través de toda la heteroestructura. Las bandas de
conducción y de valencia del semiconductor y del metal se trazan de
acuerdo a la regla de Andersson que asume que
“el nivel de energía de vacío EVAC a lo largo de una unión entre
5 Uniones metal-semiconductor y dos materiales, debe ser una función continua”.

La energía EVAC es la energía necesaria que debe poseer un
metal-aislante-semiconductor electrón para abandonar el material al que está ligado. La lógica de la
regla de Andersson reside en que si en un punto x de un material
necesitamos una energía determinada para liberar un electrón,
entonces en un punto arbitrariamente cercano en x + dx, esta energía
5.1 Heteroestructuras no puede experimentar un salto discreto a otro valor de energía
Denominamos heteroestructuras a las interfases entre dos materiales arbitrariamente diferente.
diferentes, una de las cuales es un semiconductor. Un ejemplo típico La energía necesaria que debe ganar un electrón para
de heteroestructura son los contactos metal-semiconductor utilizados abandonar el material al que está ligado, viene dada por la diferencia
en diodos Schottky. Aquí nos orientamos al contacto metal-aislante- de energía entre EVAC y el nivel de Fermi, y se denomina energía de
semiconductor, base de los capacitores MOS y los transistores salida. En metales, definimos la energía de salida qΦM según
MOSFET. qΦ M = EVAC − E F . (5.1)
Al poner “en contacto” distintos materiales, se producen En semiconductores y aislantes, la energía de Fermi depende del
transferencias de electrones libres entre ellos, según qué rango de dopaje, y se requiere de una cantidad auxiliar que se mantiene
energías ocupen las bandas de conducción de cada uno. Luego de esta inalterable con el dopaje. Se define la afinidad electrónica qχ
transferencia, en los semiconductores aparece una RCE cerca de la mediante la diferencia
interfaz hacia el otro material. En aislantes no se producirá ninguna q χ = EVAC − EC , (5.2)
RCE, únicamente reflejarán un campo eléctrico debido a la carga
y la energía de salida qΦS en un aislante o semiconductor será
acumulada en sus interfases, y en metales la RCE es despreciable
entonces
debida a la alta densidad de electrones libres. Las posibles regiones
qΦ S = q χ + EC − E F . (5.3) La curvatura de las bandas de energía acusan una diferencia de
La Figura 5.1 muestra estas energías en un metal y en un potencial interna Vbi en el semiconductor, análoga a la que se produce
semiconductor. La Figura 5.2 ejemplifica el trazado del diagrama de en una unión pn. Para un material semiconductor dado, esta
bandas para un contacto metal-semiconductor. Notamos que para diferencia de potencial es ajustable mediante el dopaje, es decir
cumplir con la regla de Andersson, es preciso curvar los bordes de la mediante la posición de EF, o mediante la selección del metal de
banda de conducción y de valencia del silicio de forma tal de lograr la acuerdo a su valor de qΦM.
continuidad del nivel de energía EVAC en el punto de unión entre el

metal y del semiconductor, sin modificar el valor de qχ. El contacto
metal-semiconductor origina una región de carga espacial de un
espesor que lógicamente variará en función del dopaje del
semiconductor y de la diferencia entre las energías de salida de
ambos materiales.
Figura 5.2: Diagrama de bandas resultante luego de unir un metal y

un semiconductor tipo n, logrando una unión metal-semiconductor.
Figura 5.1: Diagramas de bandas correspondientes a un metal y un

semiconductor por separado, indicando la energía de vacío EVAC, la
función de trabajo del metal qΦM y la afinidad electrónica del
semiconductor qχ.
acusa el estado de equilibrio termodinámico. Las bandas siguen una
5.2 Unión metal-aislante-semiconductor
forma tal que la regla de Andersson se cumple tanto en la unión
La unión metal-aislante-semiconductor se denomina unión MIS
metal-aislante, como en la unión aislante-semiconductor. Así resulta
(Metal-insulator-semiconductor), y se halla presente en todo
que el nivel EVAC es continuo a lo largo de toda la unión. Para el
microchip. Constituye un capacitor cuyas placas son el metal y el
aislante resulta una inclinación de las bandas que refleja la presencia
semiconductor, y el aislante es el dieléctrico. Normalmente se utiliza
de un campo eléctrico en el mismo. En el semiconductor aparece una
la sigla MOS porque se supone que el aislante es un óxido, ya que en
curvatura de bandas que acusa una RCE, y un potencial interno Vbi.
la microelectrónica se utiliza SiO2 como aislante.
La capacitancia de la estructura MOS en este estado, está compuesta
por la capacitancia propia del condensador formado entre el metal y el
Algunas cantidades definidas en esta sección son:
semiconductor, cuyo dieléctrico es el óxido, y la capacitancia de la
q Φm función de trabajo del metal,
RCE en el semiconductor. La capacitancia total por unidad de área de
qχOx afinidad electrónica del óxido,
la estructura MOS es entonces
q χS afinidad electrónica del semiconductor,
C −1 = COx
−1 −1
+ CRCE , (5.4)
EF nivel de Fermi,
donde la capacitancia de la capa de dieléctrico, por unidad de área,
Ei nivel de Fermi intrínseco en el semiconductor,
viene dada por la capacitancia geométrica
V caída de tensión entre los extremos del condensador MOS,
ε 0ε Ox
VS caída de tensión en el semiconductor, COx = , (5.5)
tOx
Vbi tensión interna en el semiconductor,
siendo tOx el espesor de la capa de óxido. La capacitancia de la RCE,
VT tensión de corte del estado de inversión,
por unidad de área depende del espesor de la RCE,
C capacitancia total del condensador MOS,
ε 0ε S
CRCE = . (5.6)
COx capacitancia de la capa de óxido, WRCE
CRCE capacitancia de la región de carga espacial en el
semiconductor,
Qinv densidad de carga eléctrica de los portadores de la capa de
inversión,
QRCE densidad de carga eléctrica de la región de carga espacial,
QG densidad de carga eléctrica del lado del metal.
La Figura 5.3 muestra la unión entre un metal, un aislante (óxido de
silicio), y silicio. El nivel de Fermi constante a través de toda la unión
V = VOx + (VS + Vbi ) (5.7)
Este estado se denomina deplexión, y notamos que se han alejado los

portadores mayoritarios aún más del aislante. Asimismo, cerca de la
interfaz con el óxido tendremos un aumento considerable de la
densidad de electrones, ya que EF se acerca a la banda de conducción.
Debido a que la capacitancia CRCE depende de la caída de tensión
efectiva en el semiconductor, VS + Vbi , la capacitancia total también
depende de la tensión aplicada. En la RCE tendremos una carga total

dada por
QRCE = −qN AWRCE . (5.8)
El espesor de la RCE, análogamente al visto en la unión pn, viene

dado por
2ε 0ε S (VS + Vbi )
WRCE = , (5.9)
qN A
por lo que la carga total de la RCE queda expresada según
QRCE = − 2qε 0ε S N A (VS + Vbi ) . (5.10)

Figura 5.3: estructura MOS en equilibrio termodinámico.
En la Figura 5.4 notamos incluso que EF se halla más cerca de EC que
Cuando se aplica una diferencia de potencial V entre los extremos de de EV. Si allí EF se encuentra por encima de Ei, entonces en la
la unión MOS, los niveles de Fermi a uno y otro lado de la unión superficie del semiconductor tendremos n > p, en cuyo caso hablamos
difieren en qV, y el diagrama de bandas se reacomoda reflejando el de estado de inversión. El término inversión denota que el tipo de
movimiento de las cargas producido. En la Figura 5.4 se representa el
conductividad se ha invertido: en la superficie, tenemos un
diagrama de bandas de la unión MOS de la Figura 5.3 bajo la
semiconductor tipo n, mientras que en el interior el semiconductor es
aplicación de un potencial positivo con respecto a la región neutral del
tipo p.
semiconductor. Con este potencial aplicado, aumentamos la tensión Al aumentar la tensión positiva, ensanchamos la RCE y la
interna Vbi en el semiconductor en una cantidad VS. Asimismo, en el
capacitancia total C disminuye con VS (ver la ec. (5.4)) de acuerdo al
aislante aparecerá un mayor campo eléctrico. Separando la caída de
aumento de WRCE con VS dado por la ecuación (5.9).
potencial total en la caída en el aislante VOx más la caída en el
semiconductor VS, escribimos
Figura 5.4: estructura MOS en estado de deplexión, debido a la

aplicación de un potencial V positivo entre los extremos de la unión.
El potencial aplicado entre los extremos produce el traslado de los Figura 5.5: estructura MOS en condiciones de inversión, tales que en
huecos hacia el interior del semiconductor, ensanchándose la RCE. la superficie, las concentraciones de portadores verifican n > p.
La zona en la que n > p (siguiendo aquí el ejemplo donde el Cuando la tensión positiva V es tan intensa que en la superficie se
semiconductor es tipo p) se denomina capa de inversión. En la verifica n > NA, donde NA es la concentración de aceptores, el estado
Figura 5.5 se muestra la misma unión MIS con un potencial aplicado de carga en la interfaz hacia el aislante es controlado por los
aún mayor. Aquí se ha trazado también el nivel intrínseco Ei, electrones libres de la capa de inversión. Los electrones atraídos hacia
permitiendo discernir claramente la capa de inversión mediante el la interfaz con el óxido apantallan el campo eléctrico sin que pueda
punto de cruce entre EF y Ei. extenderse al interior del semiconductor. Esto implica que la región
de carga espacial llega a su extensión máxima y no aumenta con un
aumento de V. Este fenómeno ocurre cuando la caída en el
semiconductor q (Vbi + VS ) = 2 ( Ei − E F ) , siendo ( Ei − EF ) evaluada
fuera de la RCE.12 Este estado se denomina inversión fuerte y portadores mayoritarios del semiconductor en la interfaz con el
constituye la base del funcionamiento de los transistores MOSFET en aislante. Aplicando potenciales negativos cada vez menores, tendemos
estado de conducción. La tensión V a la cual se alcanza la inversión a eliminar la RCE, en cuyo caso la capacitancia de la RCE deja de
fuerte se denomina VT, tratada en MOSFET como tensión de corte o intervenir en la capacitancia total, la cual está nuevamente dada por
umbral. La capacitancia total en estado de inversión fuerte se reduce COx.
a la capacitancia dada por el condensador formado entre el metal y la
capa de inversión, valiendo
ε 0ε Ox
C ( f < 100 Hz ) = COx = . (5.11)
tOx
En la práctica, esta capacitancia se puede medir únicamente para

bajas frecuencias f < 100 Hz. A mayores frecuencias, los electrones
generados térmicamente en el interior del semiconductor no alcanzan
a seguir la fluctuación de la señal, por lo que la capa de inversión no
puede contener las líneas de campo eléctrico fluctuantes. Los
portadores necesitan un tiempo τinv para ser generados térmicamente
y llegar (o alejarse) de la capa de inversión. Este tiempo define la
frecuencia límite 1/τinv para la cual la capacitancia es gobernada por
la capa de inversión. Para tales frecuencias f > 1/τinv, C sigue
controlada por su mínimo valor, dado por la combinación serie entre
COx y la mínima capacitancia de la RCE, dada para el valor máximo
de WRCE.
Al aplicar un potencial en sentido opuesto, es decir negativo en
el metal con respecto a la región neutral del semiconductor,
reducimos la RCE y el campo eléctrico en el óxido, y obtenemos un Figura 5.6: estructura MOS en estado de acumulación.
diagrama de bandas como el mostrado en la Figura 5.6. Este estado La característica C(V) del condensador MOS muestra entonces dos
se denomina estado de acumulación, ya que se acumulan curvas, una de bajas frecuencias y otra de altas frecuencias, con las
cuales pueden marcarse los distintos regímenes de operación
12 Ver por ejemplo S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2da ed., (Wiley Interscience, discutidos hasta ahora. En la Figura 5.7 vemos esquemáticamente la
Nueva York, 1981), p. 369, y ediciones posteriores característica C(V) en un capacitor MOS.
− 2qε 0ε S N A (VS + Vbi ) + Qinv

(VS + Vbi ) = V + . (5.15)
COx
Definiendo, por practicidad, V1 = qε 0ε S N A / COx

2
, la caída de tensión en
el semiconductor viene dada entonces por
Qinv ⎛Q ⎞
VS = + V1 − Vbi + V − V12 + 2V1 ⎜ inv + V ⎟ . (5.16)
COx ⎝ COx ⎠
En condensadores MOS de Si-SiO2, puede considerarse en primer
aproximación que V1 es mucho menor al resto de los potenciales
intervinientes, obteniéndose
Qinv
VS ≈ − Vbi + V . (5.17)
COx
Figura 5.7: característica C(V) de un condensador MOS en altas y Esta ecuación sirve para mostrar que, en silicio tipo p donde la capa
bajas frecuencias. Hacia la derecha aumenta la tensión positiva,
mientras que hacia la izquierda tenemos un aumento de la tensión de inversión tendrá carga negativa (Qinv < 0), la caída de potencial VS
negativa. en el semiconductor decrece al aumentar el grado de inversión, o bien
con aumentos del espesor de óxido.
Volvemos a considerar el estado de inversión, para el que hallaremos

la caída de tensión en el semiconductor VS. Definiendo como QG la
carga acumulada del lado del metal. Planteamos la ecuación de
neutralidad de carga del condensador MOS con inversión
0 = QG + QRCE + Qinv (5.12)
donde la caída de tensión en el óxido viene dada por su capacitancia y

la densidad de carga en una de sus caras,
QG
VOx = (5.13)
COx
y
QG Q + Qinv
(VS + Vbi ) = V − = V + RCE (5.14)
COx COx
entonces, reemplazando QRCE, obtenemos
Transistores MOSFET 133 Transistores MOSFET 134
Figura 6.1: vista de una estructura MOSET (a) y un corte

esquemático algo más realista (parte b), mostrando el aislamiento
6 Transistores MOSFET eléctrico del contacto de la puerta mediante óxido y, con línea
punteada, el límite de la zona de carga espacial en ausencia de
potenciales aplicados a los contactos.
6.1 MOSFET ideal en inversión

El transistor MOSFET (sigla del inglés por Metal Oxide
La Figura 6.2 muestra un transistor MOSFET en estado de inversión.
Semiconductor Field Effect Transistor) es probablemente el
Supondremos que el potencial de puerta VGS ha sido aplicado en
dispositivo semiconductor que mayores cambios tecnológicos ha
forma tal de lograr una capa de inversión que se extiende bajo toda la
generado en el último siglo, especialmente el transistor MOSFET
superficie de la puerta. En tales condiciones, se ha formado una
integrado de tecnología planar. A diferencia de los diodos y de los
suerte de filamento conductor compuesto por electrones (indicado
transistores bipolares de juntura, el MOSFET es un dispositivo cuyo
como un área negra bajo el óxido) que recibe el nombre de canal, y
funcionamiento es esencialmente bidimensional.
permite la conducción de corriente entre la fuente y el drenaje. La
La Figura 6.1a muestra un transistor MOSFET indicando sus
conducción de electrones se produce entonces mediante la aplicación
longitudes características: el espesor de óxido tOx, la longitud de
de una tensión VDS entre fuente y drenaje, ya que éstas zonas son tipo
puerta L, y el ancho de puerta W (que no debemos confundir con el
n. La superposición de los potenciales electrostáticos a los que se
ancho de la zona de carga espacial WRCE). La parte (b) de la figura
somete el canal bajo la aplicación de ambas tensiones reduce el estado
representa un corte en el sentido del canal, y muestra el aislamiento
de inversión cuanto más cerca nos hallamos del contacto de drenaje.
eléctrico del contacto de la puerta mediante óxido, y el límite de la
Por ello en la Figura 6.2 se observa un angostamiento de la zona de
zona de carga espacial (RCE) con una línea punteada, considerando
inversión en dirección al drenaje.
que no se han aplicado potenciales a los contactos S, G, D.
n de electrones de la capa de inversión sea superior a la
concentración de impurezas aceptoras ( n >> NA), entonces la carga
promediada por unidad de área de la zona de inversión viene dada
por Qinv ≅ −qntinv , siendo tinv el espesor efectivo de la capa de
inversión. Con esta aproximación, y despreciando la corriente de

difusión, obtenemos
dψ Q dψ
J n ( x ) ≅ −q μ n n = μn inv (6.2)
dx tinv dx
La sección de conducción de electrones es W × tinv , de modo que la
corriente de electrones del canal resulta

dψ
I DS = μnQinvW , (6.3)
dx
ya en unidades de carga/tiempo. Separando los diferenciales en (6.3),
obtenemos,
Figura 6.2: corte en un transistor MOSFET sometido a potenciales I DS dx = μ nWQinvdψ , (6.4)
que provocan inversión y conducción de electrones entre la fuente y el
drenaje, originando una corriente IDS indicada según el sentido ecuación que nos permite plantear la integral entre los extremos del
convencional en electrónica. canal x = 0 y ψ = 0 a x = L y ψ = VDS, obteniendo
Entre fuente y drenaje se aplica una tensión VDS tal que se inyectan L VDS
I DS ∫ dx = μnW ∫Q inv dψ . (6.5)

electrones desde la fuente hacia el drenaje a través del canal. La 0 0
densidad de corriente en el canal de electrones fluyendo en la Esta ecuación considera que VDS es menor a un valor de saturación
dirección x está compuesta por la componente de difusión y la VDS,sat para el cual se extingue la codición de inversión fuerte en el
corriente por la componente x del campo eléctrico, según extremo del drenaje, ya que integramos hasta L, asumiendo que todo
dn el canal se halla en inversión fuerte. Ahora nos resta hallar una
J n ( x ) = qDn + q μnnEx . (6.1)
dx
expresión apropiada de la densidad de carga en la capa de inversión,
La densidad de electrones en la capa de inversión varía de acuerdo a
Qinv. De acuerdo al análisis realizado para la estructura MOS,
la posición, y necesitaríamos considerar simultáneamente la ecuación
tenemos
de Poisson para incluir rigurosamente la presencia de todas las
cargas presentes en el análisis. Sin embargo, si el estado de inversión
es suficientemente fuerte, de manera tal que la concentración media
Qinv = −QG − QRCE . (6.6) los dos primeros términos de la serie de Taylor alrededor de VDS = 0 ,
A diferencia de la estructura MOS, a lo largo del canal del MOSFET obteniéndose la corriente de la zona lineal del MOSFET
Qinv no es independiente de las coordenadas espaciales, ya que el μnWCOx ⎛ V ⎞
I DS = VDS ⎜ VGS − VS * − γ VS1/* 2 − DS ⎟. (6.12)
potencial electrostático aplicado entre la fuente (S) y el drenaje (D) L ⎝ 2 ⎠
depende de la posición. Debemos entonces expresar Qinv en función Despreciando VDS en el paréntesis, notamos que para
del potencial electrostático local ψ , obteniendo VGS = VS * + γ VS1/* 2 , IDS = 0, el transistor se halla en condiciones de corte.
Qinv = COxVOx + 2qε 0ε S N A (ψ + VS * ) , (6.7) Por ello, resulta conveniente definir la tensión de corte VT del
MOSFET según
donde utilizamos qVS * ≅ 2 ( Ei − E F ) como requisito formal para
VGS ,corte = VT = VS * + γ VS1/* 2 . (6.13)
asegurar el estado de inversión fuerte. Expresando el potencial VOx
Analizando la eq. (6.12), puede apreciarse que para una diferencia de
aplicado entre el dieléctrico según la diferencia
potencial VDS establecida, puede controlarse la corriente del canal IDS
VOx = VGS − (ψ + VS * ) , (6.8)
por medio de la tensión de puerta VGS. La transconductancia del
podemos escribir la ec. (6.7) según
MOSFET, definida como gm = ∂IDS / ∂VGS nos permite apreciar el grado
Qinv = −COx (VGS − (ψ + VS * ) ) + 2qε 0ε S N A (ψ + VS * ) . (6.9)
de control de la corriente que tenemos con la tensión de puerta,
Al reemplazar Qinv según (6.9) y evaluando la integral obtenemos la μnWCOx
gm V = VDS . (6.14)
corriente del transistor 13 DS <VDS ,sat L
μnWCOx ⎧ ⎛ VDS ⎞ 2 ⎡ ⎫ La transconductancia es tanto mayor, cuanto menor es la distancia L
− γ (VS * + VDS ) − VS *3 / 2 ⎤ ⎬ ,(6.10)
3/2
I DS = ⎨VDS ⎜ VGS − VS * − ⎟
L ⎩ ⎝ 2 ⎠ 3 ⎣ ⎦ ⎭ que necesitan recorrer los portadores, y cuanto mayor es la capacidad
donde el parámetro γ queda definido por del óxido dada por la ec. (5.5) que (en principio) puede aumentarse
2qε 0ε S N A mediante una reducción del espesor, o utilizando un material de alta

γ = . (6.11)
C Ox constante dieléctrica.
Resulta conveniente estudiar el efecto transistor contenido en la ec.

6.2 MOSFET ideal en saturación
(6.10) primero para valores de VDS suficientemente pequeños.
Aunque para valores pequeños de VDS la tensión VGS induce el estado
Aproximamos en la ec. (6.10) el término de VDS con exponente 3/2 por
de inversión formándose el canal de electrones, VDS reduce
efectivamente el potencial electrostático total a lo largo del canal. El
estado de inversión es menor entonces cerca del contacto de drenaje, y
13 Hemos obviado en esta expresión el signo negativo de la corriente IDS ya que se halla existe un valor suficientemente alto de VDS tal que, superpuesto a
condicionado por la orientación de fuente y drenaje respecto al eje x considerado.
VGS, corta la condición de inversión. El corte comienza cerca del cambiaría erróneamente de signo. Evaluando (6.12) en
contacto de drenaje, donde tendremos el menor potencial de VDS ,sat = VGS − VT , obtenemos entonces el valor de la corriente de
inversión. Al abandonar el canal en su trayecto hacia el drenaje, los saturación
portadores completan el tramo restante hacia el drenaje transitando μnWCOx
(VGS − VT )
2
I DS ,sat = . (6.15)
la RCE correspondiente a una unión np polarizada en reversa. La 2L
Figura 6.3 muestra un MOSFET en estado de saturación donde se La Figura 6.4 muestra las curvas características considerando el
aprecia que una buena parte del canal se halla en estado de deplexión estado de inversión y el estado de saturación según el modelo
(o vaciamiento) pero se ha perdido el estado de inversión. estudiado hasta aquí. El gráfico (a) muestra la tensión de corte VT y el
crecimiento lineal de la corriente IDS con la tensión de puerta. La
gráfica (b) muestra las curvas de transistor, cuyo parámetro es la
tensión de puerta VGS. En este modelo, la resistencia diferencial más
allá de la saturación es infinita, ya que no se observa un incremento
de la corriente con un aumento de la tensión VDS.
Figura 6.3: corte en un transistor MOSET sometido a potenciales

tales que se pierde la condición de inversión en el tramo final del
canal. La corriente alcanza un valor de saturación.
Figura 6.4: curvas características de MOSFET de acuerdo al modelo
A partir de la tensión umbral VDS,sat en la que se suprime el canal, la
de canal largo planteado. La gráfica (a) muestra la tensión de corte VT
corriente alcanza un valor de saturación IDS,sat. El punto a partir del y el crecimiento lineal del la corriente IDS con la tensión de puerta. La
gráfica (b) muestra las curvas de transistor, cuyo parámetro es la
cual la zona de inversión deja de abarcar la longitud L, está dado por
tensión de puerta VGS.
la condición VDS ,sat = VGS − VT , tensión a partir de la cual (6.12)
Otro aspecto importante para observar en el MOSFET es la baja revela la gran importancia de la reducción de la longitud de puertas
dependencia de la temperatura de las curvas de salida. Si bien hasta en MOSFET para microprocesadores de alto rendimiento (altas
aquí hemos modelado el MOSFET en condiciones ideales, las frecuencias de operación). Esta dependencia fC ∝ L−2 motiva a la
ecuaciones muestran acertadamente la baja dependencia de la industria de la microelectrónica a la continua reducción de L
temperatura de IDS, que aparecería en primer instancia en la mejorando las técnicas de fotolitografía utilizando el mismo material
dependencia de T de μn , relativamente débil para los rangos de (Si-SiO2), antes que modificar todos los procesos de fabricación para
operación usuales. Esta baja dependencia de la temperatura utilizar materiales de mayor μn , tales como el GaAs. Si los valores
constituye una de las características que, al planificar circuitos altos de μn en GaAs han motivado su utilización en transistores
integrados con alta densidad de transistores, ponen al transistor
extremadamente rápidos en circuitos no-integrados, no se ha tendido
MOSFET en notable ventaja respecto al transistor de doble juntura.
a realizar microchips con GaAs principalmente debido a que la
6.3 Frecuencia límite de operación del MOSFET obtención de GaAs de grado electrónico es mucho más costosa que el
Si, a los altos costos de reconversión de infraestructura industrial
La frecuencia límite de pulsos de VGS que puede admitir un MOSFET
implicados, y a la alta toxicidad del arsénico.
se halla limitada por el tiempo de transición entre la fuente y el
Notamos que según la ecuación (6.14), la reducción de L también
drenaje. La velocidad de los portadores en el canal viene dada por
aumenta la transconductancia, mejorando las características de
v = μnEx = μnVDS / L . Definiendo el tiempo de transición entre la fuente
transferencia del transistor. También logramos un aumento de la
y el drenaje con tSD , la velocidad media vendrá también dada por
transconductancia reduciendo el espesor del óxido, ya que
v = L / tSD , de manera que igualando ambas velocidades obtenemos
COx = ε 0ε Ox / tOx .
L μ
= n (VGS − VT ) . (6.16) El comportamiento dinámico del MOSFET posee una segunda
tSD L
limitación dada por el tiempo de carga de la puerta, dado por
−1
La frecuencia de corte fC ≅ tSD vendrá entonces dada, en primer
τ G = RCOx , donde R es la resistencia del contacto de puerta y la línea
aproximación, por
conductora desde el punto de alimentación. En microprocesadores, el
μn
fC ≅ (VGS − VT ) . (6.17) tiempo τ G puede evidentemente reducirse utilizando contactos y
L2
Esta ecuación muestra directamente dos efectos esperados: que la líneas conductoras de baja resistencia, tal como ha ocurrido a
frecuencia de corte aumente con la movilidad, y que disminuya con la principios de los años 1990 al pasar del uso de aluminio a cobre para
distancia a recorrer por los portadores, la longitud de puerta L. Pero las pistas conductoras de microchips. También es posible reducir este
el hecho que fC sea inversamente proporcional al cuadrado de L tiempo mediante la reducción de la capacidad del óxido
COx = ε 0ε Ox / tOx , que presenta dos alternativas: el aumento del espesor
del óxido tOx , y la selección de un material con baja constante cargas fijas pueden repeler o atraer a los electrones de la capa de
dieléctrica ε Ox . Aquí se establece un compromiso entre una mejora del inversión, y el efecto neto de las mismas suele modelarse como un
tiempo de carga de las líneas, y el empeoramiento de las potencial que se agrega a VS * , cuyo signo varía de acuerdo al tipo de
características del transistor. Debemos recordar también que un defectos que el proceso de fabricación ha producido en la interfaz.
aumento de COx es deseable para mantener bajo el nivel de tensión Estos estados de defecto constituyen también una fuente de
umbral VT. recombinación de electrones de la capa de inversión, originando una

débil corriente de puerta IG.
6.4 MOSFET real
Hemos despreciado, además, la dependencia de la movilidad con el
La Figura 6.4b muestra que a partir de la condición de saturación, la campo eléctrico. El campo eléctrico Ey en sentido vertical determina
corriente IDS no aumenta con la aplicación de VDS crecientes. Este
el grado de “compactamiento” del filamento de electrones de la capa
efecto implicaría una resistencia diferencial infinita del canal. En la
de inversión, dictado por VGS. Cuanto mayor sea la concentración de
práctica se observa una resistencia diferencial elevada pero finita,
electrones inducida por este campo, mayor es la dispersión entre
acusada por un leve incremento de IDS con VDS después del punto de
electrones y la movilidad sufre una reducción dependiente de VGS,
saturación. Este incremento se debe a que más allá del corte, la
debiendo utilizarse un valor de movilidad μn ,eff < μn . Las diferencias
longitud real del canal con inversión se reduce y VDS,sat se mantiene
entre las curvas de transistor que aparecen al considerar este efecto
entre los extremos del canal, lo cual implica un campo eléctrico mayor
se muestran esquemáticamente en la Figura 6.5. Las flechas indican
a lo largo del canal, implicando un leve aumento de IDS con aumentos
la reducción de IDS, que se torna más importante cuanto mayor es
de VDS.
VGS.
Otro origen para la resistencia diferencial finita más allá de VDS,sat
ocurre en MOSFETs de canal corto, y consiste en una reducción de VT
con VDS. Cuando tenemos canales de una longitud del orden del ancho
de las RCE dadas entre las regiones n+p y pn+ dadas entre las zonas
dopadas de fuente y drenaje y el sustrato, ocurre que la carga positiva
correspondiente a la RCE dentro de las zonas n+ también participa
del estado de carga del canal, compitiendo con la carga positiva de la
puerta. Esto redunda en una reducción de VT, efecto que se acentuará
con aumentos de VDS.
En las ecuaciones anteriormente vistas, hemos despreciado la carga
en estados en la interfaz entre el semiconductor y el óxido. Estas
6.4.1 Influencia de las RCE correspondientes a las uniones n+p
y pn+
Cuando L es suficientemente pequeño, los bordes de la RCE entre la

zona n de la fuente y el canal y entre el canal y la zona n del drenaje
comienzan a controlar la RCE del canal. La tensión de puerta pierde
control sobre el estado de inversión del MOSFET. El angostamiento
directo de la longitud de canal se muestra en el paso de la parte (a) a
la parte (b) de la Figura 6.6, donde apreciamos que al mismo
Figura 6.5: limitación de la corriente IDS del MOSFET por efecto de la dispositivo se le redujo la puerta en un factor de escala κ > 1. Si el
saturación de la velocidad de portadores debida a la reducción de la área de la RCE inducida por las uniones n-canal y canal-n es
movilidad con el campo eléctrico transversal Ey. Las líneas continuas
representan las curvas características considerando el efecto de comparable al área de la RCE inducida por el condensador MOS,
reducción de μn , y las curvas punteadas asumen μn independiente de entonces deja de valer la condición de “canal largo”. Esto se refleja en
Ey .
la disminución de la tensión de corte VT con valores decrecientes de L.
El campo eléctrico en sentido x, dado por VDS/L, también reduce la Al aumentar L, VT satura al valor dado por la ec. (6.11) cuando L es
movilidad, y para campos suficientemente altos, μn ∝ E , produciendo
x
-1 suficientemente elevada y el MOSFET funciona como canal largo. El
la saturación de la velocidad de los electrones v. Este último efecto es dispositivo mostrado en la Figura 6.6c muestra la solución requerida
particularmente pronunciado en MOSFET de canal corto donde la para reducir L sin padecer los efectos negativos del canal corto. Se
componente Ex es comparable a Ey. Las curvas IDS vs. VDS deben ser requiere un escalamiento del tamaño de las zonas de fuente y drenaje
en el mismo factor de escala κ en el que se redujo L, un aumento del
corregidas de acuerdo a estos fenómenos, y como aproximación se
utiliza una movilidad efectiva μ eff que contempla los efectos debidos a dopaje de la oblea al valor κNA, y una reducción del espesor de óxido
en κ. La reducción de tOx permite recobrar el control de la
las componentes Ex y Ey.
electrostática del canal mediante la tensión VGS.`
Los fenómenos físicos que determinan el comportamiento real del
MOSFET conducen a importantes restricciones y desafíos científicos y
tecnológicos para sostener el aumento constante de la densidad de
integración de transistores en microprocesadores. Principalmente, la
reducción de la longitud de puerta L posee dos límites fundamentales,
señalados a continuación.
efecto negativo de la reducción de tOx . Nuevamente notamos que la
reducción constante de tamaños tiene límites físicos fundamentales y

fuerza a la selección de dieléctricos para la puerta con mayor valor de
la constante diélectrica respecto a la del SiO2 ( ε SiO2 = 3.9 ). Materiales
de alta ε permitirían utilizar espesores de puerta mayores y evitar el

problema de la corriente de fuga por efecto túnel. La adaptación de
estos materiales al silicio requiere el cumplimiento de una cantidad
importante de requisitos. Nuevos dieléctricos requieren un
alineamiento apropiado de las bandas de conducción y de valencia
hacia el silicio de manera tal de actuar como aislante, una constante
de red similar a la del silicio, estabilidad química hacia el silicio, un
coeficiente de dilatación térmica similar al del silicio, y ser compatible
con las tecnologías de fabricación actuales, entre otros. Candidatos
posibles son diversos óxidos tales como Al2O3, ZrO2, SrTiO3, etc.
6.4.2 Efecto túnel en puertas extremadamente cortas
Al reducir L hasta el punto en que alcanza valores del orden de la

Figura 6.6: escalamiento de un transistor MOSFET de canal largo
(parte a) a canal corto (parte b). El MOSFET de canal corto mostrado constante de red del semiconductor, L ∝ a , al aplicar una tensión VDS
en la parte (b) muestra que la RCE en el canal se halla influenciada los portadores traspasan directamente de la fuente hacia drenaje
por las RCE de las uniones n-canal y canal-n. La gráfica (c) muestra
la recuperación de la condición de canal largo mediante un mediante efecto túnel, perdiéndose el control por medio de la puerta.
escalamiento completo del dispositivo en un factor de escala κ > 1.
Con este escalamiento, para una misma corriente IDS del MOSFET de
canal largo, el MOSFET corto de la Figura 6.6c requiere tensiones
reducidas en el factor κ. En cuanto a la reducción del espesor de
óxido, ésta tiene límites ya que cuando tOx alcanza dimensiones
comparables al distanciamiento atómico, los electrones pueden
transmitirse entre la puerta y el canal por efecto túnel. Se origina
una corriente de fuga I SG ,fuga ∝ exp ( cte / tOx ) , indicando un fuerte
6.5 Cuestionario
1. Sea un capacitor formado por 20 nm de Ta2O5 (εr=25) sobre 2nm
de SiO2 (εr = 3.9) realizado entre dos placas metálicas. Encuentre
el espesor equivalente de SiO2.
2. La figura muestra cinco diagramas de bandas dibujados desde la

interface óxido-silicio hacia el sustrato de silicio, y la característica
de transferencia de un MOSFET de canal n con cuatro puntos
característicos. Identificar los cuatro diagramas de bandas
correctos y relacionarlos con los puntos de la curva. (VSB=0 indica (S. Dimitrijev, Understanding semiconductor devices (Oxford University
que el sustrato no está polarizado respecto a la fuente). Press, Oxford, 2000), cap. 5)
4. Mostrar en un gráfico de IDS vs VGS cómo cambia la característica

de transferencia de un MOSFET incremental de canal n al
aumentar la capacidad del óxido.
5. La transconductancia gm de un MOSFET de canal n operando en

la región lineal (VDS=50mV) es 2,5mA/V. Si la tensión umbral es
0,3V, cuál es la corriente cuando VGS=1V?
6. Sea un MOSFET de silicio de canal n con longitud de puerta de 1

μm, ancho de puerta 20 μm, capacidad del óxido por unidad de
superficie 1,2x10-3Fm-2 y voltaje umbral 1,1V. Se pide calcular la
corriente de saturación IDS,sat, la transconductancia gm, y la
conductancia del canal gD=dID/dVDS cuando el voltaje aplicado a
(S. Dimitrijev, Understanding semiconductor devices (Oxford University la puera es de 6V. (Tómese para la movilidad de electrones el
Press, Oxford, 2000), cap. 5) valor 1000cm2/Vs).
3. La siguiente figura muestra cuatro diagramas de bandas 7. Cuáles son las ventajas de los MOSFETs de canal n en
dibujados desde la fuente hacia el drenador a lo largo de la comparación con los de canal p?
superficie del silicio. Relacionar estos diagramas con los puntos
indicados en la curva de salida del MOSFET. 8. Dibujar un corte transversal (a lo largo del canal) de MOSFETs de
canal n de enriquecimiento y deplexión junto a sus características
de transferencia (IDS vs VGS). Discutir en cada caso el significado
de VT.
9. Pueden realizarse MOSFETs de GaAs con los materiales

disponibles en la actualidad? Investigue cuáles son los dispositivos
Transistores MOSFET 151
alternativos que se pueden fabricar con este material y algunas
aplicaciones típicas.

Diodos emisores de luz 153 Diodos emisores de luz 154
Figura 7.1. Diagrama de bandas de un diodo LED operando en

condiciones de inyección. Se muestran dos procesos de recombinación,
uno no–radiante a través de niveles de defectos, y un segundo proceso
que es radiante y por lo tanto se emite un fotón.
7 Diodos emisores de luz Debido a que la recombinación radiante requiere el encuentro entre
un electrón y un hueco, la tasa de recombinación Rrad es tanto mayor
cuanto mayor sean simultáneamente la concentración de electrones n
La optoelectrónica estudia la interacción de radiación como la de huecos p, dando un valor elevado del producto np. Resulta
electromagnética con el flujo de portadores de carga en dispositivos entonces evidente que dopando el semiconductor no puede alcanzarse
electrónicos. En este texto nos concentramos exclusivamente en los esta condición ya que por la regla de la palanca, np = ni2 , el dopaje
dispositivos optoelectrónicos realizados con materiales reduce una de ambas concentraciones mientras que aumentaría la
semiconductores. Los diodos de luminiscencia (LED: light emitting otra, pero el producto entre ambas concentraciones se mantiene
diode) emiten radiación electromagnética requiriendo un suministro constante. Por ello es necesario inyectar huecos y electrones desde los
de energía eléctrica. De igual modo lo hacen los diodos LASER de contactos de una unión pn de forma tal de lograr np >> ni2 en alguna
emisión de luz amplificada por la emisión estimulada de radiación región intermedia, obteniendo un alto flujo de fotones emergentes por
(LASER: light amplification by stimulated emission of radiation). Los la recombinación radiante. Típicamente, tal como sugiere la Figura
diodos luminiscentes son en principio estructuras pn dotadas de 7.1, dicha condición se cumple en la región de carga espacial. De allí
contactos óhmicos que permiten la inyección de portadores. La Figura proviene la mayor parte de los fotones emitidos por el LED. La Figura
7.1 muestra una estructura pn en condiciones de inyección de 7.2 muestra a la izquierda procesos de recombinación radiante
portadores, debida a la aplicación de una diferencia de potencial en espontánea en la estructura de bandas de un semiconductor directo, y
directa. a la derecha, el incremento de la concentración de portadores
inyectados en una unión np en función de la energía.
semiconductores con diferentes valores de energía Eg de la banda
prohibida. La Figura 7.3 muestra la energía Eg de la banda prohibida
de diferentes materiales semiconductores, algunos de ellos indirectos
(indicados con (i) en la figura). Los semiconductores indirectos no son
preferidos para la realización de LEDs porque las transiciones
radiantes son muy poco probables en este tipo de materiales. En la
escala de la derecha se leen las longitudes de onda correspondientes
obtenidas con la ec. (7.1), y los colores correspondientes al rango
visible.
De la Figura 7.3 notamos que existen pocos semiconductores de
uno o dos elementos para realizar LEDs de luz visible. Por otro lado,
tanto en diodos LED como en láseres, es deseable un ajuste de la
longitud de onda de la radiación emitida. Para ello se recurre a la
Figura 7.2. Recombinación radiante en la estructura de bandas de un
realización de aleaciones semiconductoras, las cuales permiten
semiconductor directo (izquierda), y aumento de las concentraciones
de electrones y huecos durante la inyección de portadores hacia una obtener semiconductores con un valor de Eg determinado. Las
unión pn.
aleaciones más utilizadas para obtener luz visible con LEDs se
Los portadores recombinan radiantemente desde la banda de realizan en el sistema GaAsXP1-X, y GaInXN1-X. Si bien el GaP es un
conducción a la de valencia con fotones de energía hν > Eg. Por ello Eg semiconductor indirecto, no lo son muchas de sus aleaciones con As.
es una energía característica del espectro de emisión de LEDs y Variando la proporción X del sistema GaAsXP1-X, se obtienen valores
láseres semiconductores, a la cual podemos asociar una longitud de de Eg que corresponden a longitudes de onda desde el infrarrojo hasta
onda λg dada por el amarillo. Los LEDs verdes se realizan con agregados de nitrógeno
hc GaP:N, y los LEDs azules con SiC, InGaN, GaN. El sistema utilizado
λg = . (7.1)
Eg
para dispositivos infrarrojos es el InXGa1-XAs y Ga1-XAlXAs. La mayor
Reemplazando los valores de h y c, resulta la ecuación útil en la difusión de los LEDs y láseres infrarrojos se encuentra en los
práctica λg [ µm] = 1.24 / E g [eV] . La ec. (7.1) nos indica que al realizar sistemas ópticos de comunicación basados en fibras ópticas de SiO2.
emisores de luz con semiconductores, obtenemos radiación cuyas Las fibras de SiO2 presentan valores mínimos de la absorción para
longitudes de onda dependen inversamente del valor de Eg del λ = 1.35 y 1.5 μm, por ello los láseres para comunicaciones se realizan
material escogido. Existe una gran variedad de materiales ajustando X en el sistema InXGa1-XAs de forma tal de obtener valores
de Eg que correspondan exactamente a λg =1.35 y 1.5 µm.
7.1 Características de emisión
Las características de emisión de un LED que nos interesan son el

espectro de emisión y su dependencia de la temperatura, la eficiencia
cuántica, y el rendimiento global.
El flujo de fotones φem emitidos depende directamente de la
cantidad de pares electrón-hueco inyectados, aunque sólo una fracción

de estos recombine radiantemente. Por ello vale la proporcionalidad
φem = KI (V ) , (7.2)
donde K es una constante de proporcionalidad e I(V) es la curva de

tensión corriente del diodo. Espectralmente, el flujo φem está dado
por14
⎛ hν − E g ⎞
φem ∝ ( hν )
2
hν − E g exp ⎜ − ⎟. (7.3)
⎝ kT ⎠
Esta ecuación muestra la ausencia de emisión para hν = E g ,
correspondiente con la ausencia de estados permitidos para los

valores exactos EC y EV. De acuerdo a los dos primeros multiplicandos
de la ec. (7.3), el flujo de fotones φem crece con hν , lo cual se
corresponde con el aumento de la densidad de estados con la energía.

El tercer multiplicando, un decaimiento exponencial de φem , es
originado por la ausencia de estados ocupados, originado por la

estadística de ocupación de Fermi. Las tendencias creciente y
decreciente contenidas en esta ecuación implican un máximo en el
espectro de emisión φem = φmax , el cual se halla aproximadamente para
hν ≅ E g + kT / 2 .
Figura 7.3. Valores de Eg y λg correspondientes a distintos materiales
semiconductores. Los materiales indicados con (i) son
semiconductores indirectos.
14 W. van Roosbroeck y W. Shockley, Phys. Rev. 94, 1558 (1954)
El ancho espectral Δ(hν ) de φem permite caracterizar el LED según su aT 2
E g (T ) = E g (0) − . (7.4)
b+T
cromaticidad, ya que cuanto más reducido es el ancho espectral, más
En la Tabla 7.1 encontramos valores de los parámetros a y b para
monocromática es la fuente de radiación considerada. Utilizando la
algunos semiconductores. Entre éstos, el GaAs posee una menor
ec. (7.3), se puede mostrar que el ancho espectral vale Δ(hν ) ≅ 2 kT. El
dependencia Eg(T) que el Si. Para CdTe alrededor de 300 K, se asume
espectro de emisión del LED se torna más monocromático cuanto
una dependencia lineal Eg(T) con una pendiente de -3.58×10-4
menor es la temperatura de operación del diodo. Cuanto menor es la
eV/K.15,16
temperatura, hallamos más portadores a energías más próximas a los
bordes de las bandas EC y EV, desde donde recombinan. La Figura 7.4
Tabla 7.1: valores de los parámetros de la ecuación (7.4) para
muestra esquemáticamente espectros de emisión de un mismo LED a
distintos semiconductores.
dos temperaturas diferentes, donde puede apreciarse el aumento del
Material Eg(0) [eV] 10-4a [eVK-1] b [K]
ancho espectral del espectro de emisión con T.
Si 1.170 4.73 636
Ge 0.7437 4.774 235
GaAs 1.519 5.405 204
CuInSe2 0.965 1.086 97
El ancho espectral Δ(hν ) se corresponde con un rango de longitud de

onda Δλ que calculamos diferenciando respecto a la longitud de onda
la energía hν = hc / λ , obteniendo
λ2
Δλ = − Δ(hν ) , (7.5)
hc
que podremos aproximar según
Figura 7.4. Espectros de emisión de un LED a dos temperaturas
diferentes.
15 Dittrich H., Karl N., Kück S., Schock H.W., en: Madelung O., Rössler U., Schulz M. (eds), II-VI
La Figura 7.4 muestra también un corrimiento del espectro con la
and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds, Sub-volumen B de Semiconductors, Volumen
temperatura, el cual se debe a la disminución de la energía de la 41 de: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Springer:
banda prohibida Eg con T. Este decremento se origina por el aumento Heidelberg, 1999.
16 Otros semiconductores, utilizados en fotodetectores para bajas energías, poseen una
de las distancias interatómicas con temperaturas crecientes, de
dependencia inversa de Eg con T. El PbS presenta un aumento de Eg = 0.29 eV a 0 K al valor Eg
acuerdo a la ecuación empírica = 0.41 eV a 300 K.
2kT 2 aproxima al 100 % en dispositivos experimentales. Una vez generados
Δλ = λ . (7.6)
hc los fotones por procesos de recombinación radiante, aparecen una
Esta ecuación revela que el ancho espectral de diodos LED depende, serie de factores de pérdidas que reducen la cantidad de fotones que
además de la temperatura, de la longitud de onda misma. Cuanto realmente emite el dispositivo hacia el medio. Se define entonces la
mayor es la longitud de onda, o más infrarrojo es el LED, más eficiencia global o eficiencia cuántica externa ECE, como la
policromático es su espectro de emisión, según Δλ ∝ λ 2 . Utilizando fracción entre el flujo Φ em de fotones emitidos por el dispositivo hacia
por ejemplo GaAs a temperatura ambiente tendremos la longitud de
el medio y el flujo de pares electrón-hueco inyectados, y viene dada
onda del máximo de emisión
por
hc fotones emitidos Φ em
λmax = ≅ 850 nm , (7.7) ECE = = , (7.9)
E g (T ) + kT / 2 pares e-h inyectados J LED / q
T =300 K
perteneciente al infrarrojo cercano. De acuerdo a (7.6), el flujo emitido la cual ronda entre 10 y 40% en dispositivos comerciales. Las
tendrá el ancho espectral Δλ = 30 nm. Notamos que Δλ << λmax, lo cual pérdidas ópticas son cuantificadas según el rendimiento óptico ηopt , de
indica que el LED es una fuente de luz más bien monocromática, un manera que podemos escribir
resultado característico para procesos de emisión de luz luminiscentes ECE = ECIηopt . (7.10)
(no basados en emisión de radiación térmicamente). Si bien los diodos
El rendimiento óptico contiene el efecto de los varios factores de
LED pueden utilizarse para la transmisión de datos en sistemas de
pérdidas de fotones, que describimos a continuación.
comunicación digitales con fibras ópticas, su uso se excluye en
La eficiencia lumínica ηL se utiliza para caracterizar fuentes de
sistemas de alto flujo de datos debido a que el ancho de banda Δλ
radiación visible al ojo humano, indicando qué fracción de la potencia
limita la densificación de los pulsos de luz, ya que la separación
eléctrica se transforma en flujo de luz visible. El máximo teórico es de
mínima entre pulsos de luz debería ser de al menos varias veces Δλ.
ηL = 683 lúmen por Watt (lm/W) para luz monocromática de 555 nm,
7.2 Pérdidas en LED mientras que para luz blanca es de ηL = 200 lm/W. La eficiencia
lumínica de LEDs de luz visible depende del tipo de material

La eficiencia cuántica interna ECI de un LED se define como el
utilizado, y en gran parte del grado de pureza que puede alcanzarse
cociente
fotones creados J con cada uno de ellos. Diodos LED azules basados en GaN rondan los
ECI = = rad , (7.8)
pares electrón-hueco inyectados J LED 10 lm/W, mientras que los verdes, rojos, amarillos y naranjas
indicando la proporción de corriente inyectada que produce alcanzan 80 lm/W. Recientemente, LEDs de laboratorio han superado
recombinación radiante Jrad con respecto a la total inyectada al LED los 170 lm/W. En comparación, las lámparas fluorescentes poseen una
JLED. La ECI es muy elevada en dispositivos comerciales y se eficiencia de unos 110 lm/W, las incandescentes halógenas 40 lm/W, y
las lámparas incandescentes ordinarias rondan 10 lm/W. El
desarrollo de LEDs en la investigación y en la industria se esfuerza
en aumentar la eficiencia lumínica utilizando materiales más puros,
más apropiados, y mejorando el diseño general de LEDs. Con el
tiempo, la investigación y el desarrollo de LEDs ha mostrado que los
LEDs actuales poseen un rendimiento global 100 a 1000 veces mayor
al de los LEDs rojos de GaAsP de 1965.
7.2.1 Pérdidas por absorción

En primer lugar aparecen las pérdidas por absorción del material
emisor. Cuanto mayor sea el espesor del material emisor, más fotones Figura 7.5. Emisión de fotones en un diodo pn no optimizado para
emitidos serán absorbidos. La parte a) de la Figura 7.5 muestra un funcionar como LED (a), y estructura LED (b) con una región p
angosta para reducir la absorción, y sustratos transparentes que
diodo pn no optimizado para funcionar como LED, donde se aprecia permiten la reflexión de los fotones emitidos en dirección al contacto
que únicamente los fotones emitidos muy cerca de los bordes físicos posterior reflejante.
del dispositivo y en dirección perpendicular a las superficies logran 7.2.2 Pérdidas por reflexión
salir al medio circundante. Con línea punteada se muestra un fotón La Figura 7.6 muestra que una parte de los rayos que inciden sobre la
emitido en dirección al semiconductor en vez de al exterior, y es por interfaz semiconductor- medio exterior es reflejada nuevamente hacia
ende absorbido. Para reducir esta pérdida se recurre entonces a la el interior debido al cambio de medio portador de la onda
disminución del espesor del dispositivo, y a realizar la unión np lo electromagnética. La reflectividad es tanto mayor, cuanto mayor sea
más cercana a la superficie de emisión posible, es decir utilizando una la diferencia de índices de refracción. Suponiendo que el material
zona n muy angosta. Además los diodos LED utilizan una semiconductor de índice de refracción nS se encuentra directamente
heteroestructura, de forma tal que el semiconductor adyacente a la expuesto al aire (con índice 1), tendremos un índice de reflexión
región de emisión de fotones (región activa), tenga un ancho de la ⎛ n −1 ⎞
2
r=⎜ S ⎟ . (7.11)
banda prohibida mayor al del material activo, siendo transparente a ⎝ nS + 1 ⎠
la radiación emitida. En la parte b) de la Figura 7.5 vemos Para valores típicos de nS = 3.5, tendremos r = 0.3, es decir el 30 % de
esquemáticamente una heteroestructura de nGa1-XAlXAs – la radiación vuelve al interior. En la práctica, este factor de pérdidas
GaAs (región activa) – pGa1-XAlXAs donde se han introducido estas se reduce cubriendo el semiconductor con un material de índice de
mejoras. refracción entre 1 y nS , de manera de lograr un escalonamiento de los
índices de refracción entre el semiconductor y el aire. El material
intermedio también reduce un factor de pérdidas mucho más n
sin θC = . (7.12)
importante, la reflexión total interna. nS
Figura 7.7. Esquema del problema de reflexión interna total en un

LED expuesto directamente al aire (izquierda), y su solución parcial
Figura 7.6. Reflexión de rayos emitidos desde la unión pn en dirección utilizando una cubierta de un material con índice de refracción n
perpendicular hacia la superficie delantera de un LED expuesto intermedio.
directamente al aire.
Para un material semiconductor con nS = 3.5 emitiendo luz
7.2.3 Pérdidas por reflexión total interna
directamente hacia el aire circundante con nA = 1, obtenemos
La Figura 7.7 muestra esquemáticamente un diodo LED, el cual
θC = 16.6°. Asumiendo que la luz se emite isotrópicamente, resulta17
emite un fotón en una dirección que forma un ángulo con la superficie
que sólo un 2 % de la radiación emitida escapa del material a través
del LED mayor al ángulo crítico de refracción, por lo que es reflejado
del cono de salida de luz subtendido por el ángulo θC = 16.6°. El 2 %
totalmente hacia el interior. La emisión de fotones con recombinación
de radiación del “cono de escape” sufre la reflexión discutida en el
radiante espontánea no tiene direcciones preferenciales, y, debido a
apartado anterior, que puede alcanzar un 30 %. Es decir que la
que la unión pn es plana y el diodo posee superficies planas paralelas,
eficiencia global, suponiendo una ECI = 100 %, alcanza como máximo
una gran cantidad de los rayos emitidos en direcciones aleatorias
sólo ECE = 2 %. Para reducir ambas pérdidas en forma conjunta, es
forman ángulos mayores al de reflexión total. Además, la diferencia
necesario realizar una graduación del índice de refracción entre el
entre el índice de refracción del aire y del material semiconductor es
medio y el semiconductor. Por ello, los diodos LED llevan una
muy alta, lo cual reduce el ángulo crítico de refracción, o el cono de
cubierta semiesférica de resinas epoxy con nr = 1.8. Entre el
escape para rayos emitidos hacia el exterior.
semiconductor y la resina, tendremos θC ≅ 31°, de manera que un 7 %
Aplicando la ley de Snell, el ángulo crítico de refracción θC entre un
semiconductor de índice de refracción nS y un medio circundante con 17 Al calcular el área del casquete esférico a través del cual se emiten los fotones, dado por la
índice n está dado por 2π θ c
integral esférica A= ∫ ∫ sin θ dθ dϕ .

0 0
de la radiación emitida puede salir al exterior. Además, por ser la
cubierta de forma semiesférica, se anula la reflexión total en la
interfaz resina-medio. Las pérdidas remanentes son la reflexión
parcial en las interfases semiconductor-resina y resina-medio. Con
este tipo de encapsulamiento se obtiene un rendimiento global de
entre 5 y 6 %.
En principio, las pérdidas por reflexión total interna podrían
eliminarse utilizando LEDs esféricos con uniones pn esféricas, lo cual
es, actualmente, técnicamente muy complicado. No obstante, se ha
conseguido reducir drásticamente las pérdidas por reflexión total
Figura 7.8. Vista en corte de un LED de pirámide truncada invertida,
interna modificando la estructura del LED bien microscópica, o mostrando distintos haces totalmente reflejados que logran escapar al
macroscópicamente. En el primer caso, se provee a la superficie medio circundante.
emisora de una textura que modifica los ángulos de propagación de la
luz emitida luego de la reflexión en la superficie rugosa, de manera
tal que una gran parte de los rayos reflejados adquieren direcciones
que no sufrirán reflexión total interna al alcanzar la superficie.18 En
el segundo caso, se corta el LED de forma tal que los ángulos
formados entre las caras del LED y los haces de luz emitidos dan
reflexión total interna en su primer encuentro con una superficie, y
para el siguiente inciden con ángulos menores a θC . Tal es el caso de
la estructura de pirámide truncada invertida (TIP – truncated

inverted pyramid), con la cual se alcanza una eficiencia global del
50 %.19
18 ver R. Windisch et al., Appl. Phys. Lett. 63, 2174 (1993), y por ejemplo Y. Kanamori et al.,
IEEE Photonics Tech. Lett. 14, 1064 (2002)
19 Krames et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2365 (1999)
Diodos LASER 169 Diodos LASER 170
investigaciones sobre la emisión estimulada en sistemas láser,
Tornes, Basov y Prokhorov, recibieron compartidamente el premio
Nóbel de Física en 1964.
En la Figura 8.1 se muestran procesos de recombinación radiante y
de absorción. Para la recombinación espontánea es necesario que un
electrón y un hueco se encuentren. La dirección y fase del fotón
emitido no puede predecirse. La emisión estimulada requiere además
que el encuentro entre el par electrón-hueco coincida con la presencia
de otro fotón. Además, en los procesos de emisión estimulada, la
8 Diodos LASER dirección y fase del fotón emitido es idéntica a la del fotón que
estimuló la recombinación.
8.1 Emisión estimulada en semiconductores

Cuando el decaimiento de un electrón en un estado de energía a otro
de energía menor es provocado por otro fotón, hablamos de emisión
estimulada. Este proceso resulta clave para la amplificación de luz,
dando origen al efecto LASER (Light amplification by stimulated
emission of radiation), es decir la amplificación de luz por emisión
inducida (o estimulada) de radiación. El uso extensivo de dispositivos
que utilizan este efecto transformó la sigla LASER en el vocablo
“láser”, a veces incluso se utiliza el verbo “laseo” para indicar que un
Figura 8.1: transiciones de recombinación radiante espontánea y
sistema amplifica luz mediante procesos de estimulación de la estimulada en semiconductores (izquierda), y transiciones de
emisión. absorción fundamental y de portadores libres (derecha).
La emisión estimulada fue predicha teóricamente por Einstein en En cuanto a los procesos de absorción mostrados en la Figura 8.1, se
1916, y verificada experimentalmente en 1953 por Gordon, Zeiger y muestran la absorción fundamental de la banda de valencia a la de
Tornes, quienes demostraron el fenómeno con emisión de microondas. conducción, y también la absorción por portadores libres, en la que un
Basov construyó el primer diodo láser en 1962. Debido a sus electrón en la banda de conducción absorbe un fotón y es acelerado,
frenándose mediante la emisión de fonones. En general, la absorción Aquí veremos que el funcionamiento del diodo láser conlleva otras
por portadores libres es despreciable frente a la absorción condiciones energéticas y restricciones sobre el espectro de emisión.
fundamental, pero aquí necesitamos considerarla ya que en diodos Einstein demostró que en un sistema no muy apartado del equilibrio
LASER puede constituir un importante factor de pérdidas. termodinámico, la absorción fundamental es mucho más probable que
El efecto de amplificación de la radiación contenido en la sigla la emisión estimulada. Las condiciones de funcionamiento de un
LASER, puede apreciarse en la Figura 8.2. Un fotón inicial induce un sistema láser deben encontrarse por lo tanto lejos del equilibrio
proceso de recombinación radiante, ambos fotones siguen juntos hasta termodinámico. En semiconductores, podemos alejarnos tanto más del
encontrar más pares electrón hueco cuya diferencia de energía equilibrio termodinámico, cuanto mayores sean las concentraciones
coincide con la energía hν del fotón precursor. De esta forma se de portadores respecto a las de equilibrio. Es entonces necesario
produce una multiplicación de la concentración de fotones, es decir la inyectar electrones y huecos hasta verificar la condición n,p >> n0,p0.
amplificación de luz. Al construir un dispositivo láser, debemos tener Si la inyección es tal que los estados de energía cercanos a los bordes
en cuenta entonces que los procesos mostrados en la Figura 8.2 son de las bandas se encuentran totalmente ocupados por portadores, la
concurrentes en cualquier sistema donde tenemos pares electrón- absorción fundamental de los fotones es muy poco probable, ya que es
hueco y fotones conjuntamente. prácticamente nula la concentración de electrones en la banda de
valencia disponibles para la absorción! De este modo, notamos que la
condición n,p >> n0,p0 tiende a suprimir la absorción fundamental. La
Figura 8.3 muestra dos semiconductores indicando el grado de
ocupación con electrones de distintos rangos de energía. En el
semiconductor A, la absorción fundamental ocurre para valores de
energía del mismo rango que los fotones provenientes de la emisión.
Es más probable que la absorción supere la emisión estimulada,
imposibilitándose la amplificación de luz. En el sistema B, en cambio,
Figura 8.2: amplificación de luz debida a la emisión estimulada en un tenemos concentraciones de portadores que verifican n,p >> n0,p0 y
semiconductor.
por ello el borde de la banda de valencia carece prácticamente de
8.2 Condiciones necesarias electrones que puedan absorber fotones del mismo rango de energía de
Respecto al espectro de emisión en un semiconductor operando como los fotones provenientes de la emisión por recombinación. En el
láser, sólo podemos decir hasta ahora que los fotones emitidos sistema B podemos esperar entonces que se produzca la amplificación
tendrán energías hν > ( EC − EV ) = E g , tal como en un diodo LED. de luz. Un sistema electrónico en estas condiciones se encuentra en
estado de inversión ya que la concentración de electrones es mayor
cerca del borde de la banda de conducción que la concentración de Rest
> 1. (8.1)
electrones cerca del borde de la banda de valencia. Gfun
Ambas tasas dependen de la concentración y distribución espectral de
las energías hν de fotones presentes dentro del semiconductor, a
quienes corresponde la concentración ρhν , dada en fotones por unidad
de volumen y unidad de energía. La tasa Rest depende además de las

concentraciones n y p, dadas por el producto entre las densidades de
estados DC,V(E) correspondientes, y la función de ocupación de Fermi
f(E). Definimos Best como la constante de recombinación estimulada,
obteniendo
Rest = Best ρhν np , (8.2)
Figura 8.3: Diagrama de bandas de un semiconductor A cercano al y al reemplazar con las expresiones para n y p, obtenemos
equilibrio termodinámico, donde cerca de los bordes de las bandas Rest = Best ρhν DC ( Econ ) f ( Econ , E Fn ) DV ( Eval ) (1 − f ( Eval , E Fp ) ) , (8.3)
hallamos estados parcialmente ocupados. Entre estos estados pueden 144424443 14444244443
n p
ocurrir transiciones de electrones con emisión o absorción de fotones
de un mismo rango de energías para uno u otro proceso. El donde explícitamente se diferencian energías electrónicas dentro de la
semiconductor B, mostrado a la derecha, se halla muy apartado del
equilibrio termodinámico, con el borde de la banda de conducción banda de conducción o valencia utilizando las notaciones Econ y Eval.
totalmente ocupado, y el borde de la banda de valencia totalmente Los pares electrón-hueco emitidos estimuladamente emiten entonces
vacío. Las transiciones electrónicas con absorción de fotones que
pueden ocurrir, corresponden a un rango de energías mayores a las fotones tales que hν = ( Econ − Eval ) > E g , que podrán ser absorbidos por
transiciones de emisión.
absorción fundamental entre Eval y Econ.
El estado de inversión es entonces una condición necesaria para La tasa Gfun es proporcional a ρhν , a la concentración nval de electrones
suprimir en gran parte la absorción de los fotones emitidos en el en la banda de valencia, y a la concentración pcon de huecos (o estados
sistema, permitiendo el dominio de la emisión estimulada. vacíos) en la banda de conducción. Denominaremos Afun a la constante
Obtendremos ahora condiciones específicas para alcanzar el estado de de proporcionalidad correspondiente. Utilizando las funciones de
inversión en semiconductores. Postulamos primeramente que Fermi apropiadas para describir nval y pcon , obtenemos la tasa de
buscamos que la tasa de recombinación radiante estimulada Rest sea
generación
mayor a la tasa de generación Gfun por absorción fundamental,
Gfun = Afun ρhν DV ( Eval ) (1 − f ( Eval , E Fp ) ) DC ( Econ ) (1 − f ( Econ , E Fn ) ) .(8.4)
Rest > Gfun , obteniendo 14444244443 14444 4244444 3
nval pcon
Antes de proceder a expresar el cociente de la ec. (8.1), introducimos Tanto la amplificación como la absorción de luz se manifiesta en el
la igualdad fundamental demostrada por Einstein flujo de fotones φ en el medio. De acuerdo a la ley de Beer, la
Best = Afun , (8.5) absorción de fotones produce un decaimiento exponencial de φ con la
y obtenemos entonces distancia recorrida, con una constante de decaimiento α-1, siendo α el
Rest f ( Econ , E Fn ) (1 − f ( Eval , E Fp ) ) coeficiente de absorción. Similarmente, en un medio que produce

= . (8.6)
Gfun (1 − f ( Eval , E Fp ) ) (1 − f ( Econ , E Fn ) ) fotones mediante emisión estimulada, tendremos una constante de
Al reemplazar por las funciones de Fermi y simplificar, esta ecuación generación γ. Existe entonces amplificación de luz cuando γ > α, y el
lleva a la condición flujo de fotones varía exponencialmente de acuerdo a
Rest E − E Fp E Fn − E Fp φ ( x ) = φ0 exp ⎡⎣(γ − α ) x ⎤⎦ , (8.9)
= Fn = , (8.7)
Gfun Econ − Eval hν
donde φ0 es un flujo de fotones de referencia, tomado por ejemplo en
y volviendo a la condición Rest / Gfun > 1 , obtenemos
uno de los extremos del sistema.20
hν < ( E Fn − E Fp ) , (8.8) Volviendo a la Figura 8.2, nos concentramos en el “fotón precursor”
condición fundamental para obtener condiciones de amplificación de mostrado en el extremo izquierdo. La presencia del mismo sugiere
luz en semiconductores. Indica que el semiconductor debe encontrarse que un sistema láser debe contar con suficientes fotones que
tan alejado del equilibrio termodinámico, que los niveles de cuasi- estimulen la emisión de radiación. Para ser operado en régimen
Fermi se encuentran dentro de las bandas! Es decir que la condición estacionario, el sistema amplificador de luz debe contar
de inversión (y por lo tanto la supresión de la absorción) se produce al constantemente con fotones de idénticas características a los
alcanzar el degeneramiento de la concentración de portadores. La emitidos. Esto se logra suministrando superficies reflectantes o
Figura 8.4 esquematiza la situación expresada por la ec. (8.8). parcialmente-reflectantes en los límites del sistema, de forma tal de
retroalimentar el medio activo con fotones. Si desaparece la
retroalimentación de fotones, el sistema deja de emitir luz en forma
coherente ya que en un breve tiempo los fotones presentes habrán
abandonado el sistema o habrán sido absorbidos. La
20 Es posible demostrar que tanto γ como α dependen de la estructura de bandas del material y de
Figura 8.4: ocupación con electrones de bandas de energía en un la concentración de portadores, al relacionar Rest y Gfun con φ, ya que estas tasas de
semiconductor en estado de inversión, bajo cumplimiento de la recombinación y generación implican localmente una variación dφ / dt . El coeficiente de
condición E g < hν < ( E Fn − E Fp ) .
absorción α depende de la concentración de portadores únicamente en condiciones de inversión, es
decir en medios muy alejados del equilibrio termodinámico.
retroalimentación es por lo tanto la segunda principal condición procedieran hacia el espejo opuesto, generando caminos ópticos que
necesaria para el funcionamiento de un sistema láser. La Figura 8.5 pudieran cumplir con la condición (8.10).
muestra el caso de un sistema láser provisto por dos espejos en los Despreciando la dependencia del índice de refracción de la longitud de
extremos del medio activo donde se logra la condición de inversión. onda en la ec. (8.10), la separación resultante entre dos modos vecinos
Esta construcción se denomina cavidad resonante. Se muestran con m y (m+1), viene dada por
ondas del campo electromagnético de la radiación emitida, cuyo λ2 1
Δλ = (8.11)
cuadrado corresponde a la intensidad de la radiación. 2nS L
A esta separación entre modos corresponde, en escalas de energías de
fotones, una separación de modos Δm.
Podrán ser amplificadas las ondas correspondientes a la emisión de
los pares electrón-hueco que cumplan con la condición de inversión y
con (8.10) simultáneamente. La Figura 8.10 muestra la distribución
de portadores en la energía en sus respectivas bandas, y en el
extremo derecho los valores discretos de energías hν de fotones que
Figura 8.5: Onda de fotones estacionaria dentro de un medio provisto cumplen con la condición (8.10). Notamos que la separación entre las
de espejos en sus extremos. La onda es estacionaria porque su media
líneas aumenta para valores de hν bajos, lo cual se corresponde con lo
longitud de onda es un múltiplo (m = 10) de la longitud L del medio.
expresado en la ec. (8.11). El espectro de emisión resultante
La retroalimentación con fotones será efectiva para ondas
provendrá entonces de los valores de hν que se correspondan a líneas
estacionarias de la radiación ya que las ondas no estacionarias se
que se hallen dentro del rango de emisión E g < hν < ( E Fn − E Fp ) .
desfasarían. Para una distancia L entre espejos, obtendremos ondas
estacionarias cuando un número entero de semi-ondas encaje en L,
cumpliéndose la condición
λ / nS
L=m , (8.10)
2
donde λ es la longitud de onda correspondiente al vacío, nS es el índice
de refracción del material semiconductor, y m es un número natural.
Las ondas que cumplen esta condición reciben el nombre de modo.
También podría haber interferencia constructiva para ondas emitidas
no horizontalmente que luego de ser reflejadas en los extremos,
reflejarían en las paredes laterales del medio activo, y luego
Figura 8.7: espectro de emisión para un láser operando con cinco

modos, cuya separación energética definimos como Δm. La línea
punteada indica la curva de intensidad correspondiente según la
distribución de portadores, tal como se obtendría en condiciones de
Figura 8.6: A la izquierda se muestran las densidades de estados operación tipo LED. Se indica también el ancho espectral natural ΔE
DC,V(E) y concentraciones de electrones y huecos n(E), p(E) en función de las líneas de emisión.
de la energía electrónica en un semiconductor. Las líneas a la derecha
indican, esquemáticamente, las energías correspondientes a
longitudes de onda que formarían ondas estacionarias.
Debido a que la emisión estimulada se produce allí donde la
La Figura 8.11 muestra esquemáticamente el espectro de emisión que intensidad y densidad de fotones es mayor (ver la ec. (8.2)), y
resulta de la superposición de ambas condiciones. Notamos que el considerando que la intensidad de radiación es proporcional al
espectro se halla contenido en el rango de energías cuadrado de la amplitud de las ondas electromagnéticas, esperamos
E g < hν < ( E Fn − E Fp ) , y está compuesto sólo por cinco líneas discretas la máxima emisión estimulada allí donde se encuentran los máximos
de emisión, sin ser estrictamente monocromático. La línea punteada o mínimos de las ondas representadas. Ello será posible si en la
indica la curva de intensidad correspondiente según la distribución de posición x de cada cresta de la onda electromagnética se verifica la
portadores, tal como se obtendría en condiciones de operación tipo condición de inversión.
LED. De acuerdo a la ec. (8.11), es posible obtener un espectro con Además, únicamente retroalimentarán la emisión estimulada ondas
menos líneas de emisión reduciendo la longitud L, de manera de con un único sentido de propagación, por ejemplo sentido +x o –x
obtener una separación tal de líneas que sólo sea posible lograr exclusivamente. Es decir que una onda emitida en algún sitio
retroalimentación para ondas de un único valor de energía hν. recorrerá dos veces la longitud L de la cavidad resonante para volver
a tener el sentido original y alimentar el efecto láser. Para el caso de
la Figura 8.5, los fotones emitidos originalmente con un flujo de
fotones φ0 reflejarán una vez en la superficie izquierda, con un grado
de reflectividad r1, y luego en la derecha, de reflectividad r2. De encuentran perfectamente definidos. Un estado de energía E no
acuerdo a la ec. (8.9), luego de recorrer la distancia 2L, la onda de puede ser estrictamente discreto, sino que posee un ancho ΔE dado
radiación con idéntico sentido de propagación que la onda original, por la relación de Heissenberg
posee un flujo de fotones h
ΔE Δt ≥
, (8.15)
φ (2L ) = φ0r1r2 exp [(γ − α )2L ] . (8.12) 2π
donde Δt es el tiempo durante el cual un electrón se halla en el
De esta ecuación se desprende un requisito sobre r1 y r2 para verificar
estado, típicamente el tiempo de transición entre el estado original y
la amplificación de luz, en cuyo caso debe cumplirse
algún estado de destino. Este tiempo depende del material y en el
φ (2L )
> 1, (8.13) caso de los semiconductores también de la estructura de bandas y de
φ0
que con la ec. (8.12), podemos escribir como la densidad de estados.
1 ⎛ 1 ⎞ Es decir que incluso en láseres con un espectro de una única línea o

γ >α + ln ⎜ ⎟. (8.14)
2L ⎝ r1r2 ⎠ modo, el principio de incertidumbre de Heissenberg establece que
Esta condición indica que para facilitar la amplificación de luz, tendríamos un ancho ΔE de la energía de los fotones emitidos. En
necesitamos reducir el coeficiente de absorción α, utilizar función de λ, resulta un ancho fundamental de las líneas de emisión
reflectividades r1,2 lo más elevadas posible, y una cavidad resonante λ2
Δλfun = , (8.16)
con la mayor longitud L posible. Esta última condición implicará, 2π cΔt
donde c es la velocidad de la luz en el medio. Este ancho representa el
según visto lo anteriormente, un posible aumento de las líneas de
límite físicamente posible de emisión de radiación en forma
emisión contenidas en el espectro, reduciendo la monocromaticidad
monocromática, y por ello recibe el nombre de ancho natural. En la
del espectro de emisión.
práctica, las líneas de emisión tienen un ancho superior a Δλfun ,
Resumimos lo visto hasta ahora en las dos condiciones necesarias
para la amplificación de luz: debido a una leve contribución de emisión espontánea y oscilaciones
1. el estado de inversión de las concentraciones térmicas, provocando un ensanchamiento de las líneas de emisión. Se
2. retroalimentación de fotones. obtienen por ejemplo para diodos láser de λ = 1550 nm, anchos de
línea del orden de Δλ ≈ 1 nm.
8.2.1 Ancho espectral natural

8.3 Curvas características
Aunque la Figura 8.7 muestra sólo esquemáticamente el espectro de
La forma de alcanzar la condición necesaria para el estado de
emisión, notamos que cada línea de emisión particular tiene un ancho
inversión es inyectando una gran cantidad de portadores en un diodo
espectral mínimo. Este ancho tiene un valor mínimo imposible de
pn o similar. El “encuentro” entre los electrones y huecos se producirá
reducir, y se debe a que los estados de energía permitida no se
en la región de carga espacial, y en una franja dentro de ésta, podrán siendo n la densidad de portadores en condiciones de degeneramiento,
se alcanza la condición de inversión. El diodo np a utilizar suele ser dentro de la zona activa, W el ancho de la RCE, y τ el tiempo de
extremadamente dopado, alcanzando ya en equilibrio termodinámico recombinación característico para emisión estimulada.21
el estado de degeneramiento de uno de los portadores. La Figura 8.8 Las características optoelectrónicas de salida del diodo láser se
muestra un diodo np de este tipo en equilibrio termodinámico (parte evalúan midiendo la potencia radiante de salida en función de la
a), y en condiciones de inyección (parte b) tales que se alcanza la corriente inyectada al diodo, deseándose la mayor potencia radiante y
condición de inversión dentro de la RCE. la menor corriente de inyección posible. Para corrientes bajas, el
diodo láser funciona como un LED ya que la concentración de
electrones y huecos inyectados es insuficiente para alcanzar el estado
de inversión necesario. Al alcanzar una corriente crítica Ic, el diodo
comienza a funcionar como diodo láser. La Figura 8.9 muestra
esquemáticamente la curva de potencia de salida en función de la
corriente inyectada, mostrando el quiebre observado al pasar de
funcionamiento como LED al funcionamiento láser. Los gráficos
insertos muestran los espectros correspondientes a las distintas
situaciones, y se observa que cuanto mayor es la potencia óptica de
Figura 8.8: La parte (a) muestra el diagrama de bandas en equilibrio
termodinámico de una unión pn donde el dopaje de ambas regiones es salida, tanto más es reforzado un modo particular de emisión. Esto se
elevado y produce estado de degeneramiento. La parte (b) muestra la debe nuevamente a que la emisión estimulada depende de la
unión bajo la aplicación de una tensión V tal que produce inyección de
portadores. En la RCE se forma una región de inversión. concentración de fotones presentes, y tendremos mayor emisión
estimulada para el modo con mayor emisión.
La densidad de corriente del diodo láser viene dada
fundamentalmente por la recombinación en la región de carga
espacial (RCE),
⎛ ⎛ V ⎞ ⎞
J = J 02 ⎜ exp ⎜ ⎟ − 1 ⎟⎟ , (8.17)
⎜
⎝ ⎝ Vtn2 ⎠ ⎠
con
qnW
J 02 = , (8.18)
τ
21 Ver por ejemplo K. Seeger, Semiconductor Physics, 7ma ed. (Springer, Berlin, 1999), 430.
para alcanzar la condición de laseo. Además, las variaciones de
temperatura conllevan el corrimiento de la longitud de onda de
emisión debido a la dependencia de Eg con T.
Para el control de la potencia óptica de salida, se monitorea Popt
mediante un diodo fotodetector que capta una pequeña fracción de la
radiación emitida. La señal de este diodo monitor es utilizada por un
sistema de control que regula la corriente del diodo láser.
Figura 8.9: Curva esquemática de emisión de un diodo láser. Los

gráficos insertos muestran el espectro de emisión correspondiente a
las distintas regiones de la curva. Para corrientes de inyección bajas,
no se alcanza la inversión, y el espectro de emisión es idéntico al de
un diodo LED. En la región intermedia de la curva, se observa una
amplificación de algunas longitudes de onda, mientras que después de
la corriente crítica Ic, el diodo funciona como láser, amplificando un
modo principal con gran preponderancia sobre los restantes. Figura 8.10: Curvas de emisión de diodos láser en función de la
temperatura. Con mayores temperaturas, es necesario inyectar
La corriente crítica de funcionamiento como láser depende mayores corrientes para alcanzar la condición de laseo. No todos los
exponencialmente de la temperatura según diodos LASER presentan una relación lineal entre Popt e I a partir de
Ic ⎛T ⎞ Ic como sugiere esta figura.
Jc = ∝ exp ⎜ ⎟ , (8.19)
A ⎝ T0 ⎠
8.4 Tipos de diodos LASER
donde T0 es una temperatura característica, típicamente del orden de
El diodo LASER realizado con una simple unión pn no resulta
T0 ≈ 50 − 200 K . Debido a la dependencia exponencial, el
eficiente, debido a que presenta elevadas pérdidas ópticas. En primer
funcionamiento del diodo a Popt = cte. requiere un estricto control de
lugar, la onda electromagnética de la radiación emitida abarca una
la temperatura del diodo. La Figura 8.10 muestra la potencia óptica
región mucho mayor (del orden de λ) a la zona de inversión. Fuera de
de salida según la temperatura del diodo. El funcionamiento a
la zona de inversión, la absorción de radiación es muy eficiente,
mayores temperaturas implica la inyección de corrientes mayores
perdiéndose una fracción importante de los fotones emitidos. Por ello, cuales no absorben la luz emitida en el GaAs. Además, la capa de
una simple unión pn requiere una inyección de portadores elevada GaAs debe ser muy estrecha, favoreciendo la concentración de los
para alcanzar un flujo de fotones suficientemente elevado en la región fotones emitidos.
de inversión. Esto conlleva una corriente crítica tan elevada que el
diodo puede ser operado únicamente por muy breves períodos de
tiempo, es decir en forma pulsante, o en modo contínuo pero
extremadamente refrigerado.
La operación continua de un diodo láser exige por lo tanto un diseño
tal que la onda de luz se extienda mayormente allí donde su absorción
es mínima: en la región de inversión. Láseres optimizados de esta
forma poseen corrientes críticas tales que pueden ser operados a
Figura 8.11: Diagrama de bandas en un diodo láser de doble
temperatura ambiente y en modo contínuo.
heteroestructura de GaAlAs en equilibrio (parte a) y bajo la aplicación
La optimización óptica del láser comienza suprimiendo la de una tensión en directa tal que provoque condiciones de inversión
en la región central de GaAs.
proliferación de modos ópticos indeseados, para que la mayor parte de
los fotones emitidos contribuyan a un único modo principal y así se Un mayor confinamiento óptico se alcanza, en distinto grado, en los
optimice la emisión estimulada. Las superficies reflejantes necesarias láseres guiados por ganancia, y láseres guiados por índice.
en dos de las seis caras opuestas del diodo son realizadas mediante el
8.4.1 Diodos guiados por ganancia
quiebre controlado del monocristal del semiconductor, cuyo grado de
Durante la operación de diodos láser guiados por ganancia se forma
perfección brinda superficies extremadamente paralelas. A las demás
una “fibra óptica virtual” a lo largo de la unión, explotándose la
superficies se las dota de una rugosidad tal que no puedan funcionar
propiedad que cuanto mayor es la densidad de portadores de carga,
como espejos, evitando la proliferación de modos perpendiculares al
mayor es el índice de refracción, de acuerdo a la ecuación
deseado para la emisión. Además se recurre al confinamiento
q 2λ 2 ⎛ n p ⎞
óptico de la onda de luz. El confinamiento óptico se practica nS (n, p) = ε S + ⎜ * + * ⎟. (8.20)
8π ε 0c0 ε S
2
m
⎝ e m h ⎠
realizando diodos cuya estructura funcione como guía de onda por
Esta ecuación nos indica que zonas con alta concentración de
refracción total para la radiación emitida. El efecto de guía de onda se
portadores poseerán mayor índice de refracción que otras con
alcanza modificando el índice de refracción a los lados de la región
menores concentraciones. Es decir que naturalmente, la región de
activa. Así surgen los láseres de doble heteroestructura, tal como el
inversión (donde n y p son máximas conjuntamente) posee un mayor
mostrado en la Figura 8.11. La región activa de GaAs se encuentra
índice de refracción. Esto confiere cierto confinamiento óptico en la
entre dos capas de AlGaAs de mayor ancho de banda prohibida, las
dirección del eje z de la Figura 8.12. En los láseres guiados por
ganancia, además, se provee de un confinamiento óptico en la
dirección y mediante la inyección de portadores a lo largo de una
franja. Resulta entonces un escalonamiento del índice de refracción
en las direcciones z e y, formándose una suerte de canal óptico.
Láseres de este tipo reducen notablemente las pérdidas por absorción
de fotones ya que la onda electromagnética no se extiende demasiado
a zonas donde no existe inversión. Consecuentemente, se obtiene una
Ic mucho menor a la que tendría una unión pn sin optimizar, y
pueden ser operados a temperatura ambiente.
La Figura 8.12 muestra la realización de un diodo láser de GaAs
guiado por ganancia. Su contacto superior se encuentra aislado por
SiO2, excepto a lo largo de una franja orientada según el eje en el que
se desea la emisión de radiación. Debido a que el contacto superior del
Figura 8.12: Vista de un diodo láser de GaAs, infrarrojo, guiado por
láser inyecta portadores sólo a lo largo de la franja, se obtienen ganancia. La emisión de radiación ocurre en dirección perpendicular
concentración n,p, y por tanto un mayor valor de nS en la zona al papel. Las líneas punteadas representan las líneas de flujo de
corriente eléctrica.
situada directamente bajo el contacto, en comparación con las zonas
alejadas de la zona de inyección de portadores. En la Figura 8.13 se muestra otro tipo de diodo guiado por ganancia,
provisto de un contacto superior que forma una canaleta en “V” a lo
largo de la dirección de la cavidad resonante. La inyección de
electrones desde dicho contacto ocurre desde el vértice de la V hacia
abajo, formando un filamento muy delgado de portadores en exceso.
Figura 8.13: Vista de un diodo láser tipo V-groove de GaAs guiado por
ganancia. La emisión de radiación ocurre en dirección perpendicular
al papel. Las líneas punteadas representan las líneas de flujo de Figura 8.14: Vista superior a la altura de la capa activa de un diodo
corriente eléctrica. láser guiado por índice. A la derecha se muestra la variación del
índice de refracción en función de la posición x.
8.4.2 Diodos guiados por índice
Para la selección de materiales de acuerdo al índice de refracción
Los diodos guiados por ganancia posseen la desventaja que el grado
puede realizarse directamente en función del ancho de banda
de confinamiento óptico viene dado por la corriente de operación, ya
prohibida, ya que nS es menor cuanto mayor es el ancho de banda
que la concentración de portadores, y en consecuencia, el índice de
prohibida, siguiendo la ley empírica de Moss
refracción de la capa activa, depende de la corriente inyectada. Un
nS4 E g ≅ cte. (8.21)
mayor control sobre el confinamiento óptico se logra al realizar una
Debido a que la radiación emitida ocurre naturalmente en la dirección
guía de onda dentro del diodo es utilizar materiales de diferente
del eje formado por las superficies reflejantes, la reflexión total
índice de refracción en la dirección lateral del diodo. En la Figura 8.14
interna se alcanza con un escalonamiento leve de los índices de
tenemos la vista superior sobre la capa activa de un diodo guiado por
refracción, valiendo generalmente ΔnS < 1 %.
índice, mostrando el efecto de guía de onda conferido por las capas
La doble heteroestructura en la dirección de la unión pn se sigue
laterales, de menor índice de refracción. A la derecha se muestra un
respetando también en este caso, obteniéndose en suma una
gráfico del escalonamiento del índice de refracción.
cuádruple heteroestructura. La Figura 8.15 muestra un láser
infrarrojo de In1-xGaxAsyP1-y con confinamiento óptico tanto en las
direcciones perpendicular a la emisión y vertical al diodo. Con este
material, Eg viene puede ajustarse de acuerdo a las relaciones
estequiométricas x e y, entre los valores 0.8 y 1.2 eV. Este rango de Eg
corresponde a longitudes de onda entre 1000 y 1700 nm. Es posible
entonces realizar diodos emitiendo exactamente a 1550 nm, longitud
de onda para la cual las fibras ópticas de SiO2 poseen mínima lo largo del sentido requerido para la reflexión de la onda. En la
abosorción. Figura 8.16 (izquierda) vemos la sección de un diodo láser tipo DBR
(Distributed Bragg Reflector), que posee dos capas de material
corrugado a los lados de la región donde se inyectan los portadores,
logrando efectivamente una alteración periódica del índice de
refracción. Cada región corrugada constituye entonces el “espejo” de
Bragg.
Figura 8.15: Diodo láser cuya capa activa de InGaAsP posee

confinamiento óptico en dos sentidos.
8.4.3 Diodos tipo DBR y DFB

Figura 8.16: Corte de un diodo láser de espejo de Bragg distribuido
De acuerdo a la ec. (8.10), la longitud L del diodo láser define la (DBR) (izquierda), y de un diodo láser de retroalimentación
separación de modos de emisión dada por la ec. (8.11). Los láseres distribuida (DFB).
analizados hasta ahora poseen una longitud L del orden de 500 μm, La parte derecha de la Figura 8.16 muestra otra versión donde toda
tal que Δλ es pequeño, resultando un espectro de emisión láser con la capa activa se encuentra directamente bajo la zona corrugada. Este
múltiples líneas de emisión. De acuerdo a la ec. (8.10), se podría tipo de dispositivo se denomina láser tipo DFB (Distributed Feedback
disminuir la cantidad de modos reduciendo la longitud L. Sin Bragg Reflector).
embargo, la tecnología presenta restricciones respecto al tamaño Análogamente a la estructura de diodo láser tradicional, formada con
realizable de los diodos, y además, en un láser muy pequeño se espejos paralelos dados por los límites físicos del diodo, para una
pueden inyectar una cantidad muy limitada de portadores, resultando estructura de Bragg con periodicidad Λ, se obtienen ondas
una potencia radiante extremadamente baja. estacionarias cuando
Para disminuir la cantidad de modos del láser sin reducir la cantidad 1 λ
Λ=m (m ∈ ) . (8.22)
de portadores inyectados, se realiza una suerte de distribución 2 ns
Como en este caso Λ << L, la separación de modos es tan grande que
espacial de las superficies reflectantes, o reflectores de Bragg. Un
el láser emite radiación correspondiente a un único modo. Esta
reflector de Bragg posee cambios periódicos del índice de refracción a
propiedad confiere a los láseres semiconductores tipo DBR y DFB las
características espectrales más puras alcanzadas actualmente con
láseres semiconductores, y por ello se los utiliza en sistemas de
comunicaciones de alta velocidad con fibras ópticas.
8.4.4 Diodos de pozos cuánticos y diodos VCSEL
La heteroestructura doble de la Figura 8.17, se ha realizado con una

capa intermedia de GaAs del orden de los 10 nm, del orden de la
longitud de onda asociada al movimiento de los electrones, de forma
tal que se ha generado un pozo cuántico bidimensional. Los electrones
dentro del pozo se hallan confinados y sólo pueden asumir algunos Figura 8.17: diagrama de bandas de una heteroestructura doble,
donde la capa intermedia es tan angosta que se forma un pozo
niveles de energía discretos. A diferencia del pozo de potencial cuántico de potencial para los portadores. Los niveles de energía
tridimensional, donde la densidad de estados tiende a cero cuando nos dentro del pozo son discretos y permiten definir la energía de emisión
con gran exactitud.
acercamos a los bordes de las bandas, en el pozo de potencial
bidimensional la densidad de estados es constante, no se anula, y los Un láser con un único pozo de potencial emite una densidad de
estados del menor nivel discreto del pozo estarán mayormente fotones relativamente baja porque el volumen donde se inyectan los
ocupados. De este modo puede definirse muy exactamente la energía portadores es extremadamente pequeño. Mayores potencias ópticas
de emisión hν y lograr un láser monomodo. Las pérdidas son mínimas de salida se obtienen al realizar secuencias de pozos de potencial,
ya que la región activa es extremadamente estrecha y los estados todos con el mismo espesor, de forma que todos emitan a la misma
permitidos para la absorción se hallan vastamente ocupados. Resulta longitud de onda y actúen conjunatemente para la amplificación de
así una corriente crítica menor a los láseres de heteroestructura luz.
doble, y, adicionalmente, una menor dependencia de Ic con la La estructura de láser vertical (VCSEL: vertical cavity surface
temperatura. emitting LASER) emite la luz en el plano del diodo, utilizando

típicamente uno o varios pozos cuánticos como capas activas. En la
Figura 8.18 puede verse una vista esquemática de un diodo VCSEL
de capa activa de InGaAs para emisión entre 900 y 1000 nm. Como el
espesor del pozo cuántico es mucho más corto que la longitud de la
onda, la cavidad resonante es realizada con capas con un espesor de
λ/4 a ambos lados de las capas activas, que constituyen un espejo de
Bragg. Cada interfaz entre capas aporta a la reflectividad de la onda Además de ser posible la emisión monomodal, una ventaja
de luz, tal como se sugiere con las líneas punteadas en la Figura 8.18. interesante de este tipo de diodos, es que pueden realizarse con
En realidad, se alcanza una alta reflectividad únicamente con muchas simetría cilíndrica alrededor de un eje, lo cual confiere alta simetría
más capas que las mostradas en la Figura 8.18. al perfil de intensidad emitido. Esta característica posibilita un
acomplamiento elevado de la luz a fibras ópticas. Otra ventaja es que
los diodos pueden probarse antes de ser cortados individualmente de
la oblea de semiconductor, lo cual reduce los costos de producción y
permite un mejor control de calidad a lo largo del proceso de
fabricación.
Figura 8.18: corte de un diodo VCSEL de emisión superficial. La capa

activa es un pozo cuántico de InGaAs, y la cavidad resonante se
construye con reflectores de Bragg por encima y por debajo de la capa
activa. La línea discontinua central indica la simetría cilíndrica del
diodo.
En aplicaciones de comunicaciones por fibras ópticas de alto

rendimiento, los VCSEL son provistos de varios pozos cuánticos para
alcanzar potencias de salida suficientemente elevadas. La desventaja
de este tipo de estructuras es su elevada complejidad dada por el gran
número de capas.
Glosario 199 Glosario 200
Ohm, Ley de ......................................4 amorfo ..........................................31
potencial monocristalino ...............................3
Glosario de difusión ...................................96 movilidad
absorción de salida .....................................120 potencial electroestático .................72 en Si monocristalino ....................77
constante de........................... 56, 60 libre (F) ........................................37 pureza ..............................................66 tensión térmica................................78
fundamental ................................57 nivel de vacío .............................120 recombinación tiempo de vida .................................86
afinidad electrónica....................... 120 potencial electroestática..............34 de Auger.......................................63 unión pn
ancho espectral total (U)........................................37 en equilibrio.................................53 análisis electroestático ................94
en LASER .................................. 182 entropía ...........................................37 en la zona de carga espacial...... 108 diagrama de bandas ....................52
en LED ....................................... 160 espectro de emisión radiante........................................63 VCSEL ...........................................196
Andersson, regla de....................... 120 en LASER ..................................180 regla de la palanca ..........................43 velocidad
banda de energía.............................25 en LED .......................................159 rendimiento máximo.......................67 del electrón...................................34
banda prohibida ..............................27 Fermi Schrödinger, ecuación de ................28 zona de carga espacial.....................96
Beer, ley de......................................56 distribución de .............................37 silicio capacitancia .................................99
bifurcación de estados.....................25 nivel intrínseco ............................51
Boltzmann niveles de quasi-Fermi ................54
aproximación de ..........................40 flujo espectral ................................158
campo eléctrico................................72 fotocorriente ............................92, 107
capacitancia generación
de diodo MOS............................. 124 bajo iluminación ..........................67
cavidad resonante ......................... 177 en equilibrio .................................53
celda primitiva ................................27 Heissenberg, relación de ...............182
constante de difusión ......................77 impurezas ............................43, 64, 71
continuidad, ecuaciones de .............80 inversión
corriente crítica ............................. 185 en LASER ..................................172
corrientes en MOS ......................................126
de portadores ...............................74 en MOSFET ...............................137
DBR, DFB...................................... 194 LASER
densidad condiciones necesarias...............181
de carga........................................71 curva J(V)...................................184
de electrones y huecos .................38 diagrama de bandas ..................188
densidad de estados ........................35 guiado por ganancia ..................189
diagrama guiado por índice .......................191
de bandas .....................................49 longitud de difusión ........................87
donores y aceptores masa efectiva...................................33
ionizados ......................................46 momento cristalino..........................32
niveles de energía........................45 Moss, ley de ...................................192
eficiencia cuántica externa ........... 162 movilidad
energía definición......................................75
cinética.........................................33 y velocidad media ..........................9
de Fermi.......................................37 nivel de inyección ............................55

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1 Fundamentos de la conductividad eléctrica.....................................1 4.1.6 Recombinación en la región de carga espacial.................

Si bien la Figura 1.1 muestra un único tipo de núcleos atómicos, en

1.2 Ley de Ohm

de cada electrón depende del tiempo transcurrido después de una

mientras que los que colisionaron anteriormente tienen vE > 0, y los

que colisionaron muy anteriormente, tienen vE >> 0. El tratamiento

de estos tiempos también es estadístico, y resulta que en promedio,

Figura 1.3. Modelo de “colisiones” que sufre un electrón acelerado

v = μnE . (1.8) cambio, sabemos de qué parámetros microscópicos del material

qτ conducción cuanto mayor es la temperatura. La formulación exacta de

y por comparación con la ec. (1.4), obtenemos la ecuación de la

una aleación, siempre es mayor a la resistividad de cada uno de los superconductores.

temperatura de trabajo, etc.

Figura 2.1: proceso de absorción (parte a) y recombinación con

3 El potencial electrostático de los núcleos atómicos es el que necesitamos para formular la

transparentes a fotones con hν < E g .

En la Figura 2.2 vemos que por debajo de un espaciado entre átomos

eficientemente debido a la recombinación. estructura cristalina determinada, se recurre a la resolución de la

ecuaciones de la cuántica para obtener las bandas de la Figura 2.2.

valiendo exactamente en la cantidad a1, dispondrán de un mismo conjunto de

punteadas en la Figura 2.5. fotovoltaica, no requieren un conocimiento de la función D(E) más

entonces dada por

mientras que para energías cercanas al borde de la banda de valencia,

Los estados permitidos para electrones en las bandas de energía se

estadística que indica la energía media del conjunto de electrones del

unidad de energía se muestran en la Figura 2.7, donde también se energías E = EC y E = ∞, respectivamente5

punteadas). valiendo una ecuación análoga para calcular la densidad de huecos p

es algún vector de onda sino la constante de Boltzmann que

total de electrones en la banda de conducción y de huecos en la banda estados

de valencia. La densidad total de electrones n en la banda de

5 Es posible simplificar la integración fijando el límite superior al infinito, porque la función de

donde producto np, obtenemos

⎛ E /2⎞ reciben el nombre de átomos donadores. Los aceptores podrán

donadores ionizados, es igual a la concentración total de donadores

electrones en el nivel ED, ligados a sus respectivos átomos donadores,

de n o p está ligado forzosamente a un drástico decremento de p o n.

2.4 Diagrama de bandas

Figura 2.10: diagramas de bandas para tres semiconductores de

En el caso de semiconductores degenerados, el nivel de Fermi puede

⎛ E − E Fp ⎞ Tabla 2.2: Clasificación de niveles de inyección en semiconductores de

Absorción en semiconductores directos. La Figura 2.13a

Figura 2.15: Procesos fundamentales de absorción directa y

Se define recombinación radiante al proceso de recombinación

y R = Rrad + RAuger + RSRH , (2.47)

⎛ E − EC ⎞ donde Rrad corresponde a la suma de todos los mecanismos de

pueden ser reducidas mediante purificación de los materiales ya que

2.5.3 Tasa de generación bajo iluminación valencia, es decir recombinar.

Dado un nivel de iluminación, cuál es la tasa de generación de pares

Kurt Taretto – Apunte de Elementos de Electrónica y Optoelectrónica – 2013

donde ε 0 (típicamente en Farad/cm) es la constante dieléctrica del

vacío y ε S la constante dieléctrica relativa del semiconductor.

Además, el campo eléctrico se relaciona al potencial electrostático ψ

donde incluimos las concentraciones pt y nt de defectos positiva y

EC E + Eg E • los gradientes de temperatura ∇T , que de acuerdo a

3.2 Corrientes de movimiento de los portadores de carga en cada caso, y el sentido

Las conductividades σ n, p de electrones y huecos son directamente ⎛ V dn ⎞

3.3 Ecuaciones de continuidad

funcionamiento de electrones hacia el interior que expresamos según la ec. (3.11):

Aplicando las condiciones de borde en x = 0 y x = ∞, resulta B = 0, y

decaimiento está dada por la cantidad Dnτ n , y de ahora en más la

denominamos longitud de difusión de electrones

Análogamente, cuando los huecos son portadores minoritarios

5. En una célula solar se necesita que los portadores generados por