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Estructura Cristalina

TEMA 2
ESTRUCTURA CRISTALINA Y AMORFA
1. ESTADO CRISTALINO Y AMORFO
La estructura fsica de los materiales slidos, depende principalmente de la disposicin
de los tomos, iones o molculas que constituyen el slido y de las fuerzas de enlace entre
ellos. La existencia del slido necesita de la unin de gran cantidad de agrupaciones individuales unidas, de forma estable y permanente. El estudio de estas uniones y la organizacin
resultante son fundamentales, pues van a condicionar grandemente los comportamientos de los
slidos. El estado slido presenta dos formas fundamentales: el estado cristalino y el estado
amorfo.
Si los tomos o iones de un slido se ordenan en una disposicin que se repite en tres
dimensiones, forman un slido que se dice tiene una estructura cristalina y nos referiremos a l
como un slido cristalino o material cristalino, este arreglo o disposicin de los tomos desempea un papel importante en la determinacin de la microestructura y del comportamiento
de un material slido; en los metales este ordenamiento le confiere una ductilidad excepcional,
mientras que en otros materiales lo que produce es una gran resistencia. Por el contrario
existen otros slidos en los que sus estructuras no estn compuestas por unidades tridimensionales repetitivas de tomos, que denominaremos slidos no cristalinos o amorfos, estos slidos
sin embargo, pueden mostrar algn orden local, ya sea en la forma de poliedros de coordinacin regulares o de molculas de cadena larga; pero carecen del orden de largo alcance propio
de los cristales porque sus subunidades estn empaquetadas al azar; el comportamiento heterogneo de los polmeros, tales como el caucho o hule, el polietileno y el epoxdico, es causado
por variacin en el arreglo atmico.
El estado cristalino presenta una cierta regularidad externa que permite la apreciacin
de planos y ngulos diedros en su configuracin, dando origen a formas polidricas mas o
menos complejas. Por tanto los tomos, iones, molculas o conjunto de molculas se repiten

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peridicamente en las tres direcciones del espacio, ocupando posiciones definidas, alrededor
de las cuales pueden efectuar vibraciones.
Para cada sustancia cristalina, los ngulos que forman dos caras son siempre los
mismos, an cuando vari la forma externa o hbito del cristal (Ley de constancia de los
diedros). Por el contrario el estado amorfo se caracteriza por la irregularidad de forma con
respecto a las direcciones que se puedan considerar.
El estado cristalino presenta variacin en las propiedades segn la direccin del cristal
que se considere, cosa que no ocurrir en el estado amorfo, como consecuencia de su irregularidad en la distribucin atmica, Fig. 1, en principio por tanto un cristal es un material anistropo.

Figura 1
Podemos distinguir tres niveles de organizacin de los tomos: Desordenacin. Se
da en los gases y en algunos lquidos, los tomos y molculas se distribuyen aleatoriamente en
el espacio donde estn confinados, careciendo de un arreglo ordenado. Ordenamiento de
corto alcance. El arreglo de los tomos se restringe solamente a tomos circunvecinos. Se
presenta en la mayora de los polmeros y en algunos cristales cermicos. Ordenamiento de
largo alcance. Se presenta en los metales, en muchos materiales cermicos y en ciertos polmeros. Los tomos se encuentran formando un patrn reticular repetitivo denominado celdilla.
Como consecuencia, cada tomo tiene un ordenamiento particular de corto alcance, as como
un ordenamiento de largo alcance ya que la celdilla est distribuida de forma uniforme en todo
el material.

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2. ESTRUCTURAS CRISTALINAS
La estructura de los cristales esta caracterizada como ya hemos comentado, por un
apilamiento simtrico de los tomos en el espacio denominado red cristalina, que es propio de
cada elemento. Puesto que la estructura de un cristal perfecto es un diagrama regular de
tomos, distribuidos en una red espacial, los ordenamientos atmicos pueden describirse
totalmente, especificando las posiciones atmicas de alguna unidad repetitiva de la red espacial, a la cual hemos denominado celda unitaria y corresponde al ms pequeo elemento que
permite reproducir toda la red por traslacin.
Una celdilla unitaria es una figura espacial geomtrica que representa la agrupacin en
el espacio de todos los tomos del cristal. En esta celdilla, cada posicin atmica es idntica a
cualquier otra. Suponiendo los tomos esferas rgidas, estos ocuparn los vrtices, centros de
cara, aristas o centros del cuerpo de la figura geomtrica que representa la celdilla.
Las distintas estructuras sern las distintas formas en que las esferas se pueden apilar
en el espacio. Solamente ciertas formas geomtricas se pueden repetir peridicamente para
llenar el espacio. Se puede demostrar que hay 32 agrupaciones permisibles de puntos alrededor
de uno central, lo que da lugar a 14 redes espaciales diferentes agrupadas en siete sistemas.
Cada sistema, representado por una celdilla unitaria, est definida por los ejes y los ngulos
que forman entre ellos. A estas catorce redes se las denomina redes de Bravais, Fig. 2.
Las caractersticas geomtricas de una red se describen ms fcilmente con relacin a
la celdilla unidad, en la que se suele fijar un origen de coordenadas, y definir con relacin a
ellas las direcciones, planos y posiciones atmicas en cada caso.
3. CARACTERSTICAS DE LAS PRINCIPALES REDES CRISTALINAS DE LOS
METALES
Aunque 14 estructuras parecen demasiadas para abordar su estudio, afortunadamente la
mayora de los metales cristalizan en tres redes espaciales: la red cbica centrada (CC), la red
cbica de caras centradas (CCC) y la red hexagonal compacta (HC). Tambin casi todas las
cermicas, aunque con estructuras ms complejas al mezclarse en la misma red tomos de

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distintos elementos, y por tanto de distinto tamao, solidifican en estas estructuras bsicas.
Como consecuencia el estudio cristalogrfico detallado se har sobre estas tres estructuras.

Figura 2
Existen una serie de parmetros que dan idea de la compacidad de la agrupacin y que
condicionan algunos comportamientos. Por tanto antes de abordar el estudio particular de cada
estructura, vamos a definir o exponer estos conceptos.

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Parmetros de la red.
Empezaremos definiendo los parmetros de una red, dado que son los que caracterizan
una agrupacin espacial particular. Estos parmetros reticulares definen el tamao y la forma
de la celdilla. Dependiendo de la red, esta quedara definida por las dimensiones de los lados (a,
b, c), y a veces, tambin nos har falta definir en algunas redes complejas los ngulos ( , , ).
En las tres redes principales que estudiaremos, los ngulos estn definidos por la propia forma
de la estructura.
ndice de coordinacin.
Se define como ndice de coordinacin (IC) de una red cristalina con relacin a un
tomo dado, al nmero de tomos de la misma naturaleza que, equidistando de l, son sus
vecinos ms prximos, y nos da idea del grado de empaquetamiento. Este valor est muy
influenciado en los slidos inicos por los tamaos de los cationes y aniones, as cmo por su
carga elctrica.
Radio atmico.
Se llama radio atmico a la mitad de la distancia entre los centros de dos tomos
contiguos. Se calcula a lo largo de las direcciones compactas de la red, este radio es una
medida del tamao de la esfera que se supone el tomo para agruparlo, y es la semidistancia
del enlace. El valor del radio atmico aumenta con el IC. Al ser la agrupacin espacial una
caracterstica geomtrica, el radio atmico est relacionado con los parmetros de longitud de
la red. En todo momento se supone en una estructura cristalina, que los tomos se estn
tocando siempre que puedan.
Factor de empaquetamiento atmico.
Es la relacin entre el volumen que ocupan los tomos, suponiendo que sean esferas
slidas, en la celdilla elemental y el volumen de la celdilla. Es decir, es la relacin en tanto por
uno del volumen ocupado frente al total. Da una idea importante de la densidad del apilamiento.

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Densidad terica:
A partir del conocimiento de una estructura cristalina, se puede determinar la densidad
terica de un material en funcin de parmetros cristalogrficos, se calcula dividiendo la masa
de los tomos que hay en el interior de cada celdilla entre el volumen de dicha celdilla. Como
se ve, se puede calcular la densidad de un slido cristalino conociendo su masa atmica, su
radio atmico y su estructura cristalina.
Tambin son tiles otras densidades como: Densidad atmica volumtrica: Es el
nmero de tomos por unidad de volumen. Densidad atmica superficial: Es el nmero de
tomos por unidad de superficie en un plano cristalogrfico determinado, o la densidad atmica lineal: Es el nmero de tomos por unidad de longitud en una direccin determinada.
Plano compacto
En una agrupacin espacial ordenada, se pueden definir planos y direcciones muy
tiles en el estudio del comportamiento de los materiales. Dentro de estos planos tienen un
papel fundamental en el comportamiento mecnico los denominados compactos. Un plano se
dice que es compacto cuando tiene la mxima densidad atmica posible. Esto quiere decir que
todos los tomos estn tocando a todos sus vecinos.
Direccin compacta.
Una direccin se dice que es compacta cuando cada tomo es tangente al que le
precede y al que le sigue, y por tanto tiene tambin la mxima densidad atmica lineal.
4. RED CUBICA CENTRADA
Esta red est representada por un cubo en el que los tomos del elemento ocupan los
vrtices y el centro del cubo. Es importante conocer el nmero de tomos por celdilla. Para
ello se considera que un tomo pertenece a la celdilla, si esta completamente dentro de ella,
suponiendo que el resto de tomos solo pertenecen a la celdilla la parte de volumen que se
encuentra dentro de la misma, as: el nmero de tomos situados en el interior de la celdilla es
2, uno en el centro del cubo y 1/8 en cada uno de los vrtices, Fig. 3, es decir 1 + 8(1/8).

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El parmetro de la red es a, que es la arista del cubo. Esta estructura, al ser un cubo
queda definida perfectamente por la arista. La relacin entre el parmetro a y el radio atmico
se puede obtener geomtricamente. En esta estructura los tomos son tangentes a lo largo de la
diagonal del cubo, siendo esta una direccin compacta. En esa longitud hay dos dimetros
completos, luego: 2D=4R.. Como la diagonal del cubo es a 3 , siendo a la arista del cubo,
nos queda que:
4R = 2D = a 3

R=

a 3
4

(1)

Figura 3
La densidad terica de la red seria:

N atomos x Peso atomico 2M a


=
Volumen
N a3

(2)

donde N es el nmero de Avogadro, Ma la masa atmica y el dos el nmero de tomos por


celdilla. El peso de un tomo es la masa atmica/N.

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Se puede obtener inversamente el parmetro de la red, conociendo la estructura cristalina de un elemento y su masa atmica. Lgicamente, este valor puede estar desvirtuado por la
existencia de defectos en la estructura, cmo se ver en el captulo siguiente. Despejando a de
la ecuacin anterior, se obtiene:
a=

2 Ma
N

(3)

El ndice de coordinacin de esta estructura es 8. Si se observa la figura 3, se ve


fcilmente que el tomo central es tangente a los ocho de los vrtices. Hay que tener en cuenta
que cada tomo ocupa posiciones idnticas con respecto a otro. El tomo central, puede ser a
su vez vrtice de otro cubo hipottico que se formara uniendo los tomos centrales de los
cubos vecinos, pasando los de los vrtices a ser centrales.
Planos y direcciones de mxima densidad
Las direcciones compactas estn formadas por las diagonales del cubo, por tanto el
sistema tendr cuatro direcciones compactas [111].
Factor de empaquetamiento para esta estructura, ser el volumen ocupado por los dos
tomos que la forman, dividido por el volumen total del cubo, luego:

Fe=

a 3
2 4/3
4
a

= 0,68

(4)

Lo anterior significa que, solamente el 68% del espacio est ocupado por esferas
rgidas que representan a los tomos.
Esta red es caracterstica de los metales Li, Na, K, Ba, Ti, V, Cr, Mo, Fe (ferrita), W.

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5. RED CUBICA CENTRADA EN LAS CARAS
En esta estructura la celdilla es tambin un cubo, pero donde los tomos ocupan los
vrtices y el centro de las caras de la celdilla, Fig. 4. Esta ordenacin corresponde al apilamiento ms compacto de esferas, junto con la hexagonal compacta. El parmetro de sta celdilla es

a igual que en el caso anterior.

Figura 4
El nmero de tomos situados en el interior de la celdilla es de 4, distribuidos de la siguiente
manera: Vrtices: 8 x 1/8 = 1, Caras: 6 x 1/2 = 3.
La densidad terica de la red la calculamos igual que en el caso anterior:

4 Ma
N a3

(5)

El parmetro en funcin de la densidad y de la masa atmica ser:

a=

4 Ma
N

(6)

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Para determinar la relacin entre el radio atmico y el parmetro de la celdilla, vemos


en la figura 4, que los tomos son tangentes a lo largo de la diagonal de una cara, luego:
4R = 2D = a 2

R=

a 2
4

(7)

El ndice de coordinacin es 12, que es el mximo para estructuras con los tomos del
mismo tamao. La tangencia se realiza en plano que corta al cubo diagonalmente, Fig. 5.

Figura 5
Factor de empaquetamiento para esta estructura ser:
a 2
4

4 4/3
Fe=

= 0,74

Cmo se ve el porcentaje de espacio ocupado es mayor que en la estructura cbica


centrada, que era de 0,68. El valor del factor de empaquetamiento es el mximo posible para
un modelo de esferas.
Esta red es caracterstica de los metales: Ca, Al, Fe, Ni, Pt, Cu, Ag, Au y Pb.

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(8)

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6. RED HEXAGONAL COMPACTA


Tiene como celdilla unitaria un prisma hexagonal, en el que los tomos estn colocados en los vrtices y en el centro de las bases. Dentro del prisma entre ambas bases se colocan
otros tres tomos sobre los que se apoyan las bases del prisma. Fig. 6, es decir, en los tres
tringulos no adyacentes de la base media. La red queda caracterizada por el lado del hexgono
de la base (a) y la altura del prisma (c), luego los parmetros de esta red son dos a y c.
Cada tomo de los vrtices pertenecer a 6 celdillas, o, lo que es lo mismo, slo 1/6
del tomo se considera especficamente asociado a cada vrtice.

c0

a0
a0

Fig. 6
Los tomos situados en el centro de las bases solo son compartidos con la celdilla contigua,
y los tres tomos del centro pertenecen exclusivamente a la celdilla que los contienen. El
nmero de tomos por celdilla unidad ser 6. Vrtices : 12 x 1/6 = 2, Bases: 2 x 1/2 = 1 y
Centro: 3 x 1 = 3.
Esta red est formada por la superposicin de planos de mxima compacidad. Imagnense como analoga, bolas de billar situadas sobre un plano de la forma ms compacta posible, dejando el mnimo espacio, Fig. 7, sobre este plano se coloca otro con la misma configuracin. El tercer plano, idntico a los anteriores, se puede colocar de manera que coincida en
proyeccin con el primero, o, que est desplazado con respecto a este. En el primer caso se
obtiene la estructura HC y en el segundo la CCC, Fig. 7. Se ve que las estructuras CCC y HC

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son muy similares, si consideramos los apilamientos de planos, pero son muy diferentes
tridimensionalmente. La celdilla hexagonal compacta se dice que sigue un apilamiento
ABAB..., y la CCC, ABCABC.....

Figura 7
La densidad de la red se puede calcular de la siguiente forma:

Masa
6 Ma 1 6 Ma
1
=
=
6
a
Volumen
N V
N
a 3/4 c
2

(9)

donde V es el volumen del exgono.


El radio atmico es la mitad de la arista de la base, (r=a/2). El ndice de coordinacin
en este caso es 12. Considrese un tomo del centro de una base, es tangente a los seis de los
vrtices y a los 6 que estn apoyados en el centro del prisma por encima y por debajo.

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Geomtricamente, considerando que las esferas en cada plano se apoyan libremente
unas sobre otras, se puede demostrar que la relacin terica de la altura del prisma est relacionada con el lado de la base. Esta relacin es: c/a = 2 2/3 = 1,633 . El valor anterior es ideal
y no siempre la siguen todos los materiales que cristalizan en el sistema HC. En algunos caso
la altura es mayor que 1,633, alargndose el prisma, en otros casos c/a<1,633 lo que hace que
los tomos estn ligeramente comprimidos en la direccin del eje c.
El valor de la relacin c/a caracteriza la deformabilidad o fragilidad de los materiales que
cristalizan en el sistema hexagonal.
Esta red es caracterstica de los metales: Ti, Co, Zr, Be, Mg, Zn.
7. NDICES DE MILLER
Frecuentemente es til especificar los puntos, direcciones o planos, situados en posiciones equivalentes de los cristales. Para identificar de alguna manera estos parmetros y
definir espacialmente unos planos y posiciones con respecto a otros, se utilizan unos ejes de
coordenadas que sitan el origen en una posicin atmica. A partir de estos ejes y de la celdilla
unitaria, se definen planos, posiciones y direcciones, muy tiles para estudiar el comportamiento de los materiales.
Los ndices de Miller son notaciones utilizadas para designar las rectas y planos
cristalogrficos en un sistema de ejes rectangulares X, Y, Z, Fig. 8.

Figura 8

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Segn un convenio universal, los ndices de un plano que corta a los ejes OX, OY, OZ,
en puntos de coordenadas m, n, p, son los ms pequeos nmeros enteros h, k, l, proporcionales a 1/m, 1/n, 1/p.
Un plano cristalogrfico queda as determinado por la terna (h k l), y son los recprocos
de las intersecciones de los cortes del plano con los ejes. Las unidades de medida son los
parmetros de la red en cada eje. Las aristas de cada celda son longitudes unitarias.
El proceso para determinar los ndices de Miller de un plano es el siguiente: Se determinan las intersecciones del plano con los ejes de la celdilla, estas pueden ser fraccionarias. A
continuacin se determinan los inversos de estos cortes y se eliminan los denominadores,
determinndose los tres nmeros enteros ms pequeos que estn en la misma proporcin que
los inversos de las intersecciones. Estos tres nmeros son los ndices de Miller. Ntese que
estos ndices no representan solamente un plano, sino un conjunto de planos paralelos equidistantes.
Si un plano cristalogrfico es paralelo a uno de los ejes coordenados, lo corta en el
infinito, y su ndice de Miller ser igual a 0. En la figura 9 se representan a titulo de ejemplo
tres de los ms importantes planos cristalogrficos de la red cbica.

Fig. 9
Si un plano corta a uno de los ejes en la parte negativa, el ndice de Miller es negativo,
lo cual se indica colocando sobre l un signo ( - ). As ( h k l ) .
Los ndices de Miller encerrados entre parntesis (), representan a la familia de planos
cristalogrficos paralelos entre s, mientras que los planos cristalogrficos equivalentes (es

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decir de igual posicin relativa pero diferente orientacin) se representan con los mismos
nmeros entre llaves {hkl}. Los planos equivalentes tienen la misma distribucin y densidad
atmica, as como el mismo valor absoluto de sus ndices de Miller. Estos planos son familias
de planos que ocupan posiciones idnticas con respecto a la red.
Las tres familias de planos cristalogrficos paralelas a las caras del cubo son aquellas
cuyos ndices de Miller son (001), (010), (100), por tanto las seis caras del cubo constituyen
un conjunto de planos cristalogrficos equivalentes, presentan la misma posicin pero distinta
orientacin, se pueden designar colectivamente cmo {100}.
Distancia entre planos
En el sistema cbico si llamamos d a la equidistancia del sistema de planos que consideramos, y a la longitud de las aristas del cubo fundamental, e indicamos por h k l, los tres
ndices de Miller que corresponden a dicho sistema de planos (hkl), la distancia entre ellos
viene dada por la expresin:

d hkl =

a
2

2
2
h +k +l

(10)

En la figura 10 se muestra un ejemplo.

Fig. 10

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8. NDICES DE MILLER DE UNA DIRECCIN
Las direcciones cristalogrficas son necesarias para determinar posiciones especficas,
hay que tener en cuenta que el comportamiento del cristal depende de la direccin que se
considere.
Para determinar los ndices de una recta cristalogrfica RS, se traza por el origen de
coordenadas una paralela a sta, y sobre ella se toma un nudo A arbitrario de coordenadas
(p,q,r), la recta vendr expresada en la forma
[uvw], entre corchetes en lugar de entre parntesis.
Los ndices de Miller son nuevamente nmeros
enteros, y en este caso las tres coordenadas enteras
ms pequeas, una vez transportada la direccin al
origen. En la figura 11 se muestran algunas direcciones de la red cbica. Las direcciones equivalentes, son conjuntos de direcciones con posiciones
idnticas con respecto a los tomos en la red, estas
se representan <uvw> y son todas las direcciones
Fig. 11

que resultan de combinar los tres ndices u, v, w


tanto con signo positivo como negativo.

Es til observar que una direccin de ndices determinados es perpendicular a los planos de
estos mismos ndices.

9. NDICES DE MILLER EN LOS CRISTALES HEXAGONALES


En este sistema se toman como ejes de referencia los tres
formados en la base por el hexgono a 120, y el cuarto eje, z, el
del prisma, Fig. 12.
Como consecuencia de aadir un eje ms aparece un cuarto
ndice, que ser entonces: (hkil). Entre estos ndices existe la
siguiente relacin: h + k + i = 0 y por tanto h + k = - i,. Los ndices
Fig. 12

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de las bases, planos de gran importancia en esta estructura son (0001), en las fig. 13 y 14 se
representan algunos planos tpicos de esta estructura.
Las direcciones en esta celdilla tambin estn formadas por cuatro ndices con las
mismas relaciones que en los planos. En la Fig. 14 se muestran algunas direcciones importantes para esta estructura.
La distancia entre planos en el sistema hexagonal quedara:

d hkl =

a
4/3 ( h 2 + hk + k 2 ) + (al/c )2

(11)

Fig. 13

Fig. 14

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10. ESTUDIO DE LOS HUECOS DE LAS REDES.
La existencia de huecos y sus tamaos son muy importantes a la hora de la formacin
de las soluciones slidas de insercin. Estos huecos y su nmero, van a posibilitar la formacin
de aleaciones, y son de gran importancia en la formacin de los cristales inicos. El estudio de
la situacin, tamao, forma y cantidad de los huecos son bsicos en el estudio de los materiales. Bsicamente existen dos tipos de huecos, los denominados tetradricos y los octadricos,
ambos correspondientes al hueco central de un tetraedro u octaedro respectivamente.
Vamos a estudiar la posibilidad de formacin de soluciones slidas de insercin en
funcin del tamao de los huecos existentes en el interior de la red.
I) Sistema CCC.
La red presenta dos tipos de huecos, uno en el centro del cubo y otro cuyo centro se
sita en el centro de las diagonales del cubo, a 1/4
del vrtice. Hagamos un estudio del dimetro
mximo que pueden tener los tomos que se siten
en estos huecos.
a) Intersticios octadricos.
El hueco octadrico ms tpico es el que se
sita en el centro del cubo, Fig. 15. La esfera del
tomo all situado ser a lo sumo, tangente a los dos
tomos situados en los centros de las caras, por
tanto, se ha de verificar.

AB = a = D + d

(12)

Figura 15

siendo a el parmetro de la red, D el dimetro atmico, d el dimetro atmico mximo que


puede entrar en el hueco considerado (dimetro del hueco), tendremos segn la figura 15:
d=a-D

32

(13)

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operando:
d = a -D= D

2 -D= D (

2 -1 )

d
= 0,41
D

(14)

Con esto deducimos que en el sistema CCC se originaran soluciones intersticiales sin
que se produzcan distorsiones en la red cuando se verifique la relacin d/D < 0, 41, mientras
que para d/D > 0,41, la distorsin tendr
lugar, siendo el valor mximo admisible
para que an se forme solucin intersticial 0,59. Cuando el tamao del tomo
es muy inferior a este hueco, la estabilidad se rompe y el tomo tiende a un
hueco ms pequeo, donde pueda
enlazarse con los tomos que le rodean
de forma estable.
Existe tambin el mismo hueco
en el centro de las aristas, figura 16, por
lo cual el nmero de huecos por celdilla
ser; 12 huecos por arista compartidos
cada uno por cuatro celdillas, 12/4=3
huecos, ms uno en el centro del cubo

Figura 16

son un total de 4 huecos/celdilla. Como


cada celdilla tiene cuatro tomos, existe un hueco octadrico por tomo. Luego el porcentaje

mximo de soluto que se podra formar en esta red es del 50%. En slidos inicos ser factible
esta estructura en compuestos tipo AB, con ndice de coordinacin 6.

b) Intersticios tetradricos.
Si d/D es muy inferior a 0,41, las esferas de los tomos del soluto pueden situarse de
tal forma que sus centros estn en la diagonal a 1/4 del vrtice; entonces cada uno de estos
tomos est rodeado de 4 tomos de disolvente, segn podemos ver en la figura 17. Cada
uno de estos huecos es el centro de un tetraedro.

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Estructura Cristalina

AD = r + R

r = AD - R

(15)

donde R es el radio atmico y r el radio


atmico mximo que puede entrar en el
hueco.
sustituyendo AD por a 3 / 4 y a por
4R / 2

Figura 17

r=

a 3
4R 3
-R=
R=R
4
2 4

3
1
2

(16)

de donde
r/R = d/D = 0,226

El nmero de huecos tetradricos es de ocho por celdilla, Fig. 18, o de dos huecos por
cada tomo.
Si se ocuparan las ocho posiciones
posibles, se obtendra una estructura tipo
fluorita (AB2); pero si solo se ocuparan cuatro
posiciones en cubos alternos, se obtiene una
estructura tipo blenda (AB), con ndice de
coordinacin 4.

Figura 18

34

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II) Sistema hexagonal compacto.
Se forman los mismos tipos de intersticios que en el sistema CCC.
III) Sistema cbico centrado.
Los espacios intersticiales disponibles son sumamente pequeos, por tanto ser muy
difcil la formacin de este tipo de solucin. Los mayores intersticios estn situados entre los
cuatro tomos que se indican en la figura 19, y el centro del tomo intersticial se coloca en la
posicin B, a una distancia BC de la arista, e igual a 1/4 a, este hueco es el centro de un
tetraedro. El valor d/D = 0,29 y se calcula como sigue:

r + R = AB y R =

a 3
4

(17)

de la figura 19:

AB = AC 2 + BC 2

(18)

sustituyendo AC y BC por sus valores en funcin de a:


2

(19)

AB = ( a/2 ) + ( a/4 )

M
B

a/2

Figura 19

35

Estructura Cristalina

operando se obtiene que: AB =

a 5
, sustituyendo en las ecuaciones anteriores y operando se
4

obtiene:
r = AB - R =

r=

a 5 a 3

4
4

a( 5 - 3 )
4

(20)

r/R = d/D = 0,29


El nmero de huecos tetradricos es de cuatro por cada cara del cubo, que a su vez es
compartido por dos celdillas, luego en total hay 6x4/2=12 huecos por celdilla, o seis huecos
por tomo. Cmo se ve el nmero de huecos es muy grande, aunque de pequeo tamao, Fig.
20.
El intersticio en la posicin M, hueco octadrico, es mucho ms pequeo, y el valor de
la relacin d/D, en este caso, es igual a 0,15. Segn la figura 19:

Figura 20

36

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R + r = O 1O 2 = a / 2

r = a/2 R = a/2

R =

a 3
4

(21)

a 3
4

d/D = 0,15

El nmero de huecos octadricos en esta estructura es de seis por celdilla. Uno en el


centro de cada cara y otro en el centro de cada arista, luego, el total de huecos ser:
6/2+12/4=6, o tres huecos por tomo, Fig.
21.
nicamente tomos como el H, B,
C, N y O con radios atmicos de 0,46;
0,97; 0,77; 0,75 y 0,60 , respectivamente,
tienen el tamao adecuado para formar
soluciones slidas intersticiales.
Por todo lo expuesto anteriormente,
podemos deducir que los metales ms
aptos para formar soluciones intersticiales,
son los que cristalizan en los sistemas CCC
y HC, mientras que los del sistema CC
Figura 21

tienen ms dificultades para disolver


tomos intersticialmente.

11. POLIMORFISMO

Se dice que un material presenta distintos estados polimrficos , cuando puede presentarse en distintas formas cristalinas, cada una de las cuales es estable en un rango de temperaturas determinado. Este fenmeno se puede presentar tanto en materiales simples (un solo
elemento), como compuestos denominndose tambin alotropa.

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Estructura Cristalina
Dos estados alotrpicos slo pueden coexistir a su temperatura de transformacin. La
transformacin de un estado alotrpico a otro contiguo estable de mayor temperatura, conlleva
un incremento de energa y en consecuencia un debilitamiento del enlace.
Cuando los cambios entre estados alotrpicos se reducen a rotaciones de los tomos sin
rotura de enlaces, se denominan transformaciones por desplazamiento y son muy rpidas. Por
el contrario, si los cambios incluyen considerables modificaciones en los enlaces se denominan
transformaciones reconstructivas y son muy lentas, siendo este el caso de la transformacin
continua del diamante en grafito. Otro ejemplo clsico de polimorfismo es la slice (SiO2), que
puede presentar transformaciones tanto lentas como rpidas.
12. ESTRUCTURAS DE CERMICOS SENCILLOS.

En los compuestos cermicos el enlace atmico se debe a una mezcla de los tipos
inico y covalente, esto va a determinar en alguna medida qu tipo de estructura cristalina se
formar en el compuesto cermico. En los cermicos inicos el empaquetamiento de los iones
queda determinado principalmente por dos factores:
a)

El tamao relativo de los iones que forman el slido.

b) l tener que mantener la neutralidad elctrica en el slido.


Los slidos inicos para poder disminuir su energa total, tienden a empaquetarse lo
ms densamente posible, sus limitaciones vendrn dadas en funcin del tamao de los iones y
la neutralidad de carga. El tamao de los iones condiciona el hueco en el que se van a introducir los cationes, stos huecos sern funcin del tamao del anin, del tipo de red y del tipo de
hueco. Como se ha visto en apartados anteriores, el tamao y nmero de los huecos es muy
variable con la estructura y tipo de hueco. Segn esto, en funcin de la relacin de tamaos
anin/catin, se pueden tener las configuraciones que aparecen en la figura 22. Este condicionante fsico ha de combinarse con la carga de cada in para mantener la neutralidad elctrica,
pudiendo, por tanto, llenar todos los huecos de una red o slo parte de ellos para conseguir el
equilibrio.

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Estructura Cristalina

Figura 22
Vamos a analizar rpidamente algunas de las estructuras cermicas ms tpicas.
Estructuras tipo AB.

En las redes cbicas estudiadas se puede conseguir este tipo de estructura con distintas
combinaciones, que por supuesto llevan aparejado distinto IC. Una estructura tipo AB, puede
ser una CC en la que los aniones ocupan los vrtices del cubo (8x1/8 = 1 tomo/celdilla) y el
catin ocupa el centro. Este tipo de slido tiene un ndice de coordinacin de 8, y los tamaos
atmicos han de ser muy parecidos, la estructura tipo es ClCs, Fig. 23.
Otra posibilidad de mantener este tipo AB es, ocupando el anin una red CCC y los
cationes los huecos octadricos, Fig. 24. Algunas cermicas tpicas con esta red son: ClNa,
MgO, MnO, CTi, CdO, etc. El IC en este caso es de 6.

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Estructura Cristalina

Figura 24

Figura 23

Los cationes tambin pueden ocupar los huecos tetradricos, en este caso la relacin de tamaos es an ms pequea. En la red CCC, el nmero de huecos tetradricos es de ocho por
celdilla, luego por neutralidad elctrica, slo se ocuparn la mitad de los huecos tetradricos
para mantener el tipo AB. La red ms representativa es la de la blenda (SZn), y el ndice de
coordinacin es en este caso de 4. Otros
materiales tpicos con esta estructura son:
GaAs, ISb. La estructura ser como la de la
Figura 25.
Estructuras tipo AB2.

En este caso la carga de los iones es


distinta. El material ms representativo es la
Fluorita (F2Ca). La red es una CCC, en este
caso los iones positivos son relativamente
grandes, y los iones negativos son de los ms
pequeos. El ndice de coordinacin de
cationes y aniones tiene que ser distinto por
Figura 25

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Estructura Cristalina
neutralidad elctrica. La estructura que
aparece es una CCC con los cationes
ocupando las posiciones de la red, y los
aniones todos los huecos tetradricos.
Luego cada ion positivo, est rodeado
de ocho negativos, mientras que cada
ion negativo est rodeado por cuatro
positivos. Fig. 26.
Existen otras muchas estructuras
cermicas tpicas, como las A2B3
(Al2O3, Cr2O3), stas solidifican en
estructuras HC, o los tipos AB2C4,
como las espinelas AB2O4 de gran
importancia en los materiales magn-

Figura 26

ticos denominados ferritas.


Otros materiales de gran importancia son los silicatos, stos se basan en el tetraedro
SiO4. Muchas combinaciones se pueden hacer, segn quien equilibre las cargas negativas,
pudindose compartir tomos de
oxgeno entre varios tetraedros.
As, podemos tener una gran gama
de estructuras. En la figura 27 se
representan algunas cadenas de
silicatos. En estos materiales el
enlace es covalente. Un caso tpico
de silicato no cristalino lo representa el vidrio, en el que no llega a
estar

la

estructura

totalmente

cristalina.
Figura 27

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Estructura Cristalina
13. ESTRUCTURAS DE SOLIDOS NO CRISTALINOS.

Ciertos polmeros pueden formar una estructura cristalina, si las cadenas compuestas
por tomos de carbono e hidrgeno se compactan para producir una celda unitaria, en estos
casos en que generalmente solo hay cristalinidad parcial, se les denominan cristalitas. En la
figura 28 se representa la celda unitaria del polietileno.

Figura 28

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