PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA

FACULTAD DE INGENIERIA
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
031584 ANALISIS SISTEMAS DINAMICOS

EXPERIMENTO 6 ELEMENTOS NO LINEALES: DIODO

OBJETIVOS:

1. Resaltar márgenes, tolerancias y los efectos de los elementos reales sobre el

comportamiento del sistema (CDIO 2.1)
2. Ilustrar discrepancias en los resultados teóricos y prácticos (CDIO 2.1)
3. Establecer las relaciones entre el fenómeno físico y el modelo teórico de un caso
real. (CDIO 2.2)
4. Buscar información técnica y seleccionar el contenido relevante para el objetivo
del experimento. (CDIO 2.2.2)

ALCANCE:

● Obtener los parámetros que definen la ecuación i – v del diodo

● Obtener la curva característica corriente – voltaje para un diodo
● Obtener la recta de carga y encontrar el punto de operación
● Evaluar la respuesta de un circuito rectificador

1. CALCULOS PREVIOS

La ecuación característica Id – Vd de un diodo es:

(𝑉𝐷
⁄𝜂𝑉 )
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑇 − 1)

Is : corriente inversa de saturación

VT : voltaje térmico equivalente:

𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞

𝑘 = 1,18𝑥10−23 ( 𝐽⁄𝐾 ) . 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛

𝑞 = 1,6𝑥10−19 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠 . 𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛

Para temperatura ambiente (room temperature T = 300K) el voltaje equivalente es:

𝑉𝑇 = 25,8 𝑚𝑉

𝜂: 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑖𝑑𝑒𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑. Dependiente del material semiconductor, el voltaje directo y la

temperatura, Su valor esta entre 1 y 2 y se puede evaluar experimentalmente a partir de la
grafica corriente ID (sobre un eje logarítmico) vs VD (sobre un eje lineal).

Entregable 1: Verificar que para obtener un aumento de 10 veces (una década) en la

corriente directa del diodo ID el voltaje directo aplicado debe cambiar:

Experimento 6 1
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𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒

∆𝑉𝐷 = (2,3)𝜂𝑉𝑇 = 𝜂 ∙ 59,3 𝑚𝑉

∆𝑉𝐷
𝜂=
59,3𝑚𝑉

Para encontrar el factor de idealidad solo es necesario encontrar el cambio de voltaje

requerido para que la corriente se multiplique por 10.

Entregable 2: Obtener el valor de 𝜂 para el diodo 1N4004. La grafica semilogarítmica de

la característica directa del diodo en se muestra en la figura 4 de la hoja de especificaciones.
(Nota 2). Tomar valores solo en la porción lineal.

Figura 1 Características directas (Nota 2)

Entregable 3: Graficar, empleando el 𝜂 calculado y con un script de MATLAB, la

característica directa del diodo, versión lineal y versión semilogarítmica. Se van a usar para
comparar con los resultados experimentales.

Voltaje de corte 𝑽𝜸

Para los diodos de Si se obtiene un aumento apreciable de la corriente directa ID en el rango

de 0,4 V a 0,7V. Cuando el voltaje aplicado excede 𝑽𝜸 la corriente crece rápidamente.

Corriente inversa de saturación

Experimento 6 2
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Cuando el diodo esta polarizado inversamente solamente fluye la pequeña corriente

inversa de saturación, -IS, mientras que el voltaje aplicado no exceda el voltaje de ruptura
VBR . Si se excede este voltaje la corriente aumenta significativamente y, si no hay una
resistencia limitadora, puede dañar el diodo. El valor del voltaje de ruptura puede ser
grande, fuera del rango del trazador de curvas que se emplea en el experimento.

Resistencia del diodo

Se pueden definir tres resistencias:

• Resistencia estática o directa: RF o RD

• Resistencia dinámica rF o rD
• Resistencia inversa rr

Resistencia estática: para el diodo en la región directa, simplemente se emplea la ley

de Ohm en un punto de la curva:
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷

Resistencia directa dinámica: describe el comportamiento del diodo para voltaje y

corriente variable. Es el inverso de la pendiente de la curva i – v en el punto de operación:

1 ∆𝑉𝐷
𝑟𝑓 = 𝑟𝑑 = =
∆𝐼𝐷 ∆𝐼𝐷
⁄∆𝑉
𝐷
En general se puede definir como:

𝒅𝑽𝑫 𝑽𝑻
𝒓𝒅 = ≈𝜼
𝒅𝑰𝑫 𝑰𝑫

Como en todo elemento no lineal el valor del parámetro depende del punto de operación.

Resistencia inversa rr resistencia del diodo inversamente polarizado (idealmente

debería ser ∞ o circuito abierto. En la practica es un valor finito, alto, debido a la
existencia de corrientes de fuga. Es el inverso de la pendiente de la característica i – v en
la región de polarización inversa.

La característica i – v del diodo en las dos regiones de operación se muestra en la figura 2,

tomada de la referencia 1. En la practica con el Trazador de curvas no se logra la curva
completa, dado que el máximo voltaje inverso que aplica el trazador es menor que el
voltaje de ruptura típico de los diodos (Se puede ver cuando se analizan diodos Zener de
bajo voltaje de ruptura como el 1N4744)

Experimento 6 3
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Figura 2 Característica diodo

2. PROCEDIMIENTO:

I. Características del diodo

Característica I-V directa

Emplear el trazador de curvas HAMEG HM6042 (Nota 3)

• Las curvas del diodo se obtienen colocando el interruptor BIP/FET en FET

• Identificar los terminales del diodo 1N4004 y conectar cátodo al terminal E
y ánodo al terminal C.
• Ajustar el voltaje a Vmax = 2V y Potencia a Pmax = 0.4
• Se empiezan las curvas con Imax = 2 mA
• La curva se obtiene activando el botón DUT. Si la curva se mueve
(flickering) con la tecla de función seleccionar y ajustar la perilla hasta
estabilizar la curva.
• Con el cursor tomar valores de la curva I-V, para valores cercanos a los
dados en la primera columna de la Tabla 1. (A medida que se va acerando
la corriente al limite máximo establecido, este se debe ir subiendo).
• Quitar la alimentación del diodo apagando DUT

Experimento 6 4
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Id (A) Id (A) Vd (V) RD estática rd dinámica

recomendado medido Ω Ω
30 μA
100 μA
200 μA
400 μA
1 mA
2 mA
6 mA
14 mA
30 mA
60 mA
100 mA
150 mA

Tabla 1 I – V datos experimentales

Entregable 4. Completar la Tabla 1 con los cálculos de las resistencias del diodo
estática y dinámica (ver formulas en la sección de Cálculos Previos); foto de la
pantalla del trazador, en MATLAB grafica i – v en escalas lineales y semilogarítmicas,
comparar las gráficas y el valor de 𝜂 con los obtenidos en el entregable 3. Explicar
las diferencias

Característica I-V inversa

Para obtener la curva en la región inversa se debe usar un diodo Zener de bajo
voltaje de ruptura (Por ejemplo 1N4744). El voltaje de ruptura de los diodos
convencionales es mayor el voltaje negativo que genera el trazador.

• Conecte el diodo Zener en forma inversa al diodo convencional.

• Ajuste Imax = 2 mA, Vmax = 40V y Pmax = 0,4W
• Active DUT para obtener la característica inversa.

Entregable 5. Foto de la característica inversa, identifique el voltaje de ruptura.

II. Recta de carga

El circuito básico del diodo se puede analizar empleando la recta de carga.

Para el diodo 1N4004 generar rectas de carga primero variando Vs (tomar tres
valores diferentes) y con R fija (Tabla 2) y después, Tabla 3, variando R (tomar
también tres valores diferentes) y con V fijo. Medir las coordenadas de los puntos
de equilibrio. Mantener la corriente en el circuito en el rango de las decenas de mA.

Verificar la conexión de los instrumentos de medida: Amperímetro en serie,

Voltímetro en paralelo

Experimento 6 5
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Figura 3 Recta de carga

Voltaje Fuente Corriente diodo medida Voltaje diodo medido

2V
4V
6V

Tabla 2. Recta carga variando VS (R fijo 1,5 kΩ)

Resistencia Corriente diodo medida Voltaje diodo medido

1k
2,2k
3,3k

Tabla 3. Recta carga variando R (Vs fijo 4V)

Entregable 6: Graficas de las curvas y puntos de equilibrio resultantes. Analizar resultados

III. Análisis variables incrementales

Se va a variar el voltaje Vs en pequeños pasos alrededor de 4V para registrar la corriente

para desarrollar un modelo linealizado alrededor del punto de operación.

Voltaje Fuente Corriente diodo medida Voltaje diodo medido

3,7V
4V
4,3 V

Tabla 4 Análisis incremental

Experimento 6 6
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Entregable 7: Calcular la resistencia dinámica y emplearla para calcular corriente y

voltaje. Comparar los resultados de este modelo linealizado con los obtenidos en la tabla
4.

IV Análisis de una aplicación

Armar el rectificador de media onda, el voltaje de entrada amplitud 5 V y frecuencia 60

Hz. Registrar en el osciloscopio las formas de onda de entrada y salida resultantes. R =
2,2 kΩ . Que pasa cuando la amplitud de la entrada es de 0,7 Voltios, igual frecuencia?

Figura 4 . Circuito rectificador de media onda (Nota 4)

Adicionar un condensador de 1 μF en paralelo con la resistencia de carga (Para

condensadores electrolíticos tener en cuenta la polaridad). Amplitud 5 V y frecuencia 60
Hz

Figura 5. Circuito rectificador de media onda con filtro (Nota 4)

Registrar en el osciloscopio las formas de onda de los voltajes de entrada y salida. Que pasa
cunado se reduce la frecuencia a 30 Hz? Cuando se duplica a 120Hz. Registrar las formas
de onda que se obtienen.
Para 60 Hz cambie arbitrariamente R y C, Registre los valores usados y las formas de onda

Entregable 8. Formas de onda obtenidas para media onda con y sin filtro. Análisis de las
respuestas cuando se varia la frecuencia y valores de los componentes. Que criterio se
debe emplear para calcular la constante RC del filtro?

Experimento 6 7
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EQUIPO: Disponible en el WS

1 Osciloscopio
1 Fuente DC.
1 Generador de onda seno
1 DVM

EQUIPO ADICIONAL:

1 Trazador de curvas HM6042

1 DVM Keithley 2110 (5 ½ dígitos) o Agilent U3402A (5 ½ dígitos) Para medición
de corriente

COMPONENTES (Por los estudiantes)

Diodo 1N4004 (o equivalente – con especificaciones)

Diodo Zener 1N4744 (o equivalente – de bajo voltaje de ruptura < 10V)
Para las rectas de carga del diodo resistencias de: 1 kΩ; 2,2 kΩ y 3,3 kΩ
Condensador 1 μF

NOTAS

1. https://www.clemson.edu/cecas/departments/ece/document_resource/undergr
ad/lab_manuals/ece_311.pdf
2. https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf
3. Hameg HM 604-2 Manual. Disponible en:
https://www.manualslib.com/products/Hameg-Hm-604-2-8809328.html
4. University of California at Berkeley. Lab 3 Semiconductor Diodes. Disponible en:
https://instrumentationlab.berkeley.edu/Lab3
5. COPIA DETECTADA DURANTE LA CALIFICACIÓN SE SANCIONARÁ CON LA
ANULACIÓN DEL EXPERIMENTO Y LA CORRESPONDIENTE SANCIÓN
ESTABLECIDA EN EL REGLAMENTO.
6. Fecha realización: semana 10, 26 y 27 septiembre 2023. Informe semana 11, 6
octubre 2023, antes 11:59
7. Llevar todos los componentes.

REVISIONES

Revisión 1 Sep 2023 CCB/CCS

Experimento 6 8