CAB 1

CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS

1. +VEE
a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB ≅ 0
b) Halle el rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida
(considerando despreciable si 1<<50)
c) Calcule el punto de trabajo para β = 35 RB1 RE

DATOS: VγE ≅ 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 kΩ; RC = 8 kΩ; RE = 20 kΩ

RB2 RC

2. Suponiendo |VBE| ≅ 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que +5V +10V +10V

circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los
nodos Q3
Q10 Q11 Q1 Q4

R5 R2
1kΩ 2kΩ

R1
10kΩ
+5V

R4 R3
1kΩ 1kΩ

Q8 Q7
Q9 Q2 Q6 Q5

-10V -10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA según indica la figura. Para ello
se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada.
+VDD=5V a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser
éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy
S S brevemente la respuesta.
T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturación.
G G
D D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones
VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2).
I0=1mA d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA?
S
T2 DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y κ ′ = 0,1 mA ⋅ V -2 (κ=κ’Z/L)
G
D

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 CAB 2

4. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por VEE VEE
cuatro transistores pnp. Sabiendo que todos los transistores operan en
activa, calcule:
a) La corriente IREF suponiendo VEB2 ≅ VEB4 ≅ 0,6V R1
b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor
que IREF. Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del
circuito. Q2
c) Las tensiones VEB1, VEB2, VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas, Q1
VEB
considerando que para todos los transistores I C ≅ I S exp .
VT

DATOS: R2 = 4,4 kΩ VT = 0,025 V Q3 Q4

VEE = 10 V IS = 7,5.10-14A
Io Vo IREF

R2

VEE
5. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T3
a través de la ganancia de tensión en pequeña señal Av=vo/vs. Para ello
se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base R2
(IB3=IC2) fija, de 50 µA, mediante un circuito Widlar. Dado que el RC3
transistor T3 es de tipo npn, para realizar esta polarización se requiere
una fuente Widlar con transistores pnp.
a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente T1 T2 vo
I C2
de base en T3. I C1
b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200, T3
¿cuál es el valor de β del transistor T3?. Suponga en este apartado C
que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia RC1
equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los vs
terminales BE de T3 es infinita.
c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que, efectivamente, el OO Req
transistor medido, T3, se encuentra en activa. Fuente Widlar Amplificador EC

DATOS: β1 = β2 >>1; VEB1 = VBE3 = 0,7 V ≠VEB2 (en activa); VCEsat=0,2 V; VT = 25 mV; RC1 = 4,65 kΩ; RC3 = 1 kΩ; VEE = 10 V;
C = 100 µF

6. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua.

a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V, VDD
calcular R1 para que el nivel de continua a la salida
sea VO=0 V. Notar que en estas condiciones la
corriente continua a través de la carga RL es nula. IO
b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal, vI(t)=
AV=vo/vi. La fuente de corriente continua es ideal.
VI+ Vi senωt
c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET
idéntico al anterior como se ve en la figura 2, R1
R2
calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA. vO(t)= VO+ Vo senωt
IO=2 mA RL=10 kΩ
DATOS: Los transistores FET, de deplexión, son
idénticos y trabajan siempre en saturación, cumpliendo -VDD
I D = κ (VGS − VT ) , con κ=0,5 mA/V2 y ⎜VT⎜=4 V
2 -VDD
Figura 1 Figura 2

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 CAB 3

7. En el circuito de la figura:
VCC
a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC, IB y VCE). El diodo Zéner
puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que
VD RC se encuentre en inversa con ⎜VD⎜< VZ (valor absoluto de la tensión de
+ - disrupción del diodo).
b) Se aplica una señal vi variable con el tiempo. Obtenga la relación vo/vi
(suponga que el diodo no conduce).
RB vO=Vo+vo c) ¿Para qué valor instantáneo de vi se produce la ruptura inversa (Zéner) del
diodo?
vi DATOS: VCC = 6 V; RC =2 kΩ; RB =70 kΩ; VZ=3 V; β=100; VγE = 0,6 V;
VCEsat=0,2 V; VT = 25 mV; C→∞.

VCC
8. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de
emisor. Debido al condensador CE, la resistencia de emisor es diferente para el circuito de RC
continua y para el circuito de alterna. Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el
margen dinámico. vo
CC
a) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en función de RE = RE1+RE2
b) Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. Calcule ahora el valor numérico de IC RB
c) Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en función de RE1 RE1
d) Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3,5 V, siendo |vce|max la máxima excursión +
de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura vi

DATOS: RB = 10 kΩ; RC = 1 kΩ; VCC = 10 V; VBB = 3 V; CE = CC → ∞

VBB RE2 CE
VγE ≈ 0,7 V; VCE,sat ≈ 0; ro → ∞; β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos)

V SS=15V
9. La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado
R G =1M Ω RS =1kΩ por un generador vin(t) de pequeña señal alterna y frecuencia media.
Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea
en el nodo S, obteniéndose:
C →∞ S
vS(t) = 14 V + 0,9 vin(t)
G iD Se le pide:
+ D O a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D, O, G y S si
vin (t) C→∞ la señal fuera anulada (vin(t) = 0)
RD =10kΩ R L=10k Ω b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor
c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal
presente, en función de vin(t)
d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida vo(t) de pequeña
señal se corta el transistor?

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 CAB 4

10. Para el circuito amplificador de la figura:

VGG VDD
a) Calcule el punto de trabajo (VGS, ID, VDS) del transistor. Determine la región de
funcionamiento
b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal, indicando los valores R1 R3
numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor D VO+vo
c) Calcule la ganancia de tensión Av = vo/vi
G
S
DATOS:
C → ∞; VGG = -10 V; VDD = 10 V; R1 = 9,1 MΩ; R2 = 0,9 MΩ; R3= 5,9 kΩ; C R2 R4
R4 = 0,1 kΩ
En saturación, el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2, con
vi
k = 1 mA⋅V-2, |VT| = 2 V

11. Para el circuito de la figura: VCC

a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo β → ∞. Calcule a
continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de IC sea
I0
menor de 2% y que la precisión en el cálculo de VCE sea mejor que ±0,1V
0,5 mA
b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensión vo/vs en pequeña señal
suponiendo β → ∞
RBC vo
DATOS: Vt = 0,025 V; VγE ≅ 0,7 V; VA → ∞ 100 kΩ C→∞ RL
Ri 1 kΩ
C→∞
RS
50 Ω

vs

12. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura: VCC

a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 kΩ. Suponer que RB RC C
βRL >> rπ
Con este valor de RB:
b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE, IC, IB
c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin Ii
distorsión)
C
Vo
DATOS: VCC = 15 V; RC = 2,8 kΩ; RL = 10 kΩ; C → ∞; VT = 0,025 V
Transistor: β = 100; VγE ≅ 0,7 V; VCE,sat ≅ 0,2 V; ro → ∞
vi RL

13. Para el amplificador en colector común de la figura, se pide:

VCC a) Calcular la corriente de colector de polarización IC
b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal,
dando el valor de los parámetros gm y rπ
c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito
R1 a frecuencias medias, Ri = vi(t)/ii(t)
ii(t)

C vO(t) DATOS:
R3 C → ∞; RE = 2 kΩ; R1 = R2 = 20 kΩ; R3 = 10 kΩ;
VCC = 12 V
vi(t) BJT: β = 100; VγE = 0.7 V; Vt = 0.025 V;
R2 C
RE desprecie el efecto Early (ro → ∞, VA → ∞)
NOTA: en este circuito rπ << R3 de forma que rπ || R3 ≅ rπ,
aproximación que puede usar si lo juzga conveniente
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 CAB 5

14. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs

en el que Q2 actúa como fuente de corriente. Considerando que ambos transistores son +VDD
idénticos y trabajan en saturación, se pide:

a) Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensión puerta a fuente D

VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early, sólo en este apartado) G
Q1
b) En pequeña señal, resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde
su drenador S
vi vo
c) Ganancia de tensión de pequeña señal vo/vi D
d) Resistencia de salida en pequeña señal, Ro G
Q2
Ro
-2 S
DATOS: k = 1 mA⋅V ; |VT| = 1 V; tensión de Early VA = 50 V

-VSS
15. Calcule la ganancia vo/vg y el margen
+VCC
dinámico del amplificador de dos etapas de
la figura.

DATOS: RB RC RB RC
VCC = 15 V; Rg = RL = 1 kΩ; RB = 1,43 MΩ;
Rg vo
RC = 4 kΩ
β = 200; VγE = 0,7 V; VA → ∞;VCE,sat ≅ 0 V C→∞ C→∞
C→∞ RL
vg

16. La señal alterna vi, de pequeña amplitud, es amplificada por el circuito de la +VCC=12V
figura. Se pide:
8R RC=5kΩ
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores
vo
b) Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal
c) Decir en qué configuración trabaja cada transistor TN
d) Calcular la ganancia de pequeña señal Av = vo/vi
e) Calcular la impedancia de entrada al amplificador, Ri
f) Calcular el margen dinámico del amplificador R=2,4kΩ RE =0,5kΩ

vi
TP
DATOS: Ri
Para ambos transistores: R
β = 100; VBE(ON) = VEB(ON) = 0,7 V; VCE,sat = VEC,sat ≅ 0 V; VA → ∞
A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos -VCC =-12V
17. Para el circuito de la figura 1, se pide:
a) Expresar el valor de rπ/R
b) Expresar la relación |Z| = |Vg/Id| de pequeña señal en función de la frecuencia, siendo Vg e Id las amplitudes complejas
(fasores) de vg e id y sabiendo que VCC - VBE >> kT/e
c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple
ω0 << ω << βω0, donde ω0 = 1/rπC
DATOS: β >> 1; ro → ∞; los efectos capacitivos en el transistor son despreciables

log(Z R )
iD R

vg

VCC C

log(ω ω 0 )
Figura 1
Figura 2
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 CAB 6

SOLUCIONES

1
RB 2 V − VE
a) VE = VEB + VB = VγE + VEE = 5,7 V ⇒ IE=IC= EE = 215 µA, VEC=3,98 V.
RB1 + RB 2 RE
I I βI βVEE
b) IB <<IC ⇒ C ≥ 50 ⇒ β ≥ 50; IB <<IB1(= IB2) ⇒ ≥ 50 ⇒ = ≥ 50 ⇒ β ≥ 21,5 ;
IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C
La más restrictiva, β ≥50.
V − VE
c) Ahora no puedo suponer IB <<IC, pero sí IB <<I, luego VE=5,7 V, I B = EE = 5,97 µA ⇒ IC=209 µA, VEC=4,03 V
RE ( β + 1)
2

10 − VEB1 − VEB 2 + 10
= I C1 = I C 2 = 1,86 mA . Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1,86 mA.
R1
Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3,72 mA. VC1=9,3 V; VC2=-9,3 V; VC3=3,72 V; VC4=
VC5=0,7 V; VC6=3,14 V; VC7= VC8=-1,86 V; VC9= VC10=4,3 V; VC11=1,86 V.

a) Si ha de entregar corriente, el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p
b) Siendo de canal p y de acumulación, los transistores presentarán VT = VSG (umbral ) = 0,7 V . En ambos transistores
VSD = VSG > VSG − VT = VSD , sat

c) Como ambos transistores son iguales (κ1 = κ2) y ID1 = ID2, se tiene que VSG1=VSG2. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta:
VDD
VSG1 = VSG 2 = = 2,5 V
2
d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2,5V e ID3 = I0 = 1 mA, se tendrá:

I D3 = κ ′
Z
(VSG 3 − VT )2 ⇒ Z = I D3
=
1
≅ 3,1
L3 L 3 κ ′(VSG 3 − VT )2 0,1 × 1,8 2

4
VEE − VEB 2 − VEB 4 10 − 0,6 − 0,6
a) I REF = = = 2 mA
R2 4,7k
b)
⎫
⎪
V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 ⎪ I
I 0 R1 = VT ln REF
I ⎪
⎪ I0
V EB 2 = VT ln REF ⎬
V I
I S ⎪ R = T ln REF = 100,6Ω
⎪
1
I0 I0 I0
V EB1 = VT ln ⎪
IS ⎪⎭
I
c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0,560 V
IS
I
v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0,600 V
IS

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 CAB 7

5
VEE − VEB1
a) I C1 = = 2 mA;
RC1
β2 +1
VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 + I C 2 R2 ≈ VEB 2 + I C 2 R2
β2
I C1 ⎛ V − VEB 2 ⎞ ⎛I R ⎞
≈ exp⎜⎜ EB1 ⎟⎟ = exp⎜⎜ C 2 2 ⎟⎟ ⇒ R2 = 1,84 kΩ
IC2 ⎝ VT ⎠ ⎝ VT ⎠

b)
i=0 vo = − βRC 3ib ⎫ vo β
⎬ AV = = − RC 3
+ vs = rπ ib ⎭ v s rπ

0,025 r
vs ib rπ βib RC3 vo rπ = = 0,5 kΩ ⇒ β = − AV π = 100
I B3 RC 3
-
Req→∞

c) I C 3 = βI B 3 = 5 mA; VCE = VEE − I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat

6
Al ser transistores de canal n deplexión, VT=VGsumbral=-4 V
a) I RL = 0 ⇒ I R1 = 2 mA = I D = κ (VGS − VT ) = κ (V I − I D R1 − VT ) ⇒ R1 = 2,5 kΩ , pues la otra solución no hace
2 2

VGS>VT
g d
vi
b) Circuito equivalente:
gmvgs
s vo = g m v gs RL ⎫
⎪ vo g m RL
R1 v s = g m v gs ( R1 + RL ) ⎬ =
⎪ vi 1 + g m ( R1 + RL )
+ vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL ))⎭
RL v o
v
- Como gm=2κ(VGS-VT)=2 mS ⇒ o = 0,706
vi

c) I D = κ (VGS − VT ) ; VG = −V DD ; VS = −V DD + I D R2 ⇒ R2 = 1 kΩ
2

7
a) Diodo cortado ⇒ ID=0, VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE ; I C = βI B , luego I B = 0,02 mA, I C = 2 mA
Comprobamos transistor en activa: I B > 0; VCE = VCC − ( I C + I B ) RC = 2 V > 0,2
Comprobamos diodo cortado: VD = VBE − VCE = −1,4 V < 0, sin llegar a ruptura.
b) Circuito equivalente:
RΒ vi − v o ⎫
vo = RC − βib RC ⎪
+ RB ⎪ ⎛ RC ⎞ ⎛R βR ⎞ v
⎬vo ⎜⎜1 + ⎟⎟ = vi ⎜⎜ C − C ⎟⎟ ⇒ o = −155,5
v
ib = i ⎪ ⎝ RB ⎠ ⎝ RB rπ ⎠ vi
vi i b rπ βib R C vo
⎪
rπ ⎭
- 0,025
donde rπ = = 1,25 kΩ
IB
c) − VD = vCE − v BE = (VCE + vce ) − (VBE + vbe ), con VCE = 2 V ; vce = vo ; VBE = 0,6 V ; vbe = vi ; y además vo = −155,5vi
Cuando − VD = VZ = 3 V se produce la ruptura, sustituyendo 3 = 1,4 − 156,5vi ⇒ vi = −10,2 mV

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 CAB 8

8.
VCC

RC

RB rπ ve
v o= v c
+ ib
vi RE1 β ib RC
RB
RE1

VBB RE2

Circuito de continua Circuito de alterna

a) En continua, con RE = RE1 + RE 2 , las ecuaciones del circuito:

VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE
VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE
Suponiendo el transistor en activa directa I C = βI B :
VBB − VBE V − VBE
VBB =
IC
(RB + (β + 1)RE ) + VBE ⇒ I C =β ≈ β BB
β RB + (β + 1)RE RB + βRE

VCE = VCC −
IC
(βRC + (β + 1)RE ) = VCC − βRC + (β + 1)RE (VBB − VBE ) ≈ VCC − β RC + RE (VBB − VBE )
β RB + (β + 1)RE RB + βRE
b) Despejando RE de la última fórmula:
VCC − VCE
RB − βRC
V − VBE
RE ≈ BB = 0,76 kΩ ⇒ I C ≈ 2,84 mA
⎛ VCC − VCE ⎞
β ⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ V BB − V BE ⎠
c) En alterna, dado que ic = βib >> ib:
vo = vc = − RC ic ⎫ RC + RE1
⎬vce = vc − ve = −(RC + RE1 )ic = vo
ve = RE1 (ic + ib ) ≈ RE1ic ⎭ RC
De donde:
ic 1 v RC
=− ; o =
vce RC + RE1 vce RC + RE1
d) La condición de que el transistor no se sature:
vCE = VCE + vce ≥ VCE , sat ⇒ vce max, saturación
≤ VCE − VCE , sat = vce max, saturación
=5V
Y de que no se corte:

≥ − I C ⇒ vce ≤ I C (RC + RE1 ) ⇒ vce = I C (RC + RE1 )

vce
iC = I C + i c ≥ 0 ⇒ i c = −
RC + RE1 max,corte

Como la saturación no limita, hay que fijarse en el corte:

vce
I C (RC + RE1 ) = vce max
⇒ RE1 = max
− RC = 0,23 kΩ
IC
Y de aquí R E 2 = R E − RE1 = 0,53 kΩ

Actualizado Octubre 03
 CAB 9

9.
VSS

RG RS a) En continua, como IG = 0, VG = VSS = 15 V.

ID De la medida de VS = 14 V ⇒ ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA.
IG=0 S Como no hay corriente por RL: VO = 0 V.
VS Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V
G ID
D O b) El transistor, de canal p, está conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0. Por
tanto ha de ser de deplexión
RD RL

D=O c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0,9 vin(t)

ig=0 id RD RL
G id(t) = -vs(t)/RS ⇒ vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = −v s (t ) = −4,5vin (t )
S id RS
+ d) La corriente total de drenador es:
vin (t) RG RS RD RL
vo (t ) VSS − VS v (t ) v (t )
i D (t ) = I D + = + o = 1 mA + o
RD RL RS RD RL 5 kΩ
Cuando la corriente iD se anula vo(t) = –1 mA 5 kΩ = –5 V

10
Los transistores JFET son de deplexión. Pero además en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0, lo
VGG VDD que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V
a) Las ecuaciones del circuito de continua son, puesto que no hay corriente de puerta,:
R2
VG = VGG = VGS + I D R4
R1 R3 R1 + R2
D VO VDD = VDS + I D (R3 + R4 )
Por otra parte si el transistor está saturado I D = k (VGS − VT ) que introducido en la primera de las
2
G
S
ecuaciones precedentes conduce a:
VG = VGS + kR4 (VGS − VT ) ⇒ VG − VT = VGS − VT + kR4 (VGS − VT ) ⇒
2 2
R2 R4
⇒ kR4 (VGS − VT ) + VGS − VT − (VG − VT ) = 0 ⇒
2

− 1 ± 1 + 4kR4 (VG − VT ) − 1 + 1 + 4 × 1 × 0,1 × (− 0,9 + 2)

⇒ VGS − VT = = =1V
2kR4 2 × 1 × 0,1

La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a VGS-VT negativo, incompatible con la suposición de que el
transistor conduce. Con este valor:
I D = 1 mA;VDS = VDD − I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS − VT
Así que efectivamente está saturado.

b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C. ro

gmvgs
R4 no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de
S D drenador no aparece el efecto Early.
vo
g m = 2k (VGS − VT ) = 2 mΩ -1
vi R3
G

c)
g m v gs = g m (v g − v s ) = − g m v s
v s = vi + g m R4 v gs = vi − g m R4 v s ⇒ vi = (1 + g m R4 )v s ⎫⎪ vo g m R3
⎬⇒ = = 9,83
vo = − g m R3 v gs = g m R3 v s ⎪⎭ v i 1 + g m R4

Actualizado Octubre 03
 CAB 10

11.
VCC a) En el colector del transistor, en continua y activa directa,y con β arbitrariamente
grande:
I0 = I B + IC ≈ IC
I0
El error cometido en el cálculo de IC:
∆I C I C , real − I C , aprox − IB 1
= = = ≤ 0,02 ⇒ β ≥ 50
RBC VO IC I C , real I C , real β
RL Una ecuación de malla para calcular VCE:
VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE , sast
El transistor no puede estar saturado. El valor de VCE:
RS
I0
VCE = V BE + R BC ≈ V BE ≈ 0,7 V
β
Si β es muy grande.
Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0,1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en VBE
y por tanto no merece la pena afinar más):
I 0 R BC I 0 R BC 0,5 × 100
∆VCE = < 0,1 V ⇒ β > = = 500
β 0,1 V 0,1

b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a

Ri βib=gmvbe tierra y RBC en paralelo con RL. La fuente ideal de corriente continua
RS E C es un circuito abierto. Los elementos del circuito equivalente del
vo
transistor:
rπ rπ = Vt I B = β Vt I C → ∞
vs ib RBC||RL
B Esto quiere decir que ib es también muy pequeña en alterna, ib ≅ 0, pero
desde luego no implica que ic sea nula: el producto βib está
indeterminado
Una solución es trabajar con gm que tiene un valor finito:
g m = I C Vt = 20 mΩ -1
Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de
corriente está gobernado por la tensión base – emisor.
Entonces, puesto que ib = 0,:
g m v be = − g m v e ⎫ vs v − g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC
⎬ ⇒ ve = ; o = = = ≈ 10
v e = v x + g m R S v be ⎭ 1 + g m RS v s vs vs 1 + g m RS
v be
Ri = − = 1 g m = 50 Ω
− g m v be
Otra solución es trabajar con ib, rπ y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas. Al final, se hacen
tender rπ y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito. Por ejemplo:
vs
v e = −ib rπ = v s + R S (β + 1)ib ⇒ ib = −
rπ + (β + 1)R S
v o − β R L R BC ib β R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC
= = = → = ≈ 10
vs vs rπ + (β + 1)R S rπ β + (1 + 1 β )R S rπ β + R S 1 g m + R S

12.
a) El circuito equivalente de pequeña señal queda:
rπ
Ii Ib
Vi RB βIb RL

= RB (rπ + ( β + 1) RL ) ≅ RB βRL con lo que RB = 1 MΩ

vi
de donde Ri =
ii

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 CAB 11

VCC b) En continua:
VCC − V BE
VCC = I B R B + V BE + (β + 1)I B R L ⇒ I C = βI B = β
143
≅ = 0,715 mA
RB RC R B + (β + 1)R L 2000
β +1
I B = 7,15 µA; VCE = VCC − I C ( RC + R L ) ≅ 15 − 0,715 ⋅ 12,8 ≅ 5,85 V > VCE , sat
β
c) Margen al corte:
β I C R L (β + 1)
iC = I C + i c = I C + v o ≥ 0 ⇒ vo ≥ − ≅ − I C R L = −7,15 V
(β + 1)RL β
Margen a la saturación:
RL v CE = VCE + v ce = VCE − v o ≥ VCE ,sat ⇒ v o ≤ VCE − VCE ,sat = 5,85 − 0,2 = 5,65 V
Las relaciones entre las magnitudes de pequeña señal se obtienen del circuito equivalente
(apartado a))
Luego la máxima amplitud de la señal de salida simétrica es 5,65 Vp (11,3 Vpp)

13.
a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresión habitual:
VCC V BB − V BE
IC = β ≅ 2,4 mA
R B + (β + 1)R E
R2 RR
Donde V BB = VCC = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 kΩ son la tensión y la resistencia
R1 R1 + R2 R1 + R2
equivalentes de Thévenin, respectivamente, del circuito que polariza la base
R3
R2 RE

b) El circuito de pequeña señal queda:

ii(t) vbe
vo(t)
rπ||R3
gmvbe=
vi(t) RE||R1 ||R2
=βib

Donde gm = IC/Vt = 95,5 mΩ-1, rπ = β/gm ≅ 1 kΩ

c) Llamando RX = rπ||R3 ≅ 0,91 kΩ, RY = RE||R1||R2 ≅ 1,67 kΩ

v i = v be + v o ⎫
⎪
v be = ii R X ⎬v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) ⇒ Ri = R X + (1 + g m R X )RY ≅ 148 kΩ
v o = (1 + g m R X )RY ii ⎪⎭

O bien, dado que rπ || R3 ≅ rπ, se tendrá que ii ≅ ib. Por tanto:

v i = ib rπ + v o ⎫
⎬v i = ib (rπ + (1 + β )RY ) ⇒ Ri ≅ rπ + (1 + β )RY ≅ 170 kΩ
v o ≅ (1 + β )RY ib ⎭

Actualizado Octubre 03
 CAB 12

14.

a) Los transistores JFET son de deplexión; véase además que VGS2 = 0: si conduce, como afirma el enunciado, la tensión
umbral ha de ser negativa VT = -1 V.

La ecuación de la corriente de drenador para Q2, que tiene puerta y fuente cortocircuitados, es, en saturación e ignorando el
efecto Early, :
I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = kVT = 1 mA
2 2

Como Q1 está también saturado, su corriente es:

I D1 = k (VGS 1 − VT )
2

Puesto que el nudo de salida está abierto, se tiene

I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = k (VGS 1 − VT ) = I D1 ⇒ VGS 1 = VGS 2 = 0
2 2

Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO ⇒ VO = 0

Nótese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentación: sería preciso conocerlas para calcular el valor de VDS
y verificarla saturación de los transistores y la coherencia de los resultados. Sin embargo, el enunciado asegura la saturación
y no se pide la comprobación.

b) Los dos transistores son iguales y están polarizados con la misma corriente de drenador, y por tanto los parámetros de su
circuito equivalente de pequeña señal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 mΩ-1; ro ≅ VA/ID = 50 kΩ.
El circuito equivalente de la fuente es:
i Y se pide Req = vx/ix:
x D
= (v gs = 0) = ro ≈ 50 kΩ
vx vx
+ Req = =
ix vx
ro gmvgs
vx g m v gs +
ro
S≡G -

c) El circuito equivalente de pequeña señal, con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente, :
G1 S1≡ S2 v gs1 = v g1 − vs1 = vi − vo
vo
g m ro Req
gmvgs1 ro Req vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi − vo ) ⇒ vo = = 0,98
vi 1 + g m ro Req

D1≡D2 ≡G2

d) La resistencia de salida es la relación entre la tensión aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes
de señal anuladas:
G1 ix S1≡ S2

+ v gs1 = v g1 − vs1 = −v x
gmvgs1 ro Req
vx v v
vx ix = − g m v gs1 + = g m v x + x ⇒ Ro = x = 1 g m ro Req = 490 Ω
ro Req ro Req ix
-
D1≡D2 ≡G2

15.
La polarización es la misma en las dos etapas. Con los transistores en activa directa:
VCC − VBE
IB = = 10 µA; I C = βI B = 2 mA;VCE = VCC − I C RC = 7 V > VCE,sat
RB
En pequeña señal, con rπ = Vt/IB = 2,5 kΩ:
RG ib1 ic1 vce1 ib2 ic2
vo≡ vce2

vg RB rπ βib1 RC RB rπ βib2 RC RL

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 CAB 13

vg rπ RB
ib1 =
R G + rπ RB rπ
vo v v − βib 2 RC RL − βib1 rπ RC RB − β RC RL − β rπ RC
= o ce1 = rπ RB ≈ = −40 × −40,8 = 1632,6
v g vce1 vg ib 2 rπ ib1rπ (R G + rπ RB ) rπ R G + rπ
Para calcular el margen dinámico se examina cuánto ha de valer vo para que ningún transistor se corte ni se sature:
El primer transistor no se corta:
vce1 v
iC1 = I C + ic1 = I C − ≥ 0 ⇒ vce1 ≤ I C rπ RC RB ⇒ vo ≥ o I C rπ RC RB = −40,8 × 2 × 0,714 = −58,3 V
rπ RC RB vce1
Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia. Notar que la desigualdad cambia de
sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo.
El primer transistor no se satura:

vCE1 = VCE + vce1 ≥ VCE ,sat ⇒ vce1 ≥ −VCE + VCE ,sat ⇒ vo ≤

vo
(− VCE + VCE ,sat ) = −40,8 × −7 = 285,6 V
vce1
El segundo transistor no se corta:
vo
iC 2 = I C + ic 2 = I C − ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC RL = 2 × 0,5 = 1 V
RC RL
El segundo transistor no se satura:
vCE 2 = VCE + vce 2 ≥ VCE ,sat ⇒ vce 2 = vo ≥ −VCE + VCE ,sat = −7 V
Luego el margen dinámico está limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp. Como la segunda etapa tiene mucha
ganancia variaciones de tensión muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensión mucho más pequeñas a la
salida de la primera etapa, así que es lógico que el margen dinámico no venga limitado, ni mucho menos, por ésta.

16.
a)
+VCC La corriente de emisor de los transistores es la misma; si están ambos en activa
directa y dada la igualdad de las βs y la ausencia del efecto Early, las corrientes de
IX 8R RC I C colector son iguales, IC (por cierto, este razonamiento es válido tanto en continua
como en alterna)
La caída de tensión a lo largo del divisor resistivo:
IC/β 2VCC = R(10 I X − I C β ) ≅ 10 RI X ⇒ I X ≅ 2VCC / 10 R = 1 mA
TN Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX, lo que puede validarse
a posteriori. Observando la diferencia de tensión entre las bases de los dos
transistores:
IX-IC/β R RE (1+1/ β)IC RI X − 2VBE ( ON )
RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 β )RE I C ⇒ I C ≅ = 2 mA
RE
IC/β
TP IC/β = 0,02 mA << 1 mA = IX, lo que justifica la aproximación anterior. Y para
verificar el funcionamiento en modo activo directo:
IX
VCEN = VCC − I C RC − (VCC − 8 RI X − VBE ( ON ) ) = 9,9 V
R
VECP = −VCC + RI X + VEB ( ON ) − (− VCC ) = 3,1 V
-VCC
b) En pequeña señal el circuito equivalente es el siguiente, donde rπN = rπP ≡ rπ = kT/e β/IC = 1,25 kΩ.
TP TN
βibN
ibP RE
B E E C
rπP
vi R/2 βibP ibN rπN RC vo

C B
c) TP trabaja en colector común, y TN en base común
d) En los nodos de emisor: (β+1)ibN = -(β+1)ibP ⇒ ibN = -ibP

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 CAB 14

vo − βRC ibN βRC 500 kΩ

Av = = = = = 9,5
vi ibP (rπP + (β + 1)R E ) − rπN ibN (β + 1)R E + 2rπ 52,5 kΩ
e)
vi vi vi 1 1
Ri = = = = = =
vi vi vi v 1 A 1 1
+ ibP − ibN + o + v +
R2 R2 R 2 βRC R 2 βRC R 2 (β + 1)RE + 2rπ

=
R
((β + 1)RE + 2rπ ) ≅ R = 1,2 kΩ
2 2
f) El corte de los dos transistores sería simultáneo por la igualdad de las corrientes de colector:
vo
iCN = iCP = I C + ic = I C − ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC = 10 V
RC
La no-saturación de TN impone:
vCEN = VCEN + vcen ≥ VCE ,sat ⎫
⎪ − VCEN + VCE ,sat
rπ ⎛ rπ ⎞⎬ ⇒ vo ≥ ≅ −VCEN = −9,9 V
vcen = −icn RC + icn = vo ⎜⎜1 − ⎟⎟⎪
1−
rπ
β ⎝ βRC ⎠⎭ βRC
Y la de TP:
v ECP = VECP + vecp ≥ VEC ,sat ⎫
⎪
− r β + (1 + 1 β )RE R ⎬⇒
vecp = −ibn rπ + iep RE = icn (− rπ β + (1 + 1 β )RE ) = −vo π ≅ − vo E ⎪
RC RC ⎭

⇒ −vo E ≥ −VECP + VEC ,sat ⇒ vo ≥ C (VECP − VEC ,sat ) ≅ 31 V

R R
RC RE
Luego el margen dinámico, limitado por la saturación de TN, es 9,9 Vp

17.
ID R
IB
a) En continua:
VCC VCC − V BE r kT e kT e
IB = ⇒ π = =
R R RI B VCC − VBE

b) En alterna:
Vg I b rπ + R(I b + I b jωCrπ ) rπ + R(1 + jωCrπ )
Id R Z= = = ≅
Id βI b + I b + I b jωCrπ β + 1 + jωCrπ
Ib
βIb ⎛ rπ << R ⎞ 1 + jωCrπ 1 + jω ω0
Vg ≅ ⎜⎜ ⎟⎟ ≅ R =R
rπ
⎝ β >> 1 ⎠ β + jωCrπ β + jω ω0
C
1 + (ω ω 0 )
2

Y tomando el módulo Z = R
β 2 + (ω ω 0 )
2

c) En la región de interés ω/ω0 es despreciable frente a β y 1 frente a ω/ω0:

ω ω0
Z ≅R ⇒ log( Z R ) ≅ log(ω ω 0 ) − log β , que en los ejes pedidos es una recta:
β
log( Z R )
0
Z =R

Z =R β

0 log(ω ω 0 )
ω ω0 = 1 ω ω0 = β + 1
Actualizado Octubre 03