Informe Laboratorio 2

Facultad de Ingeniería
Programa de Ingeniería Electrónica
MS.c Katherine cabana jiménez

ESTUDIO DE LAS CARACTERISTICAS DEL

DIODO DE UNION PN

Ing Electrica1, Second Author2, Third Author3

RESUMEN
En la experiencia planteada demostraremos por medio de este documento la
interacción del diodo 1N4007. Realizando el análisis de sus comportamientos
para señales DC y AC de entrada. Para obtener dichos resultados fue
necesario realizar circuitos en serie conectando resistencias con valores
específicos; un diodo (de señal o rectificador, se tuvo en cuenta la
polarización del diodo para determinar su comportamiento) y una fuente de
Keywords: voltaje DC. Utilizando los materiales suministrados y aplicándoles voltaje
por medio de la fuente y así poder ver sus comportamientos donde se muestra
First keyword la relación, voltaje de la fuente-diodo de forma directa a inversa. Es
Second keyword importante resaltar el buen uso del multimetro durante el desarrollo de la
Third keyword experiencia
Fourth keyword
Fifth keyword

Corresponding Author:
Name of Corresponding Author,
Department of Electrical and Computer Engineering,
National Chung Cheng University,
168 University Road, Minhsiung Township, Chiayi County 62102, Taiwan, ROC.
Email: lsntl@ccu.edu.tw

1. INTRODUCCION
Los diodos cumplen un papel muy importante en la tecnología moderna. Prácticamente cada sistema
electrónico, desde un equipo de sonido hasta el computador de nuestras casas emplea diodos de una u otra
forma. Un diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la polaridad,
es decir, la corriente en el diodo puede fluir en una dirección solamente (descripción ideal). También pueden
ser definidos como dispositivos no lineales, estos tienen aplicaciones muy interesantes sin las cuales no
conoceríamos la electrónica moderna; tiene especial importancia en los circuitos de conmutación (circuitos
que se basan en interruptores que permiten o no la circulación de una corriente eléctrica), ya que estos pueden
conducir o no, según el voltaje aplicado. El primer diodo fue probado en el año 1905. Años más tarde, la
tecnología de semiconductores de germanio y silicio se introdujo en la década de los años 30. En épocas
pasadas se usaban los diodos para demodular las señales AM de los radios y actualmente son comúnmente
usados en el área de electrónica de potencia, para el control apropiado de transformadores y motores.

2. MARCO TEÓRICO

La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado sólido (estructura de

cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un material semiconductor de la más alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un
buen conductor y la de un aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo cristal y
compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una
estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de

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cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos
o más materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos
son Ge, Si y GaAs.
Materiales extrínsecos: Materiales tipo n y tipo p.
Como el Si es el material más utilizado como material base (sustrato) en la construcción de dispositivos de
estado sólido, el análisis en ésta y en las siguientes secciones se ocupa sólo de semiconductores Si. Como
el Ge, el Si y el GaAs comparten un enlace covalente similar, se puede ampliar fácilmente el análisis para
incluir el uso de otros materiales en el proceso de fabricación.
Como ya antes se indicó, las características de un material semiconductor se pueden modificar de manera
significativa con la adición de átomos de impureza específicos al material semiconductor relativamente
puro. Estas impurezas, aunque sólo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden alterar la estructura de
las bandas lo suficiente para cambiar del todo las propiedades eléctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material
extrínseco. Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de
dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Cada uno se describe con algún detalle en las
siguientes subsecciones. Material tipo n. Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando
un número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea
introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como
el antimonio, el arsénico y el fósforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica en la figura A.
(con antimonio como la impureza en una base de silicio).

Figura A. Impureza de antimonio en un material tipo n.

Material tipo p.
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son boro, galio e indio.
El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio se indica en la figura B.

Figura B. Impureza de boro en un material tipo p.

A) Sin polarización aplicada (V _ 0 V)

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En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región de la
unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la unión,
como se muestra en la figura C.

Figura C. Unión de materiales tipo p y tipo n.

3. PROCEDIMIENTO

El siguiente paso es conectar el terminal positivo al ánodo y el negativo al cátodo.

Esta experiencia se basa en armar un circuito eléctrico con el diodo 1n4007 el cual se coloca de forma
directa y medir el voltaje en cada una de las piezas del circuito como también medir la corriente en los
diodos y así poder complementar los datos solcitados en la tabla de la guía.

4. CALCULOS Y RESULTADOS

VOLTAJE CORRIENTE
VOLTAJE
VOLTAJE DE LA A TRAVÉS
DEL DIODO
LA FUENTE (V) RESISTEN DEL DIODO
(V)
CIA (V) (A)
0.1V 0.1V 0.62µV 188.97nA
0.15V 0.15V 1.62µV 547.692nA
0.2V 0.2V 4.95µV 0.01µA
0.25V 0.25V 17.1µV 0.06µA
0.3V 0.3V 62.7µV 0.23µA
0.35V 0.35V 234µV 0.87µA
0.4V 0.4V 871µV 3.23µA
0.45V 0.45V 3.11mV 11.5µA
0.5V 0.51V 12.1mV 44.8µA
0.55V 0.59V 43.8mV 162µA
0.60V 0.76V 164mV 608µA
0.65V 1.4V 0.75V 2.77mA
0.70V 3V 2.3V 8.54mA
0.75V 3.5V 2.8V 10.4mA
0.8V 34V 33.2V 123mA
Figura D. Tabla completada de la guia

Title of manuscript is short and clear, implies research results (First Author)
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Figura E. Circuito en Proteus

Figura F. Circuito en Proteus

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Figura G. Voltaje vs Corriente

5. CONCLUSION

De acuerdo con la experiencia realizada podemos concluir acerca del estudio de las características del diodo
de unión pn los siguientes aspectos.
A medida que el voltaje se va incrementando en la fuente y la corriente se comporta de la misma manera en
el circuito. empezando desde 100 mlv en función del voltaje y 0,00018897 ml amp en función de la
corriente, como resultados iniciales hasta llegar a final de la experiencia con un voltaje de 800 mlv y el
comportamiento de corriente 123 ml amp con el fin de apreciar la caída de tensión que se presenta en el
diodo. Sin duda respetando las características que poseen los componentes eléctricos del circuito.

REFERENCES

R. L. Boylestad, «Diodo Semiconductor.,» de Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos., México, 2009,
p. 912

A. Malvino and D. J. Bates, Principios de Electrónica Revisión de un clásico.

“Importancia de los diodos” [online]. Avaliable: https://es.scribd.com/doc/294 89341/Diodos-introduccion. [Accessed:

Feb-20- 2018].

Santana, «Diodo,» 18 junio 2016. [En línea]. Available:http://dte_recursos.webs.uvigo.es/recursos/

multimedia/potencia/ac-dc/archivos/diodo.htm. [Último acceso: 24 Febrero 2019].

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