Practica Kevin

INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO
“FRANCISCO DE ORELLANA”
INFORME DE PRACTICA
CARRERA:
TECNOLOGÍA SUPERIOR EN ELECTROMECÁNICA.
TEMA:
CIRCUITO DE APLICACIÓN DE TRASISTOR MOFET
AUTOR:
KEVIN ROJAS
DOCENTE:
ING. OCTAVIO EDELBERTO GUIJARRO RUBIO.
FECHA:
20-02-2021
Puyo – Ecuador
2021
Resolución CONESUP No. 180-05-01-2004
Puyo – Pastaza
1.-TEMA: CIRCUITO DE APLICACIÓN DE TRASISTOR MOFET
2.-OBJETIVO GENERAL
 Analizar y simular un circuito de aplicación de transistores mosfet
3.-OBJETIVOS ESPECÍFICOS.
 Implementar un circuito con transistores mofeta
 Demostrar el funcionamiento de los transistores mosfet como inversor de potencia.
 Analizar el funcionamiento de un inversor de potencia con transistores mosfet.
4.- MARCO TEÓRICO
Transistores Mofet
Figura 1.- Estructura interna de una transistor mosfet
Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio
transistor.
En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la

Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y
Surtidor, gracias al impacto de campo. El concepto enriquecimiento se refiere al
aumento de la conductividad eléctrica gracias a un incremento de la proporción de
portadores de carga en la zona que corresponde al canal, que además es exitosa como el
área de inversión
Dirección: Barrio el Dorado, calle Sucumbíos y Av. Los Pindos

e-mail: info@itsfo.edu.ec
Página web: www.itsfo.edu.ec
Contacto: Teléfono (03)2793108
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Puyo – Pastaza
EL MOSFET COMO INVERSOR.

El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación implica que la tensión de
entrada y salida del circuito posee una excursión de tensión, elevada (de 0 a V DD) entre
los niveles lógicos alto H (asociada a la tensión V DD) y bajo L (asociada a la tensión 0).
Para el nivel bajo, se persigue que VGS > Vt y que el transistor se encuentre trabajando
en la región óhmica, con lo cual VDS << 1. Mientras que para en el nivel alto, se
persigue que la tensión de salida sea elevada, y en general, que el transistor esté
funcionando en la región de corte, con VDS >> 1. Se puede considerar que, el transistor
MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
características en conmutación: pasando de la región de corte a la región óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado en un interruptor con resistencia de
Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutación de corte a
saturación y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran importancia en estos
sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal como
RD. En este circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y V out es igual a la tensión de
alimentación. Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en conducción y V out cae a
un nivel bajo. Para que este circuito funcione la corriente de saturación ID(sat) tiene que
ser menor que ID(on).
RDS(on)<< RD
Figura 2.-Mosfet como inversor

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Puyo – Pastaza
Se denomina inversor, por que la tensión de salida, es de nivel opuesto a la tensión de

entrada. Lo único que se requiere en los circuitos de conmutación, es que las tensiones
de entrada y de salida se puedan reconocer fácilmente, ya sea en nivel alto o bajo.
5.- DESARROLLO.
1. Armar el siguiente circuito de inversor de potencia mediante software Isis

Proteus.
Figura 3.-Circuito inversor de potencia

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Puyo – Pastaza
Figura 4.-Armado de circuito inversor con Mosfet

Realizado por: Kevin Rojas
2. Utilizar los voltímetros y evidenciar los voltajes a la entrada y salida del circuito.
Figura 5.- Medición de voltajes del circuito

Análisis.- Se puedo obtener los voltajes del circuito donde al entrada tenemos un voltaje de 120
V AC y a la salida de cada transistor MOSFET tenemos un voltaje más pequeño de 16.7 y 17.3
V respectivamente.
3. Visualizar las ondas obtenidas en el circuito tanto a la entrada como la salida del
circuito.

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Puyo – Pastaza
Figura 6.- Señales del circuito visualizadas en el osciloscopio

Análisis.- En el osciloscopio se puedo evidenciar las gráfica de la señal de entrada de color

amarillo que esta representa la toma de voltaje AC 120 V y la salida obtenemos la señal de
color azul y esta se reduce en voltaje y esta invertida como podemos observar en la gráfica.
6.- MATERIALES HERRAMIENTAS Y EQUIPOS.
Herramientas
ISIS PROTEUS
ORDENADOR
MATERIALES EN PROTEUS
MATERIAL NOMBRE EN PROTEUS

LAMPARA LAMP
DIODO 1N4002 1N4002
CAPACITOR CAP
POTENCIOMETRO POT-HG
RESISTENCIA RES
SWITCH SWITCH
DIODO SCR SCR
VOLTAJE AC ALTERNADOR
BATERIA BATTERY
7.- CONCLUSIONES
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La puerta es la encargada de

controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un
diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción
y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. El pulso
de disparo ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo. Según se atrase o
adelante éste, se controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos
anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de

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Puyo – Pastaza
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente

alterna el SCR se des excita en cada alternancia o hemiciclo. Trabajando en corriente
continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado
8.- RECOMENDACIONES
Es necesario configurar correctamente los voltajes en los alternadores para obtener un

correcto resultado en el funcionamiento y gráficas obtenidas en el osciloscopio
9.-BIBLIOGRAFIA
 ANGULO, J, Enciclopedia de Electrónica Moderna, 9na ed. vol. 4, Madrid - España,

Paraninfo, 1996, Pp. 50 -73
 BRAOJOS, F, y otros, Guía Práctica de Electricidad y Electrónica, Madrid - España,

Cultural S.A, 2003. Pp. 50 – 100
10.-Anexos.

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Puyo – Pastaza

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1.-TEMA: CIRCUITO DE APLICACIÓN DE TRASISTOR MOFET

 Analizar y simular un circuito de aplicación de transistores mosfet

 Implementar un circuito con transistores mofeta

 Demostrar el funcionamiento de los transistores mosfet como inversor de potencia.

 Analizar el funcionamiento de un inversor de potencia con transistores mosfet.

4.- MARCO TEÓRICO

Figura 1.- Estructura interna de una transistor mosfet

Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide

En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la

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EL MOSFET COMO INVERSOR.

Figura 2.-Mosfet como inversor

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Se denomina inversor, por que la tensión de salida, es de nivel opuesto a la tensión de

1. Armar el siguiente circuito de inversor de potencia mediante software Isis

Figura 3.-Circuito inversor de potencia

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Figura 4.-Armado de circuito inversor con Mosfet

Figura 5.- Medición de voltajes del circuito

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Figura 6.- Señales del circuito visualizadas en el osciloscopio

Análisis.- En el osciloscopio se puedo evidenciar las gráfica de la señal de entrada de color

6.- MATERIALES HERRAMIENTAS Y EQUIPOS.

MATERIAL NOMBRE EN PROTEUS

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La puerta es la encargada de

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carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente

Es necesario configurar correctamente los voltajes en los alternadores para obtener un

 ANGULO, J, Enciclopedia de Electrónica Moderna, 9na ed. vol. 4, Madrid - España,

 BRAOJOS, F, y otros, Guía Práctica de Electricidad y Electrónica, Madrid - España,

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