UNIVERSIDAD TÉCNICA DE MACHALA

UNIDAD ACADÉMICA DE INGENIERÍA CIVIL

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

GUÍA DE PRÁCTICA DE ASIGNATURA

NÚMERO DE PRÁCTICA: TI. P304-02

NOMBRE DE LA PRÁCTICA: APLICACIÓN DEL TRANSISTOR BJT EN LA ZONA LINEAL Y
DE SATURACIÓN

1. DATOS INFORMATIVOS
CARRERA: TECNOLOGÍAS DE LA INFORMACIÓN
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA
CICLO/NIVEL: 3ER. SEMESTRE
RESPONSABLES: Juan Padilla y Issel Román

2. FUNDAMENTACIÓN
El transistor constituye desde hace muchos años, el principal componente
semiconductor presente en todos nuestros equipos electrónicos actuales, ya que, en el
proceso de fabricación de circuitos integrados, incluso de otros elementos pasivos al
integrarlos, se basan en la difusión de un transistor. También algunas leyes como la de
Moore utiliza al transistor como una métrica.

En nuestra asignatura estudiamos solo a los transistores bipolares, pero la metodología

de análisis y experimentos son extrapolables a otros transistores como los de efecto de
campo. Los transistores bipolares pueden ser NPN o PNP en dependencia de la
distribución de las uniones P-N al fabricarlos, como dispositivos semiconductores
también prevalece el Si sobre el resto de materiales actuales.

En función de la polarización de los transistores estos pasan de una zona de trabajo a

otra, dígase, activa, corte y saturación. Cada una de estas zonas de trabajo según la
polarización permiten el uso de, transistor en diferentes aplicaciones. Cuando está en
zona activa es usado fundamentalmente como un amplificador y cuando pasa de corte
a saturación es usado en régimen de conmutación.

La presente práctica de laboratorio, está enfocada en experimentar con circuitos

completamente prácticos, donde se mezcla diodos semiconductores, elementos
pasivos y al transistor trabajando en la zona de corte y saturación, es decir en régimen
de conmutación.

El transistor bipolar cuando trabaja en régimen de conmutación, tiene dos estados o

zonas de trabajo bien delimitadas, ellas son: Saturación y Corte. Cuando el BJT está en
corte, dado que no hay corriente de base y por ende no hay conducción en las uniones
PN, el Vce es igual a Vcc y la Ic = 0. En cambio, cuando se alcanza una máxima
conducción del BJT con una Ib grande entonces el BJT se satura y el Vce es
aproximadamente cero, para el Silicio 0,2V y para el Ge 0.1, aunque si el transistor es
de potencia, estos valores están entre 1 y 2 Vdc.
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En esta práctica veremos dos circuitos representativos, el primero mezcla un sensor de
luz con un RTD que permite activar en este caso un LED, pero puede ser usado para
activar otros circuitos como son lámparas, regadíos, bombas militares, etc.

El otro circuito es un clásico convertidor de señales analógicas a digitales que permiten

hacer uso del osciloscopio para ver el comportamiento dinámico del transistor.

3. RESULTADOS DE APRENDIZAJE

• Identifica a los dispositivos semiconductores.

• Calcula el punto de operación de dispositivos semiconductores.
• Utiliza instrumentos de medición reales y software de simulación para analizar circuitos
electrónicos de pequeña y mediana complejidad.
• Implementa circuitos electrónicos con dispositivos semiconductores (diodos y
transistores BJT).

4. OBJETIVOS ESPECÍFICOS
• Aplicar recursos y medios adecuados para la comprobación experimental de la
operación del transistor BJT en la zona lineal y de saturación.

5. EQUIPOS, MATERIALES E INSUMOS

• Multímetro digital Fluke 117

• Osciloscopio monocromático FLUKE 123, Osciloscopio Color FLUKE 192 C

• Kit de entrenamiento ELENCO Digital Analog Trainer Model XK-150

• 1 Fuente regulada de +5V

• 1 Batería de 9 V, con broche de conexión

• 1 Bornera de conexión para protoboard

• 1 relé de 5 V/10 A

• 1 Transistor BC548B

• 1 diodo rectificador de 1 A

• 2 resistencias de 1 KΩ /0.5 W

• 1 resistencia de 100 KΩ o 1 MΩ de 0.5 W

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• 1 interruptor para protoboard (switch)

• 1 diodo led de cualquier color

• Cables de conexión

• Extensión eléctrica tipo cordón de mínimo 2 metros.

6. PROCEDIMIENTO

1. Con el equipo y materiales solicitados, conexione el diagrama indicado en el Anexo

1, acorde a las indicaciones dadas por el profesor.

2. Cierre el switch y utilizando el multímetro digital Fluke 117 u osciloscopio, proceda

a medir las variables indicadas en la siguiente tabla:

Vbe Ib Vce Ic

Nota: Para medir corrientes recuerde colocar el multímetro con la configuración correspondiente, en
serie en la rama donde se desea realizar la medición. Caso contrario, medir el voltaje en el elemento y
aplicando la ley de Ohm determinar la corriente solicitada.

3. Sustituya la Rb, acorde al diagrama indicado en el Anexo 2 y repita el procedimiento

indicado en el punto anterior.

Vbe Ib Vce Ic

Nota: Para medir corrientes recuerde colocar el multímetro con la configuración correspondiente, en
serie en la rama donde se desea realizar la medición. Caso contrario, medir el voltaje en el elemento y
aplicando la ley de Ohm determinar la corriente solicitada.

4. Coloque imágenes del procedimiento realizado en el literal 2.

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5. Coloque imágenes del procedimiento realizado en el literal 3.

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7. RESULTADOS ESPERADOS
Se espera evaluar el desempeño de los estudiantes en la comprobación experimental de
la operación del transistor BJT en la zona lineal y de saturación. Las evidencias son
capturas de pantalla o valores tabulados de los resultados de los puntos del
procedimiento realizado.
Circuito de Anexo 1.
Vbe Ib Vce Ic

3.59 v -0.127 A 4.754 v 0.702 A

Circuito de Anexo 2.
Vbe Ib Vce Ic

-4.371 mV 0.179 A -4.957 V 0.542 A

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8. BIBLIOGRAFÍA

• Malvino Albert (c2007). Principios de electrónica. McGraw-Hill Interamericana.

(BIC00430)
• Hernández Rojas Dixys (2015). Introducción al laboratorio de electrónica analógica.
UTMACH, Unidad Académica Ingeniería Civil. (BIC01073)

ANEXOS

Anexo 1.- Circuito para operación de transistor en la zona lineal.

Anexo 2.- Circuito para operación de transistor en zona de saturación.