INTRODUCCIÓN

El SCR tiene una caída en conducción muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente anódica. ⇒ Esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutación por ciclo).

Desde los primeros años del SCR los fabricantes han intentado conseguir que
los SCR pudiesen cortarse desde la puerta ⇒ A principios de los años 80
aparecen los primeros GTOs.
TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR
PUERTA Porqué no puede cortarse un SCR desde puerta?

CÁTODO (K)
7.1. INTRODUCCIÓN PUERTA (G)
7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO VGK<0
7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO
7.4. CONMUTACIÓN DEL GTO
Unión
7.4.1. Encendido del GTO Catódica
7.4.2. Apagado del GTO
7.5. MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE n+ n+ Capa Catódica
p
POR CORRIENTE DE PUERTA - + + - - + Capa de
Control
7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA Unión de
Control
PUERTA. n-
Capa de
7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT. Unión Bloqueo
7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT Anódica

7.7. COMPARACIÓN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE p+ Capa Anódica

POTENCIA.
7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN ÁNODO (A)

DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Al aplicar una tensión negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente
saliente por la puerta. Aparece una focalización de la corriente anódo-cátodo
hacia el centro de la difusión n+ catódica debido a la tensión lateral. Esta
corriente polariza directamente la zona central de la unión catódica,
manteniendo al SCR en conducción.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 1 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 2 de 23
 ESTRUCTURA DEL GTO
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DEL GTO
Cátodo iA

Puerta Puerta Puerta

n+ n+

BV≈20÷30 V
p
VAK

n-

p+ n+ p+ n+ p+

Ánodo Ánodo
Ánodo
Sección de un GTO:
Las principales diferencias con el SCR son:
• Interconexión de capas de control (más delgada) y catódicas,
Puerta Puerta
minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catódicas y
aumentando el perímetro de las regiones de puerta.
• Ataque químico para acercar el contacto de puerta al centro de las
regiones catódicas.
Cátodo Cátodo
• Regiones n+ que cortocircuitan regiones anódicas:
• Acelerar el apagado Característica estática y símbolos de GTO’s
• Tensión inversa de ruptura muy baja

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 3 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 4 de 23
 FUNCIONAMIENTO DEL GTO FUNCIONAMIENTO DEL GTO
A A A Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la
α2
IA = IE1 puerta, debe ser β off =
p1 J1
p1 IB1 α 1 + α 2 − 1 lo mayor posible, para ello
J1
n1 T1 debe ser: α2 ≈1 (lo mayor posible) y α1 ≈0 (lo menor posible).
n1 n1 IC2
J2
J2 J2 IC1 ⇒ α2 ≈1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y
p2 G p2
G p2 G T2 poco dopada y que su emisor (capa catódica) esté muy dopado.
J3 J3
Estas condiciones son las normales en los SCR.
n2 IG IB2
n2 IK = -IE2
⇒ α1 ≈0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y
K tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera
K K
condición es normal en SCRs de alta tensión, la segunda no,
porque ocasiona un aumento de las pérdidas en conducción.
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo Para conseguir una buena ganancia βoff será necesario asumir
proceso que en el SCR normal. unas pérdidas en conducción algo mayores.
Los cortocircuitos anódicos evitan estas pérdidas extras, al quitar
Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación aplicando corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que
una corriente de puerta negativa: disminuir la vida media.
- Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los
IB2=α1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-α1) IA huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo
pueden eliminarse por recombinación al no poder difundirse
La no saturación de T2 ⇒ IB2< IC2 /β2 dónde β2= α2 /(1-α2) hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los
sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos: cortocircuitos anódicos aceleran la conmutación de T1 al poder
extraerlos (a costa de no soportar tensión inversa).
I C 2 ⋅ (1 − α 2 ) (1 − α 1 ) ⋅ (1 − α 2 )
I B2 < = ⋅ I A;
α2 α2

I B 2 = α 1 ⋅ I A − I G− <
(1 − α 1 ) ⋅ (1 − α 2 ) ⋅ I A
α2

IA
luego: I G− > α2
β off ,
βoff =
dónde β off es la ganancia de corriente en el α1 +α2 −1
momento del corte y vendrá expresada por:

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 5 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 6 de 23
 ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO CIRCUITO DE EXCITACIÓN DE PUERTA DEL GTO

GTO Conduciendo GTO Bloqueado

IG

IGM
dIG /dt
IGON

-
I GM

Se necesita una fuente de tensión con toma media.

Formas de Onda de la Corriente de Puerta

a) Para entrar en conducción, se necesita una subida rápida y valor IGM

suficientes para poner en conducción todo el cristal. Si sólo entra en
conducción una parte y circula toda la corriente, se puede dañar. Nótese
que si sólo entra en conducción una parte bajará la tensión ánodo-
cátodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrán entrar en
conducción.

b) Cuando se ha establecido la conducción se deja una corriente IGON de

mantenimiento para asegurar que no se corta espontáneamente. (Tiene
menos ganancia que el SCR).
-
c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/βoff muy grande, ya
que βoff es del orden de 5 a 10.

d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe

mantenerse una tensión negativa en la puerta para evitar que pudiera
entrar en conducción esporádicamente.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 7 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 8 de 23
 CONMUTACIÓN DEL GTO CONMUTACIÓN DEL GTO. ENCENDIDO POR
CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA
AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:
Carga + Limita la velocidad de subida de la
+ DLC corriente anódica en el encendido,
evitando que IA alcance valores muy ∂IG /∂t, Limitada por las
Df Io altos cuando aún no puede circular por inductancias parásitas
todo el cristal (podría subir mucho
debido a la recuperación inversa de Df ) IG

IGM I GON
Turn-on
snubber AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la t
tensión anódica en el apagado, I A : Sin amortiguador de encendido
Lon evitando que al subir VAK las
Lon corrientes por las capacidades de las IA
uniones lo ceben de nuevo
td

IAmax : Limitada por el

amortiguador de encendido
Don Turn-off
DS snubber
t
Lσ V AK
LS
Inductancia
parásita de las
conexiones t
GTO CS
Formas de Onda en el Encendido del GTO

-
Circuito para el Estudio de la Conmutación del GTO:

Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a

estudiar la conmutación del GTO sobre este circuito completo.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 9 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 10 de 23
 CONMUTACIÓN DEL GTO. APAGADO POR MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE
CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO
Cátodo
IGON
IG

t +
Puerta n Puerta n+ Puerta

IA p
ts tcola

Focalización de la IA
n- debido al potencial
lateral⇒ Aumento
t de la resistividad
VAK

Resonancia de Cs
y Lσ (Pérdidas) ⇒ Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo
lateral, que provoca que la corriente anódica se concentre en los puntos mas
alejados de las metalizaciones de puerta.
t
Formas de Onda en el Apagado del GTO ⇒ Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.

⇒ Para que circule la corriente IG requerida, se necesita más tensión.

⇒ Si sube IA se necesita aún más tensión -VGK.

⇒ Se podrá subir -VGK hasta la tensión de ruptura de la unión Puerta-Cátodo.

⇒ Esta ruptura definirá la máxima corriente controlable desde la puerta

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 11 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 12 de 23
 TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA: FUNCIONAMIENTO DEL IGCT
IGCT

GTO y Diodo de la misma tensión de ruptura. Para integrarlos en la misma

oblea, hay que hacer el diodo más ancho ⇒ Más pérdidas

¾ IGCT y Diodo de la misma tensión de ruptura. Se integran sin problemas.

¾ Se suprimen los cortocircuitos anódicos, se sustituyen por una capa
anódica “transparente” a los electrones (emisor del transistor pnp muy
poco eficaz ⇒ α1 muy pequeña. Esto permite hacer un dispositivo PT ⇒
más estrecho con menores pérdidas en conducción.
¾ Se mejora el diseño de la puerta (muy baja inductancia) ⇒ 4.000 Amp/µs
(con una tensión Puerta-Cátodo de sólo 20V). Apagado muy rápido ⇒
menores pérdidas en conmutación.
¾ En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catódica a la puerta
rápidamente, de forma que la unión catódica queda casi instantáneamente
polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del
transistor npn ⇒ No es necesario un amortiguador de apagado.
¾ La ganancia de puerta será 1 ya que toda la corriente anódica se transfiere a la
puerta.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 13 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 14 de 23
ZONA DE OPERACIÓN SEGURA DEL IGCT MODULO CON UN IGCT

4.500V, 3.600Amp. Diámetro Oblea: 120 mm

Ejemplo de zona de operación Segura de un IGCT.

(Análoga a la de un BJT)

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 15 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 16 de 23
 TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT COMPARACIÓN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA
Conductor
A

G G
A

Doff n +
n+ Doff Son
Soff p Son p G G
+
p off-FET on-FET
Soff Don
n

p-
K
n+

a) b)

(a) Sección Transversal del p-MCT. (b) Circuito Equivalente

Comparación de la caída de tensión en conducción.
A A
MOS IGBT SCR GTO
G ¾ Fácil de ¾ Área de silicio ¾ Área de silicio ¾ Muy alta
G controlar /kVA /kVA tensión
¾ Velocidad ¾ Fácil de ¾ Tensiones y ¾ Área de silicio
¾ Bajo coste controlar corrientes /kVA
(V<150V) ¾ No “Snubber” muy altas
K K
¾ Salida lineal
Símbolos del MCT: a) p-MCT b)
¾ Alto ¾ Caída en ¾ No se apaga ¾ Circuito de
coste/kVA conducción desde la puerta puerta
¾ Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para (V>300V) ¾ fmax 50kHz ¾ Pérdidas en
encenderlo y otro para apagarlo) ⇒ Estructura compleja, con muchos Conmutación
requerimientos contradictorios. ¾ “Snubbers”
¾ Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han
abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo
con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de
fabricación ⇒ mayor costo).

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 17 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 18 de 23
 COMPARACIÓN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS

Evolución de la máxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB)

IMAX (kA) 7
6 GTO
5
4
3
2
1
1 2 3 4 5 6 7

VMAX (kV)
1
3 IGBT
log(f) 10 5
(kHz)
20 ¾ Consiguen que la resistencia en conducción crezca casi linealmente con
100 50 la tensión de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia
MOS 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios).
¾ Existen comercialmente (Infineon).
Máximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS,
IGBT y GTO
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 19 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 20 de 23
 ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT
Injection Enhanced Gate Thyristor:
IEGT
¾ La razón por la que la caída en
conducción de un SCR o GTO es Sección de una Sección de una

menor que en el IGBT radica en celdilla elemental

Fuente Puerta
celdilla elemental
Fuente Puerta

la doble inyección de portadores

(desde el cátodo y desde el
SiO 2 SiO 2

ánodo). n
+
n
+
óxido de puerta
n+ n+ n
+
n
+
óxido de puerta
n+ n+

¾ En el IGBT la inyección desde la p canal

p
p canal
p
(sustrato) (sustrato)
fuente es muy limitada.
¾ En el IEGT, se consigue que la n
−
n
−

capa de fuente tenga una Región de arrastre del Drenador Región de arrastre del Drenador

eficiencia muy alta (optimizando n+ Capa de Almacenamiento n+ Capa de Almacenamiento

los perfiles de los dopados) p+ (oblea) Capa de Inyección p+ (oblea) Capa de Inyección

Drenador Drenador

a) IGBT b)HiGT (Hitachi)

¾ La caída en conducción puede ser comparable a la del GTO para los

dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp.
¾ En investigación (Toshiba)
¾ Existen variantes (HiGT Hitachi)

El efecto es parecido al obtenido en el IEGT.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 21 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 22 de 23
 ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIÓN
ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS
CONSOLIDADOS

Comparación de la caída en conducción de dispositivos nuevos y

consolidados

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 23 de 23