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Modulo Electronica Basica PDF
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ELECTRÓNICA ANÁLOGA
Editado por:
IVAN CAMILO NIETO SÁNCHEZ
@Copyright
ISBN
2009
Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje
PRIMERA UNIDAD
FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES
1. Símbolo de un Diodo
2. Clases de diodos
3. Polarización de un diodo
4. Curvas características del diodo.
5. Diodos de propósitos especial
1. Descripción.
2. Tipos de transistores de unión bipolar.
3. Funcionamiento básico.
4. Polarización de un transistor.
5. Zona de trabajo.
SEGUNDA UNIDAD
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
1. Tipo de FET.
2. Operación y construcción de FET.
3. Características de funcionamiento.
4. Principales aplicaciones.
CAPITULO 5 MOSFET
1. Breve historia.
2. Funcionamiento.
3. Estado de funcionamiento de un transistor MOSFET.
4. Aplicaciones.
5. Ventajas.
CAPITULO 6 Amplificadores
1. Generalidades
2. Amplificadores de señal pequeña
3. Amplificadores en Cascada
TERCERA UNIDAD
AMPLIFICADORES
1. Generalidades
2. Clasificación
1. Generalidades
2. Clasificación
1. Generalidades
2. Comportamiento en continua (CD).
3. Comportamiento en Alterna (CA).
4. Tipos de circuitos.
5. Clasificaciones
6. Estructuras
UNIDAD No 1
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
CAPITULO 1
Desde que apareció la primera aplicación en 1915 con el detector de galena, hasta
1939-40, se puede decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en 1948,
apareció el transistor de puntas; en 1950 el transistor de Shockley; en 1953 el
diodo de túnel; en 1958 el tecnetrón, y en 1960 los circuitos integrados, etc. .Quizá
ninguna técnica ha hecho tan rápidos progresos como la de los semiconductores,
los cuales son capaces de representar los mismos papeles que los tubos de vacío,
pero con numerosas ventajas.
Electrones en
Elemento Grupo
la última capa
Cd
II B 2 e-
(Cadmio)
Al, Ga, B, In
III A 3 e-
(Aluminio, Galio, Boro, Indio)
Si, Ge
IV A 4 e-
(Silicio, Germanio)
P, As, Sb
VA 5 e-
(Fosforo, Arsénico, Antimonio)
ni = n = p
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido
un electrón son conocidos como huecos.
CAPITULO 2
2. DIODOS SEMICONDUCTORES
Símbolos gráficos
Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos
p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar
que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en
cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Formación de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de proteger
cables.
A (p) C ó K (n)
Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas
condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batería.
Modelos matemáticos
USOS
Protección
Fuentes de ruido de RF
También son usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como
generadores de ruido blanco.
2.4.2. Fotodiodo
Principio de operación
Un fotodiodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente
energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con
carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a
una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el
campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N
fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la
zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos.
Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz).
Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes construidos con guias
de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio e
hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en inglés) y la sintonización es realizada
mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los
cuales los ajustes son eléctricos.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta
200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos
láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
Algunas aplicaciones
conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
fotodetector
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo (amplificador/oscilador).
3. TRANSISTORES BIPOLARES
3.1. Descripción
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día
son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede
manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un
dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en
sistemas de radiofrecuencia.
F.1 F.2
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la
Base. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasará una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lámpara. (Figura
2).
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
IB Variable =0 Variable
CAPITULO 4
4.1. Transistor Efecto De Campo FET (Field Effect Transistor) Tipos De FET
La curva característica del FET define con precisión como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal
Zona de saturación
Zona de corte
5. MOSFET
Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares
presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo
extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular
o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su
velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así,
lo que se denomina distorsión por fase.
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca
de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y
el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es
algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del
silicio.
5.2. Funcionamiento
Estado de corte
Conducción lineal
Saturación
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es
debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
Modelos matemáticos
5.4. Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Véase Tecnología CMOS
5.5. Ventajas
6. AMPLIFICADORES
6.1. Generalidades
Para que un transistor opere como amplificador debe estar polarizado en la región
activa. El problema de polarización es el de establecer una corriente de cd.
Constante en el emisor (o colector). Esta corriente debe ser predecible e
insensible a variaciones en temperatura.
Características:
Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna.
No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, porque ésta no lleva
ninguna información.
Ve = Vb - 0.6 Voltios
Como Ve es siempre menor que Vb, entonces la ganancia siempre será menor
a 1.
Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es
utilizado principalmente como adaptador de impedancias.
Ro = Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]
Autopolarización
Para utilizar sólo una batería, la batería de polarización VGG se reemplaza por
un resistor Rs, que se conecta entre el terminal surtidor S y el común (ver punto
T). La corriente continua que pasa por el surtidor también pasará por el resistor
RS y causará una caída de tensión VS = IS x RS.
A1 A2 An
Entrada salida
AMPLIFICADORES
CAPITULO 7
7. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
7.1. GENERALIDADES
Dentro de las dos gamas de amplificadores vistas, también, podemos hacer una
clasificación atendiendo a su forma de trabajo:
Podemos, según esto, tener: amplificadores de tensión (tanto para B.F. como
para R.F.) y amplificadores de potencia (también, para ambas gamas de
frecuencias). En este tema únicamente vamos a entrar en los amplificadores de
potencia, que son los que nos interesan para iniciar el campo de las R.F., el resto
los damos por estudiados y aprendidos (porque son los montajes de
amplificadores que se estudian en los principios básicos).
son, por así decirlo, una mezcla de los dos anteriores, un amplificador
de potencia funciona en clase AB cuando la tensión de polarización y la
amplitud máxima de la señal de entrada poseen valores tales que
hacen que la corriente de salida circule durante menos de un período y
más de un semiperíodo de la señal de entrada.
En los amplificadores de clase A no hay nunca corriente de reja (base) por lo que
es indiferente decir que el amplificador es de clase A1 o de clase A. Lo contrario
ocurre en los amplificadores de clase C donde siempre va a existir corriente de
reja (base), en este caso es indiferente decir que el amplificador es de clase C2 o
de clase C (a secas). En los amplificadores de clase B y AB, puede que exista o
no la corriente de base (o reja) por lo que sí es importante que nos especifiquen
el tipo de amplificador del que se trata (AB1 diría que no tiene corriente de base y
B2 indicaría que sí hay corriente de base). Este tipo de notación también
podemos encontrarla en los amplificadores transistorizados.
CAPITULO 8
8. EL AMPLIFICADOR DE TENSIÓN
8.1. Generalidades
Estas curvas del transistor son diferentes para cada carga conectada a la salida
del transistor y junto con la recta de carga nos sirven para determinar la
característica de transferencia dinámica del transistor, es decir, la relación entre
la corriente de colector y la corriente de base (en el tipo de montaje que estamos
examinando).
Otra característica, de este tipo de amplificadores, era que la señal de salida sale
invertida con respecto a la señal de entrada (por eso se le denomina, también,
"amplificador inversor de fase"), es decir cuando la señal de entrada se
encuentra en el valor de pico del semiciclo negativo, en la salida nos
encontraremos en el pico del semiciclo positivo.
8.2. Clasificación
8.2.1. Amplificadores clase B
Por norma general, los amplificadores que se van a hacer trabajar en clase B, se
montan con transistores que trabajen en contrafase (push-pull); con el fin de
minimizar los armónicos que se pueden generar en este tipo de montajes, estos
amplificadores adoptan una serie de montajes determinados.
Señal de entrada y salida para amplificadores clase A y clase B
A este salto entre las dos senoides es a lo que se le conoce como distorsión de
cruce del amplificador; el "aplanamiento" al que tiende la señal es debido a que
en la señal de salida se producen armónicos impares de la frecuencia de la
señal.
En este tipo de circuitos, el rendimiento de conversión suele estar cerca del 78%,
mientras que en los de clase A este rendimiento suele estar en torno al 36,4%
(aprovechamos la potencia de la fuente de alimentación más del doble, por eso
se recurre a este tipo de montaje).
9. AMPLIFICADORES OPERACIONALES
9.1. Generalidades
El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un
ancho de banda también infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de
respuesta nulo y ningún ruido. Como la impedancia de entrada es infinita también
se dice que las corrientes de entrada son cero.
Notación
El símbolo de un MONOLITICO es el mostrado en la siguiente figura:
Lazo abierto
Si no existe realimentación la salida del A.O. será la resta de sus dos entradas
multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100.000 (que se
considerará infinito en cálculos con el componente ideal). Por lo tanto si la
diferencia entre las dos tensiones es de 1V la salida debería ser 100.000V. Debido
a la limitación que supone no poder entregar más tensión de la que hay en la
alimentación, el A.O. estará saturado si se da este caso. Si la tensión más alta es
la aplicada a la patilla + la salida será la que corresponde a la alimentación V S+,
mientras que si la tensión más alta es la del pin - la salida será la alimentación VS-.
Lazo cerrado
V+ = V-
I+ = I - = 0
En principio la ganancia calculada para continua puede ser aplicada para alterna,
pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones. (Ver sección de
limitaciones)
Análisis
Para analizar un circuito en el que haya A.O. puede usarse cualquier método, pero
uno habitual es:
Configuraciones
9.4.2. Inversor
o
Para el resto de circuitos el análisis es similar.
Zin = Rin
9.4.3. No inversor
Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como
conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje
en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo, conociendo el voltaje en el
pin negativo podemos calcular, la relación que existe entre el voltaje de salida con
el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeño divisor de tensión.
Zin = ∞
o
La expresión se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor
Impedancias de entrada: Zn = Rn
9.4.5. Restador
Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4:
o
Igual que antes esta expresión puede simplificarse con resistencias iguales
La impedancia diferencial entre dos entradas es Z in = R1 + R2
Integra e invierte la señal (Vin y Vout son funciones dependientes del tiempo)
o Vinicial es la tensión de salida en el origen de tiempos
Este circuito también se usa como filtro
9.5. Aplicaciones
Calculadoras analógicas
Filtros
Preamplificadores y buffers de audio y video
Reguladores
Conversores
Evitar el efecto de carga
Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)
9.6. Estructura
Aunque es usual presentar al A.O. como una caja negra con características
ideales es importante entender la forma en que funciona, de esta forma se podrá
entender mejor las limitaciones que presenta.
Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto, pero todos los A.O.
tienen básicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:
Las etapas en rojo son espejos de corriente. El superior de la izquierda sirve para
poder soportar grandes tensiones en modo común en la entrada. El superior de la
derecha proporciona una corriente a la circuitería de salida para mantener la
tensión. El inferior tiene una baja corriente de colector debido a las resistencias de
5kΩ. Se usa como conexión de gran impedancia a la alimentación negativa para
poder tener una tensión de referencia sin que haya efecto de carga en el circuito
de entrada.
Los pines llamados Offset null son usados para eliminar las tensiones de offset
que pueda haber en el circuito.
El condensador se usa como parte de un filtro paso bajo para reducir la frecuencia
y prevenir que el A.O oscile.
Parámetros
Limitaciones
Saturación
Un concepto asociado a éste es el Slew rate (analisis básico de bajo flujo recoltor).
Tensión de offset
Es la diferencia de tensión que se obtiene entre los dos pines de entrada cuando
la tensión de salida es nula, este votltaje es cero en un amplificador ideal lo cual
no se obtiene en un amplificador real. Esta tensión puede ajustarse a cero por
medio del uso de las entradas de offset (solo en algunos modelos de
operacionales) en caso de querer precisión. El offset puede variar dependiendo de
la temperatura (T) del operacional como sigue:
Corrientes
Aquí hay dos tipos de corrientes que considerar y que los fabricantes suelen
proporcionar:
IOFFSET = | I + − I − |
Característica tensión-frecuencia
Capacidades
Deriva térmica