Ing.

Domingo Almendares Amador

CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

CURSO DE ELECTRÓNICA II
Primera edición, 1998

Dirección de Bibliotecas y Publicaciones; I.P.N.

Primera Reimpresión corregida, 2004

Editorial E.S.I.M.E.

Llega esta obra, a la comunidad estudiosa del

Instituto Politécnico Nacional, sin fines de lucro.

Ing. Domingo Almendares Amador

D.R.  1998 INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ISBN 968-7724 93-5

 PRESENTACIÓN

La actividad desarrollada por el Instituto Politécnico Nacional, está

encaminada al cumplimiento de objetivos fundamentales, tales como: el
abatimiento del costo de los textos de apoyo para los planes de estudio de
diversas carreras y disciplinas que se cursan en la institución, y el estímulo al
profesorado para que su esfuerzo en el campo de la investigación técnica y
científica, y su experiencia en la cátedra, se plasmen en volúmenes que
circulen entre el mayor número de estudiantes, docentes e investigadores del
propio Instituto.
En este contexto, iniciamos la publicación de una nueva colección de
libros institucionales de carácter académico y costo reducido, que ofrece a los
jóvenes estudiantes de los niveles medio superior y superior un acceso más
directo hacia el conocimiento forjado en el esfuerzo y la dedicación de los
docentes e investigadores del propio Instituto.
Este material bibliográfico especializado, se nutre en parte de trabajos
originales de nuestra planta profesores, lo que reviste la mayor importancia
puesto que además de contemplar de forma particular los aspectos
pedagógicos específicos que desarrollan en su práctica diaria, permite
incentivarlos y demuestra que en México contamos con la suficiencia
científico-técnica que nos permitirá impulsar el desarrollo del país.
Este programa editorial pretende abarcar gran parte de las materias
que integran el conjunto de planes de estudio del Instituto y reflejar en sus
publicaciones la unificación de esfuerzos y voluntades que, sin lugar a dudas,
repercutirán en una entusiasta aceptación estudiantil. Además, se inserta en
el espíritu que ha distinguido siempre al Politécnico, de realizar la encomiable
tarea de llevar el conocimiento científico y tecnológico a los sectores
mayoritarios de nuestro país.
En un período histórico como el que vivimos, esta tarea reviste suma
importancia, ya que se hace en extremo urgente extender la ayuda
institucional para que nuestros educandos encuentren los apoyos que les
faciliten el continuar sus estudios profesionales, tan necesarios para el
desarrollo de la nación.
Este proyecto editorial seguramente marcará un nuevo rumbo en el
proyecto académico del Instituto Politécnico Nacional, e impactará en la
educación tecnológica y en el desarrollo integral del México del siglo XXI.

Diódoro Guerra Rodríguez

ii
 PRÓLOGO
El presente trabajo es una premisa del curso de Electrónica II, en los nuevos
planes y programas de estudio se ha tenido una reducción del tiempo de exposición
de clase substancialmente, por el ajuste realizado en los nuevos planes y
programas de estudio.

Se pretende que con éste tipo de material didáctico se acelere el proceso de

enseñanza aprendizaje, por lo cual se desarrolla al máximo detalle cada uno de los
temas tratados en ésta obra.

En el mercado bibliográfico nacional no existe un libro de texto que trate los

temas citados y los extranjeros divergen de acuerdo a su especialidad.

Con éste tipo de trabajo se pretende inducir al estudiante dentro del

panorama del ámbito de la electrónica de potencia, que muy pronto en el país se
requerirá en el futuro desarrollo industrial, dada las condiciones de globalización
económica, para la implementación técnica exigida por ésta especialidad.

En el aspecto didáctico presentado uno de los logros es el de haber

comprobado la eficacia de éste método, ya que la intención origen del presente
trabajo es la tendencia, exigencia de que nuestros alumnos se hagan autodidactas.

Cada uno de los temas tratados son completos, susceptibles de comprobar

en la práctica, con partes económicas y comerciales, ya que se ha evitado el uso de
componentes especiales.

He de agradecer a mis compañeros profesores su crítica, que permitirá

perfeccionar el presente y ayudará a realizar mejores trabajos posteriores; así
mismo agradezco anticipadamente a las autoridades del I.P.N. que de alguna u otra
manera han permitido para la realización de ésta obra.
No he de omitir la paciencia y empuje de mis alumnos, quienes han aceptado
de buen grado éstas notas.

D.A.A.

iii
 Índice

Contenido Pag.

CAPÍTULO 1.

1 RECTICACIÓN POLIFÁSICA 1
1.1 GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA 1
1.1.1 LEY DE LENZ 1
1.1.2 LEY DE FARADAY 2
1.1.3 UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO 3
MAGNÉTICO
1.1.4 DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY 5
DE FARADAY
1.1.5 DETERMINACIÓN DE LA FORMA DE ONDA DE LA FUERZA 6
ELECTROMOTRIZ
1.1.6 FACTOR DE CRESTA (F.C.) 9
1.2 SISTEMAS POLIFÁSICOS 10
1.2.1 DIFERENCIA DE POTENCIAL 10
1.2.2 SISTEMA DE GENERACIÓN BIFÁSICA 14
1.2.3 SISTEMAS DE GENERACIÓN TRIFÁSICA 17
1.3 TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA 24
1.3.1 SENTIDOS DE TENSIONES Y CORRIENTES DEL
TRANSFORMADOR 24
1.3.2 DIAGRAMAS FASORIALES Y CONEXIONES DE
TRANSFORMADORES TRIFÁSICOS 24
1.4 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA DE CONMUTACIÓN
NATURAL O NO CONTROLADA 28
1.4.1 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA 28
1.4.2 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA 32
COMPLETA
1.4.3 CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA 33
1.4.4 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE 33
ESTRELLA
PRÁCTICA 1 36
PRÁCTICA 2 38
TABLA 1 PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS
CIRCUITOS RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN 40
FILTRO
TABLA 2 CARACTERÍSTICAS DE LOS RECTIFICADORES
POLIFÁSICOS (IDEALES) 41
BIBLIOGRAFÍA 42

iv
 Contenido Pag.

CAPÍTULO 2

2 TRANSISTOR MONOUNIÓN 43
2.1 PARÁMETROS 43
2.2 CURVA CARACTERÍSTICA 46
2.3 DETERMINACIÓN DE LAS RESISTENCIAS DE
INTERBASE Y LA RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO 48
2.3.1 RESISTENCIAS DE INTERBASES 48
2.3.2 RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO 49
2.4 RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR 50
CORRIENTE
2.5 CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN 51
2.5.1 SEÑAL DE SALIDA DE DIENTE DE SIERRA 51
2.5.2 SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE 55
EMISOR
2.6 SEÑAL DE SALIDA DE PULSO AGUDO POSITIVO 56
2.6.1 DETERMINA CIÓN DEL TIEMPO DE SUBIDA 56
2.6.2 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA 58
2.7 GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO 62
NEGATIVO
2.7.1 ANÁLISIS DEL CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN
CON ESTABILIZACIÓN DEL VOLTAJE PICO 63
TABLA 1 DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE
PARÁMETROS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN 71
PRÁCTICA 3 72
PRÁCTICA 4 74
BIBLIOGRAFÍA UJT 76

v
 Contenido Pag.

CAPÍTULO 3

3 TIRISTORES 77
3.1 TIPOS DE TIRISTORES 78
3.2 DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS 79
3.2.1 CURVA CARACTERÍSTICA 80
3.3 TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE
CONEXIÓN 81
3.3.1 CONSTITUCIÓN GENERAL DEL SCR 81
3.3.2 CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL SCR 82
3.3.3 OPERACIÓN DEL SCR 83
3.3.4 DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR 85
3.3.5 ANALOGÍA DE OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR
CONTROLADO DE SILICIO CON DOS TRANSISTYORES 85
3.3.6 CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR 87
3.3.7 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA DEL SCR 89
3.3.8 CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE
LA LÍNEA DE CARGA 90
3.3.9 TIPOS DE ENCAPSULADOS 91
3.3.10 CARACTERÍSTICAS DE DISPARO DEL SCR 92
3.4 USO DEL UJT PARA EL DISPARO DEL SCR 106
3.4.1 CIRCUITO DE DISPARO CON UJT SINCRONIZADO 106
3.4.2 CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO
UN UJT 111
3.5 TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC) 112
3.5.1 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA 113
3.5.2 APLICACIONES 114
3.5.3 CONEXIÓN ANTIPARALELO 115
3.6 CONTROL DE ÁNGULO DE FASE 116
3.6.1 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA
DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE MEDIA ONDA 117
3.6.2 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA
DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE ONDA COMPLETA 118
3.6.3 EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE
ONDA ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR 119
3.6.4 EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE 120
PRÁCTICA 5 121
PRÁCTICA 6 124
BIBLIOGRAFÍA 126

vi
 Contenido Pag.
CAPÍTULO 4

4 CIRCUITOS INTEGRADOS 127

4.1 SISTEMA ANALÓGICO 127
4.2 CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS 128
4.2.1 CIRCUITO INTEGRADO HÍBRIDO 128
4.2.2 CIRCUITO INTEGRADO MONOLÍTICO 128
4.3 CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS 129
4.3.1 RESISTENCIAS DISCRETAS 129
4.3.2 CAPACITORES DISCRETOS 130
4.4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL 131
4.4.1 AMPLIFICADOR OPERACIONAL BÁSICO 131
4.4.2 CARACTERÍSTICAS IDEALES DEL AMPLIFICADOR
OPERACIONAL 132
4.4.3 AMPLIFICADOR OPERACIONAL RETROALIMENTADO 133
4.4.4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INVERSOR 133
4.4.5 AMPLIFICADOR OPERACIONAL NO INVERSOR 135
4.4.6 CONFIGURACIÓN DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
COMO SEGUIDOR 136
4.4.7 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR 137
4.4.8 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUMADOR Y
SUBSTRACTOR 140
4.4.9 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO DIFERENCIADOR 140
4.4.10 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR
CON EL PARALELO DE LA RESISTENCIA Y EL
CAPACITOR DE RETROALIMENTACIÓN 142
4.4.11 AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN CONFIGURACIÓN
PROPORCIONAL MÁS INTEGRAL 144
4.4.12 CARACTERÍSTICAS REALES DEL AMPLIFICADOR
OPERACIONAL 146
4.4.13 PRUEBAS REALIZADAS AL AMPLIFICADOR 147
OPERACIONAL
4.4.14 PRECAUCIONES CON LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES INTEGRADOS 147
PRÁCTICA 7 148
BIBLIOGRAFÍA 151

vii
 Contenido Pag.
CAPÍTULO 5

5 CIRCUITO TEMPORIZADOR 555 152

TABLA 1, FABRICANTES 152
5.1 ANTECEDENTES DEL 555 155
5.2 CIRCUITOS TEMPORALES 156
5.2.1 CIRCUITOS DIGITALES TEMPORALES 156
5.2.2 CIRCUITOS OSCILADORES 156
5.2.3 CIRCUITOS DE MEMORIA TEMPORAL 157
5.2.4 TEMPORIZADORES ANALÓGICO DIGITALES 157
5.2.5 GENERADOR DE IMPULSOS CON TEMPORIZADOR
ANALÓGICO DIGITAL 160
5.3 TÍPOS DE ENCAPSULADOS 166
5.4 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS 167
5.5 ANÁLISIS MATEMÁTICO DEL 555 168
5.5.1 OPERACIÓN EN EL MODO ASTABLE 168
5.5.2 OPERACIÓN EN EL MODO MONOESTABLE 173
PRÁCTICA 8 176
PRÁCTICA 9 178
BIBLIOGRAFÍA 180

viii
 1. RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA

La energía eléctrica se obtiene a partir de la generación de otra forma de

energía, en la que existen varias maneras de lograrlo, que en general son:

a) Conversión de energía Electromecánica.

b) Conversión de energía Electroquímica.
c) Conversión de energía Magnetohidrodinámica.
d) Conversión de energía Fotovoltaíca.

1.1 GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA

La energía eléctrica generada por máquinas rotatorias es sinusoidal por su

principio intrínseco de funcionamiento de las mismas.

1.1.1 LEY DE LENZ.

Henrrich Lenz físico ruso (1804-1865), descubre que la corriente de
inducción en una espira que se mueve bajo el efecto de un campo magnético,
reacciona contra el cambio de flujo (se tiene una corriente de inducción); de tal
forma que:
∆φ
E= Siendo: ∆φ = φ 2 − φ1 y ∆t = t 2 − t1 (1.1
∆t
∆φ
E = −N para N espiras. (1.2
∆t
E Fuerza electromotriz inducida, Volt (V).
φ Flujo magnético, Weber (Wb) o (Volt/seg) V/s.
t Tiempo, seg. (s).

Figura 1.1

En la figura 1.1, la espira se mueve a velocidad constante, siguiendo las

trayectorias marcadas con números romanos.
Trayectoria I-II, conductor 1 y f.e.m. E1.
Trayectoria III-IV conductor 2 y f.e.m. E2.

1
 Tenemos que E1=E2. y la corriente cambia de sentido, I1 contrario a I2.
La espira al desplazarse sobre el campo del polo, cambia la cantidad de flujo
abarcado en función de la velocidad; cumpliéndose la LEY DE LENZ, las corrientes
inducidas reaccionan contra el cambio de flujo (reforzándolo o disminuyéndolo), en
forma inversa para ambos costados del conductor, ver figura 1.1.

1.1.2 LEY DE FARADAY.

En el año de 1831, el físico inglés Michel Faraday descubrió que en un

conductor eléctrico se produce una tensión, si éste se mueve dentro de un campo
magnético. Este procedimiento se denomina inducción de tensión y es la base para
la producción de energía eléctrica a partir de la energía mecánica (empleado para
generar grandes volúmenes de energía). La tensión generada por este
procedimiento recibe el nombre de Fuerza Electromotriz Inducida ( f.e.m. ) y el
hecho de generar así la tensión es llamado inducir y el procedimiento mismo
inducción de tensión.
Esta ley está dada por la ecuación:
e = Blv (1.3
Donde:
e Fuerza Electromotriz Inducida, ( V ) Volt.
B Número de Líneas de Campo Magnético o Densidad de Campo
Volt-seg.  Vs 
magnético,  2
m2 m 
l Longitud Activa del Conductor, ( m ) metro.
v Velocidad del Movimiento del Conductor, ( m / s ).
La dirección de la f.e.m. inducida sigue la regla de la mano derecha, en el que la
dirección del campo magnético entra por la palma de la mano, ilustrado a
continuación en la figura 1.2

Figura 1.2
En la figura 1.2, se observa que en el conductor los electrones ( - ) se
concentran en el polo negativo y en el polo positivo hay defecto de electrones ( + ),

2
lo cual nos genera una diferencia de potencial con la polaridad indicada de menos a
más; que corresponde a la fuerza electromotriz inducida.

1.1.3 UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO

MAGNÉTICO.

En la figura No. 1.3, se muestra a una espira que se mueve dentro del
campo magnético y un detalle de las velocidades del conductor.

Figura 1.3

Del movimiento circular, la velocidad tangencial vT = rω , tiene la

componente de velocidad v que produce la f.e.m. inducida la cual es perpendicular
al flujo, tenemos: v = vT cos α .

r Radio de giro del conductor, metros (m).

ω Velocidad angular, radianes por seg. (rad/s).
Substituyendo en la ecuación de la ley de Faraday, el valor de la velocidad
para B y l constantes, con v = variable.

e = Blv
(1.4
= Blvt cos α

Puesto que la dirección de la f.e.m. inducida ( e ) reacciona contra el cambio

de flujo según la ley de Lenz; tendremos:

e = − Blv
(1.5
= − Blvt cos α

3
 Graficando la f.e.m. inducida; tenemos una función sinusoidal
correspondiente al coseno, la cual se muestra en la figura 1.4.

Figura 1.4
De ahí que estrictamente la forma de onda de la f.e.m. inducida es
cosenoidal, en ésta forma de generar la energía eléctrica.

4
 1.1.4 DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY DE
FARADAY.
En la figura 1.5, se muestra el desplazamiento de una espira dentro de un
campo magnético uniforme.

Figura 1.5

La ley de Faraday nos dice que:

e = Blv (1.6
Al desplazarse la espira a la velocidad:
∆S
v= (1.7
∆t
El área abarcada por la espira se incrementa:
∆A = l × ∆S (1.8
Substituyendo las ecuaciones No. 1.7 y 1.8 en la ecuación No. 1.6 se tiene:
B × ∆A
e= (1.9
∆t
Tenemos que la densidad de campo magnético está dado por la ecuación :
φ
B= (1.10
A

5
 Donde:
B Densidad de campo magnético; Weber/m2 (Wb/m2) o también Tesla (T)
A Área; mts.2 (m2).
φ Flujo; Weber (Wb).
Despejando de la ecuación 1.10 al flujo: φ = BA (1.11
Entonces tomando incrementos tenemos: ∆ φ = B ∆ A (1.12
Substituyendo en la ecuación 1.9 del cambio de flujo.
∆φ
e= (1.1
∆t
Y como la f.e.m. inducida reacciona contra el cambio de flujo para N espiras:
 ∆ φ
e = −N  (1.2
∆t
Que corresponde a la LEY DE LENZ.

1.1.5 DETERMINACIÓN DE LA FORMA DE ONDA DE LA FUERZA

ELECTROMOTRIZ INDUCIDA.

En base a la figura 1.6, vamos a graficar el flujo abarcado por la espira en

función de la rotación

Figura 1.6

6
 El área total que abarca la espira con su longitud activa es AT = l . D y para
un ángulo de giro dado (α). AT = l . D sen α (1.13
Sustituyendo el área total en la fórmula del flujo de la ecuación No. 1.11
tenemos:
φ = BlD sen α (1.14
Y haciendo a BlD una constante k, entonces:
φ = k sen α (1.15
dφ
Como e = − N de la ley de Faraday , entonces: e = − NBlD cos α (1.16
dt
Tomando a N B l D como una constante k1 entonces: e = − k1 cos α (1.17

Para las funciones del Flujo y f.e.m. inducida tendremos la gráfica de la

figura 1.7.

Figura 1.7
Vamos a transferir el movimiento rotacional de vueltas por minuto
(revoluciones por minuto) a grados sexagesimales.
La velocidad rotacional (velocidad angular) por lo general se acostumbra a
dar en rpm, así:

3600 rpm = 3600 / 60 rps = 60 rps (revoluciones por segundo).

= 60 Hz (ciclos por segundo).
Que sería la frecuencia de repetición del número de vueltas, expresada en
Hertz (Hz) y quedaría definida como un número que se le asigna la letra f ; en
unidades de ciclos/seg.

7
 El periodo de la onda será el tiempo transcurrido en una revolución o ciclo,
asignándole la letra T , se tiene el tiempo del recorrido de una onda completa en un
ciclo y será expresado en segundo / ciclo, de tal forma que resulta la inversa de la
frecuencia:
seg ciclo 1
T= Y f = ; Tenemos que: f= (1.18
ciclo seg T
Las expresiones quedan dadas como una función del tiempo a cualquier
frecuencia.
El ángulo de desplazamiento expresado en radianes, dado que α = ωt,

donde ω queda expresado en rad / seg., como una velocidad angular.

Si ω = 1 vuelta/seg. refiriéndola a la frecuencia (f), tenemos:
2π
ω = 1 vuelta x f = 2 πf = (rad/s) (1.19
T
Para las funciones determinadas de flujo y f.e.m. inducida tendremos:
2π
φ = k sen ω t = k sen t (1.20
T
2π
e = - k1 cos ω t = - k1 cos t (1.21
T

8
 1.1.6 FACTOR DE CRESTA (FC).

EL Factor de Cresta es específico para cada perfil de forma de onda y nos

es útil para determinar el valor del potencial máximo de onda dada, cuando ésta
forma de onda no está perfectamente definida; conociendo éste factor de cresta
es posible determinar el valor máximo de la tensión, dado que por medio de un
medidor de potencial de C.A. es posible determinar el valor eficaz de la tensión en
cuestión.
Graficándo para una Onda Senoidal tenemos, figura 1.8, que corresponde a
la función senoidal e =Vmax sen ω t con un periodo T= 2π.

Figura 1.8

El valor medio cuadrático (rms) o eficaz será en general:

1
1 T  2
Vef =  ∫ v 2( ωt )d( ωt ) (1.22
T 0 
El valor eficaz de la onda senoidal será:
1
 1 2π  2
Vmax
Vef =  ∫ sen ( ωt )d( ωt )
2 2
V = (1.23
 2π
max
0
 2
El factor de cresta para una onda por definición es:
V
FC ≡ max (1.24
Vef
De los resultados obtenidos para la onda senoidal, el Factor de Cresta es de
un valor correspondiente a 2 y se puede demostrar que es el mismo para la onda
cosenoidal.

9
 1.2 SISTEMAS POLIFÁSICOS

En forma general, el sistema polifásico se conforma en el punto de

generación de energía eléctrica, se constituyen por dos o más tensiones de igual
magnitud y con diferencia de ángulos de fase iguales. La tensión generada es
sinusoidal, la cual es una cantidad escalar compleja, vector o fasor, que requieren
de dos números reales para su representación, tales como amplitud y ángulo de
fase ( forma polar ) o parte real e imaginaria ( forma cartesiana ).

1.2.1 DIFERENCIA DE POTENCIAL.

En electricidad es muy dado a nombrar o designar voltaje, tensión o

potencial a la diferencia de potencial , esto debido a la acción de realizar
mediciones con un vóltmetro (expresa la magnitud medida en las unidades de
Volts), al concepto de la fuente a impulsar las cargas eléctricas hacia la carga o al
nivel de energía que se encuentra un punto, en un sistema eléctrico.
Este hecho complica la comprensión y la determinación de las tensiones
polifásicas, en las que intervienen los ángulos de defasamiento de las d.d.p. y las
corrientes, en los elementos de un circuito.
Un buen conocimiento de las d.d.p. y de las corrientes tratados como
fasores, facilitan el análisis de las redes eléctricas. Todo diagrama fasorial debería
ser acompañado de un esquema del circuito eléctrico, en caso de no hacerlo se
tendrá que interpretar el diagrama fasorial.
El diagrama fasorial muestra la magnitud y el ángulo de fase relativo entre la
corriente y la d.d.p.; mientras que el esquema del circuito eléctrico muestra la
localización, dirección y polaridad, tanto de las corrientes como de las d.d.p.
Esto es importante distinguirlo, y la confusión generalmente ocurre cuando
no se interpreta bien los diagramas fasoriales o los esquemas de los circuitos, o
cuando no son combinados ambos. Para evitar confusiones se conviene en
emplear los siguientes sistemas de notación:

10
 1.2.1.1 Notación para la corriente.

La dirección de una corriente convencional, puede ser indicada por dos

métodos:
a) Notación indicando con el sentido de las flechas en un esquema eléctrico,
el sentido de la corriente; como se muestra en la figura 1.9.

Figura 1.9
b) Empleando la notación de doble subíndice, como se muestra en el
diagrama eléctrico de la figura 1.10, para la corriente Iab el cual define que la
corriente fluye de la terminal a hacia la terminal b.

Figura 1.10
Los dos métodos indican la dirección de circulación de la corriente en un
instante, en el que se considera para una corriente alterna, durante el semiciclo
positivo del perfil de la forma de onda.

1.2.1.2 Notación para la diferencia de potencial.

La polaridad relativa de una d.d.p. alterna, la cual puede mostrarse en el
diagrama eléctrico de dos formas:
a) Através de una marca de un signo más (+) asociado al símbolo de
elementos del circuito (inductor, capacitor, resistor o grupo de estos), como se
muestra en la figura 1.11.

Figura 1.11

11
 b) Empleando la notación de doble subíndice, para el cual es necesario
identificar los elementos del circuito con literales (normalmente) o números,
mostrándose en la figura 1.12.

Figura 1.12
Para la d.d.p. Vab en la resistencia el punto a estará a un potencial mayor

que el punto b, para una corriente alterna corresponderá al semiciclo positivo de la

forma de onda; correspondiente a ambos métodos.
Se sobre entiende que para el semiciclo negativo Vab será negativo,

teniéndose que el punto b estará a un potencial mayor que el punto a.

La representación de los diagramas fasoriales, se pueden llevar a cabo
mediante dos alternativas; el cual será de su preferencia según convenga para un
problema en particular. Consistente en el trazo de los fasores en el plano complejo,
para el circuito eléctrico de la figura 1-12.
a) En el diagrama fasorial de la figura 1.13, todos los fasores están referido
al origen de los ejes coordenados (método de mayor aceptación), los cuales
corresponderán a las diferencias de potencial. Se hace notar que las d.d.p. se han
tomado para la inductancia (L) y la capacitancia (C), reales.

Figura 1-13

12
 b) En el diagrama de la figura 1.14, se presenta la suma fasorial, partiendo
del origen para el circuito de la figura 1.12 (para elementos L y C reales).

Figura 1.14
En el método de notación de doble subíndice el orden de los subíndices nos
indica la dirección de la caída de potencial (cuando la tensión está en el semiciclo
positivo), observemos en los diagramas eléctricos que las flechas que indican la
dirección de corrientes, corresponden al mismo sentido que las caídas de potencial,
ya que la corriente convencional circula en el sentido de los potenciales
decrecientes.
En el diagrama eléctrico tendremos: Vad = Vab + Vbc + Vcd (1.25

También: Vac = Vab + Vbc

Reordenando Vab = Vac - Vbc (1.26

Tenemos que : -Vbc = Vcb

Según el convenio de la notación, substituyendo en la ecuación 1.26

Vab = Vac + Vcb

= Vab (1.27
El método de notación de doble subíndice ya nos esta indicando una d.d.p. y
por otro lado, observando la ecuación 1.26; vemos que la diferencia de potencial
Vab, es también una d.d.p. de Vac - Vbc , aquí restamos al potencial más alto Vac el
de menor potencial Vbc . El cambio de orden de los subíndices implica el cambio de
dirección del fasor (gira 180º), en corriente directa corresponde a un cambio de
signo [ de más (+) a menos (-) o de menos (-) a más (+)].

13
 En la ecuación 1.27, vemos que los subíndices medios (subrayados) de la
suma segundo miembro de la ecuación, se cancelan dando los subíndices del
parámetro del primer miembro de la ecuación. Éste método de análisis es muy útil,
cuando se tienen muchas componentes de un circuito o se trata de un circuito
complejo (como lo es un sistema polifásico).

1.2.2 SISTEMA DE GENERACIÓN BIFÁSICA.

En la generación bifásica se contemplan dos tensiones generadas de igual
magnitud defasadas 90º eléctricos, como se observa en la figura 1.15.

Figura 1.15

Las ecuaciones de la representación fasorial se refieren al punto de conexión

A’B’ que representa el punto neutro (N).

E AA' = E AA' ∠90º (1.28

EBB' = EBB' ∠0º (1.29

Analizando el diagrama fasorial, observamos que de acuerdo con la

secuencia (positiva) inicialmente se presenta el fasor E AN y posteriormente el fasor

E BN y como la tensión representada por el fasor E AB es la diferencia del valor de

tensión inicial en A menos la tensión final en B.

Es decir que se tiene una d.d.p. tal que:

14
 E AB = E AN − E BN

Por otro lado también tenemos que el fasor E BN = − E NB , quedando la d.d.p.

AB igual a:
E AB = E A N + E N B (1.30

También vemos que los subíndices medios N, se cancelan en la suma

quedando únicamente los subíndices AB.

Haciendo la composición fasorial (ver figura 1.15) tendremos que:

E AB = 2 E AN ∠135º (1.31

Aquí podemos decir que el sistema de distribución de energía eléctrica es de

dos fases y tres hilos (contiene un hilo neutro de referencia).

Desarrollando en forma cartesiana la suma fasorial, para el valor absoluto de

E AN y E BN igual a E.

E AB = E AN − E BN
= E∠90º + E∠180º
= E (cos 90º + j sen 90º ) + E (cos 180º + j sen 180º )
(1.32
= E ( −1 + j1 )
= 2 E∠135º
Los valores instantáneos que toma el fasor, son representados por una
función temporal, la cual podrá ser dada por una función seno o coseno, y en
nuestro caso tomaremos el seno.
En la figura 1.15, se muestra la función temporal de los tres fasores en el
que se observan sus ángulos de defasamiento y el valor de sus amplitudes, en
función del valor eficaz de la tensión fase a neutro (todas la gráficas de valores
temporales tratadas en el texto serán en función del valor eficaz); corroborando que
la tensión instantánea entre fases es la diferencia de los valores de eAN menos
eBN .

15
 Ecuaciones de las funciones temporales de los fasores.
eAN = 2 E sen(ωt + 90º )
eBN = 2 E sen(ωt )
(1.33
eAB = 2 E sen(ωt + 135º )
= 2 E sen(ωt − 225º )
En la representación fasorial tenemos la alternativa de adoptar la secuencia
negativa, la cual es causada por el cambio de giro del alternador, figura 1.16.

Figura 1.16
Las ecuaciones fasoriales serán:
E AN = E∠ − 90º
E BN = E∠0º
E AB = E AN − E BN

= E AN + E NB
(1.34
= 2 E∠ − 135º
Las expresiones matemáticas para los valores instantáneos está dado por
las mismas funciones temporales de la ecuación 1.33; dado que son variables
dependientes del ángulo de rotación (consecuentemente también del tiempo) y
conservan los mismos ángulos de defasamiento (90º en los dos sentidos de giro).
Visto de otra forma, consideremos los ángulos medidos en el sentido positivo
en el diagrama fasorial; teniéndose las funciones siguientes:
e AN = 2 E sen( ωt − 270º ) = 2 E sen( ωt + 90º )
eBN = 2 E sen( ωt ) (1.35
e AB = 2 E sen( ωt − 225º ) = 2 E sen( ωt + 135º )
De ésta manera podemos corroborar que son las mismas funciones
temporales.

16
 1.2.3 SISTEMA DE GENERACIÓN TRIFÁSICA.

Las tensiones generadas en un sistema trifásico son de la misma magnitud y

presentan una diferencia de fase de 120º eléctricos. El orden de aparición de las
tensiones fasoriales nos muestra la secuencia, que por convenio se indica como
positiva para la rotación de los fasores en el plano complejo, contrario a la dirección
del movimiento de las manecillas del reloj, figura 1.17, esto es con respecto al
tiempo o al desplazamiento angular.

Figura 1.17

En el sistema trifásico se tienen dos alternativas de conexión de los

devanados, para las tensiones generadas por fase, siendo la conexión en estrella y
la conexión en delta.
La conexión en delta se logra efectuando la conexión de los devanados del
generador en los puntos próximos consecutivos al giro del rotor del generador;
teniéndose un sistema de distribución eléctrico de 3 fases a 3 hilos.
Efectuando la conexión de las terminales de los devanados del generador en
los puntos iniciales o finales, se obtiene una conexión en estrella; tendremos un
sistema de distribución eléctrico de 3 fases y 4 hilos (en éste caso se tiene acceso
al punto neutro en el 4º hilo).
Aquí podemos observar que para la misma tensión generada por fase en
ambos sistemas, en el sistema tipo estrella se tendrá mayor tensión de línea, que
para el sistema tipo delta; resultado de la composición de los fasores, disposición y
conexión de los devanados.

17
 1.2.3.1 Análisis del sistema delta.
En la figura 1.-18, se ha representado a los devanados del generador con
las posiciones que toman los fasores en el plano complejo (así se acostumbra),
indicando su ángulo relativo entre las tensiones generadas por fase.

Figura 1.18
La conexión delta de la figura 1.18, corresponde a la secuencia positiva
porque se han efectuado la conexión de los puntos AC’, BA’ y CB’.
Se tiene que las tensiones de fase ( Ef ) y las tensiones de línea ( El ) son las
mismas, la cual la designaremos como E, al módulo del fasor ( valor eficaz ).
Las ecuaciones fasoriales para secuencia positiva en notación polar serán:

E AA' = E AB = E AB ∠0º = E∠0º

EBB' = EBC = EBC ∠ − 120º = E∠ − 120º (1.36

ECC' = ECA = ECA ∠120º = E∠120º

Composición de los fasores en arreglo delta para la secuencia
positiva, figura 1.19.

Figura 1.19

18
 Funciones temporales de la conexión delta de secuencia positiva.

eAB = 2E sen( ωt )
eBC = 2E sen( ωt − 120º ) (1.37

eCA = 2E sen( ωt + 120º )

Las gráficas de las funciones temporales se muentran en la figura 1-21, en

las que las tensiones de fase se han referido como: eAN , eBN y eCN..
Sí en el sistema delta se efectúan las conexiones para una secuencia
negativa, realizándose al conectar los puntos de los devanados del generador
AB’,BC’ y CA’.
Ecuaciones fasoriales de la conexión delta secuencia negativa.

E AA' = E AB = E AB ∠0º = E∠0º

EBB' = EBC = EBC ∠120º = E∠120º (1.38

ECC' = ECA = ECA ∠ − 120º = E∠ − 120º

Ecuaciones de las funciones temporales de la conexión delta secuencia

negativa.

eAB = 2E sen( ωt )
eBC = 2E sen( ωt + 120º ) (1.39

eCA = 2E sen( ωt − 120º )

1.2.3-2 Análisis del sistema eléctrico tipo estrella.

En la conexión estrella (figura 1.18), con secuencia positiva tenemos que se

han conectado las terminales A’, B’ y C’; el cual corresponde al punto común o
neutro (N). Mediante éste tipo de conexión se dispone de las tensiones de fase y
de línea.

19
 Ecuaciones fasoriales de la conexión estrella de secuencia positiva.

E AA' = E AN = E AN ∠0º = E∠0º

EBB' = EBN = EBN ∠ − 120º = E∠ − 120º

ECC' = ECN = ECN ∠120º = E∠120º

(1.40
E AB = E AN − EBN = E AN + ENB = 3E∠30º
EBC = EBN − ECN = EBN + ENC = 3E∠ − 90º
ECA = ECN − E AN = ECN + ENA = 3E∠150º

Determinación de la tensión de línea o tensión entre las fases A y B.

E AB = E AN − E BN

= E AN + E NB
= E∠0º + E∠60º
= E(cos0º + j sen0º ) + E(cos60º + j sen60º )
= E( 3 2 + j 3
2 ) (1.41

= 3E( 3
2 + j 12 )
= 3E(cos 30º + j sen 30º )
= 3E∠30º

Los resultados del desarrollo anterior, indican que la tensión de línea es

mayor 3 veces la tensión de fase y también podemos observar que se adelanta
30º sexagesimales.

20
Diagrama fasorial de la conexión estrella, figura 1.20.

Figura 1.20.

Funciones temporales para la conexión estrella, de secuencia positiva.

eAN = 2E sen( ωt )
eBN = 2E sen( ωt − 120º )
eCN = 2E sen( ωt + 120º )
(1.42
eAB = 3 2E sen( ωt + 30º )
eBC = 3 2E sen( ωt − 90º )
eCA = 3 2E sen( ωt + 150º )

21
 Gráficas de las funciones temporales conexión estrella de secuencia
positiva, figura 1.21.

Figura 1.21.
Ecuaciones fasoriales de la conexión estrella con secuencia negativa.
E AA' = E AN = E AN ∠0º = E∠0º

EBB' = EBN = EBN ∠120º = E∠120º

ECC' = ECN = ECN ∠ − 120º = E∠ − 120º

(1.43
E AB = E AN − EBN = E AN + ENB = 3E∠ − 30º
EBC = EBN − ECN = EBN + ENC = 3E∠90º
ECA = ECN − E AN = ECN + ENA = 3E∠ − 150º

Determinación de la tensión de línea o tensión entre las fases C y B .

E BC = E BN − ECN
= EBN + ENC
= E(cos120º + j sen120º ) + E(cos60º + j sen60º )
= E( − cos60º + j sen60º ) + E(cos60º + j sen60 )
= E( − 1 2 + j 3
2 ) + E( 1 2 + j 3
2 ) (1.44

= 3E( 0 + j1 )
= 3E(cos 90º + j sen90º )
= 3E∠90º

22
 En los diagramas fasoriales de la conexión estrella de secuencia negativa,
figura 1.20, concluimos que se llegan a los mismos resultados de la secuencia
positiva, con respecto a magnitudes y ángulo de fase.

Funciones temporales de la conexión estrella de secuencia negativa.

eAN = 2E sen( ωt )
eBN = 2E sen( ωt + 120º )
eCN = 2E sen( ωt − 120º )
(1.45
eAB = 3 2E sen( ωt − 30º )
eBC = 3 2E sen( ωt + 90º )
eCA = 3 2E sen( ωt − 150º )
Se hace notar que las funciones temporales de ambos sistemas difieren en
el ángulo de fase y ésta condición operativa afecta a equipos eléctricos y/o
electrónicos.

23
 1.3 TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA.
Una forma sencilla de acondicionar o modificar las tensiones alternas se
realiza por medio de transformadores, aprovechando el fenómeno de inducción de
tensiones, en el cual se varía el flujo sobre un conductor estacionario.
En sistemas trífásicos se tiene la alternativa de modificar las tensiones por
dos métodos:
a) Por medio de un transformador del tipo trifásico.
b) Por medio de tres transformadores del tipo monofásicos (preferentemente
de características idénticas).

1.3.1 SENTIDOS DE TENSIONES Y CORRIENTES DEL

TRANSFORMADOR.

Con el fin de conectar adecuadamente los devanados de los

transformadores, se hace imprescindible conocer las polaridades de los devanados.
En los diagramas de los transformadores por convención, se indica la
polaridad de los devanados con un punto situado en uno de los extremos del
devanado (arrollamiento). En la figura 1.22, se muestran las polaridades de un
transformador monofásico en el que los puntos indican la tensión positiva (para el
valor positivo del semiciclo positivo de la forma de onda de voltaje).

Figura 1.22

Cuando se desconozca la polaridad del devanado, se determinará por

métodos ya conocidos (como son la suma de tensiones y el de golpe inductivo).

1.3.2 Diagramas fasoriales y conexiones de transformadores

trifásicos.
En los sistemas de transformación trifásica se tienen diferentes grupos de
conexiones para transformadores, que darán las conexiones clásicas conocidas.
Dentro de las conexiones, figura 1.23, tenemos : delta / delta ( ∆ / ∆ ),
estrella / estrella ( Υ / Υ ), delta / estrella ( ∆ / Υ ), etc.; conexiones básicas para
lograr condiciones específicas de relación de tensiones.

24
 Estrella – Estrella simples

Estrella – Delta simples

Delta – Estrella series

Delta – Delta series

25
 Delta serie - Hexafásico

Delta serie – Zig Zag

Delta serie – Doble estrella

26
 Figura 1.23

De los circuitos mostrados tendremos que el devanado primario (el que

recibe la energía) será el de alta tensión y el secundario (el que entrega la energía
al sistema) el de baja tensión; éste último constituirá la fuente que alimentará a los
rectificadores que deberán conectarse en forma adecuada para lograr la
rectificación.
En el proceso de la rectificación, la corriente continua de cada diodo circulará
por el devanado secundario de cada fase y esto puede dar lugar a la saturación del
transformador; lo que se traduce en una corriente primaria elevada de
magnetización, manifestado por la saturación de curva de magnetización del
material ferromagnético.
En el sistema de transformación trifásico, el circuito puede modificarse para
obtener la conexión Zig - Zag, que evita este inconveniente dado que en cada
núcleo correspondiente a la fase, existen dos arrollamientos en los cuales las
corrientes circulan en sentidos opuestos, dando como resultado la neutralización
los flujos magnéticos inducidos.

27
 1.4 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA DE CONMUTACIÓN NATURAL
O NO CONTROLADA.

La rectificación es la conversión de la energía eléctrica de corriente alterna a

corriente continua, la rectificación polifásica emplea sistemas de transformación de
3 (tres) o más fases.
Los sistemas rectificadores polifásicos se prefieren a los monofásicos por
varias razones como son:
a) Para obtener grandes potencias en corriente directa.
b) Se tiene que el factor de rizo o índice de ondulación en la salida del
rectificador disminuye, esto se debe ha que el número de conmutaciones de la
corriente alterna rectificada por ciclo aumenta.
c) La eficiencia del circuito rectificador aumenta.
d) Aprovechar la mayor parte de la energía eléctrica que se genera y se
distribuye como potencia trifásica.
Los rectificadores no controlados o de conmutación natural, emplean
dispositivos electrónicos llamados diodos, los cuales pueden ser: de vacío, de gas
(fanotrón), ignitrón, selenio, germanio y silicio; por sus ventajas actualmente se usa
el diodo de silicio en los dispositivos de potencia.

1.4.1 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA.

El rectificador trifásico de media onda toma su nombre del circuito empleado

para convertir la corriente alterna en corriente continua, figura 1.24.

Figura 1.24

28
 En el circuito rectificador vemos que se tiene un devanado secundario de
transformación en conexión estrella con neutro, por el cual se tiene el retorno de la
corriente que circula en los diodos rectificadores. Su operación se entenderá por el
análisis de la forma de onda de la figura 1.25, en donde podemos concretar que el
diodo que estará en conducción será el de mayor valor de tensión instantánea
positiva aplicada, la cual polarizará directamente al dispositivo correspondiente.

Figura 1.25.
Tomando como referencia las gráficas de la rectificación para los valores
instantáneos (temporal), podemos hacerlo extensivo para un circuito de m
conmutaciones por ciclo, donde tendremos que el tiempo de conmutación abarcado
será 2π/ m, expresado en grados sexagesimales o radianes, figura 1.26, condición
que requiere que circule corriente en forma continua por la carga (durante éste
tiempo). Se hace la observación que las fórmulas que se determinan a
continuación, no son aplicables al circuito rectificador monofásico de media onda.

Figura 1.26

29
 Tensión media en la carga (VCC), la determinación de la tensión es para
condiciones ideales y carga resistiva pura.
En general el valor medio:
1 T
T ∫0
VCC = v( ωt )d( ωt ) (1.46

Aplicada para una función tipo v = Vmax sen( ωt ) , de la figura 1.26, tenemos:
π π
1 +
VCC =
2π ∫π 2 m
−
2 m
π Vmax sen ( ωt ) d( ωt )
m
π π
m +
= Vmax [ − cos( ωt )] 2 m
π π
2π −
2 m

m    π π  π π  
=Vmax − cos +  − cos −  
2π    2 m  2 m  
Recordando las identidades trigonométricas:
cos( 90º +θ) = − sen θ
cos( 90º − θ) = sen θ
Substituyéndolas.
m    π  π  
VCC = Vmax − − sen  − sen  
2π    m  m  
 π
sen 
 m
= Vmax (1.47
 π
 
 m
Sintetizando.
π
α= (1.48
m
senα
VCC = Vmax (1.49
α

Nota.- En la ecuación 1.49 en la razón del seno, el argumento de éste, el

ángulo α su valor se expresa en grados sexagesimales y en el denominador se
expresa su valor en radianes.
Corriente media en la carga (Icc).

VCC Vmax  sen α 

I cc = =   (1.50
RL RL  α 

30
 Potencia en la carga (PCC).
2
 sen α 
2
Vmax
PCC = I CCVCC =   (1.51
RL  α 

Tensión eficaz en la carga (VCA); el valor de la tensión eficaz en la carga se

determina tomando como referencia la figura 1.26, siendo también para m
conmutaciones.
En general el valor eficaz.
1
1 T  2
VCA =  ∫ v(2ωt ) d (ω t )  (1.52
T 0 

Aplicada para una función tipo v = Vmax sen( ωt ) , figura 1.26, tenemos:
1
π π
m +  2
VCA =  ∫ π2 − mπ max
2 m 2
ω ω
2
V sen ( t )d( t )  (1.53
 2π 
Efectuando la integración.
1
V  m 2π  2
VCA = max 1 +
 2π sen (1.54
2 m 
Sintetizando.
π
α= (1.55
m
La tensión eficaz en la carga.
Vmax  sen(2α )  1
VCA =  1+ 
2
(1.56
2 2α 

Haciéndolo extensivo a la intensidad de corriente, la corriente eficaz en la

carga.
V V  sen(2α )  1
I CA = CA = max  1+ 
2
(1.57
RL 2 RL  2α 

Potencia suministrada por el secundario del transformador.

PCA = VCA I CA
2
Vmax  sen(2α )  (1.58
= 1 + 
2RL  2α 

31
 1.4.2 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA.

Éste tipo de circuito rectificador llamado también, rectificador puente trifásico,

figura 1.27, requiere que se alimente con tres fases y que en forma general son
suministradas por el secundario de un transformador que puede estar conectado en
delta o en estrella.

Figura 1.27
Las conmutaciones de los diodos se efectúa en forma natural para un ángulo
de conducción de 60º sexagesimales, figura 1.28, en la cual se observa la
conducción de los diodos tanto para el semiciclo positivo como negativo, así como
las funciones temporales de las tensiones entre fases aplicada al puente
rectificador.

Figura 1.28

La zona sombreada de la figura 1.28, corresponde a los valores instantáneos

del nivel de corriente continua que suministra el rectificador.

32
 1.4.3 CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA.

En éste sistema de rectificación también conocido como circuito estrella

hexafásico, figura 1.29, como circuito tipo puente trifásico, teniéndose un ángulo de
conducción de 60º sexagesimales; correspondiente a la conducción de cada diodo.
Lo atractivo de este circuito es la facilidad del montaje de los diodos en un
solo módulo, siendo susceptible de instalarse el conjunto de éstos en un mismo
disipador de calor (con el consecuente ahorro del costo de mano de obra del
montaje).

Figura 1-29

1.4.4 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE ESTRELLA.

El rectificador doble estrella trifásico con un reactor de interfase, figura 1.30,

se emplean dos devanados secundarios en conexión estrella.

Figura 1.30

33
 Las tensiones de los puntos comunes de las estrellas están defasados 180º
sexagesimales, los cuales son conectados al reactor de interfase y su punto central
de éste, es la salida de conexión hacia la carga.
En cualquier instante la corriente es suministrada por dos fases, una en cada
estrella y de regreso la corriente es dividida entre los dos secundarios por el reactor
de interfase.

Problema 1. Determine el valor medio de la tensión que entrega el

rectificador de media onda, por el método de integración y empleando la fórmula
1.49; corrobore ambos métodos. Tome como dato la tensión eficaz de fase de 127
V.
Solución:

En la figura 1.25 se tiene que para el primer impulso un rango de

conducción de 30º a 150º sexagesimales.
De la ecuación 1.46
1 T
T ∫0
VCC = Vmax sen( ω t) d( ω t)

Para el rectificador trifásico de media onda tendremos tres impulsos por

ciclo, de ahí que la tensión media en la carga será:

1 150º
2π ∫ 30º
VCC = 3 Vmax sen( ωt )d( ωt )
3V
= max [ − cos( ωt )] 150º
2π
30º

3V
= max [ − cos150º + cos 30º ]
2π
3V
= max [ cos 30º + cos 30º ]
2π
3V  3 
= max  2 
2π  2 
3 3
= Vmax = 0.827 Vmax
2π

Como: Vmax = 2Vef

La tensión media del rectificador será:

VCC = 0.827 2Vef = 1.169 Vef

34
 De la fórmula 1.49

senα π π
VCC = Vmax ; como: α= =
α m 3
180º
= = 60º
3
Substituyendo el valor del ángulo:
3
sen60º 2 = 3 3 V = 0.827 V
VCC = Vmax = Vmax
π π 2π
max max

3 3
Observando los resultados anteriores concluimos que se llega al mismo
valor por los dos métodos; por lo tanto para la tensión de 127 V, la tensión media
será:
VCC= 1.169 × 127=148.5 V.

Problema 2. Para las mismas condiciones del problema anterior, resuelva

ahora para el rectificador trifásico tipo puente.
La forma de onda entregada por el rectificador de onda completa, figura 1.28, en la
cual vemos que el ángulo de conducción para el primer impulso de los 6 (seis), es
de 60º a 120º sexagesimales, teniéndose el valor medio siguiente:

1 3Vmax
[ − cos( ωt )]
120º
VCC = 6 ∫ Vmax sen( ωt )d( ωt ) = 120º

2π π
60º 60º

3Vmax 3Vmax 3
= [ − cos120º + cos60º ] = [ 2 cos60º ] = Vmax = 0.955Vmax = 1.35Vef
π π π
Por la fórmula 1.49
senα π π
VCC = Vmax donde α= = = 30º
α m 6
1
= Vmax 2 = 3 V = 0.955 V = 1.35 V
π π
max max ef

6
De la misma forma que en el problema 1, observando los resultados y
concluyendo que se llega al mismo valor por los dos métodos; por lo tanto para la
tensión de fase de127 V, la tensión media será :

VCC = 1.35 × 220 = 297 V.

35
 LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll

PRÁCTICA 1

RECTIFICACION POLIFÁSICA.

1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la
experimentación, el comportamiento de los rectificadores polifásicos de
conmutación natural, energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los
parámetros de cada tipo de rectificador utilizado.

2. Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de tensión trifásica variable.
1 Pz Osciloscopio de doble trazo.
2 Pz Multímetro.
1 Pz Maqueta de experimentación de rectificación polifásica.
8 Pz Diodo rectificador matrícula 1N 4007.
1 Pz Resistencia de 1 KΩ - 10 W.
3 Pz Fusible de cristal tipo americano de 500 mA - 250 V.

3. Procedimiento.
3.1 Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2 Verifique el buen estado de los componentes del circuito, reemplazando
los elementos, sí es el caso.
3.3 Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la
consola de pruebas, para el grupo de conexiones 1, 3 y 5 de la figura 1-23
(consulte los apuntes, conexiones estrella-estrella simples delta-estrella series y
delta serie-hexafásico, conexiones con los devanados simples de alta y baja
tensión). Los transformadores monofásicos que integran la maqueta de
experimentación son de las siguientes características: 120 V -120 V / 15 V - 15 V y
50 VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Ω a 10 W.
3.4 Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente
trifásica a un valor de 120 V de fase ( la salida de la fuente trifásica del tablero de
prueba, integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en
conexión estrella con acceso al neutro ).
3.5 Energice la maqueta de experimentación através de los fusibles
invariablemente.
3.6 Toma de lecturas:
a) En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b) En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y carga.
c) Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de onda
en la fuente de alimentación de corriente alterna(baja tensión), diodos y en la carga.

36
 d) Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.

3.7 Compruebe los valores medidos en el experimento y compare con los

determinados analíticamente (hoja de campo).
3.8 Realice una tabla comparativa de los tres circuitos de rectificación de
media onda trifásica.

4 Cuestionario.
4.1 Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores, tratados en la
práctica.
4.2 De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿ cual es el
circuito más eficiente y porque?.
4.3 De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en
la industria.
4.4 ¿ Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los
diodos está en circuito corto o en circuito abierto?.
4.5 Mencione las ventajas de utilizar el rectificador trifásico, en lugar del
rectificador monofásico.
4.6 Investigue las ventajas y desventajas de la rectificación trifásica,
realizada con transformadores monofásicos y con transformadores trifásicos.

37
 LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll

PRÁCTICA 2

RECTIFICACION POLIFÁSICA (Continuación).

1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la
experimentación, el comportamiento de los rectificadores polifásicos de
conmutación natural, energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los
parámetros de cada tipo de rectificador utilizado.

2. Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de tensión trifásica variable.
1 Pz Osciloscopio de doble trazo.
2 Pz Multímetro.
1 Pz Maqueta de experimentación de rectificación polifásica.
8 Pz Diodo recificador matrícula 1N 4007.
1 Pz Resistencia de 1 KΩ - 10 W.
3 Pz Fusible de cristal tipo americano de 500 mA - 250 V.

3. Procedimiento.
3. 1 Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2. Verifique el buen estado de los componentes del circuito,
reemplazando los dañados, sí es el caso.
3.3 Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la
consola de pruebas, para el grupo de conexiones 2, 4, 6, 7 y 8 de la figura 1-23 (ver
los apuntes, conexiones estrella/delta simples, delta/delta series, delta serie / zig-
zag, delta serie/doble estrella y delta abierta/delta abierta series, que incluye los
devanados de alta y baja tensión). Los transformadores monofásicos que integran
la maqueta de experimentación son de las siguientes características: 120 V -120 V /
15 V - 15 V y 50 VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Ω
a 10 W.
3.4 Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente
trifásica a un valor de 120 V de fase (la salida de la fuente trifásica del tablero de
prueba, integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en
conexión estrella con acceso al neutro).
3.5 Energice la maqueta de experimentación através de los fusibles
invariablemente.
3.6 Toma de lecturas:
a) En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b) En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y en la carga.

38
 c) Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de
onda en la fuente de alimentación de corriente alterna (baja tensión),en los diodos y
en la carga.
d) Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.

3.7 Compruebe los valores medidos en el experimento y compare con los

determinados analíticamente (hoja de campo).
3.8 Realice una tabla comparativa de los circuitos de rectificación.

4. Cuestionario.
4.1 Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores tratados en la
práctica.
4.2 De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿cual es el
circuito más eficiente y porque?.
4.3 De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en
la industria.
4.4 ¿Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los
diodos está en circuito corto o en circuito abierto?.

39
 TABLA 1, PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN FILTRO

ECUACIÓN ONDA COMPLETA

RECTIFICA- MEDIA ONDA TOMA CTO.
DOR GENERAL MEDIA PUENTE

1 T I max Vmax 2 I max 2Vmax 2 I max 2Vmax

T ∫0
Corriente Icc = i( ωt )d ( ωt ) = = =
π π( rD + RL ) π π( rD + RL ) π π( 2rD + RL )
media en la
carga

Voltaje medio 1 T Vmax 2Vmax 2Vmax

T ∫0
de salida en Vcco = v ( ωt ) d ( ωt )
π π π
vacío
1
1 T 2
Corriente Ief =  ∫ i(2ωt )d ( ωt ) I max I max I max
eficaz T 0  2 2 2
Voltaje eficaz 1
Vmax Vmax Vmax
1 T 2
en la carga Vef =  ∫ v( ωt )d ( ωt ) 2 2 2
T 0 

Voltaje medio Vcc = Vcco − IccRT Vmax 2Vmax 2Vmax

de salida con − IccrD − IccrD − 2 IccrD
π π π
carga

Potencia media PCD 2

I CC RL 2
I CC RL 2
I CC RL
en la carga
Potencia eficaz T
I ef2 (rD + R L ) I ef2 (rD + R L ) I ef2 (2rD + R L )
de entrada
PCA = 1
T ∫i
0
v
( ωt ) ( ωt ) d ( ωt )

40.53 81.06 81.06

Eficiencia en PCD  r   r   2r 
% η= 100 1 + D  1 + D  1 + D 
PCA  RL   RL   RL 

Factor de Vef 157 111 111

forma en % F= 100
Vmed

Índice de V ' ef 121 48.2 48.2

ondulación en β= 100
Vmed
%

Regulación Vsc − Vpc rD rD 2rD

Re g = 100 100 100 100
en % Vpc RL RL RL

40
 TABLA 1(Continuación).

ECUACIÓN ONDA COMPLETA

DIODOS MEDIA ONDA TOMA CTO.
GENERAL MEDIA PUENTE
Corriente de Ánodo IA Icc Icc
Icc
2 2

Corriente máxima IA max π Icc π Icc π Icc

de Ánodo 2 2

Voltaje Inverso de VIP Vmax 2Vmax Vmax

Pico

Tensión entre VAK − IccRL Icc rD 2Vmax Vmax

ánodo − Icc rD −
2 π π
y cátodo

Potencia en el PD I 2 cc rD I 2 cc I 2 cc
Diodo rD rD
4 4

TABLA 2, CARTERÍSTICA DE LOS RECTIFICADORES POLIFÁSICOS

(IDEALES)
FÓMULA NÚMERO DE CONMUTACIONES POR CICLO (m)

m 2 3 4 6 12

Tensión sen α 0.637 Vmax 0.827 Vmax 0.900 Vmax 0.955 Vmax 0.989 Vmax
media en la VCC = Vmax
carga
α
π 180
α = rad = grad
m m
Tensión
eficaz en la 0.707 VMax 0.841 Vmax 0.905 Vmax 0.956 Vmax 0.989 Vmax
Vmax sen 2α
carga VCA = 1+
2 2α
Factor de
forma VCA 1.110 1.016 1.005 1.001 1.000
Decimal F=
VCC
Indice de
ondulación V 'CA 0.482 0.183 0.098 0.042 0.001
Decimal β=
VCC

41
 BIBLIOGRAFÍA

REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN

1 Circuitos Eléctricos Joseph A. Administer Mc. Graw Hill 1991
2 Applied Protective Staff Westinghouse Westinghouse Electric
Relaying Corp.
B. E. Bal , J. Deerson,H.
3 Rectifier Diodes Koppe y A. F. Phillips 1969
Monypenny
4 Electrónica y R. Kretzman Paraninfo 1979
Automática S. M. Angulo
5 Teoría de los Enrique Ras Alfaomega Marcombo 1988
Circuitos
Electric/Electronic
6 Motor Date Martin Clifford Prentice Hall 1990
Handbook
7 Introducción a la William H.Roadstram Harla, México 1989
Ingenieria Eléctrica Dan H. Wolaver
8 Tiratrones C. M. Swenne Paraninfo 1969

42
 2. TRANSISTOR MONOUNIÓN

El transistor monounión es un dispositivo de estado sólido de material

semiconductor muy popular por su excepcional simplicidad, de adquisición
comercial a partir de 1952; identificándolo con el nombre de: UJT (del inglés
Unijuntion transistor), transistor monódico, transistor unijuntura y transistor
monojuntura. Su estabilidad de encendido y su alta resistencia eléctrica en su
estado no conductor, han garantizado su uso en varias aplicaciones,
particularmente en circuitos electrónicos de temporizadores y osciladores.

El transistor monounión es un dispositivo de tres terminales: una terminal

llamada emisor, mientras que las dos restantes son llamadas base 1 (uno) y base 2
(dos). Tiene una unión P-N y por ello es completamente diferente al transistor de
unión convencional. Como característica especial cuenta con una región de
resistencia negativa y una tensión de disparo.

2.1 PARÁMETROS

La construcción básica se ilustra en la figura 2.1, constituida por una barra

de silicio con una impurificación mediana tipo N, en los extremos de la barra se
localizan la base 1 (B1) y la base 2 (B2), en la parte media de la barra en uno de
sus costados (generalmente) se localiza una zona altamente impurificada tipo P; la
cual forma la unión PN de donde se toma el emisor (E).

Figura 2.1

Cuando se trata del transistor monounión lo normal es el de entender que

hablamos del ya descrito con anterioridad (tipo N), pero existe el transistor
monounión tipo P que es su complementario. En el transistor monounión tipo P a la

43
barra se le aplica una impurificación de éste tipo y a la región del emisor se le
suministra una impurificación tipo N.

Del grado de impurificación de la barra se tiene una resistencia entre bases

RBB relativamente alta (resistencia de interbases), parámetro dado por el fabricante
a una temperatura de 25ºC con un rango típico de resistencia entre 4 y 12 KΩ, para
diversos dispositivos disponibles en el mercado.

El símbolo estandarizado para el transistor monounión se muestra en la

figura 2.1, indicando la terminal del emisor con una flecha oblicua la cual indica el
sentido de corriente convencional (flujo de huecos) dado para la operación del
dispositivo en estado activo.

El comportamiento eléctrico del dispositivo define su diagrama equivalente,

figura 2.1, en el que el emisor se comporta como un diodo por la unión PN (D) y su
localización física en la barra de silicio divide la resistencia de interbases, una de
valor fijo RB2 y otra de valor variable RB1 para el estado activo. Para corriente de
emisor nula (IE = 0) la resistencia de interbases tiene el valor de:

RBB = RB1 + RB2 (2.1

Donde:
RBB Resistencia de base 1 (uno) a base 2 (dos), Ohm (Ω).
RB1 Resistencia del cátodo del diodo a la base 1 (uno),Ohm (Ω).
RB2 Resistencia del cátodo del diodo a al base 2 (dos), Ohm (Ω).

En el análisis de operación del transistor monounión es necesario conocer

los valores de las resistencias intrínsecas RB1 y RB2, cuyos valores no son
suministrados por el fabricante, pero suministra el valor del parámetro que las
relaciona llamado razón intrínseca de bloqueo, simbolizado por la letra griega eta
(η). Los valores típicos de la razón intrínseca de bloqueo (η) van de 0.4 a 0.9
dependiendo del transistor en cuestión. Con el fin de comprender el funcionamiento
del transistor monounión haremos referencia a la figura 2.2, en la que se muestran
las fuentes de polarización aplicadas al dispositivo.

Figura 2.2

44
 En el diagrama equivalente del transistor monounión de la figura 2.3, para la
tensión de emisor nula (VE = 0) y la d.d.p. de interbases distinto de 0 (VB12 ≠ 0), la
terminal de conexión de la base 2 (dos) es positiva respecto a la terminal de
conexión de la base 1 (uno) y el diodo se encuentra polarizado inversamente
através del divisor de voltaje, formado por las resistencias internas del transistor.

Figura 2.3

La circulación de la corriente en las interbases (IB) provoca una caída de tensión en

RB1 que será:

VRB 1 = I B RB1
VB12
= RB1
RBB
RB1
= VB12 (2.2
RBB
= ηVB12

La razón intrínseca de bloqueo (η) queda como una constante de

proporcionalidad de la tensión aplicada a las bases.

RB1
η= (2.3
RBB IE = 0

La Tensión de emisor (VE) necesario para polarizar directamente al diodo es

llamado voltaje pico (VP), que se logra al incrementar la tensión de la fuente VEE,

45
siendo el momento en el que empieza a fluir la corriente de emisor (IE) através de la
resistencia RB1; el voltaje pico está dado por la ecuación 2.4.
V = ηV +V (2.4
P B12 D

Se tiene que el voltaje del diodo (VD) es del orden de 0.35 V a 0.7 V y
tomado como ideal sería 0 V, por lo que en algunas ocasiones para análisis rápido
tomamos en forma práctica la ecuación 2.5.
VP = ηVB12 (2.5

De la ecuación 2.5 podemos observar que el voltaje pico es dependiente de

la fuente de polarización ( es decir de la tensión aplicada entre bases VB12) y en la
que para valores prácticos podemos considerar que la razón intrínseca de bloqueo
es constante ( a un valor promedio ).
Ahora con el diodo polarizado directamente, la fuente de emisor (VEE) inyecta
huecos en la región de la resistencia RB1 (portadores de carga positivos),
aumentando la concentración de electrones (portadores de carga negativos)
aportados por el circuito externo; éste movimiento de portadores de carga
constituye la corriente de emisor (IE). En éstas condiciones tenemos una gran
cantidad de portadores de carga libres positivos y negativos en la región de la
resistencia RB1 , por lo que su conductividad aumenta, reflejándose en la
disminución de d.d.p. en el emisor, por el decremento de la resistencia RB1 y
aumento de la corriente de emisor; interpretándose como la existencia de una
resistencia negativa de RB1 (pendiente negativa en la curva característica).

2.2 CURVA CARACTERÍSTICA.

La curva característica tensión VS corriente, figura 2.4, muestra el

comportamiento del transistor monounión delimitándose sus tres regiones de
operación: corte, resistencia negativa y saturación.

Figura 2.4

46
 Ésta es una curva cualitativa para una tensión de polarización constante
(figura .2.4); en la región de corte el diodo de emisor está polarizado
inversamente, circula una corriente de emisor de fuga (IEO) del orden de
nanoampers (nA), equivalente a la corriente inversa de un transistor de unión de
silicio (ICO), menor que cualquier valor de corriente de polarización directa. La
región de corte termina en el punto pico en el que la tensión de emisor es igual al
voltaje pico (VE = VP), punto en el que se establece la circulación de la corriente de
emisor al valor de la corriente pico (IP); la corriente pico es un parámetro dado por
el fabricante con valores típicos de 2 a 50 µA, cabe mencionar que los parámetros
de corriente pico y voltaje pico son dependientes de la temperatura en razón
inversa.
En la figura 2.4, al aumentar la corriente de emisor a partir del valor pico, se
inicia una disminución del voltaje de emisor hasta un valor mínimo llamado voltaje
valle (VV), correspondiente a la corriente valle (IV).
El voltaje valle toma valores típicos entre 1 y 4 V, según el dispositivo
seleccionado y junto con la corriente valle de 1 a 25 mA sus valores son dados por
el fabricante.
La región de resistencia negativa queda limitada por el punto pico y punto
valle de la curva característica.
La región de saturación se localiza a la derecha del punto valle, en el que a
incrementos de la corriente de emisor se aumenta el voltaje de emisor,
comportándose el dispositivo como un diodo rectificador (parte baja de la curva).
La característica de entrada de un transistor monounión típico, figura 2.5,
son suministradas por el fabricante a una temperatura de 25º C.

Figura 2.5

47
 2.3 DETERMINACION DE LAS RESISTENCIAS DE INTERBASE Y
LA RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.

Através de pruebas experimentales podemos corroborar o determinar las

características de la resistencia de interbases (RBB ) y la razón intrínseca de
bloqueo (η).

2.3.1 RESISTENCIA DE INTERBASES.

Tomando como base las especificaciones de tensión del transistor

monounión, por medio del circuito de la figura 2.6, se calcula la resistencia de
interbases (RBB), nótese que el emisor no tiene conexión.

Figura 2.6

Como el transistor se encuentra en corte, por divisor de tensión.

R RVBB
ER = VBB ∴ RBB = −R (2.6
R + RBB ER

La determinación del valor de la resistencia de interbases (RBB) se efectúa en

estado de corte del transistor, dado que no existe señal alguna en la terminal de
conexión del emisor.

48
 2.3.2 RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.

Con el auxilio del circuito, figura 2.7, podemos determinar la razón intrínseca
de bloqueo en el que la tensión máxima aplicada a la terminal de emisor
corresponderá a la tensión pico.

Figura 2.7

De las fórmulas 2.1 y 2.4, para la tensión máxima de emisor.

VEmax = VP = VD + VRB 1 ; Substituyendo a: VRB 1 = ηVBB

Tenemos:
VP − VD
VP = VD + ηVBB ∴ η= (2.7
VBB
Para.
VP
VP 〉〉 VD ; η≅ (2.8
VBB

La razón intrínseca de bloqueo será:

η〈1

Aplicando la fórmula 2.7, en una gráfica real que suministre un fabricante,

podemos comprobar la pequeña variación de la relación intrínseca de bloqueo (η),
es decir, podemos determinarle a partir de las gráficas de tensión - corriente (VE VS
IE), dado que se podrán observar las d.d.p. pico (VP) para cada tensión de
polarización (VBB = VB12), tomando como un valor de caída de tensión en la unión de
emisor de 0.5 V.

49
 2.4 RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR LA CORRIENTE

La curva característica del transistor monounión es un ejemplo claro de una

resistencia no lineal, la cual podemos idealizar por tres segmentos de recta según
se muestra en la figura 2-8.

Figura 2.8

De la curva característica ideal del transistor monounión podemos observar

que la corriente controla a la resistencia no lineal del dispositivo. Esta
característica de operación puede ser usada en un multivibrador, en cualquiera de
sus tres clases: monoestable, biestable y astable.

La selección de la línea de carga sobre la curva característica y el resultante

punto de reposo (Q), dado por su intersección determina el tipo de multivibrador
(ver figura 2.8).

El transistor monounión es usado en la región de resistencia negativa

correspondiendo a una operación como dispositivo de relajación, siendo éste un
caso especial del multivibrador astable o de carrera libre.

50
 2.5 CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN.

El dominio de los dispositivos electrónicos hasta hace poco tiempo fue de los
circuitos osciladores sinusoidales, aun cuando varios tipos de osciladores de
relajación fueron diseñados por especialistas para formas de onda no sinusoidales;
de las formas de onda más comunes podemos mencionar: cuadrada, rectangular,
diente de sierra, triangular y trapezoidal. En la mayoría de los generadores de onda
no senoidales, se basan en el tiempo de carga y descarga de un capacitor através
de una resistencia (circuito RC), estableciendo la frecuencia de oscilación o
intervalo de relajación; para dispositivos electrónicos de estado sólido aplicado a
circuitos osciladores y temporizadores.
En el circuito oscilador a base de transistor monounión (UJT), figura 2.9,
tenemos un generador de 3 (tres) pulsos de salida: el primero es un pulso positivo
que se obtiene en base 1 (B1), un pulso negativo en base 2 (B2) y un pulso tipo
diente de sierra en el emisor (E).

Figura 2-9

2.5.1 SEÑAL DE SALIDA DE DIENTE DE SIERRA

Con el fin de facilitar el análisis de operación del transistor monounión (UJT)

tomaremos como referencia la figura 2.10, de éste circuito se obtiene la señal de
salida con una forma de onda de diente de sierra por la terminal del emisor del
transistor.

51
 Figura 2.10

En el circuito, Figura 2.10, cuando el potencial de la fuente (VBB) es

inicialmente aplicado fluye una pequeña corriente (ΙΒ) desde la base 2 (B2) a la
base 1 (B1), encontrándose el capacitor inicialmente descargado y
consecuentemente la tensión de emisor es nula (VE = 0).
Esa pequeña circulación de corriente provoca una caída de tensión en la
resistencia intrínseca RB1 la cual polariza inversamente la unión emisor- base 1; al
mismo tiempo a la aplicación del potencial de la fuente el capacitor (CE) toma su
carga en forma exponencial tendiendo al voltaje de la fuente como nivel máximo,
através de la resistencia de emisor (RE).
Evolucionando con una constante de tiempo (τ = RE CE).

Cuando el voltaje en el capacitor (CE) excede en 0.7 V (aproximadamente) a

la caída de voltaje en la resistencia intrínseca RB1 la unión de emisor - base 1 (E-B1)
queda polarizada directamente, inyectando huecos de la región P a la región N de
la barra modificando la resistencia intrínseca RB1 , reduciendo su valor grandemente
y consecuentemente la caída de tensión en la misma. Esto provee un camino de
baja resistencia para que el capacitor se descargue y cuando éste agote su carga
se tiene un aumento abrupto de resistencia RB1 a su valor original, completándose
un ciclo de operación.
Para que el oscilador de relajación opere con seguridad es necesario que la
recta de carga (RE), se localice en la parte media de la región de la resistencia
negativa de la curva característica del transistor monounión (UJT).
En el emisor se obtiene una señal de salida continua de voltaje con el perfil
de la onda de diente de sierra, figura 2.10, producida por la carga y descarga del
capacitor, en la cual se observa un tiempo de subida (t1) y un tiempo de bajada (t2),
la suma de estos tiempos constituyen el período (T).

Así el período T = t1 + t2 y la frecuencia f = 1/ T.

Despreciando el tiempo de bajada (t2) por el pequeño valor que representa la

resistencia intrínseca de base 1 (RB1), con el transistor monounión disparado,
hacemos que el tiempo de subida sea igual al período (t1 = T).

52
 La tensión de carga del capacitor para valores instantáneos está dado por la
ecuación 2.9.

t
−
vCE = VBB + Ae τ
, τ = RE CE (2.9

Donde la constante A , se determina de las condiciones iniciales de carga del

condensador.

Para: t = 0 , v CE = 0 y 0 = VBB + Ae0 ∴ A = −VBB

t
−
Teniéndose: vCE = VBB ( 1 − e τ
)
(2.10

La tensión máxima que puede lograr el capacitor es la tensión pico (VP),

siendo la máxima en el emisor (VE max) y de la ecuación 2.5.

V p = ηVBB

Igualando ecuaciones 2.10 y 2.5.

t
−
ηVBB = VBB (1 − e τ
)

Despejando a el tiempo (t), que corresponde al tiempo de subida t1 .

1
t1 = RE CE ln (2.11
( 1 −η )

1
t1 = 2.3RE CE log (2.12
( 1 −η )

Éste tiempo corresponde a la carga inicial del condensador , que en muchos

textos lo toman como el valor continuo del pulso (se entiende que es por cuestión
práctica); la curva característica del transistor monounión (UJT), nos muestra que la
tensión en el emisor no cae a cero y se mantiene en el voltaje valle (que es un valor
de tensión con valores ya significativos); por lo que la constante A de la ecuación
2.9 será:

VV =VBB +Ae0 ∴ A=VV − VBB

53
 Para la tensión del condensador.

t
−
vCE = VBB + (VV − VBB )e τ
(2.13

Igualando las ecuaciones 2.5 y 2.13

t
−
ηVBB = VBB + (VV − VBB )e τ

Despejando a η
VV − VBB − τ ( η − 1 )VBB
t t
−
η = 1+ e , teniéndose: =e τ
VBB VV − VBB
Como η 〈 1 y VV 〈 VBB multiplicamos el numerador y el denominador por -1.

( 1 − η )VBB 1
= t
VBB − VV
eτ

Despejando a t y sabiendo que corresponde al tiempo de subida t1 .

VBB − VV
t1 = RE CE Ln (2.14
( 1 − η )VBB

El voltaje de valle (VV) puede tomarse como un valor promedio a las

diferentes tensiones de inter bases (VB12) y la relación intrínseca de bloqueo (η)
como una constante de las curvas características ó tomando los datos promedio
típicos que suministra el fabricante.

54
 2.5.2 SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE EMISOR.

Para garantizar la operación del transistor como oscilador de relajación la

línea de carga de la resistencia de emisor (RE) debe situar su punto de reposo (Q),
en la parte media de la región de resistencia negativa de la curva del transistor
monounión (VE VS IE).
En la figura 2.11, se tiene la curva característica idealizada del transistor
monounión, en la que localizamos la recta de carga entre los puntos pico y valle.

Figura 2.11

El valor aproximado de la resistencia de emisor mínima (RE min) y la

resistencia de emisor máxima (RE max) para la condición requerida será:

VBB − VP
RE max = (2.15
IP

VBB − VV
RE min = (2.16
IV
El valor de la resistencia de emisor tendrá el intervalo.

RE max > RE > RE min

Para lo cual tomaremos la media geométrica de éstos dos valores.

RE = RE max RE min (2.17

55
 En la práctica se recomienda que el valor menor seleccionado de la
resistencia de emisor, sea de 2 a 3 veces el valor de la resistencia de emisor
mínima calculada (RE = 2 a 3 RE min), con el objeto de evitar que el transistor se
sature y deje de oscilar.

2.6 SEÑAL DE SALIDA DE PULSO AGUDO POSITIVO.

Los circuitos con transistor monounión (UJT) operando como oscilador de

relajación, es utilizado frecuentemente en los circuitos de disparo de tiristores y
para temporizar otros circuitos electrónicos, teniendo como base el circuito de la
figura 2.10, empleando el diagrama equivalente funcional del transistor y
adicionándole la resistencia R1 entre la terminal B1 y referencia, obtenemos la figura
2.12, se tienen pulsos de salida del emisor y de la base 1.

Figura 2.12

2.6.1 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE SUBIDA .

La carga del capacitor de emisor hasta la tensión pico en un tiempo t1 (éste

es el tiempo de subida), para lograr que el transistor se dispare (entre en
conducción) y en ése instante la caída de tensión en la resistencia R1 sea una
fracción del voltaje pico (VP).

Tenemos: VCE = VP ; VD= 0, IE >=0, t=0+.

La tensión máxima del pulso en la base 1:

 R1 
VB1 = VR1 =  VP (2.18
 R1 + R' B1 

56
 El voltaje pico en función de la d.d.p. de interbases de la ecuación 2.5. será:
VP = η VB 12

Y el voltaje entre bases.

RBB
VB12 = VBB (2.19
R1 + RBB

Substituyendo la ecuación 2.19 en la ecuación 2.5.

η RBB
VP = VBB (2.20
R1 + RBB

Ahora substituyendo la ecuación 2.20, en la ecuación.2.18.

η RBB R1
VB1 =VR1 = VBB (2.21
( R1 + R'B1 ) ( R1 + RBB )
Teniendo la ecuación 2.13.

t
−
vCE = VP = VBB + (VV − VBB ) e τ
; τ = RE CE

E igualando para VP.

t
−
ηVB12 = VBB + ( VV − VBB )e τ

Despejando al tiempo para t = t1 .

 V −V 
t1 = RE CE Ln  BB V  (2.22
 VBB − ηVB12 

Substituyendo el valor de la diferencia de potencial de interbases (VB12), de la

ecuación 2.19.

t1 = RE CE Ln
(VBB − VV ) ( R1 + RBB ) (2.23
VBB  RBB (1 − η ) + R1 

57
 2.6.2 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA

El tiempo tomado para la descarga del capacitor de emisor (CE), a partir de la

tensión pico a la tensión valle (VV), es llamado tiempo de bajada. Operando el
transistor en la región de resistencia negativa (circuito del transistor figura 2.12), se
deduce que la caída de tensión en R1 es una fracción de la tensión de emisor final
que corresponde a la tensión valle ( Vv.)

 R1 
V 'B1 = V 'R1 =   VV (2.24
R
 1 + R' B1 

La resistencia intrínseca de emisor a base 1 (R’B1) para la operación del

transistor en la región de resistencia negativa, tiene una valor típico aproximado de
30 a 100 Ω para los diferentes tipos de transistores monounión (UJT). Cuando
contamos con mayor información del transistor como son los datos de tensión y
corriente valle, podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca (R’B1) en
función de éstos datos.
V
R' B1 = V (2.25
IV

Tomando al capacitor como fuente de tensión única en su valor máximo de

tensión de carga, que corresponde a la tensión pico y sabiendo que la tensión
mínima será VV (dato para un transistor en particular); determinaremos el tiempo
de bajada ( t2).
De la ecuación de descarga del capacitor:

t
−
vC = V0 e RC
(2.26
Donde:

VC = VV , V0 = VP , R = R1 + R’B1 , C = CE y t = t2 .

Tenemos:
t2
−
VV = VP e τ
, τ = ( R1 + R' B1 )CE (2.27

Despejando al tiempo t2 :

VP
t2 = ( R1 + R' B1 )CE Ln (2.28
VV

Fórmula con la que se determina el tiempo de bajada (t2).

58
 Problema 1. Diseñe un circuito oscilador de relajación con transistor
monounión (UJT), que tenga una frecuencia de oscilación de 1 KHz y una espiga
de tensión máxima en la base 1 (VB1) de 5.0 V; dibuje el circuito final, el perfil de la
ondas de salida en emisor (VE) y base 1 (VB1). Se va ha emplear el transistor 2N492
de las siguientes características: RBB = 6 KΩ, fmax = 0.9 MHz, η = 0.56, PD = 0.5 W,
IP = 4 µA, IV = 19 mA, VV = 2.7 V y VD = 0.7 V.

Solución:
Circuito propuesto del transistor monounión.

Figura 2-13

De la ecuación 2.21, la caída de tensión en la resistencia R1 es:

η RBB R1VBB
VB1 = VR1 =
( R1 + R'B1 )( R1 + RBB )
De los datos aportados tenemos las incógnitas del voltaje de polarización
(VBB) y la resistencia (R1), por lo que la corriente valle (IV) y voltaje valle (VV), se
tienen como base y podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca en
conducción de base 1 (R’B1) de 50 Ω adicionada a la resistencia externa de la base
1 (R1); en función de los parámetros de la caída de potencial y corriente valle, así:

VV
R1 + R' B1 = (2.29
IV
Substituyendo valores y despejando a R1.
2.7
R1 = − 50 = 92Ω
19 × 10 −3

Despejando la tensión de polarización (VBB) y substituyendo valores.

VR1 ( R1 + R' B1 )( R1 + RBB ) 5 ( 92 + 50 ) ( 92 + 6000 )

VBB = = = 14 V
η RBB R1 0.56 × 6000 × 92

59
 La diferencia de potencial de interbases (VB12) se determina por la ecuación
2.19, en condiciones de corte del transistor.

RBB 6000
VB12 = VBB = 14 = 13.79 V
R1 + RBB 92 + 6000

La tensión pico (VP) se determina de la ecuación 2.5.

V = ηV = 0.56 x 13.79 = 7.72 V

P B12

La d.d.p en la base 1 en saturación está dado por la ecuación 2.24

R1 92
V ' B1 = V ' R1 = VV = 2.7 = 1.7 V
R1 + R' B1 92 + 50

Cálculo del rango de resistencia de emisor (RE),ecuaciones 2.15, 2.16 y 2.17.

VBB − VP 14 − 7.72
RE max = = = 1.57 M Ω
IP 4 x 10 −6
V − VV 14 − 2.7
RE min = BB = = 594.7 Ω
IV 19 × 10 −3
Rango de resistencia de emisor.

594.7 Ω < RE < 1.57 MΩ

La media geométrica del valor de la resistencia.

RE = RE max RE min = (1.57 × 10 6 ) ( 594.7 ) = 30.557 K Ω

Periodo de oscilación.

f = 1 KHz , T = 1 × 10-3 = 0.001 s = 1 ms = 1 000 µs

El periodo se integra por los tiempos de subida y de bajada, T = t1 + t2 ; en el

que proponemos a t1 = 950 µs y a t2 = 50 µs, despejando y efectuando las
operaciones para el cálculo del capacitor de emisor (CE), ecuación 2.28.

t2 50 × 10 −6
CE = = = 0.3 × 10 -6 F = 0.3 µ F
 V   7.72 
( R1 + R'B1 )  Ln P  142  Ln 2.7 
 VV   

60
 De la ecuación 2.22, despejamos a la resistencia de emisor (RE).

   
 t1   0.95 x 10 − 3 
RE =  =  = 5 388 Ω
 CE Ln VBB − VV   − 6 14 − 2.7 
 VBB − ηVB12   0.3 x 10 Ln 14 − ( 0.56 x 13.79 ) 
   

Vemos que el valor de la resistencia de emisor se encuentra dentro del

rango determinado.
Cálculo de la tensión de base 1 estando en corte el transistor monounión
(V’’R1).

R1 92
V '' R1 = VBB = 14 = 0.21 V
R1 + RBB 92 + 6000

En la figura 2.14 se muestran el diagrama eléctrico y el perfil de las formas

de onda.

Figura 2.14

61
 2.7 GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO NEGATIVO.

En el circuito de la figura 2.12, le adicionamos una resistencia R2 (figura

2.15) entre la Base 2 (B2) y fuente (VBB), cuyo objetivo principal es de mejorar la
operación del transistor monounión (UJT) y se aprovecha el tipo de señal de salida
de la base 2 consistente en un pulso del tipo espiga negativo.

Se ha encontrado en la práctica que todas las características del transistor

monounión son dependientes de la temperatura, comprobándose que el aumento
de la temperatura provoca una disminución del valor de los siguientes parámetros:
voltaje pico (VP), voltaje valle (VV), corriente pico (IP), corriente valle (IV), relación
intrínseca de bloqueo (η), caída de tensión en el diodo de emisor (VD); por otra
parte se incrementa la resistencia de interbases (RBB) y la corriente inversa de
emisor (IEO).
Está determinado que el voltaje pico (VP) decrece con la temperatura, de un
valor de -3mV/ºC para transistores con matrícula 2N2646 y 2N2647.
Sí una resistencia (R2) es colocada en el circuito del transistor monounión
seleccionada en forma correcta, figura 2.15, el incremento de la caída de tensión de
la resistencia de interbases es compensada por una disminución de voltaje pico
(VP) y a su vez compensará la disminución de la caída en el diodo de emisor (VD),
acción que se logra en un rango de temperatura -10º C a 100º C; por otro lado
tenemos que para el rango de temperatura dado el uso de la resistencia hace que
la variación de la frecuencia de oscilación disminuya a menos de 2%.
Se han desarrollado fórmulas experimentales para lograr la estabilización del
voltaje pico (parcialmente), de las cuales podemos enumerar para los siguientes
transistores:
Transistores con matrícula 2N2646 y 2N2647.

10 000
R2 = (2.30
ηVBB

62
Transistores con matrícula 2N489 MIL, 2N1671A, 2N1671B y 2N2160.
0.40 RBB ( 1 − η ) R1
R2 ≅ + (2.31
η RBB η
El fabricante de dispositivos electrónicos Motorola, recomienda los siguientes
valores:
R2 = 0.015 RB B η VB B (2.32

R 2 = 0.15 RBB (2.33

De cualquier modo, siempre se hará un ajuste final del valor de la resistencia
en el circuito para condiciones deseadas de operación.

2.7.1 ANÁLISIS DEL CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN CON

ESTABILIZACIÓN DEL VOLTAJE PICO.

Emplearemos el circuito de la figura 2.15 para el análisis.

V”B1

Figura 2.15

63
 Determinación del tiempo de subida (t1), tomando la sección continua del
pulso de salida en emisor.
De la ecuación 2.5 despreciando la tensión de la unión PN (VD).
V = ηV
P B12
La diferencia de potencial entre las terminales de base 1 y base 2 estando el
transistor en corte, está dado por el divisor de tensión.
RBB
VB12 = VBB (2.34
R1 + R2 + RBB

De la ecuación 2.13, la tensión en el capacitor de emisor será:

t
−
VCE = VP = VBB (VV − VBB ) e RE CE

Igualando términos con respecto al voltaje pico.

t
−
ηVB12 = VBB (VV − VBB ) e RECE

Despejando el tiempo, para t = t1.

VBB − VV
t1 = RE CE Ln (2.22
VBB − ηVB12
Substituyendo la tensión entre bases, ecuación 2.34 en 2.22.
(VBB − VV ) (R1 + R2 + RBB )
t1 = RE CE Ln (2.35
VBB  R1 + R2 + RBB ( 1 − η )

Tensión máxima en base 1 (VB1) en el instante del incremento de la corriente

de emisor, ecuación 2.18
R1
VB1 = VR1 = VP
R1 + R' B1
Substituyendo el valor de la tensión pico (ecuación 2.5) y la tensión de
interbases (ecuación 2.34), se tiene para la tensión de base 1.

R1 RBBηVBB
VB1 = (2.36
( R1 + R' B1 ) ( R1+ R2 + RBB )

64
 Determinación del tiempo de bajada.
Las condiciones operativas del transistor monounión son las mismas que
para el caso de considerar exclusivamente a la resistencia R1 , en la determinación
del tiempo de bajada (t2), por lo que aplicaremos las ecuaciones 2.24 y 2.28
respectivamente.
R1
V ' B1 = VV
R1 + R' B1

VP
t2 = ( R1 + R' B1 )CE Ln
VV
Por otro lado la diferencia de potencial en base 1, estando el transistor
monounión en estado de corte.
R1
V '' B1 = VBB (2.37
R1 + R2 + RBB

Determinación del valor de la resistencia intrínseca de base 2 (RB2) en

función de la resistencia de interbases, a partir de la razón intrínseca de bloqueo
(ecuación 2.3).

RB1
η=
RBB I E =0

Restando de la unidad la razón intrínseca de bloqueo tenemos:

RBB RB1
1 −η = −
RBB RBB

RBB − RB1
=
RBB

RB2
=
RBB
Despejando a RB2.
RB 2 = ( 1 - η ) RBB (2.38

65
 Problema 2. Al circuito del problema 1, adicionarle la resistencia de
estabilización por temperatura, para las mismas condiciones operativas del circuito.

Solución:
La d.d.p. máxima de base 1, está dada por la ecuación 2.36, cuyo dato es de
5 V.
R1 RBB η VBB
VB1 = VR1 =
( R1 + R'B1 ) ( R1 + R2 + RBB )
Analizando vemos que tenemos 3 (tres) incógnitas R1 , R2 y VBB.
De la ecuación 2.33.
R2 = 0.15 RBB
= 0.15 x 6000 = 900 Ω
Los datos de la corriente valle y voltaje valle no han variado por lo que el
valor de la resistencia R1 será el mismo al del problema 1.
R1 = 92 Ω
Despejando de la ecuación 2.36 a la tensión de polarización (VBB), y
substituyendo valores.
VR1 ( R1 + R' B1 )( R1 + R2 + RBB )
VBB =
R1η RBB

5( 92 + 50 )( 92 + 900 + 6 000 )
= = 16 V
92( 0.56 )( 6 000 )
La diferencia de potencial de interbases (VB12), se calcula por la ecuación
2.34.
RBB
VB12 = VBB
R1 + R2 + RBB

6000
= 16.05 = 13.72 V
92 + 900 + 6000
La tensión pico de la ecuación No. 2.5 despreciando la tensión de la unión
PN (VD).
VP = ηVB12
= 0.56 x 13.72 = 7.68 V

66
 Voltaje en base 1 (V’B1) estando el emisor en saturación, el cual es el mismo
que en el problema No. 1.
V’B1 = 1.7 V

Cálculo de la resistencia de emisor de las ecuaciones 2.15, 2.16 y 2.17.

VBB − VP
RE max =
IP

16 − 7.68
= = 2.08 M Ω
4 × 10 −6
VBB − VV
RE mín =
IV

16 − 2.7
= = 700 Ω
19 × 10 −3

Rango del valor de la resistencia de emisor.

700 Ω < RE < 2.08 M Ω
Periodo de oscilación.
1 1
f = 1 000 Hz , T= = = 1 × 10 -3 s = 1 ms
f 1 × 10 3
El periodo T = t1 + t2 proponemos a t1 = 0.95 ms y a t2 = 0.05 ms.
De la ecuación 2.28, despejando a CE y substituyendo valores.
t2
CE =
VP
( R1 + R' B1 )Ln
VV

50 × 10 −6
= = 0.337 × 10 -6 F = 0.337 µF
7.68
142 Ln
2.7
Despejando de la ecuación 2.22, a la resistencia de emisor y substituyendo
valores.
t1
RE =
VBB − VV
CE Ln
VBB − ηVB12

67
 0.95 × 10 −3
= = 6004 Ω ≅ 6 K Ω
16 − 2.7
0.337 × 10 −6 Ln
16 − ( 0.56 )( 13.72 )
El valor de la resistencia de emisor se encuentra dentro del rango calculado.

La tensión de la base 1 estando en corte el trasistor monounión, ecuación

2.37.
R1
V '' B1 = VBB
R1 + R2 + RBB

92
= ( 16 ) = 0.21V
92 + 900 + 6000

Diagrama del circuito con los valores calculados, figura 2.16.

Figura 2.16

68
 A partir de los diagramas equivalentes funcionales podemos aproximar las
formas de onda para los tres estados definidos de operación del dispositivo, los
cuales se ilustran en la figura 2.17.

Figura 2.17
Para el estado de corte del transistor monounión.
D.d.p. en la base 2.
RBB + R1
V '' B 2 = VBB
R1 + R2 + RBB

6 000 + 92
= 16 = 13.94V
92 + 900 + 6 000

Para el estado de inicio de conducción,

De la ecuación 2.38, se determina el valor de la resistencia de base 2 en
función de la resistencia de interbases.
RB 2 = ( 1 − η ) RBB

= (1 - 0.56) 6 000 = 2 640 Ω

69
D.d.p. en base 2.
RB 2 + R' B1
VB 2 = VB1 + (VBB − VB1 )( )
R2 + RB 2 + R' B1

 2 640 + 50 
= 5 + ( 16 − 5 )   = 13.24 V
 900 + 2 640 + 50 

Para el estado final de conducción.

La d.d.p. en base 2.
RB 2 + R' B1
V ' B 2 = V ' B1 + (VBB − V ' B1 )
R2 + RB 2 + R' B1

 2 640 + 50 
= 1.7 + ( 16 − 1.7 )   = 12.415 V
 900 + 2 640 + 50 

Formas de onda de salida de base 1, base 2 y emisor; figura 2.18.

Figura 2.18.

70
 TABLA 1, DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE
PARÁMETROS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
(UJT).

SÍMBOLO NOMBRE DEFINICIÓN

IE Corriente de La corriente que circula de emisor a base 1 en
emisor condiciones nominales.
IEO Corriente inversa La corriente que circula de emisor a base 2 a una
(IEB2O) de emisor tensión dada y la base 1 a circuito abierto.
Corriente de La corriente de emisor máxima permitida, antes de que
IP emisor opere el transistor en su región de resistencia negativa.
pico
Corriente de La corriente que circula de emisor a base 1, cuando se
IV emisor logra la tensión valle en el emisor.
valle
Resistencia entre Resistencia entre base1 y base 2, medida a una
RBB bases tensión de interbases especificada (normalizada a VB12
= 3 V, IE =0 a 25º C.
VB12 Voltaje entre Es la diferencia de potencial entre base 1 y base 2,
bases llamado también voltaje de interbases.
Voltaje de emisor La máxima diferencia de potencial en el emisor (VE
VP pico max), antes de que el transistor opere en la región de
resistencia negativa.
Caida de tensión La diferencia de potencial que aparece en la unión de
VD en el diodo (E-BS) emisor en polarización directa.
Voltaje de emisor La diferencia de potencial del emisor mínima para IE >
VV valle IP , dado a un valor específico de d.d.p. entre bases
(vb12).
Razón intrínseca V − VD
Definida por la relación η= P
η de bloqueo VBB
Corriente de Es la corriente conveniente de base 2 para el disparo
IB2 (mod) modulación de del transistor, especificada a una d.d.p. de interbases
interbases (VB12).
R’B1 Resistencia de Es la resistencia entre emisor y base 1, cuando el
saturación B1 transistor opera en la región negativa.

71
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 3

TRANSISTOR MONOUNIÓN ( UJT ).

1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprobar la forma de operar del transistor monounión y
determinar sus parámetros.

2. Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de tensión variable de C.C.
1 Pz Osciloscopio de doble trazo.
1 Pz Generador de funciones.
1 Pz Multímetro.
1 Pz Resistencias 1000 Ω a 0.5 W.
1 Pz Transistor 2N 2646.

3. Procedimiento.
3.1 Empleando el óhmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según
se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.

3.2. Determine la resistencia de interbases y la razón intríseca de bloqueo, para 10 V y 20 V

de tensión de polarización (VBB) ; empleando los circuitos dados en clase de la figura 2.6 y 2.7.

3.3. Obtenga la curva característica del transistor monounión, correspondiente a los

parámetros de corriente de emisor y voltaje de emisor base uno. Empleando en circuito de la figura

72
2. ; reporte los parámetros pico y valle del transistor. Para una tensión de polarización de 10 V y 20
V.

3.4 Resultados.

3.5 Conclusiones.

3.6 Preguntas.

a) ¿ Diga porqué se forma la resistencia negativa del transistor?.

b) ¿ Defina contacto óhmico?.
c) Determine el valor de la resistencia negativa.

73
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 4

TRANSISTOR MONOUNIÓN ( UJT ).

1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender la forma de operar del transistor monounión
como dispositivo de relajación y determinar experimentalmente sus parámetros.
2. Equipo y material a emplear.
1 Pz Fuente de tensión variable de C,D.
1 Pz Osciloscopio de doble trazo.
1 Pz Multímetro.
1 Pz Potenciómetro 1 MΩ - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pz Potenciómetro 20 KΩ - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pz Resistencias 100 Ω, 470 Ω y 1 K Ω a 0.5 W.
1 Pz Capacitores 0.01 µF, 0.05 µF, 0.1 µF, 0.5 µ F y 1.0 µF a 50 V C.D.
1 Pz Transistor 2N 2646.

3. Procedimiento.
3.1 Empleando el óhmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según
se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.

3.2 Del circuito mostrado en la figura 2 , para una tensión de 20 V y 10 V de la fuente de

polarización ( VBB ) efectúe lo siguiente:

a) Seleccione la posición de los potenciómetros en un valor del 50 % o menor y energice el

circuito.
b) Tome las gráficas de las formas de onda de los puntos E, B2 y B1 ; identificando los

parámetros del dispositivo de las mismas ( Vp y Vv ).

74
 c) Modifique la posición de los potenciómetros a su valor mínimo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.
d) Modifique la posición de los potenciómetros a su valor máximo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.

e) Para la condición del punto "a", a una tensión de polarización de 20 V, intercambie el

capacitor y anote los incrementos de tiempo en la tabla de valores; para el perfil de la onda de salida
en base 1, indicada en la figura 3.

f) Grafíque el periodo de conmutación del transistor para los diferentes valores del
capacitor.
3.4 Resultados.
Corrobore teóricamente los resultados y formas de onda del circuito.
3.5 Conclusiones.

75
 BIBLIOGRAFÍA
REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
1 Digital Logic Sol Libes Hayden 1978
Circuits
2 SCR MANUAL Staff General Electric General Electric 1979
3 Electrónica Teoría Robert Boylestad y Prentice Hall 1983
de circuitos Louis Nashelsky Hispano Americana
4 Principios de Albert Poul Malvino Mc. Graw Hill 1986
electrónica
5 Electrónica IV Raúl Ruiz Meza Edit. E.S.I.M.E.-I.P.N. 1977
6 Semiconductor Brinton B. Mitchell Rinehart Press 1970
Pulse Circuits
7 Experimentos con Howard H. Gerrish Limusa 1976
transistores y
semiconductores
8 Dispositivos Margarita García B. Edit. E.S.I.M.E,-I.P.N. 1988
electrónicos tomo Arturo Cepeda S.
II
9 Power Electronics W. Shephed & L. N. Cambrige University 1987
and Motor control Hulley
10 The Electronics Staff of Research and 1988
Problem Solver Education Association
11 Laboratorio Joel Ruiz de Aquino Alhambra Mexicana 1977
Integral de
Electrónica

76
 3. TIRISTORES

En los procesos industriales se tienen un sin número de aplicaciones las

cuales requieren que se entregue una cantidad de potencia eléctrica variable y
controlada, dentro de las cuales podemos mencionar a: la iluminación, el control
de velocidad o par de motores eléctricos, soldadura eléctrica y el calentamiento
eléctrico; siendo éstas cuatro de las aplicaciones más comunes. Siempre es
posible controlar la cantidad de potencia eléctrica que se entrega a una carga, sí
se utiliza un transformador variable para proporcionar una tensión de salida
variable, sin embargo para grandes potencias y bajas tensiones, los
transformadores variables son físicamente grandes, costosos y requieren de un
mantenimiento especializado; éstos tres factores hacen que los transformadores
variables sean poco utilizados.
Otro método para controlar la potencia eléctrica que se entrega a una
carga, es el de emplear resistencias variables; intercalando un reóstato en serie
con la carga ( para así controlar y/o limitar la corriente) o por medio de un
potenciómetro (para fijar un nivel de tensión seleccionado). Nuevamente para
grandes potencias las resistencias variables resultan de gran tamaño, costosas,
necesitan mantenimiento y además desperdician una cantidad apreciable de
energía (disipada en forma de calor). Las resistencias de éste tipo no son la
alternativa deseable frente a los transformadores variables, en el control de
potencia industrial.
La forma de controlar la energía y la potencia eléctrica, se ha hecho más
viable através de los dispositivos electrónicos, en el que inicialmente se realizó
con dispositivos de vacío (poca potencia), posteriormente con dispositivos de gas
(de mediana potencia) y en la actualidad con dispositivos en base a los
semiconductores (gran potencia); lo que ha sido posible gracias al avance
científico y tecnológico.
Desde 1960, está disponible un dispositivo electrónico (semiconductor), el
cual no adolece de las deficiencias antes mencionadas, el SCR (tiristor) es
pequeño y relativamente barato, no necesita mantenimiento (únicamente
limpieza), su consumo de potencia es muy bajo y maneja altas corrientes a
tensiones del orden de kilovolts, atributos muy importantes en el campo del control
industrial moderno.
Los dispositivos en base a los semiconductores de cuatro o más capas son
elementos que trabajan con portadores de carga eléctrica negativa (electrones) y
portadores de carga positiva (huecos), por lo tanto son elementos bipolares y su
comportamiento se puede comprender fácilmente através de la analogía con
transistores bipolares.
El tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador;
componente idóneo para manejar potencia eléctrica. Por sus características éste
dispositivo reemplaza en forma directa al tiratrón (triodo gaseoso), teniendo los
principales usos a parte de la conmutación pura y simple, la variación de la
velocidad de motores eléctricos de CD y CA, en general los convertidores
estáticos en sus diferentes modalidades aplicables a sistemas.

77
 En un tiristor como lo es el SCR (Silicon Controlled Rectifier), su control se
efectúa por medio de un electrodo de mando llamado puerta (del inglés gate),
gatillo o compuerta, cuya acción se menciona comúnmente como disparo,
consistente en una señal eléctrica aplicada a la puerta que hace que entre en
conducción y/o permanezca
en estado de bloqueo el dispositivo (en no conducción); mientras no se aplique
ésta señal el dispositivo no cambiará de estado (condiciones normales de
operación), ésta acción de disparo precisa el tiempo de aplicación de la señal,
implicando que tanto la señal de mando o de control, como la señal a controlar;
sean ambas función del tiempo y concurran en un determinado instante.
En el caso de estar el SCR en un rectificador como elemento principal de
control de la energía, la acción de control sobre éste permitirá variar a voluntad el
valor medio de la tensión entregada por el rectificador.
En relación con las propiedades de los dispositivos semiconductores y los
de gas, podemos enumerar las ventajas del SCR sobre el TIRATRÓN (que
hicieron el desplazamiento de éste último)
a) No necesita precalentamiento y por consiguiente no consume energía por éste
concepto.
b) Volumen reducido, por ser un elemento de estado sólido.
c) Resistente a impactos y aceleraciones, por ser un elemento de estado sólido.
d) Posibilidad de operación en cualquier posición.
e) Insensibilidad a las sobrecargas (dentro de sus rangos de operación).
f) Vida media muy larga.
g) Velocidad elevada de conmutación, aplicación a rectificadores (velocidad
normal) y a inversores (rápidos).
h) Poca dependencia de la corriente.

3.1 TIPOS DE TIRISTORES.

El tiristor tiene dos estados estables de operación que son el de conducción

y el de bloqueo, que depende de las retroalimentaciones de las uniones con
estructura PNPN; éstas uniones pueden ser tres o más y los elementos de
conexión pueden ser dos o más teniéndose la familia de dispositivos siguientes :
a) Diodo Shockley - Diodo tiristor de cuatro capas.
b) SCR “ Silicon Controlled Rectifier “ - Rectificador controlado de silicio.
c) TRIAC “ Triodo AC Switch” - Tiristor triodo bidireccional.
d) PUT “ Programable Unijuntion Transistor” - Transistor Monounión
Programable.
e) GTOS “Gate Turn off Switch” - Tiristor bloqueable o con puerta de extinción.
f) LASCR “Light Activated Silicon Controlled Switch” - Rectificador controlado por
luz.
g) SUS “Silicon Unilateral Switch”. - Conmutador unilateral de silicio.
h) SBS. “Silicon Bilateral Switch” - Conmutador bilateral de silicio.
i) SCS “Silicon Controlled Switch” - Tiristor tetrodo (dos electrodos de mando).

78
 3.2 DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS.

Iniciamos el estudio de los tiristores con el más simple, el diodo tiristor o

diodo de cuatro capas, figura No. 3.1, que nos muestra su representación
analógica y su diagrama equivalente respectivamente.

Figura 3.1

En la representación analógica, figura No. 3.1,observamos que las uniones

J1, J2 y J 3 generan los diodos D1, D2 y D3, correspondientes a las capas PN con
sus ánodos y cátodos.
Sí al conjunto lo sometemos a una diferencia de potencial operará de la
siguiente manera:
1. Con una tensión aplicada con polaridad positiva al ánodo con respecto al
cátodo (polarización directa), vemos en el diagrama equivalente (figura No. 3-1)
que los diodos D1 y D3 se encuentran polarizados directamente, y el diodo D2
queda polarizado inversamente; éste diodo hará que el dispositivo se encuentre
bloqueado hasta un cierto valor de tensión, que será la tensión de bloqueo directo.
2.- Invertimos la polaridad, ahora están polarizados diodos D1 y D3
inversamente, y polarizado directamente el diodo D2; consecuentemente
aumentará la tensión de bloqueo del dispositivo que será una condición normal de
operación del mismo.
La corriente de fuga de polarización directa (ID que permite la unión J2 ), es
de un valor pequeño y el cual se incrementa para aumentos de tensión entre
ánodo y cátodo, la corriente se incrementa para convertirse en la corriente de
ánodo (IA) por un proceso de avalancha en los portadores de carga; los valores de
corriente de ánodo son limitados por la resistencia de carga (a valores nominales
del diodo). La tensión que hace entrar en conducción al diodo tiristor, es la tensión
de polarización directa máxima (VFDM).

79
 3.2.1 CURVA CARACTERÍSTICA.

El diodo tiristor tiene la curva característica de comportamiento mostrada

en la figura 3.2, correspondiente a sus dos terminales ánodo y cátodo.

Figura 3.2
ID Corriente de fuga de polarización directa.
IR Corriente de fuga de polarización inversa.
VFDM Voltaje de polarización directo máximo.
VRR Voltaje inverso de ruptura.
IH Corriente de mantenimiento o de sostenimiento (holding).
IFAV Corriente media.

La corriente de mantenimiento llamada también hipo-estática

(sostenimiento), es el valor mínimo de corriente de ánodo que circulará por la
carga y que conservará en conducción al diodo tiristor. En la figura 3.3. se
muestra el símbolo del dispositivo.

Figura 3.3

80
 3.3 TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE
CONEXIÓN.
Dispositivo semiconductor biestable (estado conmutable de bloqueo a
conducción y viceversa), pero con la particularidad de que la acción de disparo
sólo puede producirse en un solo cuadrante de la curva característica tensión
contra corriente correspondiente al ánodo - cátodo. La forma de disparar al tiristor
através de su compuerta de mando da como resultado dos tipos de dispositivo:

a) Tiristor tipo P. El cual tiene su terminal de control en la región P más cercana

al cátodo, teniéndose que para que entre en conducción se le aplique una
señal positiva a la compuerta referida al cátodo.

b) Tiristor tipo N. Localizándose la terminal de control en la región N más cercana

al ánodo y se dispara al estado de conducción aplicándole una señal negativa
a la puerta referida al ánodo.
En la figura 3.4, se tienen los símbolos de ambos tipos de tiristores y su
representación analógica.

Figura 3.4

De la representación analógica podemos observar que los dos tipos de

dispositivos, se asemejan al diodo tiristor a excepción del tercer electrodo de
mando y cuyo comportamiento se verá posteriormente que será igual sin señal de
disparo

3.3.1 CONSTITUCIÓN GENERAL DEL SCR.

El tiristor de mayor uso en sistemas controlados de potencia, es el

rectificador controlado de silicio (SCR figura 3.5 en su representación analógica),
por su capacidad de manejar una gran cantidad de corriente a tensiones
considerables, aún cuando en la actualidad a venido en desuso a medianas
potencias por el empleo de transistores tipo metal óxido semiconductor (en sus
diferentes presentaciones).

81
 En términos cualitativos podemos
decir que el SCR está construido de la
forma siguiente:

a) Capa anódica. Esta capa es

medianamente impurificada y con un
espesor regular.
b) Capa de bloqueo. Esta capa es
algo más impurificada que la capa anódica
y es la capa más gruesa (de mayor
espesor) de las cuatro capas.
c) Capa de control o de gobierno.
Es delgada y su impurificación es similar a
la capa anódica.
d) Capa catódica. Es muy delgada y
altamente impurificada.
Figura 3.5.

3.3.2 CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL SCR.

En la figura 3.6, se muestra la construcción básica del SCR.

El dispositivo se construye a partir de un

disco de silicio impurificado por técnicas
de difusión, alternando las impuri-
ficaciones para generar sus capas. Sus
extremos se sueldan a placas de molib-
deno o tungsteno; la placa anódica de
contacto se encasquilla con un cilindro de
cobre; el cilindro de cobre tiene la función
de disipar el calor generado en la
operación del dispositivo, además de
Figura 3.6 servir como terminal de conexión.

El espacio entre el casquillo y pastilla semiconductora es llenado por un gas

inerte que aísla y refrigera a su vez a la pastilla semiconductora. El sello de este
espacio se efectúa con materiales como: vidrio, cerámica y un plástico resistente a la
temperatura; que a su vez sirve de soporte para las conexiones del ánodo y el cátodo.

82
 3.3.3 OPERACIÓN DEL SCR.
El dispositivo tiene dos condiciones de operación estables que son los
estados de bloqueo y conducción.
a) Rectificador controlado de silicio (SCR) en bloqueo, figura 3.7.

Figura 3.7
La condición de bloqueo se presenta con la polarización inversa, bajo esas
condiciones las uniones J1 y J3 están polarizadas inversamente y la unión J2 se
encuentra polarizada directamente, el dispositivo permanece en no conducción
hasta antes del voltaje inverso de ruptura. Rebasando la tensión de polarización
inversa el dispositivo entra en conducción por el fenómeno de avalancha, que
ocurre en las dos uniones j1 y j3 , estas rompen su estado de bloqueo y
consecuentemente la corriente que es inversa se hace muy elevada, lo que
provoca la destrucción del dispositivo.

b) Rectificador controlado de silicio (SCR) en conducción, figura 3.8.

Aplicando una tensión positiva al ánodo con respecto al cátodo, las uniones
J1 y J3 se encuentran polarizadas directamente y la unión J2 inversamente; el SCR
se encuentra en bloqueo directo y circulará una corriente de fuga poco
significativa. Para que entre en conducción se aplicará un pulso positivo a la
puerta con respecto al cátodo.

Figura 3.8
El pulso positivo en la puerta produce una inyección de huecos h3 (cargas
positivas) de la capa P2 a N2 , éste flujo de huecos que cruza la unión j3 produce
un flujo de electrones n3 de N2 a P2 , estos electrones (n3) por efecto transistor son

83
pasados por la unión J2 como n2 hasta la capa N1. La concentración de electrones
n2 alteran la distribución de portadores de carga en la capa N1 y algunos llegan a
atravesar la unión j1 (n1), que a su vez provocan un flujo de huecos h1 desde la
capa P1 a la capa N1 , los cuales por efecto transistor pasan de la capa N1 a P2 ,
cruzando la unión J2 como portadores de carga positivos h2 (huecos).
Los portadores de carga h2 alteran la distribución de carga existente en la
capa P2 y algunos llegan a cruzar la unión J3 convirtiéndose en portadores de
carga h3.

Lo expuesto anteriormente, establece un ciclo el cual es regenerativo y

hace que la corriente aumente drásticamente a valores limitados por el circuito
externo.

La densidad de los portadores de carga en cada lado de la unión j2

aumenta a un nivel tal que, ésta unión queda polarizada directamente y la
distribución de electrones en la capa N1 aumenta, sucediendo lo mismo en la capa
P2 (Ahora con portadores de carga positivos); quedando las uniones como se
muestran en la figura 3.9.

Figura 3.9

V =Vj −Vj +Vj

AK 1 2 3

Una vez encendido el SCR (en conducción), cualquier acción de señal

sobre la compuerta (G) no influye en la operación (solo se permiten aplicar
señales positivas) y la forma de apagar el dispositivo es disminuyendo la tensión
entre cátodo y ánodo, eliminando el efecto de avalancha o simplemente
disminuyendo la corriente de ánodo a un valor menor de la corriente de
sostenimiento (IH). La corriente inyectada por el impulso de tensión (VG) en la
compuerta para encender al SCR, varía con las características particulares de
cada unidad ( diferentes voltajes y corrientes ); pero los valores típicos son a unos
cuantos miliamperes del orden de 2 a 100 mA a una tensión de puerta no mayor
de 5 V (en corriente continua).

84
 3.3.4 DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR.

Podemos considerar al SCR desde el punto de vista operativo como un

simple conmutador o interruptor, cuyo estado será abierto o cerrado, figura 3.10.

Figura 3.10

3.3.5 ANALOGÍA DE OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR CONTROLADO

DE SILICIO CON DOS TRANSISTORES.

Partiendo de la representación analógica del SCR y su descomposición en

dos transistores según se muestra en la figura 3.11.

Figura 3.11

Resulta un montaje con un transistor PNP y otro NPN, con interconexiones

que forman realimentaciones positivas. En el diagrama de la figura 3.12, permitirá
explicar el fenómeno de cebado o disparo del SCR.

85
 Figura 3.12

El montaje se encuentra polarizado directamente, ánodo positivo y cátodo

negativo; se inyecta una señal IG momentánea entrando en conducción el
transistor T1, en esas condiciones la base del transistor T2 pasa a un potencial
negativo casi igual al del cátodo, quedando polarizada la unión base - emisor
directamente; entra en conducción el transistor cuya corriente de colector alimenta
la base del transistor T1, que realimenta e inicia un ciclo que es regenerativo
hasta la saturación de ambos transistores.

De la operación de los transistores tenemos:

IB1 = IG
IC1 = IB2 = IG β1
IC2 = IB2 β2 = IG β1 β2

Condicionándose a:

β1 β2 < 1 no hay disparo del SCR.

β1 β2 > 1 entra en conducción el SCR.

Recordando por otro lado que la ganancia de corriente del transistor (β)
aumenta con la corriente de emisor, lo cual nos favorece para la entrada de
conducción del mismo.

86
 3.3.6 CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR.

Las características del SCR, se refieren a un eje coordenado en el que sus

parámetros se relacionan, como son: corriente de ánodo, voltaje de ánodo y
corriente de compuerta.
La relación de las corrientes y tensiones del SCR, se determinan con el
circuito básico de la figura 3.13, en el que se tienen dos condiciones de operación:
a) Con el interruptor abierto (SW) para corriente de puerta nula (IG = 0),
para polarización directa e inversa.
Para polarización directa.- Superando el voltaje directo de disparo o voltaje
de ruptura (Vd) el dispositivo entra en conducción, limitada la corriente de ánodo

por la resistencia de carga (RL).

Para la polarización inversa.- Excediendo el voltaje de ruptura inverso (VRI),

el dispositivo entra en conducción de avalancha (se destruye).
b) Con el interruptor cerrado (SW) para la corriente de puerta diferente de
cero (IG > 0), para polarización directa e inversa.
Para polarización directa.- El dispositivo entra en conducción para
diferentes valores de corriente de compuerta (IG) y tensiones ánodo - cátodo

(VAK). El valor de la corriente de ánodo está limitado por la carga y tendrá un valor
mayor que la corriente mínima permisible (corriente de sostenimiento) para que
permanezca en éste estado. Para polarización inversa.- El dispositivo
no entra en conducción aún cuando se aplique la señal de compuerta.

Figura 3.13

87
 VRI Voltaje inverso de ruptura.

VRSM Voltaje inverso transitorio o

accidental.
VRWM Voltaje inverso recurrente.
Vd (VSO) Voltaje directo de disparo.
VFAV Voltaje directo de trabajo.
VH Voltaje de sostenimiento.
IFAV Corriente media.
IGn Corriente de compuerta.
Figura 3.14
IH Corriente de sostenimiento.

Breve descripción de las corrientes y tensiones de interés de la curva

característica.
1. Voltaje directo de disparo (Vd), es la tensión en la que el SCR entra en
conducción en la región de polarización directa, con una tensión máxima sin
señal en la compuerta.
2. Corriente de sostenimiento o de mantenimiento (IH), es la corriente mínima
que se requiere para que el dispositivo permanezca en conducción.
3. Voltaje inverso de ruptura (VRI), es la tensión máxima de polarización inversa
que hace entrar en conducción al dispositivo por corriente de avalancha (en la
que en la gráfica del dispositivo se ha rebasado la inflexión del codo zener,
provocando la destrucción del mismo); para tensiones inferiores a ésta tensión,
el dispositivo se encuentra bloqueado y es posible que acepte una tensión
transitoria accidental (VRSM) y una tensión recurrente (VRWM).
En la zona de polarización directa para tensiones menores de la de bloqueo
(Vd), no hay conducción en el dispositivo, para lograr que éste entre en
conducción se hace através de una señal de puerta; de tal forma que cuanto
mayor sea esta corriente de disparo el dispositivo entrará en conducción para
tensiones menores de polarización directa.

88
 3.3.7 CARACTERÍSTICAS DE COMPUERTA DEL SCR.

El tiristor (SCR) es disparado por una señal positiva aplicada a la

compuerta, en el que se tienen tres modalidades de disparo:
1. Por corriente continua.
2. Por corriente directa pulsante.
3. Por impulso o trenes de impulso.

El fabricante através de gráficas especifica los valores de corriente y

tensión necesarios para provocar el disparo del dispositivo en particular, figura
3.15, en la que se muestra además de los rangos de variación de las corrientes y
tensiones de puerta, la influencia de la temperatura, para valores instantáneos de
los ejes coordenados.

VGF Tensión directa pico máxima

admisible.
PGAV Potencia media máxima (en
otras gráficas potencia instantánea
máxima).
IGFM Corriente directa máxima (en
otras gráficas corriente instantánea
máxima).

Figura 3.15

En la gráfica de la figura 3.15, vemos que a medida que aumenta la

temperatura disminuyen los valores de tensión y de corriente de disparo, por otro
lado observamos que a bajas temperaturas se tienen valores elevados de tensión
y de corriente de disparo, para bajas temperaturas se tienen las peores
condiciones de disparo del SCR por las tensiones elevadas.
La gráfica de la figura 3.15, nos muestra la característica del dispositivo
para la corriente de ánodo nula (IA = 0), es decir a circuito abierto o en
condiciones de inicio de conducción.
Como complemento a la curva característica haremos las siguientes
anotaciones:
La tensión de predisparo de la puerta, es la tensión máxima de disparo en
el que el dispositivo permanece bloqueado (zona de bloqueo directo) y que se da
a una temperatura de 100º C, por lo consiguiente cualquier señal indeseable
(Ruido eléctrico) tendrá que mantenerse por abajo de éste valor de tensión, con el
objeto de evitar disparos erráticos del dispositivo.
La parábola de disipación de potencia media máxima en la puerta, es la
potencia nominal pico que es capaz de manejar la unión de la compuerta, la cual
no deberá excederse nunca y se seleccionarán en la curva por abajo de éste valor
(zona preferente de disparo).

89
 En los tiristores tipo SCR que operen en circuitos de inversores, se requiere
un pulso firme (seguro) en la señal de puerta, esto debido al tipo de señal que
maneja el dispositivo con una alta velocidad de corriente (di/dt) y frecuencia
elevada (se manejan generalmente pulsos cuadrados o de sección rectangular).
El fabricante de dispositivos electrónicos de éste tipo, suministra las curvas
características de disparo por pulsos, éstas indican el ancho del pulso máximo
permisible a distintos valores de potencia pico de entrada en la compuerta. El
pulso especificado es rectangular y el ancho de éste es a corriente nominal del
dispositivo (IA NOM), una forma típica de ésta curva se muestra en la figura 3.16.

Figura 3.16

3.3.8 CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE LA LÍNEA

DE CARGA.

Se tiene el circuito básico de disparo del SCR en la figura 3.17, en el que

se muestra una fuente (es) y su resistencia interna (Rs).

Teniendo como base las curvas características

de disparo del SCR, seleccionamos el punto de
disparo trazando una línea de carga en la gráfica,
figura 3.18, la selección de la línea de carga es
conveniente localizarla en el máximo punto de
operación, localizándolo en el área preferente abajo
de la curva de disipación máxima de potencia.

Figura 3.17

90
 Figura 3.18
Para el disparo con corriente continua se consultará cuál es la potencia
máxima, en general VGDC << VG (t) y para disparos con pulsos cuadrados según
se vio en la gráfica dependerá de la duración del pulso de acuerdo con la
siguiente relación: Potencia media permitida ≥ potencia máxima del pulso x ancho
del pulso x tasa de repetición. Por otro lado se tiene que la tensión de disparo de
puerta se relaciona con la tensión de bloqueo directo de la siguiente forma:
VG Tensión de disparo de puerta.
 I  Vd Tensión de bloqueo directo.
VG = Vd 1 − G 
IG Corriente de compuerta.
 I GT 
IGT Corriente de compuerta de trabajo.

3.3.9 TIPOS DE ENCAPSULADOS.

91
 3.3.10 CARACTERÍSTICA DE DISPARO DEL SCR.

Del comportamiento del SCR dado en la curva característica VAK vs IA ,

observamos la relación existente entre los parámetros de corriente de disparo (IG)
y tensión ánodo - cátodo (VAK), figura 3.14, designándole como Característica de
Disparo. La característica de disparo está dada en corriente continua, cuyos
límites en los ejes coordenados son: para el eje de las ordenadas la tensión de
bloqueo directo (Vd) y para el eje de abscisas, la corriente máxima de compuerta
(IG max), figura 3.20.

Figura 3.20

Ésta curva característica de disparo la hacemos función del tiempo,

relacionándola con la tensión de ánodo-cátodo; para el caso de la onda senoidal
en el semiciclo positivo tenemos la curva generada llamada Característica
Dinámica de Disparo, figura 3.21.

Figura 3.21

92
 El objetivo principal de ésta curva es la de relacionar el nivel de la señal de
mando o disparo con la forma de onda de la tensión aplicada al ánodo - cátodo
del SCR. La curva característica dinámica de disparo, garantiza los niveles de
tensión de disparo en función del tiempo o del ángulo de conducción,
manteniendo la potencia máxima que es posible de manejar en un nivel de
seguridad.
El disparo del SCR se podrá efectuar de varios métodos, dentro de los que
podemos mencionar los siguientes:
a) Disparo por corriente continua.
b) Disparo por corriente directa pulsante.
c) Disparo por impulsos o pulsos.
El método más eficiente para controlar el disparo del SCR (su encendido),
es mediante la variación del ángulo de disparo (θd); el ángulo de disparo se
determina con respecto a la tensión aplicada (en general cuando en su perfil de
onda ha tomado valor de cero) y a éste método se le llama Control de ángulo de
fase. El proceso de abrir y cerrar el tiristor, lo llamaremos conmutar (en
conducción y no conducción) teniéndose dos formas de hacerlo, conmutación
natural y conmutación forzada.

a) Disparo por corriente continua.

El circuito de la figura 3.22, emplea un SCR como rectificador de media
onda, en el cual se controla la cantidad de energía entregada a la resistencia de
carga (RL), el circuito de disparo se designa simplemente como circuito de control
de ángulo de fase.

Figura 3.22

Para el caso de disparo por corriente continua, figura 3.23, el circuito de

disparo se efectúa con una fuente de corriente constante y la señal a controlar
será aplicada al ánodo - cátodo.

Figura 3.23

93
 En la figura 3.24, se muestra la relación entre la señal de disparo (de
corriente continua) y la señal a rectificar (semiciclo positivo de la onda alterna
aplicada).

Figura 3.24

La señal de corriente de disparo IG en la gráfica de la figura 3.24, corta a la

característica dinámica de disparo en el punto A, generándose un ángulo de
disparo θd y un ángulo de conducción θc ; por otro lado se tiene que los ángulos
son función del tiempo y tA < tA’ por lo que en el punto A’ no será posible cortar
la curva característica dinámica de disparo, teniéndose consecuentemente un
control limitado. El ángulo de disparo será de 0º a 90º sexagecimales y el ángulo
de conducción será de 90º a 180º sexagecimales como mínimo, por otro lado el
semiciclo negativo de 180º a 360º sexagecimales polarizará al SCR inversamente
y estará bloqueado (en no conducción).

b) Disparo por corriente directa pulsante (CD).

La señal de disparo se obtiene de una fuente de corriente directa pulsante
a un nivel adecuado (como la suministrada por un rectificador de media onda),
para lo cual empleamos el circuito de la figura 3.25.

Figura 3.25

94
 Referiremos la señal de corriente de compuerta aplicada al dispositivo con
la tensión aplicada a las terminales del ánodo respecto al cátodo, figura 3-26.

Figura 3.26

Observamos que la señal de disparo está en fase con la tensión a controlar

(las dos formas de onda inician en 0º) y la intersección de la curva de la señal de
control con la curva característica dinámica de disparo, queda limitada a un rango
de 0º a 90º sexagesimales, para variaciones del valor de la corriente de puerta
(IGT) para cada tensión de polarización en particular(no es posible cortar la curva
característica dinámica de disparo después de los 90º por ser función del tiempo,
según observamos en la figura 3.26). El método de control por corriente directa
pulsante es un control de conducción limitada igual que el de corriente continua
con respecto a sus ángulos de disparo y de conducción, pero además tiene la
desventaja de que la corriente instantánea de disparo es variable en el semiciclo
(es decir no tiene un valor constante, debido al cambio de magnitud para cada
valor de tensión de polarización) y por otro lado es muy dependiente de la
variación de la temperatura.

c) Disparo por pulsos o impulsos.

La señal de disparo es realizada por un pulso de duración y magnitud

adecuada (de perfil de la onda tipo cuadrado, rectangular o espiga), el cual tenga
la posibilidad de modificar el tiempo de aplicación con respecto a la señal de
polarización de ánodo-cátodo (entendiéndose con esto la variación del ángulo de

95
disparo y consecuentemente el ángulo de conducción), figura 3.27. Éste método
es el más usado por tener una mayor precisión en la selección del ángulo de
disparo (corta a la curva característica dinámica de disparo en un punto definido
por la corriente de disparo IGT de magnitud suficiente y constante); por otro lado la
cantidad de energía desarrollada en la puerta es mayor en forma instantánea que
en los dos métodos anteriores, permitiendo de ésta manera un disparo más
enérgico dando seguridad en el disparo del dispositivo.

Figura 3.27

96
 Problema 1. El circuito de la figura 3.25, el SCR tiene las siguientes
características: corriente de trabajo de puerta IGT = 0.1mA, d.d.p. en la puerta de
trabajo VGT = 0.5V, diodo de silicio y vi= 24V pico (valor de la fuente de tensión).
Determine el ángulo de disparo para el valor de las resistencias R1 = 100 KΩ y
R2 = 10KΩ.

Figura 3.25

Por KVL aplicada en el circuito de puerta.

vi = I G ( R1 + R2 ) + VD + VG
Tomamos como valor de las d.d.p. en el punto de disparo:
En el diodo VD= 0.7 V y en la puerta VG = VGT = 0.5 V.

vd = 0.1 × 110 + 0.7 + 0.5 = 122V

La tensión de conducción en el semiciclo positivo que aparece en la carga.

vRL = vi = Vmax sen ωt , ωt = θ

Por lo que la tensión de disparo será la misma.

vd = Vmax sen θ
12.2 = 24sen θ
Despejando el ángulo.

12.2
θ = sen −1 = sen −1 0.508 = 30.6º
24
Que corresponderá al ángulo de disparo de la semionda positiva de la
señal de entrada.

97
 Los valores temporales de cada uno de los parámetros en juego como son:
tensión aplicada, corriente de puerta, voltaje ánodo cátodo y caída de tensión el la
resistencia de carga, son mostrados en la figura 2.28.

Figura 3.28

98
 Problema 2. En el circuito de la figura 3.29, el SCR tiene una corriente de
puerta par el disparo del SCR de una magnitud de 10 mA , carga resistiva de 20
Ω (R) y se tiene una forma de onda en la carga como la mostrada.

Figura 3.29
Preguntas:

1. De la gráfica de tensión en la carga para el valor de tensión de 10 V, determine

la magnitud de la resistencia limitadora de la puerta RG para lograr ésta tensión
instantánea.
2. ¿Qué valor de tensión instantánea en la carga se tendrá para un valor RG = 3
KΩ ?.
3. ¿Cuál será el valor de RG para el valor pico de la onda de la gráfica de tensión
en la carga?.

Solución.
1. Para el circuito de puerta en el instante de disparo por KVL tenemos:
ein = IGT ( R + RG ) +VD + VGT (1

Para el circuito de ánodo, un instante después del disparo por KVL

tenemos:
ein = VR + VAK (2

Igualando las ecuaciones 1 y 2.

VR + VAK = IGT ( R + RG) + VD + VGT

Aproximando el valor de la d.d.p entre ánodo - cátodo a la suma de las

d.d.p. del diodo y de la puerta.
VAK = VD + VGT = ( 0.7 + 0.7) = 1.4 V.
Tenemos:
VR= IGT (R + RG )

99
Despejando a la resistencia limitadora o de control RG.

VR 10
RG = −R= - 20 ≅ 1K Ω (3
I GT 10 × 10 -3

2. Como RG >> R, de la ecuación 3.

VR = RG I GT = 3000 × 0.01 = 30 V (4

3. Despejando de la ecuación 4, a la resistencia RG

VR 40
RG ≅ = = 4K Ω
I GT 10×10 -3

100
 Problema 3. Se tiene el siguiente circuito con SCR, figura 3.30, en el cual
se determinará la función que desempeña y sus parámetros de operación.

Figura 3.30

Analizando la operación del circuito con el dispositivo SCR, observamos

que se van a comparar dos niveles de tensión la del cátodo y la compuerta,
teniéndose la particularidad de que la tensión del cátodo está dada por un circuito
R-C elemento básico de los osciladores y que de momento tomamos al circuito
como un oscilador de relajación, el cual será comprobado por los valores de
tensión que tomen los elementos que lo integran.

En la rama CK y RK.
VAA = VCK + VRK (1

En la rama R1 y R2.
VAA = VR1 + VR2 (2

En la rama de disparo del SCR, R1, VGK y VRK.

VAA = VR1 + VG + VRK (3

En la rama R2, VGK y RK.

VP = VG + VRK (4

En el momento de energizar el circuito se comparan las d.d.p. en los puntos

K y P, en el que tenemos las condiciones de arranque de operación del circuito.
De la ecuación 1:
VCK = 0; teniéndose que VAA = VRK = 20 V.

101
 Para la ecuación 2, por divisor de tensión:
R2
VR2 = VP = VAA
R1 + R2
15
= 20 = 7.1 V
15 + 27
También:
VR1 = VAA − VR2
= 20 − 7.1 = 12.9 V
De la ecuación 4:
VG = VP - VK
= 7.1 - 20 = -12.9 V

El nivel de tensión en el punto K es mayor que en el punto P, por lo que la

unión del SCR de la puerta y el cátodo (G-K) se encuentra polarizada
inversamente.
En el instante de energizar el circuito se inicia la carga del capacitor (CK) en
+
un tiempo t =0 , hasta alcanzar una tensión VK en la que se logre polarizar la
puerta directamente.
De la ecuación 4 para VG = 0.7 V
Vk = VP - VG
= 7.1 - 0.7 = 6.4 V
La tensión en el cátodo VK = 6.4 V será la tensión mínima para que entre
en conducción el SCR, la cual se logra en un tiempo de carga del condensador
(t1), para una tensión determinada por la ecuación No. 1, de ahí:

VCK = VAA - VK
= 20 - 6.4 = 13.6 V
Tensión lograda para el valor final de carga del capacitor.
De la ecuación de carga del capacitor:
 − 
t
vC = E  1 − e  , τ = RC
τ

 
 −1 
t
VCK = VAA  1 − e τ  , τ = RK CK
 
Para el punto K la tensión evoluciona en forma exponencial de tal forma
que:
VK = VAA − VCK
 −1 
t
= VAA − VAA  1 − e τ 
 

102
 t1
−
VK = VAA − VAA + VAAe τ

t1
−
= VAAe τ
(5
Despejando de la ecuación 5 al tiempo.
VAA
t1 = RK CK Ln (6
VK
Correspondiente al tiempo de carga del capacitor.
Substituyendo valores en la ecuación 6.
20
t1 = 0.33 × 10 −6 × 470 × 10 3 Ln
6.4
= 0.1767 s = 177 ms
En el momento en que entra en conducción el SCR, después del
tiempo transcurrido (t1), la tensión VK se incrementa a partir del valor 6.4 V por el
hecho de que la corriente de ánodo cruza por la resistencia RK .
Para la rama RA, VAK y RK.
VAA = RA I A + VAK + RK I A (7
Despejando a la corriente de ánodo y calculando para un valor de VAK = 1
V, de la ecuación 7 tendremos:
VAA − VAK
IA =
RA + RK
20 − 1 19
= = = 0.040 mA = 40 µ A
22 + 470000 470 K Ω
Y la tensión en el cátodo será:
VK = I A RK
= 40x10 −6 × 470 × 10 3 = 18.8 V
Teniéndose en el punto K una subida de tensión en forma abrupta de 6.4 V
a 18.8 V, igual que al inicio de operación del circuito la unión puerta cátodo G-K
se polariza inversamente, pero también comparando las tensiones VCK y VRA+VAK
tendremos:
VCK = 13.6 V
Y
RA I A + VAK = 40 × 10 −6 × 22 + 1 ≅ 1
Teniéndose que:
VCK>VRA + VAK
Esto hace que el capacitor se descargue através de RA y VAK (circuito de
ánodo) hasta una tensión de aproximadamente cero volts de VCK.

103
 De la ecuación, la tensión final f de descarga del capacitor, a partir de una
tensión inicial i:
t2
−
( vCK )f = (VCK )i e τ
, τ = CK RA

Despejando el tiempo de descarga (t2) tenemos:

(VCK ) f
t2 = RACK Ln
(VCK )i
13.6
= 0.33 × 10 − 6× 22Ln = 215 × 10 − 6 s = 215 µ s
0.7

En éste tiempo el SCR se apaga por que IA< IH

El periodo de oscilación está integrado por los tiempos de carga y descarga

del capacitor.
T = t1 + t2
= 177 ms + 215 µs ≅ 177 ms

En la figura 3.31, graficamos el comportamiento del oscilador.

Figura 3.31

104
 Ejemplos de circuitos prácticos con SCR.
1. Circuito rectificador de media onda con control de conducción limitada de
90º-180º sexagesimales, para una carga de 100 W.

Figura 3.32

2. Circuito rectificador de media onda, con control de conducción de 0º -

180º sexagesimales.

Figura 3.33

105
 3.4 USO DEL UJT PARA DISPARO DEL SCR.

El UJT es un dispositivo ideal para el disparo de tiristores (SCR y TRIAC),

dentro de las ventajas que se tienen podemos mencionar las siguientes:

a) El pulso de salida del UJT dispara con cierta confiabilidad al SCR, con
respecto a la energía que maneja la puerta del SCR éste no excede la
potencia máxima.

b) Debido a la estabilidad de operación del UJT sabemos que con variaciones de

temperatura éste se comporta en forma estable, garantizando un tiempo fijo
del disparo del SCR y en consecuencia no existe variación del ángulo de
conducción.

c) El disparo con UJT facilita la sincronización y el control realimentado.

3.4.1 CIRCUITO DE DISPARO CON UJT SINCRONIZADO.

Es muy importante que el disparo del SCR se sitúe en su tiempo de

polarización directa y que además tengan el mismo tiempo de referencia (Es decir
que inicien ambas señales en un tiempo común), con el objeto de fijar un ángulo
de conducción constante.

Un método clásico de disparar un SCR con UJT, figura 3.34.

120 V

Figura 3.34

106
 Describiendo el circuito tenemos:

El zener recorta la señal de polarización del UJT a un nivel constante

durante el semiciclo positivo y en el semiciclo negativo actúa como un rectificador
cuya caída de tensión es muy pequeña ( 0.5 V), la cual es aplicada al circuito de
disparo del UJT; por lo que respecto al tiempo, el zener logra su tensión con un
pequeño retraso (en el semiciclo positivo) permitiendo al circuito del UJT tomar su
tiempo para su ciclo de operación, entregando su o sus pulsos de disparo al SCR
para un ángulo de conducción de 0º a 180º sexagesimales. El SCR se apagara en
forma natural por polarización inversa (en el semiciclo negativo) y se tendrá una
tensión media variable por el método de control de ángulo de fase (através de la
modificación del valor de la resistencia RE).
El circuito proporciona una sincronización automática entre el pulso de
disparo y la polarización directa del SCR, Teniéndose que cada vez que exista el
pulso entregado por el UJT, se tendrá la garantía que el SCR tenga la polarización
correcta para entrar en conducción.
Las gráficas del comportamiento del circuito, de la figura 3.35, muestran lo
antes explicado, ilustrando los valores instantáneos de: la tensión en el zener, la
tensión del pulso de salida del UJT y la tensión en la carga.

Figura 3.35

Magnitudes de componentes del circuito.

Transistor UJT 2N4947, VB12 = 20 V, η = 0.6, IV = 4 mA, VV = 3 V, RBB = 6

kΩ,
IP = 2 µA, VZ = 20 V.

107
 Para el UJT bloqueado.
VZ V 20
I R1 = ≅ Z = = 0.0033 A =3.3mA
R1 + RBB + R2 RBB 6000

Tensión de disparo del SCR; VGT = 0.7 V a 1.0 V y para garantizar

disparos seguros la tensión en R1 será: VR1 = 0.4 V
R1 = 0.7 − 0.4 = 100 Ω
VG min −V
R1 =
I R1 −3
3.3 X 10

Los 0.3 V de la diferencia en la tensión de disparo en la puerta será para

cubrir un margen de ruido (disparo en falso).

Cálculo de la tensión de pico del UJT (ecuación 2.4).

VP = ηVBB + VD , Para VBB ≅ VB12 , VD = 0.6V

= 0.6 × 20 + 0.6 = 12.6V

Calculo de la resistencia de emisor (RE), ecuaciones 2.15, 2.16 y 2.17.

V − VP VZ − VP 20 − 12.6
RE max = BB = = = 3.7 M ΩX 1 ,… , X n
−6
IP IP 2 × 10

V − VV VZ − VV 20 − 3
RE min = BB = = = 4.25k Ω
−3
IV IV 4 × 10

6 3
RE = RE min RE max = 3.7 × 10 × 4.25 × 10 = 125k Ω

Tomando el valor comercial más próximo.

RE = 100 k Ω
Cálculo del capacitor de emisor (CE).
Se tomará una constante de tiempo media del 50% del semiciclo a la
frecuencia de alimentación de 60 Hz.
τ = RE C E = 8 × 10 −3 s .
Tomando el valor comercial más próximo de:
8 × 10 −3
τ
CE = = = 0.08× 10 −6 = 0.08 µ F
RE 100 × 10 3

Tomando el valor más próximo de: CE = 0.068 µ F

108
 Cálculo de la resistencia de base dos del transistor UJT, aplicando la
ecuación No. 2.33.
R2 = 0.15 RBB = 0.15 × 6000 = 900 Ω ≅ 1 k Ω
Se tomó el valor comercial más próximo.

Selección del valor de la resistencia limitadora del zener (R3).

De las características del zener 20 V - 1 W.

P 1
IZ = Z = = 0.05 A = 50 mA
VZ 20
La resistencia R3 limitará la corriente a 50 mA, por consiguiente tendremos
que su caída de tensión será:

VR = V línea − Vz = 120 − 20 = 100 V

3
100
∴ R3 = = 2 kΩ
−3
50 × 10

Tomando el valor comercial. R3= 2K2 Ω

La potencia desarrollada en la resistencia limitadora (R3).

VR23 2
100
WR = = = 4.5 W
3 R3 2.2 × 10 3

Tomando un valor comercial más próximo de 5W.

En la determinación del valor de la resistencia limitadora, hemos seguido

un método aproximado y reconsiderando tenemos:

Como 120 V es valor eficaz de la tensión aplicada, tomaremos ahora el

valor medio del semiciclo rectificado:

Vmed = 0.45 × 120 = 54 V

VR3 = Vmed − VZ = 54 − 20 = 34 V
VR3 34
R3 = = = 680 Ω
IZ 50 × 10 −3
VR23
34 2
WR3 = = = 1.7 W
R3 680

109
 Tomando en cuenta valor máximo de la tensión de alimentación.

VR = Vmax − Vz = 120 2 − 20 = 170 − 20 = 150 V

3
150
∴ R3 = = 3 kΩ
−3
50 × 10
V2
R3 150 2
WR = = = 10 W
3 R3 3×10 3

Observamos que el primer método empleado en la determinación de la

resistencia limitadora es aceptable dado que nos proporciona un valor promedio.

110
 3.4.2 CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO UN
UJT.

En la figura 3.36, se ilustra un circuito y sus formas de onda, de un

interruptor estático en el que no es imprescindible la sincronía del circuito.

111
 Figura 3.36
3.5 TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC).

Es un dispositivo semiconductor de la familia de los tiristores, el cual es

capaz de conmutar tensiones en corriente alterna, cuyo símbolo se muestra en la
figura 3.37.

Figura 3.37

Dentro de las aplicaciones del TRIAC como controlador de potencia

eléctrica, tenemos como uso común el control de iluminación (Lamp dimmers) y el
control de motores universales (fraccionarios). Ciertos fabricantes eligen incluir en
la puerta (terminal de disparo) un diodo en el cuerpo del triac y éste dispositivo es
llamado Quadrac.
El disparo del dispositivo es similar al del SCR, el cual es efectuado através
de la terminal de compuerta referida a la terminal principal 1 con una señal de
disparo positiva o negativa, independientemente de la polarización del dispositivo
y que para la ausencia de señal de disparo permanece en estado de bloqueo.
La curva característica figura 3.38, nos muestra la relación tensión -
corriente del TRIAC, indicando la corriente através del dispositivo como una
función de la tensión aplicada a las terminales principales 1 y 2 (MT1 y MT2).
En el cuadrante I la tensión en MT2 es positiva con respecto a MT1 y en el
cuadrante III, la tensión en MT2 es negativa respecto a MT1. En ambos
cuadrantes se presenta la tensión de ruptura y la corriente de sostenimiento (para
ambas polarizaciones).

Figura 3.38

112
 3.5.1 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA.

Cuando la señal de disparo es aplicada a la terminal de compuerta, el

voltaje de bloqueo es menor en función del valor de corriente de disparo (de la
misma forma que en el SCR según se vio); la magnitud de la señal de la corriente
de disparo es independiente de la cantidad de corriente en las terminales
principales y ésta cesa al reducirse a un valor menor que la corriente de
sostenimiento.
El dispositivo tiene la capacidad de entrar en conducción independiente de
la polaridad de la señal de disparo, puede ser positiva o negativa bajo la salvedad
de que tiene que ser referida a la terminal principal 1 (MT1)), lo cual se muestra
en la figura 3.39.

Figura 3.39

Las cuatro condiciones de operación ilustradas en la figura 3-39, se

presentan para el flujo de corriente convencional (flujo de huecos como
portadores de carga mayoritarios).

113
 3.5.2 APLICACIONES.

Control lumínico de apagado (Turn off), por aumento de la intensidad de luz.

Control de penumbra (Turn on).

Control de intensidad de iluminación (Lamp dimmer).

114
 3.5.3 CONEXIÓN ANTIPARALELO.

La disposición de la conexión de la figura 3.40, permite emplear a dos SCR

para que realicen la misma función del Triac, la cual es conocida como conexión
en antiparalelo.

Figura 3.40

En la figura 3.41, se tiene una aplicación básica de la conexión antiparalelo

de los SCR, como interruptor estático de potencia. La resistencia RG del circuito
limita la corriente de puerta a un valor máximo (IGT max).

Figura 3.41

115
 3.6 CONTROL DE ÁNGULO DE FASE.

Una de las formas del control de energía eléctrica entregada por una fuente
de tipo estático es mediante el control del ángulo de fase. El método más eficiente
para controlar el encendido de un tiristor, es mediante la variación del ángulo de
disparo del tiristor, al método de control se le llama control de ángulo de fase y es
aplicable tanto al SCR como al Triac. En el circuito de la figura 3.42, se muestra
un rectificador controlado de media onda, en el que se podrá variar la tensión
media de salida, desde 0 V a un valor máximo, generándose las formas de onda
de salida mostradas como son: la tensión de la fuente, la tensión en la resistencia
de carga, la corriente en la carga y la tensión entre el ánodo – cátodo del SCR.

Figura 3.42

116
 3.6.1 Valor medio y eficaz de la tensión en la carga del rectificador
controlado de media onda.

En la figura 3.43, vemos el perfil de la forma de onda de tensión entregada

en la carga, por el rectificador de media onda controlado

Figura 3.43

El valor de la tensión media entregado por el rectificador, será válido para:

vRL = Vmax senθ , θ 0 →π

vRL = 0 ,θ π → 2π
Donde:
θc = π − θd

Por lo tanto el valor de la tensión media en la carga en función del ángulo

de disparo será:

1 π
2π ∫θd
Vmed = Vmax senθ dθ
1
= Vmax ( cos θ d + 1) (1
2π

La tensión eficaz es:

1
 1 π 2
Vef =  ∫ θ θ
2 2
V sen d 
 2π θd
max

1
V
= max  2 (π − θ d ) + sen 2θ d  2 (2
2 2π

117
 3.6.2. Valor medio y eficaz de la tensión en la carga del rectificador
controlado de onda completa.

En la figura 3.44, vemos el perfil de la forma de onda de tensión entregado

en la carga, por el rectificador de onda completa controlado

Figura 3.44

El valor de la tensión media entregado por el rectificador, será válida para:

vRL = Vmax senθ , θ 0 →π

vRL = Vmax sen (θ − π ) , θ π → 2π
Donde:
θc = π − θd

De lo anterior el período de la onda rectificada será la mitad del de la onda

a rectificar, resultando del doble de la frecuencia, por lo tanto el valor de la tensión
media en la carga en función del ángulo de disparo será:

1 π
Vmed =
π ∫θ V
d
max senθ dθ
1
= Vmax ( cos θ d + 1) (1
π
La tensión eficaz es:

1
1 π 2
Vef =  ∫ Vmax 2 sen 2 θ d θ 
 π θd 
1
Vmax
=  2 (π − θ d ) + sen 2θ d  2 (2
2 2π 

118
 3.6.3 EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE
ONDA.ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR.

Cuando la carga es resistiva e inductiva (carga real) la forma de onda de

salida del rectificador difiere del que se tiene para carga resistiva pura, la tensión
en la carga toma valores instantáneos negativos y se debe a que la corriente en la
inductancia no puede reducirse a cero repentinamente, por la energía que
almacena el inductor.
El circuito de la figura 3.45, muestran las formas de onda un rectificador de
media onda con carga R - L en las que se observan los valores de tensión en la
carga mencionados.

Figura 3.45

119
 3.6.4. EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE FWD (acrónimo de Free
wheel diode).

El diodo con la polaridad indicada (con línea discontinua)conectado en

paralelo con la carga inductiva, figura 3.45, hace que el tiristor no conduzca más
allá de los 180º. El voltaje inducido por la inductancia cambiará su polaridad
cuando di/dt cambie de signo y en éste momento el diodo queda polarizado
directamente, permitiendo que la energía almacenada en la inductancia se
descargue através de él.
En la figura 3.46, se muestra un rectificador tipo puente integrado (circuito y
presentación física), en el paquete el fabricante incluye el diodo, que también es
conocido con los nombre de diodo inverso.

Figura 3.46

Es bueno tener el conocimiento que el factor de potencia de entrada del

convertidor de conmutación natural (AC a DC rectificador) es pobre especialmente
regulado a bajo voltaje de salida y el uso del diodo inverso ayuda a mejorar el
factor de potencia del sistema. Por otro lado el factor de potencia de una fuente
de alimentación puede mejorarse usando técnicas de conmutación forzada.

120
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA 5

Características del SCR.

1. Objetivo.

La finalidad de la práctica es la de comprobar la operación del dispositivo y la de

determinar experimentalmente sus parámetros importantes.

2. Equipo y materiales a emplear.

1 Pz Fuente de tensión de corriente continua de 5 V fijos (E1).

1 Pz Fuente de tensión de corriente continua de 0 - 60 V (E2).
1 Pz Fuente de Tensión de corriente alterna 0 - 120 V, 60 Hz (VAA)
1 Pz Vóltmetro digital (M2).
1 Pz Vóltmetro analógico (M4).
2 Pz Miliampérmetro (M1 y M3).
1 Pz Potenciómetro 500 KΩ - 0.5 W (R2).
1 Pz Resistencia 240 Ω - 1 W (R1).
1 Pz Resistencia 1 KΩ - 10 W (RL).
1 Pz Diodo 1N 4007 (D1).
1 Pz SCR NTE 5468 (800 V. 10 A.) o equivalente (SCR1). Reportar sus
características dadas por el fabricante del dispositivo a emplear en la práctica.
1 Pz Tablilla de conexiones (Proto board).
1 Pz Juego de cables de conexión.

3. Realización de la práctica.

3.1. Empleando el ohmetro efectúe las mediciones de resistencia que se indican

en la figura 1, reporte las lecturas obtenidas y comente el estado del dispositivo.

Figura 1

121
 3.2. Para el circuito de la figura 2, para las tensiones de polarización ánodo -
cátodo de 10, 20, 30, 40 50 y 60 V; efectúe lo siguiente:

Figura 2

a) Energice el circuito con ambas fuentes, estando el potenciómetro en su valor máximo,

registre los valores indicados en cada uno de los instrumentos.

b) Reduzca lentamente el valor de la resistencia del potenciómetro y abra el circuito de

puerta, observe lo que ocurre y regístrelo.

c) Después del punto b, ahora conecte el circuito de puerta aumentando el valor de

resistencia del potenciómetro y observe lo que ocurre.

d) Partiendo del punto c en el que el SCR se encuentra disparado (es decir en

conducción), disminuya la tensión de polarización del ánodo hasta que se obtenga la
lectura mínima de corriente ánodo (ésta será la corriente de sostenimiento).

e) Partiendo del punto c en el que el SCR se encuentra disparado (es decir en

conducción), efectúe un corto circuito entre el ánodo y el cátodo del dispositivo,
observe y registre sus lecturas (tenga cuidado de que el vóltmetro se encuentre
disponible para registrar lecturas mayores de 60 V).

3.3 Grafique las diferentes relaciones de los parámetros obtenidos en las

mediciones anteriores (IA - VA , VG - IG , VA - IG y VA - VG ).

3.4 Implemente el circuito de la figura 3, con éste circuito es posible obtener la

curva característica del SCR, efectúe sus mediciones y repórtela.

122
 Figura 3

Reporte la corriente de sostenimiento determinada por la gráfica resultante.

3.5 Resultados y conclusiones.

123
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA 6

Control de energía con SCR.

1. Objetivo.
La finalidad de esta práctica es la de comprobar la operación del Rectificador
Controlado de Silicio, regulando a un circuito rectificador de onda completa realizado con
diodos rectificadores; operando el SCR por control de ángulo de fase disparado por un
circuito de pulsos empleando un transistor del tipo UJT.

2.- Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de C.A. de 50V.

1 Pz Vóltmetro de C.D.
1 Pz Miliampérmetro de C.D.
1 Pz Osciloscopio de dos canales.
4 Pz Diodos rectificadores D1, D2, D3 Y D4 matrícula 1N 4007.
1 Pz Resistencias R1, R2 y R3 (ver nota).
1 Pz Potenciómetro RE (ver nota).
1 Pz Resistencia RL de 1 kΩ - 10 W.
1 Pz Capacitor CE.
1 Pz Diodo zener DZ capacidad 15 V - 1 W.
1 Pz Transistor UJT matrícula 2N 2646.
1 Pz Tiristor SCR NTE 5468 (800 V. 10 A.) o equivalente.

NOTA.- Efectuar los cálculos del circuito de la figura 1, para generar de

más 10 pulsos de disparo del UJT, en el intervalo del semiciclo positivo, de una amplitud
suficiente para que entre en conducción el SCR.

Fig. No. 1

124
 3. Realización de la práctica.

3.1 Efectúe con un óhmetro pruebas de estado de los componentes activos y

repórtelas.
3.2 Una vez que haya realizado el circuito, energícelo y compruebe su operación;
observando la variación de la tensión de salida y la corriente en la carga (esto ocurre al
variar el valor de la resistencia del potenciómetro).

3.3 Observe y registre las formas de onda de los puntos A, B, C, D y E (tomados del
punto de referencia). Para la posición del potenciómetro de valores de resistencia
máximo, medio y mínimo (para el valor de resistencia máximo no se tendrá disparo del
SCR y para el valor de resistencia mínimo se tendrán los 6 o 7 pulsos en medio periodo
de disparo del UJT y plena conducción del SCR).
NOTA.- Relacione las gráficas a un tiempo de referencia, para lo cual será
necesario tomar un punto constante de medición).
3.4 Observe y registre las formas de onda de los puntos F, Referencia contra el
punto E para la posición del potenciómetro de valores de resistencia máximo, medio y
mínimo; (tomado como referencia de medición el punto de medición E).
3.5 Preguntas.
a) Describa brevemente el funcionamiento del circuito.
b) ¿ Que relación existe entre los pulsos de disparo del UJT y la conducción del SCR?.
c) ¿ Que entiende por control de ángulo de fase ?.
d) ¿ Que entiende por sincronía del circuito ?.
3.5. Resultados y conclusiones.

125
 BIBLIOGRAFÍA
REF TÍTULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
1 Power Electric and W. Shepherd and L.N. Cambrige University 1987
Motor Control Hulley Press.
2 Power Control Boyd Larson Prentice Hall 1983
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3 Controlled Converters Jhon Wiley and 1971
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4 The Electronic Dr. M. Fogiel, Director Research and 1988
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5 Tiristores y Triacs Henry Lilen Marcombo 1976
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6 Drives G.R. Slemon and Prentice Hall 1984
A. Stroughen.
7 Electrónica industrial Prentice Hall
dispositivos y Timothy J. Maloney Hispano Americana, 1983
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8 Tiristores, Conceptos Rajendra Kumar
y Aplicaciones Suganchi Krishna Limusa 1985
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9 Control Electrónico de
los Motores de Robert Chauprade Gustavo Gili, S.A. 1983
Corrriente Comtínua
10 Electrónica Industrial,
Electrónica de Hansruedi Bühler Gustavo Gili, S.A. 1985
Potencia
11 Electrónica de Raymond Ramshaw Marcombo 1977
potencia

126
 4. CIRCUITOS INTEGRADOS

Los circuitos electrónicos han venido desarrollándose ampliamente con el

uso los semiconductores y en la actualidad tenemos agrupados a los circuitos
electrónicos en dos tipos que son:

1. Circuitos Discretos, compuestos por elementos activos (transistores,

diodos, tiristores, etc.) y por elementos pasivos (resistores, capacitores e
inductores).

2. Circuitos Integrados, compuestos por elementos activos (transistores,

diodos, tiristores, leds, etc.) y por elementos pasivos (resistores y capacitores);
estos componentes están contenidos en un solo paquete y/o fragmento de material
semiconductor (chip).

Los circuitos integrados (CI) se diseñan para efectuar una función

específica, teniéndose como principal objetivo el ahorro de espacio, que ocuparía
un circuito discreto que realice la misma función. Esto hace por otra parte que en el
diseño se tengan circuitos normalizados y básicos procesadores de información,
dentro de éste grupo de dispositivos electrónicos se tienen a los siguientes circuitos
integrados: amplificadores diferenciales, amplificadores operacionales,
temporizadores, reguladores de voltaje, compuertas lógicas, multiplexores,
demultiplexores, codificadores, decodificadores, indicadores numéricos,
microcomputadoras, microprocesadores, etc.
Los C.I. forman dos grandes grupos por la función que desempeñan:
Sistemas Analógicos (lineales) y Sistemas Lógicos o Digitales (no lineales).

4.1 SISTEMA ANALÓGICO

Éste sistema tiene la propiedad de que la señal eléctrica de salida es

idéntica a la de entrada, teniéndose una réplica exacta en forma de onda,
conservando la frecuencia y modificando la amplitud (en algunos casos se modifica
la fase a módulos de 180º idealmente); para una señal que ha sido procesada.

Un ejemplo clásico de un sistema analógico es un circuito de altavoz, figura

4.1, donde la amplitud de la señal procesada con el amplificador, es directamente
proporcional a la variación de presión del aire, que son producidos en el sensor de
un micrófono cuando una persona habla en él.
Los circuitos integrados que procesan las señales para las condiciones
dichas anteriormente son llamados circuitos integrados lineales o analógicos.

127
 Figura 4.1

Los sistemas analógicos y lógicos se combinan para dar origen a los

sistemas mixtos en los que se han mezclado las operaciones lógicas con las
analógicas; generando los convertidores analógicos a lógicos y viceversa (un
ejemplo clásico del medio es un multímetro digital).

4.2 CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Los Circuitos Integrados por su tipo de construcción se agrupan en

monolíticos e híbridos.

4.2.1 CIRCUITO INTEGRADO HÍBRIDO.

El circuito integrado híbrido es construido por componentes tanto activos

como pasivos por separado, en el que se aplican técnicas de microminiaturización
y conexión de elementos por deposición, es decir; tienen la forma de circuitos
discretos, los cuales son agrupados y envasados en un solo cuerpo.

4.2.2 CIRCUITO INTEGRADO MONOLÍTICO.

El circuito integrado monolítico es aquel en el que los elementos pasivos y

activos, son construidos en una misma base de material semiconductor, en su
totalidad.

128
 El circuito integrado monolítico consiste en un pequeño monocristal de silicio
de unas dimensiones promedio por lado de 0.050 plg. a 0.100 plg. y de un espesor
conveniente que contiene elementos pasivos y activos. Los circuitos integrados
monolíticos se construyen por los métodos utilizados en la fabricación de
transistores, que incluye crecimiento epitexial, difusión de impurezas mediante
máscaras, crecimientos de óxidos y eliminación de óxidos. Las ventajas que se
obtienen es gran confiabilidad, reducción de tamaño y bajo precio.
Se presentan en varios tipos de envases y encapsulados en formas
cilíndricas, piramidales de base rectangular y con materiales plásticos, vítreos,
cerámicos y metálicos (ver figura 4.2).
El tipo de envase es asociado a la potencia que es capaz de manejar; al
grado de que se le llegan a adaptar aditamentos para asociarlos a disipadores de
calor, cuando estos son aplicados a circuitos de mediana y gran potencia.

Figura 4.2

4.3 CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

La tecnología de los circuitos electrónicos integrados ofrece la alternativa de

fabricar resistencias y condensadores junto con los elementos activos en el mismo
fragmento del material semiconductor.

4.3.1 RESISTENCIAS DISCRETAS.

Las resistencias discretas en circuitos integrados son de tres tipos:

resistencia de película delgada, resistencia de película gruesa y resistencia de
difusión.

129
a) Resistencias de difusión. Éstas son hechas junto con los componentes activos
como son los diodos, transistores, etc., por lo general son del mismo material
semiconductor de silicio.
b) Resistencias de película delgada. Son depositadas en substratos de cerámica o
vidrio y hechas de materiales tales como: cromato de óxido de silicio (las cuales
son depositadas por el método de mallas), otros materiales como el nicromel,
tantalio y el cermet (se depositan por evaporación o bombardeo de partículas
(Sputtering)).
c) Resistencia de película gruesa. Son depósitos de compuestos metálicos
depositados por bombardeo de pequeños granos (Sand Blasting) o depositados
por técnicas de láser, efectuados através de mallas sobre cerámica.
En este tipo de resistencia se logran valores de 1Ω a 10 MΩ, con tolerancia
de ± 2 % a ± 50 % con potencias muy pequeñas.

4.3.2 CAPACITORES DISCRETOS.

Los capacitores discretos en circuitos integrados son de tres tipos: de unión
PN, de estructura MOS (Metal Óxido Semiconductor) y de película delgada; éstos
capacitores son de valores pequeños y su capacidad varía demasiado con la
temperatura, es decir, tienen un coeficiente térmico negativo elevado, por ser del
mismo material semiconductor.
Un ejemplo de construcción del un circuito integrado monolítico lo tenemos
en el amplificador de una etapa que se muestra en la figura 4.3.

Figura 4.3

130
 4.4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL

El amplificador operacional (Amp. Op.) tomó su nombre por haberse

aplicado inicialmente en los calculadores analógicos para efectuar operaciones
aritméticas como adición, substracción, derivación e integración y otras funciones
como las logarítmicas, trigonométricas, etc., actualmente sus aplicaciones se han
hecho muy extensas, remontándose a el año de 1943 y fueron dadas a conocer en
1947 por John R. Ragazzini y sus colegiados.
El término amplificador operacional tiene un significado claramente
definido y se distingue del término amplificador diferencial con el que suele
confundírsele.
Los amplificadores actualmente utilizados operacionalmente son
amplificadores de diferencia de corriente directa, a menudo llamados
amplificadores diferenciales.

4.4.1 AMPLIFICADOR OPERACIONAL BÁSICO.

En la figura 4.4., se muestran los diagramas que identifican a un amplificador

operacional, correspondientes al diagrama convencional y al diagrama
esquemático.

Figura 4.4
Aún cuando existen muchos amplificadores operacionales se tienen dos
tipos básicos por lo que respecta al número de salidas y son con dos y una salida,
éste último es el más usual y cuenta además con otras terminales de conexión, en
las que se conectan redes externas con la finalidad de mejorar su operación como:
estabilización, compensación por frecuencia, compensación por polarización, etc.

En el diagrama básico del amplificador operacional tenemos:

a) Entrada inversora. Ésta producirá una señal de salida opuesta en signo o en
fase, es decir, si la entrada es positiva la salida será negativa (teniéndose que
para Corriente Alterna habrá un defasamiento de 180º E).

b) Entrada no inversora. Ésta nos producirá en la salida una señal del mismo signo
que la entrada, es decir, para una señal positiva de entrada tendremos una
salida positiva (para señales alternas no existirá defasamiento).

131
c) Terminales de polarización positiva y negativa. Entiéndase que la polarización
es la aplicación de diferencia de potencial (d.d.p.) aplicados a los circuitos
internos del amplificador y que por lo común son tomados de una fuente
positiva y negativa referida a un punto, éste punto de referencia podrá ser el
mismo al que se refiera el conjunto de todo el circuito electrónico. No
necesariamente la fuente de polarización tendrá que ser positiva/negativa pero
sí la terminal negativa tendrá un nivel menor de tensión que la positiva; la cual
se deberá tener invariablemente, dado que sí no se cumple el circuito interno no
será polarizado correctamente y sí éste circuito integrado no está protegido
contra tensiones inversas de polarización se dañará irremediablemente.

En el amplificador operacional la señal de salida es proporcional a la

diferencia de las entradas, entendiéndose con esto que no le van a influir los
niveles de tensión soportados por el operacional siempre y cuando tengan la
misma diferencia. En un amplificador diferencial sí se tienen variaciones del nivel
de salida, para diferencias iguales de niveles de tensión distintos.

e out= f ( e 1 -e 2 )

Idealmente el amplificador operacional con la entrada equilibrada, no

responde a las tensiones de modo común.
El amplificador operacional va a actuar dentro de un sistema como
procesador o acondicionador, tomando una señal de entrada y suministrando una
salida, siempre de naturaleza eléctrica.

Las funciones que en general realiza el amplificador operacional son:

a) Amplificador de tensión, corriente y potencia.
b) Modificar impedancias (acoplar impedancias).
c) Limitar señales para proteger al elemento final.
d) Compensar no linealidades.
e) Eliminar o atenuar señales indeseables (ruido eléctrico).
f) Acondicionar señales para su empleo en procesadores complejos.

4.4.2 CARACTERÍSTICAS IDEALES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

a) Resistencia de entrada infinita (con acceso a la terminal inversora y la no
inversora).
b) Resistencia de salida cero (terminal de salida referida al punto común de la
fuente de alimentación).
c) Ganancia de voltaje infinita.
d) Ancho de banda infinito.

132
e) Balance perfecto (desviación nula para señales iguales de entrada, es decir
Vsalida = 0.
f) Corriente de entrada cero (no circula corriente hacia el interior del amplificador
operacional, teniendo por acceso las terminales inversora, no inversora o
ambas).
g) Factor de rechazo en modo común infinito.
h) Todas las características iguales a cualquier temperatura.
Los amplificadores operacionales tienen ganancias de tensión elevadas
hasta de 1 000 000 y solo algunos con ganancias bajas; éstos últimos se emplean
en circuitos de sensores de muy pequeña señal, conectados directamente a sus
entradas. Por razones prácticas el Amplificador operacional no puede funcionar con
ganancias tan elevadas, controlando dichas ganancias a valores de manejo común.

4.4.3 AMPLIFICADOR OPERACIONAL RETROALIMENTADO.

Se tienen dos tipos de retroalimentación, que establece un lazo cerrado de

los amplificadores operacionales:
a) Retroalimentación positiva. Es en la que se introduce una fracción de la señal
de salida en fase o con el mismo signo de la señal de entrada (se usa en
circuitos osciladores en los que se lleva siempre al amplificador operacional a
los estados de corte y saturación).
b) Retroalimentación negativa. Es en la que se introduce una fracción de la señal
de salida en oposición de fase o de signo contrario con la señal de entrada (se
usa en circuitos variadores o controladores).
La Realimentación más usual en los sistemas es la retroalimentación
negativa, la cual estabiliza las señales de salida para valores constantes de
entrada; compensando variaciones en las fuentes de polarización.

4.4.4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INVERSOR.

La ganancia de un amplificador operacional en la configuración como

inversor, figura 4.5, se tiene que la retroalimentación negativa es implícita para él.

Figura 4.5

133
 Por definición la ganancia de un circuito eléctrico está dada por el cociente
de la tensión de entrada entre la tensión de salida, así tendremos las ganancias en
lazo abierto y el lazo cerrado.
V
Ganancia en lazo abierto A = out
Vd
Vout
Ganancia en lazo cerrado G =
Vi
En la que:
Vin Señal de entrada
Vd Señal de diferencia
Vout Señal de salida
A Ganancia dada por el fabricante (Dato dado en manuales).
G Parámetro dependiente de las redes de conexión

En el circuito para condiciones ideales tomamos a Vd ≅ 0, por lo que se

tendrá en el nodo del punto suma:
I in + I fb = 0 resultando: I in = − I fb
Por caídas de tensión.

R in I in = e in , − I fb R fb = − e out
Substituyendo en la ganancia.
e out R fb I fb R fb
G=− =− =−
e in R in I in R in

Ejemplo.- Se tiene el circuito de la figura 4.6, determinar la tensión de salida.

Circuito Diagrama equivalente

Figura 4.6

134
 R fb 100
Para: e in = 1 V , Tenemos que la ganancia será: G = − =− = − 10
R in 10
Por lo que la señal de salida es: e out = G e in = ( −10 )1 = − 10 V
VR in = I in R in = 1 V = e in
A partir de las caídas de tensión:
VR fb = I out R fb = − 10 V = e out
e in 1V
I in = = = 0.1 × 10 − 3 A = 0.1 mA
R in 10 KΩ
e out 10 V
Los valores de las corrientes: I fb = = = 0.1 × 10 − 3 A = 0.1 mA
R fb 100 KΩ
∴ I in = − I fb , donde I in = I fb
Con el fin de facilitar la operación y los análisis de las diferentes
configuraciones del amplificador operacional, lo tomaremos idealmente,
corroborándose experimentalmente que se tienen magníficos resultados, por sus
ganancias extremadamente altas en lazo abierto; por otro lado la de considerar que
la señal de diferencia (Vd ) es aproximadamente cero.

4.4.5 AMPLIFICADOR OPERACIONAL NO INVERSOR.

La determinación de la ganancia del amplificador operacional en
configuración no inversora, figura No. 4.7, la entrada de la señal se hará por la
terminal de conexión no inversora (+).

Figura 4.7
R in R in + R fb
Por divisor de tensión: e in = e out ∴ e out = e in
R in + R fb R in
e out R in + R fb
La ganancia será: G= =
e in R in

135
 Relacionándola con la configuración de la entrada inversora tenemos:
R 
G =  fb + 1  Es decir: G = Ginv + 1
 Rin 
Dando valores de: ein= 1 V, Rin = 10 KΩ y Rfb = 100 KΩ
 R fb   100 
La salida de tensión será: eout =  + 1  ein =  + 1  1 = 11 V
 Rin   10 

4.4.6 CONFIGURACIÓN DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

COMO SEGUIDOR.

Ésta configuración de conexión del amplificador operacional permite tener la

misma señal de salida que la entrada, con la ventaja que representa su alta
impedancia de entrada; por lo que es empleado como acoplador de impedancias.
Por lo que respecta a las ganancias de las dos configuraciones de conexión
del amplificador operacional, el amplificador como inversor permite ganancias
mayores que la unidad y fraccionarias; el amplificador como no inversor, no permite
ganancias fraccionarias; para el amplificador como seguidor la ganancia es
unitaria.
En la figura 4.8, se han eliminado los componentes de realimentación de la
configuración no inversora, quedando el circuito como se muestra.

Figura 4.8
Cuando aplicamos +1 V a la terminal no inversora, para que el amplificador
operacional no se sature se requiere aplicar a la terminal inversora el mismo nivel
de tensión, conectando la entrada inversora a la salida y consecuentemente
tenemos un balance en la entrada y dado que la señal de diferencia es cero,
tenemos que la salida y la entrada son iguales. La impedancia de entrada es
elevada y la impedancia de salida es baja, permitiendo a ésta configuración operar
como acoplador o adaptador de impedancias.
Por otro lado observando el diagrama equivalente, (figura 4.8), dado que la
tensión de entrada del amplificador operacional es cero (entrada de diferencia), la
tensión de la entrada se transfiere íntegramente a la salida.

136
 4.4.7 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR.

En la discusión del amplificador operacional en la configuración como

inversor, la resistencia de retroalimentación (Rfb) incide directamente sobre la
ganancia y haciéndola variable (figura 4.9.), se tendrá el siguiente análisis:

Figura 4.9
R fb
La tensión de salida está dada por la ecuación eout = −ein
Rin

Tendremos la tensión de salida para los valores de la resistencia de

realimentación de:
0
Para corto circuito R fb = 0 , e out = − e in =0
R in
∞
Para circuito abierto R fb = ∞ , e out = − e in =−∞
R in
De esos resultados obtenidos, vemos que un capacitor desarrollaría estos
dos estados al energizarse con corriente continua (inicio de la carga y cargado) y
consecuentemente la resistencia de retroalimentación la podemos substituir por un
capacitor, estableciéndose el circuito de la figura 4.10.

Figura 4.10

137
 Considerando un comportamiento lineal del amplificador operacional, para
una señal de entrada del tipo escalón, en la salida obtendremos una señal tipo
rampa, como se podrá observar en la figura 4.11.

Figura 4.11

La tensión de la señal de salida en elevación o descenso depende de la

polaridad de la señal de entrada y en las que la rampa será determinada a partir de
las constantes de tiempo respectivas.
Constante de tiempo en elevación τ 1 = R in C fb
Constante de tiempo en descenso τ 2 = R L C fb

El nivel absoluto máximo de tensión alcanzado por la señal de salida será el

de polarización y se tendrá para un valor aproximado de tiempo de aplicación de la
señal de cinco (5) veces la constante de tiempo.
Para: t 1>5 τ1 , e out = V polarización

Es decir, para este valor de tiempo siempre se saturará el amplificador a la

tensión de polarización con el signo respectivo.

La figura No. 4.12, nos muestra el diagrama equivalente de la configuración

del amplificador operacional como integrador, en el que se le ha colocado la carga
(RL).

Figura 4.12

138
 En el nodo del punto suma por KLC tenemos:
e in d vc
i in + i fb = 0 , dado que i in = y i fb =C fb
R in d t
Substituyendo tenemos:
e in d vc
+ C fb =0
R in d t
Separando variables e integrando.
1
∫d v c =−
R inC fb
∫e in dt

Considerando a C fb = cte. y e in = cte.

Resolviendo.
e in
v c = e out = − t
R inC fb
Donde el valor máximo de la tensión de salida, será la tensión de
polarización.
Tomando ahora la señal de entrada del tipo senoidal, la señal de salida será:
1
R inC fb ∫
e out = − e in d t

1
R inC fb ∫
=− V max sen ω t d t

Vmax
= cos ω t
ω R inC fb
Teniéndose las formas de onda, figura 4.13, que es una senoide defasada
con un ángulo de adelanto de 90º.

Figura 4.13

139
 4.4.8 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUMADOR Y
SUBSTRACTOR.

Por lo general para ésta función del amplificador operacional se emplea con
la entrada inversora, figura 4.14, ya que la alternativa permite tener ganancias
fraccionarias (G<1).

Figura 4.14
Desarrollando tenemos:
i fb = − ( i 1 + i 2 + ... + i n )
 R R R 
e out = −  e 1 fb + e 2 fb + ... + e n fb 
 R1 R2 R n 

El signo y la función que desempeña el amplificador operacional,
dependerá de la señal de entrada.

4.4.9 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO DIFERENCIADOR.

Cuando se necesita tener una señal de salida igual a la variación de la

tensión de entrada (rampa de entrada), un capacitor es substituido por la
resistencia de entrada Rin en la configuración correspondiente como inversor, figura
4.15.

Figura 4.15

140
 En el nodo del punto suma.

i in + i fb = 0 ∴ i fb = − i in = − i c

Dado que las corrientes son:

Substituyendo.
e out d e in d e in
= − C in ∴ e out = − C in R fb
R fb d t d t

Para señales lineales.

∆ e in
e out = − C in R fb
∆t

En la figura 4.16, se ilustra la variación de la señal de entrada, la cual se ha

tomado en incrementos para dar valores prácticos de variación.

Aquí podemos recomendar restringirse en

el uso de éste tipo de configuración, dado
que en la práctica se ha visto la influencia
del ruido eléctrico, en una mala operación
de la misma.

Figura 4.16.

Se tienen los siguientes datos:

V
Tensión de entrada e in = 5 , capacitor C= 2 µ F y R fb = 500 KΩ.
s

∆ e in
Tenemos: e out = − C in R fb
∆t

= −2 × 10 − 6 × 500 × 10 3 × 5 = − 5 V

141
 4.4.10 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR CON EL
PARALELO DE LA RESISTENCIA Y EL CAPACITOR DE
RETROALIMENTACIÓN.

Cuando se desea tener una simulación de la constante de tiempo del campo

de un generador o un motor, dentro del circuito de control, se emplea ésta
configuración, figura 4.17.

Figura 4.17
En el nodo del punto suma:
− i in = i C + i R
Donde:
e in d vc d e out vc e out
i in = , i C = C fb = C fb ,e iR = =
R in d t d t R fb R fb
Substituyendo.
e in d e out e out
− = C fb +
R in d t R fb
Reordenando.
d e out e out e in
+ =−
d t C fb R fb C fb R in
dx x
Ecuación diferencial de la forma: + =k
dt τ
t
−
Cuya solución: x = k τ + Ae τ

e
En donde: x = e out , τ = C fb R fb y k =− in
C fb R in
t
e in −
Substituyendo: e out = − C fb R fb + Ae τ
C fb R in

142
 t
R fb −
e out = − e in + Ae τ
R in
La constante A se determina para condiciones iniciales.

Ahora sí aplicamos un pulso cuadrado, del perfil de la onda mostrado en la

figura 4.18, podemos determinar el valor de la constante A, así tendremos:

Figura 4.18
+
En el tiempo t =0 y e out = 0
En la ecuación.
t
R fb −
e out = − e in + Ae τ
R in
Substituyendo.
R fb R fb
0=− e in + A ∴ A= e in
R in R in
Tenemos:
t
R fb R fb −
e out = − e in + e in e τ
R in R in
R fb  − 
t
=− e in  1 − e 
τ
R in  
Para el valor final de t= ∞ , e = 0
∞

R R
e out = − fb e in ( 1 − e ∞ ) = − fb e in
R in R in

Ejemplo.- Dados los siguientes valores de los componentes del circuito,

determine la tensión de salida del circuito, figura 4.17.
R in = 100 KΩ, Rfb = 100 KΩ, Cfb = 2µF y ein = - 10 V

Solución:
R fb 100
e out = − e in = − ( −10 ) = 10 V
R in 100

143
 Aplicando la ecuación en forma estricta:

t1 = 1τ = R fbC fb = 0.1( 2 ) = 0.2 s y t 2 =5τ =5 ( 0.2 ) = 1 s

Para t 1 , e out = 10 ( 1 − e − 1 ) = 6.321 V
Y t2 , e out = 10 ( 1 − e − 5 ) = 9.930 V

Los valores alcanzados en la tensión de salida nunca podrán ser mayores

que la tensión de polarización (límite de la salida de tensión) y a partir del valor
máximo alcanzado se iniciará el descenso del pulso de salida.
En el instante del descenso del pulso cuadrado de la señal de entrada, el
capacitor que ya logró una cantidad de carga (tiene un nivel de tensión), inicia su
descarga através del paralelo formado por la resistencias de carga y de
realimentación.
t
−
Tensión de la descarga del capacitor. vC = E e τ

En donde:
(
e out = v C , τ = R fb R L )C fb y E = Tensión inicial del capacitor.
El nivel de tensión de salida será:
t
−
e out = E e τ

Igualmente que en la carga para el tiempo de 5 veces la constante de tiempo

de descarga 5τ, el capacitor estará ahora sin carga.

4.4.11 AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN CONFIGURACIÓN

PROPORCIONAL MÁS INTEGRAL.

La configuración proporcional más integral, figura 4.19, es empleada con

mucha regularidad, en el que se conecta al capacitor de retroalimentación una
resistencia en serie.

Figura 4.19

144
 Para la condición inicial de operación, se tiene descargado el capacitor y su
impedancia es cero, por lo que el circuito opera como la configuración de inversor
simplemente, de ahí que:
R fb
v C fb = 0 , e out = − e in
R in
Sumando efectos, ahora tomando en cuenta a la carga del capacitor como
integrador, para la señal de corriente continua:
R fb t
e out = − e in − e in
R in R inC fb
R t 
= −  fb +
 R in R inC fb  in
e
 
Del producto, la parte proporcional será el primer sumando y la parte integral
será el segundo sumando del paréntesis de la tensión de salida.

Ejemplo: Para una señal de entrada de un pulso cuadrado, figura 4.20, con
los siguientes datos:
E in=-20 V, R in=500 KΩ, R fb=50 KΩ, RL=10 KΩ , C fb=4 µF y t=1 s.
R t 
e out = −  fb +
 R in R inC fb  in
e
 
 50 1 
=− +  ( − 20 )
 500 0.5 × 4 
= 2 + 10 = 12 V
No debemos perder de vista, que la tensión obtenida nunca podrá ser mayor
que la de polarización, de otra forma el circuito entregara una señal de salida
saturada al nivel de tensión de la polarización.
e out ≤ V polarizacion
El tiempo de descarga del capacitor por descenso de la señal de entrada,
después del tiempo transcurrido de 1 segundo:
t
−
vC = E e τ

La resistencia de descarga del capacitor será la serie formada por la

resistencia de realimentación y la resistencia de carga (ver diagrama equivalente
de la figura 4.19; de ahí que la constante de tiempo es:
τ = ( R fb + R L ) C fb
Donde E es la tensión inicial de descarga del capacitor.

145
 Para el ejemplo tenemos que la tensión inicial es de 12 V y la tensión final es
de 2 V, considerada para el nivel de tensión proporcional.
t
t −
− ( R fb + R L )C fb
vC = E e τ
, 2 = 12 e y despejando a t:

t = ( R fb + R L ) C fb Ln 6 = ( 50 × 10 3 + 10 × 10 3 ) 4 × 10 − 6 Ln 6 = 0.43 s

Graficando la salida en la figura 4.20.

Figura 4.20

En las aplicaciones lineales del amplificador operacional, éste opera en el

rango o zona lineal, cuando la salida es directamente proporcional a la entrada,
ésta condición queda limitada a la tensión de polarización las cuales nunca van a
ser menores que su salida, es decir, el amplificador operacional está saturado un
poco antes de llegar a su tensión de polarización. Por ejemplo para una tensión de
± 15 V tendremos un rango lineal de aproximadamente ± 14 V pudiendo variar la
salida de un máximo a un mínimo para valores positivos y negativos.

4.4.12.- CARACTERÍSTICAS REALES DEL AMPLIFICADOR

OPERACIONAL.

1. Entrada del amplificador.

2. Salida del amplificador.
3. Transferencia de la entrada a la salida.

1. Entrada del amplificador.

a).- Tensión de desviación del cero de entrada (afectan al cero del punto
suma para un amplificador de pequeña señal el cual es dependiente de la
temperatura de apertura de operación) estas magnitudes se conocen como de
deriva y se manifiestan en tensión y corriente y en el que no necesariamente existe
una correlación entre la tensión y la corriente ni en magnitud ni en signo.

146
 • Corriente de polarización de entrada y diferencia de corrientes de
entrada.
• Tensión de entrada admisible.
• Impedancia de entrada.
• Factor de rechazo en modo común.
• Tensión y corriente de ruido. El concepto de ruido incluye todas las
tensiones de salida parásitas o indeseables además de la desviación o
deriva casuales o no y que estas no estén relacionadas con la tensión de
entrada.

2. Características de salida.

• Impedancia de salida.
• Tensión y corriente de salida.

3. Características de transferencia.

• Ganancia de tensión en lazo abierto (por grande que sea siempre será
finita y el amplificador operará de acuerdo con sus elementos pasivos de
entrada y retroalimentación)

4.4.13 PRUEBAS REALIZADAS AL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

• Ganancia.
• Resistencia de salida.
• Resistencia de entrada.
• Capacitancia de entrada.
• Ganancia unitaria del ancho de banda.

4.4.14 PRECAUCIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES

INTEGRADOS.

Lo mismo que a cualquier otro circuito electrónico los amplificadores

operacionales integrados pueden ser destruidos si no se tienen ciertos cuidados,
de los cuales los de mayor peso son:

• Sobre tensión de la fuente de alimentación.

• Sobre tensión del nivel de la entrada del operacional.
• Por polarización inversa.
• Por sobrecarga en la salida.

147
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA 7

Características de funcionamiento del Amplificador Operacional.

1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender el aprovechamiento fundamental
del amplificador operacional tomado como ideal, el cual simplifica grandemente el
análisis para propósitos prácticos

2. Equipo y materiales a emplear.

1 Pz Fuente de tensión de corriente continua de 5 V fijos.

1 Pz Fuente de tensión de corriente continua de 15 V 0 -15 V
variable.
1 Pz Vóltmetro digital.
1 Pz Vóltmetro analógico.
1 Pz Osciloscopio de dos canales.
1 Pz Generador de funciones.
1 Pz Tablilla de conexiones (Protoboard).
1 Pz Juego de cables de conexión.
1 Pz Aplificador Operacional LM 741 (Mini dip).
1 Pz potenciómetro 10 KΩ-2 W.
1 Pz Capacitor 1 µF-25 V (No polarizado).
1 Pz Resistencias 1, 10, 50, 100 y 200 KΩ-0.5 W.
2 Pz Resistencia 500 KΩ-0.5 W.

3. Realización de la práctica.

Implemente los circuitos según se muestren el desarrollo, efectuando su

polarización con una tensión de ± 12 V.
3.1- Amplificador en la conexión de la configuración de inversor.

148
 Arme el circuito de la figura y obtenga una gráfica de respuesta del
amplificador operacional, referente a la tensión de entrada contra tensión de salida;
determine la ganancia de la gráfica. Aplique la tensión de la señal de entrada para
obtener tantos puntos como sean necesarios, tanto para valores positivos como
negativos hasta llegar a la saturación del amplificador.
Compruebe analíticamente para valores reales de las resistencias.

3.2 Amplificador Operacional como sumador y substractor.

Determine la tensión de salida y compruébelo matemáticamente para

valores reales de las resistencias.

3.3 Amplificador Operacional como No inversor.

Determine el valor del la tensión de salida y compruebe analíticamente para

valores reales de las resistencias.

3.4 Amplificador Operacional como Seguidor.

Efectuar las mismas acciones que en el punto 3.1

149
 3.5 Amplificador Operacional como integrador.

Aplique una señal alterna de forma de onda cuadrada de una frecuencia de

500 Hz y trace las formas de salida del amplificador. Determine le forma de salida
teóricamente y compare con la obtenida en el experimento.

3.6 Recabe la información de un amplificador operacional específico y anexe

el diagrama equivalente funcional de un fabricante.

3.7 Resultados y conclusiones.

150
 BIBLIOGRAFÍA

REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN

Fundamental of
1 Operational The Foxboro Company Foxboro 1979
Amplifiers
2 Electrónica Teoria Robert Boylestad Prentice Hall 1985
de Circuitos Louis Nashelsky Hispano Americana
3 The electronics Staff of R.E.A. Research and 1988
Problem Solver Dr. M. Fogiel, Director Education Association
4 Principios de Albert Paul Malvino,Ph. Mc. Graw Hill 1986
Electrónica D.
5 I.C. Op. Amp. Walter G. Jung Howard W. Sams and 1974
Cookbook Co. , Inc.
6 Introducción a la William H. Roads Harla, México 1989
Ingenieria Eléctrica Dan H. Wolaver
7 Designing with
Operatinal Jerard G. Graeme Mc. Graw Hill 1977
Amplifiers
8 Applications of
Operational Jerard G. Graeme Mc. Graw Hill 1973
Amplifiers
9 Fundamentos de Norman Lurch CECSA 1985
Electrónica

151
 5. CIRCUITO TEMPORIZADOR 555

En la familia de los circuitos integrados de propósito específico el 555, junto

con los microprocesadores, es el chip más famoso en la breve historia de la
microelectrónica; se remonta en su lanzamiento al año de 1972 por la compañía
Signetics, como un generador de pulsos universal. El circuito electrónico es muy
versátil por el gran número de aplicaciones de que es objeto, lo que ha hecho por
parte de los diseñadores hayan puesto su atención. La rápida difusión su fácil
utilización y la aparición de una gran cantidad de circuitos de aplicación,
confirmaron la excelente calidad de su diseño, y que aunada a su bajo costo, se
incrementa su popularidad.
Lo anterior queda de manifiesto por la gama de fabricantes que producen el
555, bajo distintas denominaciones o referencias, tanto en tecnología bipolar como
CMOS; en la tabla 1 se dan algunos fabricantes del dispositivo.

TABLA 1
FABRICANTE MATRÍCULA
Signetics NE 555
Fairchild µA 555
National Semiconductor LM 555/LM 555C
Texas Instruments SN 72555/LM 555C
Exar XR-555
RCA CA 555/CA 555C
Philips/Silvania ECG 955
Harris HA 1755
Motorola MC 1455/MC 1555
Toshiba TA 7555P
Intensil SE 555/NE 555
Lithic Systems LC 555
Raytheon RM 555/RC 555

Una de las grandes ventajas del 555 es su compatibilidad, ésta realizada con
circuitos integrados digitales de la familia TTL y también con aplicaciones directas
de circuitos analógicos.
En la integración del 555, dentro de su estructura general, en términos
medios el paquete semiconductor (chip), consta internamente de 20 transistores, 15
resistencias y 2 diodos; dependiendo del fabricante en particular.
El circuito equivalente para el 555 fabricado por la compañía Signetics, se
muestra en la figura 5.1 y el que podemos comparar con los también fabricados por
las compañías Exar, figura 5.2 y por RCA, figura 5.3.

152
Figura 5.1

Figura 5.2

153
Figura 5.3

154
 5.1 ANTECEDENTES DEL 555.

El circuito integrado 555, forma parte de los circuitos con estructura

analógica-digital y que tiene funciones como temporizador, pudiendo actuar como
un circuito de memoria temporal o como circuito generador de pulsos.
A los circuitos capaces de recordar las variaciones de una o más variables de
entrada, memorizando la variable de salida y permanecer en éste estado hasta que
la variación o cambio de las mismas variables u otras variables de entrada, hacen
que retorne la salida al estado anterior; éstos circuitos reciben el nombre de
biestables, candados (latch) o flip flop, y poseen dos estados únicos estables.
El circuito biestable lo tenemos como representativo el Flip Flop con dos
entradas Reset (R) restaurar o poner en cero la salida y Set (S) iniciar o poner en
uno la salida.
En la figura 5.4a, se presenta el diagrama a bloques del biestable (Flip Flop)
RS; la operación del mismo se describe en la tabla de la figura 5.4b, en las que se
observa el estado inverso de las salidas Q y Q .

R Q S R Q Q

Entradas Salidas 0 0 0 0
1 0 1 0
S Q 0 1 0 1
1 1 X X

(a (b

Figura 5.4
Descripción de la operación, para un uno (1) aplicado a la entrada Set (S)
coloca las salidas Q en uno (1) y Q en cero (0); para un uno (1) aplicado a la
entrada Reset (R) coloca a las salidas Q en cero (0) y Q en uno (1). De ésta forma
se tiene un nivel de tensión alto en la salida, un uno (1) lógico, aún cuando se haya
dejado de aplicar la señal de tensión en la entrada Set (S) y de la misma forma para
almacenar un nivel bajo de tensión en la salida, un cero (0) lógico, debe aplicarse un
pulso en la entrada Reset (R), el pulso de disparo puede ser positivo (activo en alto)
o negativo (activo en bajo), dependiendo de la implementación del circuito
electrónico; en la figura 5.5, se ilustra la operación para ambas entradas activas.

S Q S Q
Entradas Entradas
Flip Flop Flip Flop
activas Salidas activas Salidas
NAND NOR
bajas altas
R Q R Q

Figura 5.5

155
 En éste tipo de biestable (Flip Flop), se limita la actuación de las entradas, en
la condición de que las entradas no pueden ser activas simultáneamente; es decir,
son estados no permitidos.
En el Flip Flop de entradas activas bajas, implementado con compuertas
NAND, las salidas son indefinidas o ambiguas y lo mismo corresponde para las
entradas de niveles altos, implementadas con compuertas NOR.

5.2 CIRCUITOS TEMPORALES.

Dentro de la clasificación de los circuitos temporales, los tenemos según su

respuesta a la excitación en: Circuitos Digitales Temporales, Circuitos Osciladores y
Circuitos de Memoria Temporal.

5.2.1 CIRCUITOS DIGITALES TEMPORALES.

En el ámbito de los circuitos biestables, en numerosas ocasiones se requiere

un retorno al estado inicial después de transcurrido un tiempo determinado; los
circuitos que actúan de ésta manera reciben el nombre de Circuitos de Memoria
Temporal o Temporizadores, porque memorizan una determinada situación
mediante el estado de una variable binaria durante cierto tiempo (t); su diagrama a
bloques, figura 5.5a, y su respuesta de salida, se representa en la figura 5.6b.

X0
Circuito
X1 Q
Entradas de
memoria
temporal Salida T
Xn
t
Instante de actuación de
la variable de entrada
(a (b

Figura 5.6

5.2.2 CIRCUITOS OSCILADORES.

También existen circuitos que cambian su estado de salida y carecen de

variables de entrada, el cambio de la salida lo realizan en forma periódica. Estos
circuitos reciben el nombre de osciladores de onda cuadrada o de generadores de
impulsos, en la figura 5.7a, se muestra el diagrama a bloques y su gráfica de
comportamiento de la señal de salida, en la figura 5.7b.

156
 Q

Generador
de pulsos Q

(a (b

Figura 5.7

Sí los niveles de tensión de la señal de salida (Q), es de una magnitud

constante, ésta señal la podemos interpretar como una señal digital y manipularla
como tal.

5.2.3 CIRCUITOS DE MEMORIA TEMPORAL.

Éstos se clasifican en dos grandes grupos: Monoestables o Temporizadores

Digitales y Temporizadores Analógico Digitales.
Los monoestables se realizan mediante compuertas digitales y los
temporizadores analógico digitales, utilizan comparadores analógicos y biestables;
los segundos son los de interés por su empleo en la construcción del circuito
integrado 555.

5.2.4 TEMPORIZADORES ANALÓGICO-DIGITALES.

La combinación de un circuito comparador analógico con un biestable, se

puede realizar temporizaciones de larga duración, hasta de minutos, que se
dificultarían con circuitos basándose en compuertas. Realizando una cascada de
varios temporizadores podemos ampliar el rango a horas.
El comparador de voltaje mencionado, figura 5.8, está representado por un
amplificador operacional.

Sí V+ > V - Salida alta

Entradas Salida
No inversora V+ +
V out
inversora V- _ V+ < V - Salida baja

Figura 5.8
Como se podrá observar en la operación del comparador se tiene, cuando la
entrada positiva (+) se le aplica un voltaje mayor que el de la entrada negativa (-),
la salida del comparador es de un nivel alto. Sí por el contrario en la entrada positiva
(+), se le aplica un voltaje menor que el de la entrada negativa (-), entonces la salida
es un nivel bajo. Una característica ventajosa del comparador, es la de poseer una
alta impedancia de entrada, por contener una estructura de un amplificador
operacional.

157
 En la figura 5.9, se presenta el circuito básico de un temporizador analógico,
en el que se integra por un comparador analógico y un biestable activado por
niveles, para el caso el nivel alto (1).
VCC Vref

VCC

R - QC P. Cero
+ R Q
Flip Flop
C P. Uno
Tr S Q

R1

R2 T
Señal de disparo
(Trigger)

(a

Pulso de disparo
T (Trigger)
T

V ref V

Tensión en el
condensador
VC T

Salida del
comparador
QC T

Salida
Q T

t =k RC
(b
Figura 5.9
En la figura 5.9b, se presenta la evolución de las gráficas de comportamiento
de los puntos más importantes, presentando su operación en el tiempo. Inicialmente
la salida Q del temporizador, se encuentra en un nivel de cero volts y la salida de Q
al nivel de +V volts y el condensador está cortocircuitado por el transistor Tr, por

158
estar en un estado de saturación. Cuando se aplica un pulso positivo en la entrada
T (una señal de disparo)del Flip Flop; su salida Q pasa a un nivel alto y la salida Q
pasa a un nivel bajo, con lo cual el transistor Tr se coloca en estado de corte. Se
inicia así la carga del condensador C através de R hasta que su tensión VC iguala
la tensión de referencia; en ese instante la salida del comparador QC pasa de un
nivel bajo a un nivel alto y restablece a la condición de nivel bajo de la salida Q del
Flip Flop y a un nivel alto la salida Q .
La tensión de referencia Vref, es posible establecerla a partir de la fuente VCC,
mediante un divisor de voltaje, como el que se exhibe en la figura 5.10, dado por R1
y R2.
VCC

R1 VCC

RA _ P. cero
+ R Q
Flip Flop
P. uno Salida del
C
R2
>S Q
temporizador
R3
Tr
P. Inicial
T
Señal de disparo
(Trigger)

Figura 5.10
En el circuito se corre el riesgo de tener un disparo en falso al energizarlo, es
decir, se presente una salida indeseable, por lo que es conveniente de dotar al Flip
Flop con una entrada de puesta a cero activa mediante cierto nivel lógico. En la
figura 5.10, se muestra un temporizador analógico digital con entrada de puesta en
estado inicial activa con nivel cero (P. inicial) , el estado activo bajo de la señal, se
denota con un pequeño circulo en la entrada del bloque que representa el Flip Flop.
Sí el Flip Flop es de activación por niveles, el pulso aplicado en la entrada de
disparo T, ha de ser de menor duración que el impulso generado en la salida Q,
porque de lo contrario la salida no bajará a nivel cero, al finalizar el intervalo de
temporización.
Para no depender del tiempo de duración del pulso de entrada en el disparo
T, se utiliza un Flip Flop activado por flancos (la transición del pulso al cambiar de
nivel bajo a nivel alto o viceversa). En la figura 5.10, se ha empleado un Flip Flop
operado por flancos de subida, lo cual se indica con el símbolo > colocado en la
entrada del disparo T del bloque del Flip Flop.

159
 Sí todos los elementos del circuito de la figura 5.10, excepto RA y C; se
coloca en un solo circuito integrado, representándolo en un solo paquete por el
bloque de la figura 5.11.
VCC

RA
C

Temporizador
Señal de
disparo
T
> analógico
Q
(Trigger)
Digital

P. Inicial

Figura 5.11

5.2.5 GENERADOR DE IMPULSOS CON TEMPORIZADOR ANALÓGICO

DIGITAL.
Realizando algunas modificaciones a los circuitos 5.9 y 5.10, se logra un
circuito multifuncional que puede actuar como Temporizador y Generador de
Impulsos, aumentando así su campo de aplicación. En la figura 5.12a, se presenta
el diagrama básico que contiene dos comparadores en lugar de uno solo.

VCC

RA R VCC

_ P. Uno
S
RB +
Flip Flop QT
R Q

+ P. Cero
R
_

C R P. Inicial

Tr

Figura 5.12a

160
 VC
VCC
2/3 V
1/3 V
T

V
P. Cero

V
P. Uno

V
QT

Figura 5.12b
Las tensiones de referencia de ambos comparadores, se obtienen a partir de
la fuente VCC por medio del divisor de tensión integrado por tres resistencias R de
igual valor. El punto común de las dos resistencias superiores, se une en la entrada
inversora (-) del comparador superior, cuya salida está conectada a la puesta a uno
del Flip Flop (P. Uno) y el punto común a las dos resistencias inferiores, se une a la
entrada no inversora (+) del comparador inferior; cuya salida está conectada a la
puesta a cero (P. Cero) del Flip Flop. La carga del condensador C se realiza através
de las resistencias RA y RB cuando el transistor Tr está en corte. La descarga de C
se realiza através de RB y del colector-emisor del transistor Tr cuando está éste
último saturado. La salida QT del temporizador se obtiene a partir de la salida Q del
Flip Flop através de un inversor. El Flip Flop posee una puesta en estado inicial, que
cuando se encuentra en un nivel activo, pone a uno la salida Q del Flip Flop y
produce la descarga del condensador C, P. Inicial se activa con nivel cero.
La evolución de las señales de los puntos más significativos, es mostrada en
la figura 5.12b. Supongamos que inicialmente se mantiene activada la puesta en
estado inicial, durante un cierto tiempo; la salida QT quedará en un nivel cero (Q en
nivel uno) y el condensador descargado por el transistor que se encuentra en
saturación. Al desaparecer dicha puesta en estado inicial, la salida del comparador
inferior, que se encuentra en nivel alto, porque la entrada inversora (-) en menos
positiva que la no inversora (+), hace que la salida Q del Flip Flop pase a cero (QT
se pone en uno o nivel alto) y que se inicie la carga del capacitor C.

161
 Cuando la tensión en el condensador VC supera el valor de la tercera parte
de VCC desaparece la puesta a cero del Flip Flop porque la salida del comparador
inferior cambia de estado. Cuando VC alcanza los dos tercios de VCC pasa a un
nivel alto la salida del comparador superior, su entrada no inversora (+) y se realiza
así la puesta a uno del Flip Flop con lo cual la salida QT del temporizador, pasa a
nivel cero, y se inicia la descarga del condensador C através de la resistencia RB.
Cuando VC disminuye por debajo de 1/3 de VCC, vuelve a pasar a un nivel alto la
salida del comparador inferior, se pone a cero la salida Q del Flip Flop y se inicia un
nuevo ciclo, concretando de está manera su operación como Generador de Pulsos.
Con una modificación más del circuito electrónico del temporizador analógico
digital de la figura 5.12a, es posible emplearlo como circuito temporizador o como
oscilador monoestable. El diagrama de la figura 5.13a, opera como temporizador.
VCC

R1 R VCC

_ P. Uno
A S
R2 + Flip Flop QT
R Q

+ P. Cero
R
_B

Señal C R P. Inicial
de Tr
disparo

Figura 5.13a
La entrada inversora del comparador (-) B se conecta a un nivel alto VCC
através de una resistencia R2, y constituye la entrada de la señal de disparo
externa. La salida no inversora (+) del comparador A, se conecta al terminal común
de la resistencia R1 y el condensador C.
En la figura 5.13b, se muestra el diagrama temporal de las señales de interés
del circuito, partimos de que se activa la puesta en estado inicial (en éste caso
activa con nivel bajo, recuerde el pequeño circulo a la entrada del bloque), que sitúa
a uno la salida Q del Flip Flop (Q=1) nivel alto y provoca la descarga del capacitor
C al saturarse el transistor Tr. Al bajar el nivel a cero de la señal de disparo, hace
que pase a nivel alto la salida del comparador B, que genera una puesta a cero del
Flip Flop y a su vez la salida del inversor QT pasa a un nivel uno. Se inicia de ésta
forma la carga del condensador C, hasta que su tensión alcanza los 2/3 VCC,
instante en que pasa a nivel uno la salida del comparador A, que provoca la puesta

162
a uno del Flip Flop (QT pasa a cero) y retorna al estado inicial; que se considera
como normal, el sistema permanecerá en éste estado mientras no se produce una
nueva señal de disparo.

V
P. Inicial

V
Señal
de
disparo

T
VC
2/3VC

V
P. Uno

Q T

V
QT

Figura 5.13b
De lo expuesto se deduce que en las figuras 5.12 y 5.13, se puede integrar
un solo bloque multifuncional, que opere indistintamente como un circuito
monoestable o astable, conectando los elementos externos adecuados; el cual se
presenta en la figura 5.14, como un bloque multifuncional del Temporizador
Analógico Digital, mostrándose sus conexiones, circuito que permiten una
versatilidad en el diseño de circuitos.

163
 V CC
8

R
Control _
5 A
+
Umbral 6 Flip 3
R Flop
+ Salida
Disparo B
_
2
7
Descarga R Tr

1 4
P. Inicial

Figura 5.14

La descripción de las terminales de conexión del circuito de la figura 5.14,

congruente al uso del lenguaje técnico, es el siguiente:
Tierra: GND (Ground) Referencia del circuito electrónico.
Disparo TRG (Trigger) Entrada de disparo por la entrada inversora
del comparador B.
Salida OUT (Output) Salida del temporizador.
Inicialización RST (Reset) Restaurador de la salida del Temporizador.
Control CNT (Control) Entrada de voltaje de control por la terminal
inversora del comparador A.
Umbral TRH ( Thershold) Entrada de nivel voltaje inicio fijado por la
entrada no inversora del comparador A.
Descarga DSC (Discharge) Entrada de descarga por transistor saturado.
Fuente VCC (Source) Entrada de la fuente de polarización del
integrado.

El bloque íntegro ha sido construido en un circuito integrado del tipo monolítico,

con una denominación de 555.

Se cuentan en la literatura del 555 con otras presentaciones a bloques, como

lo demuestran las figuras 5.15 y 5.16, que de alguna manera manifiestan el
comportamiento del temporizador analógico digital.

164
 + VCC
8

Ra Comparador
Umbral 6 de umbral
+ 3
U3 U4
_ R Q
Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb
Flop
+ U2 Q
Disparo S
_
2 Comparador
7 de disparo 4
Descarga Inicialización
Rc Q 1

Ra=Rb=Rc=5 KΩ

Figura 5.15

Fuente

Q Salida
Flip Flop
Inversor 3
Umbral de control
R Descarga
Comparador Iniciar 7
6
de umbral
R
Control
5
Disparo
R Comparador
2
Tierra de disparo
1
Restablecer
4

Figura 5.16

165
 5.3 TIPOS DE ENCAPSULADOS.

El montaje del temporizador 555, requiere diferentes tipo de encapsulados,

que se encuentran ligados a la temperatura del ambiente en el que va operar y de
las necesidades del diseño; los fabricantes presentan varias alternativas de
encapsulado, las cuales se exhiben en la figura 5.17 (vista del componente por
arriba), como es el envase metálico (TO-99) y en envase de plástico de doble fila o
mini DIP (acrónimo de Dual In Line Package), para el 555 en 8 terminales de
conexión. También se presenta en 14 terminales de conexión para el 555 y para el
doble (dual), con matrícula 556.

VCC
Ground 1 8 VCC
Ground Discharge
8
1 7 Trigger 2 7 Discharge
Trigger 2 6 Threshold
Output 3 6 Threshold
3 5
4 Control
Output Reset 4 5 Control
voltage voltage
Reset
Metálico 555 Plástico mini DIP 555

Ground 1 14 VCC 1 14 VCC

Discharge

NC 2 13 NC Threshold 2 13 Discharge
Control
Trigger 3 12 Discharge 3 12 Threshold
voltage
4 11 NC 4 11 Control
Output Reset
voltage
NC 5 10 Threshold Output 5 10 Reset

Reset 6 9 NC Trigger 6 9 Output

NC 7 8 Control Ground 7 8 Trigger

voltage

Plástico DIP 555 Plástico DIP 556

Figura 5.17

166
 5.4 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
En la tabla 2, se presentan un listado de las características eléctricas
específicas del circuito integrado 555, que se ajustan en general a los fabricantes.
TABLA 2
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS del circuito integrado lineal 555:
TA = 25˚C, Vcc =+5V a +15V a menos que se especifique otra cosa.
SE 555 NE 555
PARÁMETROS CONDICIONES DE
PRUEBA MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS
Tensión de 4.5 18 4.5 16 V
alimentación
Corriente de Vcc = 5v, RL = ∞ 3 5 3 6 mA
alimentación Vcc = 15v, RL = ∞ 10 12 10 15 mA
Error de temporizado RA, RB = 1KΩ a 100
KΩ
Exactitud inicial C = 0.1 µF 0.5 2 1 %
Deriva por 30 100 50 Ppm /˚C
temperatura
Deriva de tensión de 0.005 0.02 0.01 %/V
alimentación
Tensión de umbral * 2/3 2/3 X Vcc
Tensión de disparo Vcc = 15v 4.8 5 5.2 5 V
Vcc = 5v 1.45 1.67 1.9 1.67 V
Corriente de disparo 0.5 0.5 µA
Tensión de 0.4 0.7 1.0 0.4 0.7 1.0 V
restablecimiento
Corriente de 0.1 0.1 mA
Restablecimiento
Corriente umbral ** 0.1 0.25 0.1 0.25 µA
Nivel de control de Vcc = 15v 9.6 10 10.4 9 10 11 V
tensión Vcc = 5v 2.9 3.33 3.8 2.6 3.33 4 V
Caída de tensión de Vcc = 15v
salida (baja) I drenaje = 10mA 0.1 0.15 0.1 0.25 V
= 50mA 0.4 0.5 0.4 0.75 V
=100mA 2 2.2 2 2.5 V
= 200mA 2.5 2.5
Vcc = 5v
I drenaje = 8mA 0.1 0.25
= 5mA 0.25 0.35 V
Caída de tensión de I fuente = 200mA 12.5 V
salida (alta) Vcc = 15v
I fuente = 100mA
Vcc = 15v 13 13.3 12.7 13.3 V
Vcc = 5v 3 3.3 5 3.3 V
2.75
Tiempo de subida de 100 100 nseg
salida
Tiempo de bajada 100 100 nseg
de la salida
* Prueba a VCC de 5 V y 15 V.
** Se determina para un valor máximo Ra+Rb=20 MΩ a 15 V de operación.

167
 5.5 ANÁLISIS MATEMÁTICO DEL 555

Una ves comprendido el funcionamiento y el propósito de cada uno de los

elementos, que constituyen el Temporizador Analógico Digital o simplemente 555;
será de interés el de comprender como trabaja el dispositivo cuando se le instalan
componentes externos. Permitiéndonos evaluar los parámetros de salida, cuando
está operando en modo astable o generador de pulsos y como monoestable o
temporizador.
5.5.1 OPERACIÓN EN EL MODO ASTABLE.
La operación del Temporizador analógico digital en modo astable, requiere
una conexión específica, mostrada en la figura 5.18a, representada por el circuito
integrado 555. Ésta configuración como generador de pulsos, también nominada
como circuito de reloj o simplemente reloj, por el uso en la práctica en circuitos
digitales.
+ V CC

8 4 Inicialización

Comparador
R1 Ra
de umbral
Umbral 6
+ 3
U3 U4
_ R Q
R2 Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb RL
Flop
+ U2 Q
C1 Disparo S
_
2 Comparador
7 de disparo

Descarga Rc Q1

R a =R b =R c =5 K Ω

Tierra 1

Figura 5.18a
Observe que la entrada de umbral (thershold) terminal 6, está
conectada a la entrada del disparo (trigger) terminal 2. El circuito formado por las
resistencias R1, R2 y el condensador C1, tiene la función de controlar el voltaje de
entrada a los comparadores. Cuando el circuito es energizado, la tensión en el
condensador vC1 es de 0 V, porque C1 está completamente descargado. Bajo ésta
condición el comparador de umbral U1, aplica un nivel de tensión bajo a la entrada
Reset (R) del Flip Flop, esto por el nivel de voltaje aplicado al terminal no inversora
(+) del comparador U1, e inversamente le aplicamos un nivel de tensión bajo (0 V) a
la terminal inversora del comparador de disparo U2 entregando un nivel alto a la
entrada Set (S) del Flip Flop. Como resultado, la salida del circuito (Out) terminal 3,
es de un nivel de voltaje alto. Al mismo tiempo, la salida Q inversora del Flip Flop

168
es de un nivel de tensión bajo, el transistor Q1 está en estado de corte Off, y C1
inicia su carga libremente através de R1 y R2. A medida que el capacitor C1 se
carga, el voltaje en sus terminales crece hasta alcanzar el valor de la tensión de
umbral de 2/3 VCC. Cuando esto sucede, el comparador de umbral U1 aplica un nivel
-
alto a la entrada Reset (R) del Flip Flop (V+>V salida alta) y en el comparador de
disparo sucede en forma inversa, teniéndose un nivel de tensión bajo en la entrada
-
Set (S) del Flip Flop (V+>V salida baja).
El resultado del cambio de estado del Flip Flop, es que la salida Q y la salida
del circuito Out, terminal 3, se hace baja; por consiguiente la salida Q del Flip Flop
se hace alta, en consecuencia el transistor Q1 entra en conducción (estado on)
hasta la saturación y establece un camino para la corriente de descarga del
capacitor C1, através de R2. Aquí podemos hacer una pausa para denotar que
tenemos un tiempo implícito de carga TC y una constante de tiempo de carga
τ C = ( R1 + R2 ) C1 ; por otro lado también tenemos un tiempo de descarga Td ligado
a su constante de tiempoτ d = R2C1 ; que serán fundamentales en la operación del
circuito integrado 555. Cuando el nivel de voltaje de C1 se hace ligeramente inferior
al voltaje de disparo, entrada inversora del comparador U2 (1/3 VCC), el
comparador de disparo aplica un nivel alto a la entra Set (S) del Flip Flop y el
comparador de umbral un nivel bajo a la entra de Reset (R) del Flip Flop. De lo
expuesto vemos que la salida retorna a su estado inicial (Alto), por lo tanto se tiene
un ciclo de operación del 555, manifestado por la carga y descarga del capacitor C1,
así la salida oscila indefinidamente entre los niveles de tensión alto y bajo,
entregando de ésta forma lo que conocemos como un tren de pulsos o impulsos, a
una determinada frecuencia, la cual es función de las constantes de tiempo de la
carga y descarga del condensador C1, en la figura 5.18b, se muestran las gráfica de
comportamiento de los puntos de interés.

V C1
VCC
2/3 VCC
1/3 VCC
T
Tc Td

VOUT
VCC

0V
T

Figura 5.18b

169
 El condensador C1 en su operación tiene dos niveles de tensión, ver figura
5.18b, fijados por el divisor de voltaje formado por las resistencias Ra, Rb y Rc, y la
entrada de los comparadores que va de VC1 = 1 VCC a VC1 = 2 VCC ; el primer valor
3 3
de tensión será la tensión de disparo, terminal 2 y el segundo valor será la tensión
de umbral, terminal 6.
De la expresión matemática para la determinación de la tensión de carga del
condensador, son funciones del tiempo y está dada por la ecuación.
 T
− c
τc

vC ( t ) = E  1 − e 
 
 
De las gráficas de la figura 5.18b, correspondientes a la carga del
condensador C1, observamos que la tensión evoluciona de 1 VCC a 2 VCC ,. Por
3 3
lo se toman éstos valores como la tensión inicial y final de la carga del condensador.
 −
Tc

1 VCC = 2 VCC  1 − e τ c 
3 3  
 
Cuya solución para el tiempo de carga.
Tc = 0.693 ( R1 + R2 ) C1
Durante el tiempo de descarga Td, la salida del 555, terminal 3 es de un nivel
de tensión bajo, ver figura 5,18b, siendo menor que el tiempo de carga.
Expresión matemática de la descarga de un capacitor hasta una tensión final.
Td
−
τd
vC ( t ) = E e
De las gráficas de la figura 5.18b, correspondientes a la descarga del
condensador C1, observamos que la tensión evoluciona de 2 VCC a 1 VCC . Por lo
3 3
se toman éstos valores como la tensión inicial y final de la descarga del
condensador.
Determinándose el tiempo de descarga por la ecuación.
.
Td = 0.693 R2C1
La suma de los tiempos de la carga y la descarga del capacitor,
forman el período de oscilación (T) de la señal de salida.

T = 0.693 ( R1 + 2 R2 ) C1
Y la frecuencia de oscilación ( f ) es la inversa del período T.

1 1
f = =
T 0.693( R1 + 2 R2 )C1

170
 La razón entre el tiempo de conducción y el período. Se conoce como
ciclo útil (D), del inglés Ducty cycle, expresada en por ciento (%).
Tc R + R2
D= 100 = 1 100 [% ]
T R1 + 2R2

De ahí cuanto mayor sea el tiempo de carga, mayor será el ciclo útil y
viceversa, para una señal Tc = Td se tendrá a D = 50% .

Ejemplo.
Determine los tiempos de carga, descarga, periodo, frecuencia de oscilación
y el por ciento de ciclo útil, para el circuito con 555 mostrado en la figura 5.18; con
los valores de los componentes siguientes: R1=1 KΩ, R2=120 KΩ y C1=0.01µF.

Solución.
Tiempo de carga Tc.
Tc = 0.693 ( R1 + R2 ) C1
= 0.693 ( 1 + 120 ) × 10 3 × 0.01 × 10 − 6
= 838.5 × 10 −6 ≅ 839 µ s

Tiempo de descarga Td.

Td = 0.693R2C1
= 0.693 × 120 × 10 3 × 0.01 × 10 − 6
= 831.6 × 10 − 6 ≅ 832 µ s

Período T
T = Tc + Td
= 839 + 832
= 1671µ s ≅ 1.67ms

Frecuencia f
1
f =
T
1
=
1.67 × 10 −3
= 598.8Hz ≅ 600Hz

171
 Ciclo útil D

Tc
D= 100
T
839
= 100
1671
= 50.2 % ≅ 50%

Tenemos como resultado una onda del tipo cuadrado, por tener
aproximadamente el mismo tiempo en el nivel alto y en el nivel bajo, de la salida.
Como una herramienta de cálculo, en la figura 5.19 se anexan la gráfica de
relación entre resistencias y capacitancias, para tener en forma económica la
frecuencia de oscilación; también en la figura 5.20, se tienen la gráfica para
determinar el por ciento del ciclo útil, en función de las resistencias R1 y R2.

Figura 5.19

172
 Figura 5.20

5.5.2 OPERACIÓN EN MODO MONOESTABLE.

El circuito electrónico para la operación en modo monoestable del
temporizador analógico 555, se muestra en la figura 5.21, el tamaño del pulso de
salida expresa en segundos, será de una determinada magnitud.
+ VCC

8 4 Inicialización

R1

Ra Comparador
Umbral 6 de umbral
R2 + 3
U3 U4
_ R Q
Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb RL
Flop
+ U2 Q
Disparo S
_
2 Comparador
7 de disparo

S1 Descarga Rc Q 1

C1 R a =R b =R c =5 K Ω

Tierra 1

Figura 5.21

173
 Ésta configuración del circuito 555, se denomina temporizador de un disparo
(One shot), aquí tenemos conectadas a un punto común las terminales de conexión
6 de umbral y 7 de descarga.
El circuito externo formado por las resistencias R1 y R2, el capacitor C1 y el
interruptor pulsador S1, controla el voltaje de entrada a cada comparador y
establece el instante de arranque y la duración del pulso de salida.
En condiciones normales, con el interruptor pulsador abierto, la entrada de
disparo terminal 2, está a un nivel de tensión de la fuente de alimentación de
corriente continua VCC através de R2 y el comparador de disparo U2, aplica un nivel
de tensión bajo a la entrada de Set S del Flip Flop.
Al mismo tiempo, la salida del temporizador (Out) terminal 3, es de un nivel
de tensión bajo, la salida Q del Flip Flop U3 es de un nivel de tensión alto, el
transistor Q1 está saturado (On) y su colector, terminal 7, provee el camino para la
descarga del capacitor C1 al conectar a tierra la terminal de umbral Terminal 6.
Como resultado el comparador de umbral U1, aplica un nivel bajo de tensión
a la entrada Reset R del Flip Flop. Puesto que la entrada Set S del comparador de
disparo U2, es también de nivel de tensión bajo, el estado inicial de la salida (Out)
terminal 3, se mantiene, es decir sigue en nivel bajo.
Cuando se oprime el botón pulsador S1 momentáneamente, el disparo
terminal 2, recibe un nivel de tensión bajo y el comparador de disparo U2 aplica un
nivel de tensión alto a la entrada Set S del Flip Flop U3. Como resultado, la salida
del 555 (Out) terminal 3, pasa del estado de nivel de tensión bajo al nivel de tensión
alto. Al liberar el interruptor pulsador S1, la entrada Set S retorna otra vez al estado
bajo, pero la salida del 555 (Out) se mantiene en el estado alto. Al mismo tiempo, la
salida Q del Flip Flop es de estado bajo, el transistor Q1 está en estado de corte
(Off) y el capacitor C1 comienza a cargarse através de la resistencia R1.
Cuando en voltaje de C1 se hace ligeramente superior a los 2/3 de Vcc , el
comparador de umbral U1 aplica un nivel alto a la entrada Reset R del Flip Flop y la
salida del circuito (Out) terminal 3, se hace nuevamente baja.
Como consecuencia de este proceso la salida se ha sostenido en nivel alto
durante un determinado tiempo, el cual se inicia a partir del instante en que se
aplicó el al disparo, terminal 2, un nivel de tensión bajo al oprimir el interruptor
pulsador S1. Es decir el circuito ha entregado a su salida un pulso de tensión.
La duración del pulso, llamado periodo de temporización se determina
mediante la fórmula siguiente:
T = 1.1R1C1

De la ecuación de carga del capacitor:

 T
− c
τc

vC ( t ) = E  1 − e 
 
 

174
 La tensión máxima de carga del capacitor C1 será la tensión del comparador
de umbral U1 de 2/3 Vcc , de su terminal 5 de control, que se debe superar para el
cambio de estado en un tiempo de carga Tc, para una constante de tiempo
τc=R1C1.
Aplicando los niveles de tensión a la ecuación de carga del condensador.
2  T
− c
τc

Vcc = Vcc  1 − e 
3  
 
Resolviendo:

T
1 − c
− Vcc = −Vcc e τ c
3
Despejando al tiempo de carga del condensador.

1
−Tc = τ c Ln = τ c ( −1.0986 )
3
∴Tc = 1.1 τ c = 1.1 R1C1

Ejemplo:

Determinar el tiempo de nivel alto sostenido en la salida del circuito

monoestable de la figura 5.21, sí R1 = 1 ΜΩ y C1 = 100 µ F.

Solución.

Tc = 1.1R1C1
= 1.1 × 1 × 10 6 × 100 × 10 −6
= 110 s

Se genera un pulso de una duración de 1.83 minutos, tiempo suficiente para

aplicarse en eventos de control.

175
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

Práctica 8

Característica de operación del 555 como oscilador.

1. Objetivo.
La finalidad de ésta práctica, es la de comprobar la operación del circuito
integrado 555, en su modalidad de astable. Observar como varía la frecuencia
de la señal de salida, en función de las componentes externas,

2. Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de corriente directa.

1 Pz Multímetro.
1 Pz Osciloscopio de dos canales.
1 Pz Tablilla de conexiones (protoboard).
1 Pz Circuito integrado 555 (IC1).
1 Pz Resistencia de 10 KΩ (R1).
1 Pz Potenciómetro de 1 MΩ (R2).
1 Pz Resistencia de 220 Ω (R3).
2 Pz Capacitor de 10 µF (C1).
1 Pz Capacitor de 0-001 µF (C2).
1 Pz Diodo emisor de luz LED (D1).

En la figura 1, se muestra el circuito a experimentar.

9V
+V
4 8
R1 RST VCC
7
DSC
Salida
R2 2 3
IC1 OUT
TRG 555
6 R3
THR
GND CNT
+
C1 1 5 LED
C2 D1
0.001 µF

Figura 1

176
3. Realización de la práctica.

3.1 Efectúe pruebas del estado de los componentes y repórtelas.

3.2 Una vez que haya realizado el circuito, energice y compruebe su operación;
colocando el potenciómetro R2 en una posición intermedia y notará que el LED
destella a una cierta frecuencia, y que esta varía al modificar el valor de la
resistencia R2.
3.3 Observe y registre las formas de onda en las terminales de conexión 7,2-6 y 3;
tomadas con relación al punto de referencia. Para tres posiciones de la resistencia
R2 y dos valores de la capacidad de C1.

Nota. Relacione a un tiempo de referencia, para lo cual será necesario que

se tome un punto de medición fijo.

3.4 Describa brevemente la operación del circuito.

3.5 Compruebe analíticamente los parámetros de la señal de: el tiempo de carga
Tc, el tiempo de descarga Td, el período de oscilación, la frecuencia de oscilación y
el ciclo útil. Para las condiciones de operación del punto 3.3.
3.6 Anexe las conclusiones.

177
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

Práctica 9

Característica de operación del 555 como temporizador.

1. Objetivo.
La finalidad de ésta práctica, es la de comprobar la operación del circuito
integrado 555, en su modalidad de monoestable (como temporizador).
Demostrar el efecto del pulso de disparo, sobre la señal de salida del
temporizador. Observar como la duración del pulso de salida, es función de las
componentes externas,

2. Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de corriente directa.
1 Pz Multímetro.
1 Pz Osciloscopio de dos canales.
1 Pz Tablilla de conexiones (protoboard).
1 Pz Circuito integrado 555 (IC1).
1 Pz Resistencia de 47 KΩ (R1).
1 Pz Potenciómetro de 250 KΩ (R2).
1 Pz Resistencia de 220 Ω (R3).
1 Pz Resistencia de 15 KΩ (R4).
2 Pz Capacitor de 33 µF, 16 VDC (C1).
1 Pz Interruptor de botón pulsador Normalmente abierto NA (S1).
1 Pz Diodo emisor de luz LED (D1).

En la figura 1, se muestra el circuito a experimentar.

+V
4 8
3V a 15V
R1 RST VCC
R2 7
DSC
Salida
2 3
TRG IC1 OUT
555

S1 6
THR
GND CNT T
+
C1 1 5
0.001 µF

Figura 1

178
 3. Realización de la práctica.

3.1 Efectúe pruebas del estado de los componentes y repórtelas.

3.2 Una vez que haya realizado el circuito, energice y compruebe su operación;
oprimiendo el botón pulsador momentáneamente y visualice el encendido del LED,
comprueba la salida por un determinado tiempo.
3.3 Observe y registre las formas de onda en las terminales de conexión 2, 6-7 y 3;
tomadas con relación al punto de referencia. Para dos valores de la capacidad del
condensador C1.

Nota. Relacione a un tiempo de referencia, para lo cual será necesario que

se tome un punto de medición fijo.

3.4 Describa brevemente la operación del circuito.

3.5 Compruebe analíticamente el tiempo de la señal de salida.
3.6 Anexe las conclusiones.

179
 BIBLIOGRAFÍA

REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN

1 Fundamental of
Operational The Foxboro Company Foxboro 1979
Amplifiers
2 The Electronics Staff of R.E.A. Research and 1988
Problem Solver Dr. M. Fogiel, Director Education Association
3 I.C. Op. Amp. Walter G. Jung Howard W. Sams and 1974
Cookbook Co. , Inc.
4 Applications of
Operational Jerard G. Graeme Mc. Graw Hill 1973
Amplifiers
5 Introducción a los L.M. Faulkenberry Limusa-Noriega 1996
Amplificadores editores
Operacionales con
Aplicaciones
6 The 555 Timer Howard M. Berlin Blacks Burg 1981
Splications, with
Experiments
7 Electrónica Teoria Robert Boylestad Prentice Hall 1985
de Circuitos Louis Nashelsky Hispano Americana
8 Sistemas Enrique Maldonado Pubicaciones 1989
electrónicos Marcombo,
digitales
9 Digital Logic Sol Liber Hayden Book Co. 1978
Circuits
10 Prácticas de Zbar Alfa omega 2001
Electrónica Malvino
Miller

180
 El Libro de Electrónica II del autor
Ing. Domingo Almendares Amador
Se terminó de imprimir el 1 de junio de 2004,
por la Editorial de E.S.I.M.E. Zac. Lab. Pesados 1.
La edición fue de 1000 ejemplares más sobrantes para reposición.
 CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II

Domingo Almendares Amador

La obra tiene la perspectiva de avalar los elementos básicos

que intervienen, como dispositivos en la electrónica industrial, en la
cual todo técnico en éste campo tendrá que interactuar con ellos,
así como también con los circuitos que integran.
El contexto de la reimpresión conserva los elementos de
origen, con ligeras modificaciones con las que se pretende aclarar y
ampliar los conceptos vertidos en la misma.
Se sugiere, se efectúen las prácticas planteadas, que forman
parte del contexto experimental de apoyo en la obra, tomando como
base un análisis teórico que le anteceda; así le permitirá al lector
confirmar los conocimientos adquiridos en el proceso de enseñanza
aprendizaje, conciliando el propósito autodidacto del texto.
La reimpresión es un esfuerzo más para apoyar al
estudiantado, con el objetivo de tener elementos que logren la
excelencia académica en la E.S.I.M.E. Zacatenco y en el
Departamento de Ingeniería Eléctrica.

Instituto Politécnico Nacional

México, D,F.