LABORATORIO DE CIRCUITOS DIGITALES

FACULTAD DE INGENIERA
UNIVERSIDAD DE LA COSTA CUC
.

TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT)

GUILLERMO CARDENAS, OSCAR VILLA, JUAN DAVID OSORIO, BRAYAN AHUMADA.
30/09/2017
Laboratorio de Electrnica III VIERNES 7:30PM A 9:30 PM, Universidad de la Costa, Barranquilla

RESUMEN: En Este informe se hablara sobre la 2.1 OBJETIVO GENERAL

funcin de un transistor de unjutura UJT, se detallarn
sus funciones, ya que el funcionamiento de un UJT es Analizar el comportamiento de un UJT en un
muy similar al de un SCR. Este dispositivo a travs de la circuito determinado.
relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de
emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de
pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle o valley-point 2.2 OBJETIVO ESPECFICOS
(Vv, Iv), ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0. Se
realizaron una serie de circuitos en el simulador de Determinar con experimentos las
multisim en donde se analiz el funcionamiento en caractersticas del emisor.
conjunto de cada comportamiento. Mostraremos
pantallazos de lo realizado. Gracias a la compresin de
esta experiencia de UJT se alcanz a comprender como
utilizarlo de la mejor forma. Por ultimo mostraremos Disparar un SCR con oscilador de
conclusiones claves con respecto a lo aprendido en la relajacin basado en un UJT
clase de Electrnica de potencia.
3 MARCO TEORICO
PALABRAS CLAVE: Transistor, dispositivo, UJT.
Este dispositivo se utiliza,
1 INTRODUCCIN fundamentalmente, como generador de
pulsos de disparo para SCR y TRIACs.
Como introduccin comenzaremos hablando un
poco de lo que muchos se preguntan al ver un UJT
El UJT es un componente que posee tres
como cul es su funcionamiento o como usarlo
correctamente. Empezaremos definindolo con terminales: dos bases y un emisor, tal como
un concepto El transistor monojuntura (UJT, se muestra en la siguiente figura:
unijunction transistor) es un dispositivo de
conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas
lo hacen muy til en muchos circuitos
industriales, incluyendo temporizadores,
osciladores, generadores de onda, y ms
importante an, en circuitos de control de puerta
para SCR y TRIACs. Desde el punto de vista del
funcionamiento, no hay similitud entre el emisor
de un UJT y el emisor de un transistor bipolar. En
realidad, los nombres de las terminales obedecen
a su funcionamiento interno, el cual considera la
accin de los portadores de carga.

Transistor de unijuntura (UJT)

2 OBJETIVOS

1
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En la figura se puede apreciar la constitucin
de un UJT, que en realidad est compuesto
solamente por dos cristales. Al cristal P se le
contamina con una gran cantidad de
impurezas, presentando en su estructura un
nmero elevado de huecos. Sin embargo, al
cristal N se le dopa con muy pocas
impurezas, por lo que existen muy pocos
electrones libres en su estructura. Esto hace
que la resistencia entre las dos bases RBB sea
muy alta cuando el diodo del emisor no
conduce. Para entender mejor cmo
funciona este dispositivo, vamos a valernos
del circuito equivalente de la figura
siguiente:
Circuito equivalente del UJT
R1 y R2 equivalen a la resistencia de los
tramos de cristal N comprendidos entre los
terminales de las bases. El diodo D equivale a
la unin formada por los cristales P-N entre
el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en
conduccin, la resistencia entre bases es
igual a:
Ecuacin Rbb
Si en estas condiciones aplicamos una
tensin de alimentacin VBB entre las dos
bases, la tensin que aparece entre el emisor
y la base ser la que corresponda en el
circuito equivalente a R1; es decir, en el
divisor de tensin se cumplir que:
2
Ecuacin V1
Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda:
V1 = VBB.
El trmino representa la relacin intrnseca
existente entre las tensiones V1 y VBB.
As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin
intrnseca caracterstica igual a 0,85 y
queremos determinar la tensin que
aparecer entre el terminal de emisor y la
base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con
operar de la siguiente forma:
Segunda Ecuacin V1
Al valor de V1 se le conoce como tensin
intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar
para que el diodo comience a conducir. En
nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de
8V al emisor, ste no conducir, ya que en el
ctodo del diodo D existe un potencial
positivo de 10,2V correspondiente a la
tensin intrnseca, por lo que dicho diodo
permanecer polarizado inversamente. Sin
embargo, si aplicamos una tensin superior a
10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin
de barrera del diodo D), el diodo comenzar
a conducir, producindose el disparo o
encendido del UJT. En resumen, para
conseguir que el UJT entre en estado de
conduccin es necesario aplicar al emisor
una tensin superior a la intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo
conduzca, por efecto de una tensin de
polarizacin directa del emisor respecto a la
base 1, los portadores mayoritarios del
cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal
de tipo N comprendido entre el emisor y
dicha base (recordar que el cristal P est
fuertemente contaminado con impurezas y el
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N dbilmente). Este efecto produce una Equipo de Osciloscopio
disminucin repentina de la resistencia R1 y, Resistencias: 200, 1000, 5100 (Ohmios)
con ella, una reduccin de la cada de tensin Potencimetro de 5K (ohmios)
en la base 1 respecto del emisor, lo que hace Transformador de potencia 120 V, 25V
que la corriente de emisor aumente (primario) a 1 A (secundario)
considerablemente. SCR 2N1596
UJT 2N2160;1N4746
Curva caracterstica de un UJT
Circuito 1:
Mientras la corriente de emisor sea superior
a la de mantenimiento (Iv), el diodo
permanecer en conduccin como si de un
biestable se tratase. Esta corriente se
especifica normalmente en las hojas de
caractersticas y suele ser del orden de 5mA.

En la figura de la derecha, se muestra el

aspecto de una de las curvas caractersticas
de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la
tensin pico que hay que aplicar al emisor
para provocar el estado de encendido del UJT
5. ANEXOS
(recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez Una de las aplicaciones del UJT ms comn es
superada esta tensin, la corriente del como generador de pulsos en diente de
emisor aumenta (se hace mayor que Ip), sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para
provocndose el descebado del UJT cuando
controlar el disparo de la puerta de TRIACS y
la corriente de mantenimiento es inferior a la
SCR.
de mantenimiento Iv (punto Q2).
4 DESARROLLO EXPERIMENTAL En la siguiente figura, se muestra el esquema
de uno de estos circuitos.
Como primero mostraremos los materiales
utilizados en la experiencia del transistor UJT

Materiales:

Fuente de Alimentacin.

3
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Generados de pulso en diente de sierra
mediante UJT
Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar
una tensin VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el
condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este
condensador est conectado al emisor,
cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT
entrar en conduccin. Debido a que el valor
hmico de la resistencia R1 es muy pequeo,
el condensador se descargar rpidamente, y
en el terminal de B1 aparecer un impulso de
tensin. Al disminuir la corriente de
descarga del condensador, sobre el emisor
del UJT, por debajo de la de mantenimiento,
ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo
de carga y descarga del condensador. As, se
consigue que en el terminal de la base 1
aparezca una seal pulsante en forma de
diente de sierra, que puede utilizarse para
controlar los tiempos de disparo de un SCR o
de un TRIAC. Para regular el tiempo de
disparo es suficiente con modificar el valor
hmico de la resistencia variable RS, ya que
de sta depende la constante de tiempo de
carga del condensador.
Control de velocidad de un monitor
mediante SCR y UJT
En la siguiente figura, se muestra una tpica
aplicacin del generador de pulsos de diente
de sierra con UJT para controlar el disparo de
4
un SCR.
Mediante este circuito controlamos la
velocidad de un motor serie (o de cualquier
otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc)
gracias a la regulacin de la corriente que
realiza sobre medio ciclo del SCR. Para
controlar la velocidad del motor, basta con
modificar la frecuencia de los pulsos en
dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potencimetro RS.
5 CONCLUSIONES
Como conclusin sobre el UJT podemos decir que
El transistor de uni-unin (unijunction
transistor) o UJT est constituido por dos
regiones contaminadas con tres terminales
externos: dos bases y un emisor.
Otra conclusin que podemos mencionar es que
el transistor de unijuntura es un tipo de tiristor
que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene
tres terminales denominados emisor (E), base
uno (B1) y base dos (B2). Est formado por una
barra semiconductora tipo N, entre los
terminales B1-B2, en la que se difunde una regin
tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la
barra, lo que determina el valor del parmetro
stand off ratio, conocido como razn de
resistencias o factor intrnseco
BIBLIOGRAFIA
[1] Definicin de rectificador. Marco Terico
[Disponible Online] Web:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutoria
l_General/transistoresUJT.html
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[2] Aplicaciones de un UJT. Anexo [Disponible-
Online] Web:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutoria
l_General/transistoresUJT.html