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CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II
Editorial E.S.I.M.E.
ii
PRÓLOGO
El presente trabajo es una premisa del curso de Electrónica II, en los nuevos
planes y programas de estudio se ha tenido una reducción del tiempo de exposición
de clase substancialmente, por el ajuste realizado en los nuevos planes y
programas de estudio.
D.A.A.
iii
Índice
Contenido Pag.
CAPÍTULO 1.
1 RECTICACIÓN POLIFÁSICA 1
1.1 GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA 1
1.1.1 LEY DE LENZ 1
1.1.2 LEY DE FARADAY 2
1.1.3 UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO 3
MAGNÉTICO
1.1.4 DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY 5
DE FARADAY
1.1.5 DETERMINACIÓN DE LA FORMA DE ONDA DE LA FUERZA 6
ELECTROMOTRIZ
1.1.6 FACTOR DE CRESTA (F.C.) 9
1.2 SISTEMAS POLIFÁSICOS 10
1.2.1 DIFERENCIA DE POTENCIAL 10
1.2.2 SISTEMA DE GENERACIÓN BIFÁSICA 14
1.2.3 SISTEMAS DE GENERACIÓN TRIFÁSICA 17
1.3 TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA 24
1.3.1 SENTIDOS DE TENSIONES Y CORRIENTES DEL
TRANSFORMADOR 24
1.3.2 DIAGRAMAS FASORIALES Y CONEXIONES DE
TRANSFORMADORES TRIFÁSICOS 24
1.4 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA DE CONMUTACIÓN
NATURAL O NO CONTROLADA 28
1.4.1 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA 28
1.4.2 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA 32
COMPLETA
1.4.3 CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA 33
1.4.4 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE 33
ESTRELLA
PRÁCTICA 1 36
PRÁCTICA 2 38
TABLA 1 PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS
CIRCUITOS RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN 40
FILTRO
TABLA 2 CARACTERÍSTICAS DE LOS RECTIFICADORES
POLIFÁSICOS (IDEALES) 41
BIBLIOGRAFÍA 42
iv
Contenido Pag.
CAPÍTULO 2
2 TRANSISTOR MONOUNIÓN 43
2.1 PARÁMETROS 43
2.2 CURVA CARACTERÍSTICA 46
2.3 DETERMINACIÓN DE LAS RESISTENCIAS DE
INTERBASE Y LA RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO 48
2.3.1 RESISTENCIAS DE INTERBASES 48
2.3.2 RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO 49
2.4 RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR 50
CORRIENTE
2.5 CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN 51
2.5.1 SEÑAL DE SALIDA DE DIENTE DE SIERRA 51
2.5.2 SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE 55
EMISOR
2.6 SEÑAL DE SALIDA DE PULSO AGUDO POSITIVO 56
2.6.1 DETERMINA CIÓN DEL TIEMPO DE SUBIDA 56
2.6.2 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA 58
2.7 GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO 62
NEGATIVO
2.7.1 ANÁLISIS DEL CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN
CON ESTABILIZACIÓN DEL VOLTAJE PICO 63
TABLA 1 DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE
PARÁMETROS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN 71
PRÁCTICA 3 72
PRÁCTICA 4 74
BIBLIOGRAFÍA UJT 76
v
Contenido Pag.
CAPÍTULO 3
3 TIRISTORES 77
3.1 TIPOS DE TIRISTORES 78
3.2 DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS 79
3.2.1 CURVA CARACTERÍSTICA 80
3.3 TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE
CONEXIÓN 81
3.3.1 CONSTITUCIÓN GENERAL DEL SCR 81
3.3.2 CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL SCR 82
3.3.3 OPERACIÓN DEL SCR 83
3.3.4 DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR 85
3.3.5 ANALOGÍA DE OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR
CONTROLADO DE SILICIO CON DOS TRANSISTYORES 85
3.3.6 CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR 87
3.3.7 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA DEL SCR 89
3.3.8 CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE
LA LÍNEA DE CARGA 90
3.3.9 TIPOS DE ENCAPSULADOS 91
3.3.10 CARACTERÍSTICAS DE DISPARO DEL SCR 92
3.4 USO DEL UJT PARA EL DISPARO DEL SCR 106
3.4.1 CIRCUITO DE DISPARO CON UJT SINCRONIZADO 106
3.4.2 CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO
UN UJT 111
3.5 TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC) 112
3.5.1 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA 113
3.5.2 APLICACIONES 114
3.5.3 CONEXIÓN ANTIPARALELO 115
3.6 CONTROL DE ÁNGULO DE FASE 116
3.6.1 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA
DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE MEDIA ONDA 117
3.6.2 VALOR MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA CARGA
DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE ONDA COMPLETA 118
3.6.3 EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE
ONDA ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR 119
3.6.4 EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE 120
PRÁCTICA 5 121
PRÁCTICA 6 124
BIBLIOGRAFÍA 126
vi
Contenido Pag.
CAPÍTULO 4
vii
Contenido Pag.
CAPÍTULO 5
viii
1. RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA
Figura 1.1
1
Tenemos que E1=E2. y la corriente cambia de sentido, I1 contrario a I2.
La espira al desplazarse sobre el campo del polo, cambia la cantidad de flujo
abarcado en función de la velocidad; cumpliéndose la LEY DE LENZ, las corrientes
inducidas reaccionan contra el cambio de flujo (reforzándolo o disminuyéndolo), en
forma inversa para ambos costados del conductor, ver figura 1.1.
Figura 1.2
En la figura 1.2, se observa que en el conductor los electrones ( - ) se
concentran en el polo negativo y en el polo positivo hay defecto de electrones ( + ),
2
lo cual nos genera una diferencia de potencial con la polaridad indicada de menos a
más; que corresponde a la fuerza electromotriz inducida.
En la figura No. 1.3, se muestra a una espira que se mueve dentro del
campo magnético y un detalle de las velocidades del conductor.
Figura 1.3
e = Blv
(1.4
= Blvt cos α
e = − Blv
(1.5
= − Blvt cos α
3
Graficando la f.e.m. inducida; tenemos una función sinusoidal
correspondiente al coseno, la cual se muestra en la figura 1.4.
Figura 1.4
De ahí que estrictamente la forma de onda de la f.e.m. inducida es
cosenoidal, en ésta forma de generar la energía eléctrica.
4
1.1.4 DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY DE
FARADAY.
En la figura 1.5, se muestra el desplazamiento de una espira dentro de un
campo magnético uniforme.
Figura 1.5
5
Donde:
B Densidad de campo magnético; Weber/m2 (Wb/m2) o también Tesla (T)
A Área; mts.2 (m2).
φ Flujo; Weber (Wb).
Despejando de la ecuación 1.10 al flujo: φ = BA (1.11
Entonces tomando incrementos tenemos: ∆ φ = B ∆ A (1.12
Substituyendo en la ecuación 1.9 del cambio de flujo.
∆φ
e= (1.1
∆t
Y como la f.e.m. inducida reacciona contra el cambio de flujo para N espiras:
∆ φ
e = −N (1.2
∆t
Que corresponde a la LEY DE LENZ.
Figura 1.6
6
El área total que abarca la espira con su longitud activa es AT = l . D y para
un ángulo de giro dado (α). AT = l . D sen α (1.13
Sustituyendo el área total en la fórmula del flujo de la ecuación No. 1.11
tenemos:
φ = BlD sen α (1.14
Y haciendo a BlD una constante k, entonces:
φ = k sen α (1.15
dφ
Como e = − N de la ley de Faraday , entonces: e = − NBlD cos α (1.16
dt
Tomando a N B l D como una constante k1 entonces: e = − k1 cos α (1.17
Figura 1.7
Vamos a transferir el movimiento rotacional de vueltas por minuto
(revoluciones por minuto) a grados sexagesimales.
La velocidad rotacional (velocidad angular) por lo general se acostumbra a
dar en rpm, así:
7
El periodo de la onda será el tiempo transcurrido en una revolución o ciclo,
asignándole la letra T , se tiene el tiempo del recorrido de una onda completa en un
ciclo y será expresado en segundo / ciclo, de tal forma que resulta la inversa de la
frecuencia:
seg ciclo 1
T= Y f = ; Tenemos que: f= (1.18
ciclo seg T
Las expresiones quedan dadas como una función del tiempo a cualquier
frecuencia.
El ángulo de desplazamiento expresado en radianes, dado que α = ωt,
8
1.1.6 FACTOR DE CRESTA (FC).
Figura 1.8
9
1.2 SISTEMAS POLIFÁSICOS
10
1.2.1.1 Notación para la corriente.
Figura 1.9
b) Empleando la notación de doble subíndice, como se muestra en el
diagrama eléctrico de la figura 1.10, para la corriente Iab el cual define que la
corriente fluye de la terminal a hacia la terminal b.
Figura 1.10
Los dos métodos indican la dirección de circulación de la corriente en un
instante, en el que se considera para una corriente alterna, durante el semiciclo
positivo del perfil de la forma de onda.
Figura 1.11
11
b) Empleando la notación de doble subíndice, para el cual es necesario
identificar los elementos del circuito con literales (normalmente) o números,
mostrándose en la figura 1.12.
Figura 1.12
Para la d.d.p. Vab en la resistencia el punto a estará a un potencial mayor
Figura 1-13
12
b) En el diagrama de la figura 1.14, se presenta la suma fasorial, partiendo
del origen para el circuito de la figura 1.12 (para elementos L y C reales).
Figura 1.14
En el método de notación de doble subíndice el orden de los subíndices nos
indica la dirección de la caída de potencial (cuando la tensión está en el semiciclo
positivo), observemos en los diagramas eléctricos que las flechas que indican la
dirección de corrientes, corresponden al mismo sentido que las caídas de potencial,
ya que la corriente convencional circula en el sentido de los potenciales
decrecientes.
En el diagrama eléctrico tendremos: Vad = Vab + Vbc + Vcd (1.25
13
En la ecuación 1.27, vemos que los subíndices medios (subrayados) de la
suma segundo miembro de la ecuación, se cancelan dando los subíndices del
parámetro del primer miembro de la ecuación. Éste método de análisis es muy útil,
cuando se tienen muchas componentes de un circuito o se trata de un circuito
complejo (como lo es un sistema polifásico).
Figura 1.15
14
E AB = E AN − E BN
AB igual a:
E AB = E A N + E N B (1.30
E AB = 2 E AN ∠135º (1.31
E AB = E AN − E BN
= E∠90º + E∠180º
= E (cos 90º + j sen 90º ) + E (cos 180º + j sen 180º )
(1.32
= E ( −1 + j1 )
= 2 E∠135º
Los valores instantáneos que toma el fasor, son representados por una
función temporal, la cual podrá ser dada por una función seno o coseno, y en
nuestro caso tomaremos el seno.
En la figura 1.15, se muestra la función temporal de los tres fasores en el
que se observan sus ángulos de defasamiento y el valor de sus amplitudes, en
función del valor eficaz de la tensión fase a neutro (todas la gráficas de valores
temporales tratadas en el texto serán en función del valor eficaz); corroborando que
la tensión instantánea entre fases es la diferencia de los valores de eAN menos
eBN .
15
Ecuaciones de las funciones temporales de los fasores.
eAN = 2 E sen(ωt + 90º )
eBN = 2 E sen(ωt )
(1.33
eAB = 2 E sen(ωt + 135º )
= 2 E sen(ωt − 225º )
En la representación fasorial tenemos la alternativa de adoptar la secuencia
negativa, la cual es causada por el cambio de giro del alternador, figura 1.16.
Figura 1.16
Las ecuaciones fasoriales serán:
E AN = E∠ − 90º
E BN = E∠0º
E AB = E AN − E BN
= E AN + E NB
(1.34
= 2 E∠ − 135º
Las expresiones matemáticas para los valores instantáneos está dado por
las mismas funciones temporales de la ecuación 1.33; dado que son variables
dependientes del ángulo de rotación (consecuentemente también del tiempo) y
conservan los mismos ángulos de defasamiento (90º en los dos sentidos de giro).
Visto de otra forma, consideremos los ángulos medidos en el sentido positivo
en el diagrama fasorial; teniéndose las funciones siguientes:
e AN = 2 E sen( ωt − 270º ) = 2 E sen( ωt + 90º )
eBN = 2 E sen( ωt ) (1.35
e AB = 2 E sen( ωt − 225º ) = 2 E sen( ωt + 135º )
De ésta manera podemos corroborar que son las mismas funciones
temporales.
16
1.2.3 SISTEMA DE GENERACIÓN TRIFÁSICA.
Figura 1.17
17
1.2.3.1 Análisis del sistema delta.
En la figura 1.-18, se ha representado a los devanados del generador con
las posiciones que toman los fasores en el plano complejo (así se acostumbra),
indicando su ángulo relativo entre las tensiones generadas por fase.
Figura 1.18
La conexión delta de la figura 1.18, corresponde a la secuencia positiva
porque se han efectuado la conexión de los puntos AC’, BA’ y CB’.
Se tiene que las tensiones de fase ( Ef ) y las tensiones de línea ( El ) son las
mismas, la cual la designaremos como E, al módulo del fasor ( valor eficaz ).
Las ecuaciones fasoriales para secuencia positiva en notación polar serán:
Figura 1.19
18
Funciones temporales de la conexión delta de secuencia positiva.
eAB = 2E sen( ωt )
eBC = 2E sen( ωt − 120º ) (1.37
eAB = 2E sen( ωt )
eBC = 2E sen( ωt + 120º ) (1.39
19
Ecuaciones fasoriales de la conexión estrella de secuencia positiva.
E AB = E AN − E BN
= E AN + E NB
= E∠0º + E∠60º
= E(cos0º + j sen0º ) + E(cos60º + j sen60º )
= E( 3 2 + j 3
2 ) (1.41
= 3E( 3
2 + j 12 )
= 3E(cos 30º + j sen 30º )
= 3E∠30º
20
Diagrama fasorial de la conexión estrella, figura 1.20.
Figura 1.20.
eAN = 2E sen( ωt )
eBN = 2E sen( ωt − 120º )
eCN = 2E sen( ωt + 120º )
(1.42
eAB = 3 2E sen( ωt + 30º )
eBC = 3 2E sen( ωt − 90º )
eCA = 3 2E sen( ωt + 150º )
21
Gráficas de las funciones temporales conexión estrella de secuencia
positiva, figura 1.21.
Figura 1.21.
Ecuaciones fasoriales de la conexión estrella con secuencia negativa.
E AA' = E AN = E AN ∠0º = E∠0º
= 3E( 0 + j1 )
= 3E(cos 90º + j sen90º )
= 3E∠90º
22
En los diagramas fasoriales de la conexión estrella de secuencia negativa,
figura 1.20, concluimos que se llegan a los mismos resultados de la secuencia
positiva, con respecto a magnitudes y ángulo de fase.
eAN = 2E sen( ωt )
eBN = 2E sen( ωt + 120º )
eCN = 2E sen( ωt − 120º )
(1.45
eAB = 3 2E sen( ωt − 30º )
eBC = 3 2E sen( ωt + 90º )
eCA = 3 2E sen( ωt − 150º )
Se hace notar que las funciones temporales de ambos sistemas difieren en
el ángulo de fase y ésta condición operativa afecta a equipos eléctricos y/o
electrónicos.
23
1.3 TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA.
Una forma sencilla de acondicionar o modificar las tensiones alternas se
realiza por medio de transformadores, aprovechando el fenómeno de inducción de
tensiones, en el cual se varía el flujo sobre un conductor estacionario.
En sistemas trífásicos se tiene la alternativa de modificar las tensiones por
dos métodos:
a) Por medio de un transformador del tipo trifásico.
b) Por medio de tres transformadores del tipo monofásicos (preferentemente
de características idénticas).
Figura 1.22
24
Estrella – Estrella simples
25
Delta serie - Hexafásico
26
Figura 1.23
27
1.4 RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA DE CONMUTACIÓN NATURAL
O NO CONTROLADA.
Figura 1.24
28
En el circuito rectificador vemos que se tiene un devanado secundario de
transformación en conexión estrella con neutro, por el cual se tiene el retorno de la
corriente que circula en los diodos rectificadores. Su operación se entenderá por el
análisis de la forma de onda de la figura 1.25, en donde podemos concretar que el
diodo que estará en conducción será el de mayor valor de tensión instantánea
positiva aplicada, la cual polarizará directamente al dispositivo correspondiente.
Figura 1.25.
Tomando como referencia las gráficas de la rectificación para los valores
instantáneos (temporal), podemos hacerlo extensivo para un circuito de m
conmutaciones por ciclo, donde tendremos que el tiempo de conmutación abarcado
será 2π/ m, expresado en grados sexagesimales o radianes, figura 1.26, condición
que requiere que circule corriente en forma continua por la carga (durante éste
tiempo). Se hace la observación que las fórmulas que se determinan a
continuación, no son aplicables al circuito rectificador monofásico de media onda.
Figura 1.26
29
Tensión media en la carga (VCC), la determinación de la tensión es para
condiciones ideales y carga resistiva pura.
En general el valor medio:
1 T
T ∫0
VCC = v( ωt )d( ωt ) (1.46
Aplicada para una función tipo v = Vmax sen( ωt ) , de la figura 1.26, tenemos:
π π
1 +
VCC =
2π ∫π 2 m
−
2 m
π Vmax sen ( ωt ) d( ωt )
m
π π
m +
= Vmax [ − cos( ωt )] 2 m
π π
2π −
2 m
m π π π π
=Vmax − cos + − cos −
2π 2 m 2 m
Recordando las identidades trigonométricas:
cos( 90º +θ) = − sen θ
cos( 90º − θ) = sen θ
Substituyéndolas.
m π π
VCC = Vmax − − sen − sen
2π m m
π
sen
m
= Vmax (1.47
π
m
Sintetizando.
π
α= (1.48
m
senα
VCC = Vmax (1.49
α
30
Potencia en la carga (PCC).
2
sen α
2
Vmax
PCC = I CCVCC = (1.51
RL α
Aplicada para una función tipo v = Vmax sen( ωt ) , figura 1.26, tenemos:
1
π π
m + 2
VCA = ∫ π2 − mπ max
2 m 2
ω ω
2
V sen ( t )d( t ) (1.53
2π
Efectuando la integración.
1
V m 2π 2
VCA = max 1 +
2π sen (1.54
2 m
Sintetizando.
π
α= (1.55
m
La tensión eficaz en la carga.
Vmax sen(2α ) 1
VCA = 1+
2
(1.56
2 2α
PCA = VCA I CA
2
Vmax sen(2α ) (1.58
= 1 +
2RL 2α
31
1.4.2 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA.
Figura 1.27
Las conmutaciones de los diodos se efectúa en forma natural para un ángulo
de conducción de 60º sexagesimales, figura 1.28, en la cual se observa la
conducción de los diodos tanto para el semiciclo positivo como negativo, así como
las funciones temporales de las tensiones entre fases aplicada al puente
rectificador.
Figura 1.28
32
1.4.3 CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA.
Figura 1-29
Figura 1.30
33
Las tensiones de los puntos comunes de las estrellas están defasados 180º
sexagesimales, los cuales son conectados al reactor de interfase y su punto central
de éste, es la salida de conexión hacia la carga.
En cualquier instante la corriente es suministrada por dos fases, una en cada
estrella y de regreso la corriente es dividida entre los dos secundarios por el reactor
de interfase.
1 150º
2π ∫ 30º
VCC = 3 Vmax sen( ωt )d( ωt )
3V
= max [ − cos( ωt )] 150º
2π
30º
3V
= max [ − cos150º + cos 30º ]
2π
3V
= max [ cos 30º + cos 30º ]
2π
3V 3
= max 2
2π 2
3 3
= Vmax = 0.827 Vmax
2π
34
De la fórmula 1.49
senα π π
VCC = Vmax ; como: α= =
α m 3
180º
= = 60º
3
Substituyendo el valor del ángulo:
3
sen60º 2 = 3 3 V = 0.827 V
VCC = Vmax = Vmax
π π 2π
max max
3 3
Observando los resultados anteriores concluimos que se llega al mismo
valor por los dos métodos; por lo tanto para la tensión de 127 V, la tensión media
será:
VCC= 1.169 × 127=148.5 V.
1 3Vmax
[ − cos( ωt )]
120º
VCC = 6 ∫ Vmax sen( ωt )d( ωt ) = 120º
2π π
60º 60º
3Vmax 3Vmax 3
= [ − cos120º + cos60º ] = [ 2 cos60º ] = Vmax = 0.955Vmax = 1.35Vef
π π π
Por la fórmula 1.49
senα π π
VCC = Vmax donde α= = = 30º
α m 6
1
= Vmax 2 = 3 V = 0.955 V = 1.35 V
π π
max max ef
6
De la misma forma que en el problema 1, observando los resultados y
concluyendo que se llega al mismo valor por los dos métodos; por lo tanto para la
tensión de fase de127 V, la tensión media será :
35
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 1
RECTIFICACION POLIFÁSICA.
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la
experimentación, el comportamiento de los rectificadores polifásicos de
conmutación natural, energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los
parámetros de cada tipo de rectificador utilizado.
3. Procedimiento.
3.1 Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2 Verifique el buen estado de los componentes del circuito, reemplazando
los elementos, sí es el caso.
3.3 Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la
consola de pruebas, para el grupo de conexiones 1, 3 y 5 de la figura 1-23
(consulte los apuntes, conexiones estrella-estrella simples delta-estrella series y
delta serie-hexafásico, conexiones con los devanados simples de alta y baja
tensión). Los transformadores monofásicos que integran la maqueta de
experimentación son de las siguientes características: 120 V -120 V / 15 V - 15 V y
50 VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Ω a 10 W.
3.4 Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente
trifásica a un valor de 120 V de fase ( la salida de la fuente trifásica del tablero de
prueba, integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en
conexión estrella con acceso al neutro ).
3.5 Energice la maqueta de experimentación através de los fusibles
invariablemente.
3.6 Toma de lecturas:
a) En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b) En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y carga.
c) Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de onda
en la fuente de alimentación de corriente alterna(baja tensión), diodos y en la carga.
36
d) Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.
4 Cuestionario.
4.1 Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores, tratados en la
práctica.
4.2 De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿ cual es el
circuito más eficiente y porque?.
4.3 De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en
la industria.
4.4 ¿ Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los
diodos está en circuito corto o en circuito abierto?.
4.5 Mencione las ventajas de utilizar el rectificador trifásico, en lugar del
rectificador monofásico.
4.6 Investigue las ventajas y desventajas de la rectificación trifásica,
realizada con transformadores monofásicos y con transformadores trifásicos.
37
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 2
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la
experimentación, el comportamiento de los rectificadores polifásicos de
conmutación natural, energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los
parámetros de cada tipo de rectificador utilizado.
3. Procedimiento.
3. 1 Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2. Verifique el buen estado de los componentes del circuito,
reemplazando los dañados, sí es el caso.
3.3 Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la
consola de pruebas, para el grupo de conexiones 2, 4, 6, 7 y 8 de la figura 1-23 (ver
los apuntes, conexiones estrella/delta simples, delta/delta series, delta serie / zig-
zag, delta serie/doble estrella y delta abierta/delta abierta series, que incluye los
devanados de alta y baja tensión). Los transformadores monofásicos que integran
la maqueta de experimentación son de las siguientes características: 120 V -120 V /
15 V - 15 V y 50 VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Ω
a 10 W.
3.4 Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente
trifásica a un valor de 120 V de fase (la salida de la fuente trifásica del tablero de
prueba, integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en
conexión estrella con acceso al neutro).
3.5 Energice la maqueta de experimentación através de los fusibles
invariablemente.
3.6 Toma de lecturas:
a) En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b) En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y en la carga.
38
c) Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de
onda en la fuente de alimentación de corriente alterna (baja tensión),en los diodos y
en la carga.
d) Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.
4. Cuestionario.
4.1 Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores tratados en la
práctica.
4.2 De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿cual es el
circuito más eficiente y porque?.
4.3 De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en
la industria.
4.4 ¿Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los
diodos está en circuito corto o en circuito abierto?.
39
TABLA 1, PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN FILTRO
40
TABLA 1(Continuación).
Potencia en el PD I 2 cc rD I 2 cc I 2 cc
Diodo rD rD
4 4
m 2 3 4 6 12
Tensión sen α 0.637 Vmax 0.827 Vmax 0.900 Vmax 0.955 Vmax 0.989 Vmax
media en la VCC = Vmax
carga
α
π 180
α = rad = grad
m m
Tensión
eficaz en la 0.707 VMax 0.841 Vmax 0.905 Vmax 0.956 Vmax 0.989 Vmax
Vmax sen 2α
carga VCA = 1+
2 2α
Factor de
forma VCA 1.110 1.016 1.005 1.001 1.000
Decimal F=
VCC
Indice de
ondulación V 'CA 0.482 0.183 0.098 0.042 0.001
Decimal β=
VCC
41
BIBLIOGRAFÍA
42
2. TRANSISTOR MONOUNIÓN
2.1 PARÁMETROS
Figura 2.1
43
barra se le aplica una impurificación de éste tipo y a la región del emisor se le
suministra una impurificación tipo N.
Donde:
RBB Resistencia de base 1 (uno) a base 2 (dos), Ohm (Ω).
RB1 Resistencia del cátodo del diodo a la base 1 (uno),Ohm (Ω).
RB2 Resistencia del cátodo del diodo a al base 2 (dos), Ohm (Ω).
Figura 2.2
44
En el diagrama equivalente del transistor monounión de la figura 2.3, para la
tensión de emisor nula (VE = 0) y la d.d.p. de interbases distinto de 0 (VB12 ≠ 0), la
terminal de conexión de la base 2 (dos) es positiva respecto a la terminal de
conexión de la base 1 (uno) y el diodo se encuentra polarizado inversamente
através del divisor de voltaje, formado por las resistencias internas del transistor.
Figura 2.3
VRB 1 = I B RB1
VB12
= RB1
RBB
RB1
= VB12 (2.2
RBB
= ηVB12
RB1
η= (2.3
RBB IE = 0
45
siendo el momento en el que empieza a fluir la corriente de emisor (IE) através de la
resistencia RB1; el voltaje pico está dado por la ecuación 2.4.
V = ηV +V (2.4
P B12 D
Se tiene que el voltaje del diodo (VD) es del orden de 0.35 V a 0.7 V y
tomado como ideal sería 0 V, por lo que en algunas ocasiones para análisis rápido
tomamos en forma práctica la ecuación 2.5.
VP = ηVB12 (2.5
Figura 2.4
46
Ésta es una curva cualitativa para una tensión de polarización constante
(figura .2.4); en la región de corte el diodo de emisor está polarizado
inversamente, circula una corriente de emisor de fuga (IEO) del orden de
nanoampers (nA), equivalente a la corriente inversa de un transistor de unión de
silicio (ICO), menor que cualquier valor de corriente de polarización directa. La
región de corte termina en el punto pico en el que la tensión de emisor es igual al
voltaje pico (VE = VP), punto en el que se establece la circulación de la corriente de
emisor al valor de la corriente pico (IP); la corriente pico es un parámetro dado por
el fabricante con valores típicos de 2 a 50 µA, cabe mencionar que los parámetros
de corriente pico y voltaje pico son dependientes de la temperatura en razón
inversa.
En la figura 2.4, al aumentar la corriente de emisor a partir del valor pico, se
inicia una disminución del voltaje de emisor hasta un valor mínimo llamado voltaje
valle (VV), correspondiente a la corriente valle (IV).
El voltaje valle toma valores típicos entre 1 y 4 V, según el dispositivo
seleccionado y junto con la corriente valle de 1 a 25 mA sus valores son dados por
el fabricante.
La región de resistencia negativa queda limitada por el punto pico y punto
valle de la curva característica.
La región de saturación se localiza a la derecha del punto valle, en el que a
incrementos de la corriente de emisor se aumenta el voltaje de emisor,
comportándose el dispositivo como un diodo rectificador (parte baja de la curva).
La característica de entrada de un transistor monounión típico, figura 2.5,
son suministradas por el fabricante a una temperatura de 25º C.
Figura 2.5
47
2.3 DETERMINACION DE LAS RESISTENCIAS DE INTERBASE Y
LA RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.
Figura 2.6
R RVBB
ER = VBB ∴ RBB = −R (2.6
R + RBB ER
48
2.3.2 RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.
Con el auxilio del circuito, figura 2.7, podemos determinar la razón intrínseca
de bloqueo en el que la tensión máxima aplicada a la terminal de emisor
corresponderá a la tensión pico.
Figura 2.7
η〈1
49
2.4 RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR LA CORRIENTE
Figura 2.8
50
2.5 CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN.
El dominio de los dispositivos electrónicos hasta hace poco tiempo fue de los
circuitos osciladores sinusoidales, aun cuando varios tipos de osciladores de
relajación fueron diseñados por especialistas para formas de onda no sinusoidales;
de las formas de onda más comunes podemos mencionar: cuadrada, rectangular,
diente de sierra, triangular y trapezoidal. En la mayoría de los generadores de onda
no senoidales, se basan en el tiempo de carga y descarga de un capacitor através
de una resistencia (circuito RC), estableciendo la frecuencia de oscilación o
intervalo de relajación; para dispositivos electrónicos de estado sólido aplicado a
circuitos osciladores y temporizadores.
En el circuito oscilador a base de transistor monounión (UJT), figura 2.9,
tenemos un generador de 3 (tres) pulsos de salida: el primero es un pulso positivo
que se obtiene en base 1 (B1), un pulso negativo en base 2 (B2) y un pulso tipo
diente de sierra en el emisor (E).
Figura 2-9
51
Figura 2.10
52
La tensión de carga del capacitor para valores instantáneos está dado por la
ecuación 2.9.
t
−
vCE = VBB + Ae τ
, τ = RE CE (2.9
t
−
Teniéndose: vCE = VBB ( 1 − e τ
)
(2.10
V p = ηVBB
1
t1 = RE CE ln (2.11
( 1 −η )
1
t1 = 2.3RE CE log (2.12
( 1 −η )
53
Para la tensión del condensador.
t
−
vCE = VBB + (VV − VBB )e τ
(2.13
t
−
ηVBB = VBB + (VV − VBB )e τ
Despejando a η
VV − VBB − τ ( η − 1 )VBB
t t
−
η = 1+ e , teniéndose: =e τ
VBB VV − VBB
Como η 〈 1 y VV 〈 VBB multiplicamos el numerador y el denominador por -1.
( 1 − η )VBB 1
= t
VBB − VV
eτ
VBB − VV
t1 = RE CE Ln (2.14
( 1 − η )VBB
54
2.5.2 SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE EMISOR.
Figura 2.11
VBB − VP
RE max = (2.15
IP
VBB − VV
RE min = (2.16
IV
El valor de la resistencia de emisor tendrá el intervalo.
55
En la práctica se recomienda que el valor menor seleccionado de la
resistencia de emisor, sea de 2 a 3 veces el valor de la resistencia de emisor
mínima calculada (RE = 2 a 3 RE min), con el objeto de evitar que el transistor se
sature y deje de oscilar.
Figura 2.12
R1
VB1 = VR1 = VP (2.18
R1 + R' B1
56
El voltaje pico en función de la d.d.p. de interbases de la ecuación 2.5. será:
VP = η VB 12
RBB
VB12 = VBB (2.19
R1 + RBB
η RBB
VP = VBB (2.20
R1 + RBB
η RBB R1
VB1 =VR1 = VBB (2.21
( R1 + R'B1 ) ( R1 + RBB )
Teniendo la ecuación 2.13.
t
−
vCE = VP = VBB + (VV − VBB ) e τ
; τ = RE CE
t
−
ηVB12 = VBB + ( VV − VBB )e τ
V −V
t1 = RE CE Ln BB V (2.22
VBB − ηVB12
t1 = RE CE Ln
(VBB − VV ) ( R1 + RBB ) (2.23
VBB RBB (1 − η ) + R1
57
2.6.2 DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA
R1
V 'B1 = V 'R1 = VV (2.24
R
1 + R' B1
t
−
vC = V0 e RC
(2.26
Donde:
VC = VV , V0 = VP , R = R1 + R’B1 , C = CE y t = t2 .
Tenemos:
t2
−
VV = VP e τ
, τ = ( R1 + R' B1 )CE (2.27
Despejando al tiempo t2 :
VP
t2 = ( R1 + R' B1 )CE Ln (2.28
VV
58
Problema 1. Diseñe un circuito oscilador de relajación con transistor
monounión (UJT), que tenga una frecuencia de oscilación de 1 KHz y una espiga
de tensión máxima en la base 1 (VB1) de 5.0 V; dibuje el circuito final, el perfil de la
ondas de salida en emisor (VE) y base 1 (VB1). Se va ha emplear el transistor 2N492
de las siguientes características: RBB = 6 KΩ, fmax = 0.9 MHz, η = 0.56, PD = 0.5 W,
IP = 4 µA, IV = 19 mA, VV = 2.7 V y VD = 0.7 V.
Solución:
Circuito propuesto del transistor monounión.
Figura 2-13
η RBB R1VBB
VB1 = VR1 =
( R1 + R'B1 )( R1 + RBB )
De los datos aportados tenemos las incógnitas del voltaje de polarización
(VBB) y la resistencia (R1), por lo que la corriente valle (IV) y voltaje valle (VV), se
tienen como base y podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca en
conducción de base 1 (R’B1) de 50 Ω adicionada a la resistencia externa de la base
1 (R1); en función de los parámetros de la caída de potencial y corriente valle, así:
VV
R1 + R' B1 = (2.29
IV
Substituyendo valores y despejando a R1.
2.7
R1 = − 50 = 92Ω
19 × 10 −3
59
La diferencia de potencial de interbases (VB12) se determina por la ecuación
2.19, en condiciones de corte del transistor.
RBB 6000
VB12 = VBB = 14 = 13.79 V
R1 + RBB 92 + 6000
R1 92
V ' B1 = V ' R1 = VV = 2.7 = 1.7 V
R1 + R' B1 92 + 50
VBB − VP 14 − 7.72
RE max = = = 1.57 M Ω
IP 4 x 10 −6
V − VV 14 − 2.7
RE min = BB = = 594.7 Ω
IV 19 × 10 −3
Rango de resistencia de emisor.
t2 50 × 10 −6
CE = = = 0.3 × 10 -6 F = 0.3 µ F
V 7.72
( R1 + R'B1 ) Ln P 142 Ln 2.7
VV
60
De la ecuación 2.22, despejamos a la resistencia de emisor (RE).
t1 0.95 x 10 − 3
RE = = = 5 388 Ω
CE Ln VBB − VV − 6 14 − 2.7
VBB − ηVB12 0.3 x 10 Ln 14 − ( 0.56 x 13.79 )
R1 92
V '' R1 = VBB = 14 = 0.21 V
R1 + RBB 92 + 6000
Figura 2.14
61
2.7 GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO NEGATIVO.
10 000
R2 = (2.30
ηVBB
62
Transistores con matrícula 2N489 MIL, 2N1671A, 2N1671B y 2N2160.
0.40 RBB ( 1 − η ) R1
R2 ≅ + (2.31
η RBB η
El fabricante de dispositivos electrónicos Motorola, recomienda los siguientes
valores:
R2 = 0.015 RB B η VB B (2.32
V”B1
Figura 2.15
63
Determinación del tiempo de subida (t1), tomando la sección continua del
pulso de salida en emisor.
De la ecuación 2.5 despreciando la tensión de la unión PN (VD).
V = ηV
P B12
La diferencia de potencial entre las terminales de base 1 y base 2 estando el
transistor en corte, está dado por el divisor de tensión.
RBB
VB12 = VBB (2.34
R1 + R2 + RBB
R1 RBBηVBB
VB1 = (2.36
( R1 + R' B1 ) ( R1+ R2 + RBB )
64
Determinación del tiempo de bajada.
Las condiciones operativas del transistor monounión son las mismas que
para el caso de considerar exclusivamente a la resistencia R1 , en la determinación
del tiempo de bajada (t2), por lo que aplicaremos las ecuaciones 2.24 y 2.28
respectivamente.
R1
V ' B1 = VV
R1 + R' B1
VP
t2 = ( R1 + R' B1 )CE Ln
VV
Por otro lado la diferencia de potencial en base 1, estando el transistor
monounión en estado de corte.
R1
V '' B1 = VBB (2.37
R1 + R2 + RBB
RB1
η=
RBB I E =0
RBB − RB1
=
RBB
RB2
=
RBB
Despejando a RB2.
RB 2 = ( 1 - η ) RBB (2.38
65
Problema 2. Al circuito del problema 1, adicionarle la resistencia de
estabilización por temperatura, para las mismas condiciones operativas del circuito.
Solución:
La d.d.p. máxima de base 1, está dada por la ecuación 2.36, cuyo dato es de
5 V.
R1 RBB η VBB
VB1 = VR1 =
( R1 + R'B1 ) ( R1 + R2 + RBB )
Analizando vemos que tenemos 3 (tres) incógnitas R1 , R2 y VBB.
De la ecuación 2.33.
R2 = 0.15 RBB
= 0.15 x 6000 = 900 Ω
Los datos de la corriente valle y voltaje valle no han variado por lo que el
valor de la resistencia R1 será el mismo al del problema 1.
R1 = 92 Ω
Despejando de la ecuación 2.36 a la tensión de polarización (VBB), y
substituyendo valores.
VR1 ( R1 + R' B1 )( R1 + R2 + RBB )
VBB =
R1η RBB
5( 92 + 50 )( 92 + 900 + 6 000 )
= = 16 V
92( 0.56 )( 6 000 )
La diferencia de potencial de interbases (VB12), se calcula por la ecuación
2.34.
RBB
VB12 = VBB
R1 + R2 + RBB
6000
= 16.05 = 13.72 V
92 + 900 + 6000
La tensión pico de la ecuación No. 2.5 despreciando la tensión de la unión
PN (VD).
VP = ηVB12
= 0.56 x 13.72 = 7.68 V
66
Voltaje en base 1 (V’B1) estando el emisor en saturación, el cual es el mismo
que en el problema No. 1.
V’B1 = 1.7 V
16 − 7.68
= = 2.08 M Ω
4 × 10 −6
VBB − VV
RE mín =
IV
16 − 2.7
= = 700 Ω
19 × 10 −3
50 × 10 −6
= = 0.337 × 10 -6 F = 0.337 µF
7.68
142 Ln
2.7
Despejando de la ecuación 2.22, a la resistencia de emisor y substituyendo
valores.
t1
RE =
VBB − VV
CE Ln
VBB − ηVB12
67
0.95 × 10 −3
= = 6004 Ω ≅ 6 K Ω
16 − 2.7
0.337 × 10 −6 Ln
16 − ( 0.56 )( 13.72 )
El valor de la resistencia de emisor se encuentra dentro del rango calculado.
92
= ( 16 ) = 0.21V
92 + 900 + 6000
Figura 2.16
68
A partir de los diagramas equivalentes funcionales podemos aproximar las
formas de onda para los tres estados definidos de operación del dispositivo, los
cuales se ilustran en la figura 2.17.
Figura 2.17
Para el estado de corte del transistor monounión.
D.d.p. en la base 2.
RBB + R1
V '' B 2 = VBB
R1 + R2 + RBB
6 000 + 92
= 16 = 13.94V
92 + 900 + 6 000
69
D.d.p. en base 2.
RB 2 + R' B1
VB 2 = VB1 + (VBB − VB1 )( )
R2 + RB 2 + R' B1
2 640 + 50
= 5 + ( 16 − 5 ) = 13.24 V
900 + 2 640 + 50
La d.d.p. en base 2.
RB 2 + R' B1
V ' B 2 = V ' B1 + (VBB − V ' B1 )
R2 + RB 2 + R' B1
2 640 + 50
= 1.7 + ( 16 − 1.7 ) = 12.415 V
900 + 2 640 + 50
Figura 2.18.
70
TABLA 1, DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE
PARÁMETROS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN
(UJT).
71
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 3
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprobar la forma de operar del transistor monounión y
determinar sus parámetros.
3. Procedimiento.
3.1 Empleando el óhmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según
se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.
72
2. ; reporte los parámetros pico y valle del transistor. Para una tensión de polarización de 10 V y 20
V.
3.4 Resultados.
3.5 Conclusiones.
3.6 Preguntas.
73
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ll
PRÁCTICA 4
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender la forma de operar del transistor monounión
como dispositivo de relajación y determinar experimentalmente sus parámetros.
2. Equipo y material a emplear.
1 Pz Fuente de tensión variable de C,D.
1 Pz Osciloscopio de doble trazo.
1 Pz Multímetro.
1 Pz Potenciómetro 1 MΩ - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pz Potenciómetro 20 KΩ - 0.5 W (lineal preferentemente).
1 Pz Resistencias 100 Ω, 470 Ω y 1 K Ω a 0.5 W.
1 Pz Capacitores 0.01 µF, 0.05 µF, 0.1 µF, 0.5 µ F y 1.0 µF a 50 V C.D.
1 Pz Transistor 2N 2646.
3. Procedimiento.
3.1 Empleando el óhmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según
se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.
74
c) Modifique la posición de los potenciómetros a su valor mínimo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.
d) Modifique la posición de los potenciómetros a su valor máximo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.
f) Grafíque el periodo de conmutación del transistor para los diferentes valores del
capacitor.
3.4 Resultados.
Corrobore teóricamente los resultados y formas de onda del circuito.
3.5 Conclusiones.
75
BIBLIOGRAFÍA
REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
1 Digital Logic Sol Libes Hayden 1978
Circuits
2 SCR MANUAL Staff General Electric General Electric 1979
3 Electrónica Teoría Robert Boylestad y Prentice Hall 1983
de circuitos Louis Nashelsky Hispano Americana
4 Principios de Albert Poul Malvino Mc. Graw Hill 1986
electrónica
5 Electrónica IV Raúl Ruiz Meza Edit. E.S.I.M.E.-I.P.N. 1977
6 Semiconductor Brinton B. Mitchell Rinehart Press 1970
Pulse Circuits
7 Experimentos con Howard H. Gerrish Limusa 1976
transistores y
semiconductores
8 Dispositivos Margarita García B. Edit. E.S.I.M.E,-I.P.N. 1988
electrónicos tomo Arturo Cepeda S.
II
9 Power Electronics W. Shephed & L. N. Cambrige University 1987
and Motor control Hulley
10 The Electronics Staff of Research and 1988
Problem Solver Education Association
11 Laboratorio Joel Ruiz de Aquino Alhambra Mexicana 1977
Integral de
Electrónica
76
3. TIRISTORES
77
En un tiristor como lo es el SCR (Silicon Controlled Rectifier), su control se
efectúa por medio de un electrodo de mando llamado puerta (del inglés gate),
gatillo o compuerta, cuya acción se menciona comúnmente como disparo,
consistente en una señal eléctrica aplicada a la puerta que hace que entre en
conducción y/o permanezca
en estado de bloqueo el dispositivo (en no conducción); mientras no se aplique
ésta señal el dispositivo no cambiará de estado (condiciones normales de
operación), ésta acción de disparo precisa el tiempo de aplicación de la señal,
implicando que tanto la señal de mando o de control, como la señal a controlar;
sean ambas función del tiempo y concurran en un determinado instante.
En el caso de estar el SCR en un rectificador como elemento principal de
control de la energía, la acción de control sobre éste permitirá variar a voluntad el
valor medio de la tensión entregada por el rectificador.
En relación con las propiedades de los dispositivos semiconductores y los
de gas, podemos enumerar las ventajas del SCR sobre el TIRATRÓN (que
hicieron el desplazamiento de éste último)
a) No necesita precalentamiento y por consiguiente no consume energía por éste
concepto.
b) Volumen reducido, por ser un elemento de estado sólido.
c) Resistente a impactos y aceleraciones, por ser un elemento de estado sólido.
d) Posibilidad de operación en cualquier posición.
e) Insensibilidad a las sobrecargas (dentro de sus rangos de operación).
f) Vida media muy larga.
g) Velocidad elevada de conmutación, aplicación a rectificadores (velocidad
normal) y a inversores (rápidos).
h) Poca dependencia de la corriente.
78
3.2 DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS.
Figura 3.1
79
3.2.1 CURVA CARACTERÍSTICA.
Figura 3.2
ID Corriente de fuga de polarización directa.
IR Corriente de fuga de polarización inversa.
VFDM Voltaje de polarización directo máximo.
VRR Voltaje inverso de ruptura.
IH Corriente de mantenimiento o de sostenimiento (holding).
IFAV Corriente media.
Figura 3.3
80
3.3 TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE
CONEXIÓN.
Dispositivo semiconductor biestable (estado conmutable de bloqueo a
conducción y viceversa), pero con la particularidad de que la acción de disparo
sólo puede producirse en un solo cuadrante de la curva característica tensión
contra corriente correspondiente al ánodo - cátodo. La forma de disparar al tiristor
através de su compuerta de mando da como resultado dos tipos de dispositivo:
Figura 3.4
81
En términos cualitativos podemos
decir que el SCR está construido de la
forma siguiente:
82
3.3.3 OPERACIÓN DEL SCR.
El dispositivo tiene dos condiciones de operación estables que son los
estados de bloqueo y conducción.
a) Rectificador controlado de silicio (SCR) en bloqueo, figura 3.7.
Figura 3.7
La condición de bloqueo se presenta con la polarización inversa, bajo esas
condiciones las uniones J1 y J3 están polarizadas inversamente y la unión J2 se
encuentra polarizada directamente, el dispositivo permanece en no conducción
hasta antes del voltaje inverso de ruptura. Rebasando la tensión de polarización
inversa el dispositivo entra en conducción por el fenómeno de avalancha, que
ocurre en las dos uniones j1 y j3 , estas rompen su estado de bloqueo y
consecuentemente la corriente que es inversa se hace muy elevada, lo que
provoca la destrucción del dispositivo.
Figura 3.8
El pulso positivo en la puerta produce una inyección de huecos h3 (cargas
positivas) de la capa P2 a N2 , éste flujo de huecos que cruza la unión j3 produce
un flujo de electrones n3 de N2 a P2 , estos electrones (n3) por efecto transistor son
83
pasados por la unión J2 como n2 hasta la capa N1. La concentración de electrones
n2 alteran la distribución de portadores de carga en la capa N1 y algunos llegan a
atravesar la unión j1 (n1), que a su vez provocan un flujo de huecos h1 desde la
capa P1 a la capa N1 , los cuales por efecto transistor pasan de la capa N1 a P2 ,
cruzando la unión J2 como portadores de carga positivos h2 (huecos).
Los portadores de carga h2 alteran la distribución de carga existente en la
capa P2 y algunos llegan a cruzar la unión J3 convirtiéndose en portadores de
carga h3.
Figura 3.9
84
3.3.4 DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR.
Figura 3.10
Figura 3.11
85
Figura 3.12
Condicionándose a:
Recordando por otro lado que la ganancia de corriente del transistor (β)
aumenta con la corriente de emisor, lo cual nos favorece para la entrada de
conducción del mismo.
86
3.3.6 CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR.
(VAK). El valor de la corriente de ánodo está limitado por la carga y tendrá un valor
mayor que la corriente mínima permisible (corriente de sostenimiento) para que
permanezca en éste estado. Para polarización inversa.- El dispositivo
no entra en conducción aún cuando se aplique la señal de compuerta.
Figura 3.13
87
VRI Voltaje inverso de ruptura.
88
3.3.7 CARACTERÍSTICAS DE COMPUERTA DEL SCR.
Figura 3.15
89
En los tiristores tipo SCR que operen en circuitos de inversores, se requiere
un pulso firme (seguro) en la señal de puerta, esto debido al tipo de señal que
maneja el dispositivo con una alta velocidad de corriente (di/dt) y frecuencia
elevada (se manejan generalmente pulsos cuadrados o de sección rectangular).
El fabricante de dispositivos electrónicos de éste tipo, suministra las curvas
características de disparo por pulsos, éstas indican el ancho del pulso máximo
permisible a distintos valores de potencia pico de entrada en la compuerta. El
pulso especificado es rectangular y el ancho de éste es a corriente nominal del
dispositivo (IA NOM), una forma típica de ésta curva se muestra en la figura 3.16.
Figura 3.16
Figura 3.17
90
Figura 3.18
Para el disparo con corriente continua se consultará cuál es la potencia
máxima, en general VGDC << VG (t) y para disparos con pulsos cuadrados según
se vio en la gráfica dependerá de la duración del pulso de acuerdo con la
siguiente relación: Potencia media permitida ≥ potencia máxima del pulso x ancho
del pulso x tasa de repetición. Por otro lado se tiene que la tensión de disparo de
puerta se relaciona con la tensión de bloqueo directo de la siguiente forma:
VG Tensión de disparo de puerta.
I Vd Tensión de bloqueo directo.
VG = Vd 1 − G
IG Corriente de compuerta.
I GT
IGT Corriente de compuerta de trabajo.
91
3.3.10 CARACTERÍSTICA DE DISPARO DEL SCR.
Figura 3.20
Figura 3.21
92
El objetivo principal de ésta curva es la de relacionar el nivel de la señal de
mando o disparo con la forma de onda de la tensión aplicada al ánodo - cátodo
del SCR. La curva característica dinámica de disparo, garantiza los niveles de
tensión de disparo en función del tiempo o del ángulo de conducción,
manteniendo la potencia máxima que es posible de manejar en un nivel de
seguridad.
El disparo del SCR se podrá efectuar de varios métodos, dentro de los que
podemos mencionar los siguientes:
a) Disparo por corriente continua.
b) Disparo por corriente directa pulsante.
c) Disparo por impulsos o pulsos.
El método más eficiente para controlar el disparo del SCR (su encendido),
es mediante la variación del ángulo de disparo (θd); el ángulo de disparo se
determina con respecto a la tensión aplicada (en general cuando en su perfil de
onda ha tomado valor de cero) y a éste método se le llama Control de ángulo de
fase. El proceso de abrir y cerrar el tiristor, lo llamaremos conmutar (en
conducción y no conducción) teniéndose dos formas de hacerlo, conmutación
natural y conmutación forzada.
Figura 3.22
Figura 3.23
93
En la figura 3.24, se muestra la relación entre la señal de disparo (de
corriente continua) y la señal a rectificar (semiciclo positivo de la onda alterna
aplicada).
Figura 3.24
Figura 3.25
94
Referiremos la señal de corriente de compuerta aplicada al dispositivo con
la tensión aplicada a las terminales del ánodo respecto al cátodo, figura 3-26.
Figura 3.26
95
disparo y consecuentemente el ángulo de conducción), figura 3.27. Éste método
es el más usado por tener una mayor precisión en la selección del ángulo de
disparo (corta a la curva característica dinámica de disparo en un punto definido
por la corriente de disparo IGT de magnitud suficiente y constante); por otro lado la
cantidad de energía desarrollada en la puerta es mayor en forma instantánea que
en los dos métodos anteriores, permitiendo de ésta manera un disparo más
enérgico dando seguridad en el disparo del dispositivo.
Figura 3.27
96
Problema 1. El circuito de la figura 3.25, el SCR tiene las siguientes
características: corriente de trabajo de puerta IGT = 0.1mA, d.d.p. en la puerta de
trabajo VGT = 0.5V, diodo de silicio y vi= 24V pico (valor de la fuente de tensión).
Determine el ángulo de disparo para el valor de las resistencias R1 = 100 KΩ y
R2 = 10KΩ.
Figura 3.25
vi = I G ( R1 + R2 ) + VD + VG
Tomamos como valor de las d.d.p. en el punto de disparo:
En el diodo VD= 0.7 V y en la puerta VG = VGT = 0.5 V.
vd = Vmax sen θ
12.2 = 24sen θ
Despejando el ángulo.
12.2
θ = sen −1 = sen −1 0.508 = 30.6º
24
Que corresponderá al ángulo de disparo de la semionda positiva de la
señal de entrada.
97
Los valores temporales de cada uno de los parámetros en juego como son:
tensión aplicada, corriente de puerta, voltaje ánodo cátodo y caída de tensión el la
resistencia de carga, son mostrados en la figura 2.28.
Figura 3.28
98
Problema 2. En el circuito de la figura 3.29, el SCR tiene una corriente de
puerta par el disparo del SCR de una magnitud de 10 mA , carga resistiva de 20
Ω (R) y se tiene una forma de onda en la carga como la mostrada.
Figura 3.29
Preguntas:
Solución.
1. Para el circuito de puerta en el instante de disparo por KVL tenemos:
ein = IGT ( R + RG ) +VD + VGT (1
99
Despejando a la resistencia limitadora o de control RG.
VR 10
RG = −R= - 20 ≅ 1K Ω (3
I GT 10 × 10 -3
VR = RG I GT = 3000 × 0.01 = 30 V (4
VR 40
RG ≅ = = 4K Ω
I GT 10×10 -3
100
Problema 3. Se tiene el siguiente circuito con SCR, figura 3.30, en el cual
se determinará la función que desempeña y sus parámetros de operación.
Figura 3.30
En la rama CK y RK.
VAA = VCK + VRK (1
En la rama R1 y R2.
VAA = VR1 + VR2 (2
101
Para la ecuación 2, por divisor de tensión:
R2
VR2 = VP = VAA
R1 + R2
15
= 20 = 7.1 V
15 + 27
También:
VR1 = VAA − VR2
= 20 − 7.1 = 12.9 V
De la ecuación 4:
VG = VP - VK
= 7.1 - 20 = -12.9 V
VCK = VAA - VK
= 20 - 6.4 = 13.6 V
Tensión lograda para el valor final de carga del capacitor.
De la ecuación de carga del capacitor:
−
t
vC = E 1 − e , τ = RC
τ
−1
t
VCK = VAA 1 − e τ , τ = RK CK
Para el punto K la tensión evoluciona en forma exponencial de tal forma
que:
VK = VAA − VCK
−1
t
= VAA − VAA 1 − e τ
102
t1
−
VK = VAA − VAA + VAAe τ
t1
−
= VAAe τ
(5
Despejando de la ecuación 5 al tiempo.
VAA
t1 = RK CK Ln (6
VK
Correspondiente al tiempo de carga del capacitor.
Substituyendo valores en la ecuación 6.
20
t1 = 0.33 × 10 −6 × 470 × 10 3 Ln
6.4
= 0.1767 s = 177 ms
En el momento en que entra en conducción el SCR, después del
tiempo transcurrido (t1), la tensión VK se incrementa a partir del valor 6.4 V por el
hecho de que la corriente de ánodo cruza por la resistencia RK .
Para la rama RA, VAK y RK.
VAA = RA I A + VAK + RK I A (7
Despejando a la corriente de ánodo y calculando para un valor de VAK = 1
V, de la ecuación 7 tendremos:
VAA − VAK
IA =
RA + RK
20 − 1 19
= = = 0.040 mA = 40 µ A
22 + 470000 470 K Ω
Y la tensión en el cátodo será:
VK = I A RK
= 40x10 −6 × 470 × 10 3 = 18.8 V
Teniéndose en el punto K una subida de tensión en forma abrupta de 6.4 V
a 18.8 V, igual que al inicio de operación del circuito la unión puerta cátodo G-K
se polariza inversamente, pero también comparando las tensiones VCK y VRA+VAK
tendremos:
VCK = 13.6 V
Y
RA I A + VAK = 40 × 10 −6 × 22 + 1 ≅ 1
Teniéndose que:
VCK>VRA + VAK
Esto hace que el capacitor se descargue através de RA y VAK (circuito de
ánodo) hasta una tensión de aproximadamente cero volts de VCK.
103
De la ecuación, la tensión final f de descarga del capacitor, a partir de una
tensión inicial i:
t2
−
( vCK )f = (VCK )i e τ
, τ = CK RA
Figura 3.31
104
Ejemplos de circuitos prácticos con SCR.
1. Circuito rectificador de media onda con control de conducción limitada de
90º-180º sexagesimales, para una carga de 100 W.
Figura 3.32
Figura 3.33
105
3.4 USO DEL UJT PARA DISPARO DEL SCR.
a) El pulso de salida del UJT dispara con cierta confiabilidad al SCR, con
respecto a la energía que maneja la puerta del SCR éste no excede la
potencia máxima.
120 V
Figura 3.34
106
Describiendo el circuito tenemos:
Figura 3.35
107
Para el UJT bloqueado.
VZ V 20
I R1 = ≅ Z = = 0.0033 A =3.3mA
R1 + RBB + R2 RBB 6000
V − VP VZ − VP 20 − 12.6
RE max = BB = = = 3.7 M ΩX 1 ,… , X n
−6
IP IP 2 × 10
V − VV VZ − VV 20 − 3
RE min = BB = = = 4.25k Ω
−3
IV IV 4 × 10
6 3
RE = RE min RE max = 3.7 × 10 × 4.25 × 10 = 125k Ω
108
Cálculo de la resistencia de base dos del transistor UJT, aplicando la
ecuación No. 2.33.
R2 = 0.15 RBB = 0.15 × 6000 = 900 Ω ≅ 1 k Ω
Se tomó el valor comercial más próximo.
P 1
IZ = Z = = 0.05 A = 50 mA
VZ 20
La resistencia R3 limitará la corriente a 50 mA, por consiguiente tendremos
que su caída de tensión será:
VR23 2
100
WR = = = 4.5 W
3 R3 2.2 × 10 3
109
Tomando en cuenta valor máximo de la tensión de alimentación.
110
3.4.2 CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO UN
UJT.
111
Figura 3.36
3.5 TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC).
Figura 3.37
Figura 3.38
112
3.5.1 CARACTERÍSTICAS DE PUERTA.
Figura 3.39
113
3.5.2 APLICACIONES.
114
3.5.3 CONEXIÓN ANTIPARALELO.
Figura 3.40
Figura 3.41
115
3.6 CONTROL DE ÁNGULO DE FASE.
Una de las formas del control de energía eléctrica entregada por una fuente
de tipo estático es mediante el control del ángulo de fase. El método más eficiente
para controlar el encendido de un tiristor, es mediante la variación del ángulo de
disparo del tiristor, al método de control se le llama control de ángulo de fase y es
aplicable tanto al SCR como al Triac. En el circuito de la figura 3.42, se muestra
un rectificador controlado de media onda, en el que se podrá variar la tensión
media de salida, desde 0 V a un valor máximo, generándose las formas de onda
de salida mostradas como son: la tensión de la fuente, la tensión en la resistencia
de carga, la corriente en la carga y la tensión entre el ánodo – cátodo del SCR.
Figura 3.42
116
3.6.1 Valor medio y eficaz de la tensión en la carga del rectificador
controlado de media onda.
Figura 3.43
1 π
2π ∫θd
Vmed = Vmax senθ dθ
1
= Vmax ( cos θ d + 1) (1
2π
1
1 π 2
Vef = ∫ θ θ
2 2
V sen d
2π θd
max
1
V
= max 2 (π − θ d ) + sen 2θ d 2 (2
2 2π
117
3.6.2. Valor medio y eficaz de la tensión en la carga del rectificador
controlado de onda completa.
Figura 3.44
1 π
Vmed =
π ∫θ V
d
max senθ dθ
1
= Vmax ( cos θ d + 1) (1
π
La tensión eficaz es:
1
1 π 2
Vef = ∫ Vmax 2 sen 2 θ d θ
π θd
1
Vmax
= 2 (π − θ d ) + sen 2θ d 2 (2
2 2π
118
3.6.3 EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE
ONDA.ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR.
Figura 3.45
119
3.6.4. EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE FWD (acrónimo de Free
wheel diode).
Figura 3.46
120
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 5
1. Objetivo.
3. Realización de la práctica.
Figura 1
121
3.2. Para el circuito de la figura 2, para las tensiones de polarización ánodo -
cátodo de 10, 20, 30, 40 50 y 60 V; efectúe lo siguiente:
Figura 2
122
Figura 3
123
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 6
1. Objetivo.
La finalidad de esta práctica es la de comprobar la operación del Rectificador
Controlado de Silicio, regulando a un circuito rectificador de onda completa realizado con
diodos rectificadores; operando el SCR por control de ángulo de fase disparado por un
circuito de pulsos empleando un transistor del tipo UJT.
Fig. No. 1
124
3. Realización de la práctica.
3.3 Observe y registre las formas de onda de los puntos A, B, C, D y E (tomados del
punto de referencia). Para la posición del potenciómetro de valores de resistencia
máximo, medio y mínimo (para el valor de resistencia máximo no se tendrá disparo del
SCR y para el valor de resistencia mínimo se tendrán los 6 o 7 pulsos en medio periodo
de disparo del UJT y plena conducción del SCR).
NOTA.- Relacione las gráficas a un tiempo de referencia, para lo cual será
necesario tomar un punto constante de medición).
3.4 Observe y registre las formas de onda de los puntos F, Referencia contra el
punto E para la posición del potenciómetro de valores de resistencia máximo, medio y
mínimo; (tomado como referencia de medición el punto de medición E).
3.5 Preguntas.
a) Describa brevemente el funcionamiento del circuito.
b) ¿ Que relación existe entre los pulsos de disparo del UJT y la conducción del SCR?.
c) ¿ Que entiende por control de ángulo de fase ?.
d) ¿ Que entiende por sincronía del circuito ?.
3.5. Resultados y conclusiones.
125
BIBLIOGRAFÍA
REF TÍTULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
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Motor Control Hulley Press.
2 Power Control Boyd Larson Prentice Hall 1983
Electronics
Thyristor Phase B.R. Pelly
3 Controlled Converters Jhon Wiley and 1971
and Cycloconverters Sons
4 The Electronic Dr. M. Fogiel, Director Research and 1988
Problem Solver Education
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5 Tiristores y Triacs Henry Lilen Marcombo 1976
Boixasreau Editores
Power semiconductor S. B. Dewan,
6 Drives G.R. Slemon and Prentice Hall 1984
A. Stroughen.
7 Electrónica industrial Prentice Hall
dispositivos y Timothy J. Maloney Hispano Americana, 1983
sistemas S.A.
8 Tiristores, Conceptos Rajendra Kumar
y Aplicaciones Suganchi Krishna Limusa 1985
Kumar Suganchi
9 Control Electrónico de
los Motores de Robert Chauprade Gustavo Gili, S.A. 1983
Corrriente Comtínua
10 Electrónica Industrial,
Electrónica de Hansruedi Bühler Gustavo Gili, S.A. 1985
Potencia
11 Electrónica de Raymond Ramshaw Marcombo 1977
potencia
126
4. CIRCUITOS INTEGRADOS
127
Figura 4.1
128
El circuito integrado monolítico consiste en un pequeño monocristal de silicio
de unas dimensiones promedio por lado de 0.050 plg. a 0.100 plg. y de un espesor
conveniente que contiene elementos pasivos y activos. Los circuitos integrados
monolíticos se construyen por los métodos utilizados en la fabricación de
transistores, que incluye crecimiento epitexial, difusión de impurezas mediante
máscaras, crecimientos de óxidos y eliminación de óxidos. Las ventajas que se
obtienen es gran confiabilidad, reducción de tamaño y bajo precio.
Se presentan en varios tipos de envases y encapsulados en formas
cilíndricas, piramidales de base rectangular y con materiales plásticos, vítreos,
cerámicos y metálicos (ver figura 4.2).
El tipo de envase es asociado a la potencia que es capaz de manejar; al
grado de que se le llegan a adaptar aditamentos para asociarlos a disipadores de
calor, cuando estos son aplicados a circuitos de mediana y gran potencia.
Figura 4.2
129
a) Resistencias de difusión. Éstas son hechas junto con los componentes activos
como son los diodos, transistores, etc., por lo general son del mismo material
semiconductor de silicio.
b) Resistencias de película delgada. Son depositadas en substratos de cerámica o
vidrio y hechas de materiales tales como: cromato de óxido de silicio (las cuales
son depositadas por el método de mallas), otros materiales como el nicromel,
tantalio y el cermet (se depositan por evaporación o bombardeo de partículas
(Sputtering)).
c) Resistencia de película gruesa. Son depósitos de compuestos metálicos
depositados por bombardeo de pequeños granos (Sand Blasting) o depositados
por técnicas de láser, efectuados através de mallas sobre cerámica.
En este tipo de resistencia se logran valores de 1Ω a 10 MΩ, con tolerancia
de ± 2 % a ± 50 % con potencias muy pequeñas.
Figura 4.3
130
4.4 AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Figura 4.4
Aún cuando existen muchos amplificadores operacionales se tienen dos
tipos básicos por lo que respecta al número de salidas y son con dos y una salida,
éste último es el más usual y cuenta además con otras terminales de conexión, en
las que se conectan redes externas con la finalidad de mejorar su operación como:
estabilización, compensación por frecuencia, compensación por polarización, etc.
b) Entrada no inversora. Ésta nos producirá en la salida una señal del mismo signo
que la entrada, es decir, para una señal positiva de entrada tendremos una
salida positiva (para señales alternas no existirá defasamiento).
131
c) Terminales de polarización positiva y negativa. Entiéndase que la polarización
es la aplicación de diferencia de potencial (d.d.p.) aplicados a los circuitos
internos del amplificador y que por lo común son tomados de una fuente
positiva y negativa referida a un punto, éste punto de referencia podrá ser el
mismo al que se refiera el conjunto de todo el circuito electrónico. No
necesariamente la fuente de polarización tendrá que ser positiva/negativa pero
sí la terminal negativa tendrá un nivel menor de tensión que la positiva; la cual
se deberá tener invariablemente, dado que sí no se cumple el circuito interno no
será polarizado correctamente y sí éste circuito integrado no está protegido
contra tensiones inversas de polarización se dañará irremediablemente.
e out= f ( e 1 -e 2 )
132
e) Balance perfecto (desviación nula para señales iguales de entrada, es decir
Vsalida = 0.
f) Corriente de entrada cero (no circula corriente hacia el interior del amplificador
operacional, teniendo por acceso las terminales inversora, no inversora o
ambas).
g) Factor de rechazo en modo común infinito.
h) Todas las características iguales a cualquier temperatura.
Los amplificadores operacionales tienen ganancias de tensión elevadas
hasta de 1 000 000 y solo algunos con ganancias bajas; éstos últimos se emplean
en circuitos de sensores de muy pequeña señal, conectados directamente a sus
entradas. Por razones prácticas el Amplificador operacional no puede funcionar con
ganancias tan elevadas, controlando dichas ganancias a valores de manejo común.
Figura 4.5
133
Por definición la ganancia de un circuito eléctrico está dada por el cociente
de la tensión de entrada entre la tensión de salida, así tendremos las ganancias en
lazo abierto y el lazo cerrado.
V
Ganancia en lazo abierto A = out
Vd
Vout
Ganancia en lazo cerrado G =
Vi
En la que:
Vin Señal de entrada
Vd Señal de diferencia
Vout Señal de salida
A Ganancia dada por el fabricante (Dato dado en manuales).
G Parámetro dependiente de las redes de conexión
R in I in = e in , − I fb R fb = − e out
Substituyendo en la ganancia.
e out R fb I fb R fb
G=− =− =−
e in R in I in R in
Figura 4.6
134
R fb 100
Para: e in = 1 V , Tenemos que la ganancia será: G = − =− = − 10
R in 10
Por lo que la señal de salida es: e out = G e in = ( −10 )1 = − 10 V
VR in = I in R in = 1 V = e in
A partir de las caídas de tensión:
VR fb = I out R fb = − 10 V = e out
e in 1V
I in = = = 0.1 × 10 − 3 A = 0.1 mA
R in 10 KΩ
e out 10 V
Los valores de las corrientes: I fb = = = 0.1 × 10 − 3 A = 0.1 mA
R fb 100 KΩ
∴ I in = − I fb , donde I in = I fb
Con el fin de facilitar la operación y los análisis de las diferentes
configuraciones del amplificador operacional, lo tomaremos idealmente,
corroborándose experimentalmente que se tienen magníficos resultados, por sus
ganancias extremadamente altas en lazo abierto; por otro lado la de considerar que
la señal de diferencia (Vd ) es aproximadamente cero.
Figura 4.7
R in R in + R fb
Por divisor de tensión: e in = e out ∴ e out = e in
R in + R fb R in
e out R in + R fb
La ganancia será: G= =
e in R in
135
Relacionándola con la configuración de la entrada inversora tenemos:
R
G = fb + 1 Es decir: G = Ginv + 1
Rin
Dando valores de: ein= 1 V, Rin = 10 KΩ y Rfb = 100 KΩ
R fb 100
La salida de tensión será: eout = + 1 ein = + 1 1 = 11 V
Rin 10
Figura 4.8
Cuando aplicamos +1 V a la terminal no inversora, para que el amplificador
operacional no se sature se requiere aplicar a la terminal inversora el mismo nivel
de tensión, conectando la entrada inversora a la salida y consecuentemente
tenemos un balance en la entrada y dado que la señal de diferencia es cero,
tenemos que la salida y la entrada son iguales. La impedancia de entrada es
elevada y la impedancia de salida es baja, permitiendo a ésta configuración operar
como acoplador o adaptador de impedancias.
Por otro lado observando el diagrama equivalente, (figura 4.8), dado que la
tensión de entrada del amplificador operacional es cero (entrada de diferencia), la
tensión de la entrada se transfiere íntegramente a la salida.
136
4.4.7 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR.
Figura 4.9
R fb
La tensión de salida está dada por la ecuación eout = −ein
Rin
Figura 4.10
137
Considerando un comportamiento lineal del amplificador operacional, para
una señal de entrada del tipo escalón, en la salida obtendremos una señal tipo
rampa, como se podrá observar en la figura 4.11.
Figura 4.11
Figura 4.12
138
En el nodo del punto suma por KLC tenemos:
e in d vc
i in + i fb = 0 , dado que i in = y i fb =C fb
R in d t
Substituyendo tenemos:
e in d vc
+ C fb =0
R in d t
Separando variables e integrando.
1
∫d v c =−
R inC fb
∫e in dt
1
R inC fb ∫
=− V max sen ω t d t
Vmax
= cos ω t
ω R inC fb
Teniéndose las formas de onda, figura 4.13, que es una senoide defasada
con un ángulo de adelanto de 90º.
Figura 4.13
139
4.4.8 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUMADOR Y
SUBSTRACTOR.
Por lo general para ésta función del amplificador operacional se emplea con
la entrada inversora, figura 4.14, ya que la alternativa permite tener ganancias
fraccionarias (G<1).
Figura 4.14
Desarrollando tenemos:
i fb = − ( i 1 + i 2 + ... + i n )
R R R
e out = − e 1 fb + e 2 fb + ... + e n fb
R1 R2 R n
El signo y la función que desempeña el amplificador operacional,
dependerá de la señal de entrada.
Figura 4.15
140
En el nodo del punto suma.
i in + i fb = 0 ∴ i fb = − i in = − i c
∆ e in
e out = − C in R fb
∆t
Figura 4.16.
∆ e in
Tenemos: e out = − C in R fb
∆t
= −2 × 10 − 6 × 500 × 10 3 × 5 = − 5 V
141
4.4.10 AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR CON EL
PARALELO DE LA RESISTENCIA Y EL CAPACITOR DE
RETROALIMENTACIÓN.
Figura 4.17
En el nodo del punto suma:
− i in = i C + i R
Donde:
e in d vc d e out vc e out
i in = , i C = C fb = C fb ,e iR = =
R in d t d t R fb R fb
Substituyendo.
e in d e out e out
− = C fb +
R in d t R fb
Reordenando.
d e out e out e in
+ =−
d t C fb R fb C fb R in
dx x
Ecuación diferencial de la forma: + =k
dt τ
t
−
Cuya solución: x = k τ + Ae τ
e
En donde: x = e out , τ = C fb R fb y k =− in
C fb R in
t
e in −
Substituyendo: e out = − C fb R fb + Ae τ
C fb R in
142
t
R fb −
e out = − e in + Ae τ
R in
La constante A se determina para condiciones iniciales.
Figura 4.18
+
En el tiempo t =0 y e out = 0
En la ecuación.
t
R fb −
e out = − e in + Ae τ
R in
Substituyendo.
R fb R fb
0=− e in + A ∴ A= e in
R in R in
Tenemos:
t
R fb R fb −
e out = − e in + e in e τ
R in R in
R fb −
t
=− e in 1 − e
τ
R in
Para el valor final de t= ∞ , e = 0
∞
R R
e out = − fb e in ( 1 − e ∞ ) = − fb e in
R in R in
Solución:
R fb 100
e out = − e in = − ( −10 ) = 10 V
R in 100
143
Aplicando la ecuación en forma estricta:
En donde:
(
e out = v C , τ = R fb R L )C fb y E = Tensión inicial del capacitor.
El nivel de tensión de salida será:
t
−
e out = E e τ
Figura 4.19
144
Para la condición inicial de operación, se tiene descargado el capacitor y su
impedancia es cero, por lo que el circuito opera como la configuración de inversor
simplemente, de ahí que:
R fb
v C fb = 0 , e out = − e in
R in
Sumando efectos, ahora tomando en cuenta a la carga del capacitor como
integrador, para la señal de corriente continua:
R fb t
e out = − e in − e in
R in R inC fb
R t
= − fb +
R in R inC fb in
e
Del producto, la parte proporcional será el primer sumando y la parte integral
será el segundo sumando del paréntesis de la tensión de salida.
Ejemplo: Para una señal de entrada de un pulso cuadrado, figura 4.20, con
los siguientes datos:
E in=-20 V, R in=500 KΩ, R fb=50 KΩ, RL=10 KΩ , C fb=4 µF y t=1 s.
R t
e out = − fb +
R in R inC fb in
e
50 1
=− + ( − 20 )
500 0.5 × 4
= 2 + 10 = 12 V
No debemos perder de vista, que la tensión obtenida nunca podrá ser mayor
que la de polarización, de otra forma el circuito entregara una señal de salida
saturada al nivel de tensión de la polarización.
e out ≤ V polarizacion
El tiempo de descarga del capacitor por descenso de la señal de entrada,
después del tiempo transcurrido de 1 segundo:
t
−
vC = E e τ
145
Para el ejemplo tenemos que la tensión inicial es de 12 V y la tensión final es
de 2 V, considerada para el nivel de tensión proporcional.
t
t −
− ( R fb + R L )C fb
vC = E e τ
, 2 = 12 e y despejando a t:
t = ( R fb + R L ) C fb Ln 6 = ( 50 × 10 3 + 10 × 10 3 ) 4 × 10 − 6 Ln 6 = 0.43 s
Figura 4.20
a).- Tensión de desviación del cero de entrada (afectan al cero del punto
suma para un amplificador de pequeña señal el cual es dependiente de la
temperatura de apertura de operación) estas magnitudes se conocen como de
deriva y se manifiestan en tensión y corriente y en el que no necesariamente existe
una correlación entre la tensión y la corriente ni en magnitud ni en signo.
146
• Corriente de polarización de entrada y diferencia de corrientes de
entrada.
• Tensión de entrada admisible.
• Impedancia de entrada.
• Factor de rechazo en modo común.
• Tensión y corriente de ruido. El concepto de ruido incluye todas las
tensiones de salida parásitas o indeseables además de la desviación o
deriva casuales o no y que estas no estén relacionadas con la tensión de
entrada.
2. Características de salida.
• Impedancia de salida.
• Tensión y corriente de salida.
3. Características de transferencia.
• Ganancia de tensión en lazo abierto (por grande que sea siempre será
finita y el amplificador operará de acuerdo con sus elementos pasivos de
entrada y retroalimentación)
• Ganancia.
• Resistencia de salida.
• Resistencia de entrada.
• Capacitancia de entrada.
• Ganancia unitaria del ancho de banda.
147
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRÁCTICA 7
1. Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender el aprovechamiento fundamental
del amplificador operacional tomado como ideal, el cual simplifica grandemente el
análisis para propósitos prácticos
3. Realización de la práctica.
148
Arme el circuito de la figura y obtenga una gráfica de respuesta del
amplificador operacional, referente a la tensión de entrada contra tensión de salida;
determine la ganancia de la gráfica. Aplique la tensión de la señal de entrada para
obtener tantos puntos como sean necesarios, tanto para valores positivos como
negativos hasta llegar a la saturación del amplificador.
Compruebe analíticamente para valores reales de las resistencias.
149
3.5 Amplificador Operacional como integrador.
150
BIBLIOGRAFÍA
151
5. CIRCUITO TEMPORIZADOR 555
TABLA 1
FABRICANTE MATRÍCULA
Signetics NE 555
Fairchild µA 555
National Semiconductor LM 555/LM 555C
Texas Instruments SN 72555/LM 555C
Exar XR-555
RCA CA 555/CA 555C
Philips/Silvania ECG 955
Harris HA 1755
Motorola MC 1455/MC 1555
Toshiba TA 7555P
Intensil SE 555/NE 555
Lithic Systems LC 555
Raytheon RM 555/RC 555
Una de las grandes ventajas del 555 es su compatibilidad, ésta realizada con
circuitos integrados digitales de la familia TTL y también con aplicaciones directas
de circuitos analógicos.
En la integración del 555, dentro de su estructura general, en términos
medios el paquete semiconductor (chip), consta internamente de 20 transistores, 15
resistencias y 2 diodos; dependiendo del fabricante en particular.
El circuito equivalente para el 555 fabricado por la compañía Signetics, se
muestra en la figura 5.1 y el que podemos comparar con los también fabricados por
las compañías Exar, figura 5.2 y por RCA, figura 5.3.
152
Figura 5.1
Figura 5.2
153
Figura 5.3
154
5.1 ANTECEDENTES DEL 555.
R Q S R Q Q
Entradas Salidas 0 0 0 0
1 0 1 0
S Q 0 1 0 1
1 1 X X
(a (b
Figura 5.4
Descripción de la operación, para un uno (1) aplicado a la entrada Set (S)
coloca las salidas Q en uno (1) y Q en cero (0); para un uno (1) aplicado a la
entrada Reset (R) coloca a las salidas Q en cero (0) y Q en uno (1). De ésta forma
se tiene un nivel de tensión alto en la salida, un uno (1) lógico, aún cuando se haya
dejado de aplicar la señal de tensión en la entrada Set (S) y de la misma forma para
almacenar un nivel bajo de tensión en la salida, un cero (0) lógico, debe aplicarse un
pulso en la entrada Reset (R), el pulso de disparo puede ser positivo (activo en alto)
o negativo (activo en bajo), dependiendo de la implementación del circuito
electrónico; en la figura 5.5, se ilustra la operación para ambas entradas activas.
S Q S Q
Entradas Entradas
Flip Flop Flip Flop
activas Salidas activas Salidas
NAND NOR
bajas altas
R Q R Q
Figura 5.5
155
En éste tipo de biestable (Flip Flop), se limita la actuación de las entradas, en
la condición de que las entradas no pueden ser activas simultáneamente; es decir,
son estados no permitidos.
En el Flip Flop de entradas activas bajas, implementado con compuertas
NAND, las salidas son indefinidas o ambiguas y lo mismo corresponde para las
entradas de niveles altos, implementadas con compuertas NOR.
X0
Circuito
X1 Q
Entradas de
memoria
temporal Salida T
Xn
t
Instante de actuación de
la variable de entrada
(a (b
Figura 5.6
156
Q
Generador
de pulsos Q
(a (b
Figura 5.7
Figura 5.8
Como se podrá observar en la operación del comparador se tiene, cuando la
entrada positiva (+) se le aplica un voltaje mayor que el de la entrada negativa (-),
la salida del comparador es de un nivel alto. Sí por el contrario en la entrada positiva
(+), se le aplica un voltaje menor que el de la entrada negativa (-), entonces la salida
es un nivel bajo. Una característica ventajosa del comparador, es la de poseer una
alta impedancia de entrada, por contener una estructura de un amplificador
operacional.
157
En la figura 5.9, se presenta el circuito básico de un temporizador analógico,
en el que se integra por un comparador analógico y un biestable activado por
niveles, para el caso el nivel alto (1).
VCC Vref
VCC
R - QC P. Cero
+ R Q
Flip Flop
C P. Uno
Tr S Q
R1
R2 T
Señal de disparo
(Trigger)
(a
Pulso de disparo
T (Trigger)
T
V ref V
Tensión en el
condensador
VC T
Salida del
comparador
QC T
Salida
Q T
t =k RC
(b
Figura 5.9
En la figura 5.9b, se presenta la evolución de las gráficas de comportamiento
de los puntos más importantes, presentando su operación en el tiempo. Inicialmente
la salida Q del temporizador, se encuentra en un nivel de cero volts y la salida de Q
al nivel de +V volts y el condensador está cortocircuitado por el transistor Tr, por
158
estar en un estado de saturación. Cuando se aplica un pulso positivo en la entrada
T (una señal de disparo)del Flip Flop; su salida Q pasa a un nivel alto y la salida Q
pasa a un nivel bajo, con lo cual el transistor Tr se coloca en estado de corte. Se
inicia así la carga del condensador C através de R hasta que su tensión VC iguala
la tensión de referencia; en ese instante la salida del comparador QC pasa de un
nivel bajo a un nivel alto y restablece a la condición de nivel bajo de la salida Q del
Flip Flop y a un nivel alto la salida Q .
La tensión de referencia Vref, es posible establecerla a partir de la fuente VCC,
mediante un divisor de voltaje, como el que se exhibe en la figura 5.10, dado por R1
y R2.
VCC
R1 VCC
RA _ P. cero
+ R Q
Flip Flop
P. uno Salida del
C
R2
>S Q
temporizador
R3
Tr
P. Inicial
T
Señal de disparo
(Trigger)
Figura 5.10
En el circuito se corre el riesgo de tener un disparo en falso al energizarlo, es
decir, se presente una salida indeseable, por lo que es conveniente de dotar al Flip
Flop con una entrada de puesta a cero activa mediante cierto nivel lógico. En la
figura 5.10, se muestra un temporizador analógico digital con entrada de puesta en
estado inicial activa con nivel cero (P. inicial) , el estado activo bajo de la señal, se
denota con un pequeño circulo en la entrada del bloque que representa el Flip Flop.
Sí el Flip Flop es de activación por niveles, el pulso aplicado en la entrada de
disparo T, ha de ser de menor duración que el impulso generado en la salida Q,
porque de lo contrario la salida no bajará a nivel cero, al finalizar el intervalo de
temporización.
Para no depender del tiempo de duración del pulso de entrada en el disparo
T, se utiliza un Flip Flop activado por flancos (la transición del pulso al cambiar de
nivel bajo a nivel alto o viceversa). En la figura 5.10, se ha empleado un Flip Flop
operado por flancos de subida, lo cual se indica con el símbolo > colocado en la
entrada del disparo T del bloque del Flip Flop.
159
Sí todos los elementos del circuito de la figura 5.10, excepto RA y C; se
coloca en un solo circuito integrado, representándolo en un solo paquete por el
bloque de la figura 5.11.
VCC
RA
C
Temporizador
Señal de
disparo
T
> analógico
Q
(Trigger)
Digital
P. Inicial
Figura 5.11
VCC
RA R VCC
_ P. Uno
S
RB +
Flip Flop QT
R Q
+ P. Cero
R
_
C R P. Inicial
Tr
Figura 5.12a
160
VC
VCC
2/3 V
1/3 V
T
V
P. Cero
V
P. Uno
V
QT
Figura 5.12b
Las tensiones de referencia de ambos comparadores, se obtienen a partir de
la fuente VCC por medio del divisor de tensión integrado por tres resistencias R de
igual valor. El punto común de las dos resistencias superiores, se une en la entrada
inversora (-) del comparador superior, cuya salida está conectada a la puesta a uno
del Flip Flop (P. Uno) y el punto común a las dos resistencias inferiores, se une a la
entrada no inversora (+) del comparador inferior; cuya salida está conectada a la
puesta a cero (P. Cero) del Flip Flop. La carga del condensador C se realiza através
de las resistencias RA y RB cuando el transistor Tr está en corte. La descarga de C
se realiza através de RB y del colector-emisor del transistor Tr cuando está éste
último saturado. La salida QT del temporizador se obtiene a partir de la salida Q del
Flip Flop através de un inversor. El Flip Flop posee una puesta en estado inicial, que
cuando se encuentra en un nivel activo, pone a uno la salida Q del Flip Flop y
produce la descarga del condensador C, P. Inicial se activa con nivel cero.
La evolución de las señales de los puntos más significativos, es mostrada en
la figura 5.12b. Supongamos que inicialmente se mantiene activada la puesta en
estado inicial, durante un cierto tiempo; la salida QT quedará en un nivel cero (Q en
nivel uno) y el condensador descargado por el transistor que se encuentra en
saturación. Al desaparecer dicha puesta en estado inicial, la salida del comparador
inferior, que se encuentra en nivel alto, porque la entrada inversora (-) en menos
positiva que la no inversora (+), hace que la salida Q del Flip Flop pase a cero (QT
se pone en uno o nivel alto) y que se inicie la carga del capacitor C.
161
Cuando la tensión en el condensador VC supera el valor de la tercera parte
de VCC desaparece la puesta a cero del Flip Flop porque la salida del comparador
inferior cambia de estado. Cuando VC alcanza los dos tercios de VCC pasa a un
nivel alto la salida del comparador superior, su entrada no inversora (+) y se realiza
así la puesta a uno del Flip Flop con lo cual la salida QT del temporizador, pasa a
nivel cero, y se inicia la descarga del condensador C através de la resistencia RB.
Cuando VC disminuye por debajo de 1/3 de VCC, vuelve a pasar a un nivel alto la
salida del comparador inferior, se pone a cero la salida Q del Flip Flop y se inicia un
nuevo ciclo, concretando de está manera su operación como Generador de Pulsos.
Con una modificación más del circuito electrónico del temporizador analógico
digital de la figura 5.12a, es posible emplearlo como circuito temporizador o como
oscilador monoestable. El diagrama de la figura 5.13a, opera como temporizador.
VCC
R1 R VCC
_ P. Uno
A S
R2 + Flip Flop QT
R Q
+ P. Cero
R
_B
Señal C R P. Inicial
de Tr
disparo
Figura 5.13a
La entrada inversora del comparador (-) B se conecta a un nivel alto VCC
através de una resistencia R2, y constituye la entrada de la señal de disparo
externa. La salida no inversora (+) del comparador A, se conecta al terminal común
de la resistencia R1 y el condensador C.
En la figura 5.13b, se muestra el diagrama temporal de las señales de interés
del circuito, partimos de que se activa la puesta en estado inicial (en éste caso
activa con nivel bajo, recuerde el pequeño circulo a la entrada del bloque), que sitúa
a uno la salida Q del Flip Flop (Q=1) nivel alto y provoca la descarga del capacitor
C al saturarse el transistor Tr. Al bajar el nivel a cero de la señal de disparo, hace
que pase a nivel alto la salida del comparador B, que genera una puesta a cero del
Flip Flop y a su vez la salida del inversor QT pasa a un nivel uno. Se inicia de ésta
forma la carga del condensador C, hasta que su tensión alcanza los 2/3 VCC,
instante en que pasa a nivel uno la salida del comparador A, que provoca la puesta
162
a uno del Flip Flop (QT pasa a cero) y retorna al estado inicial; que se considera
como normal, el sistema permanecerá en éste estado mientras no se produce una
nueva señal de disparo.
V
P. Inicial
V
Señal
de
disparo
T
VC
2/3VC
V
P. Uno
Q T
V
QT
Figura 5.13b
De lo expuesto se deduce que en las figuras 5.12 y 5.13, se puede integrar
un solo bloque multifuncional, que opere indistintamente como un circuito
monoestable o astable, conectando los elementos externos adecuados; el cual se
presenta en la figura 5.14, como un bloque multifuncional del Temporizador
Analógico Digital, mostrándose sus conexiones, circuito que permiten una
versatilidad en el diseño de circuitos.
163
V CC
8
R
Control _
5 A
+
Umbral 6 Flip 3
R Flop
+ Salida
Disparo B
_
2
7
Descarga R Tr
1 4
P. Inicial
Figura 5.14
164
+ VCC
8
Ra Comparador
Umbral 6 de umbral
+ 3
U3 U4
_ R Q
Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb
Flop
+ U2 Q
Disparo S
_
2 Comparador
7 de disparo 4
Descarga Inicialización
Rc Q 1
Ra=Rb=Rc=5 KΩ
Figura 5.15
Fuente
Q Salida
Flip Flop
Inversor 3
Umbral de control
R Descarga
Comparador Iniciar 7
6
de umbral
R
Control
5
Disparo
R Comparador
2
Tierra de disparo
1
Restablecer
4
Figura 5.16
165
5.3 TIPOS DE ENCAPSULADOS.
VCC
Ground 1 8 VCC
Ground Discharge
8
1 7 Trigger 2 7 Discharge
Trigger 2 6 Threshold
Output 3 6 Threshold
3 5
4 Control
Output Reset 4 5 Control
voltage voltage
Reset
Metálico 555 Plástico mini DIP 555
NC 2 13 NC Threshold 2 13 Discharge
Control
Trigger 3 12 Discharge 3 12 Threshold
voltage
4 11 NC 4 11 Control
Output Reset
voltage
NC 5 10 Threshold Output 5 10 Reset
Figura 5.17
166
5.4 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
En la tabla 2, se presentan un listado de las características eléctricas
específicas del circuito integrado 555, que se ajustan en general a los fabricantes.
TABLA 2
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS del circuito integrado lineal 555:
TA = 25˚C, Vcc =+5V a +15V a menos que se especifique otra cosa.
SE 555 NE 555
PARÁMETROS CONDICIONES DE
PRUEBA MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS
Tensión de 4.5 18 4.5 16 V
alimentación
Corriente de Vcc = 5v, RL = ∞ 3 5 3 6 mA
alimentación Vcc = 15v, RL = ∞ 10 12 10 15 mA
Error de temporizado RA, RB = 1KΩ a 100
KΩ
Exactitud inicial C = 0.1 µF 0.5 2 1 %
Deriva por 30 100 50 Ppm /˚C
temperatura
Deriva de tensión de 0.005 0.02 0.01 %/V
alimentación
Tensión de umbral * 2/3 2/3 X Vcc
Tensión de disparo Vcc = 15v 4.8 5 5.2 5 V
Vcc = 5v 1.45 1.67 1.9 1.67 V
Corriente de disparo 0.5 0.5 µA
Tensión de 0.4 0.7 1.0 0.4 0.7 1.0 V
restablecimiento
Corriente de 0.1 0.1 mA
Restablecimiento
Corriente umbral ** 0.1 0.25 0.1 0.25 µA
Nivel de control de Vcc = 15v 9.6 10 10.4 9 10 11 V
tensión Vcc = 5v 2.9 3.33 3.8 2.6 3.33 4 V
Caída de tensión de Vcc = 15v
salida (baja) I drenaje = 10mA 0.1 0.15 0.1 0.25 V
= 50mA 0.4 0.5 0.4 0.75 V
=100mA 2 2.2 2 2.5 V
= 200mA 2.5 2.5
Vcc = 5v
I drenaje = 8mA 0.1 0.25
= 5mA 0.25 0.35 V
Caída de tensión de I fuente = 200mA 12.5 V
salida (alta) Vcc = 15v
I fuente = 100mA
Vcc = 15v 13 13.3 12.7 13.3 V
Vcc = 5v 3 3.3 5 3.3 V
2.75
Tiempo de subida de 100 100 nseg
salida
Tiempo de bajada 100 100 nseg
de la salida
* Prueba a VCC de 5 V y 15 V.
** Se determina para un valor máximo Ra+Rb=20 MΩ a 15 V de operación.
167
5.5 ANÁLISIS MATEMÁTICO DEL 555
8 4 Inicialización
Comparador
R1 Ra
de umbral
Umbral 6
+ 3
U3 U4
_ R Q
R2 Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb RL
Flop
+ U2 Q
C1 Disparo S
_
2 Comparador
7 de disparo
Descarga Rc Q1
R a =R b =R c =5 K Ω
Tierra 1
Figura 5.18a
Observe que la entrada de umbral (thershold) terminal 6, está
conectada a la entrada del disparo (trigger) terminal 2. El circuito formado por las
resistencias R1, R2 y el condensador C1, tiene la función de controlar el voltaje de
entrada a los comparadores. Cuando el circuito es energizado, la tensión en el
condensador vC1 es de 0 V, porque C1 está completamente descargado. Bajo ésta
condición el comparador de umbral U1, aplica un nivel de tensión bajo a la entrada
Reset (R) del Flip Flop, esto por el nivel de voltaje aplicado al terminal no inversora
(+) del comparador U1, e inversamente le aplicamos un nivel de tensión bajo (0 V) a
la terminal inversora del comparador de disparo U2 entregando un nivel alto a la
entrada Set (S) del Flip Flop. Como resultado, la salida del circuito (Out) terminal 3,
es de un nivel de voltaje alto. Al mismo tiempo, la salida Q inversora del Flip Flop
168
es de un nivel de tensión bajo, el transistor Q1 está en estado de corte Off, y C1
inicia su carga libremente através de R1 y R2. A medida que el capacitor C1 se
carga, el voltaje en sus terminales crece hasta alcanzar el valor de la tensión de
umbral de 2/3 VCC. Cuando esto sucede, el comparador de umbral U1 aplica un nivel
-
alto a la entrada Reset (R) del Flip Flop (V+>V salida alta) y en el comparador de
disparo sucede en forma inversa, teniéndose un nivel de tensión bajo en la entrada
-
Set (S) del Flip Flop (V+>V salida baja).
El resultado del cambio de estado del Flip Flop, es que la salida Q y la salida
del circuito Out, terminal 3, se hace baja; por consiguiente la salida Q del Flip Flop
se hace alta, en consecuencia el transistor Q1 entra en conducción (estado on)
hasta la saturación y establece un camino para la corriente de descarga del
capacitor C1, através de R2. Aquí podemos hacer una pausa para denotar que
tenemos un tiempo implícito de carga TC y una constante de tiempo de carga
τ C = ( R1 + R2 ) C1 ; por otro lado también tenemos un tiempo de descarga Td ligado
a su constante de tiempoτ d = R2C1 ; que serán fundamentales en la operación del
circuito integrado 555. Cuando el nivel de voltaje de C1 se hace ligeramente inferior
al voltaje de disparo, entrada inversora del comparador U2 (1/3 VCC), el
comparador de disparo aplica un nivel alto a la entra Set (S) del Flip Flop y el
comparador de umbral un nivel bajo a la entra de Reset (R) del Flip Flop. De lo
expuesto vemos que la salida retorna a su estado inicial (Alto), por lo tanto se tiene
un ciclo de operación del 555, manifestado por la carga y descarga del capacitor C1,
así la salida oscila indefinidamente entre los niveles de tensión alto y bajo,
entregando de ésta forma lo que conocemos como un tren de pulsos o impulsos, a
una determinada frecuencia, la cual es función de las constantes de tiempo de la
carga y descarga del condensador C1, en la figura 5.18b, se muestran las gráfica de
comportamiento de los puntos de interés.
V C1
VCC
2/3 VCC
1/3 VCC
T
Tc Td
VOUT
VCC
0V
T
Figura 5.18b
169
El condensador C1 en su operación tiene dos niveles de tensión, ver figura
5.18b, fijados por el divisor de voltaje formado por las resistencias Ra, Rb y Rc, y la
entrada de los comparadores que va de VC1 = 1 VCC a VC1 = 2 VCC ; el primer valor
3 3
de tensión será la tensión de disparo, terminal 2 y el segundo valor será la tensión
de umbral, terminal 6.
De la expresión matemática para la determinación de la tensión de carga del
condensador, son funciones del tiempo y está dada por la ecuación.
T
− c
τc
vC ( t ) = E 1 − e
De las gráficas de la figura 5.18b, correspondientes a la carga del
condensador C1, observamos que la tensión evoluciona de 1 VCC a 2 VCC ,. Por
3 3
lo se toman éstos valores como la tensión inicial y final de la carga del condensador.
−
Tc
1 VCC = 2 VCC 1 − e τ c
3 3
Cuya solución para el tiempo de carga.
Tc = 0.693 ( R1 + R2 ) C1
Durante el tiempo de descarga Td, la salida del 555, terminal 3 es de un nivel
de tensión bajo, ver figura 5,18b, siendo menor que el tiempo de carga.
Expresión matemática de la descarga de un capacitor hasta una tensión final.
Td
−
τd
vC ( t ) = E e
De las gráficas de la figura 5.18b, correspondientes a la descarga del
condensador C1, observamos que la tensión evoluciona de 2 VCC a 1 VCC . Por lo
3 3
se toman éstos valores como la tensión inicial y final de la descarga del
condensador.
Determinándose el tiempo de descarga por la ecuación.
.
Td = 0.693 R2C1
La suma de los tiempos de la carga y la descarga del capacitor,
forman el período de oscilación (T) de la señal de salida.
T = 0.693 ( R1 + 2 R2 ) C1
Y la frecuencia de oscilación ( f ) es la inversa del período T.
1 1
f = =
T 0.693( R1 + 2 R2 )C1
170
La razón entre el tiempo de conducción y el período. Se conoce como
ciclo útil (D), del inglés Ducty cycle, expresada en por ciento (%).
Tc R + R2
D= 100 = 1 100 [% ]
T R1 + 2R2
De ahí cuanto mayor sea el tiempo de carga, mayor será el ciclo útil y
viceversa, para una señal Tc = Td se tendrá a D = 50% .
Ejemplo.
Determine los tiempos de carga, descarga, periodo, frecuencia de oscilación
y el por ciento de ciclo útil, para el circuito con 555 mostrado en la figura 5.18; con
los valores de los componentes siguientes: R1=1 KΩ, R2=120 KΩ y C1=0.01µF.
Solución.
Tiempo de carga Tc.
Tc = 0.693 ( R1 + R2 ) C1
= 0.693 ( 1 + 120 ) × 10 3 × 0.01 × 10 − 6
= 838.5 × 10 −6 ≅ 839 µ s
Período T
T = Tc + Td
= 839 + 832
= 1671µ s ≅ 1.67ms
Frecuencia f
1
f =
T
1
=
1.67 × 10 −3
= 598.8Hz ≅ 600Hz
171
Ciclo útil D
Tc
D= 100
T
839
= 100
1671
= 50.2 % ≅ 50%
Tenemos como resultado una onda del tipo cuadrado, por tener
aproximadamente el mismo tiempo en el nivel alto y en el nivel bajo, de la salida.
Como una herramienta de cálculo, en la figura 5.19 se anexan la gráfica de
relación entre resistencias y capacitancias, para tener en forma económica la
frecuencia de oscilación; también en la figura 5.20, se tienen la gráfica para
determinar el por ciento del ciclo útil, en función de las resistencias R1 y R2.
Figura 5.19
172
Figura 5.20
8 4 Inicialización
R1
Ra Comparador
Umbral 6 de umbral
R2 + 3
U3 U4
_ R Q
Control 5 U1 Salida
Flip Buffer
Rb RL
Flop
+ U2 Q
Disparo S
_
2 Comparador
7 de disparo
S1 Descarga Rc Q 1
C1 R a =R b =R c =5 K Ω
Tierra 1
Figura 5.21
173
Ésta configuración del circuito 555, se denomina temporizador de un disparo
(One shot), aquí tenemos conectadas a un punto común las terminales de conexión
6 de umbral y 7 de descarga.
El circuito externo formado por las resistencias R1 y R2, el capacitor C1 y el
interruptor pulsador S1, controla el voltaje de entrada a cada comparador y
establece el instante de arranque y la duración del pulso de salida.
En condiciones normales, con el interruptor pulsador abierto, la entrada de
disparo terminal 2, está a un nivel de tensión de la fuente de alimentación de
corriente continua VCC através de R2 y el comparador de disparo U2, aplica un nivel
de tensión bajo a la entrada de Set S del Flip Flop.
Al mismo tiempo, la salida del temporizador (Out) terminal 3, es de un nivel
de tensión bajo, la salida Q del Flip Flop U3 es de un nivel de tensión alto, el
transistor Q1 está saturado (On) y su colector, terminal 7, provee el camino para la
descarga del capacitor C1 al conectar a tierra la terminal de umbral Terminal 6.
Como resultado el comparador de umbral U1, aplica un nivel bajo de tensión
a la entrada Reset R del Flip Flop. Puesto que la entrada Set S del comparador de
disparo U2, es también de nivel de tensión bajo, el estado inicial de la salida (Out)
terminal 3, se mantiene, es decir sigue en nivel bajo.
Cuando se oprime el botón pulsador S1 momentáneamente, el disparo
terminal 2, recibe un nivel de tensión bajo y el comparador de disparo U2 aplica un
nivel de tensión alto a la entrada Set S del Flip Flop U3. Como resultado, la salida
del 555 (Out) terminal 3, pasa del estado de nivel de tensión bajo al nivel de tensión
alto. Al liberar el interruptor pulsador S1, la entrada Set S retorna otra vez al estado
bajo, pero la salida del 555 (Out) se mantiene en el estado alto. Al mismo tiempo, la
salida Q del Flip Flop es de estado bajo, el transistor Q1 está en estado de corte
(Off) y el capacitor C1 comienza a cargarse através de la resistencia R1.
Cuando en voltaje de C1 se hace ligeramente superior a los 2/3 de Vcc , el
comparador de umbral U1 aplica un nivel alto a la entrada Reset R del Flip Flop y la
salida del circuito (Out) terminal 3, se hace nuevamente baja.
Como consecuencia de este proceso la salida se ha sostenido en nivel alto
durante un determinado tiempo, el cual se inicia a partir del instante en que se
aplicó el al disparo, terminal 2, un nivel de tensión bajo al oprimir el interruptor
pulsador S1. Es decir el circuito ha entregado a su salida un pulso de tensión.
La duración del pulso, llamado periodo de temporización se determina
mediante la fórmula siguiente:
T = 1.1R1C1
174
La tensión máxima de carga del capacitor C1 será la tensión del comparador
de umbral U1 de 2/3 Vcc , de su terminal 5 de control, que se debe superar para el
cambio de estado en un tiempo de carga Tc, para una constante de tiempo
τc=R1C1.
Aplicando los niveles de tensión a la ecuación de carga del condensador.
2 T
− c
τc
Vcc = Vcc 1 − e
3
Resolviendo:
T
1 − c
− Vcc = −Vcc e τ c
3
Despejando al tiempo de carga del condensador.
1
−Tc = τ c Ln = τ c ( −1.0986 )
3
∴Tc = 1.1 τ c = 1.1 R1C1
Ejemplo:
Solución.
Tc = 1.1R1C1
= 1.1 × 1 × 10 6 × 100 × 10 −6
= 110 s
175
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
Práctica 8
1. Objetivo.
La finalidad de ésta práctica, es la de comprobar la operación del circuito
integrado 555, en su modalidad de astable. Observar como varía la frecuencia
de la señal de salida, en función de las componentes externas,
9V
+V
4 8
R1 RST VCC
7
DSC
Salida
R2 2 3
IC1 OUT
TRG 555
6 R3
THR
GND CNT
+
C1 1 5 LED
C2 D1
0.001 µF
Figura 1
176
3. Realización de la práctica.
177
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
Práctica 9
1. Objetivo.
La finalidad de ésta práctica, es la de comprobar la operación del circuito
integrado 555, en su modalidad de monoestable (como temporizador).
Demostrar el efecto del pulso de disparo, sobre la señal de salida del
temporizador. Observar como la duración del pulso de salida, es función de las
componentes externas,
+V
4 8
3V a 15V
R1 RST VCC
R2 7
DSC
Salida
2 3
TRG IC1 OUT
555
S1 6
THR
GND CNT T
+
C1 1 5
0.001 µF
Figura 1
178
3. Realización de la práctica.
179
BIBLIOGRAFÍA
180
El Libro de Electrónica II del autor
Ing. Domingo Almendares Amador
Se terminó de imprimir el 1 de junio de 2004,
por la Editorial de E.S.I.M.E. Zac. Lab. Pesados 1.
La edición fue de 1000 ejemplares más sobrantes para reposición.
CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II