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Asignatura: Electrónica Básica

Código: ELECBAS
Créditos: 3
Intensidad (H/S): 4
Modalidad: TEÓRICA
Prerrequisitos: CIRCUITOS ELECTRICOS I Y II
Clasificación o Área: CIENCIAS BASICAS DE INGENIERIA
Última Edición: 25/08/2015

Descripción:
Fundamentos físicos de los fenómenos que dan origen al funcionamiento de todos los
dispositivos Semiconductores: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efecto de
Campo Eléctrico, Tiristores y Circuitos Integrados.

Objetivos:
1.   Dar al estudiante los fundamentos físicos de los fenómenos que dan origen al
funcionamiento de todos los dispositivos Semiconductores: Diodos, Transistores
Bipolares, Transistores de Efecto de Campo Eléctrico, Tiristores y Circuitos
Integrados.
2. Dar al estudiante el conocimiento de los Métodos y Procedimientos para el
Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos: Amplificadores de baja señal y a baja
frecuencia, por ejemplo.

Contenido:
CAPITULO I: MECANISMOS DE CONDUCCIÓN (6 horas)

       Presentación Programa.

Estructura Atómica.
Metales: Portadores de carga.
Semiconductores (S.C.).
Portadores y concentraciones de Portadores de carga en los S.C.
Condiciones de Equilibrio.
Transporte de corriente eléctrica.
Relaciones de Einstein.

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CAPITULO II: DIODO SEMICONDUCTOR (10 horas)

Concepto de JUNTURA.
Barrera de Potencial.
Polarizaciones directa e inversa.
Diodo IDEAL.
El diodo como elemento de circuito.
APLICACIONES DIODO IDEAL.
Diodo RECTIFICADOR.
Diodo LIMITADOR o RECORTADOR.
Circuito limitador a UN nivel.
Circuito limitador a DOS niveles.
Diodo SUJETADOR o FIJADOR.
Circuitos sujetadores.
Diodo REAL.
Diodo ZENER.
Estructura, funcionamiento, curva caract.
Aplicaciones.

CAPITULO III: TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) ANALISIS DE D.C. (10 horas)

Estructura, símbolo, funcionamiento.

Configuraciones.
Curvas características.
Regiones de funcionamiento.
Punto de Operación y Recta de Carga.
Circuitos típicos de Polarización.
Circuitos de Config. BASE COMUN.
Circuitos de Config. EMISOR COMUN. Circuitos varios.

CAPITULO IV: TRANSISTOR BIPOLAR: ANALISIS DE A.C. (8 horas)

Modelo circuital. Circuitos varios

Analisis Gráfico
Concepto de Máxima Excursión Simétrica
Circuitos varios
Parámetros HIBRIDOS
Parámetros EMISOR COMUN
Parámetros BASE COMUN
Parámetros COLECTOR COMUN

CAPITULO V: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) (14 horas)

Generalidades: Clasificación, propiedades

Análisis de D.C de los transistores FET
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Estructura, símbolo, funcionamiento. Circuitos típicos del transistor JFET.

Estructura, símbolo, funcionamiento. Circuitos típicos del transistor MOSFET
Análisis de A.C de los transistores FET
Modelo circuital
Análisis Gráfico
Análisis de potencia
Modelo de pequeña señal
Aplicación config. FUENTE COMUN
Aplicación config. COMPUERTA COMUN.

CAPITULO VI: AMPLIFICADORES MULTIETAPA (4 horas)

Circuitos con ACOPLE RC

Circuitos con ACOPLE DIRECTO
Circuitos con ACOPLE por TRANSFORMADOR

CAPITULO VII: RESPUESTA EN FRECUENCIA (4 horas)

Respuesta en BAJA FRECUENCIA. Considraciones Varias

Respuesta en ALTA FRECUENCIA. Considraciones Varias

Metodología:
Clases magistrales y algunos temas de investigación que buscan complementar la
temática discutida en clase.

Evaluación:
Los exámenes parciales  1 y 2  tienen cada uno un porcentaje del 35% de la nota total y
el examen final tiene un porcentaje del 30% de la nota total. Tanto  los exámenes
parciales como el final buscan evaluar los conceptos y técnicas, que permitan al
estudiante resolver y analizar circuitos electrónicos de aplicación general.

Bibliografía:
1. CIRCUITOS ELECTRONICOS: Discretos e Integrados. SCHILLING - BELOVE.
2. ELECTRONICA INTEGRADA. MILLMAN  -              
3. ELECTRÓNICA: Teoría de Circuitos. BOYLESTAD- NASHELSKY.
4. DISEÑO ELECTRÓNICO: Sistemas y Circuitos.SAVANT- RODEN-CARPENTER.

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5. CIRCUITOS MICROELECTRÓNICOS: Análisis y Diseño. MUHAMMAD RASHID

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