UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN

SIMON
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGÍA

Docente : Ing. Arturo Saramani Aguilar

Estudiantes : Salazar Jilasaca Mireya

Villarroel Claros Madeleine Jemima
Flores Bautista Edzon Ramiro

Carrera : Ing. Electronica

Ing. Electromecanica

Grupo : 01

Horario : Martes 15:45 – 17:15

COCHABAMBA – BOLIVIA

Semestre I/2019
I1. Describir sintéticamente los aspectos teóricos de la ecuación característica del diodo.

La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)

Donde:

➢ Id es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.

➢ VD es el voltaje del diodo.
➢ Is es la corriente de saturación (aproximadamente 10-12 A )
➢ n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y
que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para
el silicio).
➢ El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura
cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación de
circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

𝐾𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞

Donde:
K : constante de Boltzmann = 1.38x10-23[j/k]
T: temperatura absoluta en grados kelvin=273° + …C°
q: magnitud de la carga del electrón = 1.6x10-19[C]
I2. Mostrar la tabla de resultados teóricos, de simulación y prácticos, con los valores
obtenidos del circuito de la Fig. 1

1K 1,5k 10k 2,67k

vs Vd Id Vd Id 1 Vd Id2 Vd Id3
0 0 0 0 0 0 0 0 0
0,2 0,2 0 0,2 0 0,2 0 0,2 0
0,4 0,3917 0,0000083 0,394 0,000004 0,393 0,0000007 0,396 1,4981E-06
0,6 0,59066 0,00000934 0,511 5,9333E-05 0,47 0,000013 0,51 3,3708E-05
0,8 0,587 0,000213 0,547 0,00016867 0,526 0,0000274 0,54 9,7378E-05
1 0,58 0,00042 0,582 0,00027867 0,482 0,0000518 0,61 0,00014607
1,2 0,62 0,00058 0,61 0,00039333 0,518 0,0000682 0,597 0,00022584
1,4 0,624 0,000776 0,595 0,00053667 0,554 0,0000846 0,554 0,00031685
1,6 0,68 0,00092 0,64 0,00064 0,574 0,0001026 0,575 0,0003839
1,8 0,67 0,00113 0,65 0,00076667 0,552 0,0001248 0,621 0,00044157
2 0,69 0,00131 0,69 0,00087333 0,554 0,0001446 0,573 0,00053446

Id
0.0014

0.0012

0.001 Id
Id 1
0.0008
Id2
Id3
0.0006

0.0004

0.0002

0 Vd
0 0.2 0.396 0.51 0.54 0.61 0.597 0.554 0.575 0.621 0.573
I3 . Mostrar los resultados obtenidos, tanto teóricos, en simulación, como prácticos, debido
a la variación de Vi, según L4.

SIMULACION DE SEÑAL

SEÑAL DE ENTRADA
SEÑAL DE SALIDA EN EL RESISTOR

SEÑAL DE SALIDA EN EL DIODO

I4. Realizar el análisis de errores (basado en el método de Montecarlo del Pspice)

I5. Detallar las conclusiones a que arribaron al término de la práctica.

• Cuando variamos la temperatura del diodo esta tiene un disparo más rápido en
temperaturas altas y lenta en temperaturas bajas, así mismo sucede con las
resistencias, para resistencias bajas el tiempo de disparo es más rápido y para
resistencias altas el tiempo de disparo es más lento.
• Cuando el diodo se polariza directamente la señal de salida 𝑉0 es distinto de cero.
• Para un tiempo t=0 a T/2 en el diodo la polaridad es directa y se observa que la
señal de entrada y salida no varía. Las terminales de la señal de salida están
conectadas directamente con las de entrada porque el diodo se comporta como corto
circuito.
• Para un tiempo T/2 a T la polaridad del voltaje de entrada en negativa por lo tanto
no enciende al diodo, se polariza inversamente y se comporta como circuito abierto,
por lo tanto, no existe paso de corriente, a consecuencia el voltaje de salida cera
aproximadamente cero.
• Se concluye que el voltaje de salida para una polarización inversa no es
exactamente cero porque el diodo tiene una resistencia muy pequeña por lo cual la
tensión de salida será casi cero.
• El proceso elaborado en el laboratorio se denomina rectificación de media onda.