Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 1

Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y

aplicaciones
Julián S. Arévalo R. Cristian Y. Chitiva V. Samuel O. Escobar J.
jsarevalor@unal.edu.co cychitivav@unal.edu.co soescobarj@unal.edu.co
Electrónica análoga I
Grupo 3
Departamento de Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Colombia.
Bogotá. Colombia.

Resumen—En esta práctica, se pretende mostrar la variación

en las caracterı́sticas eléctricas del diodo por medio de una varia-
ción de la frecuencia y la temperatura de diferentes referencias.
Este estudio del comportamiento se comparará respecto a la
teorı́a con el fin de garantizar el uso de los modelos simplificados
vistos en clase.
Palabras clave—Temperatura, tensión de diodo, frecuencia,
tiempo de respuesta, fotodiodo, valor eficaz, AC.

I. I NTRODUCCI ÓN
Figura 2: Simulación del circuito con diodo 1N4004 a 6V

E N esta práctica se pretende determinar las caracterı́sticas

básicas de los diodos semiconductores tales como la
relación tensión corriente, los tiempos de recuperación de
inversa y sus aplicaciones, para esto se variarı́an dos paráme-
tros principalmente, la frecuencia de la señal de entrada y
la temperatura de trabajo del diodo. Los datos de tensión y
corriente se registraran en tablas para su posterior análisis.
Esto se desarrollará con referencias diferentes de diodos, la
referencia 1N4004 de propósito general y la referencia 1N4118
de frecuencia rápida.

II. S IMULACIONES , GR ÁFICAS Y TABLAS

Figura 3: Simulación del circuito con diodo 1N4004 a 13V

Figura 1: Circuito para obtener la curva caracterı́stica del diodo Figura 4: Simulación del circuito con diodo 1N4004 a 25V
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 2

Simulación 1N4004
Tensión fuente (V) Corriente diodo (mA) Tensión diodo (V)
0 0 0
3.000 4.892 0.618
6.000 10.966 0.660
8.000 15.038 0.676
10.000 19.119 0.689
13.000 25.249 0.704
15.000 29.340 0.711
18.000 35.479 0.722
20.000 39.574 0.727
23.000 45.718 0.735
25.000 49.816 0.740

Tabla I: Datos de la curva caracterı́stica del diodo 1N4004

obtenidos por simulación

Diodo 1N4004 Datos experimentales a 27 ◦ C

Tensión fuente (V) Corriente diodo (mA) Tensión diodo (V)
0.007 0.01 0.007
3.165 4.920 0.673
5.800 10.160 0.707
8.300 15.120 0.728
10.690 20.007 0.743
13.210 25.104 0.757
15.600 29.990 0.764
18.090 35.164 0.772
20.350 40.035 0.782
23.76 45.143 0.786
25.130 50.234 0.791

Tabla II: Datos experimentales para el diodo 1N4004 Tempe-

ratura ambiente

Diodo 1N4004 Datos experimentales a 105 ◦ C Figura 6: Linealización de la curva caracterı́stica del diodo
Tensión fuente (V) Corriente diodo (mA) Tensión diodo (V) 1N4004
0.007 0.000 0.007
2.945 4.900 0.517
5.614 10.210 0.544
8.110 15.260 0.595
10.553 20.190 0.603
12.884 24.910 0.647
15.550 30.350 0.685
18.021 35.531 0.703
20.392 40.500 0.705
22.650 45.352 0.714
24.821 50.041 0.721

Tabla III: Datos experimentales para el diodo 1N4004 Tem-

peratura 105 ◦ C

Figura 7: Simulación del circuito con diodo 1N4148 a 6V

Figura 5: Comparación entre la curva caracterı́stica del diodo

1N4004 obtenida por simulación y las curvas obtenidas en la
práctica. Figura 8: Simulación del circuito con diodo 1N4148 a 13V
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 3

Figura 10: Comparación entre la curva caracterı́stica del diodo

Figura 9: Simulación del circuito con diodo 1N4148 a 25V
1N4148 obtenida por simulación y las curvas obtenidas en la
práctica

Simulación 1N4148
Tensión fuente (V) Corriente diodo (mA) Tensión diodo (V)
0 0 0
3.000 4.838 0.644
6.000 10.934 0.674
8.000 15.011 0.689
10.000 19.092 0.702
13.000 25.217 0.719
15.000 29.302 0.729
18.000 35.432 0.744
20.000 39.520 0.753
23.000 45.652 0.767
25.000 49.741 0.776

Tabla IV: Datos de la curva caracterı́stica del diodo 1N4148

obtenidos por simulación

Diodo 1N4148 Datos experimentales a 27 ◦ C

Tensión fuente (V) Corriente diodo (mA) Tensión diodo (V)
0.008 0 0.008
3.200 5.020 0.703
5.836 10.260 0.742
8.171 14.930 0.764
10.711 20.070 0.781
13.292 25.320 0.795
15.790 30.460 0.807
18.090 35.220 0.817
20.470 40.210 0.825
23.072 45.600 0.834
25.011 50.000 0.840

Tabla V: Datos experimentales para el diodo 1N4148 Tempe-

ratura ambiente
Figura 11: Linealizacion de la curva caracterı́stica del diodo
1N4148

Diodo 1N4148 Datos experimentales a 105 ◦ C

Tensión fuente (V) Corriente diodo (mA) Tensión diodo (V)
0.007 0 0.007
3.186 5.020 0.692
5.729 10.070 0.733
8.360 15.370 0.757
10.960 20.590 0.777
13.120 25.000 0.781
15.470 29.860 0.798
17.950 35.030 0.803
20.600 40.540 0.816
22.650 44.940 0.828
25.430 50.940 0.838
Figura 12: Circuito para la visualización del tiempo de recu-
Tabla VI: Datos experimentales diodo 1N4148 a 105 ◦ C peración inversa trr del diodo 1N4004.
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 4

Figura 13: Simulación de la visualización del tiempo de

recuperación inversa trr del diodo 1N4004.

Figura 16: Visualización del tiempo de recuperación inversa

trr del diodo 1N4004 a 10 kHz.

Figura 14: Visualización del tiempo de recuperación inversa

trr del diodo 1N4004 a 100 Hz.

Figura 17: Visualización del tiempo de recuperación inversa

trr del diodo 1N4004 a 100 kHz.

Figura 15: Visualización del tiempo de recuperación inversa Figura 18: Visualización del tiempo de recuperación inversa
trr del diodo 1N4004 a 1 kHz. trr del diodo 1N4004 a 1 MHz.
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 5

Relación tensión distancia fotodiodo

Distancia E-R Fotodiodo (mV) Tensión fotodiodo (mA)
0 26
5 36
10 44
15 48
20 55
25 66
30 71
35 74
40 77
45 79
50 82
55 93
Figura 19: Simulación de la visualización del tiempo de 60 105

recuperación inversa trr del diodo 1N4148 Tabla VII: Datos experimentales Fotodiodo

Figura 23: Relación tensión vs distancia fotodiodo.

Figura 20: Visualización del tiempo de recuperación inversa
trr del diodo 1N4148 a 100 Hz.
Figura 21: Visualización del tiempo de recuperación inversa
trr del diodo 1N4148 a 1 MHz.
Figura 22: Circuito para la caracterización del fotodiodo
III. P ROCEDIMIENTO
III-A. Análisis del diodo 1N4004
Para la primera parte de la práctica se implemento en
protoborad el circuito de la figura 1. Se solicitaba calcular la
resistencia del circuito, de tal forma que por el diodo pasara un
máximo de 50 mA. Teniendo en cuenta que la tensión máxima
de la fuente DC era de 25 V, se obtuvo una resistencia de 500
Ω.
Con el circuito montado se procedió a obtener la curva
caracterı́stica del diodo. Se inicio con el diodo N14004. Previo
a la práctica se realizaron una serie de simulaciones con el
fin de pre veer y comparar los resultados obtenidos con los
datos reales del experimento, además dieron una idea del
comportamiento que presenta el diodo y constituyeron una
base para el estudio del mismo. Ejemplos de las simulaciones
se muestran en las figuras 2, 3 y 4.
Para obtener la simulación de la curva caracterı́stica del
diodo 1N4004 se tomaron 11 valores de tensión y corriente,
teniendo como referencia fuente en 0 y realizando el muestreo
de datos cada 5 mA hasta un máximo de 50 mA y 25 V, como
las de las figuras 2, 3 y 4, y se graficaron; la tabla de datos
obtenida por simulación se observa en la tabla I.
En el laboratorio se aplico la misma metodologı́a para ob-
tener los datos experimentales que en la simulación, tomando
datos cada aumento de 5 mA, hasta llegar a un valor máximo
de 50 mA y 25 V. Los datos obtenidos en el laboratorio para
el diodo 1N4004 a diferentes temperaturas de operación se
registran en las tablas II y tabla III.
Los datos que se tomaron de ambos métodos (simulación y
experimentalmente) se graficaron simultáneamente, de modo
que se pueden percibir las diferencias que presentan; esta
gráfica combinada se muestra en la figura 5.
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 6

Los datos y gráficas obtenidos permiten determinar dos III-B. Análisis del diodo 1N4148
valores muy importantes en el manejo de los diodos: la tensión Los procedimientos anteriormente aplicados al diodo
de polarización y la resistencia dinámica. Analizando la forma 1N4004 se aplicaron de igual manera para el diodo 1N4148,
de la gráfica se determino que la tensión de polarización tanto para las simulaciones como para la practica en el
es de 0.731 V, con esta información ahora se determina laboratorio; las figuras 7, 8 y 9 muestran un resumen de las
la resistencia dinámica, la cual se obtiene al encontrar la simulaciones realizadas.
pendiente aproximada de la recta que pasa por la tensión de La tabla IV muestra los datos de la curva caracterı́stica del
polarización. Al encontrar la pendiente de la recta se obtiene diodo 1N4148 obtenidos por simulación.
una conductancia, el reciproco de la misma es la resistencia La tabla V muestra los datos obtenidos experimentalmente
dinámica. en el laboratorio para la curva caracterı́stica del diodo 1N4148
dI 1
= (1) a temperatura ambiente y la tabla VI muestra la curva carac-
dV Rd
terı́stica a una temperatura de 105 ◦ C.
(25.170 − 20.040)mA 1 La figura 10 muestra la comparación de las gráficas obte-
= = 0.513S (2) nidas de las tablas IV, V y VI.
(741 − 731)mV Rd
Podemos apreciar que la variación de temperatura no afecto
Rd = 1.949Ω (3) en gran medida el desplazamiento o caı́da de tensión en el
diodo, los valores son muy cercanos, por supuesto, refiriéndo-
Como la curva caracterı́stica tiene forma exponencial se nos a las series roja y verde que nos muestran los datos
utiliza papel semi-logarı́tmico para linealizar la curva y ası́ cal- experimentales. Finalmente, la curva caracterı́stica del diodo
cular la corriente de saturación IS y el coeficiente de emisión linealizada por medio del papel semi-logarı́tmico se muestra
η. en la figura 11.
La figura 6 muestra la curva caracterı́stica del diodo 1N4004 La pendiente de la recta linealizada es:
linealizada en papel semi-logarı́tmico: La pendiente de la recta
log(35.2) − log(5.01) log(mA)
de la gráfica linealizada para el diodo 1N4004 es: m= = 7.987 (9)
0.801 − 0.695 V
log(35.26) − log(9.99) log(mA) Con la pendiente y conociendo que la recta corta el eje x en
m= = 10.533 (4)
0.754 − 0.702 V 0,611 V se puede calcular la intersección con el eje y.
Con la pendiente y conociendo que la recta corta el eje x en b = −(7.987) ∗ (0.611) = −4.88 (10)
0, 606 V se puede calcular la intersección con el eje y.
Aplicando la función que anula el logaritmo, es decir, 10b ,
b = −(10.533) ∗ (0.606) = −6.37 (5) se puede obtener el valor de Is es:
Aplicando la función que anula el logaritmo, es decir, 10b , se 10b = 1.31 ∗ 10−5 mA (11)
puede obtener el valor de Is es:
Ahora que ya se tiene el valor IS , se despeja η de la ecuación
10b = 4.26 ∗ 10−7 mA (6) del modelo exponencial (7) del diodo aplicando logaritmo en
base 10, y reemplazar por una pareja de valores de la curva
Ahora que ya se tiene el valor IS , se despeja η de la ecuación caracterı́stica del diodo tenemos:
del modelo exponencial del diodo aplicando logaritmo en base
801mV ∗ log 
10, resultando en: η= = 2.014 ≈ 2
(log(35.2) − log(−1.31 ∗ 10−5 )) ∗ 25mV
VD ∗ log  (12)
η= (7) Por lo tanto se muestra que el valor η del diodo 1N4148 es
(log(ID ) − log(IS )) ∗ Vt
de 2.014, que se aproxima al valor teórico 2 que es el valor
Al reemplazar por una pareja de valores de la curva carac- de los diodos de silicio.
terı́stica del diodo se tiene:
754mV ∗ log  III-C. Tiempo de recuperación de inversa
η= = 1.65 (8)
(log(35.26) − log(4.26 ∗ 10−7 )) ∗ 25mV
Para la segunda parte de la práctica se pide montar el
Por lo tanto se muestra que el valor η del diodo 1N4004 es circuito representado por la figura 12 con el fin de visualizar
de 1.65, que se encuentra en el rango entre 1 y 2, de modo el tiempo de recuperación en inversa del diodo 1N4004. En
que el resultado es válido. la simulación del circuito, se pudo observar que el tiempo de
Para el diodo 1N4004 se le realizo una prueba de tempera- recuperación inversa esta en el orden de los µ segundos, como
tura, calentándolo con un cautı́n y tomando las medidas con se aprecia en la figura 13.
la misma escala de 5 mA para dibujar la gráfica caracterı́stica Teniendo en cuenta la simulación, el tiempo de recuperación
del diodo que se muestra en la figura 5. Como era de esperar inversa del diodo 1N4004 es de aproximadamente 28 µs.
la temperatura de operación produce un descenso de la tensión Ahora en el experimento del laboratorio se observo que el
en el diodo, esto lo observamos en la serie de color verde que tiempo de recuperación es menor, resultando en aproximada-
se encuentra más cerca al eje y en la gráfica 5. mente 8.7 µs, como se muestra en la figura 14.
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 7

Se observa que al aumentar la frecuencia el trr disminuye caracterı́sticas graficadas en papel milimetrado, las cuales se
pero la señal vista por el diodo se distorsiona ya que el muestran en las figuras 24 y 25 a continuación:
material semiconductor del diodo tiene un tiempo de respuesta
para cambiar de estado de corte a directo, este cambio en
frecuencias muy altas produce un retraso en la señal de
salida del diodo, por tanto, la señal que observamos en el
osciloscopio se empieza a distorsionar conforme aumentamos
la frecuencia de la señal de entrada, estos hechos se pueden
observar en las figuras 15, 16, 17 y 18.
Con el diodo 1N4148 que es de frecuencia rápida, primero
se realizo la simulación que se aprecia en la figura 19 obtenien-
do resultados del tiempo de respuesta en inversa del orden 2
picosegundos, posteriormente se aplicaron la frecuencia de 100
Hz y la frecuencia de 1 Mhz es decir la frecuencia con la cual
el diodo 1N4004 perdı́a su forma de entrada y se presenciaron
los resultados vistos en las figuras 20 y 21. Comprobando que
el diodo 1N4148 tiene un mejor comportamiento a frecuencias
más altas. No fue posible llevar a un tiempo de respuesta en
inversa del diodo 1N4148 en el cuál la señal se distorsionara
por completo dado que nos encontrábamos limitados por el
rango de medición del osciloscopio.

III-D. Caracterización del fotodiodo

En esta ultima parte se utiliza el circuito de la figura 22
realizar la toma de valores de tensión del receptor de un
fotodiodo y hallar su relación conforme se varia la distancia.
Los datos se encuentran registrados en la tabla VII.
Como vemos en la figura 23 esta relación es prácticamente Figura 24: Tiempo de recuperación inversa para el diodo
lineal, pero si variamos la temperatura, se podrá apreciar que 1N4004
dicha curva obedece a las formas exponenciales.

IV. A N ÁLISIS DE RESULTADOS

IV-A. Análisis del diodo 1N4004 y 1N4148
En esta parte se obtuvieron ciertos valores de tensión y
corriente con el fin de observar el comportamiento del diodo
y contrastar con la parte teórica. La forma de las gráficas es
evidentemente exponencial, lo cual muestra que dicho modelo
es una aproximación muy acertada del comportamiento de la
tensión y de la corriente en el diodo; prácticamente un aumento
de 5 mA en la corriente del circuito era generado por un
aumento del valor de tensión de la fuente de 5 V en ambos
diodos, por lo que la curva variaba principalmente por la
corriente presente en el circuito (y por lo tanto en el diodo). La
caı́da de tensión era cada vez menor se aumentaba la tensión
de la fuente, y por ende, de la corriente; esto muestra que en
sentido de polarización directa la caı́da de tensión del diodo
es irrelevante mientras la corriente sea grande; Esto se apoya
en la teorı́a del diodo ideal, en el cual la corriente pasa por el
diodo sin percibir caı́da de tensión alguna. Esta observación
es fundamental, ya que sustenta empı́ricamente las bases del
diodo ideal.
Los cálculos de la resistencia dinámica, la corriente de
saturación y el valor η estuvieron acordes con la bibliografı́a
y la teorı́a vista en clase teórica; al permitir el paso de la
corriente casi sin caı́da de tensión concuerda con los valores Figura 25: Tiempo de recuperación inversa para el diodo
de resistencia del diodo que se calcularon mediante las curvas 1N4148
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018
La corriente de saturación obtenida a partir de las figuras 6
y 11 se calculó en múltiplos de 10−8 , lo cual es congruente
con la teorı́a. Resaltar el hecho que IS del diodo 1N4004 tiene
un valor mayor al del 1N4148; esto puede ser importante a
la hora de implementar diseños o aplicaciones que se vean
afectados por este tipo de corriente.
Por otra parte se observó el efecto de la temperatura sobre
el diodo, en donde se percibió que a mayor temperatura la
curva caracterı́stica del diodo aumenta la pendiente y por lo
tanto la corriente atravesará el diodo con menor resistencia.
Es interesante notar que las diferencias entre los resultados
de las simulaciones y de la parte experimental difieren prin-
cipalmente en los valores de tensión que presenta el diodo;
como se observa en la figura 5 y la figura 10, los datos de la
simulación subestima perceptiblemente la caı́da de tensión en
el diodo, lo cual ocurre en ambos casos.
IV-B. Tiempo de recuperación de inversa
Respecto al tiempo de recuperación inversa se observo que
los valores tomados de la practica coinciden en magnitud
respecto a los valores de las hojas de datos de los diodos,
lo cual muestra que aunque no se obtuvo el dato exacto,
el experimento se realizo debidamente y los resultados están
entre un rango de error no mayor al 5 %. Hay que notar la gran
diferencia entre los tiempos de recuperación de los diodos,
confirmando que el 1N4148 es un diodo rápido, al contar con
tiempos de pico-segundos.
La señal cuadrada resulta ser una onda idónea para evaluar
este parámetro, ya que la caı́da de tensión repentina permite
ver con mayor claridad el esfuerzo del diodo para evitar el
paso de corriente negativa. Las tablas VIII y IX muestran la
comparación de los datos experimentales con los teóricos.
Diodo 1N4004
Parámetro Datos experimentales Datos del fabricante
IS 42.6 nA 50 nA
trr 8.4µs 30µs
η 1.65 1-2
Tabla VIII: Comparación datos experimentales y hoja de datos
para el diodo 1N4004
Como se puede observar los valores obtenidos difieren de
los que reporta el fabricante, sin embargo las escalas de
magnitud son las adecuadas. Esto no muestra que las hojas de
datos del diodo estén erróneas, el experimento no esta exento
de errores de medición y fallas de procedimiento. Para el diodo
1N4148 se muestra la comparación a continuación:
Diodo 1N4148
Parámetro Datos experimentales Datos del fabricante
IS 13.1 nA 25 nA
trr 3.442µs 4µs
η 2.014 1-2
Tabla IX: Comparación datos experimentales y hoja de datos
para el diodo 1N4148
En el caso del diodo 1N4148 los valores, aunque no son
exactos, se acercan a los valores dados por la hoja de datos,
8
ademas que las unidades corresponden a la escala que se
muestra en las hojas de especificaciones.
IV-C. Caracterización del fotodiodo
Las mediciones registradas con el circuito de la figura
22 fueron obtenidas a temperatura ambiente, además que
el comportamiento del diodo en la zona de medición fue
aparentemente lineal, sin embargo esto no implica que el
funcionamiento total del fotodiodo se comporte de tal forma,
porque, ya como lo hemos analizado su función es mas cercana
a la exponencial.
V. P REGUNTAS SUGERIDAS
V-A. En el circuito de la figura 2 de la guı́a ¿ Que ocurre
con la resistencia cuando circula la corriente máxima (con la
fuente a 25 V)?
La resistencia debe ser capaz de disipar una potencia de
1,25 W o de lo contrario se quemara.
V-B. ¿ Cuales son las consecuencias de cambiar la polaridad
la fuente que alimenta el circuito de la figura 2 de la guı́a?
Al cambiar la polaridad el circuito quedarı́a abierto, ya que
el diodo no permitirı́a el paso de corriente en ningún momento.
V-C. ¿ Por qué es necesario alimentar el circuito de la figura
3 de la guı́a con una señal cuadrada?
Porque este tipo de onda pasa de forma abrupta desde una
tensión positiva a una negativa; este cambio repentino permite
observar con mayor facilidad el tiempo de recuperación del
diodo.
V-D. ¿ Que pasa con los tiempos de recuperación inversa si
se varia la resistencia R1 ?
La resistencia debe ser lo suficientemente grande como para
generar una caı́da de tensión mayor que la producida por el
diodo, por lo tanto, entre mayor sea la resistencia mayor el
tiempo de recuperación inversa.
V-E. ¿ Los resultados obtenidos concuerdan con los valores
suministrados por el fabricante?
Se calcularon en los diodos la corriente inversa de saturación
(IS ), tiempo de recuperación inversa (trr ) y el coeficiente
de emisión (η). Estos resultados tienen un margen de error
menor al 5 % sobre los valores de la hoja de especificaciones
y se pueden consultar en la tabla VIII y en la tabla IX
respectivamente.
V-F. ¿ Que cambio hubo al variar la temperatura en la
primera parte de la practica? ¿ Este cambio era predecible?
Al aumentar la temperatura el diodo disminuyo los valores
de tensión para el funcionamiento en polarización directa, es
decir, se necesita menos tensión para que atraviese una misma
cantidad de corriente. La teorı́a muestra que este es justo el
cambio de comportamiento que presenta el diodo al aumentar
su temperatura.
Informe laboratorio 2: Diodos, caracterı́sticas y aplicaciones 3 de abril de 2018 9

VI. C ONCLUSIONES
El proceso de linealización de curvas mediante la escala
semi-logarı́tmica es una poderosa herramienta que permite
entender ciertos fenómenos de la naturaleza y poder predecir
con mayor facilidad y rapidez el comportamiento de los
mismos. En este caso, aunque el comportamiento del diodo
no es lineal, pueden realizarse procesos matemáticos que
simplifiquen su estudio y análisis, con el fin de obtener mejores
resultados en las diversas aplicaciones [4]
La temperatura es un factor fundamental cuando se trabaja
con diodos, ya que puede mejorar la eficiencia de uso del diodo
y la potencia disipada por el diodo también se ve afectada de
forma directa por el cambio de temperatura. [5]
La practica permitió entender el funcionamiento de un
diodo real, sometiéndolo a diversos escenarios, que si bien
confirman la naturaleza no ideal del dispositivo, los modelos
y conveniencias que se toman del diodo son igual de validas
y pueden aplicarse a casos y proyectos reales.
Generalizar el comportamiento de los diodos es un concepto
erróneo, ya que como se observo en la practica, los diodos
tienen diversos comportamientos entre si, y su respuesta a los
diferentes niveles de tensión y corriente también pueden ser
variables; el entender el funcionamiento y las caracterı́sticas
que presentan los diodos permiten descubrir sus capacidades
y limitaciones, de forma que se tengan criterios objetivos al
momento de elegir un diodo para aplicaciones especificas, de
forma que se pueda prever su comportamiento e incluso sus
posibles fallas.
Las mediciones realizadas tienen una limitación funda-
mental, la cual dependen de los instrumentos de medición
utilizados ya que los multı́metros usados tienen una exactitud
de 3 números decimales mientras que en la medición de
temperatura era de solo un dı́gito decimal de exactitud. [2]

R EFERENCIAS
[1] S. J. Chapman, Máquinas eléctricas, México: Mc Graw Hill, 2012.
[2] S. Franco, Diseño con amplificadores operaciones y circuitos integrados
analógicos, Tercera edición ed., México, D. F.: McGraw- Hill Interame-
ricana, 2005.
[3] J. Hilburn y J. Scott, Análisis Básico de circuitos eléctricos, Prentice Hall.
[4] C. J. Savant, M. S. Roden y G. Carpenter, Diseño electrónico, Addison
Wesly Iberoamericana segunda edición.
[5] A. Sadiku, Fundamentos de circuitos eléctricos, Ciudad de México: Mc
Graw Hill, 2006.