DISPOSITIVOS ESIME-ZAC 5CV1

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESIME UNIDAD ZACATENCO

GRUPO: 5CV1

ALUMNO: CERVANTES PÉREZ JUAN CARLOS.

MATERIA: LABORATORIO DE DISPOSITIVOS.

PROFESOR: JOSÉ REYES AQUINO.

TIPO DE TRABAJO: REPORTE DE PRÁCTICA Nº2.

NOMBRE DE LA PRÁCTICA: DIODOS RECTIFICADORES.

FECHA DE ENTREGA: 03/10/16.

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Práctica No. 2
“Diodos Rectificadores”
Rectificadores” 

Objetivos:

1.- Identificar el comportamiento rectificante en el diodo.

2.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N) en un diodo rectificador.

3.- Obtener y comparar las curvas características (V  – I), de diodos rectificadores

de silicio y germanio. En cada caso determinar el valor del voltaje umbral y calcular
las resistencias estáticas y dinámicas en la región directa de conducción, para un
punto de operación Q (VB, ID) arbitrario.

4.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica

V-I en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores
cuando varía la temperatura.

Desarrollo Experimental: 

Conceptos Básicos:

El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:

En la zona directa se puede considerar como un generador de tensión continua,
tensión de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se
polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se
alcanza la tensión inversa de disrupción (zona inversa) se produce un aumento
drástico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo.

Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos amplificadores,

limitadores, fijadores de nivel, protección contra cortocircuitos, demoduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc…  

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Cuando usamos un diodo en un

circuito se deben tener en cuenta
las siguientes consideraciones (a
partir de las hojas de
características suministradas por
el fabricante):

1.-  La tensión inversa máxima

aplicable al componente,
repetitiva o no (VRRR máx. o VR
más, respectivamente) ha de ser
mayor (del orden de tres veces)
que la máxima que este va a
soportar
2.-  La corriente máxima en sentido directo que puede atravesar al componente,
repetitiva o no (IFRM máx. o IF máx. respectivamente), ha de ser mayor (del orden
del doble) que la máxima que este va a soportar
3.- La potencia máxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser
mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a soportar.

Material:

  Osciloscopio de doble trazo



  Generador de señales


  Multímetro analógico y/o digital



  Una pinza de punta



  Una pinza de corte



  6 cables caimán-caimán


  6 cables caimán-banana


  6 cables banana-banana


  4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación BNC y en el otro



caimanes

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   Tablilla de conexiones (Protoboard)

   2 diodos de silicio 1N4004 o equivalente
   1 diodo de germanio OA81 o equivalente
   2 resistencias de 1KΩ a 1/2 watt

Experimentos:
1.- Requisito que para antes de realizar la práctica el alumno presente
pre sente por escrito y en forma
concisa y breve los siguientes puntos sobre el diodo rectificador y del resistor:

1.- S ímbolo
ímbolo del Diodo:
Di odo:

2.- Esquema típico de uniones del diodo:

Diodos de "Unión Semiconductor-Semiconductor": Son los más conocidos

(comúnmente llamados “diodos rectificadores”), constituidos por la unión de un
semiconductor dopado tipo-n con un semiconductor del mismo material pero tipo-p
(diodos de “unión n-p”). 

Diodos de "Barrera S ch
chottky 
ottky  Metal-Semiconductor"
 Metal-Semiconductor" o "Diodos S chottky  ": Son
ch ottky ":
los primeros que existieron (llamados "diodos de señal"), constituidos por un metal

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y un semiconductor dopado tipo-p. Estos 2 materiales suelen estar ligados mediante

un contacto puntual o por una unión física, como por ejemplo mediante difusión.

3.- Modelo matemático del Diodo:

El modelo matemático más empleado es el de Shockley  (en honor a William

a  William
Bradford Shockley) 
Shockley)  que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la   intensidad de corriente y
la diferencia
la diferencia de potencial es:

Dónde:

I: Es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.

VD: Es la diferencia de tensión entre sus extremos.

IS: Es la corriente de saturación (aproximadamente 10−2 A).

n: Es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que

suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

4.- Modelo gráfico (curva característica V-I) del diodo:

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5.- Comportamiento
rectificador del Diodo:
Diodo:

Son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como

paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

a) Gráfica del elemento rectificante (diodo).

6.- Comportamiento resistivo del Diodo

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b) Gráfica del elemento óhmico

7.- Principales parámetro del diodo:

La resistencia en el punto o región de operación, de bloqueo (polarización inversa), de

conducción, tiempo de recuperación inverso, tiempo de recuperación directo, etc.

8.- Su definición:

Un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales

en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

 2.- Identifi
Iden tifi car el c omportamiento rec
rectif
tific
ic ador de un dio
diodo:
do:

 Armar el circuito mostrado

mo strado en la figura 1, colocar el diodo rectificador y o
observar
bservar el
comportamiento de éste elemento en el osciloscopio (en modo XY) en la figura 2.a
dibujar la gráfica que se obtiene.

Figura 1.a… Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificador de un diodo. El voltaje pico de la señal de
excitación puede elegirse entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz

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Figura 1.b… Gráfica (características eléctricas) que muestra el comportamiento rectificador de un diodo  

Figura 1

Figura 2.a… Gráfica del elemento rectificador (diodo)  

Figura 2 gráfica que se obtiene en el oscil oscopio para el circuito de la figura 1.a, donde “V” es el voltaje en el
elemento bajo prueba medido en el canal 1 del osciloscopio (canal X), e “I” es la corriente que circula en el
elemento (corresponde al voltaje en la resistencia mostrada dividido entre el valor de ésta resistencia), medida

en el canal 2 (canal Y) del osciloscopio.

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Distinguir el comportamiento óhmico para diferentes elementos electrónicos,

mediante el uso de un multímetro en su función de óhmetro.

Cuando un multímetro en su función de óhmetro, se usa para identificar las

terminales de un dispositivo, requiere que se conozca previamente cuál de sus

terminales es positiva (voltaje de la batería interna del mismo) y cuál de ellas es

negativa, ya que en base a esto, podremos saber cuándo un par de terminales de
algún dispositivo, se polariza directa o inversamente y de esta manera conocer en
forma indirecta el tipo de regiones semiconductoras (P o N), que dicho dispositivo
contiene entre esas terminales. Para saber cuál terminal es la positiva y cual es la
negativa en el óhmetro, use un multímetro en su función de voltímetro, tal como se
ilustra en la figura 3.

Figura 3 Circuito equivalente de un óhmetro analógico y la forma de medir cuál terminal es positiva y cual es negativa

Después de realizar las mediciones que se indican en la figura 3, lleve a cabo las
mostradas en la figura 4 y reporte las lecturas que se indican en la tabla 1. Para este
punto se recomienda al alumno el uso de un multímetro analógico y que elija la
misma escala para la realización de todas las mediciones que haga, con el fin de
que pueda hacer una adecuada comparación entre las lecturas tomadas.

Figura 4. Mediciones que permiten identificar con ayuda del óhmetro, el comportamiento rectificante (diodo) 

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Elemento bajo prueba  Resistencia medida entre Resistencia medida entre

las terminales T1(+) y T2(- las terminales T1(-) y
) T2(+)

Diodo (Comportamiento
(Comportamiento
1.89 MΩ 
rectificante) ∞ 
Tabla 1. Mediciones de resistencia realizadas con el óhmetro para el caso de un resistor y diodo rectificador.

3.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N), en un diodo rectificador.

Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se pueden emplear
diferentes métodos, se sugiere que se haga
h aga usando un óhmetro analógico y se llene
la tabla 2. Debido a que un diodo rectificador presenta comportamiento rectificante,
si el ánodo se polariza con voltaje positivo (mayor al voltaje de umbral) con respecto
al cátodo, el diodo conduce corriente apreciable, comportándose como una
pequeña resistencia (a esto se le conoce como polarización directa) y cuando se
invierte esa polaridad en el diodo, la corriente que circula es despreciable,
comportándose como una resistencia muy grande (polarización inversa). Tomando
en cuenta estos conceptos, la polarización
polarizació n del óhmetro y las mediciones de la tabla
1 es posible saber en cuál terminal está la región semiconductora P (ánodo) y en
cuál terminal está la región N (cátodo) de un diodo semiconductor.

Diodo  Resistencia medida entre Resistencia medida entre

las terminales A(+) y K(-) las terminales A(-) y K(+)

De Silicio 1N4004
1.89 MΩ  ∞ 
De Germanio OA81
7.28 KΩ  239.6 KΩ 
Tabla 2. Mediciones de resistencia en un diodo de Si y en uno de Ge. Polarizados directa e inversamente usando la pila
interna del óhmetro

Mediante las mediciones repostadas en la tabla 2.

2 . Diga: ¿Cuál de las terminales (T1
y T2) corresponde al cátodo y cuál al ánodo?

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R= En los diodos el cátodo corresponde a la línea que está dibujada en el diodo, y

tomando en cuenta las terminales correspondería a la terminal 1, T1 positiva.

En la figura 5 dibuje con detalle la forma física y las indicaciones (letras, números, rayas,
etc.) de cada uno de los diodos, indicando cuál de las terminales es en ánodo y cuál es el
cátodo.
Cátodo

nodo
Figura 5.a Diodo de Silicio

 Ánodo

Cátodo

Figura 5.b Diodo de Germanio

Figura 5… Dibujos de las presentaciones físicas e indicaciones de los diodos 1N4004 y OA81  

4.- Obtener y comparar la curva característica (V-I), de un diodo rectificador de silicio

y una de germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular
la resistencia estática y dinámica en la región directa de conducción, para un punto
de operación Q (VD, ID) arbitrario. Armar el circuito de la figura 6, colocar las
terminales del osciloscopio como se muestra (usándolo en su modo XY) y obtener
la curva característica V-I, primero para el diodo de silicio, y posteriormente para el
diodo de germanio, reportar ambas gráficas en la figura 7 y llenar con los datos
solicitados la tabla 3

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Figura 6.a… Circuito propuesto para obtener la curva característica de los diodos. El voltaje pico de la señal de excitación
puede estar entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz

Figura 6.b… Curva característica de un diodo de Silicio

Figura 6.c… Curva característica de un diodo de Germanio  

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Figura 7.a… Curva característica del diodo de Silicio  

Figura 7.b… Curva característica del diodo de Germanio  

Figura 7. Gráficas de V-I para el diodo de Si y Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el circuito de la
figura 6.a

Diodo bajo prueba Voltaje de umbral Voltaje máx Corriente máx

medido en (V) medido en la curva medida en la curva
en (V) en (mA)

De Silicio 1N4004 7 10 10
De Germanio OA81 7 10 10
Tabla 3. Mediciones de voltaje de umbral y de voltaje  – corriente para el punto de operación máximo que permite el circuito
6, para el diodo de Si y para el diodo de Ge a temperatura ambiente

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5.- Observe y reporte las variaciones que se presentan en la curva característica,

en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando
aumenta la temperatura ambiente

5.1 Utilizando el mismo circuito de la figura 6.a, acercar un cerillo encendido (por un

tiempo no mayor a cinco segundos) al diodo bajo prueba y reportar en la figura 8 lo

que observa. Para el diodo de Silicio aumentar la temperatura ambiente acercando
el cerillo encendido el tiempo que sea necesario para que observe como la curva
característica del dispositivo se modifica al grado de que el diodo se comporta como
una resistencia de algunos cuantos ohms (al aumentar la temperatura el voltaje de
umbral disminuye y la corriente de saturación inversa crece, si este aumento de
temperatura es considerable puede hacer que el diodo se comporte casi como un
corto circuito). Después de observar esto, retirar el cerillo encendido y esperar que
el diodo recupere su característica “normal”. Puede suceder que el diodo ya no se
recupere, esto significa que ha quedado dañado definitivamente, en el caso de que
si se recupere, es preferible ya no utilizarlo en otras aplicaciones, debido a que en
la mayoría de los ccasos
asos en que se presentan estos calentamientos excesivos el
dispositivo queda con algunas alteraciones que pueden dar problemas en el
momento de su aplicación en otro circuito.

Figura 8.a… Curva característica del diodo de Silicio  

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Figura 8.b… Curva característ ica del diodo de Germanio

Figura 8. Gráficas de V-I para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el circuito
de la figura 6.a, con un incremento de temperatura

Figura 5.2 Con el diodo que ha quedado

qu edado dañado o afectado por el aumento de temperatura, usando pinzas con
todo cuidado, rompa su encapsulado y observe usando una lupa como está construido internamente y con todo
detalle dibuje en la figura 9.

Figura 9 Diodo (Construcción Inter

Interna)
na)

Cuestionario:

1.- Para la figura 1. ¿Cuál elemento presenta comportamiento rectificante? ¿Por

qué?

R: El elemento que se comporta como rectificante es el Diodo, ya que cuando se

polariza el diodo de manera directa solo permite el paso de la corriente en un solo
sentido y si se polariza de manera inversa no permite el paso de la corriente.

2.- Para el circuito de la figura 1, determine: ¿Cuál sería la corriente máxima que
podría tener el circuito si usa un voltaje pico de 10V y una resistencia muestreada
de 100Ω? 

 
R: Aplicando ley de Ohm tendríamos:  = = = 0.
0.1
1
 

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3.- Establezca un método general para identificar un diodo (comportamiento

rectificante), usando un óhmetro:

R: Solo midiendo su resistencia, de esta manera podemos identificar cual es el

ánodo y cual el cátodo ya que si presenta una resistencia infinita sabemos que el

positivo del óhmetro está conectado al cátodo.

4.- Investigue de qué forma se puede identificar el ánodo y el cátodo de un diodo
usando los multímetros digitales y explique

R: En los multímetro digitales de ahora, viene una opción en la cual cuando

conectamos nuestro diodo de manera directa nos aparece un valor, en cambio
cuando lo conectamos de manera inversa no nos aparece
apar ece ningún valor, tomando en
cuenta esto podemos saber cuál es nuestro ánodo y cuál nuestro cátodo.

5.- Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje umbral.
¿De qué orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que presenta el
diodo?

R:  El Diodo no entrará en su etapa conductora, por lo tanto su resistencia será

infinita.

6.- Determinar el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción

(para el punto de operación con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como
para el de germanio, indique: ¿Cuál de los dos presenta mayor resistencia
res istencia estática?
(Usando los resultados de la figura 7)

R: Mediante Ley de Ohm, obtenemos que la resistencia para ambos sea  = =



= 5000 Ω.
000
2

7.- Determine el valor de la resistencia dinámica en la región directa de conducción

(para el punto de operación con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como
para el de germanio, indique: ¿Cuál de ellas es mayor? (Usando los resultados de
la figura 7)

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R: 3 KΩ, la mayor es la obtenida con ley de ohm de 5KΩ.  

8.- ¿Qué parámetro se debería de modificar

mo dificar en el circuito de la figura 6, para poder
observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?

R: La amplitud de el voltaje de entrada.

9.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje umbral de un diodo

rectificador?

R: Se va acercando a cero

ce ro el voltaje umbral, el coeficiente de temperatura afecta de
manera significativa al voltaje umbral.

10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura de la corriente de fuga de un diodo

rectificador?

R: Será más estable.

11.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo
rectificador cuando se eleva la temperatura

R: Cuando se eleva la temperatura, los electrones de los materiales N y P

comienzan a liberarse por el exceso de energía por lo tanto producirá una
conducción en la polarización directa e inversa.

Conclusiones:

Durante el desarrollo de la práctica se analizó el comportamiento de los diodos tanto

en su forma simbólica como su funcionamiento y características del mismo, con
ayuda de diferentes elementos de medición y visualización como multímetros,
osciloscopio, generador de señales, etc…, se midió la continuidad en diodos así
como el voltaje y la resistencia, se observó con ayuda del osciloscopio la forma de
onda que entrega un diodo rectificador de señales. Tomando en cuenta que una
rectificación de señal es cortar o quitar una polaridad manteniendo un solo ciclo de
polaridad, con ayuda de una lupa y de un encendedor se analizó y observó la

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composición interna de un diodo y al acercar la flama al diodo la señal original se

acercaba a la señal de forma del diodo, dicho fenómeno era evidente. Se analizaron
los tipos de polarización de los diodos directa o también llamada de
d e circuito abierto,
en dónde no pasa corriente e inversa o también
tamb ién llamada de corto circuito. En general
se analizó el comportamiento de un diodo el cual su función primordial es el de
rectificar la señal y convirtiendo una señal de CA en CD.

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