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= 1
D
J
nKT
q
o D
e I I
aonae.
Bolt:man ae Constante K
inversa fuga ae Corriente I
aioao ael traves a Corriente I
aioao el en Joltafe J
o
D
D
=
=
=
=
) (
n fabricacio ae Constante n
ca trica basi Carga elec q
union la en a Temperatur T
=
=
=
SENA Electronica I
Practica 1. Caracteristicas ael Dioao Semiconauctor 2
Si se miden las caracteristicas elctricas de un diodo y se ajustan a la ecuacion, es posible determinar la
resistencia elctrica, la corriente de Iuga, e inclusive, la constante de Iabricacion del dispositivo.
Procedimiento
Verificacin del Dispositivo
Usando el ohmetro, compruebe que cada uno de los diodos se encuentra en buenas condiciones
identiIicando anodo (A) y catodo (K); reporte las mediciones:
Diodo Z
pol. directa
( ) Z
pol. inversa
( )
Silicio
Germanio
Arseniuro ae Galio
Schottky
Zener
Tunel
Curva Caracterstica
Arme el siguiente circuito para cada uno de los diodos; mida voltaje y corriente en el diodo (aplique ley ae
Ohm para determinar la corriente midiendo el voltaje en la resistencia), llene la tabla para cada caso.
J
D
470
E I
D
E (V) V
D
(V) I
D
(mA)
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
-0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Silicio
E (V) V
D
(V) I
D
(mA)
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
-0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Germanio
E (V) V
D
(V) I
D
(mA)
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
-0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Arseniuro ae Galio
SENA Electronica I
Practica 1. Caracteristicas ael Dioao Semiconauctor 3
E (V) V
D
(V) I
D
(mA)
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
-0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Schottky
E (V) V
D
(V) I
D
(mA)
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
-0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Zener
E (V) V
D
(V) I
D
(mA)
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
-0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Tunel
GraIique los datos ex perimentales colocando en el eje x el vol taje y en el eje y la corriente (J
D
vs I
D
), de
Iorma que todas las curvas queden en una misma graIica (cada curva de diIerente color); el graIico mostrara
la curva caracteristica de cada diodo.
a
a
SENA Electronica I
Practica 1. Caracteristicas ael Dioao Semiconauctor 4
Tiempo de Recuperacin Inverso
Arme el circuito para cada uno de los diodos (excepto tunel y zener) y eleve gradualmente la Irecuencia en
el g enerador de Iunciones hasta observar claramente el tiempo de transicion entre conduccion y no
conduccion, reporte el tiempo de recuperacion inversa en cada caso.
470
v t ( ) = 5 Jp
cuaaraaa
onaa
t
rr
Diodo Silicio Arseniuro de Galio Germanio Schottky
t
rr
( seg)
Cuestionario
1.- A partir de los datos experimentales, determine el voltaje de umbral (J
u
), la constante de Iabricacion (n),
y la corriente de Iuga (I
o
) de los diodos de silicio, germanio, arseniuro de galio y schottky (vase el
analisis mostrado en el apndice A); se recomienda usar el programa Matlab y la Iuncion semilogy que
incluye.
2.- Use las curvas caracteristicas de los diodos de silicio, germanio, arseniuro de galio y schottky para
calcular la resistencia estatica (R
e
), dinamica (r
a
), promedio (R
prom
) y ohmica (R