REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2019-2020I

PRACTICA 7. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO.
Escobedo Pinal Luis Gerardo,
{luisger ardo}@live.com
Instructor: Galvan Manuel

I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO:Estudio de las caracterı́sticas principales de
O los transistores de efecto de campo.
I-A. Marco teórico
I-A1. El Transistor de Efecto de Campo (FET): Este tipo
de dispositivo es unipolar porque su funcionamiento depende I-A3. Polarización en la zona activa: Los amplificadores
sólo de un tipo de carga, ya sea en electrones libres o huecos. JFET necesitan tener un punto Q en la zona activa. Debido
En otras palabras, el FET tiene portadores mayoritarios pero al gran margen entre parámetros en el JFET, no se puede
no minoritarios. Para la mayorı́a de las aplicaciones lineales, usar la polarización de compuerta. Sin embargo, se necesitan
el dispositivo más usado es el transistor bipolar. Pero hay utilizar métodos de polarización similares a los usados con
algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET es el más transistores bipolares.
apropiado, ya que tiene una alta impedancia de entrada y otras
propiedades. Por otra parte, el FET es el dispositivo preferido
I-A4. Autopolarización: La figura 7.5a muestra la
para aplicaciones en las que funciona como interruptor;
autopolarización. Como la corriente de drenador circula a
debido a que no hay portadores minoritarios, puede cortar
través de la resistencia de la fuente RS, existirá una tensión
más rápidamente, ya que no existe carga almacenada que
entre la fuente y tierra. Esto nos indica que la tensión
deba de eliminar de la unión. Hay dos tipos de transistores
compuerta-fuente es igual a la tensión negativa a través de
unipolares: transistor de efecto de campo de unión (JFET)
la resistencia de la fuente. Básicamente, el circuito crea su
y transistor de efecto de campo semiconductor óxido-metal
propia polarización usando la tensión que aparece en RS para
(MOSFET).
polarizar en inversa la compuerta.

I-A2. Polarización en la zona óhmica: El JFET puede

estar polarizado en la zona óhmica o en la zona activa.
Cuando se polariza el JFET en la zona óhmica, es equivalente
a una resistencia. Cuando se polariza en su zona activa es I-A5. Polarización con un divisor de tensión: La figura
equivalente a una fuente de corriente. La figura 7.3a muestra 7.7 muestra el circuito de polarización con divisor de tensión.
el circuito de polarización de compuerta, mientras que en la
figura 7.3b se muestra el diagrama esquemático.
I-A6. Polarización de fuente: La figura 7.9 muestra la
polarización de fuente.
El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio
de Electrónica presentado en la Universidad Autónoma de San Luis Potosı́
durante el periodo 2019-2020I..
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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2019-2020I

Actividad 9:Incremente VDD para cada valor de VDS

listado en la tabla. Para cada valor de VDS mida y
registre ID en la tabla 7-1.

Actividad 10: Reduzca VDD a 0 V. Incremente VGG a

-0.5 V. manténgalo en este nivel para el paso 12.

Actividad 11: Repita los pasos 9 y 10 para cada valor

de VDS listado en la tabla 7-1.

Actividad 12: Repita los pasos 11 y 12 para cada valor

de VGS y VDS listados en la tabla 7-1 hasta que se
alcance la corriente de drenaje de corte.

I-A7. Polarización por fuente de corriente: Cuando la

fuente de tensión del drenador no es lo suficientemente grande, III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA
puede que no haya la suficiente tensión en la compuerta para
despreciar las variaciones de VGS.En este circuito, el transistor III-1. : Construir el circuito de la figura 7.11:
bipolar bombea una corriente fija al JFET.

II. M ATERIAL UTILIZADO Y R ESUMEN DE ACTIVIDADES

Las actividades a realizar en la práctica se en listan a
continuación:
II-A. Compuerta en corto circuito con la fuente
Actividad 1: Conecte el circuito de la figura 7.11 con
S1 abierto. Remueva VGG y ponga en corto circuito la
compuerta tierra.

Actividad 2: Establezca la salida de VDD en 0 V; III-A. Ecuacion

cierre S1. Mida y registre los valores en la tabla 7-1 la
1 − VGS 2
corriente de drenaje, ID, para VDS = 0 V, VGS = 0. ID = ID S S ( ) (1)
VP
Actividad 3: Incremente la salida de VDD a VDS = 0.5.
Mida y registre en la tabla 7-1 la corriente de drenaje,
ID, para VDS = 0.5 V, VGS = 0.
III-B. Tabla 7.1
Actividad 4: Continué con los valores de VDS de la Practica y Simulacion
tabla 7-1 y registre sus valores.
ID , mA
VGS , V
Actividad 5: Abra S1. Remueva el corto circuito entre VD S , V 0 -0.25 -0.5 0 -0.25 -0.5
la compuerta y tierra. 0 0 0 0 0 0.016 0.029
0,5 0 0.021 0.005 0.033 0.036 0.045
1,0 0 0.023 0.006 0.046 0.048 0.050
1,5 0 0.025 0.007 0.050 0.048 0.052
II-B. Compuerta en polarización inversa 2 0 0.026 0.008 0.052 0.052 0.052
2,5 0 0.027 0.007 0.053 0.053 0.054
Actividad 6: Desconecte VGG en el circuito de 3 0 0.027 0.007 0.054 0.054 0.054
la figura 7.11. abra S1 y S2. Establezca las salidas 3,5 0 0.028 0.007 0.054 0.054 0.055
4 0 0.027 0.006 0.055 0.055 0.055
VDD y VGG en 0 V. Cierre S1 y S2. Encienda la fuente. 4,5 0 0.028 0.008 0.055 0.045 0.055
5 0 0.024 0.007 0.055 0.045 0.056
Actividad 7: Ajuste VGG y haga que VGS mida -0.25 7 0 0.029 0.008 0.056 0.057 0.057
9 0 0.031 0.009 0.057 0.057 0.057
V, manténgalo a este nivel para los pasos 9 y 10. 11 0 0.031 0.008 0.058 0.058 0.058
13 0 0.030 0.009 0.059 0.059 0.059
Actividad 8: Mida ID y registre su valor en la tabla 7.1 15 0 0.032 0.008 0.059 0.049 0.059
para VDS = 0 V.
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Rds.

VGS.

7.6.7 Nombre aplicaciones de los MOSFETS

Dentro de sus aplicaciones se encuentran:
Circuitos de conmutación de potencia.
Mezcladores de potencia de doble puerta.
Resistencia controlada por tensión.

IV. S IMULACI ÓN

V. P REGUNTAS VI. C ONCLUSIONES

7.6.1 ¿Cuáles son los parámetros más importantes para la Debido a la amplia aplicación de los transistores de efecto
elección de un JFET? de campo en la electrónica analógica y digital por su bajo
consumo de potencia en el control, es importante el estudio
Voltaje drenador de fuente. del comportamiento de estos elementos. Comparados con los
BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir,
Voltaje drenador de puerta. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero
mayor. Además su proceso de fabricación es también más
Corriente de puerta. simple. Además, existe un gran número de funciones lógicas
que pueden ser implementadas únicamente con transistores
Tensión de estrangulamiento (VP). MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor
MOS el componente estrella de la electrónica digital.
Voltaje de ruptura. IDSS. R EFERENCIAS
[1] Generador de formulas. http://www.hostmath.com/.
[2] Generador de tablas. https://www.tablesgenerator.com/.
7.6.2 ¿Cómo se obtiene la máxima corriente de drenaje
segura en un JFET?
1 − VGS 2
ID = ID S S ( ) (2)
VP

7.6.3 ¿Cuál es el voltaje máximo de drenaje en el que

el JFET se puede operar con seguridad?

VD S = VD D − ID ∗ RD (3)

7.6.4 A partir de las gráficas obtenidas. ¿Cuál es el

valor de VP? y ¿Cuál es el valor de IDSS?
Las gráficas no se realizaron.

7.6.5 ¿Cuáles son los parámetros más importantes para

la elección de un MOSFET?

Tension nominal de corriente.

Velocidad de conmutación.

ID.

VDmax.