DEPARTAMENTO DE ENERGÍA Y MECÁNICA

CARRERA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

ASIGNATURA: Electrónica Fundamental

NRC: 5170
INFORME DE PRÁCTICA DE
LABORATORIO
Tema: Diseño de amplificadores en
la configuración común.
No. 3.1
Profesor: Ing. Carlos Ponce
INTEGRANTES
Angel Damian Vega

27 de Junio del 2019

Sangolquí
 UNIDAD N° 3

INFORME N° 3.1
Tema:
DISEÑO DE AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION DE COLECTOR COMÚN
1. Objetivos

• Determinar el punto de operación del transistor BJT.

• Verificar las características de funcionamiento del amplificador en la configuración
colector Común.

2. Materiales
• Resistencias
• Transistor
• Capacitores
• Cables
• Protoboard
• Fuente de corriente continua
• Osciloscopio
• Multímetro
• Generador de señales

3. Marco teórico
Transistor BJT
Es un dispositivo semiconductor y su estructura consta de dos uniones PN dispuestas una a
continuación de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada
unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN, llamada unión colectora.[1]
Configuración Colector común.
La configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra aparece en la figura 1 para
los transistores pnp y npn. Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común
o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de características para
describir plenamente el comportamiento de la configuración en emisor común: uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor.[2]
 Figure 1. Notación y símbolos utilizados con la configuración en emisor común: (a) transistor npn; b) transistor pnp.

El amplificador de colector común es otro tipo de configuración de transistor de unión bipolar

(BJT) donde la señal de entrada se aplica al terminal base y la señal de salida se toma del
terminal emisor. Por lo tanto, el terminal colector es común a los circuitos de entrada y salida.
Este tipo de configuración se denomina colector común (CC) porque el terminal del colector
está efectivamente "conectado a tierra" o "conectado a tierra" a través de la fuente de
alimentación.[3]

La configuración del colector común o del colector a tierra se usa comúnmente cuando se
necesita conectar una fuente de entrada de alta impedancia a una carga de salida de baja
impedancia que requiere una alta ganancia de corriente. Considere el siguiente circuito
amplificador de colector común.[3]

Figure 2. Configuración de transistor colector común

Resolución del circuito del transistor en configuración colector común

 1- Sacar un equivalente de Thévenin en los terminales del voltaje VB.
𝑅𝐵1 ∗ 𝑅𝐵2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
𝑅𝐵2 ∗ 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇𝐻 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2

2- Teniendo el VTH y el RTH generamos una malla des de la fuente Vcc hasta tierra pasando por la
Resistencia equivalente.
𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0
3- Sabiendo que la corriente del emisor IE se relaciona directamente con el Beta del transistor y la
corriente de base, podemos encontrar la corriente de base reemplazando en la ecuación del
literal 2.
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐵
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1) ∗ 𝑅𝐸
4- Teniendo la corriente de base podemos calcular la corriente de colector y de emisor.
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
5- Teniendo todas las corrientes podemos calcular los demás parámetros como voltajes del
transistor aplicando leyes de Kirchoff.
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 ∗ (𝑅𝐸 )

4. Diseñar amplificadores en la configuración de colector común

𝐃𝐚𝐭𝐨𝐬:
Vin = 2 sen wt [V]

Zin ≥ 4k [Ω]
R L = 510 Ω

fmin = 20 Hz ; fmax = 2 kHz

 V2
12V

RC
10kΩ
C2 Q1
2N3904
220µF RE
V1 C1
10kΩ
2Vpk
60Hz R4
RL
0° 510Ω 470µF
510Ω

Figure 3. Diagrama del circuito a diseñar

5. Para el amplificador diseñado, realice las siguientes actividades

5.1 Calcule el punto de operación del transistor.
Utilizar los valores
𝐃𝐚𝐭𝐨𝐬:

R E = 510 []
R B1 = 10 [K]
R B2 = 10 [K]
 = 350
Vcc = 12 [V]
VBE = 0,7 [V]

Para calcular el punto de operación del transistor tenemos que obtener lo siguiente:
• Corriente de la base (IB)
Calculamos la resistencia de Thévenin
𝑅𝐵1 ∗ 𝑅𝐵2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
10000 ∗ 10000
𝑅𝑇𝐻 = = 5000[Ω]
10000 + 10000
Aplicamos el divisor de tensión
𝑅𝐵2 ∗ 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇𝐻 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
 10000 ∗ 12
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵 = = 6 [𝑉]
10000 + 10000
Ecuación de la malla:
𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐵
Reemplazando IE y despejando Ib tenemos:
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1) ∗ 𝑅𝐸
6 − 0.7
𝐼𝐵 = = 28.8 [𝜇𝐴]
5000 + (350 + 1) ∗ 510
• Corriente del colector (IC)
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 10.081 [𝑚𝐴]
• Corriente del emisor (IE)
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 10.11 [𝑚𝐴]
• Voltaje de la base (VB)
10000 ∗ 12
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵 = = 6 [𝑉]
10000 + 10000
• Voltaje del colector (VC)
𝑉𝐶 = 12[𝑉]
• Voltaje del emisor (VE)
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 5.156 [𝑉]
• Voltaje del colector emisor (VCE)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 ∗ (𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 6.844 [𝑉]
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶
𝑉𝐵𝐶 = −6 [𝑉]
Calcular el punto de operación (Q)
Coordenadas del punto Q(10.08 [𝑚𝐴], 6.844 [𝑉])
5.2 Calcule Zin, Zo, Av, AI.
Calculando el Zin.
Para ello calculamos la Resistencia en el emisor equivalente.
𝑅𝐸 ∗ 𝑅𝐿
𝑅𝑒 =
𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
 510 ∗ 5100
𝑅𝑒 = = 255[𝑜ℎ𝑚𝑠]
510 + 510
Calculamos la resistencia dinámica en el emisor.
𝑟𝑒 = 26[𝑚𝑉]/𝐼𝐸
𝑟𝑒 = 2.5717[𝑜ℎ𝑚𝑠]
Tenemos que la Zin está dado por.
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑇𝐻 ∥ 𝛽 ∗ (𝑅𝑒 + 𝑟𝑒 )
5000 ∗ 350 ∗ (255 + 2.57)
𝑍𝑖𝑛 = = 5000[𝑜ℎ𝑚𝑠]
5000 + 350 ∗ (255 + 2.57)
Calculando el Zo.
El Zo esta dado por la siguiente formula.
𝑍𝑜 = 𝑅𝐿
𝑍𝑜 = 510[𝑜ℎ𝑚𝑠]
Calculando la ganancia de voltaje.
𝐴𝑣 = 𝑉𝐸 /𝑉𝐵
𝐴𝑣 = 0.86
Calculando la ganancia de corriente.
𝐴𝑖 = −(𝛽 + 1)
𝐴𝑖 = −351
5.3 Grafique el diagrama de voltajes.
Recta de carga del transistor
 Figure 4. Recta de carga donde el punto Q1 es el punto de trabajo del transistor.

5.4 Verifique el punto de operación del transistor.

Figure 5. Verificación de los valores de ICQ y VCEQ,ect. simulación el LTSPICE

5.5 Verifique los parámetros de corriente alterna del amplificador.

Impedancia de entrada.
 Figure 6. Simulación de la impedancia de entrada al circuito (LTSPICE)

Impedancia de salida.

Figure 7. Simulación de la impedancia de salida al circuito (LTSPICE)

Ganancia de voltaje.
 Figure 8. Señal de voltaje de entrada al circuito en ac.

Figure 9. Señal de voltaje de salida del circuito.

Ganancia de corriente.

Figure 10. Señal de corriente de entrada al circuito en ac.

 Figure 11. Señal de corriente de salida al circuito en ac.

Figure 12. Señal de corriente de entrada y salida al circuito en ac.

5.6 Datos obtenidos en laboratorio

5.6.1 Medición de los parámetros en DC en el cual esta operando el transistor y el punto
Q.

Figure 13. Captura de la corriente de base medida en Laboratorio

 Figure 14. Medida de la corriente de colector Ic para el punto Q del transistor.

Figure 15. Medida del voltaje VCE para el punto Q del transistor.

5.6.2 Medición de los parámetros en AC de ganancia de corriente.

Figure 16. Medida de la corriente de entrada al circuito en AC.

 Figure 17. Medida de la corriente de salida del circuito en AC.

5.6.3 Graficas obtenidas en laboratorio.

Figure 18. Grafica de la señal de entrada al circuito en AC.

Figure 19. Grafica de la señal de salida del circuito en AC.

 5.7 Realice un cuadro con los resultados obtenidos.
Table I. Tabla de datos calculados y simulados con su respectivo error

Valor simulado Valor calculado Valor medido Error %

IB 27,8[uA] 28,8[uA] 28,8[uA] 3,47

IC 10,06[mA] 10,08[mA] 10,13[mA] 0,7

IE 10,09[mA] 10,11[mA] 10,2[mA] 1,1

VB 5,86[V] 6[V] 5,87[V] 0,2

VC 12[V] 12[V] 12[V] 0

VE 5,15[V] 5,156[V] 5,21[V] 1,16

VCE 6,85[V] 6,84[V] 6,79[V] 0,9

Zin 5000[ohms] 4735[ohms] - 5.3

Zon 510[ohms] 510[ohms] - 0

Av 0.85 0.9 0,8 5.8

Ai 10 9 10,4 4

6. Análisis de resultados obtenidos

Realizando el respectivo análisis de la práctica de laboratorio realizada, al verificar los valores
obtenidos en laboratorio con los valores teóricos, observamos que estos guardan mucha
similitud y por ende el error porcentual obtenido es despreciable a excepción de la ganancia de
voltaje que nos arroja un error considerable podemos justificar que en este tipo de circuito no
se gana voltaje sino corriente y por ende en la practica el voltaje de salida nos afecta, pese a
este error podemos asegurar que la práctica reflejo los conocimientos teóricos.
7. Conclusiones
• Con esta práctica logramos darnos cuenta de que el funcionamiento del transistor BJT se
cumple.
• Logramos observar que el transistor BJT en configuración de colector común, funciona
como un amplificador de potencia es decir de corriente.
• También se pudo observar que el voltaje de salida siempre es igual o menor que 1 y nunca
habrá ganancia de tensión.
• Se logro observar que con una buena configuración del transistor en colector común
obtenemos circuitos bastante aplicables en cualquier otro sistema donde se necesite
bastante potencia.
8. Recomendaciones
 • Consultar la datasheet del transistor a utilizar y no cambiar ese valor al momento de realizar
los cálculos ya que este en la práctica no va a variar, siempre trabajara con el beta
establecido en fabricación.
• Asegurarse bien en que zona está trabajando el amplificador ya que de no ser así se le estará
exigiendo mucho al transistor lo permitiría que este se funda.
9. Bibliografía
[1] Ecured, “Transistor Bipolar,” Ecured, 2013. [Online]. Available:
https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_Bipolar&oldid=2065495. [Accessed:
27-Jun-2019].
[2] R. BOYLESTAD and L. NASHELSKY, Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos, Decima edi. México: PERSON, 2009.
[3] “Amplificador de colector común Configuración del amplificador de colector común ~
Tutoriales de electrónica básica,” Tutoriales de Electrónica, 2014. [Online]. Available:
http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2019/03/amplificador-de-colector-
comun.html. [Accessed: 26-Jun-2019].

10. Anexos