UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS – ESPE

CÓDIGO: SGC.DI.505
VERSIÓN: 1.0
DEPARTAMENTO: ENERGÍA Y MECÁNICA FECHA ULTIMA
REVISIÓN: 26/10/16

CARRERA: AUTOMOTRIZ

GUÍA PARA LAS PRÁCTICAS DE LABORATORIO, TALLER O CAMPO

PERIODO MARZO – JULIO
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA GENERAL NIVEL: IV
LECTIVO: 2019
DOCENTE: ING. MAYRA ERAZO NRC: 2399 PRÁCTICA N°: 1
LABORATORIO DONDE SE DESARROLLARÁ LA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
PRÁCTICA:
TEMA DE LA
PRÁCTICA: CURVA DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA Y CIRCUITOS CON DIODOS.
INTRODUCCIÓN:
Diodo semiconductor:
Es un dispositivo no lineal de dos terminales llamados ánodo y cátodo que está formado por la unión de dos capas de material
extrínseco una tipo N y otra tipo P idealmente, el diodo se comporta como un interruptor ON-OFF.

Para el análisis del comportamiento del diodo y generación de su curva de operación, es necesario analizar tres casos:
a) Diodo sin polarización:
En esta situación cuando el diodo no se encuentra polarizado, a temperatura ambiente, los portadores mayoritarios son
empujados desde el extremo a la unión y pasan a una capa opuesta, formando una zona denominada Banda de agotamiento
o barrera de Potencial y se representa de la siguiente manera.

b) Diodo en polarización directa:

Se establece al aplicar el potencial positivo al material tipo P y el material n al potencial negativo del material tipo N, una vez
que el potencial de la fuente supere el un voltaje llamado de umbral VF, se logra vencer la banda de agotamiento y el diodo
inicia su conducción, en ese estado, el voltaje a través del dispositivo es casi constante y la corriente crece en función de la
tensión suministrada por la fuente. Para el diodo de silicio VF se considera aproximadamente de 0.7V y para el de germanio de
0.3V. La corriente de diodo podrá crecer hasta no superar el consumo máximo establecido por el fabricante.

c) Diodo en polarización inversa:

Básicamente en esta forma de polarización se aplica un voltaje determinado en la unión p-n de tal manera que el terminal
positivo se encuentra conectada en el material de tipo n y el terminal negativo en material p, donde el número de iones
positivos en la región de agotamiento del material tipo n o se incrementa debido al gran número de electrones libres atraídos
por el potencial positivo del voltaje aplicado. Esta aplicación realiza un ensanchamiento de la banda de agotamiento siendo
demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios.
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Sin embargo, existe un valor de potencial establecido por el fabricante llamado voltaje de ruptura o pico inverso VPI que una
vez superado la energía de las cargas es tan elevada que logran romper dicha banda, a este estado del diodo se conoce como
zona de avalancha, en la que el voltaje a través del diodo permanece casi constante, pero la corriente se aumenta de manera
abrupta ante mínimos cambios del potencial de la fuente. En el caso de los diodos de propósito general este no es un estado
que al que se pretenda someter al diodo, ya que podría sufrir daños; en el caso de los diodos Zener éste efecto es beneficioso
y se lo usa para implementar circuitos reguladores de voltaje.

Con éstos antecedentes, se concluye que la curva de funcionamiento del diodo de silicio que se ha tomado como ejemplo es la
siguiente:

Circuitos con diodos:

Para resolver circuitos con diodos en corriente continua o corriente alterna, es necesario establecer el sentido de la corriente para
definir su polaridad y el modelo a aplicar en el circuito equivalente. Los métodos más usados son el modelo ideal (en casos en los
que la caída de tensión del diodo sea despreciable) y el modelo aproximado (en casos en los que el voltaje de umbral del diodo
produzca una variación relevante en el voltaje resultante), el modelo completo del diodo se usa en casos de diseño.
a) Modelo Ideal (Diodo como interruptor)
En polarización directa se reemplaza como un corto circuito y en polarización inversa como un circuito abierto.

b) Modelo de la primera aproximación

Al no ser considerado como un dispositivo ideal, en polarización directa el diodo debe superar el voltaje de umbral, lo que se
modela mediante una fuente cuyo valor corresponde a VF, en polarización inversa el equivalente es igual al indicado en el
modelo ideal.
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OBJETIVOS:
 Generar la curva de operación del diodo en polarización directa mediante el uso de equipos de medida del laboratorio para
compararlos con el análisis teórico del trabajo preparatorio.
 Determinar los valores de voltaje y corriente en un circuito con diodos en configuración mixta mediante el uso de equipos de
medida del laboratorio para compararlos con los valores determinados teóricamente en el trabajo preparatorio.
EQUIPOS Y MATERIALES:
 Fuente de alimentación variable y cables.
 Multímetro y cables.
 Diodos de Si (1N4007) y resistencias.
INSTRUCCIONES:
 Utilice el mandil.
 Tenga a mano el trabajo preparatorio y circuitos de la práctica.
 Coloque las maletas en la parte posterior del laboratorio a fin de mantener despejada en área de trabajo.
 Verifique la disponibilidad y funcionalidad de los equipos a usar en la práctica
ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:
A. Trabajo preparatorio:
1. Investigue y describa el método que se realiza para determinar el estado de un diodo aplicando multímetro.
2. Para el diodo de Silicio 1N4007 investigue toda la información disponible en el ECG para éste dispositivo. (Deberá anexar
al Trabajo las hojas obtenidas del ECG donde estén resaltados los parámetros pedidos en el siguiente numeral).
3. Usando la información obtenida en el ECG, complete la información de la tabla 1:
Tabla 1: Datos técnicos del diodo 1N4007
PARÁMETRO VALOR

No de ECG

Voltaje de umbral

Corriente directa máxima

Potencia de disipación máxima

Voltaje Pico Inverso

4. Si en el circuito de la figura 1 se pretende variar la fuente de alimentación (Vin) de 0.1V a 20V de corriente continua, calcule
el valor de R mínimo y su respectiva potencia de disipación, que se podría colocar antes de superar la potencia máxima del
diodo 1N4007. (Necesitará usar la información de la tabla del apartado 3)

Figura 1: Circuito en polarización directa

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5. Una vez que ha determinado el valor de R mínima, seleccione un valor de R comercial adecuado (explique el criterio de
selección).
6. Use el valor de R seleccionado en el numeral 5, grafique el circuito equivalente y realice los cálculos necesarios para
completar la información solicitada en la tabla 2:
Tabla 2: Valores calculados para el diodo en polarización directa.
Vin VD ID

0.1V

0.2V

0.3V

0.4V

0.5V

0.6V

0.65V

0.7V

0.8V

0.9V

1V

1.5V

2V

3V

4V

6V

8V

10V

12V

14V

15V

17V

18V

20V

NOTA: Antes de la tabla deberá presentar los circuitos equivalentes y los cálculos realizados para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario
no será válida la información.
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7. Con los resultados obtenidos en la tabla 2 y usando papel milimetrado, grafique la curva de funcionamiento teórica del
diodo en polarización directa.
8. Grafique el circuito equivalente que se obtiene como resultado al invertir la polaridad de la fuente del circuito de anterior y
calcule los parámetros de la tabla 3:

Tabla 3: Valores calculados para el diodo en polarización inversa.

Vin VD ID

0.1V

0.5V

1V

2V

4V

6V

8V

10V

12V

14V

15V

17V

18V

20V

NOTA: Antes de la tabla deberá presentar los circuitos equivalentes y los cálculos realizados para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario
no será válida la información.

9. ¿Bajo qué escenario sería posible llegar a la a la zona de avalancha del diodo 1N4007 y verificar su comportamiento en el
laboratorio?
10. Utilice un software y simule el circuito tanto para polarización directa y polarización inversa y llene la información de las
siguientes tablas.
Tabla 4: Valores simulados para el diodo en polarización directa.
Vin VD ID

0.1V

0.2V

0.3V

0.4V

0.5V
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0.6V

0.65V

0.7V

0.8V

0.9V

1V

1.5V

2V

3V

4V

6V

8V

10V

12V

14V

15V

17V

18V

20V

NOTA: Antes de la tabla deberá presentar las capturas de pantalla de las simulaciones para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario no
será válida la información.

Tabla 5: Valores simulados para el diodo en polarización inversa.

Vin VD ID

0.1V

0.5V

1V

2V

4V

6V

8V
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10V

12V

14V

15V

17V

18V

20V

NOTA: Antes de la tabla deberá presentar las capturas de pantalla de las simulaciones para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario no
será válida la información.
11. Con los resultados obtenidos en la tabla 4 y usando papel milimetrado, grafique la curva de funcionamiento simulada del
diodo en polarización directa, compárela con la obtenida en el numeral 7 y exponga sus conclusiones.
12. Para el circuito de la figura 2, considerando que los diodos son de silicio, de la serie 1N4007 :

Figura 2: Circuito con diodos en conexión mixta.

a) Grafique su circuito equivalente.
b) Realice los cálculos necesarios para completar la información de la tabla 6:
Tabla 6: Valores calculados para el circuito en conexión mixta.
Parámetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
calculado
NOTA: Antes de la tabla deberá presentar el cálculo realizado para cada uno de los parámetros solicitados, caso contrario no será válida la información.
13. En base a los resultados obtenidos en el numeral 12, determine la disipación de potencia de los diodos y las resistencias.
(Esto le permitirá verificar que los diodos no superen el consumo máximo y le indicará las potencias nominales adecuadas
para las resistencias que debe adquirir para la práctica).
14. Utilice un software para simular el circuito de la figura 2 y llene la información de la tabla 7.
Tabla 7: Valores simulados para el circuito en conexión mixta.
Parámetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
Simulado
NOTA: Antes de la tabla deberá presentar las capturas de pantalla de las simulaciones para cada uno de los valores solicitados, caso contrario no
será válida la información
15. Adquiera los materiales necesarios para la práctica.
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B. Procedimiento de la práctica:
1. Mida la resistencia del diodo:
Resistencia en polarización directa: ____________
Resistencia en polarización inversa: ____________
Y compruebe si el estado del diodo es adecuado: Si o No y ¿por qué?
_________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
2. Arme el circuito de la figura 1 del trabajo preparatorio (usando la resistencia seleccionada en el trabajo preparatorio) y
mida el voltaje y corriente a través del diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 8.
Tabla 8: Valores medidos para el diodo en polarización directa.
Vin VD ID

0.1V

0.2V

0.3V

0.4V

0.5V

0.6V

0.65V

0.7V

0.8V

0.9V

1V

1.5V

2V

3V

4V

6V

8V

10V

12V

14V

15V

17V
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18V

20V

3. Con la información de la tabla 8 y haciendo uso de papel milimetrado, grafique la curva real de operación del diodo en
polarización directa. (Éste ítem debe realizarlo para el informe de práctica).
4. Invierta la polaridad de la fuente del circuito del apartado anterior (diodo en polarización inversa) y mida el voltaje y
corriente a través del diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 9.
Tabla 9: Valores medidos para el diodo en polarización inversa.
Vin VD ID

0.1V

0.5V

1V

2V

4V

6V

8V

10V

12V

14V

15V

17V

18V

20V

5. Arme el circuito de la figura 2 del trabajo preparatorio y mida los parámetros indicados en la tabla 10.
Tabla 10: Valores medidos para el circuito en conexión mixta.
Parámetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
calculado
RESULTADOS OBTENIDOS:
Elabore un informe de la práctica en el formato indicado por el docente en dónde se evidencie un análisis comparativo de los
valores calculados y simulados con respecto a los medidos de los circuitos implementados en la práctica y genere las respectivas
conclusiones.
CONCLUSIONES:

 En polarización directa el diodo de silicio conduce cuando su voltaje oscila entre 0.5 a 0.7 V.
 En polarización inversa el diodo no conduce y se comporta como un circuito abierto.
 El modelo aproximado usado en la práctica genera resultados aceptables.
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RECOMENDACIONES:
 Verificar el funcionamiento de los equipos de medida y cables de conexión del laboratorio.
 Verificar el buen estado de los elementos que se usará en la práctica.
 Verificar que los circuitos propuestos para la práctica estén armados correctamente.
 Leer detenidamente éste documento antes de presentarse a la práctica.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS Y DE LA WEB:

 TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS,BOYLESTAD & NASHELSKY,décima edición, 2009,

PEARSON-PRENTICE HALL.
 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, FLOYD THOMAS L, octava edición, 2007,PEARSON EDUCACIÓN

FIRMAS

F: __________________________ F: ____________________________ F: _______________________________

Nombre: Ing. Mayra Erazo Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo

DOCENTE COORDINADOR DE ÁREA DE JEFE DE LABORATORIO

CONOCIMIENTO