LAB. CIRCUITOS ELECTRONICOS 2 EXP.

EXPERIMENTO Nº 4

POLARIZACION Y ESTABILIZACION

OBJETIVO:
Comprobar experimentalmente el funcionamiento de la polarización de
una etapa con transistor bipolar para un punto de operación (punto Q)
determinado. Analizar, usar y reconocer algunas formas para estabilizar una
etapa contra variaciones de hfe, cambios de temperatura.

NOTA : El profesor debe realizar una breve introducción del experimento y sus objetivos. Así mismo debe
permanecer durante toda la sesión del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.

EQUIPOS Y MATERIALES:
- Fuente de alimentación doble
- Multímetro digital
- 1 Transistor NPN BC548
- 9 Resistencias (¼W) : 1KW, 3.9KW, 5.6KW, 6.8KW, 10KW, 22KW,
100KW, 1MW, 1.5MW.
- 1 Foco de 12Vdc
- Tablero de conexión
- Alicate
DESCRIPCION BASICA :
Se entiende por polarización a la aplicación de potenciales a un punto del
circuito con respecto a otro de referencia, con el objeto de satisfacer condiciones
adecuadas de trabajo. Se le conoce con el nombre de punto de trabajo del
transistor o punto de reposo (punto Q).
El transistor como todos los dispositivos activos no lineales funcionan en
forma lineal cuando esta operando en su región activa normal. Para establecer
un punto de operación en esta región es necesario proporcionar un voltaje
(VCEQ) y una corriente (ICQ) apropiados, usando fuentes externas de CC.
La polarización es el procedimiento de diseño de un circuito para
establecer y mantener un punto de operación predeterminado.
El punto de operación debe permanecer estable dentro de ciertos límites
prescritos a pesar de las variaciones causadas por:

a. Diversidad de producción (tolerancias) en resistencias (0.01, 0.1, 1, 5, 10 y

20%); transistores (hFEmáx, hFEmín) y fuentes de poder (12V ± 5%).
b. Efectos de temperatura en resistencias y en los transistores dados por
variaciones de VBE, hFE y ICBO. Las variaciones de temperatura hacen que el
punto de operación cambie a lo largo de la línea de carga de CC. Por lo
general en amplificaciones de señal pequeña, se escoge el punto de
operación simétrica máxima en la corriente colector.

PROCESO OPERATIVO:
1. Verifique los terminales del transistor utilizado en la experiencia y
comprobar su estado.
2. Arme el circuito de la Fig. 4-1.
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Fig. 4-1
Observe y mida los sgtes. valores :

VE= ………….. VC= ……………

VBE= ………….. VCE= …………….
IE= …………… IC= …………….
Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en
cada experiencia.

Fig. 4-2
Coloque el foco (Fig. 4-2) cerca del transistor y transcurridos 30 seg.
vuelva a observar y anote :
VCE= ………………..
IC= ………………..
Toque el transistor para apreciar su temperatura.
3. Arme el circuito de la Fig. 4-3 y repita las medidas del paso 2.

Fig. 4-3

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VE= ………….. VC= ……………
VBE= ………….. VCE= …………….
IE= …………… IC= …………….
con el foco :
VCE= ………………..
IC= ………………..

4. Arme el circuito de la Fig. 4-4 y repita las medidas del paso 2.

Fig. 4-4

VE= ………….. VC= ……………

VBE= ………….. VCE= …………….
IE= …………… IC= …………….
con el foco :
VCE= ………………..
IC= ………………..

5. Arme el circuito de la Fig. 4-5 y repita el paso 2.

Fig. 4-5

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VE= ………….. VC= ……………
VBE= ………….. VCE= …………….
IE= …………… IC= …………….
con el foco :
VCE= ………………..
IC= ………………..

6. Arme el circuito de la Fig. 4-6 y repita el paso 2.

Fig. 4-6

VE= ………….. VC= ……………

VBE= ………….. VCE= …………….
IE= …………… IC= …………….
con el foco :
VCE= ………………..
IC= ………………..

7. Arme el circuito de la Fig. 4-7 y repita el paso 2.

Fig. 4-7
VE= ………….. VC= ……………

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VBE= ………….. VCE= …………….
IE= …………… IC= …………….
con el foco :
VCE= ………………..
IC= ………………..

CUESTIONARIO:
1. Haga el análisis teórico de la fig. 4-1 y compare con los valores
experimentales y grafique la recta de carga y los puntos Q.

2. Repita el paso 1 para la fig. 4-3.

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3. Repita el paso 1 para la fig. 4-4.

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4. Repita el paso 1 para la fig. 4-5.

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5. Repita el paso 1 para la fig. 4-6.

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6. Repita el paso 1 para la fig. 4-7.

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7. Justifique porqué un cambio de b provoca un desplazamiento del punto

de trabajo.

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8. Razone porqué las condiciones de corte y saturación determinan la recta

de carga para un circuito concreto.

9. Indique el tipo de polarización que ofrece la mayor y peor estabilidad del

punto de reposo frente a variaciones de b y temperatura.

10. ¿Cuál es la ventaja de usar una resistencia en el emisor de un circuito

transistorizado?.

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11. ¿Es la polarización por realimentación de corriente por colector tan eficaz
como la polarización tipo H?.

12. Explique en forma resumida el comportamiento del circuito de

polarización universal ante un posible incremento de b.

13. Diseñe el circuito de la fig. 4-6 polarizándolo correctamente, asuma:

ICQ=1mA si Vcc = 12V, 50 < b < 150 y ICBO = 0.

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14. Encuentre en un manual las características del transistor usado.

15. Anote algunas observaciones y conclusiones del experimento.

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