1 TEMA Unidad 1 (25 Puntos)

Contestar las siguientes preguntas

Mediante la grafica de la curva característica del diodo RESULTADO

a.- Encontrar el valor de voltaje en el diodo para una corriente de 10ma
b.-Encontrar el valor de voltaje en el diodo para una corriente de 2ma
c.- Encontrar el valor de resistencia DC para el valor de corriente de 2ma
d:- Encontrar el valor de resistencia DC para el valor de voltaje -10 V
e.- Encontrar el valor de resistencia DC para el valor de 10 ma

2 TEMA Unidad 1 (25 Puntos)

Resolver el siguiente problema

a.- Si el valor de Vi = 142Vdc y el diodo D1 es de silicio resolver cuanto es el voltaje V0 =

a) 120V b) 143.3.V c) 121.3V d) 119.3V e) -120.3 V

b.- Si el valor de Vi = 17Vdc y el diodo D1 es ideal resolver cuanto es el voltaje V0 =

a) 20V b) 22V c) 19.3V d) 19V e) -22.3 V

3 TEMA Unidad 1 10 PUNTOS

Lea los siguientes enunciados y conteste si este es verdadero V ó falso F

a.- Se define a los materiales extrínsecos

a)Al material semiconductor con un grado de pureza alta
b)A materiales semiconductores que solo tienen electrones libres
c)A materiales semiconductores sometidos al proceso de dopado
d)Al diodo de germanio y al diodo de silicio

4 TEMA Unidad 1
20 PUNTOS
Resolver el siguiente problema

Si el diodo d1 y D2 son de silicio

Encontrar el valor de Corriente en cada uno de los elementos y llenar la tabla
If Ir Id1 Id2

5 TEMA Unidad 1 20 PUNTOS

Lea los siguientes enunciados y conteste si este es verdadero V ó falso F

1.- Un átomo de silicio tiene 4 electrones de valencia

2.- El semiconductor mas empleado es el cobre
3.- 14 protones en estado neutro posee un átomo de silicio
4.- Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un hueco
5.- Los huecos de comportan como carga positiva
6.- Los huecos son responsable de que exista un material extrínsecos tipo p
7.- los iones negativos son átomos que han ganado un electrón
8.- La polarización directa de un diodo es cuando por Terminal del ánodo esta a
positivo y el Terminal de cátodo esta a negativo
9.- La región de agotamiento esta conformada por los iones aceptores y donadores
10.- la región de agotamiento solo sufre cambios si el diodo se polariza ya sea
directamente o inversamente