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Universidad Nacional San

Antonio Abad del


Cusco
Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, Mecánica,
Informática y Sistemas

TRABAJO Nro.1:

 Análisis y Resolución del


ejercicio Nro. 7 de circuitos
Electrónicos
 Simulación en Multisim

 Asignatura: Circuitos Electrónicos I

 Docente: Ing. Facundo Palomino Quispe

 Estudiantes:
- Leoncio Mejía Inquiltupa - 174918
- Aldair Vargas Luna - 182769
- Ronny Willian Quispe Ccasa - 130289

 Esc. Profesional: Ingeniería Electrónica

SEMESTRE 2021– I
CUSCO – PERU
1. INTRODUCION:
En el presente informe se desarrolla el análisis y resolución del ejercicio nro.7. El
objetivo de este es aplicar los conocimientos adquiridos en sesión de clases,
además de llevar nuestro conocimiento a la experimentación práctica mediante
el uso de simuladores (multisim).

1.1 Ejercicio nro.7

R2
R2
2kΩ
2kΩ

D1
D1 D2
D2
Ge2
Ge2 Ge2
Ge2

R1
R1
V1
V1 V2
V2
10V
10V 2kΩ
2kΩ 20V
20V
D3
D3 D4
D4
Ge2
Ge2 Ge2
Ge2

1.2 Reconocimiento de los compontes del circuito:


En el circuito podemos identificar únicamente la presencia de dos fuentes DC de
10v y 20v, además encontramos diodos de germanio
(componente activo) y resistencias de 2k (componente pasivo)

 FUENTES DC:
La Corriente Continua es se refiere al flujo
continuo de carga eléctrica a través de un
conductor entre dos puntos de distinto
potencial y carga eléctrica, que no cambia de
sentido con el tiempo, este tipo de corriente
es suministrada a través de pilas o baterías.

 DIODOS DE GERMANIO:
El diodo de germanio es un dispositivo semiconductor que permite el
paso de la corriente eléctrica en una sola dirección. Al igual que el diodo
de silicio el diodo de germanio también utiliza una unión PN y se
implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio, sin
embargo, el diodo de germanio tiene una tensión de polarización directa
de 0,3 voltios.

EJEMPLO: Basándonos en el diodo de germanio 1N270


Fabricante: Solid State Inc.
Características:
 Material semiconductor de Germanio
 Optimizado para respuesta en radio frecuencia (RF)
 Uniones con oro
 Baja corriente de fuga en inverso: 100 μA max. (@ 50 V)
 Capacitancia de juntura plana
 Capacitancia: 0.8 pF típica
 Voltaje en directo: 1 V max. (@ 200 mA)
 Voltaje pico inverso max: 100 V
 Corriente promedio en directo max: 40 mA
 Corriente pico en directo operativa max: 325 mA
 Transitorio de corriente en directo max: 500 mA (por 1 s)
 Encapsulado: DO-7
Aplicaciones:
 Detectores AM/FM
 Detectores de rata o proporción
 Discriminadores de FM
 Puntas de entrada de RF
 Reemplazo de diodos de punto de contacto (Diodos de cristal)
 Detectores de audio en TV
 Detectores de video en TV
 Aplicaciones de frecuencia intermedia (IF) en TV

 RESISTOR:
Se denomina resistencia o resistor al componente
electrónico diseñado para introducir una
resistencia eléctrica determinada entre dos puntos
de un circuito eléctrico. En otros casos, como en
las planchas, calentadores, etc., se emplean
resistencias para producir calor aprovechando el
efecto Joule. Es un material formado por carbón y
otros elementos resistivos para disminuir la
corriente que pasa. Se opone al paso de la
corriente.
2. RESOLUCION PROBLEMA Nro. 07

Determinar la tensión de salida Vo y la corriente ID que pasa por cada uno de los
diodos del circuito. Considera que todos los diodos son de Ge (voltaje de
activación de 0.3V).

1. Consideraciones:

 El diodo solo puede funcionar de dos maneras: En polarización directa conduce la


corriente y en polarización inversa no conduce corriente alguna.
 Si el diodo conduce la corriente necesariamente se establece una diferencia de
potencial fija entre sus bornes. Para el caso de diodos de Germanio esa
diferencia es igual a 0.3V.
 Se considera que es más adecuado un análisis con la segunda aproximación en
todos los diodos pues nos proporcionan un voltaje de activación lo que descarta
una primera aproximación. 
 También se descarta la tercera aproximación al tener resistencias del orden de
los kΩ y como se verá, obtendremos corrientes del orden de los miliamperios lo
que hace despreciables resistencias internas que suelen tener un valor pequeño.

2. Solución:
Basándonos en los diodos conectados, tenemos 3 casos para analizar el valor Va:
A. Si Va >9.7V. Este voltaje provoca que tanto D1 como D3 no conduzcan
corriente. Se tendría la resistencia del centro sin conexión y tampoco
existiría corriente por ninguno de los otros diodos. En esta situación no se
puede establecer el potencial VA mencionado, lo que contradice el
enunciado.

B. Si Va=-0.3V. Este voltaje hipotético ocasiona que el diodo D1 y el diodo D3


sean polarizados directamente. Entonces debe producirse una diferencia
de potencial de 0.3V en cada uno, lo cual contradice la diferencia de
potencial en el diodo D1.
C. Si Va=9.7V. Con este valor el diodo D1 está en polarización directa (circula
corriente) y el diodo D3 está en polarización inversa (circuito abierto).
Este valor es el único que no presenta contradicción.

Por lo tanto:
Va = 9.7V

Siguiendo el mismo razonamiento para determinar el valor Vo


encontramos que el único valor coherente es:

Vo=0.3V

Valor para el cual el diodo D2 está apagado y no permite el paso de


corriente. El diodo D4 se encuentra en polarización directa y si conduce
corriente.

Establecemos un nuevo circuito donde se incluyan los resultados


obtenidos:
D1 → ON
D2 → OFF
D3 → OFF
D4 → ON
En el siguiente gráfico:
La corriente en la rama del medio es constante:
I =I D 1 =I D 4

Calculamos el valor de la corriente usando la ley de Ohm:

V a −V o=I ( R 1)

9.7 V −0.3 V =I (2000)

9.4 V =I (2000)

9.4 V
I=
2000

I =4.7 mA

Luego las corrientes en los diodos polarizados directamente serán:

I D 1 =4.7 mA

I D 4=4.7 mA

No hay corriente en los diodos polarizados inversamente:

I D 2 =0 A

I D 3 =0 A
3. SIMULACIONES EN MULTISIM:
Utilizando el software Multisim analizamos y comprobamos los resultados
obtenidos en la parte operacional.

DIODO D1 Y D4: DIODO D2 Y D3:

VOLTAJE Vo:
Simulación con el diodo de silicio: