UNIVERSIDAD DE ORIENTE

FACULTAD DE TELECOMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA,

INFORMÁTICA Y BIOMÉDICA

Tarea Extraclase
Electrónica Analógica I

Autores: Amed Clavería Méndez

Fernando Roman Bertot

Jaciel Hernández López

GRUPO: TELE – 21

EQUIPO # 1

Santiago de Cuba

Curso 2019 – 2020

 Tema I: Circuitos con diodos.

Tarea 1:
1-Diseñe una fuente de alimentación con los parámetros que se especifican en la
tabla, de acuerdo con el número del equipo. Especifique los principales
parámetros que deben tener los diodos para este diseño (I pico, V pico inverso
máximo, voltaje de conducción, I de funcionamiento). Proponga un diodo real.
Pueden buscar los parámetros eléctricos de algunos diodos en el libro de texto.

 Obtenga la regulación de voltaje.

 Simule y compruebe el funcionamiento.
 Características de los parámetros del transformador.
 Agregue al diseño un indicador de encendido con diodo Led.

b) Del rectificador (sin filtro capacitivo) obtenga los siguientes parámetros:

 Voltaje de DC de salida.
 Corriente de DC de salida.
 Voltaje efectivo (rms) de salida.
 Corriente efectiva (rms) de salida.
 Potencia de DC.
 Potencia de AC.
Voltaje de Corriente máxima Tensión
Número del Tipo de
salida de DC de salida de DC efectiva de
equipo rectificador
(Vdc) (Idc) rizado
1 10 500mA 3% del Vdc Puente de diodos

Respuestas:
Parámetros eléctricos de los diodos (1N4001):
Escogimos el diodo D1N4001, porque es un diodo muy usado en electrónica como
rectificador en fuentes de alimentación, ya que es un supresor de picos en bobinas
y relés, puede soportar hasta 1 A con polarización directa cuando se le emplea
como rectificador. Tiene una caída de tensión típica con polarización directa de
0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unión es de 25 °C.
Presenta baja caída de tensión directa, alta fiabilidad, capacidad de picos
elevados de corriente y soporta un voltaje máximo de 35 V.
Especificaciones

 Corriente directa lf (AV): 1 A

 Voltaje directo máximo VF: 1.1 V
 Corriente directa transitoria Ifsm máxima: 30 A
 Temperatura de operación máxima.: 175°C
 Encapsulado: DO-41
 Axial: 2 puntas
 Voltaje pico inverso repetitivo Vrrm : 50 V
 Voltaje pico inverso no repetitivo Vrm : 60 V
 Voltaje RMS inverso Vr(rms): 35 V RMS
 U D=0.7

Hallando R L ( resistencia de carga ) :

V 0 dc 10 V
R L= = =20 Ω
I 0 dc 500 mA

HallandoU rRms ( tensi ó n efectiva de rizado ):

U rRms = 3% del V 0 dc =0.03∗10 V =0.3 V

HallandoU rp ( tensi ó n de rizado pico ):

La tensión de rizado pico es aproximadamente senoidal.
U rp= √ 2∗U rRms =1.41∗0.3 V =0.42 V

HallandoU rpp ( tensi ó n de rizado pico a pico ):

U rpp =2∗U rp=2∗0.42V =0.85 V

HallandoC ( valor del capacitor ):

1
Fr =
√2 ( 4 × f × Rl ×C−1 )

C=
1
4 × f × Rl (
× 1+
1
√2 × Fr )
=¿ 5118.8µF

HallandoU m (tensión máxima rectificada)

Urp = Um – U0dc
U m =U rp +U 0 dc =0.42 V +10 V =10.42 V

HallandoUmsc (tensión de entrada pico real del secundario)

Umsc = Um + 2Ud = 11.82 V
Hallando I M ( corriente pico que pasa por el diodo ) :

IM =
√( RL)
1 2
+¿¿ =
√( )
1 2
RL
+¿¿

IM =
√( RL)
1 2
+¿¿ =
√( 1 2
20 Ω )
+¿ ¿ = 1 .0 6 A

 Hallando Regulación de voltaje.

HallandoU C ( tensi ó n del capacitor ) :

Si se desconecta la Resistencia de carga R L, el capacitor se carga a la tensión U m .

U 0 dc ( sin carga )=Uc=U m=10.42 V

U 0 dc ( con carga )=¿ 10V

Si se conecta la Resistencia de carga R L, la tensión de salida de la componente de

directa U 0 dc varía de 10.42V a 10V.
V 0 dc ( sin carga )−V 0 dc ( con carga ) 10.42 V −10 V
Reg . voltaje= = =0.042=4.2 %
V 0 dc ( con carga ) 10V

Diseño de la fuente:

D1, D2, D3, D4: 1N4001

C1: 5118.8µF
RL= 20Ω
  Simulación y comprobación del circuito:

 Agregue al diseño un indicador de encendido con diodo Led.

Aplicando una LKV alrededor del diodo LED sabiendo que éste se enciende con
2V y 10mA y que el potencial a la entrada es de 10V se calcula la diferencia de
potencial en la resistencia que es de 8V. Después, aplicando ley de Ohm se
obtiene:
 8V
R= =800 Ω
10 mA

b) Parámetros del rectificador (sin filtro capacitivo):

 Voltaje de DC de salida.

2Um 2∗10.42V
U 0 DC = = =6.64 V
π 3.14
 Corriente de DC de salida.

U 0 DC 6.64 V
I 0 DC = = =0.33 A
RL 20 Ω

 Voltaje efectivo (rms) de salida.

Um 10.42V
U 0 Rms= ¿ =7.37 V
√2 1.41
 Corriente efectiva (rms) de salida.
U 0 Rms 7.37 V
I 0 rRms= = =0.37 A
RL 20 Ω

 Potencia de AC.
P0 AC =U 0 Rms∗I 0 rRms=7.37V ∗0.37 A=2.73 W

 Potencia de DC.
P0 DC =U 0 DC∗I 0 DC =6.64 V∗0.33 A=2.19 W

 Eficiencia
P 0 DC 2.19W
ŋ=¿ ¿ 100 %=¿ ¿ 100 % = 80%
P0 AC 2.73W
Tarea 2:
En la sección 3.7 página 120 del tomo I del libro de texto (Circuitos
Microelectrónicos análisis y diseño de Rashid) se exponen los fundamentos de los
circuitos multiplicadores de voltaje. Realice un análisis de la temática y proponga
dos circuitos: un duplicador de voltaje y un triplicador de voltaje. Explique el
funcionamiento de cada uno, simule y compruebe sus resultados.
Circuito duplicador de voltaje:
 π
 Primer Intervalo (0 ≤ wt ≤ )
2
La tensión de entrada Us es positiva, el primer diodo D1 entra en conducción ya
que se polariza en directa (tensión en el ánodo mayor que en el cátodo) y el
segundo diodo D2 no conduce pues se polariza en inversa (tensión en el
ánodo menor que en el cátodo); lo que provoca que el capacitor C1 se cargue
a Um (Uc1 = Um ).
π
 Segundo Intervalo ( ≤ wt ≤ π )
2
El diodo D1 se apaga y el diodo D2 se enciende. Si el valor R es
suficientemente grande, de modo que RC>1/f, entonces el capacitor C1 no
tiene tiempo a descargarse.
3π
 Tercer Intervalo ( π ≤ wt ≤ )
2
La tensión de entrada Us es negativa, el primer diodo D1 no conduce pues se
polariza en inversa (tensión en el ánodo menor que en el cátodo) y el segundo
diodo D2 entra en conducción ya que se polariza en directa (tensión en el
ánodo mayor que en el cátodo); lo que provoca que el capacitor C2 se cargue
a Um (Uc2 = 2Um).
3π
 Cuarto Intervalo ( ≤ wt ≤ 2 π )
2
 Los diodos D1 y D2 se apagan.
La tensión de salida U0 de estado estable después de un ciclo completo es:
U0 = 2Um.
La tensión inversa pico es PIV = 2∗U m.

Circuito triplicador de voltaje:

Durante el primer ciclo positivo el capacitor C1 se carga a través del diodo D1que
está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el cátodo) a U C1= Um,
el diodo D2 se encuentra polarizado en inversa (tensión del cátodo mayor que en
el ánodo), por lo que no conduce. En el primer ciclo negativo El diodo D2 entra en
conducción, lo que trae como consecuencia que el capacitor C2 se cargue a
Uc2=2Um; en el siguiente ciclo el capacitor C2 le entrega la carga al capacitor C3 a
través del diodo D3, siendo Uc3=2Um y el capacitor C1 Se carga nuevamente con
Uc1=Um; de esta forma se logra obtener a la salida un estado estable con U0≈ 3Um.

Tarea 3:
3- De los circuitos que se muestran obtenga analíticamente la forma de onda a la
salida. Realice la simulación y compruebe sus resultados. Cada equipo de
estudiantes analizará el circuito de la figura que se corresponda con su número.
Figura 1
R1

100
D1 D2
V3
VOFF = 0 D 1N 1190
VAMPL = 8v
F R EQ = 1k
V1
1.5v 3v V2

0
Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo D2 se encuentra en estado de
conducción, pues está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el
cátodo), mientras que el D1 no conduce, pues está polarizado en inversa (tensión
del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la salida U 0 = 3 + UD2.
Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo D2 se encuentra en estado de no
conducción, pues está polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el
cátodo); mientras que el diodo D1 conduce, pues está polarizado en directa
(tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que la tensión a la salida será
U0 = 1.5 – UD1. En la simulación se aprecia la señal limitada al valor de U0 en
cada semiciclo.

Figura 2
 R2

100
D3 D4
V4
VOFF = 0 D 1N 1190
VAMPL = 8v
F R EQ = 1k

V5 V6
1.5v 3v

Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo D1 se encuentra en estado de

conducción, pues está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el
cátodo), mientras que el D2 no conduce, pues está polarizado en inversa (tensión
del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la salida U 0 = -1.5 –
UD1. Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo D1 se encuentra en estado de no
conducción, pues está polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el
cátodo); mientras que el diodo D2 conduce, pues está polarizado en directa
(tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que la tensión a la salida será
U0 = - 3 + UD2. En la simulación se aprecia la señal limitada al valor de U0 en cada
semiciclo.
Figura 3
D5 D6

D 1N 1190 R3 R4
1.3k 4.7k
VOFF = 0 V7
VAMPL = 10v
F R EQ = 1k
V8 V9

3v 6v

Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo D1 se encuentra en estado de

conducción, pues está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el
cátodo), mientras que el D2 no conduce, pues está polarizado en inversa (tensión
del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la salida U 0 = 3 + UD1.
Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo D1 se encuentra en estado de no
conducción, pues está polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el
cátodo); mientras que el diodo D2 conduce, pues está polarizado en directa
(tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que la tensión a la salida será
U0 = 6 – UD2. En la simulación se aprecia la señal limitada al valor de U0 en cada
semiciclo.

Figura 4
D7 D8

D 1N 1190 R5 R6
1.3k 4.7k
VOFF = 0 V10
VAMPL = 10v
F R EQ = 1k
V12
V11 3v
3v

Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo D1 se encuentra en estado de

conducción, pues está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el
cátodo), mientras que el D2 no conduce, pues está polarizado en inversa (tensión
del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la salida U 0 = - 3 +
UD1. Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo D1 se encuentra en estado de no
conducción, pues está polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el
cátodo); mientras que el diodo D2 conduce, pues está polarizado en directa
(tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que la tensión a la salida será
U0 = 3 + UD2. En la simulación se aprecia la señal limitada al valor de U0 en cada
semiciclo.
Figura 5
R 11

100
D 13 V
D 14
V21
VOFF = 0 D 1N 1190
VAMPL = 8v
F R EQ = 1k
V23
V22
1.5v
3v

0
Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo D2 se encuentra en estado de
conducción, pues está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el
cátodo), mientras que el D1 no conduce, pues está polarizado en inversa (tensión
del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la salida U 0 = 3 + UD2.
Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo D2 se encuentra en estado de no
conducción, pues está polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el
cátodo); mientras que el diodo D1 conduce, pues está polarizado en directa
(tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que la tensión a la salida será
U0 = - 1.5 – UD1. En la simulación se aprecia la señal limitada al valor de U0 en
cada semiciclo.

Figura 6
R9 D 12

200
R 10
V18 D 1N 1190 0.5k
VOFF = 0
V17 D 11 VAMPL = 5v
VOFF = 0 F R EQ = 1k
VAMPL = 5v D 1N 1190
F R EQ = 1k V19 V20
2v 2v

0 0

Figura 6.1
Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo no conduce, pues está polarizado en
inversa (tensión del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la
salida U0 = Us = 8V. Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo conduce, pues
está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que
la tensión a la salida será U0 = - 2 – U D1. En la simulación se aprecia la señal
limitada al valor de U0 en cada semiciclo.
Figura 6.2
Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo no conduce, pues está polarizado en
inversa (tensión del ánodo menor que en el cátodo); por lo tanto, la tensión a la
salida U0 = Us = 5V. Cuando inicia el semiciclo negativo el diodo conduce, pues
está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el cátodo); por lo que
la tensión a la salida será U0 = - 2 – U D1. En la simulación se aprecia la señal
limitada al valor de U0 en cada semiciclo.
Figura 7
Cuando inicia el semiciclo positivo el diodo D2 se encuentra en estado de
conducción, pues está polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el
cátodo), y funciona como un diodo rectificador, mientras que el diodo D1 está
polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el cátodo), por lo que el
diodo mantendrá una tensión constante, regulando así la tensión del circuito; por
lo tanto, la tensión a la salida U0 = 12 – UZ2. Cuando inicia el semiciclo negativo el
diodo D2 está polarizado en inversa (tensión del ánodo menor que en el cátodo),
manteniendo una tensión constante; mientras que el diodo D1 conduce, pues está
polarizado en directa (tensión del ánodo mayor que en el cátodo), funcionando
como diodo rectificador; por lo que la tensión a la salida será U0 = - 12 + UZ1. En
la simulación se aprecia la señal limitada al valor de U0 en cada semiciclo.
Tema II. Transistores. Amplificadores transistorizados.
Tarea 1:
1- Se desea amplificar al máximo posible una señal sinusoidal con las
características que se especifican para cada equipo de laboratorio. Diseñe dos
esquemas de dos etapas, uno con transistores bipolares y otro con unipolares que
satisfagan las condiciones de diseño que se especifican a continuación.
Equipo Transistor Configuración Transistor Configuración Valor de VCC
bipolar Unipolar Vs(RMS)
1 NPN CC-EC JFET P DC-SC 80mV 20V

Amplificador BJT

Consideraciones previas:
1. Resistencia de entrada igual o mayor a 10 kΩ
2. Para el amplificador diseñado con transistores BJT, garantizar que
ƒL = 10 Hz y ƒH = 10 kHz.
Parámetros del punto de
Parámetros del transistor Q2N2222:
operación:
β = 195 rπ = 540 Ω ro = 8.29 kΩ
ICQ = 10 mA VCEQ = 10 V
Cπ = 193 pF Cµ = 3.01 pF FT = 250 MHz
  Modelo equivalente de pequeña señal para frecuencias medias.

V b i b r π + ( i b +gm V π ) ( R E 1∨¿ R ent 2)

Rb = = =r π + ( 1+ g m r π ) (R E 1∨¿(r π + ( 1+ gm r π ) R E 2))
ib ib

Vent 2 i b r π + ( i b+ gm V π ) (R E 2∨¿ R L )
R ENT 2= = =r π + ( 1+ gm r π ) R E 2
ib ib

r π + ( 1+ g m r π ) (RE 1∨¿(r π + ( 1+ g m r π ) R E 2 ))≥ 10 k Ω

 Analizando la 1ra etapa (Colector común):

I CQ
I B= =51.5 μA
β
 No tomamos resistencia de Colector RC

Vcc−V CE −I CQ R E 1=0 V CC −V BE −I CQ R E 1 −I B R 11=0

R E 1=995 Ω R11 =181 k Ω

 Analizando la 2da etapa (Emisor

común):
Para lograr la máxima amplificación del “circuito multietapas” se utiliza la siguiente
fórmula:
0.8∗Vcc
A v(máx) =
2∗√ 2∗Vs(RMS )
 A v(máx) =70

Y fijamos 80 para los cálculos

Se utilizará el esquema de polarización automática debido a las ventajas que

ofrece sobre la polarización fija.
Una vez representado el esquema, se tiene:
V CC =I C RC +V CE + I E R E 2

I C RC + I E R E 2=V CC−V CE

10 mA ( RC ) +10 mA ( R E 2 ) =10(1)

Expresión de la amplificación de la etapa, fijada en “80” de antemano:

RC
=80
RE 2

( RC ) −80 ( R E 2 )=0(2)

Al resolver el sistema resultante (1) y (2), se obtienen los siguientes valores de

“RC” y “RE2”:
  RC =1.01kΩ
 R E 2=12.7 Ω

Luego se tiene:
V CC =I 1 R21+ V BE + I E R E 2

I 1=11 I B=566.5 μA

 R21=33.84 kΩ

Luego:
I 2 R22=V BE + I E R E

I 2=10 I B=515 μA

 R22=1.61 kΩ
Con los datos obtenidos comprobamos la resistencia de entrada del amplificador.

V b i b r π + ( i b +gm V π ) ( R E 1∨¿ R ent 2)

Rb = = =r π + ( 1+ g m r π ) (R E 1∨¿(r π + ( 1+ gm r π ) R E 2))
ib ib

Rb =66.65 kΩ
• Análisis del amplificador en bajas frecuencias.

 Aplicando el “Método del Cortocircuito” se calcula el valor de C2, donde:

1
ƒC 2=ƒ L =10 Hz C2= ≈ 16 μF
2 π × ƒL× R eq 2

La resistencia vista desde el capacitor C1 es:

β
Req 2=Re 1+(1− )r + ¿
1+ β π
donde Rb2 = R21||R22
De igual manera se calcula C3 y C4.
Req 1=Rb=r π + ( 1+ gm r π ) (R E 1∨¿ (r π + ( 1+ gm r π ) R E 2))≈ 66.65 k Ω donde Rb2 = R21||
R22
 ƒL 1
ƒC 1 = =1 Hz C1= ≈ 2 μF
10 2 π ׃ C 1 × R eq1
Req 3=r 0∨¿ R c + R L ≈ 1.5 MΩ
ƒL 1
ƒC 3= =0.5 Hz C 3= ≈ 0.1 μF
20 2 π ׃C 3 × R eq3

• Análisis del amplificador en altas frecuencias.

Aplicando el “Método de Valor Cero” en la segunda etapa se calcula el valor de C6,

donde:
1
ƒh = o o
2 π ( R ×C π + R Cx × C x )
Cπ

La resistencia vista desde el capacitor C π es:

o
RCπ =r π ∨¿ ¿ ¿ ¿)donde Rb2 = R21||R22
 Para hallar la resistencia vista a través de Cx , sustituimos dicho capacitor por una
fuente de tensión Vx haciendo C π circuito abierto, si aplicamos LKV en la malla del
centro obtenemos:
0 0
Vx=Ix∗R Cπ +(r 0 ∨¿ Rc ∨¿ R L )(Ix +GmIx RCπ )
Vx 0
= RCx =R 0Cπ +¿
Ix
C x =(C 4 +C π )

Luego de realizar los cálculos correspondientes C4 ≈ 15 nF.

Amplificador JFET
Vdd

R g2 Rs2 20Vdc

Rs1 1m eg 211.3 0
R g1 211.3 C2 J2
1m eg
10u
C1 J1 J 2N 3820 C3

10u 10u
VOFF = 0 J 2N 3820
VAMPL = 113m
F R EQ = 1k V1 R d1 R d2 RL
2288 2288 100k

0
0 0 0

Parámetros del transistor J2N3820: Parámetros del punto de operación:

2
mA mA I DSS β V P
V P=2.5 V β=1.271 2
G m=5.6 I DQ = = =4 mA
V V 2 2
λ=0.04 r 0 =6250 Ω μ g=Gm r 0
V DD
V DSQ = =10 V
2
Cálculo de los valores de las
resistencias: −μ g × R D
A v0 =
V GSQ R D +r 0+(1+ μ g) Rs
R S= =211.3Ω
I DQ −μ g × R D
A v0 (max) =
V DD−V GSQ −I DQ R S R D +r 0
R D= =2288 k Ω
I DQ
  RG tiene un valor bastante grande (≈ 1 MΩ) para garantizar que no
fluya corriente hacia la puerta del transistor.

Tarea 2:
2- Se pretende mostrar un número en un display 7 segmentos cuando en la base
de un transistor bipolar un pulso de voltaje cambie de 0 a 5V.
Equipo Variante de circuito Número a encender
1 Con transistor PNP 5

Q1
Q 2N 2907A

V2
R1 5Vdc
60
Rb
4.3k
V1 = 0 V1
D 11 D 10 D9 D8 D7 V2 = 5
LED LED LED LED LED

 Para mostrar en el 7 Segmento el número 5 solo hace falta energizar 5 diodos (los
segmentos a, f, g, c y d) y si cada Diodo LED trabaja con una tensión de 2V y una
corriente mínima de 10 mA, se coloca un resistor de 60 Ω entre el colector y el 7
Segmento de tal modo que la corriente que pase por R1 sea de 50 mA. La
corriente que debe salir de la base del transistor cuando esté saturado es de
aproximadamente 1 mA, y se calcula
 V CC −V BE (sat)−V PULSE (min)
I B=
RB

 Calculando RB = 4.3kΩ

Tarea 3:
3- Se necesita accionar un relevador electromagnético que controla el encendido
de un motor cuando en el terminal de puerta de un transistor NMOS un pulso de
voltaje cambia de 0 a 10V.
Equipo Voltaje DC de Corriente DC Voltaje Corriente
accionamiento de máximo máxima por
de la bobina accionamiento entre los
(V) de la bobina contactos (V) contactos(A)
(mA)
1 15 30 500VRMS 1

Se pretende energizar la bobina del Relé con 15V y que fluya una corriente de 30
mA a la frecuencia de un pulso de voltaje. Para ello se utiliza un transistor NMOS
de canal inducido que trabaja en régimen de conmutación (corte y saturación).
Como el voltaje del pulso es de 10 V, se pone un divisor de resistivo en la puerta
del transistor de tal modo que para un voltaje V GS establecido, se garantice la
corriente ID sea la deseada (30 mA).
Tema IV. Amplificadores realimentados
Tarea del Tema IV
Diseñe un amplificador de una o dos etapas con amplificadores operacionales
para amplificar al máximo
posible la señal de entrada que se propone en la tabla y lograr un comportamiento
frecuencial de
acuerdo a:
Frecuencia de corte inferior igual al # del equipo *10 en Herz.
Frecuencia de corte superior igual al # del equipo *10 en kHerz.
Debe lograr que la señal a la salida no esté distorsionada por el efecto del Slew
Rate

Equipo Valor de Vs(rms)

1 80mV
2 90mV
3 100mV
4 150mV
5 95mV
6 85mV

b) Propóngale una realimentación negativa de acuerdo a:

Equipo Tipo de Amplificador realimentado

1 Corriente- Paralelo
2 Corriente- Serie
3 Voltaje- Paralelo
4 Voltaje- Serie
5 Corriente- Paralelo
6 Voltaje- Paralelo

Obtenga los parámetros del amplificador propuesto utilizando el Método de

análisis de los amplificadores realimentados estudiado
Datos:
A.O - LM318
V
Slew Rate = 50 , Ft = 100 MHz, Ri = 3 MΩ
μs

Calculo del V 0 m para que no haya distorsión por Slew Rate.

Ss – máxima velocidad con que varía una señal sinusoidal

Ss = 2 π × f h ×V 0 m

Para que no haya distorsión:

Sr > Ss, como condición máxima Sr = Ss
V
50 =2 π × f h ×V 0 m
μs
6
50 ×10
V 0m= =795 V
2π ×f h

La fuente de alimentación del amplificador operacional es de 20 V. Se comprobó

con el Orcad que para que no haya distorsión el máximo voltaje a la salida es de
18.7 V.

V 0=18.7V V s =113 mV

V0 V
A v= =165
Vs V

−R 2
La configuración utilizada es la estructura inversora en la que A v =
R1

Fijando R1=1 k Ω , tenemos:

R2=R 1 × A v =165 k Ω

Cálculo de los capacitores para limitar el ancho de banda

1
f L=
2 π ×C 1 × R 1

1
C 1= =15.92 μF
2 π × f L × R1
Para calcular el capacitor C2 debemos tener en cuenta que la frecuencia de corte
superior debe ser al menos 4 veces menor que la FT del amplificador operacional
utilizado, lo cual se cumple pues FT=100Mhz.
1
f h=
2 π ×C 2 × R 2

1
C 2= =96 , 5 pF
2 π × f h× R2
 C3

96.5P

R 1 165k

V3
20V dc

4
5
C4 1k LM 318
2
-

V-
C3
8
15.92U C2
V5 R1 6
VOFF = 0 OUT
V A M P L = 113M 3 1 0
+ C1

V+
F R E Q = 1K V4
0

7
20V dc
0

Esquema de realimentación

Corriente-paralelo

V3
20Vdc
4

LM318
2
V-

C3

- 8
C2 6
OUT
VS 3 1 0
V+

+ C1 V4
0
7

20Vdc
0

RL
RF 165k
2k

R1
1k

0
Modelo de pequeña señal

I2 Ri
Ai Ii Ro Rl

3MEG 75 2k

0 0 0 0

RF

165k
R1
1k

Circuito resultante analizando los efectos de entrada y salida de la red β

I2 RF Ri
A i Ii Ro Rl
165k
3MEG 75 2k
R1
0 0 0 0
1k RF R1
0 165k 1k

0 0

Parámetros del Amplificador básico

A 0 × R 0 2 ×105 ×75 Ω 9 A
Ai= = =8 × 10
Ri 3MΩ A

Rent =(R1+ Rf )∨¿ R i=157 k Ω

R sal=R 0+ R L + R1∨¿ R f =3.07 k Ω

if
β=
iL

i L × R1
if =
R 1+ R f

i L × R1 R1
β= = =0.0060241
i L (R1+ R f ) (R1 + R f )
Parámetros del Amplificador realimentado
Rent 157 k Ω
Rif = = =3.2 m Ω
(1+ β × A i) 1+ 0.0060241× 8 ×109

Rof =Rsal ×(1+ β × Ai )=147 G Ω

Ai A
Aif = =166
1+ β × Ai A