08 Aplicaciones No Lineales Opamp PDF

TEMA 8: APLICACIONES NO LINEALES DE LOS
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Francisco J. Franco Peláez
d
Apuntes para uso en la asignatura Electrónica Analógica, impartida en la Ingeniería Superior
ri
Electrónica en la Facultad de Físicas de la Universidad Complutense de Madrid.
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Pa
iv
/
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n
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p
tt
h
1
Tema 8 Aplicaciones no lineales de los Op Amp
Índice
1. Circuitos recticadores de precisión 3
1.1. Circuitos recticadores sencillos con diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2. Recticador de media onda de precisión o Superdiodo . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Recticador de precisión de media onda con resistencias de realimentación . . . . . 5
1.4. Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto . . . . . . . . . . . . . 6
2. Amplicadores logarítmicos y exponenciales 7

2.1. Amplicadores logarítmicos sencillos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
d
2.2. Amplicadores exponenciales sencillos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
ri
2.3. Otras limitaciones de los circuitos logarítmicos y exponenciales . . . . . . . . . . . 9
d
2.4. Implementación de multiplicadores, divisores y otras operaciones con amplicadores
a
M
logarítmicos/antilogarítimicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3. Operaciones aritméticas con transistores 11
e
d
3.1. Uso de transistores de efecto campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
se
3.2. Celdas multiplicadoras con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
n
la
3.3. División, potenciación y raíces a base de multiplicadores . . . . . . . . . . . . . . . 15

te
de
4. Detectores de pico 15
lu
os
p
5. Transistores como etapas de salida de amplicadores operacionales. Reguladores

m
n
s
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lineales de tensión. 17
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C
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Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 2

Figura 1: Recticador sencillo con un único diodo.
1. Circuitos recticadores de precisión
d
Una de las aplicaciones no lineales más inmediatas de los amplicadores operacionales es la
ri
recticación precisa de señales alternas. En otras palabras, la obtención eciente del valor absoluto
d
de una señal positiva y negativa.
a
M
1.1. Circuitos recticadores sencillos con diodos
e
d
Un circuito muy sencillo que permite obtener la parte positiva de una señal alterna es aquél que
se
utiliza una resistencia y un diodo (Fig. 1). Este circuito mantiene la parte positiva de la señal y
n
rechaza la negativa, siendo llamado por ello recticador de media onda . En caso de que el diodo
la
te
fuera ideal y no se produjeran caídas de tensión en él ni existieran corrientes de fuga, la tensión en

de
lu
el nodo de salida sería:

os
p

m
n
 V
IN si VIN > 0
m
.e
(1)
o
alu
 0 si V < 0
m
IN
C
Sin embargo, en la realidad se produce una pequeña caída de tensión en el diodo, llamada
de
d
.u
Vγ , y existe una pequeña corriente de fuga, más o menos equivalente a la corriente

a
tensión de codo,
so
w
id
de saturación inversa, IS . En primera aproximación, se puede deducir que:

u
w
rs
ra

w
e
 V − V si V > 0
IN γ IN
Pa
iv
(2)
/
 −I ·R si VIN < 0
:/
S L
n
U
Siendo RL la resistencia de Fig. 1. Con mayor precisión aún, la tensión de salida sería la solución
tt
de la ecuación no lineal:
h

VOU T VIN − VOU T
= IS · exp −1 (3)
RL N ·VT
Siendo N el coeciente de idealidad del diodo. En caso de que deseáramos recticar ambas partes
de la señal deberíamos utilizar un recticador de onda completa , siendo el más sencillo el puente
de diodos (Fig. 2). En esta estructura, la salida sería VIN − 2·Vγ si VIN > 2·Vγ y −VIN − 2·Vγ
VIN < −2·Vγ . Lamentablemente, aparece una zona muerta no recticable situada en el intervalo
si
−2·Vγ < VIN < 2·Vγ en el que la tensión de salida es, aproximadamente, 0 V. Dado que el valor de

Figura 2: Puente de diodos.
d
ri
d
a
M
e
d
se
Figura 3: Recticador de precisión de media onda o superdiodo .
n
la
te
Vγ
de
es del orden de 0.6-0.8 V, se comprende que estos circuitos solo tienen utilidad cuando se aplican
lu
señales de amplitud mucho mayores que este parámetro (p.e., conversión AC/DC utilizando la red
os
p
eléctrica general de 220 V) o bien en aplicaciones en las que no importa excesivamente la pérdida
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.e
de calidad de la señal.
o
alu
m
C
1.2. Recticador de media onda de precisión o Superdiodo

c
de
d
.u
a
Un recticador de media onda de precisión es el mostrado en Fig. 3. El estudio de este circuito es

so
w
id
sencillo. Imaginemos que la tensión aplicada en la entrada es positiva. En ese caso, si la realimentación
u
w
rs
ra
funciona correctamente, la salida del circuito, que es la entrada inversora, VIN V , se encontraría a
w
e
Pa
iv
VIN .
/
la misma tensión, Como la tensión es positiva, la corriente uye a través de la resistencia tras
:/
n
haber recorrido el diodo.

U
Imaginemos ahora que la tensión aplicada fuera negativa. En este caso, si el amplicador estuviera
tt
en zona lineal, la tensión VOU T sería negativa y la corriente tendría que entrar en la salida del
h
amplicador, que actuaría como un sumidero de corriente. Sin embargo, el diodo bloquearía el paso
de esta corriente. ¾Cuál es entonces la solución? Puesto que el diodo no está en conducción ya que
se llega a un absurdo, supondremos que está cortado. Sería entonces equivalente a un abierto y, al
carecer de camino de realimentación, el amplicador estaría en saturación. En estas circunstancias,
apenas habría caída de tensión entre los extremos de la resistencia, RL , debida simplemente a la
corriente de fuga IS , y se cumpliría que VOU T = VIN V = −IS · RL . Como VN IN V < 0, siendo NIN V
la entrada no inversora del amplicador, éste iría a saturación negativa haciendo VD ≈ −VSAT . Estas

circunstancias son coherentes pues implicarían que el diodo está cortado, como se había supuesto
al principio.
¾Cómo se puede ver de una manera más rigurosa? Aceptando que la corriente IL es la que
atraviesa el diodo y que llega directamente a la resistencia independientemente de la tensión aplicada,
puede demostrarse que:

VOU T VIN − VOU T
IL = = IS · exp − 1 = ID (4)
RL N ·VT
Pero VD puede calcularse a partir de la ganancia de un amplicador operacional, A:
d
ri

VOU T A· (VIN − VOU T ) − VOU T V − V
−1 ∼
IN OU T
= IS · exp = IS · exp −1 (5)
d
RL N ·VT A−1 ·N ·VT
a
M
Fijémonos que esta ecuación es similar a Eq. 3 salvo por el factor A−1 . La consecuencia física de
aquella ecuación era la aparición de una tensión de codo, Vγ , que se puede suponer proporcional a N ·
e
d
VT . Dado que la ecuación del circuito recticador es equivalente salvo el factor de proporcionalidad,
podemos deducir que el circuito recticador de media onda equivale a un diodo con tensión de codo
se
Vγ/A. Como A es enorme, esta tensión de codo será del orden de unos cuantos microvoltios. Por este
n
la
te
motivo, la estructura anterior es conocida popularmente como Superdiodo .

de
¾Qué ocurriría si invirtiéramos los terminales del diodo? Simplemente, la corriente entraría en el
lu
VIN < 0
os
diodo si y no entraría en caso contrario. En este caso, se rechazaría la parte positiva de la

p
m
n
señal y se mantendría la negativa, que no cambiaría de signo.

m
.e
o
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C
1.3. Recticador de precisión de media onda con resistencias de real-

c
de
d
.u
imentación
a
so
w
id
El superdiodo presenta dos problemas a la hora de utilizarlo. En primer lugar, necesita estar
u
w
rs
conectado a una resistencia de carga para permitir el paso de corriente necesaria para activar el
ra
w
e
diodo. En segundo lugar, el amplicador operacional pasa de zona lineal a saturación al cambiar
Pa
iv
el signo de la señal por lo que, en general, su respuesta es bastante lenta. Por otra parte, la señal
:/
n
U
permanece tal cual, sin amplicarse ni atenuarse.

p
tt
Por ello, existen otras estructuras que utilizan varios diodos y resistencias para impedir que el
h
amplicador operacional abandone la zona lineal. Una estructura típica es el recticador inversor de
media onda con salida negativa (Fig. 4).
El estudio de esta estructura es sencillo. En primer lugar, debe suponerse que la entrada VIN es
bien positiva, bien negativa. A continuación, deberían estudiarse las cuatro posibles combinaciones
de estado de D1 y D2 llegando a las conclusiones siguientes.
Si la entrada VIN es negativa, es fácilmente demostrable que el único estado coherente es aquél en
el que el diodo D1 se activa y D2 se desactiva. Toda la corriente que necesite VIN es proporcionada

Figura 4: Recticador de precisión de media onda avanzado.
d
ri
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de
Figura 5: Recticador de precisión de onda completa.

lu
os
p
por el diodo D1 de tal modo que nada circula por RF haciendo que la salida del sistema sea 0 V
m
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s
m
.e
pues RF está conectado a la tierra virtual.

o
alu
Si la entrada fuera positiva, D1 se desactivaría y D2 se activaría. El bucle de realimentación se

C
cerraría a través de las resistencias haciendo que VOU T = − RRF ·VIN . Como VIN es positiva, la salida
c
de
d
.u
sería negativa. Lógicamente, si hacemso RF = R, se consigue una recticación perfecta, aunque

a
∼
so
w
id
con signo negativo (VOU T = − |VIN |).

u
w
rs
La tensión de codo de esta estructura sería del orden de Vγ/A permitiendo una recticación
ra
w
e
precisa y, por otro lado, dado que el amplicador operacional nunca abandona la zona lineal, la
Pa
iv
frecuencia máxima de trabajo aumentaría. Así, la frecuencia de trabajo estaría limitada ahora por
:/
n
las capacidades de los diodos y por las propiedades del amplicador operacional en zona lineal
U
(Producto ganancia-ancho de banda y slew rate). Finalmente, si invertimos el sentido de ambos

tt
diodos, se recticará la parte negativa de la señal.

h
1.4. Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto
Una manera sencilla de obtener estos circuitos sería construir un circuito que rectique la parte
positiva, otro la negativa y, nalmente, sumarlas con un tercer amplicador operacional. Sin embargo,
existen soluciones con menor número de diodos, de resistencias y de amplicadores operacionales.
Un ejemplo de ello es el circuito de Fig. 5.

d
ri
d
a
Figura 6: Recticador de precisión de onda completa basado en multiplexores.
M
Este circuito consta de un restador y de otra estructura llamada Separador de polaridad de
e
señal . Puede demostrarse que DP está activo y DN cortado si la entrada es positiva y viceversa si
d
es negativa. En estas circunstancias, la salida es el valor absoluto de la entrada. Existen otras con-
se
guraciones que permiten realizar estos dispositivos y se remite al estudiante a textos especializados
n
la
para conocerlos.
te
de
Finalmente, debe reseñarse que existe un método alternativo basado en multiplexores y compara-
lu
dores. Fig. 6 muestra un ejemplo general. El comparador determina el signo de la señal y selecciona
os
p
m
el canal apropiado, que es transferido a la salida. De este modo, si la salida es positiva, se selecciona
n
s
m
.e
el canal 1 del multiplexor, que es la entrada tal cual, y si es negativa, se seleccional el canal 0, que
o
alu
m
C
es la entrada invertida. De este modo, a la salida siempre llega el valor absoluto de la señal. Esta
c
estructura es utilizada por algunos recticadores de precisión integrados, como el dispositivo AD630,
de
d
.u
a
fabricado por Analog Devices.

so
w
id
u
w
rs
2. Amplicadores logarítmicos y exponenciales

ra
w
e
Pa
iv
/
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La combinación de diodos y amplicadores operacionales no solo permite realizar una recticación

n
U
precisa de señales alternas sino que facilita la realización de operaciones matemáticas más complejas
tt
como son el logaritmo y la exponenciación. Además, la posibilidad de disponer de estas dos funciones
h
es un paso clave para realizar otras operaciones aritméticas como la multiplicación, división, potencias
y raíces.
2.1. Amplicadores logarítmicos sencillos
Los circuitos logarítmicos más sencillos que existen son similares al mostrado en Fig. 7. Puede
verse que, para estabilizar el circuito, la realimentación se realiza a través del terminal inversor ya
que, en el fondo, un diodo no es sino una resistencia fuertemente no lineal. Dado que la impedancia

Figura 7: Amplicador logarítmico para entrada positiva.
de entrada del amplicador es innita, toda la corriente que atraviesa la resistencia se deriva hacia
d
el diodo. Por tanto:
ri
d

VIN − VA VA − VOU T
a
ID = = IS · exp −1 (6)
R N ·VT
M
Siendo IS y N parámetros característicos del diodo. Ocurre que el nudo A es una tierra virtual
e
por lo que VA = 0 y que, en general, el diodo estará polarizado en directa por lo que la anterior
d
ecuación se transformará en:
se

VIN VOU T VIN
n
la
= IS · exp − ⇒ VOU T = −N ·VT · ln (7)

te
RL N ·VT RL ·IS
de
lu
Así, hemos conseguido que la salida sea proporcional al logaritmo de la entrada. El rango de
os
p
valores de la entrada está limitado por varios factores. En primer lugar, se supone que el diodo debe
m
n
estar polarizado en directa. Para ello, es necesario que VIN > 0. Si quisiéramos realizar el logaritmo
m
.e
o
alu
neperiano de valores negativos, deberíamos invertir el diodo D1 de Fig. 7 consiguiendo así que:
m
C

VIN
de
d
.u
VOU T = N ·VT · ln − (8)

a
RL ·IS
so
w
id
Otras limitaciones son más importantes. En realidad, la corriente que atraviesa un diodo en
u
w
rs
directa es la suma de dos factores exponenciales, uno asociado a las corrientes de difusión y que ha
ra
w
e
Pa
sido utilizado en el cálculo anterior, y otro asociado a las corrientes de generación-recombinación.

iv
/
:/
Por ello, para minimizar este efecto hay que recurrir a diversas alternativas. Una de ellas consiste en
n
U
utilizar diodos Schottky o de germanio, cuyo comportamiento es prácticamente ideal en comparación

p
tt
con los de silicio. Sin embargo, esta opción no es factible en muchos casos como, por ejemplo, en
h
el diseño de circuitos integrados. En estas circunstancias, la solución que se plantea es utilizar un
transistor en lugar de un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones.
Al polarizar los transistores de esta manera se comportan como diodos con una ventaja sobre la
unión PN sencilla como podría ser la unión BE. Al intervenir la corriente de colector, la componente
de difusión de la corriente IB se ve amplicada por un factor igual a βF o, lo que es lo mismo,
el diodo equivalente sería similar a la unión BE tras haber disminuido un factor βF las corrientes
de generación-recombinación. Así, se construye un falso diodo mucho más cercano a la idealidad.

Figura 8: Amplicador logarítmico basados en transistor bipolar.
d
ri
d
a
M
e
d
Figura 9: Amplicador exponencial para entrada positiva.
se
n
la
Lógicamente, es posible utilizar transistores PNP en cualquiera de los esquemas anteriores.

te
de
lu
2.2. Amplicadores exponenciales sencillos

os
p
m
n
Una vez conocidos los circuitos logarítmicos, la creación de circuitos exponenciales o antilogarít-
m
.e
o
alu
micos no ofrece mayor dicultad pues basta con intercambiar la posición de la resistencia y el diodo
m
C
(Fig. 9). Debe remarcarse que la realimentación se realiza a través del terminal inversor para que la
c
de
d
.u
conguración sea estable. En esta estructura, se concluiría que:

a
so
w
id

VIN
VOU T = −RL ·IS · exp
u
(9)
w
rs
N ·VT
ra
w
e
El valor de la tensión de entrada debe ser positivo para despreciar el efecto de las corrientes de
Pa
iv
fuga y obtener la forma exponencial. Para compensar los efectos de las corrientes de generación-
:/
n
U
recombinación, siempre es posible utilizar transistores. Si estos fueran NPNs, algunos circuitos ex-
p
tt
ponenciadores serían los mostrados en Fig. 10.

h
2.3. Otras limitaciones de los circuitos logarítmicos y exponenciales
Los circuitos anteriores tienen algunas limitaciones importantes. Una de ellas es la existencia
de no idealidades en el amplicador como, por ejemplo, la tensión de oset y las corrientes de
polarización de las entradas que afectan a la salida. Así, por ejemplo, puede demostrarse que la
salida de un circuito logarítmico con entrada estrictamente positiva es:

Figura 10: Amplicador exponencial para entrada positiva basados en transistores bipolares.
d

VIN − VOS + RL ·IB−
− N ·VT · ln −
ri
VOU T = VOS (10)
R·IS
d
a
Siendo VOS la tensión de oset de entrada e IB− la corriente de polarización de la entrada
M
del amplicador operacional. Sin embargo, estos problemas carecen de importancia en comparación
con el efecto de la temperatura. Los parámetros de un diodo son fuertemente dependientes de la
e
d
temperatura. Por ejemplo, la corriente de saturación inversa de un diodo, IS , debida a las corrientes
de difusión, depende de la temperatura de la siguiente manera:
se
n
la
XT I/N
IS (T ) T EG T
te
= exp −1 · · (11)
de
IS (T0 ) T0 N ·kB ·T T0
lu
La mayor parte de los parámetros son ya conocidos siendo T0 la temperatura de referencia, EG

os
p
kB
m
el valor de la banda prohibida del semiconductor (1.12 eV en silicio), la constante de Boltzmann

n
s
m
.e
y XT I un parámetro especíco de cada diodo que, en caso de una unión abrupta, se iguala a 3.
o
alu
m
C
Una consecuencia de ello es que la corriente de saturación inversa se dobla cada 10 ºC. Teniendo
c
en cuenta que la temperatura afecta a otros parámetros, es de entender la dicultad que existe para
de
d
.u
a
minimizar los efectos de la temperatura y hacer los dispositivos ables. Afortunadamente, existen
so
w
id
conguraciones algo más sosticadas que las mostradas en estos apuntes que minimizan los efectos
u
w
rs
de la temperatura de tal modo que se encuentran amplicadores comerciales de ambos tipos. Para
ra
w
e
más información sobre las técnicas, consultar el capítulo 8 de Peyton & Walsh.
Pa
iv
/
:/
n
U
2.4. Implementación de multiplicadores, divisores y otras operaciones

p
tt
con amplicadores logarítmicos/antilogarítimicos

h
Una vez resuelto el problema del logaritmo y la exponenciación, la realización de algunas opera-
ciones aritméticas se convierte en algo muy sencillo de realizar (al menos sobre el papel). Imaginemos
que deseamos realizar la siguiente operación de forma general:
VXm ·VYn
VOU T =
VZp
Reescribámosla de la siguiente manera:

Figura 11: Operaciones aritméticas de modo digital.
VOU T = exp [m· ln (VX ) + n· ln (VY ) − p· ln (VZ )]
d
ri
Ambas expresiones son iguales pero ésta última es implementable mediante amplicadores op-
d
a
eracionales. En primer lugar, se debe realizar el logaritmo de cada una de las entradas, multiplicarlas
M
por el factor de proporcionalidad, sumarlas y obtener el exponencial de la suma. Evidentemente,
hay que corregir los términos dependientes de la corriente de saturación inversa, de las resistencias,
e
d
etc. Por otra parte, quizás no sea una opción económica ya que se necesitarían muchos ampli-
cadores. Sin embargo, es posible anar el diseño eliminando bloques si escogemos apropiadamente
se
las conguraciones del sumador/restador y las resistencias. Finalmente, debe tenerse en cuenta que
n
la
las entradas del multiplicador no pueden cambiar de signo ya que heredan esta desventaja de los
te
de
amplicadores logarítmicos y exponenciales.

lu
os
p
3. Operaciones aritméticas con transistores

m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
Como se ha visto en los apartados anteriores, los transistores bipolares pueden combinarse con
c
de
d
los amplicadores operacionales para realizar algunas operaciones aritméticas a través del uso de
.u
a
logaritmos y exponienciales. Sin embargo, esta técnica es delicada y es posible que no dé los frutos
so
w
id
deseados. Por ello, se pueden utilizar estrategias alternativas para implementar, de modo efectivo,
u
w
rs
ra
la multiplicación de tensiones y, a partir de ella, la división, la potenciación y la raíz cuadrada.

w
e
Pa
iv
En la actualidad, se va imponiendo poco a poco el uso de conversores A/D, D/A y microproce-

/
:/
n
sadores para la implementación no solo de funciones aritméticas simples sino también de funciones
U
muy complicadas (Fig. 11). En esta gura, un microprocesador selecciona alternativamente el canal
tt
de un multiplexor conectado a un ADC. Así, puede muestrear cada una de las tensiones, pasarlas a
h
binario, recogerlas, operar con ellas y transferirlas a un DAC. Evidentemente, de este modo se po-
drían implementar funciones como la suma o resta pero sería un desperdicio de recursos materiales.
1
No sería en cambio un problema si, el objetivo fuera, por ejemplo, obtener la media armónica de
las tensiones de entrada.
El problema de esta conguración es el coste y, sobre todo, el comportamiento en frecuencia,
marcado por la frecuencia de trabajo del microprocesador y por la complejidad de los cálculos que
1 Recordemos µ−1 = 1 1 1

que la media armónica es el inveso de la semisuma de los inversos:
2· A + B

Figura 12: Multiplicador con JFET de canal n.
d
realizar. En aplicaciones con una frecuencia de trabajo sucientemente alta, sí tiene sentido utilizar
ri
algunas de las estrategias que se muestran en los apartados siguientes. Asimismo, la señal de salida
d
a
siempre presentará ruido de cuantización, tanto mayor cuanto menor sea el número de bits empleados
M
en la codicación o la relación entre las entradas de tensión y el valor de la referencia de tensión
que todo conversor posee.
e
d
se
3.1. Uso de transistores de efecto campo
n
la
Los transistores de efecto campo tienen la peculiaridad de que la corriente que los atraviesa es
te
de
función de la tensión de puerta y de drenador. Estas tensiones se multiplican entre sí de tal modo
lu
que los transistores pueden utilizarse para realizar multiplicaciones. En primer lugar, jémonos en el
os
p
circuito de Fig. 12. Veamos que funciona como un multiplicador siempre que VX << VY . Si esto es
m
n
s
m
.e
así, el transistor estará en zona lineal por lo que lo atraviesa una corriente:
o
alu
m
C
ID ≈ β · (VGS − VP ) ·VDS = β · (VY − VP ) ·VX (12)

de
d
.u
a
Ha sido posible hacer esto ya que la fuente del transistor está conectada a la tierra virtual. Esta
so
w
id
R
u
corriente es enviada hacia la resistencia creando una tensión de salida,

w
rs
ra
w
e
Pa
iv
VOU T = −R·ID ≈ −β ·R· (VY − VP ) ·VX

/
(13)
:/
n
En esta expresión, aparece un producto VX · VY que puede aislarse restando en una etapa
U
posterior el término proporcional a VX · VP . Evidentemente, existen limitaciones en el valor de las

tt
tensiones aplicadas. En primer lugar, VX no puede ser muy alto pues el transistor JFET debe estar
h
en zona lineal. Por otro lado, el transistor es de canal N con lo que la tensión de pincho debe
ser forzosamente negativa. En concreto, VP = − |VP | < VY < 0. Así, si deseáramos que VY fuera
positiva, deberíamos utilizar un transistor JFET de canal P.
Ahora, jémonos en el circuito de Fig. 13. Como ya sabemos de temas anteriores, el transistor
NMOS de la gura estará bien en corte, bien en saturación. Como la fuente del transistor está
conectada a la tierra virtual, VDS = VGS = VIN por lo que:

Figura 13: Multiplicador con JFET de canal n.
d
IDS = β · (VGS − VT N )2 = β · (VIN − VT N )2 (14)
ri
d
De modo que:
a
M
VOU T = −R·IDS = −R·β · (VIN − VT N )2 (15)
e
d
Por tanto, con esta disposición, podemos elevar una tensión desconocida al cuadrado teniendo en
cuenta que aparecen términos lineales que deberían ser eliminados. Asimismo, en Fig. 13 podríamos
se
haber intercambiado los roles del transistor y la resistencia. En consecuencia:
n
la
te
de
√
lu
VIN 2 2 VIN
IDS = = β · (VGS − VT N ) = β · (−VOU T − VT N ) ⇒ VOU T = −VT N − √ (16)
os
p
R R·β
m
n
s
m
.e
Obteniendo de manera sencilla la raíz cuadrada de un determinado valor de tensión.

o
alu
m
C
3.2. Celdas multiplicadoras con BJT

de
d
.u
a
so
w
id
En primer lugar, recordemos que es posible implementar conversores de tensión a corriente por
u
w
rs
medio de amplicadores operacionales. Ejemplo de ello son los circuitos mostrados en Fig. 14.
ra
gM = ± R1 ,
e
En ambos circuitos la transconductancia es dependiendo el signo del sentido que le

Pa
iv
asignemos a la corriente. El motivo de esta aclaración es que es más sencillo multiplicar corrientes
:/
n
que tensiones.
U
Una estructura muy popular para multiplicar corrientes es la estructura basada en el par diferencial
tt
(Fig. 15).En esta estructura, hay un par diferencial que es polarizado por un espejo de corriente
h
polarizado con una fuente de tensión VA . Recordando la ganancia de un amplicador diferencial:
αF ·IQ ·RB αF ·RB (VA − Vγ )

VO = · (VB+ − VB− ) = · · (VB+ − VB− ) (17)
N ·VT N ·VT RA
Haciendo VB− = 0, se puede transformar la entrada en absoluta. La salida, que se muestra en
modo diferencial, se podría transformar en absoluta por medio de una amplicador diferencial o de
instrumentación con ganancia 1. Además, podría añadirse circuitos adicionales para restar el término

Figura 14: Ejemplos de transconductores, que convierten VIN en IO . ZL es la carga donde se está
aplicando la corriente.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
Figura 15: Multiplicador basado en el par diferencial.

u
w
rs
ra
w
e
Pa
dependiente de Vγ · VB+ del circuito de la gura. Por otra parte, podrían combinarse Fig. 15 con
iv
/
:/
Fig. 14 para eliminar la dependencia con este parámetro. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que
n
U
la carga de Fig. 14 sería el espejo de corriente. Los emisores del par diferencial deberían cambiar
tt
−VEE por una tierra virtual con lo que no sería posible conectar VB− a tierra ya que el modo común
h
de los transistores del par debería ser, al menos, de 0.9 V.
Otra estructura muy popular es la llamada Celda Gilbert, que también produce una salida en
modo diferencial. Con ella, es posible realizar una multiplicación sea cual sea el signo de las corrientes
envueltas en la operación pues, por ejemplo, en Fig. 15 VA debe ser, forzosamente, mayor que 0.

Figura 16: Divisor de tensiones con multiplicador. Las entradas son VA y VB siendo VX una tensión
interna del circuito.
d
ri
3.3. División, potenciación y raíces a base de multiplicadores
d
a
Una vez construido un multiplicador, es relativamente sencillo construir dispositivos capaces de
M
realizar la división, potenciación y raíces cuadradas. En algunos casos, es necesario utilizar ampli-
e
cadores operacionales. Así, si tenemos un circuito cuya salida es proporcional al producto de dos
d
entradas, VOU T = k ·VA ·VB , se pueden implementar las siguientes operaciones.
se
División:
n
Sea el circuito de Fig. 16. Aceptemos que el amplicador operacional está en

la
te
zona lineal. En este caso, la corriente que uye a través de RA es IA = RVAA por lo que
de
lu
VX = −RB · IA = − R
RA
B
· VA . Por otro lado, se debe vericar que VX = k · VB · VOU T .
os
VOU T = − R · k −1 · VA
p
B
Igualando ambos términos, se deduce que .
RA VB
m
n
s
m
Potenciación: Se puede ver con facilidad que, si aplicamos la misma tensión a las dos entradas
.e
o
alu
m
C
de un multiplicador, la tensión de salida es VOU T = k · VA2 .

c
de
d
Raíz cuadrada: El circuito que permite realizar una raíz cuadrada es extremadamente sencillo
.u
a
VOU T = − R
so
VB VOU T ·
w
B
ya que basta unir con en Fig. 16. De este modo, se cumpliría que
id
RA
VA
k −1 · VOU T = − R · k −1 · VA
u
B
, esta ecuación se transformaría en y esto llevaría a
rs
VB q RA VOU T
√
ra
VOU T = kR·RBA · VA .
e
Pa
iv
/
:/
n
4. Detectores de pico
U
p
tt
h
Otro de los usos típicos de los amplicadores operacionales con diodos y transistores es la
detección de picos o máximos de tensión. Es decir, mantener el valor de la tensión más alta alcanzada
por una señal variable en el tiempo. Así, Fig. 17 muestra un par de ejemplos de circuitos que retienen
la tensión en el condensador de tal modo que, si el valor de VIN disminuye en Fig. 17a, o aumenta en
Fig. 17b, el diodo entra en corte y la carga atrapada en el condensador mantiene la tensión máxima.
El problema de esta estructura es que, en realidad, no atrapa el valor de VIN . Debido a la tensión
del codo del diodo, la tensión de salida es del orden de 0.7 V (Vγ ) menor en Fig. 17a, y mayor en
Fig. 17b. Para evitar este problema, existen estructuras basadas en amplicadores operacionales que

Figura 17: Detectores de pico máximo (a) y mínimo (b).
d
ri
d
a
M
e
d
Figura 18: Detectores de pico máximo (a) y mínimo (b) basados en el superdiodo.
se
n
la
resuelven este problema. En principio, las estructuras pueden estar basadas en diodos y transistores
te
de
MOS.
lu
El detector de pico avanzado basado en diodo consiste, simplemente, en reemplazar los diodos
os
p
de Fig. 17 por superdiodos. Así, se obtendrían las estructuras de Fig. 18. Por supuesto, también
m
n
s
m
.e
podría utilizarse cualquier recticador de precisión de media onda, como el descrito en el apartado
o
alu
m
C
1.3. Cada estructura heredará las ventajas e inconvenientes de su subcircuito generador.

c
Sin embargo, una solución alternativa consiste en emplear un transistor MOS como llave. Fi-
de
d
.u
jémonos en Fig. 19a. En caso de que VIN sufra un descenso tras alcanzar el máximo y dado que
a
so
w
id
V− está jada por el condensador, se producirá un paso a saturación negativa que cierra el NMOS,
u
w
rs
dejando la salida a una tensión constante de manera denida. Solo cuando VIN vuelve a rebasar el
ra
w
e
valor almacenado, el amplicador puede volver a zona directa, haciendo que VOP AM P ≈ VIN + VT H ,
Pa
iv
siendo VOP AM P la tensión de salida del amplicador operacional. En caso de que se desee buscar
:/
n
un mínimo, se debe utilizar el circuito de Fig. 19b.

U
Esta estructura tiene el inconveniente de que puede ser algo lenta debido al paso del amplicador
tt
a saturación. Sin embargo, tiene la ventaja de que puede construirse fácilmente en tecnología CMOS.
h
Más aún, el amplicador operacional podría ser, simplemente, un par diferencial CMOS.
¾Podrían utilizarse transistores BJT en lugar de los MOS? La respuesta es sí aunque no tendría
mucho sentido hacerlo. En el fondo, la unión BE de estos transistores estaría funcionando como un
diodo con lo que toda la estructura sería equivalente a las de Fig. 18.

Figura 19: Detectores de pico máximo (a) y mínimo (b) basados en el un transistor MOS.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
Figura 20: Aumento de corriente de salida en un op amp con transistores NPN y NMOS de potencia.
os
p
5. Transistores como etapas de salida de amplicadores

m
n
s
m
.e
operacionales. Reguladores lineales de tensión.

o
alu
m
C
c
de
d
.u
Los amplicadores operacionales discretos tienen, en general, un límite en la corriente máxima

a
del orden de varias decenas de miliamperio. Sin embargo, en caso de que sea necesario aumentar
so
w
id
u
el valor de la corriente de salida, se puede recurrir a una de estas dos estrategias. En primer lugar,
w
rs
ra
podría reemplazarse el amplicador operacional normal por uno de alta potencia, capaz de propor-
w
e
Pa
iv
cionar/absorber corrientes de varios amperios aunque, en general, pueden resultar bastante caros.
:/
n
En segundo lugar, puede incluirse algún transistor de potencia en el camino de realimentación del
U
amplicador operacional discreto. Es necesario recordar que este transistor podría ser también un
tt
par Dalington.
h
Fig. 20 muestra dos ejemplos de como aumentar la corriente de salida de un amplicador op-
eracional discreto. Estudiemos el caso del NPN. En primer lugar, se puede comprobar que el am-
plicador operacional está en zona lineal y que el NPN en zona activa directa siempre y cuan-
do VIN no se aproxime a VCC . En estas circunstancias, se cumpliría que VOU T = V− = VIN y

VX = VOU T + Vγ = VIN + Vγ . En el caso de que el amplicador operacional pudiera propor-
cionar una corriente máxima de valor IO,M AX , la corriente que se proporcionaría a la carga sería
IL,M AX = hF E · IO,M AX .

Figura 21: Construcción de un regulador con una referencia de tensión, un amplicador operacional
d
y un transistor de potencia. Se añade una resistencia RQ , de valor muy alto, para hacer que el
ri
transistor esté siempre en ZAD incluso sin conectar una carga. De este modo, VOU T = VREF y se
d
pueden colocar resistencias muy bajas en la salida.
a
M
El inconveniente de esta estructura es que, si VIN < 0, IL tendría que entrar en el amplicador
e
pero, lamentablemente, se toparía con una unión PN en inversa. Por tanto, esta estructura solo podría
d
proporcionar corriente y no absorberla. En el fondo, el sistema aumentaría la corriente de salida a
se
costa de comportarse como un recticador. Por ello, esta solución suele utilizarse en reguladores de
n
la
tensión (Fig. 21). Para solventar este problema, se podría añadir un transistor PNP de potencia que
te
complementara el transistor NPN. Así, se crearía una nueva etapa de salida como las mostradas en
de
lu
los temas anteriores. Recordemos, sin embargo, que esta etapa podría aumentar la distorsión del
os
p
amplicador.
m
n
s
m
.e
¾Qué ocurre con el equivalente NMOS de Fig. 20? Simplemente, el razonamiento sería similar
o
alu
solo que, en este caso, la tensión de salida del amplicador operacional sería la solución de la
C
ecuación cuadrática IDS = VIN

≈ β · (VGS − VT )2 = β · (VX − VIN − VT )2 . Recordemos que, en los
c
RL
de
d
.u
transistores NMOS discretos, el sustrato está conectado a la fuente por lo que no hay efecto sustrato.
a
so
w
id
Si la tensión de salida fuera negativa, la corriente IL debería uir hacia dentro. Sin embargo, no
u
w
rs
tendría donde ir ya que el drenador está conectado a la tensión más alta del circuito y la puerta está
ra
protegida por el dieléctrico. En consecuencia, no existe posibilidad de que VOU T sea menor que 0
e
Pa
iv
V. Esta situación es coherente con el estado del amplicador. En estas circunstancias, la diferencia
:/
n
entre las tensiones de entrada sería negativa (V+ − V− = VIN − 0 = VIN < 0) lo que implicaría
U
que el amplicador estaría en saturación negativa. En consecuencia, la puerta estaría polarizada con
tt
una tensión del orden de −VCC de modo que el transistor estaría en corte. Así, se impediría el paso
h
de corriente IL , que es exactamente lo que habíamos supuesto al principio: El razonamiento no ha
conducido a ningún absurdo y es perfectamente coherente.
Los circuitos mostrados en esta sección se utilizan frecuentemente en electrónica de potencia
pues constituyen la base de lo que se conoce como reguladores lineales de tensión , caracterizados
por una tensión y consumo de corriente en reposo constante. Desde el punto de vista energético, son
menos ecientes que los reguladores de tensión conmutados aunque, por el contrario, son mucho
menos ruidosos lo que los dota de gran popularidad.

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TEMA 8: APLICACIONES NO LINEALES DE LOS

Francisco J. Franco Peláez

1.2. Recticador de media onda de precisión o  Superdiodo . . . . . . . . . . . . . . . 4

1.3. Recticador de precisión de media onda con resistencias de realimentación . . . . . 5

1.4. Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto . . . . . . . . . . . . . 6

2. Amplicadores logarítmicos y exponenciales 7

3. Operaciones aritméticas con transistores 11

3.3. División, potenciación y raíces a base de multiplicadores . . . . . . . . . . . . . . . 15

5. Transistores como etapas de salida de amplicadores operacionales. Reguladores

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 2

Figura 1: Recticador sencillo con un único diodo.

1. Circuitos recticadores de precisión

fuera ideal y no se produjeran caídas de tensión en él ni existieran corrientes de fuga, la tensión en

el nodo de salida sería:

Vγ , y existe una pequeña corriente de fuga, más o menos equivalente a la corriente

de saturación inversa, IS . En primera aproximación, se puede deducir que:

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 3

Figura 2: Puente de diodos.

1.2. Recticador de media onda de precisión o  Superdiodo

Un recticador de media onda de precisión es el mostrado en Fig. 3. El estudio de este circuito es

haber recorrido el diodo.

carecer de camino de realimentación, el amplicador estaría en saturación. En estas circunstancias,

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 4

atraviesa el diodo y que llega directamente a la resistencia independientemente de la tensión aplicada,

puede demostrarse que:

motivo, la estructura anterior es conocida popularmente como  Superdiodo .

diodo si y no entraría en caso contrario. En este caso, se rechazaría la parte positiva de la

señal y se mantendría la negativa, que no cambiaría de signo.

1.3. Recticador de precisión de media onda con resistencias de real-

permanece tal cual, sin amplicarse ni atenuarse.

media onda con salida negativa (Fig. 4).

de estado de D1 y D2 llegando a las conclusiones siguientes.

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 5

Figura 4: Recticador de precisión de media onda avanzado.

Figura 5: Recticador de precisión de onda completa.

pues RF está conectado a la tierra virtual.

Si la entrada fuera positiva, D1 se desactivaría y D2 se activaría. El bucle de realimentación se

sería negativa. Lógicamente, si hacemso RF = R, se consigue una recticación perfecta, aunque

con signo negativo (VOU T = − |VIN |).

(Producto ganancia-ancho de banda y slew rate). Finalmente, si invertimos el sentido de ambos

diodos, se recticará la parte negativa de la señal.

1.4. Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto

existen soluciones con menor número de diodos, de resistencias y de amplicadores operacionales.

Un ejemplo de ello es el circuito de Fig. 5.

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 6

fabricado por Analog Devices.

2. Amplicadores logarítmicos y exponenciales

La combinación de diodos y amplicadores operacionales no solo permite realizar una recticación

2.1. Amplicadores logarítmicos sencillos

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 7

Figura 7: Amplicador logarítmico para entrada positiva.

= IS · exp − ⇒ VOU T = −N ·VT · ln (7)

VOU T = N ·VT · ln − (8)

sido utilizado en el cálculo anterior, y otro asociado a las corrientes de generación-recombinación.

utilizar diodos Schottky o de germanio, cuyo comportamiento es prácticamente ideal en comparación

el diseño de circuitos integrados. En estas circunstancias, la solución que se plantea es utilizar un

transistor en lugar de un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones.

de difusión de la corriente IB se ve amplicada por un factor igual a βF o, lo que es lo mismo,

de generación-recombinación. Así, se construye un falso diodo mucho más cercano a la idealidad.

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 8

Figura 8: Amplicador logarítmico basados en transistor bipolar.

Lógicamente, es posible utilizar transistores PNP en cualquiera de los esquemas anteriores.

2.2. Amplicadores exponenciales sencillos

1.2. Recticador de media onda de precisión o Superdiodo . . . . . . . . . . . . . . . 4

1.3. Recticador de precisión de media onda con resistencias de realimentación . . . . . 5

1.4. Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto . . . . . . . . . . . . . 6

2. Amplicadores logarítmicos y exponenciales 7

5. Transistores como etapas de salida de amplicadores operacionales. Reguladores

Figura 1: Recticador sencillo con un único diodo.

1. Circuitos recticadores de precisión

1.2. Recticador de media onda de precisión o Superdiodo

Un recticador de media onda de precisión es el mostrado en Fig. 3. El estudio de este circuito es

carecer de camino de realimentación, el amplicador estaría en saturación. En estas circunstancias,

motivo, la estructura anterior es conocida popularmente como Superdiodo .

1.3. Recticador de precisión de media onda con resistencias de real-

permanece tal cual, sin amplicarse ni atenuarse.

Figura 4: Recticador de precisión de media onda avanzado.

Figura 5: Recticador de precisión de onda completa.

sería negativa. Lógicamente, si hacemso RF = R, se consigue una recticación perfecta, aunque

diodos, se recticará la parte negativa de la señal.

1.4. Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto

existen soluciones con menor número de diodos, de resistencias y de amplicadores operacionales.

2. Amplicadores logarítmicos y exponenciales

La combinación de diodos y amplicadores operacionales no solo permite realizar una recticación

2.1. Amplicadores logarítmicos sencillos

Figura 7: Amplicador logarítmico para entrada positiva.

transistor en lugar de un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones.

de difusión de la corriente IB se ve amplicada por un factor igual a βF o, lo que es lo mismo,

Figura 8: Amplicador logarítmico basados en transistor bipolar.

2.2. Amplicadores exponenciales sencillos

conguración sea estable. En esta estructura, se concluiría que:

de no idealidades en el amplicador como, por ejemplo, la tensión de oset y las corrientes de

con amplicadores logarítmicos/antilogarítimicos

amplicadores logarítmicos y exponenciales.

El problema de esta conguración es el coste y, sobre todo, el comportamiento en frecuencia,

polarizado con una fuente de tensión VA . Recordando la ganancia de un amplicador diferencial:

Sea el circuito de Fig. 16. Aceptemos que el amplicador operacional está en

5. Transistores como etapas de salida de amplicadores

Los amplicadores operacionales discretos tienen, en general, un límite en la corriente máxima