UNION P-N

Se denomina diodo de unin p-n al dispositivo constituido mediante una unin p-n con dos terminales y cuyo objetivo, en general, ser conducir corriente elctrica en un solo sentido. UNIN P-N POLARIZADA Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin Unin p-n polarizada directamente La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras 5.1 y 5.2, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo.

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos: Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.

Dado que ha de cumplirse que V= Vp-VJ+Vn, se tiene que VJ= Vp+Vn-V. Puesto que Vp+Vn=Vo, entonces se verifica que VJ=Vo-V. Como decamos antes, al polarizar la unin p-n en directa disminuye la barrera de potencial y el valor de esa reduccin es la tensin V de la batera. Sin embargo, en la prctica, el diodo siempre trabaja con barrera de potencial VJen la unin, incluso con polarizacin directa. Si se aplicara suficiente polarizacin directa para que se anulara la barrera de potencial, circulara una corriente excesiva por la unin y podra destruirse sta por sobrecalentamiento.

La ley de Shockley
En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N. <------------> Regin agotada

o----

----o

zona P barrera interna de potencial a)Sin polarizacin

zona N

Regin Iones negativos que han Iones positivos que han agotada "recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones <--->

+ o--

--o -

zona P

barrera interna de potencial

zona N

b) Polarizacin directa dbil, regin agotada reducida, pero no eliminada

+ o--

--o -

zona P

zona N

c) Al aumentar la polarizacin directa, la zona agotada y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas * En la prctica, un diodo se fabrica a base de una nica pieza de siliceo, introduciendo tipos diferentes de impurezas por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y otros que creen tipo N. Este proceso se realiza a grandes temperaturas. A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prcticos son: Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer

una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensin provoca un aumento de la corriente. Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarizacin directa o de funcionamiento. Sus valores tpicos son: Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo Parece lgico pensar que llegar un momento en que el proceso, aumento de tensin exterior, aumento de corriente en la unin, tendr que parar. Y esto es as, porque a partir de un determinado valor de la tension exterior aplicada, los electrones se neutralizan en mayor nmero con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensin a partir de la cual la corriente a travs del diodo se mantiene constante, (en la prctica aumenta ligeramente) se le denomina tensin de saturacin. Sus valore tpicos son: Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destruccin del diodo.

Conmutacin del diodo

Los circuitos de ayuda a la conmutacin de diodos, o snubbers, son esenciales para los diodos usados en circuitos de conmutacin. Estos pueden proteger a un diodo de sobretensiones, las cuales pueden ocurrir durante el proceso de recuperacin inversa. Un circuito snubber comn para un diodo de potencia consiste de una capacitancia y una resistencia conectadas en paralelo con el diodo.

Figura.1 a) Circuito de un convertidor reductor con inductancia parasita y red de ayuda a la conmutacin para el diodo de libre circulacin. b) Corriente de recuperacin inversa del diodo. Cuando la corriente de recuperacin inversa disminuye, la capacitancia mantendr su voltaje por un tiempo, el cual es aproximadamente el mismo del diodo. La resistencia por otra parte, disipar parte de la energa almacenada en la inductancia parsita L. El cambio de voltaje se puede calcular de la siguiente manera

donde Vs es el voltaje aplicado al diodo. El cambio de voltajedv/dt usualmente es dado por el fabricante. Al conocer el cambio de voltaje y Rs, uno puede escoger el valor de la capacitancia Cs. La resistencia Rs se puede calcular por medio de la corriente de recuperacin inversa del diodo:

El cambio de voltaje dv/dt diseado siempre debe ser igual o menor al cambio de voltaje encontrado en la hoja de datos del fabricante.3 [editar]Circuitos de ayuda a la conmutacin de tiristores Las corrientes de recuperacin inversas generadoras en los tiristores cuando estn en polarizacin inversa pueden generar sobretensiones de magnitud inaceptable debido a la inductancia de serie si no se usan redes de ayuda a la conmutacin. En la Figura.2a observamos un convertidor trifsico de tiristores de frecuencia de lnea, el cual puede

funcionar como red de ayuda a la conmutacin como en el caso del convertidor reductor para el diodo. Las inductancias del lado de C.A. se deben a las reactancias de lnea ms cualquier inductancia de dispersin del transformador. El lado C.D. se representa por una fuente de corriente donde se supone que id fluye en forma continua. Se supone que los tiristores 1 y 2 conducen y que el 3 est conectado con un ngulo de retraso como se muestra en la Figura.2b. La corriente id se conmutara desde el tiristor 1 (conectado a la fase a) al tiristor 3 (conectado a la fase b). El voltaje Vba es responsable de la conmutacin de la corriente. El sub circuito que consiste en 1 y 3 se muestra en la Figura.2b con 3 encendido y 1 apagado, as como en su recuperacin inversa en t1, con i = Irr. Se supone que la fuente de tensin en el circuito de la Figura.2b es una constante de voltaje con un valor Vba en t1, debido a la variacin lenta de voltajes de 60 Hz en comparacin con los transitorios rpidos de tensin y corrientes en este circuito.

Figura.2 Circuito de ayuda a la conmutacin de apagado de tiristores en el circuito de un convertidor trifsico de frecuencia de lnea: a) Convertidor trifsico de frecuencia de lnea. b) Circuito equivalente. c) Tiempos de disparo. Para analizar el diseo de la red, se usa una impedancia del peor caso 5% y tenemos la siguiente ecuacin

Donde Vll es el voltaje RMS de lnea a lnea e Id es la corriente de la carga. Para un diseo del peor caso, la fuente de voltaje de la Figura.2b tiene un valor mximo de 2Vll, que corresponde a = 90. Aqu suponemos que el tiempo de recuperacin inversa en 10s. De este modo, durante la conmutacin de corriente, si suponemos que el valor de conmutacin tiene un valor constante de 2Vll, eldi/dt a travs del tiristor 1 es

Y por lo tanto

Para calcular el valor Cs tenemos

Sustituyendo la ecuacin (1) y (3) en (4) para 60 Hz

Para calcular el valor Rs tenemos

Para el peor de los casos con una = 90 tenemos que las perdidas total de energas en cada circuito sera

Se sigue un procedimiento similar con cualquier valor de trr y de inductancia de lnea C.A.4