UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. FACULTAD DE INGENIERÍA.

LABORATORIO ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1

El SCR en DC y en AC
Oscar Martínez, Valentina Marulanda, Jeison Vargas
osamartinezro@unal.edu.co, vmarulandaa@unal.edu.co,jejvargasro@unal.edu.co

Abstract—This laboratory report is aimed to ánodo-cátodo VAK es negativo (uniones J1 y J3 po-

show the main operation characteristics of the
silicon-controlled rectifier (SCR) thyristor. This is
achieved by analyzing the SCR’s operation in both
DC and AC through it’s triggering current curve,
it’s gate triggering current (Igt ) and voltage (Vgt ),
it’s anode-catode voltage (Vak ) and it’s temperatu-
re response.
Index Terms—Anode-Catode Voltage (Vak ), Ga-
te Triggering Current (Igt ), Gate Triggering Volta-
ge (Vgt ), SCR, Thyristor.
larizadas en inverso), o cuando éste es positivo pero
no hay una corriente mínima en la compuerta Igt,on
(uniones J1 y J3 en directo, unión J2 en inverso).
El tiristor entra en estado de conducción cuando las
uniones J1 , J2 y J3 se polarizan en directo y se supera
el valor de Igt,on . [1]

I. Introducción
El tiristor es uno de los dispositivos semiconduc-
tores más ampliamente utilizados en aplicaciones de
potencia, dada su capacidad de controlar la rectifica-
ción de corriente alterna, además de sus altos valores
nominales de tensiones y corrientes. El tiristor SCR
(rectificador controlado de silicio) es ampliamente
utilizado para controlar la potencia suministrada a
una carga, dada su capacidad de proveer diferentes
ángulos de conducción del ciclo de la fuente alterna
de entrada, por lo que se utiliza en fuentes reguladas,
controles de motores, inversores, controles de fase,
entre otras aplicaciones. Lo anterior justifica el estu-
dio y análisis de dicho dispositivo, realizado en éste
documento.

II. Marco Teórico

II-A. Tiristores Figura 2: Características V-I del tiristor[1]

En la figura 2 se observan las características V-I del

Figura 1: Símbolo y construcción del tiristor[1]
En la figura 1 se observa el símbolo del tiristor y
su estructura de uniones pn (J1 , J2 y J3 ). El tiristor
se encuentra en estado de bloqueo cuando el voltaje
tiristor, que definen los valores máximos y mínimos
tanto de voltaje como de corriente de operación. El
voltaje inverso de ruptura es el voltaje VAK negati-
vo con el que las uniones polarizadas inversamente
entran en ruptura, permitiendo así la conducción en
inverso al destruir el dispositivo.[1] La corriente de
fuga inversa es la que se da para valores negativos
de VAK menores en magnitud al voltaje inverso de
ruptura. Para valores positivos de VAK se presenta
una corriente de fuga en directo cuando no se ha
superado el valor de Igt,on . Se puede elevar el valor
de VAK hasta el valor del voltaje de ruptura directa
VBO para poner en conducción el tiristor, pues de ésta
manera la unión J2 entra en ruptura, degenerando el
funcionamiento del tiristor al de un diodo de unión
pn.[1] Un tiristor se activa de manera apropiada con
valores de VAK menores a VBO y aplicando una
corriente de compuerta mayor a Igt,on , con lo cual
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la corriente de ánodo se limita principalmente por
una resistencia externa. Una vez encendido el tiristor,
se presenta una caída directa de voltaje entre ánodo
y cátodo usualmente de 1V, producido ésto por las
caídas de voltaje conjuntas de las 3 uniones pn. En la
figura 2 la corriente IL , conocida como corriente de
enganche, es la corriente de ánodo mínima necesaria
para mantener el tiristor en conducción, una vez se
retira la corriente de compuerta.[1] IL depende de
VAK , por lo que un tiristor se pude poner en estado
de bloqueo al reducir el valor de VAK . Con el tiristor
activado y con corriente de compuerta, al disminuir la
corriente de ánodo al valor de IH (corriente de man-
tenimiento), se entra de nuevo al estado de bloqueo,
pues ésto crea una región de agotamiento alrededor de
la unión J2 dado el reducido número de portadores de
carga.[1] .
El estado de conducción del tiristor que se mantiene a
pesar de no haber corriente de compuerta Igt (siempre
y cuando la corriente de ánodo no sea menor a IH ),
se debe a una retroalimentación positiva dada por la
misma construcción del dispositivo. Lo anterior indica
que el tiristor es un dispositivo de enganche.[1]
Figura 3: Modelo de tiristor de dos transistores[1]
La retroalimentación positiva del tiristor se demues-
tra a través del su modelo de dos transistores (ver
figura 3). Como se observa, el tiristor se modela como
dos transistores pnp y npn complementarios (Q1 y
Q2 ), donde la corriente de colector IC se define como:
IC = αIE + ICBO (1)
En la ecuación 1, ICBO representa la corriente de
fuga de la unión colector-base, IE es la corriente de
emisor y α la ganancia de corriente de base común,
definida como:
IC
α= (2)
IE
Observando el modelo de la figura 3 y aplicando la
ecuaciones 1 se obtiene para Q1 y Q2 :
IC1 = α1 IA + ICBO1 (3)
2
IC2 = α2 IK + ICBO2 (4)
Dado que IA =IC1 +IC2 , además de que para una
corriente de compuerta IG se cumple que IK = IG +IA
(ver figura 3), se obtiene para la corriente de ánodo
IA del tiristor:
IA = IC1 + IC2 = α1 IA + ICBO1 + α2 IK + ICBO2 (5)
α2 IG + ICBO1 + ICBO2
IA = (6)
1 − (α1 + α2 )
Como se observa en la ecuación 6, la corriente
de ánodo IA varía con respecto a las ganancias de
corriente α1 y α2 , que a su vez también dependen de
las corrientes IA e IK = IA +IG respectivamente. Con
el aumento de la corriente de compuerta IG , aumenta
la corriente IA (ecuación 6), la cual es la corriente de
emisor del transistor Q1 . En la figura 4, se observa la
variación de la ganancia de corriente α con respecto
a la corriente de emisor IE del transistor.[1]
Figura 4: Variación de la ganancia de corriente α
con respecto a la corriente del emisor IE [1]
El resultado de la figura 4 indica que al aumentar
la corriente IA , las ganancias de corriente α1 y α2
también lo hacen, lo cual de la misma manera, al
observar lo obtenido en la ecuación 6, hace que IA siga
aumentando. Lo anterior indica entonces la existencia
del efecto de retroalimentación positiva al aumentar
la corriente de ánodo del tiristor.[1]
Lo obtenido en la ecuación 6 justifica la posibilidad
de activar un tiristor por medio del efecto térmico,
pues al aumentar considerablemente la temperatura
del dispositivo, se tiene el aumento de pares electrón-
hueco en los semiconductores que lo componen, lo
cual a su vez causa el aumento de corrientes de
fuga. Dicho aumento en las corrientes de fuga causa
que las ganancias α1 y α2 aumenten (ver figura 4),
dándose ésto a tal punto que el factor (α1 + α2 )
pueda tender a 1 en la ecuación 6 y causar así que
el tiristor entre en conducción, aún con una corriente
de compuerta menor a Igt,on . Lo anterior se conoce
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como fuga térmica y se evita generalmente con el uso

de disipadores de calor apropiados.[1]

II-B. Datasheet SCR C106

Tabla I: Valores de interés datasheet SCR C106 [2]

Igt,on (DC) Figura 7: Simulación en LTspice del tiristor SCR
C106 en AC
Condiciones Min Tip Max
VAK = 6Vdc , RL = 100Ω, TJ = 25◦ C - 30µA 200µA
VAK = 6Vdc , RL = 100Ω, TJ = −40◦ C - 75µA 500µA
Como se observa en los resultados obtenidos en las
figuras 6 y 7, con una resistencia en la compuerta
del SCR de 100KΩ, se requiere de 37V en Vgate para
activar el SCR. Lo anterior indica que Igt,on ≈ 370µA,
lo cual no corresponde con los valores típicos espera-
II-C. Modelo Spice SCR C106 dos para Igt,on (ver tabla I). Por lo anterior se realizó
una simulación en M ultisim para descartar posibles
errores cometidos en la simulación en LT spice.

Figura 5: Modelo Spice del tiristor SCR C106

En la figura 5 se observa el modelo Spice corres-

pondiente al SCR C106 utilizado en la práctica. Dicho
modelo se utilizó para simular la respuesta del SCR
tanto en DC como en AC, obteniendo los resultados
de las figuras 6 y 7.
Figura 6: Simulación en LTspice del tiristor SCR
C106 en DC
Figura 8: Simulación en Multisim del tiristor SCR
C106 en DC
Como se observa en la figura 8, la simulación en
M ultisim de un SCR ideal indica que para una
resistencia de compuerta de 100KΩ, son necesarios
2.55V en Vgate para encender el SCR, es decir, Igt,on ≈
25,5µA, valor que se asemeja mucho más al valor
típico de Igt,on a temperatura ambiente dado por el
datasheet (tabla I). Por lo anterior se concluye que
los modelos Spice encontrados para el SCR C106
no representan de manera acertada todas sus ca-
racterísticas de funcionamiento, por lo cual se optó
por utilizar el resultado obtenido en M ultisim como
referencia para comparar con los resultados obtenidos
experimentalmente.
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III. Resultados obtenidos
experimentalmente y Análisis
III-A. El SCR en DC
Cálculo Rg
Las resistencias de Rg utilizadas se calcularon en
base a la corriente de compuerta de encendido
Igt,on dada por el datasheet (ver tabla I). Como
se observa, para una temperatura de 25◦ C
se espera un valor típico de corriente Igt,on de
aproximadamente 30µA. Teniendo en cuenta que
la fuente utilizada en el laboratorio (GW GPS
3030) provee voltaje de 0V a 30V, se eligieron
resistencias desde 100KΩ hasta un 1M Ω, para
de ésta manera obtener cómo máximo una
corriente de 30µA con el voltaje máximo dado
por la fuente.
Medición Vg y obtención Ig en laboratorio
4
×10 -5
3.5
3
2.5
Corriente de Gate (A)
1.5
1
0.5
0
-0.5
-1.5
Figura 9: Corriente de compuerta experimental
6
4
Tensión (V)
2 0.1
0 -0.1
-0.1
Figura 10: Tensión y Corriente de encendido del SCR
Como se puede observar en las dos imágenes
anteriores la corriente en el tiristor es nula hasta
que se alcanza el umbral en la compuerta ne-
cesario para encenderlo, cuando ésto ocurre la
corriente del circuito empieza a fluir (limitada
por las resistencias) y la tensión anodo-catodo
desciende al nivel de funcionamiento ≈ 0,9 V .
4
Curva de disparo del SCR en DC
0.2
0.15
Corriente Anodo-Catodo (A)
0.1
0.05
0
-0.05
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
Voltaje Anodo-Catodo (V)
Figura 11: Curva de disparo DC del SCR
La figura anterior muestra el cambio de estado
del scr, desde 5V sin activarse (Iak ≈ 0) y
posteriormente cuando el scr se enciende y la
corriente del circuito aumenta. La resolución del
Corriente de Compuerta SCR
osciloscopio usado no permite tener más puntos
de la transición, sin embargo es posible precisar
que la conmutación se realiza en un lapso de
tiempo menor a 10 ms.
Análisis y comparación Igt datasheet vs.
experimental.
Durante la práctica de laboratorio se halló
-1 -0.5 0 0.5 1 1.5
la corriente de gate de encendido (Igt,on ) del
Tiempo (s) ×10 -4
SCR, aumentando gradualmente la tensión en
la compuerta hasta observar que el LED del
circuito se encendiera. El voltaje de compuerta
para el cual se halló que el SCR comenzó a
conducir fue de 3,741V , lo cual teniendo en
cuenta que la resistencia de gate tenía un valor
Tensión y corriente de encendido SCR
Voltaje Anodo-Catodo
Corriente Anodo-Catado
de 100k Ω dio como resultado una corriente de
encendido de 37.41 µA, ligeramente superior a
la corriente de típica de 30µA definida en el
datasheet pero aún dentro del rango normal del
Corriente (A)
0.2
dispositivo.
Análisis comportamiento encendido y
0
comportamiento apagado
-0.05 0 0.05 0.1 0.15 0.2
Tiempo (s)
Observando lo obtenido en las figuras 9 y 10, una
vez Igt alcanza los 37,41µA, el SCR se enciende y
su voltaje ánodo-cátodo VAK disminuye de 5V a
1V, siendo éste último valor la caída de tensión
experimental en el SCR, que corresponde a lo
esperado teóricamente (ver modelo de dos tran-
sistores, figura 3). Encendido el SCR, la corriente
de ánodo IA se eleva hasta los 200mA aproxi-
madamente, correspondiente al voltaje que cae
sobre la resistencia de carga (4V) sobre el valor
de dicha resistencia (20Ω). Una vez encendido
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el SCR, se procedió a eliminar Igt , observando 200

SCR (Rgate=470k Ω)
2000
Voltaje Anodo-Catodo

que el dispositivo continuaba encendido, lo que 150

Corriente Anodo-Catado

1500

comprueba experimentalmente que el SCR es un 100 1000

dispositivo de enganche (ver resultados obtenidos 50 500

en las ecuaciones 5 y 6). Posteriormente se apagó

Corriente (mA)
Tensión (V)
0 0

la fuente de voltaje V 2 del circuito de la figura -50 -500

8, con lo cual se eliminó la corriente IA y por -100 -1000

consiguiente se logró el apagado del SCR.

-150 -1500

-200 -2000
-0.02 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Tiempo (s)

III-B. El SCR en AC Figura 15: Tensión y Corriente con Rgate=470kΩ

Curvas obtenidas para Vak y disparo

SCR (Rgate=1.2 M Ω)
200
Voltaje Anodo-Catodo
Corriente Anodo-Catado

SCR (Rgate=100k Ω)
200
Voltaje Anodo-Catodo
Corriente Anodo-Catado

500

Corriente (mA)
Tensión (V)
100

0 0
600

400
Corriente (mA) -500
Tensión (V)

200

0 0

-200

-100

-200
-0.02 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Tiempo (s)

-200

Figura 16: Tensión y Corriente con Rgate=1.2MΩ

-0.02 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Tiempo (s)

Figura 12: Tensión y Corriente con Rgate=100kΩ

Medidas Von , Igt,on , Vak,on

Curva de disparo del SCR en AC

0.45

0.4

SCR (Rgate=200k Ω)
200
0.35
Voltaje Anodo-Catodo
Corriente Anodo-Catado
0.3
Corriente Anodo-Catodo (A)

0.25
100

0.2
600

400
Corriente (mA)

0.15
Tensión (V)

200

0 0
0.1
-200

0.05

0
-100

-0.05
-200 -150 -100 -50 0 50 100 150
Voltaje Anodo-Catodo (V)

-200
-0.02 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Tiempo (s)
Figura 17: Curva de disparo AC del SCR
Figura 13: Tensión y Corriente con Rgate=200kΩ
Similar a lo encontrado en el caso DC, la curva de
disparo muestra como la corriente crece cuando
el SCR esta activado y el voltaje sobre éste
nuevamente decrece, sin embargo esta vez hasta
≈4V
SCR (Rgate=200k Ω)

Voltaje Anodo-Catodo
Corriente Anodo-Catado

Tabla II: Tensión de encendido para diferentes

50
resistencias de compuerta
400
Corriente (mA)

300
Tensión (V)

200
100
0 0
-100 Resistencia(Ω) 100k 200k 470 k 1.2M 10 M
-50
Von(V) 3.74 4.34 9.94 19.24 –
-100
Igate(µA) 37.41 21.7 16.03 –
-150

-200
-0.02 0 0.02 0.04
Tiempo (s)
0.06 0.08 0.1
Análisis Vak,on vs. Igt,on

Figura 14: Tensión y Corriente con Rgate=200kΩ Como se puede observar en las figuras 12, 13,
para otro punto de operación 15 y 16, los valores y la forma de onda de las
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corrientes y voltajes de ánodo y cátodo cuando Ecuaciones

se activa el SCR son iguales sin importar la (1)-(6) Rashid Muhammad H., Los tiristores,
resistencia de gate empleada en el circuito. Electrónica de potencia, circuitos, dispositivos y
La única diferencia es que a mayor resistencia aplicaciones, 2da Ed., Precentice Hall, 1995, pp:
mayor será el voltaje necesario en la compuerta 96-102
para la activación del dispositivo y la corriente
de gate tenderá a disminuir. En la figura 14
se puede ver que aumentando la tensión en la
compuerta más allá del punto de activación
hallado inicialmente, la señal varía y comienza a
asemejarse más a una onda rectificada.

Análisis efecto térmico para Igt = 0

En la práctica se apagó la fuente de voltaje Vgate

del circuito de la figura 8, con lo cual la corriente
de compuerta Igt = 0. Se procedió a calentar el
SCR C106 sin disipador de calor con un encen-
dedor, observando que luego de pocos segundos
el led se encendía, indicando esto que el SCR se
activó por efecto térmico. Como se explicó en el
marco teórico, la existencia de dicho efecto se
justifica por medio del modelo de tiristor de la
figura 3, donde el calor aplicado al SCR sin una
disipación de calor apropiada, eleva las ganancias
de corriente α1 y α2 , lo cual a su vez puede elevar
la corriente de ánodo del SCR IA al punto que
se enciende el SCR (ver ecuación 6).

IV. Conclusiones
Los modelos de computación encontrados
para el SCR en LTSpice no corresponden al
comportamiento observado en la práctica, por lo
que se hizo necesario buscar otras plataformas
de simulación con resultados más cercanos a los
observados.

El SCR es un dispositivo de enganche y aunque

se puede encender en un tiempo determinado
controlando la corriente de la compuerta, no es
posible hacer un control similar para su apagado,
lo cual solo se logra al anular la corriente que
llega al ánodo del dispositivo.

El tiempo de conmutación del SCR es menor a

10 ms.

El efecto térmico en el SCR posee un impacto

importante en su encendido llegando incluso a
activarlo por los portadores producidos a tempe-
raturas muy altas aún sin excitación externa en
la compuerta.

Referencias
[1] Rashid Muhammad H., Los tiristores, Electrónica de po-
tencia, circuitos, dispositivos y aplicaciones, 2da Ed., Pre-
centice Hall, 1995, pp: 96-102
[2] Silicon Controlled Rectifier Motorola, Reverse Bloc-
king Triode Thyristors, C106 Series. 1995.