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4. ¿QUÉ SON LOS ÍNDICES DE MILLER? ¿POR QUÉ SE LES CONOCE ASÍ?
DESARROLLO
Una red de Bravais (físico francés A. Bravais) es un arreglo infinito de puntos discretos con un ordenamiento y orientación, que
parece exactamente la misma, desde cualquier punto de observación.
A la hora de describir la estructura de un sólido cristalino con simetría romboédrica los cristalógrafos prefieren a menudo describir
la estructura con una celda unitaria hexagonal no primitiva.
a=b≠c
α = γ = 90° β = 120°
Imagen 2: Red hexagonal R-Centrada.
La figura muestra la relación existente entre la celda romboédrica primitiva y una celda hexagonal.
Imagen 3: relación existente entre la celda romboédrica primitiva y una celda hexagonal.
Una red de Bravais es un conjunto formado por todos los puntos cuyo vector de posición es de la forma R= n1a1+n2a2+n3a3
donde a1, a2, a3 son tres vectores linealmente independientes y n1, n2 y n3 son números enteros. A los vectores ai se les llama
vectores primitivos o traslaciones fundamentales de la red de Bravais. Resulta evidente que al trasladar una red de Bravais según
un vector de la forma R= n1a1+n2a2+n3a3, coincide consigo misma.
La invariancia traslacional de la red de Bravais constituye su característica más importante. Se llama celda primitiva unidad de
una red de Bravais a un volumen del espacio tal que trasladado mediante todos los vectores de dicha red llena todo el espacio sin
dejar vacíos ni superponerse. Esta condición implica que una celda unidad contiene únicamente un punto de la red. Sin embargo,
existe un número infinito de celdas primitivas, todas ellas con el mismo volumen. Siempre es posible elegir una región (que pueda
contener más de un punto de la red) que, trasladada mediante un subconjunto de vectores de la red, llena el espacio sin dejar
vacíos ni superponerse. Dichas celdas unidades (no primitivas) pueden elegirse de modo que reflejen mejor la simetría de la red.
La estructura de un cristal real queda descrita cuando se da la red de Bravais subyacente y la distribución de los átomos dentro de
la celda primitiva (motivo). La red cristalina está pues formada por copias de la misma unidad fundamental o motivo localizadas
en todos los puntos de la red de Bravais.
Imagen 4: Ejemplo de localización de motivos en una red de Bravais formada por la copias de la misma unidad fundamental.
Cuadro 1: Sistemas cristalinos y sus correspondientes dimensiones junto a la descripción de red de Bravais.
Si se introduce la simetría de la propia base de la estructura cristalina (hasta ahora solo nos hemos referido a la red de Bravais) se
llegan a contabilizar hasta 32 grupos puntuales y 230 grupos espaciales.
Si se conciben los átomos como esferas no deformables, la forma más compacta de apilar es aquella en se apilan, de manera
compacta, planos hexagonales compactos. En ese caso, cada átomo está rodeado de 12 primeros vecinos. Es el número de
coordinación máximo que puede darse en una estructura cristalina. Según la secuencia de apilamiento de los planos, se dan dos
tipos de estructura: cúbica centrada en caras y hexagonal compacta.
Imagen 5: Tipos de empaquetamientos hexagonal y cúbico compactos.
REFERENCIA 1
Redes de Bravais y estructuras cristalinas (s,f). Práctica No1. Laboratorio de estado sólido y semiconductores. Disponible
en https://www.uv.es/~cantarer/esol/p1.pdf.
El conjunto de todos los vectores de onda K que conducen a ondas planas con la periodicidad de una dada red de Bravais
Debe cumplirse para cualquier valor de r para todo vector R de la red de Bravais.
Este conjunto de vectores K constituye la red recíproca. El conjunto de vectores R es una red de Bravais.
El conjunto de vectores K es una de Bravais Cualquier combinación lineal con números enteros satisfará:
Los vectores primitivos de la red recíproca se construyen en la forma
REFERENCIA 2
Ozols, C. (2009). RED RECÍPROCA .Física del Estado Sólido. Facultad de Ingeniería de la UBA. Disponible en:
http://materias.fi.uba.ar/6210/Red%20Reciproca.pdf.
Un poco de historia
Paul Peter Ewald, (nacido el 23 de enero de 1888, Berlín, Alemania), fallecido el 22 de agosto de 1985, Ithaca , Nueva York, EE.
UU., Físico y cristalógrafo alemán cuya teoría de la interferencia de rayos X por cristales fue la primera detallada y rigurosa
explicación teórica de los efectos de difracción observados por primera vez en 1912 por su compañero físico Max von Laue.
Ewald recibió su doctorado de la Universidad de Munich , donde su problema de tesis, el paso de las ondas de luz a través de una
red cristalina , llevó a Laue a suponer que se producirían efectos de interferencia a medida que la longitud de onda de la radiación
incidente se acercara al espaciamiento interatómico del cristal. Ewald se mantuvo a la vanguardia de los desarrollos en
Cristalografía de rayos X y también ideó un método gráfico para resolver la ecuación descrita por Sir Lawrence Bragg en 1912, la
ley fundamental de Dispersión de rayos X, que implica una construcción geométrica ahora conocida como la esfera de Ewald. Fue
a los Estados Unidos en 1949, y de 1949 a 1957 se desempeñó como jefe del departamento de física del Instituto Politécnico de
Brooklyn, Nueva York; de 1957 a 1959 como profesor de física; y como profesor emérito a partir de entonces. En 1960, Ewald
fue elegido para la presidencia de la Unión Internacional de Cristalografía, cargo que mantuvo hasta 1963.
Las esferas de Ewald
Es una construcción geométrica usada en la descripción teórica de la difracción por un cristal. A partir de ella se pueden
determinar gráficamente los puntos de la red recíproca que dan lugar a difracción en una dirección determinada. La esfera de
Ewald lleva el nombre de Paul Ewald (1888-1985), físico alemán pionero en el estudio de la difracción de rayos X, quien se
refería a ella como esfera de difracción.
Construcción general de la esfera de Ewald
En el caso más simple, consistente en un haz monocromático incidente sobre un cristal estacionario, se puede describir al haz por
su vector de onda, generalmente denominado ki cuya dirección y longitud vienen dadas por las condiciones del experimento. En
principio, la radiación puede ser dispersada por el cristal en cualquier dirección, siempre que su energía sea idéntica a la del haz
incidente (hipótesis de la dispersión elástica). Gráficamente, el vector de onda correspondiente al haz dispersado kf tendrá la
misma longitud que el vector del haz incidente. Para determinar los ángulos ϴ a los que se puede observar difracción, se define el
vector de dispersión ߡk como la diferencia entre los vectores de onda incidente y dispersado kf−ki.
La esfera de Ewald es la esfera definida por los extremos del vector ߡk para todas las posibles direcciones del haz dispersado. Esta
esfera contiene el origen de la red recíproca y su radio es
2π/λ
, donde λ es la longitud de onda del haz.
https://www.britannica.com/biography/Paul-Peter-Ewald
4. ¿QUÉ SON LOS ÍNDICES DE MILLER? ¿POR QUÉ SE LES CONOCE ASÍ?
INDICES DE MILLER
Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar unos átomos sobre otros átomos en la
celda cristalina.
Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les asigna un juego de tres números que reciben el
nombre de índices de Miller. Los índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l)
Los índices de Miller son números enteros, que pueden ser negativos o positivos, y son primos entre sí. El signo negativo de un
índice de Miller debe ser colocado sobre dicho número.
Se utilizan celdas unitarias para situar tanto puntos, como planos. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se encuentran
situados sobre el sistema de coordenadas X, Y, Z. Generalmente se asume un origen, el cual está ubicado en la arista inferior
izquierda posterior.
Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés, dichas direcciones son los denominados Índices De Miller y
son particularmente las posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en
su interior cristalino.
Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera:
1. usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas positivas y zonas negativas).
2. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola), generando de esta manera el vector dirección y la
cantidad de parámetros de red recorridos
3. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima expresión
4. Encerrar los números resultantes entre corchetes, sin comas, si el resultado es negativo en cualquier eje (X, Y, Z) debe
situarse una barra o raya encima de dicho número, o números.
Ejemplo 1:
Determinar los índices de Miller de las direcciones A, B y C.
Dirección A
Dirección B
Dirección C
6.
1. las direcciones de Miller son vectores, por ende, este puede ser positivo o negativo, y con ello poseer la misma línea de
acción, pero diferente sentido.
2. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aún no han sido reducidos.
3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, esto en un sistema cubico es ocasionado por el orden y el sentido de los
vectores, ya que es posible redefinir el sistema coordenado para una misma combinación de coordenadas. Estos grupos
reciben el nombre de direcciones de una forma o familia, y se denota entre paréntesis especiales <>. Es importante resaltar
que un material posee las mismas propiedades en todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia.
Tabla 3.5.a
Es necesario conocer las direcciones cristalográficas para así asegurar la orientación de un solo cristal o de un material poli
cristalino. En muchas ocasiones es necesario describir dichas orientaciones; en los metales por ejemplo es más fácil deformarlos
en la dirección a lo largo de la cual los átomos están en mayor contacto. En la industria esto es de vital importancia para el uso,
deformación y construcción de nuevos elementos y materiales. Caso ejemplar es el de los elementos magnéticos los cuales
funcionan como medios de grabación con mejor y mayor eficiencia si se encuentran alineados en cierta dirección cristalográfica,
para así almacenar de manera segura y duradera la información. En general es necesario encontrar o tener en cuenta la posición y
dirección cristalográfica de los elementos ya que así podrá aprovecharse al máximo sus propiedades mecánicas.
Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material facilita su deslizamiento y transformación física;
dichos lugares o planos son en donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación. Como se mencionó
anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los cuales los átomos están compactados de
manera más estrecha o cercana en la celda unitaria. Es importante resaltar la orientación y forma en la que puede crecer el cristal,
para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales planos de una celda unitaria. Igualmente,
para una mejor orientación en los planos de un material podrá existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades
y usos mecánicos.
1. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X,Y,Z en función de los parámetros de red (si el plano pasa por el
origen se debe trasladar el origen del sistema de coordenadas).
2. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un plano cartesiano.
3. se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones.
4. si el reciproco es N/∞, donde N es cualquier número entero real, esto significara en el plano que para este eje el plano quedara
paralelo a él sin tocarlo.
5. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad, caso que no ocurre en el estudio de las direcciones de los Índices de
Miller.
Ejemplo 2:
Plano A
1. x=1 y=1 z=1
2. 1/x=1 , 1/y=1, 1/z=1
3. No existen fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z, esto es debido al cociente entre 1/∞ lo cual con su respectivo limite tiende a ser cero
(0)
2. X=1 , y= 2, z=∞
3. 1/x=1, 1/y=1/2, 1/z= 0
4. Debemos eliminar las fracciones; 2(1, ½,0)
5. (210)
Plano C
1. Es necesario cambiar el origen, ya que el plano pasa por el origen, ubicaremos el nuevo origen a la derecha de la inicial,
moviéndolo en dirección del eje Y positivo
2. Con el nuevo origen se tiene: x=∞, y=-1, z=∞
3. 1/x=0, 1/y=-1, 1/z=0
4. No existen fracciones que eliminar
5.
Ejemplo 3:
Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de índices de Miller-Bravais, debido a la simetría de la
estructura. En este se usan ya cuatro ejes, aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante. El procedimiento para la
obtención de planos y direcciones es el ya estudiado, aunque para el cálculo de las direcciones existen los métodos para tres ejes o
el de cuatro ejes, siendo este último algo más tedioso.
En esta nueva estructura se tomaran los índices (h, k, i, l), para los cuales se asignara un eje respectivo (a1=h, a2=k, a3=i, c=l),
teniendo en cuenta que para el eje a3 su existencia radicara en la relación h + k = -i; y la descomposición en cuatro vectores
(creación de direcciones en cuatro ejes a partir de los índices en los tres ejes)
Relaciones:
H= 1/3(2h – k)
K=1/3(2k – h)
I=-1/3(h + k)
L=l
Ejemplo 4:
Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y para las direcciones C y D.
Plano A
1. a1=a2=a3=∞, c=1
2. 1/a1=1/a2=1/a3=0, 1/c=1
3. No existen fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B
Dirección C
4.
Dirección D
4.
Comportamiento isotrópico y anisotrópico:
A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los materiales presentan comportamientos y
desempeños diversos en sus propiedades mecánicas. Se dice que un material es cristalográficamente anisotrópico si sus
propiedades dependen de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. Si sus propiedades son idénticas en cualquier
dirección el material se conoce cristalográficamente como isotrópico. Puede suceder que un material pase de ser anisotrópico a
isotrópico si sus arreglos son aleatorios en forma policristalina. En genera los materiales policristalino as muestran propiedades
isotrópicas. Ejemplo de ello tenernos el aluminio, el cual si posee idénticas propiedades en todas las direcciones diremos que es un
elemento cristalográficamente isotrópico, pero si se presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como
anisotrópico.
REFERENCIAS 4
Askeland, Donald R; Phule, Pracleep; Ciencia e Ingeniería de los Materiales; International Thomson Editores, cuarta edición,
México, 2004.
Smith, William F (Autor); Hashemi, Javad (Colaborador); Cruells Cadevall, Montesrrat (Revisor); Roca Vallmajor, Antoni
(Revisor); España, Mcgraw- Hill Interamericana S.A, C2004
PLANOS CRISTALINOS
Dirección en la celda
A menudo, es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas. Esto es especialmente importante para metales
y aleaciones con propiedades que varían con la orientación cristalográfica. Para cristales cúbicos los índices de las direcciones
cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los
enteros más pequeños.
Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un vector de dirección desde el origen (que es
normalmente una esquina de la celda cúbica) hasta que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posición de la celda unidad
donde el vector de posición sale de la superficie del cubo después de ser convertidas a enteros son los índices de dirección. Los
índices de dirección se encierran entre corchetes sin separación por comas.
Las superficies cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comúnmente utilizando cuatro índices en lugar de tres.
Los índices para los planos cristalinos HCP, llamados índices Miller-Bravais, son designados por las letras h, k, i, l y encerrados
entre paréntesis ( hkil ). estos índices hexagonales de 4indices están basados en un sistema coordenado de 4 ejes.
Existen 3 ejes básicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre sí. El cuarto eje o eje c es el eje vertical y está localizado en el centro de
la celdilla unidad. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes. La
unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. Los recíprocos de las intersecciones que un plano cristalino
determina con los ejes, a1, a2, a3 proporciona los índices h, k e i mientras el recíproco de la intersección con el eje c da el índice l.
Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla
HCP es paralelo a los ejes, a1, a2, a3 las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Así, a1 =”, a2 =”
a3 =” El eje c, sin embargo, es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Tomando
los recíprocos de estas intersecciones tenemos los índices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. Así, H =0 K=0 I = 0 y L=1.
El plano basal es, por tanto, un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001).
REFERENCIAS 5
http://html.rincondelvago.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-cristalina-de-los-materiales.html
http://www.esi2.us.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html
INTRODUCCIÓN
Inicialmente podemos definir la densidad planar, coma la cantidad de átomos que hay en un determinado plano ejemplo: familia
de planos (100). Pero una definición más formal la densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros localizados
dentro de un área dada sobre un plano. El área planar seleccionada debe ser representativa de los grupos de átomos repetitivos
dentro del plano. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo (deformación plástica), éste ocurre en los planos sobre los cuales los
átomos están más densamente empacados.
La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un plano lo cual es muy importante porque podemos
conocer cómo se van a deslizar estos planos unos con respecto a otros; con su respectiva dirección de deslizamiento ( densidad
lineal) ; la combinación de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformación del material, A la combinación de
un plano de deslizamiento con una dirección, es a lo que se le denomina sistema de deslizamiento, y es a través de estos sistemas
por donde se produce la deformación de los materiales, de tal forma que cuanto mayor es el número de ellos mayor será la
capacidad de deformación de éstos. Para poder determinar cuáles son sistemas existentes, primero tenemos que ver cuáles son los
planos y direcciones preferentes. Pues bien, los planos de deslizamiento son los que poseen la fracción atómica planar (FAP) más
grande o lo que es lo mismo, son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina. Se define la fracción (1) atómica
planar como:
Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convención. Si un átomo pertenece totalmente a un área dada, tal como la del
átomo localizado en el centro de una cara en una estructura FCC, notamos que la huella de la intersección del átomo sobre el
plano es un círculo. Entonces, dentro del área contamos un átomo en el centro y un cuarto de átomo en cada una de las esquinas,
ya que cada uno intercepta solamente un cuarto de círculo en el área. La densidad planar o del plano es 2/a2. Debemos agregar
que, en estos cálculos de la densidad, una de las reglas básicas es que un plano o una línea debe pasar a través del centro de un
átomo no se cuenta el átomo en los cálculos.
Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las diferentes estructuras, veremos que para el caso de la
FCC, la familia de planos de mayor densidad planar es la {111}, mientras que para la estructura BCC, es la {110}.Luego los
planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. Por
lo que ya solo necesitamos conocer, Para poder determinar los sistemas, cuáles son las direcciones de deslizamientos.
A continuación, veremos el cálculo de la densidad atómica planar de la familia de planos (100), (110), (111):
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (100) se llega a la
conclusión que para FCC es igual a 78,5% y para BCC es igual a 58,9%.
Como ya quedó dicho en la introducción, para calcular la densidad planar, el área del plano debe pasar por el centro del átomo,
para poder tener en cuenta a éste como un átomo representativo, por eso, para calcular la densidad planar en una red cristalina
BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el átomo central. Aquello es posible saberlo haciendo proyección del área y
del plano, utilizando geometría analítica.
Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha deducido que el átomo central no corta lo suficiente
al área del plano como para tomarse como un átomo representativo, después de esto se pasa a hacer un cálculo de la densidad
planar, sin tenerlo en cuenta. A continuación, se mostrará el desarrollo de lo anteriormente mencionado:
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (111) se llega a la
conclusión que para FCC es igual a 90,7% y para BCC es igual a 34%.
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (110) se llega a la
conclusión que para FCC es igual a 55,53% y para BCC es igual a 83,3%.
REFERENCIAS 6
http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.pdf (1)
SMITH, F WILLIAM, Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales
http://blog.utp.edu.co/metalografia/2012/07/30/3-cristalografia/
Se les llama así en honor al mineralogista William Hallowes Miller que sentó las bases de la cristalografía moderna en el método
que describió en su Tratado sobre Cristalografía en 1839.
Triclínico Ci
Ortorómbico D2h
Tetragonal D4h
Hexagonal D6h
Cúbico Oh