La estructura cristalina

La estructura física de los sólidos es consecuencia de la disposición de los átomos,

moléculas o iones en el espacio, así como de las fuerzas de interconexión de las partículas:
• Estado amorfo: Las partículas componentes del sólido se agrupan al azar.
• Estado cristalino: Los átomos (moléculas o iones) que componen el sólido se disponen
según un orden regular. Las partículas se sitúan ocupando los nudos o puntos singulares de
una red espacial geométrica tridimensional.
Los metales, las aleaciones y determinados materiales cerámicos tienen estructuras
cristalinas.
Los átomos que pertenecen a un sólido cristalino se pueden representar situándolos en una
red tridimensional, que se denomina retículo espacial o cristalino. Este retículo espacial se
puede definir como una repetición en el espacio de celdas unitarias.
La celda unitaria de la mayoría de las estructuras cristalinas son paralelepípedos o prismas
con tres conjuntos de caras paralelas según el tipo de enlace atómico, los cristales pueden
ser de tres tipos:
a) Cristales iónicos: punto de fusión elevado, duro y muy frágil, conductividad eléctrica
baja y presentan cierta elasticidad. Ej.: NaCl (sal común)
b) Cristales covalentes: Gran dureza y elevada temperatura de fusión. Suelen ser
transparentes quebradizos y malos conductores de la electricidad. No sufren
deformación plástica (es decir, al intentar deformarlos se fracturan). Ej.: Diamante
c) Cristales metálicos: Opacos y buenos conductores térmicos y eléctricos. No son tan
duros como los anteriores, aunque si maleables y dúctiles. Hierro, estaño, cobre

Según la posición de los átomos en los vértices de la celda unitaria de la red cristalina existen:
a) Redes cúbicas sencillas: Los átomos ocupan sólo los vértices de la celda unidad.
b) Redes cúbicas centradas en el cuerpo (BCC): Los átomos, además de ocupar los
vértices, ocupan el centro de la celda. En este caso cristalizan el hierro y el cromo.
c) Redes cúbicas centradas en las caras (FCC): Los átomos, además de ocupar los
vértices, ocupan el centro de cada cara de la celda. Cristalizan en este tipo de redes
el oro, cobre, aluminio, plata,... d) Redes hexagonales compactas (HC): La celda
unitaria es un prisma hexagonal con átomos en los vértices y cuyas bases tiene un
átomo en el centro. En el centro de la celda hay tres átomos más. En este caso
cristalizan metales como cinc, titanio y magnesio.
La estructura cristalina no es más que un concepto creado para describir la forma como están
organizados los átomos en un material. Muchas de las propiedades de los materiales se
explican a partir de la estructura cristalina que posea el material. Las estructuras cristalinas
se estudian por medio de la difracción de rayos X. Los rayos X son un tipo de radiación similar
a la de la luz visible, con la diferencia que su longitud de onda es menor. Esto permite a los
rayos X pasar fácilmente entre los espacios que existen entre los átomos del material (la luz
visible tiene una longitud de onda tal que no “cabe” en esos espacios para la mayoría de
materiales). Al utilizar rayos X, parte de la radiación pasa entre los átomos y otra parte se
refleja en ellos. Esto genera ciertos patrones de “sombras” que indican la forma como los
átomos se encuentran ubicados en el material.
La foto de los átomos sería similar al esquema que se muestra a continuación:

En el centro de cada esfera (átomo) se ha colocado una cruz. Esas cruces representan el
lugar geométrico que define las posiciones de cada uno de los átomos que forman al
material. A esas posiciones se les llama puntos de red. Los puntos de red pueden estar
ocupados por átomos o pueden estar vacíos.

No es necesario dibujar todos los átomos del material para representar su estructura
cristalina, es suficiente dibujar la posición de cuatro de los átomos para hacerse una idea
muy clara de cómo están colocados el resto de átomos.

Al número más pequeño de puntos de red que representan el ordenamiento de todos los
átomos del material se le llama celda unitaria. La celda unitaria está formada por cuatro
puntos de red contenidos en el plano. Los materiales reales son tridimensionales, por lo
que las celdas unitarias que representan su estructura cristalina también son
tridimensionales. Se considera que la estructura cristalina de un material está formada por
un conjunto de celdas unitarias apiladas entre sí.

Hasta el momento, solamente se han identificado catorce tipos diferentes de celdas

unitarias agrupadas en siete sistemas cristalinos.
Tal como su nombre lo indica, la celda unitaria que define al sistema cúbico es un cubo. A
la arista del cubo (longitud de sus lados) se le llama parámetro de red y es una propiedad
de la celda unitaria. El parámetro de red se simboliza por a 0, y se especifica a temperatura
ambiente (el parámetro de red cambia con la temperatura. El valor del coeficiente de
expansión térmica del material depende directamente de la forma como varía el parámetro
de red con la temperatura). El parámetro de red puede medirse por medio de difracción de
rayos X. La celda unitaria del sistema cúbico queda completamente definida por su
parámetro de red. El sistema cúbico posee tres estructuras cristalinas.

1. Estructura cúbica simple (CS). La celda unitaria es un cubo de arista con un punto
de red definido en cada uno de sus vértices.
2. Estructura cúbica centrada en el cuerpo (BCC). La celda unitaria es un cubo de arista
a0. Tiene un punto de red definido en cada uno de sus vértices y un punto de red
definido en el centro geométrico del cubo.

3. Estructura cúbica centrada en la cara (FCC). La celda unitaria es un cubo de arista

a0. Tiene un punto de red definido en cada uno de sus vértices y un punto de red
definido en el centro geométrico de cada una de sus caras.

Las celdas unitarias tienen propiedades. Algunas de sus propiedades más relevantes
son:

1. Número de átomos por celda. Cada celda unitaria tiene asociada un número promedio
de puntos de red. Por ejemplo, en la celda unitaria cúbica simple, cada punto de red
en los vértices del cubo es compartido por 8 celdas diferentes. Esto es equivalente a
plantear que solamente 1/8 de cada punto de red pertenece a una celda. Si hay ocho
puntos de red (uno por vértice), entonces el número de átomos por celda para la
estructura cúbica simple es: (1/8)*8 = 1. Siguiendo un razonamiento similar, se deduce
que la estructura BCC tiene dos átomos por celda unitaria, y la estructura FCC tiene
cuatro átomos por celda.

2. Relación entre el radio atómico y el parámetro de red. Debido a la geometría de la

celda unitaria, existe una relación matemática entre el radio de los átomos que la
componen y el parámetro de red. Para los átomos que forman la estructura BCC, los
átomos se tocan entre sí a lo largo de la diagonal principal del cubo, tal como se ilustra.
 Propiedades de los semiconductores
Semiconductores intrínsecos. Estructura cristalina.
En los semiconductores más usuales, silicio y germanio, su estructura cristalina
(disposición atómica que se repite periódicamente en tres dimensiones) es la que
aparece reflejada en la Figura 1.4a y se denomina “estructura diamantina”.

En la estructura diamantina, cada átomo está rodeado de 4 átomos vecinos y,

además, cada átomo tiende a compartir uno de sus cuatro electrones de valencia
con cada uno de los cuatro átomos vecinos de los que toma otro electrón en proceso
análogo (Figura 1.4b). Las barras de conexión de la Figura pueden considerarse
como pistas a lo largo de cada una de las cuales se mueven dos electrones en uno
y otro sentido entre los átomos asociados. Esta disposición de pares de electrones
compartidos entre átomos vecinos es lo que se denomina “enlace covalente”. La
Figura 1.5 es una representación en dos dimensiones de la estructura diamantina
para un semiconductor puro (sin defectos ni elementos extraños) a una temperatura
muy baja, esto es, cuando todos los electrones de valencia permanecen ligados
en los enlaces covalentes no disponiéndose, por lo tanto, de cargas libres que
puedan moverse por el cristal bajo la presencia de un campo eléctrico externo
aplicado. En este caso, el material se comporta como un aislante.
Sin embargo, a temperaturas superiores, la vibración térmica de los átomos de la red
cristalina da lugar a sacudidas en las que se rompen algunos enlaces covalentes
disponiéndose, en tal caso, de cargas libres que pueden moverse por todo el cristal. Esta
situación queda reflejada en la Figura 1.6. La energía necesaria para romper un enlace
covalente ha de ser igual o mayor que EG . EG es, en esencia, una energía de ionización,
pero mucho menor que las energías de ionización de los átomos aislados ya que muchos
átomos del cristal influyen sobre el movimiento de cada electrón ligado.

La peculiaridad más destacable de la vacante dejada en el enlace covalente es que se

comporta como si fuera una nueva partícula libre de carga positiva +q (q =1,610-
19 C) y de masa comparable a la del electrón. Esta partícula aparente recibe el nombre de
“hueco”.
Semiconductores extrínsecos. Impurezas donadoras y aceptadoras.
Puesto que los semiconductores intrínsecos presentan el mismo número de
electrones de conducción que de huecos, no son lo suficientemente flexibles para la
mayor parte de las aplicaciones prácticas de los semiconductores. Para aumentar el
número de portadores, el procedimiento más común consiste en introducir, de
manera controlada, una cierta cantidad de átomos de impureza obteniéndose lo que
se denomina semiconductor extrínseco o dopado. En ellos, la conducción de
corriente eléctrica tiene lugar, preferentemente, por uno de los dos tipos de
portadores.

Semiconductor de tipo n. Impurezas donadoras.

En la Figura 1.8 aparece reflejada la estructura de un cristal de Si que resulta cuando
se ha sustituido uno de sus átomos por otro que posee cinco electrones de valencia.
Dicho átomo encajará sin mayores dificultades en la red cristalina del Si. Cuatro de
sus cinco electrones de valencia completarán la estructura de enlaces, quedando el
quinto electrón débilmente ligado al átomo. A temperatura ambiente e incluso
inferiores, este electrón se libera con facilidad y puede entonces moverse por la red
cristalina, por lo que constituye un portador. Es importante señalar que, cuando se
libera este electrón, en la estructura de enlaces no queda ninguna vacante en la que
pueda caer otro electrón ligado. A estos elementos que tienen la propiedad de ceder
electrones libres sin crear huecos al mismo tiempo se les denomina donantes o
impurezas donadoras y se dice que hacen al semiconductor de tipo n porque a dicha
temperatura tenemos muchos más electrones (portadores negativos) que huecos.

Indudablemente, siempre tendremos algunos huecos debido a los enlaces

covalentes rotos a dicha temperatura. Es decir, en un semiconductor tipo n, los
electrones de conducción son los portadores mayoritarios (aunque no exclusivos).

Semiconductor de tipo p. Impurezas aceptadoras.

Un razonamiento similar se puede hacer cuando sustituimos un átomo de Si por otro que
tenga tres electrones de valencia (ver Figura 1.9). Dicho átomo no completa la estructura de
enlaces: de ahí que a temperatura ambiente e incluso inferiores un electrón ligado de un
átomo vecino pase fácilmente a ocupar dicha vacante completando, de esta forma, la
estructura de enlaces y creando al mismo tiempo un hueco. A estos elementos que tienen
predisposición para aceptar electrones ligados se les conoce con el nombre de aceptadores
o impurezas aceptadoras y se dice que hacen al material de tipo p ya que éste conduce
fundamentalmente, aunque no de forma exclusiva, mediante los huecos cargados
positivamente. Por lo tanto, en un semiconductor de tipo p, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones los minoritarios, es decir, siempre existen unos pocos electrones
que proceden de la rotura estadística de enlaces covalentes a dicha temperatura.

Terminología relacionada con los semiconductores

Semiconductor intrínseco: semiconductor no dopado consistente en un material

semiconductor extremadamente puro, que contiene cantidades insignificantes
de átomos de impureza; un semiconductor cuyas propiedades son inherentes
al mismo.

Dopantes: átomos de impureza específicos que se añaden a los semiconductores

en dosis controladas con la intención deliberada de incrementar las
concentraciones de electrones o de huecos.

Semiconductor extrínseco: semiconductor dopado; un semiconductor cuyas

propiedades están controladas por los átomos de impureza añadidos.
 Donador: átomo de impureza que incrementa la concentración de electrones;
dopante tipo n.

Aceptador: átomo de impureza que incrementa la concentración de huecos;

dopante de tipo p.

Material tipo n: material dopado con donadores; un semiconductor que contiene

más electrones que huecos.

Material tipo p: material dopado con aceptadores; un semiconductor que contiene

más huecos que electrones.

Portador mayoritario: el portador más abundante en una muestra de semiconductor

dada; electrones en un material tipo n, huecos en un material tipo p.

Portador minoritario: el portador menos abundante en una muestra de

semiconductor dada; huecos en un material tipo n, electrones en un material
tipo p.

Propiedades de los superconductores

Por su comportamiento físico

 Superconductores de tipo I: son los que tienen un único campo magnético crítico Hc,
y pasan bruscamente del estado superconductor al normal.
 Superconductores de tipo II: son aquellos en los que se pueden considerar dos
campos magnéticos críticos, Hc1 y Hc2, estando plenamente en el estado
superconductor para un campo magnético externo por debajo de Hc1 y en el estado
normal por encima de Hc2, hallándose en un estado mixto cuando el campo magnético
se halla entre ambos.

Por su temperatura crítica

 Superconductores de baja temperatura: suelen llamarse así a aquellos cuya
temperatura crítica está por debajo de los 77K.
 Superconductores de alta temperatura: suelen llamarse así a aquellos cuya
temperatura crítica está por encima de los 77K.

La razón por la que se suele tomar dicha temperatura está en la facilidad con la que podemos
enfriar el material (marcando una diferencia en el precio de los experimentos dedicados a su
estudio), ya que por encima de 77K podemos utilizar métodos de enfriado de bajo coste,
como el nitrógeno líquido, en lugar de otros como el helio líquido.
Por el material
Elementos puros: (si bien no todos los elementos puros alcanzan el estado superconductor),
la mayoría de los superconductores que son elementos puros son de tipo I, con la excepción
del niobio, el tecnecio, el vanadio y las estructuras de carbono que se mencionan más abajo.
Aleaciones, como por ejemplo:
 El NbTi (niobio-titanio) cuya propiedad superconductora se descubrió en 1962.
 El AuIn (oro-indio), un superconductor descubierto en 1997.
 El URhGe (aleación de uranio, rodio y germanio), del cual se descubrió en 2005 que
sigue siendo superconductor incluso a elevados campos magnéticos3 (si bien su
temperatura crítica es muy baja, unos 0.28K).

Superconductores orgánicos: estructuras de carbono (concretamente fulerenos y

nanotubos). Puesto que están compuestos únicamente por átomos de carbono,
técnicamente se pueden considerar entre los elementos puros, pero al no ser metales se
pueden poner como un grupo aparte.
Nótese que otras estructuras de carbono puro como el diamante y el grafito nunca son
superconductoras.
Cerámicas entre las que tenemos
 El grupo YBCO, conocido por sus siglas inglesas para óxidos de itrio, bario y cobre,
son toda una familia de materiales muy complejos, y los superconductores de alta
temperatura más conocidos (~95K).
 El diboruro de magnesio (MgB2), su temperatura crítica es 39K.

Propiedades
El interior del superconductor está apantallado en forma ideal contra los campos magnéticos
exteriores por medio de las corrientes que circulan en la fina capa superficial del
superconductor. En esta capa penetra también el campo magnético, debido a lo cual la
profundidad de esa capa se denomina profundidad de penetración y se designa por λ. El
diamagnetismo de los superconductores puede aprovecharse, por ejemplo para atribuir a las
líneas de fuerza del campo magnético la configuración dada. El campo contorneará el
superconductor, mientras que las líneas de fuerza adquirirán la configuración que reproduce
el contorno del superconductor.
El superconductor difiere sustancialmente de un conductor ideal con resistencia Γ = 0. En un
conductor ideal puede penetrar el campo, en cambio de ningún modo se puede obligar al
campo magnético a penetrar en un superconductor. Aunque sí, existe un método: al alcanzar
la intensidad del campo magnético en algún punto del superconductor una magnitud que
supere cierto valor crítico, en ese punto el superconductor pierde la superconductividad. Los
campos magnéticos críticos de los metales puros son débiles; no superan centenas de
Oersted, lo que puede verse en la tabla 2.
La corriente que pasa por el superconductor también puede provocar la pérdida de la
superconductividad. La magnitud de esa corriente en los superconductores puros está
relacionada con el campo magnético crítico por la regla de Silsbee: la superconductividad se
anula por tal valor de la corriente en el conductor, que crea en la superficie del
superconductor un campo igual al crítico. La magnitud del campo en la superficie del
conductor se puede determinar con arreglo a la ley de la corriente total.
Cada superconductor tiene, además, su propia temperatura crítica (Tc), es decir, pasando la
cual pierde a salto sus propiedades de superconductor. Estas temperaturas son muy
variables.
Sobre la temperatura crítica influyen, aunque débilmente, las tensiones mecánicas en la
probeta. Como regla (más no siempre), el aumento de las tensiones mecánicas en la probeta
acarrea la elevación de la temperatura crítica y únicamente los métodos muy sensibles
permiten establecerlo.
Una dependencia análoga existe entre las tensiones mecánicas y el campo magnético crítico.
Se demostró, en particular, que el campo crítico de una probeta de estaño, que a temperatura
de 2 °K es de 210 Oe, después de haber creado artificialmente en el estaño fuertes tensiones
mecánicas, aumentó hasta 15 mil Oe.

Tabla 2
Elemento Temperatura Campo Elemento Temperatura Campo
Crítica Tc(°K) Magnético Crítica Tc(°K) Magnético
Crítico Hc’ en Crítico Hc’en
Oe Oe
Ti 0,40 100 Rn 1.70 201
Ru 0.49 66 Tl 2.39 171
Zr 0.55 47 In 3.40 278
Cd 0.56 30 Sn 3.72 309
U 0.60 ~2000 Hg 4.15 411
Os 0.71 65 Ta 4.40 780
Zn 0.82 52 V 5.30 1310
Ga 1.10 51 La 5.95 1600
Al 1.20 99 Pb 7.17 803
Th 1.37 162 Nb 9.22 1944