Electrónica 2

Consulta #1

Ing. Luis Bolivar Aguilera Tapia

Nombres: Kevin Camacho

Alexandra Frías
Yessenia Bermeo

NRC: 2040-2035

Fecha: 2017/10/31
Profundizar Temas lámina 4: Distorsión, sensibilidad, normas,
eficiencia, respuesta frecuencia (cap9), fidelidad, protecciones,
tipos de transistores de potencia.
DISTORSIÓN

Es la alteración de la forma de una señal cuando pasa a través de un sistema.

Ocurre cuando el sistema actúa de diferente manera sobre las componentes de la señal,
cambiando amplitud, fase o frecuencia en desigual proporción.

Una señal senoidal pura tiene una sola frecuencia a la cual el voltaje varía de positivo a
negativo en cantidades iguales. Cualquier señal que varíe durante menos del ciclo
completo de 360° se considera que tiene distorsión. Un amplificador ideal es capaz de
amplificar una señal senoidal pura para transformarla en una versión más grande, y la
forma de onda resultante es una señal senoidal pura de una sola frecuencia. Cuando
ocurra la distorsión, la salida no será un duplicado de la señal de entrada.

Tipos de distorsión.

Distorsión en frecuencia.

Depende de la respuesta en frecuencia del sistema, surge cuando la amplitud de la señal

no es la misma en distintas frecuencias.

Puede presentarse porque los elementos y dispositivos del circuito responden a la señal
de entrada de forma diferente en varias frecuencias.

Distorsión lineal.

Se refiere a cualquier modificación que deforma la señal, aunque de formas no graves

como una distorsión no lineal.

Esta distorsión no da lugar a nuevas componentes.

Distorsión no lineal.

Por el contrario lo característico en cualquier distorsión no lineal es el hecho de que

aparecen componentes nuevas.

Esta distorsión añaden por sí mismos componentes que no estaban en la señal de origen.

Distorsión armónica.
Se debe a la no linealidad de la respuesta de los componentes del sistema. Este tipo de
distorsión produce que, su salida se componga de la frecuencia fundamental y
componentes de frecuencia llamados componentes armónicos o solo armónicos.

Se considera que una señal sufre distorsión armónica cuando hay componentes
armónicos de frecuencia.

Si la amplitud de la frecuencia fundamental es 𝐴1 y la amplitud del componente n-ésimo

de la frecuencia es 𝐴𝑛 entonces la distorsión armónica se define como:

|𝐴𝑛 |
% 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑛 − é𝑠𝑖𝑚𝑎 𝑑𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑠𝑖ó𝑛 𝑎𝑟𝑚ó𝑛𝑖𝑐𝑎 = %𝐷𝑛 = ∗ 100%
|𝐴1 |

Siempre la componente fundamental va a ser mayor a que cualquier componente

armónico.

Distorsión armónica total.

Cuando una señal de salida tiene varios componentes de distorsión armónica

individuales, se puede considerar que la señal tiene una distorsión armónica total basada
en los elementos individuales combinados por medio de la relación de la siguiente
ecuación:

%𝑇𝐻𝐷 = √𝐷22 + 𝐷32 + 𝐷42 + ⋯ ∗ 100%

Para observar los armónicos y la señal fundamental se utiliza un instrumento como un

analizador de espectros y también se puede utilizar un analizador de ondas.

SENSIBILIDAD

Indica la cantidad de flujo eléctrico necesario de entrada para producir la máxima

potencia de salida.

La sensibilidad viene indicada por 𝑑𝐵𝑢 a una determinada impedancia. El 𝑑𝐵𝑢 expresa el
nivel de señal en decibelios y referido a 0,7746 𝑉𝑅𝑀𝑆 . Así, 774,6 𝑚𝑉𝑅𝑀𝑆 equivaldrán a 0
dBu.

Si se supera el valor especificado por la sensibilidad la señal de salida sufrirá un recorte.

Para evitar este gran problema, la mayoría de equipos profesionales cuentan con
un control de nivel de la entrada, que nos permite atenuar la señal si resulta excesiva.
NORMAS PARA EQUIPOS ELÉCTRICOS PARA AMPLIFICACIÓN DE SONIDO Y
AMPLIFICADORES ELÉCTRICOS DE AUDIOFRECUENCIA.

Normas del ministerio de industrias y productividad del Ecuador.

Los amplificadores eléctricos de audiofrecuencia deben cumplir con los requisitos de

seguridad establecidos en la Norma Internacional IEC 60065 vigente.

El rotulado de los amplificadores eléctricos de audiofrecuencia debe cumplir con los

requisitos establecidos en la Norma Internacional IEC 60065 vigente; además se debe
indicar el país de origen.

La información descrita en el rotulado debe ser legible e indeleble.

Los amplificadores eléctricos de audiofrecuencia deben venir con un documento anexo

que especifique las características según la Norma Internacional IEC 60268-3 vigente.

La información del rotulado debe estar en idioma español, sin perjuicio de que se pueda
incluir esta información en otros idiomas.

EFICIENCIA

Según la norma internacional ISO 50001 eficiencia es la Proporción u otra relación

cuantitativa entre el resultado en términos de desempeño, de servicios, de bienes o de
energía y la entrada de energía.

Para el análisis de los amplificadores de potencia se requiere de relaciones asociadas a su

funcionamiento y desempeño. Como el amplificador de potencia convierte la potencia
de CC de la fuente de alimentación en una señal de potencia en la carga, la eficiencia de
este proceso está dada por

𝑃𝐿(𝐶𝐴)
𝜂=
𝑃𝐶𝐶

Donde 𝜂 es la eficiencia, 𝑃𝐿(𝐶𝐴) , es la potencia media de señal en la carga y 𝑃𝐶𝐶 , la

potencia media de salida en la fuente de alimentación. La potencia media disipada en el
dispositivo de amplificación, considerando un transistor bipolar como dispositivo de
potencia, será
 𝑃𝐶𝐸 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝐿

Donde 𝑃𝐶𝐸 es la disipación media de colector, 𝑃𝐿 es la potencia total, es decir, 𝑃𝐿 =

𝑃𝐿(𝐶𝐷) + 𝑃𝐿(𝐶𝐴) .

RESPUESTA EN FRECUENCIA

En este tema se estudia los efectos en frecuencia introducidos por condensadores de

gran valor, generalmente externos, que limitan la frecuencia baja de operación del
amplificador, y condensadores internos a los dispositivos activos que limitan su
comportamiento en alta frecuencia.

Generalmente, el análisis en frecuencia de un amplificador se realiza sobre un rango muy

variable de valores de frecuencia. Para facilitar su caracterización se utiliza escalas
logarítmicas en términos de decibelio. Inicialmente, el decibelio tuvo su origen para
establecer una relación entre potencia y niveles de audio en escala logarítmica. Así, un
incremento de nivel de potencia, por ejemplo de 4 a 16 W, no corresponde con un nivel
de audio multiplicado por un factor de 4 (16/4), sino de 2 puesto que (4)2 . La definición
de bel, cuyo nombre se debe a Alexander Graham Bell, relativa a dos niveles de potencia
P1 y P2 es

𝑃2
𝐺 = 𝑙𝑜𝑔10
𝑃1

El bel es una unidad demasiado grande y para aplicaciones prácticas se utiliza el término
decibelio (dB) definido como 1dB=0.1bel o

𝑃2
𝐺𝑑𝐵 = 10𝑙𝑜𝑔10
𝑃1

Existe una segunda definición del decibelio aplicada más frecuentemente que opera
sobre tensiones en vez de potencias. Si consideramos la potencia disipada por una
resistencia, 𝑃𝑖 = (𝑉𝑖 )2 /𝑅𝑖 , entonces sustituyendo en la ecuación anterior, se obtiene

𝑃2 (𝑉2 )2 /𝑅𝑖 𝑉2
𝐺𝑑𝐵 = 10𝑙𝑜𝑔10 = 10𝑙𝑜𝑔10 2
= 20𝑙𝑜𝑔10
𝑃1 (𝑉1 ) /𝑅𝑖 𝑉1
 𝑉𝑜 /𝑉𝑖 dB
0.5 -6
0.7007 -3
1 0
2 6
10 20
40 32
100 40
1000 60
10000 80

FIDELIDAD

La alta fidelidad (frecuentemente abreviada en inglés hi-fi) es una norma de calidad que
significa que la reproducción del sonido o imágenes es muy fiel al original. La alta
fidelidad pretende que los ruidos y la distorsión sean mínimos. El término «alta fidelidad»
se aplica normalmente a todo sistema doméstico de razonable calidad, aunque algunos
creen que intenta un criterio superior, y en 1973, la norma del Instituto Alemán de
Normas DIN45500 estableció requerimientos mínimos de las medidas de respuesta
de frecuencia, distorsión, ruido y otros defectos y logró algún reconocimiento de las
revistas de audio.

Determinación de la alta fidelidad: pruebas de doble ciego

Su origen se encuentra en las pruebas doble ciego para la aprobación de nuevas

medicinas desde 1960. Aunque las pruebas de ciego simple en altavoces habían sido
usadas durante algunos años por Floyd E. Toole1 en el National Research
Council de Canadá, la prueba de doble ciego de escucha de amplificadores fue descrita
por primera vez en Estados Unidos por Daniel J. Shanefield en noviembre de 1974 en una
publicación de la Boston Audio Society.
Una prueba ciega es aquella en que el sujeto que debe reconocer las diferencias ignora
exactamente qué elemento escucha. Debe, por tanto, responder sin verse influido por
estímulos visuales, marcas de equipos y medios y otros factores subjetivos. Las pruebas
"doble-ciego" son aquellas en las que el que prepara y ejecuta la conmutación de equipos
ignora también qué elementos selecciona con cada conmutación para la audición del
sujeto. Esto impide que quien realiza las conmutaciones pueda consciente o
inconscientemente influir en las decisiones del sujeto. Por otro lado, estas pruebas deben
ser realizadas de modo que también eliminen otros factores indeseables tales como la
intensidad sonora, por lo que el protocolo de la prueba debe incluir un meticuloso
proceso de igualación de niveles de tensión entre los elementos a probar (con mucha
frecuencia, diferencias leves en intensidad son interpretadas como diferencias
cualitativas como consecuencia de que las curvas isofónicas no son paralelas entre sí).

Las pruebas ciegas normalmente se diseñan únicamente para probar que es posible
distinguir un elemento de otro sin introducir otras consideraciones subjetivas. Asimismo,
se pretende que los factores que hacen hipotéticamente posible distinguir un elemento
de otro por su sonido sean de naturaleza estrictamente cualitativa, por lo que se deben
eliminar los factores diferenciadores de naturaleza cuantitativa (nivel de tensión que se
traducirá en nivel de intensidad sonora, etc.). Los factores cuantitativos como el nivel no
se consideran factores diferenciadores relevantes en estas pruebas, toda vez que el nivel
es un factor que siempre se puede compensar a voluntad en cualquier audición. Deben
ser igualados, por tanto, para evitar que los elementos puedan ser distinguidos por esta
razón exclusivamente.

Para demostrar la hipótesis "equipos diferentes" en una prueba ciega, es necesario que
el número de aciertos del sujeto reconociendo qué equipo suena en cada ensayo (o
etiquetando correctamente con "A" o "B") haga muy improbable la hipótesis alternativa
del acierto por azar. Debe, por tanto, existir significancia estadística que resulta de aplicar
un nivel de significación típico (aunque arbitrario) α<0,05, lo que significa que, por
ejemplo, para una serie de 13 preguntas (de dos posibles respuestas válidas
equiprobables, es decir, A ó B) se requiera un mínimo de 10 aciertos (o 13 aciertos de 18
preguntas, ó 20 de 30, etc.).

Esto fue referido posteriormente al público en general en la revista Audio Fidelity en

marzo de 1980. La comparación de escucha de doble ciego es ahora un procedimiento
normal en casi todos los profesionales de la rama del audio. Una versión frecuente de
esta prueba es la prueba denominada "ABX", lo que significa la comparación de dos
fuentes conocidas de audio cuando una de ellas es elegida al azar. La prueba y su equipo
asociado las desarrolló Michigan Woofer and Tweeter Marching Society (SMWTMS), una
organización semi profesional de Detroit, Estados Unidos que es muy activa en las
pruebas doble ciego de nuevos componentes de audio. Por motivos evidentes de
mercadotecnia, unos pocos fabricantes de equipos muy caros y ciertas publicaciones
especializadas tratan de desprestigiar este tipo de pruebas con la pretensión de
mantener una falsa justificación para un gasto fuerte y recurrente en este tipo de
electrodomésticos. Una objeción frecuente a estas pruebas es que resultan agotadoras y
esto hace difícil distinguir las "sutilezas" de equipos "superiores" que sólo escuchas
prolongadas permiten percibir el verdadero sonido. La realidad es que se pueden diseñar
pruebas con descansos y de duración prácticamente ilimitada para aquellos que objetan
el cansancio.

Algunos meta análisis han probado que la gran mayoría de las diferencias que los audio
filos afirman que existen entre equipos no son sino ilusiones, en ocasiones resultado de
un intento por reducir la disonancia cognitiva que resulta tras un fuerte gasto aunque
más frecuentemente como resultado de una prueba realizada en condiciones no
controladas, es decir sin ajuste meticuloso de nivel de intensidad sonora, sin eliminar
factores de sugestión, sin idéntico equipo auxiliar y entorno acústico, etc.
PROTECCIONES PARA AMPLIFICADORES DE POTENCIA
El objetivo es realizar circuitos que protejan a los transistores de potencia de cortos
circuitos que se puedan producir en la carga o de sobrecargas, manteniendo al transistor
en la zona de operación segura.
Un ejemplo claro de sobrecarga se podría dar cuando al diseñar un circuito para un 𝑅𝐿 =
8Ω se conecta una resistencia de un valor menor, o también cuando 𝑉𝐿 va más allá del
máximo previsto porque se le conecto otro pre-amplificador.
Dentro de las protecciones tenemos:

 Protección con diodos

Este es un sistema pasivo de protección, a continuación el esquema:

Cuando la corriente de colector sube, por cualquier razón que se presente, la caída
de tensión en la resistencia emisor 𝑅𝐸1 (la 𝑅𝐸1 para el ciclo positivo) aumenta, al
pasarse 2 tensiones umbrales se polarizan el par de diodos D1 y D2, con esto la
circulación de corriente se resta a la corriente de base del transistor Q1, el cual al
mismo tiempo va disminuyendo la corriente de colector, con esto se logra la
disminución de este parámetro.
De igual forma para el ciclo negativo de la señal, cuando aumenta la caída de tensión
en la resistencia emisor 𝑅𝐸2 aumenta, al pasarse 2 tensiones umbrales se polarizan
el par de diodos D3 y D1, con esto la circulación de corriente se resta a la corriente
de base del transistor Q2, el cual al mismo tiempo va disminuyendo su corriente de
colector.
𝑅𝐸1 y 𝑅𝐸2 cumplen dos funciones: estabilizar la etapa de salida del colector común y
disparar la protección del transistor de salida.
 Sistemas de protección activos
Estos sistemas son similares a las protecciones de las fuentes reguladas, ya que
poseen una fuerte realimentación negativa. Existen varios esquemas para
aprovechar lo mejor posible la zona de operación segura.

o Transistor simple
Este circuito busca restar corriente de base al transistor Q1 para enclavar la
corriente de colector.
En este caso cuando la tensión sobre la resistencia e emisor supera la tensión
umbral del transistor de protección Qp, la corriente de colector de esta se resta a
la 𝐼𝐵1 , disminuyendo de este modo la corriente 𝐼𝐶1 . A continuación el esquema
del circuito.

Cuando 𝑉𝑅𝐸 ≥ 𝑉𝛾  se enclava 𝐼𝐶1

Se diseña para que 𝐼𝐶1 sea menor que una 𝐼𝐶1 = 𝐼𝑀𝐴𝑋
𝑉𝐵𝐸
La condición de diseño de la protección es 𝐼𝑀𝐴𝑋 = donde 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝛾
𝑅𝐸

𝑉𝐵𝐸
Luego 𝑅𝐸 = 𝐼
𝑀𝐴𝑋
Supongamos que coloco la recta de protección en 𝐼𝑀𝐴𝑋1 en una corriente máxima
menor a la máxima admisible por el transistor Q1, esto no afecta cuando las cargas
son 8Ω o 4Ω, pero cuando 𝑅𝐿 = 0, la recta de carga se vuelve vertical y supera la
potencia máxima, es por esto que se coloca la protección en 𝐼𝑀𝐴𝑋2 para proteger
al transistor contra cortos circuitos de la carga, con eso queda limitada la
excursión de 𝑉𝐿 .
Un problema que tiene esta configuración es que la 𝑅𝐸 está pensada para
estabilidad térmica del transistor de salida y en general da un valor demasiado
grande para usarla directamente para activar el transistor de protección.
o Primer variante de la protección
El objetivo de este esquema es aprovechar mejor la zona de operación segura del
transistor y que no quede limitada la excursión de 𝑉𝐿 . A continuación el esquema:
Con esta configuración del circuito resulta que la caída de tensión sobre 𝑅3 es
mucho mayor que la caída sobre 𝑅1 .
Al sacar la ecuación de la curva de la protección obtenemos:
0.6 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1
𝐼𝐿 = ( ) − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐸1 𝑅2 𝑅3 𝑅𝐸1
Donde la primera parte es independiente de 𝑅3 y la segunda parte queda en
función de la resistencia 𝑅3
Ejemplo:
𝑅1 = 270Ω, 𝑅2 = 330Ω, 𝑅3 = 15 𝑘Ω y 𝑅𝐸1 = 0.1Ω
El cual resulta: 𝐼𝐿 = 11𝐴 − 0.2𝑉𝐶𝐸
Y si 𝑅3 = 10 𝑘Ω resulta 𝐼𝐿 = 11𝐴 − 0.27𝑉𝐶𝐸
Podemos observar que mejora notablemente ya que la recta de la protección
acompaña a la recta de carga, con lo cual no tendría recortes de la excursión de
𝑉𝐿 .
o Segunda variante de la protección: doble pendiente
De igual forma el objetivo de este esquema es aprovechar aún mejor la zona de
operación segura del transistor haciendo que la recta tenga un quiebre para
acompañar mejor a la curva de potencia máxima del transistor. A continuación el
esquema del circuito:
 El objetivo de este circuito es que en algún valor de 𝑉𝐶𝐸 el diodo zener conducirá
y le sacara la corriente a la 𝑉3 . Con la cual la corriente por la carga 𝐼𝐿 para el
arranque del transistor Qp va a ser mayor cuando este activa la rama del zener.
Esto podemos apreciar en la gráfica como un cambio de pendiente en la curva de
la protección, y a medida que bajo el valor de 𝑅5 , mayor será la corriente por el
zener y consecuentemente mayor será la 𝐼𝐿 por la carga a la cual se activa la
protección.
Ejemplo:
𝑉𝑅3 = 0.4𝑉𝐶𝐸
𝑉𝛾 + 0.4𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑧 = 15𝑉
15𝑉−0.6𝑉
𝑉𝐶𝐸 = = 36𝑉
0.4

También se muestra como varia la segunda parte de la recta de protección para

distintos valores de 𝑅5 . Vemos que la pendiente de la recta disminuye al disminuir el
valor de 𝑅5 .
TIPOS DE TRANSISTORES DE POTENCIA
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia:
 Bipolar de potencia (BJT)
Es de destacar que el interés actual del BJT es muy limitado, ya que existen
dispositivos de potencia con características muy superiores.
o Modos de trabajo
Tiene cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o
signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor
pueden ser:

 Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la

unión emisor-base y a una polarización inversa de la unión
colector-base. Esta es la región de operación normal del transistor
para amplificación.
 Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de
la unión emisor-base y a una polarización directa de la unión
colector-base. Esta región es usada raramente.
 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas
uniones. La operación es esta región corresponde a aplicaciones
de conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa
como un interruptor abierto (𝐼𝐶 = 0).
 Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de
ambas uniones. La operación en esta región corresponde a
aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el
transistor actúa como un interruptor cerrado (𝑉𝐶𝐸 = 0).

o Especificaciones importantes
Las principales características que han de considerarse en estos transistores son:
 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 Intensidad máxima de colector.
 𝐵𝑉𝐶𝐸𝑂 Tensión de ruptura de colector-emisor.
 𝑃𝑚𝑎𝑥 Potencia máxima disipable en régimen continuo.
 o Área de operación segura en un BJT de potencia

En esta curva se pueden observar cuatro áreas claramente diferenciadas:

 La corriente máxima permisible 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥
 La hipérbola de máxima disipación de potencia: este es el lugar
geométrico de los puntos para los cuales se cumple que 𝑉𝑐𝑒 ∗ 𝑖𝑐 =
𝑃𝑚𝑎𝑥 .
 Límite de segunda ruptura: este fenómeno resulta debido a que la
circulación de corriente por la unión entre emisor y baso no es
uniforme.
 Voltaje de ruptura de la unión colector emisor 𝐵𝑉𝐶𝐸𝑂 .

 Transistor MOSFET
Las aplicaciones más típicas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en
la conmutación a altas frecuencias, chopeado, inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para inducción de calor, etc.
Existen dos tipos de MOSFET que son empobrecimiento y enriquecimiento.
o Ventajas de los Mosfet frente a los BJT.
 La velocidad de conmutación.
 No tienen segunda ruptura.
 Mayor área de funcionamiento.
 Mayores ganancias.
 Circuito de mando más simple.
 Alta impedancia de entrada.
 o Regiones de trabajo de los MOSFET
La curva característica nos da información acerca de cómo varia la intensidad del
drenado (𝑖𝑑 ) para una tensión fija (𝑉𝑑𝑠 ), y variando la tensión aplicada entre la
puerta y el surtidor (𝑉𝑔𝑠 ). En particular, en la siguiente figura se aprecia la curva
característica de un n-MOSFET de enriquecimiento.

Tenemos tres regiones los cuales son:

 Región de Corte: En esta región la corriente que circula por el
drenado es prácticamente nula.
 Región Activa (Saturación de Canal): En esta región se utiliza el
transistor Mos como amplificador.
 Región Óhmica.

 Transistor IGBT
El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y los Mosfet.
Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
conmutación, como los BJT, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que
puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Fueron inventados hace poco tiempo, estos se fabrican desde una tensión de 1400V
y una corriente de 300A, a una tensión de 600V y una corriente de 50A.
Bibliografía

 Audio Power Amplifier Design Handbook, Douglas Self, Third edition.

  Protecciones en Amplificadores de Potencia, Eberlein Sergio & Vázquez
Osvaldo, Primera edición.
 El transistor de potencia, Universidad de las Palmas de Gran Canaria
Webgrafía

 http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el3212/Libro/Tema3.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Alta_fidelidad#Determinaci.C3.B3n_de_la_alta_fi
delidad:_pruebas_de_doble_ciego
 http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/AP01a.pdf