MOSFET DE POTENCIA
Los MOSFET de potencia tienen
El mosfet es un dispositivo de
tres terminales, la compuerta es
la que controla el flujo de
corriente entre las terminales de
salida, la fuente y drenaje.
MOSFET o transistores de efecto
de campo por semiconductor de
oxido metalico.
Un MOSFET completo está
Los MOSFET sirven como
compuesto de miles de celda
interruptor para controlar el flujo
conectadas en paralelo para
de potencia a la carga de manera
lograr una ganancia grande y una
análoga
resistencia baja en estado activo
Los MOSFET son intrínsecamente
más rápido que los dispositivos
bipolares por no tener
portadores minoritarios
una estructura de orientación
vertical de dopaje alterno tipo p
y tipo n, con una región de
deriva de drenaje un poco
dopada y una estructura
interdigitada de compuerta-
fuente
Las características de salida la
corriente en función de voltaje
de drenaje, desde el corte a
través de la zona activa hasta la
zona óhmica conforme se
enciende el dispositivo
Ruptura de la tensión. La
máxima tensión permisible de la
puerta-fuente Vgs está
determinada por el
requerimiento de que no se debe
romper el óxido de compuerta
por grandes campos eléctricos
Limitaciones operativas y áreas
de operación segura
Pérdida por conducción en
estado activo. El diseño de la
celda de fuente y sus tolerancias
dimensionales tienen el mayor
impacto sobre la resistencia de
estado activo La resistencia de
estado activo aumenta de
manera considerable con la
creciente temperatura de la
unión.
El AOS de un MOSFET para
Conexión de MOSFET en
aplicaciones de modo
paralelo. Se debe tener en
conmutado es grande porque no
cuenta que su disposición debe
está sujeto a ruptura secundarias
ser simétrica, se debe incluir una
pequeña resistencia
amortiguadora en serie con a
compuerta de cada MOSFET
El AOS grande significa que, las
más de las veces no se necesitan
circuitos de amortiguadores para
el dispositivos