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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
CONSULTA
CURSO: GR4
MATERIALES CONDUCTORES
Si lo conectamos a una batería externa según el modo directo N(-) y P(+), se observa un flujo
neto de corriente desde la zona N a la P. El comportamiento es de baja resistencia eléctrica.
Con pocos voltios, y en función de la constitución del diodo, aparecen intensidades de
corriente desde mA hasta A. En la figura 8.5 observamos que la parte de curva que se
corresponde con esa situación es la del cuadrante derecho, según la ecuación de tipo
exponencial:
La conexión en modo inverso, N(+) y P(-), produce un efecto contrario: un bloqueo del paso de
corriente, figura 8.6. Tenemos un comportamiento de alta resistencia eléctrica y tan solo son
unos pocos nA-mA los que atraviesan el diodo. En la curva I-V, esta situación se corresponde
con la parte de la curva, en la gráfica anterior, en el cuadrante izquierdo. La ecuación del
proceso es:
Las dos zonas del diodo están constituidas del mismo semiconductor, silicio en el caso anterior,
pero tienen una diferencia en cuanto a su composición química. En la zona N se ha introducido
fósforo, o cualquier otro elemento de su familia, mientras que la P contiene boro u otro
elemento de su familia. Se dice que ambas zonas están dopadas, y como veremos
posteriormente, el tipo e intensidad del dopado es determinante en las propiedades eléctricas
del semiconductor y el dispositivo que se elabore con él.
Los materiales semiconductores, antes de ser puestos en servicio, son sometidos a diversas
operaciones de refinado, que reducen el nivel de impurezas a contenidos < 10-6%. El lingote
obtenido, debe ser fundido y resolidificado a muy baja velocidad con el fin de obtener una
microestructura monocristalina, mucho mas apta para el comportamiento semiconductor.
Dicha microestructura se obtiene cuando un germen precursor de semiconductor
monocristalino entra en contacto con el material fundido.
Poco a poco, los átomos que entran en contacto con el germen pierden calor, solidifican sobre
su superficie y adquieren su orden cristalino. El germen está sometido a un movimiento de
rotación, y al mismo tiempo a un desplazamiento vertical, extrayendo el material ya
solidificado. Dicho proceso se denomina de solidificación dirigida .
El lingote monocristalino obtenido se corta en secciones circulares, una de las cuales se pule
hasta brillo especular. El motivo es dejar esa zona lo mas libre de defectos cristalinos y
mecánicos, que perjudicarían el rendimiento eléctrico del material. Las secciones circulares se
denominan obleas, suelen tener un espesor de 0.4 a 1 mm.
Una vez obtenidas éstas, si son de naturaleza N, se procede a elaborar la zona P. Existen dos
técnicas básicas para crear la zona P sobre una ya existente N, aunque los métodos puedan
variar: por crecimiento epitaxial o por difusión. En la primera, se codeposita sobre la oblea una
capa de átomos de semiconductor y dopante, procedentes generalmente de una mezcla
gaseosa (p.e. SiCl4, B2H6 y argón) que entra en reacción química y proporciona los elementos
de dicha capa.
En la segunda, bien por medios físicos o químicos, se hace difundir el dopante de tipo P en la
oblea de tipo N, cambiando la naturaleza de la zona redopada. La fuente de dopante puede ser
gaseosa, líquida, sólida o plasmática, llamándose la técnica dopado por difusión. En la figura
8.7 se aprecia la estructura morfológica de las zonas de un diodo elaborado con dichas
técnicas.
CARACTERISTICAS
APLICACIONES
Uno de los principales elementos de un circuito integrado son los transistores. Estos
dispositivos cumplen la función de proporcionar una señal de salida (oscilatoria, amplificada o
rectificada) según una señal de entrada específica.
Además, los semiconductores también son el material primario de los diodos utilizados en
circuitos electrónicos para permitir el paso de la corriente eléctrica en un solo sentido.
Para el diseño de diodos, se forman junturas de semiconductores extrínsecos tipo P y tipo N. Al
alternar elementos portadores y donadores de electrones, se activa un mecanismo de
equilibrio entre ambas zonas.
Así, los electrones y los huecos de ambas zonas se cruzan y se complementan donde sea
necesario. Esto se da en dos vías:
– Ocurre el traslado de electrones de la zona tipo N a la zona P. La zona tipo N obtiene una
zona de carga predominantemente positiva.
Este tipo de aplicaciones aplica en circuitos integrados como, por ejemplo, chips
microprocesadores que abarcan una cantidad considerable de energía eléctrica.
EL GRAFENO
A partir del carbono se consigue el grafeno. Este material surge cuando pequeñísimas
partículas de carbono se agrupan de forma muy densa en láminas de dos dimensiones muy
finas (tienen el tamaño de un átomo), y en celdas hexagonales. Para que te hagas una idea, su
estructura es similar a la que resulta de dibujar un panal de abejas en un folio. ¿Por qué en un
folio? Porque es una superficie plana, de dos dimensiones, como el grafeno.
Pese a que el grafeno se conoce desde la década de 1930, fue abandonado por considerarlo
demasiado inestable. No fue hasta muchos años después, en 2004, cuando los científicos de
origen ruso Novoselov y Geim consiguieron aislarlo a temperatura ambiente. Este
descubrimiento no fue baladí, pues gracias a él obtuvieron el Premio Nobel en 2010.
Por sus propiedades, el grafeno puede servir como material en la fabricación de aviones,
satélites espaciales o automóviles, haciéndolos más seguros. También en la construcción de
edificios, pues los convertiría en más resistentes.
Pero, sobre todo, destacan sus aplicaciones en el campo de la electrónica, donde a través de
su capacidad para almacenar energía puede dotar a las baterías de una mayor duración y un
menor tiempo de carga, establecer conexiones más rápidas e incluso contribuir a mejorar el
medio ambiente sustituyendo a materiales contaminantes que hoy en día nos vemos obligados
a utilizar.
No hay que olvidar su relevancia en el ámbito de la salud. Las prótesis de grafeno podrían
sustituir a las actuales, de diversos materiales. O incluso se podría aplicar para mejorar el
tratamiento de algunas enfermedades.
Por todo esto, no es de extrañar que se diga que su utilidad es prácticamente ilimitada y que
las barreras a su aplicación únicamente son las de la imaginación humana.
El grafeno es un material que combina una gran cantidad de propiedades que no se dan juntas
en cualquier otro compuesto. ¿Qué significa esto? Que es capaz de mejorar por completo las
condiciones de cualquier superficie donde se aplique.
Y es que es un material muy duro, resistente, flexible y muy ligero; lo que permite moldearlo
según las necesidades de cada caso. Conduce muy bien tanto el calor como la electricidad; y
permanece en condiciones muy estables cuando se le somete a grandes presiones.
Pero además, el grafeno es capaz de generar electricidad a través de la energía solar, lo que
le convierte en un material muy prometedor en el campo de las energías limpias. Para que te
hagas una idea de su potencial, si se construyeran con grafeno las placas solares, podrían
generar varias veces más energía por hora que las actuales. ¿Será este material una de las
herramientas necesarias para superar la crisis energética que previsiblemente se desatará
cuando se agoten las reservas de petróleo?
La respuesta es sencilla. Para que conserve todas sus propiedades, el mineral ha de ser de la
mayor calidad posible. Con el método tradicional de obtención a base de deshojar el grafito
con cinta adhesiva, se consigue grafeno de muy alta calidad, pero la cantidad producida es
mínima y resulta insuficiente para su uso industrial.
Por otro lado, el empleo de otros métodos para su obtención enfocados en aumentar la
cantidad producida no consiguen un producto con la calidad suficiente.
Actualmente, se comercializa el grafeno bajo dos formas: En lámina y en polvo. ¿En qué se
diferencian?