PROBLEMA 3.

9
En el siguiente circuito hallar R1 y R2 para ICQ=12mA, VCEQ=12V. Calcule también la
ganancia de tensión (AV), impedancia de entrada(Zi), impedancia de salida(Zo) y dibuje
Vo.
Datos: Vi = 4VppSen(α) , VBE = 0.6V , hfe = 120
12V

R1 R3=1k

Vo

Vi Q1
RL=1k

R2

-12V

SOLUCIÓN:
 Análisis en DC 12V
𝐼𝐶 12
𝐼𝐵 = = = 0.1𝑚𝐴 I1
𝛽 120 R1 1k IC = 12mA
 Malla 1
𝑅2 𝐼2 = 0.6 𝑉 …………………….(𝛼) IB=I1-I2 +
M2
VCE = 12V
 Malla 2 + -
0.6V
12 = 𝑅1 𝐼1 + 𝑅2 𝐼2 − 12 -
12 = 𝑅1 𝐼1 + 0.6 − 12 R2 I2 M1

𝑅1 𝐼1 = 23.4 𝑉…………………..(𝛽)
-12V
Para que el circuito opere con eficiencia 𝐼1 e 𝐼2 deben ser aproximadamente iguales y
mucho mayor que 𝐼𝐵 en por lo menos en una razón de 10:1.
Podemos asumir 𝐼2 = 10𝐼𝐵
⟹ 𝐼2 = 1 𝑚𝐴
Reemplazando en (𝛼) : 𝑅2 = 0.6 𝑘Ω
𝐼1 = 𝐼𝐵 + 𝐼2
𝐼1 = 1.1 𝑚𝐴
Reemplazando en (𝛽)
𝑅1 = 21.27 𝑘Ω
 Análisis en AC
Dibujando el modelo equivalente en emisor común

Zi Zo
ib
vi vo

Req hie 120.IB 1k RL=1k

𝑉𝑇 0.026
Donde: ℎ𝑖𝑒 = = = 0.26𝑘
𝐼𝐵 0.1

 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 //𝑅2 = 0.5835𝑘

 𝑍𝑖 = 0.5835//ℎ𝑖𝑒
𝑍𝑖 = 0.176𝑘
 𝑍0 = 1𝑘
𝑣0 −120𝑖𝑏 (0.5) −120(0.5)
 𝐴𝑣 = = =
𝑣𝑖 ℎ𝑖𝑒 .𝑖𝑏 0.26
𝐴𝑣 = −230.77

Del circuito observamos que:

𝑣0 = −(0.5)(120𝑖𝑏 ) = −60𝑖𝑏
𝑣 𝑣
Pero: 𝑖𝑏 = ℎ 𝑖 = 0.26
𝑖
𝑖𝑒 V(V)
Reemplazando en la ecuación anterior
𝑣𝑖 461.54
𝑣0 = −60 ( )
0.26
De los datos: 𝑣𝑖 = 4𝑉𝑝𝑝 𝑆𝑒𝑛(𝛼)
2
𝑣𝑖 = 2𝑆𝑒𝑛(𝛼)
π/2 3π/2 5π/2 7π/2
-2 α(rad)

2𝑆𝑒𝑛(𝛼)
⟹ 𝑣0 = −60 ( )
0.26
-461.54
𝑣0 = −461.54𝑆𝑒𝑛(𝛼) 𝑉
𝒗𝒊 𝒗𝟎
PROBLEMA 3.32
Para el transistor PNP de silicio polarizado en su zona activa, calcular la componente
corriente de electrones inyectados en el emisor desde la base.
Se tiene: 𝑁𝐴𝐶 = 1𝑥1015 𝑐𝑚−3 𝑁𝐷𝐵 = 1𝑥1014 𝑐𝑚−3 𝑁𝐴𝐸 = 2𝑥1016 𝑐𝑚−3
𝐿𝑒 = Longitud de difusión = 2x10-3cm
A = Área de sección recta = 1cm2
e = 1.6x10-19 Coulomb
De = Constante de difusión de electrones en el emisor = 35 cm2/s

SOLUCIÓN
En un transistor, en modo activo como del problema los flujos de portadores se indican
en la siguiente figura

(1) Flujo de huecos h+ inyectados por el emisor en la base. El sentido de su corriente, IpE,
coincide con la corriente de emisor, IE.
(2) Flujo de electrones e- inyectados por la base en el emisor. El sentido de su corriente, InE,
es opuesta al de su flujo de éstos electrones y coincide con el sentido de IE.
IE = IpE + InE
Ambos flujos están generados por inyección de la unión PN directamente polarizada emisor-
base.
(3) Fracción del flujo de huecos que se recombinan con los electrones de la base. El sentido
de esta corriente, IBB, coincide con la corriente de base, IB.
(4) Flujo de electrones de colector a base. El sentido de su corriente, I nC es opuesto al de la
base. InC es una corriente inversa de saturación en la unión inversamente polarizada
colector-base.
IB = IBB + InE – InC
(5) Fracción del flujo de huecos difundidos en la base, y que no se han recombinado, que
alcanzan el colector. El sentido de su corriente, IpE-IBB coincide con el sentido de la corriente
de colector, IC.
IC = IpE - IBB + InC

Entonces según las formulas del estudio del diodo la corriente base emisor (IBE) es:
𝐴𝑒𝐷𝑒 𝑛𝑒𝑜 𝑉𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐵𝐸 = (𝑒 𝑇 − 1)
𝐿𝑒
Solo faltaría hallar el valor de neo y reemplazar en la formula con los demás datos
𝑝𝑒𝑜 = 𝑁𝐴𝐸 = 2𝑥1016 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖2 (1.54𝑥1010 )2
𝑛𝑒𝑜 = = = 1.186𝑥104 𝑐𝑚−3
𝑝𝑒𝑜 2𝑥1016
Reemplazando los datos en la fórmula:
(1)(1.6𝑥10−19 )(35)(1.186𝑥104 ) 0.15
𝐼𝐵𝐸 = (𝑒 0.026 − 1)
2𝑥10−3
𝐼𝐵𝐸 = 10.6𝑛𝐴