Dispositivos DWDM

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Dispositivos a tivos y omponentes pasivos

para sistemas DWDM
Carlos Janer Jim
enez
Departamento de Ingenier
a Ele tr
oni a
Es uela Superior de Ingenieros de Sevilla
Universidad de Sevilla
email: janerzipi.us.es;janerus.es
Version provisional
Si quieren expresar omentarios, ha er sugeren ias
o omuni ar errores y/o erratas, onta ten, por
favor, on el autor.
Todas las sugeren ias ser

an bienvenidas.
Junio 2009
Se prohibe cualquier uso comercial del contenido total o parcial de este libro. Carlos Janer Jiménez, Junio 2009.
Preambulo
Esta es la primera version de un libro que, en otras ir unstan ias, habra tenido otro
ttulo. Mi primera inten ion fue es ribir onjuntamente on el Dr. D. Alejandro Carballar
Rin on un texto sobre omponentes y sistemas DWDM que, de alguna manera, re ejara
la do en ia que hasta ha e un a~no y, durante al menos quin e, estuve impartiendo en la

asignatura de Comuni a iones Opti as de la titula ion de Ingeniero de Tele omuni a ion de
la Es uela de Ingenieros de Sevilla. Sin embargo las numerosas obliga iones de mi olega
le han impedido reda tar, omo era su deseo, la parte orrespondiente a sistemas. Quiero
aprove har la o asion para expresarle mi profundo agrade imiento ya que el ontenido de
los aptulos do e, tre e, ator e y quin e se ha basado en unos apuntes manus ritos suyos
y, ademas, ha desarrollado los programas que han permitido ha er todas las simula iones
numeri as que apare en en el libro.
No me siento satisfe ho del resultado nal y no es solo por las numerosos errores y
erratas que a buen seguro ontiene ni por su pobre reda ion. Mi frustra ion esta provo ada
por los temas que no he podido in luir, entre los que desta o, sin ser exhaustivo, los onverti-
dores en longitud de onda, los moduladores opti os por ele troabsor ion, las omuni a iones
opti as oherentes y todos los dispositivos basados en semi ondu tores de bajas dimesiones
(pozos, lneas y puntos uanti os). Creo que la mayor parte de los alumnos de un quinto
urso de Igeniero de Tele omuni a ion are en de los ono imientos fsi os ne esarios para
abordar estas uestiones. Asmismo debo advertir que los dispositivos que s se han estudiado
se han modelado de una manera muy burda y que lo uni o que se pretende on estos modelos
tan simplistas es permitir es que se entiendan sus prin ipios de fun ionamiento.
Tratare de seguir puliendo el texto y subsanando errores a medida que se me va-
yan omuni ando. Agradez o de antemano a los le tores su olabora ion en la mejora del
ontenido de este libro.
Por ultimo agradez o a mi mujer, Eli, el mero he ho de que exista y quiera ompartir
su vida onmigo.
Carlos Janer.
Sevilla, Junio del 2009.
Indi e general
1. Propaga ion de pulsos por medios dispersivos 7

1.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Modelo del medio diele tri o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Momentos dipolar mi ros opi o y ma ros opi o . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4. Sus eptibilidad diele tri a en medios de dos niveles . . . . . . . . . . . . . . 15
1.5. Sus eptibilidad diele tri a en medios de multiples niveles . . . . . . . . . . . 19
1.6. Propaga ion de pulsos luminosos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.7. Propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.8. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2. Propaga ion de ondas luminosas en bras 31
2.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

2.2. Opti a geometri a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.3. E ua iones de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.4. E ua ion de dispersion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.5. E ua ion de dispersion adimensional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.6. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3. Atenua ion y dispersion en bras opti as 51
3.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2. Mi roestru tura del sli e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.3. Curva de atenua ion de la bra opti a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.4. Dispersion romati a del material . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.5. Dispersion romati a de gua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.6. Fibras monomodo espe iales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.7. Dispersion de polariza ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.8. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
4. El laser de niveles dis retos 67
4.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.2. Coe ientes de Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
4.3. Ganan ia de un medio atomi o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.4. Fun ionamiento de un laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.5. Condi iones de os ila ion de un laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.6. Me anismo de bombeo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.6.1. Laser de tres niveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.6.2. Laseres de uatro niveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.7. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3
4 INDICE GENERAL
5. Gana ia opti a de un semi ondu tor 85

5.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.2. Portadores libres de arga en los semi ondu tores. . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.2.1. Densidad de estados en las bandas de valen ia y ondu ion. . . . . . 89
5.2.2. Probabilidad de o upa ion de estados . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.2.3. Con entra ion de ele trones y hue os en equilibrio termi o en un se-
mi ondu tor intrnse o. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.2.4. Con entra ion de ele trones y hue os en equilibrio termi o en un se-
mi ondu tor extrnse o. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
5.3. Semi ondu tores fuera del equilibrio termi o. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
5.4. Semi ondu tores de transi ion dire ta e indire ta. . . . . . . . . . . . . . . . 101
5.5. Densidad de estados ompatibles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
5.6. Intera ion luz-materia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.6.1. Emision espontanea. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.6.2. Emision estimulada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.6.3. Absor ion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
5.7. Ganan ia opti a del medio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5.8. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
6. El laser de avidad Fabry-Perot 115
6.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
6.2. Comportamiento dinami o de un laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
6.3. Cara tersti a estati a del laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
6.3.1. Modelo para la zona I (emision espontanea dominante) . . . . . . . . 125
6.3.2. Modelo para la zona II (emision espontimulada dominante) . . . . . . 125
6.4. Cara tersti a de peque~na se~nal del laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
6.5. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
7. El laser de avidad distribuida: modos a oplados 131
7.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
7.2. E ua ion de Helmholtz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
7.3. Condi ion de os ila ion del laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
7.4. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
8. Estudio matri ial de las avidades distribuidas 145
8.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
8.2. Matri es de s attering elementales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
8.3. Cavidad resonante Fabry-Perot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
8.4. Re e tores distribuidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
8.5. Perdidas en un laser de avidad distribuida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
8.6. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
9. An hura espe tral de un laser monomodo 159
9.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
9.2. Cavidad fra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
9.3. Cavidad aliente sin emision espontanea . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
9.4. Cavidad aliente on emision espontanea . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
9.5. Laser semi ondu tor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
9.6. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
INDICE GENERAL 5
10.Re eptores para omuni a iones opti as 171

10.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
10.2. Cara tersti as de los fotodete tores empleados en omuni a iones opti as. . 173
10.3. Foto ondu tores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
10.4. El fotodiodo PIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
10.4.1. Sensibilidad del dispositivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
10.4.2. Tiempo de respuesta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
10.5. El fotodiodo de avalan ha. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
10.6. Fuentes de ruido en un re eptor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
10.6.1. Ruido uanti o aso iado a la se~nal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
10.6.2. Ruido termi o en la resisten ia de arga. . . . . . . . . . . . . . . . . 185
10.6.3. Ruido del preampli ador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
10.6.4. Ruido de ampli a ion interna (ruido de avalan ha). . . . . . . . . . 187
10.7. Cal ulo de la rela ion poten ia se~nal{poten ia ruido. . . . . . . . . . . . . . 187
10.8. Tasa de error binario maxima admisible. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
10.9. Apendi e I: Dedu ion de los tiempos de respuesta interna. . . . . . . . . . . 194
10.10.Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
11.Ampli adores opti os 201
11.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
11.2. Ganan ias y an hos de banda aso iados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
11.3. Satura ion de la ganan ia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
11.4. Fa tor de ruido de un ampli ador opti o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
11.5. Modelo del EDFA en opropaga ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
11.6. Modelo del EDFA en ontrapropaga ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
11.7. Problemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
12.Componentes basados en el SOP 225
12.1. Estado de polariza ion de la luz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
12.2. Ve tores y matri es de Jones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
12.3. Polarizadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
12.4. Retardadores de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
12.5. Rotador de Faraday . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
12.6. Separadores y ombinadores de haz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
12.7. Aisladores opti os . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
12.8. Cir uladores opti os . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
13.Filtros opti os 241
13.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 242
13.2. Filtro de avidad Fabry{Perot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
13.3. Redes de difra ion de Bragg en bras (FBGs) . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
13.3.1. FBGs para la implmenta ion de ltros . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
13.3.2. Compensadores pasivos de la dispersion . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
14.A opladores opti os 251
14.1. Prin ipio de fun ionamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
14.2. Parametros ara tersti os . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 254
14.3. A opladores en estrella . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
6 INDICE GENERAL
15.Multiplexores y onmutadores opti os 257

15.1. Multiplexores y demultiplexores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 258
15.2. Conmutadores opti os . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
16.Efe tos no lineales 261
16.1. Introdu ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
16.2. Origen mi ros opi o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
16.3. Efe to Kerr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
16.4. Fenomenos no lineales aso iados al efe to Kerr . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
16.4.1. Automodula ion de fase (SPM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
16.4.2. Modula ion de fase ruzada (XPM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
16.5. Mez lado de uatro ondas (FWM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
16.6. Efe to Raman estimulado (SRS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
16.7. Efe to Brillouin estimulado (SBS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 272
Captulo 1
Propaga ion de pulsos por medios
dispersivos
Resumen: Antes de estudiar la propaga ion de pulsos luminosos por una bra
opti a, debemos entender primero omo los fenomenos de atenua ion y dispersion
degradan y distorsionan las se~nales que se propagan por un medio diele tri o.
Estos pro esos fsi os apare en in luso si sus dimensiones transversales son innitas,
es de ir, en medios en los que la luz no esta onnada. El origen ultimo de la
atenua ion y la dispersion, reside en la intera ion de la luz on las part ulas
argadas (ele trones y nu leo) de los atomos del medio. Estos atomos los vamos a
modelar mediante un onjunto de os iladores armoni os (modelo de Lorentz) en los
que el ampo ele tri o ejer e una fuerza que tiende a separar estas part ulas
argadas e indu e, por tanto, dipolos mi ros opi os. Los dipolos absorben y emiten
radia ion ele tromagneti a produ iendose, as, la atenua ion y dispersion
de los pulsos luminosos que se propagan por el medio material.
7
8 CAPITULO 1. PROPAGACION
DE PULSOS POR MEDIOS DISPERSIVOS

Figura 1.1: Atomos de una gas atomi o en un re into errado
1.1. Introdu ion

En este aptulo vamos a estudiar la propaga ion de pulsos luminosos por medios
diele tri os de dimensiones transversales innitas 1 . Como onse uen ia de la intera ion
entre la luz y el medio diele tri o apare en dos fenomenos fsi os que son:
1. La absor ion.
2. La dispersion.
Si el medio de propaga ion fuese el va o, la atenua ion y la dispersion no se pro-
du iran. Estos fenomenos surgen, en ultima instan ia, por la intera ion entre la radia ion
luminosa y las part ulas argadas que onstituyen el medio material.
Para abordar este estudio, vamos a ha er una serie de hipotesis simpli ativas:
1. Vamos a estudiar, en un prin ipio, la propaga ion de ondas planas (para no tener que
estudiar fenomenos difra tivos) perfe tamente mono romati as. Estas ondas onstitu-
yen una base de des omposi ion en modos propios espa iales (la mas ade uada para un
medio de dimensiones innitas) sobre la que proye tar el pulso luminoso uya propaga-
ion queremos estudiar. Ademas, puesto que por el anal (o medio de propaga ion) se
pretende enviar informa ion en una determinada dire ion (por ejemplo el eje z), resul-
ta onveniente denir un sistema de ejes artesianos en el que las super ies equifase
sean perpendi ulares a esta dire ion.
2. La portadora de la informa ion es perfe tamente mono romati a y se va a modular
en amplitud por medio de una envolvente de dura ion nita. Por tanto el an ho de
banda del pulso esta jado por la an hura espe tral de la transformada de Fourier de
la envolvente de di ho pulso.
1 Los fenomenos de guiado de la luz, ara tersti os de medios de dimensiones transversales nitas (tales
omo la bra opti a) se abordan en temas posteriores.

1.2. MODELO DEL MEDIO DIELECTRICO 9
Figura 1.2: Modelo me ani o tridimensional del atomo
Vemos, enton es, que para abordar el estudio de la propaga ion de pulsos lumino-
sos, es ne esario analizar previamente la propaga ion de ondas totalmente mono romati as,
ya que estas onstituyen su base de des omposi ion natural. Suponemos que el medio de
propaga ion tiene una respuesta lineal y, por tanto, que podemos utilizar la te ni a de la
transformada de Fourier para analizar la propaga ion del pulso. En primer lugar, expresare-
mos este pulso omo una suma innita (integral de Fourier) de ondas planas mono romati as.
A ontinua ion propagaremos independientemente ada una de estas omponentes para, por
ultimo, sumar (integrar) ada una de estas y obtener, as, el pulso al otro extremo del a-
nal (medio de propaga ion). En terminos matemati os, el pulso propagado se expresa omo
la antitransformada de Fourier del produ to de la fun ion de transferen ia del anal (que
des ribe omo se propagan las omponentes mono romatri as) multipli ada por la transfor-
mada de Fourier del pulso a la entrada. Este metodo es apli able solo si la intera ion entre
el ampo ele tromagneti o y el medio material se puede des ribir por medio de un onjunto
de e ua iones diferen iales lineales. Ha ia el nal de este libro, relajaremos la hipotesis de
linealidad del medio de propaga ion.
1.2. Modelo del medio diele tri o

El sli e es un solido vtreo, uya estru tura mi ros opi a estudiaremos en un aptulo
posterior 2 . Para simpli ar el analisis, vamos a onsiderar que el medio diele tri o material
es un gas atomi o diluido. Los fenomenos de absor ion y dispersion que dedu iremos de este
estudio, seran ualitativamente pare idos a los que se produ en en el sli e.
En la g. f1.1g se muestra un re into errado que ontiene atomos de un gas a
2 Veremos que por tratarse de un material amorfo, apare e un fenomeno fsi o adi ional que provo a
atenua ion: el s attering Rayleigh.
Figura 1.3: Modelo me ani o unidimensional del atomo
baja presion. Los pro esos de intera ion luz{materia se produ en porque los atomos estan
onstituidos por part ulas argadas apa es de generar dipolos ele tri os en presen ia de
la luz (el ampo ele tromagneti o ejer e fuerzas sobre las part ulas argadas y se produ e
una separa ion entre las argas positivas y negativas, indu iendose, de esta manera, dipolos
mi ros opi os). Estos dipolos mi ros opi os, onvenientemente sumados (es de ir, teniendo
en uenta las olisiones que se produ en entre los atomos), dan lugar a un momento dipolar
ma ros opi o a partir del ual podemos al ular el oe iente de atenua ion y el ndi e de
refra ion. Estas dos magnitudes, que dependen de la pulsa ion de la onda que se propaga
por el medio, permiten al ular la perdida de energa que se produ e durante la propaga ion
(la atenua ion) y el ensan hamiento temporal de los pulsos (dispersion).
En la g. f1.2g se muestra el modelo me ani o del atomo (modelo de Lorentz) [11℄,

en el que la region entral representa el nu leo del atomo (donde se en uentra on entrada
la arga positiva). Los muelles representan las fuerzas ele tromagneti as que mantienen a
los ele trones ( argas negativas) orbitando alrededor del nu leo. Vamos a onsiderar que
la luz in idente esta linealmente polarizada 3 , por lo que el ampo ele tri o vibra en una
determinada dire ion del espa io, dire ion en la que se va a produ ir la separa ion entre
argas positivas y negativas y la apari ion de un momento dipolar mi ros opi o. Por este
motivo podemos emplear el modelo unidimensional me ani o del atomo [11℄ mostrado en
la g. f1.3g. La e ua ion de movimiento de la arga negativa ( onsideramos que la arga
positiva esta ja por ser mu ho mas masiva) es la siguiente:
k q
Fi = mx ) mx = kx qE (t) ) x +
X
x= E (t) (1.1)
i m m
3 En realidad basta on que el tiempo de oheren ia de la luz sea grande en ompara ion on el tiempo
ara tersti o de respuesta de los dipolos indu idos.

1.2. MODELO DEL MEDIO DIELECTRICO 11
0,8
0,4
0
0 2 4 6 8 10
t
-0,4
-0,8
x(t)
Figura 1.4: Evolu ion temporal del os ilador. Representamos xÆ en el eje verti al frente a
2t t en el eje horizontal.
T
donde E (t) es el ampo ele tri o, k es la onstante de elonga ion del muelle, q y m son
la arga y la masa del ele tron. Ahora bien, esta e ua ion no tiene en uenta la intera ion
que se produ e entre el dipolo indu ido en el atomo y el ampo ele tromagneti o reado por
el mismo. Este fenomeno de autointera ion se puede estudiar de una manera relativamente
sen illa apli ando el prin ipio de onserva ion de la energa. Aunque el razonamiento no es
ompli ado, no lo vamos a reprodu ir aqu y remitimos al le tor interesado a la bibliografa
[11℄. La on lusion de ese estudio es que apare e un nuevo termino en la e ua ion diferen ial
que es propor ional a la velo idad y que representa, por tanto, una disipa ion de energa.
k q
x + x_ + x= E (t) (1.2)
m m m
donde es el oe iente
q
de fri ion del muelle. Si ahora denimos la pulsa ion a-
k
ra tersti a omo !Æ = m y el oe iente de fri ion normalizado omo = m nos queda
nalmente la siguiente e ua ion diferen ial:
qE (t)
x + x_ + !Æ2x = (1.3)
m
Esta e ua ion diferen ial es sobradamente ono ida en la matemati a fsi a. Des ribe
la vibra ion forzada de un sistema me ani o, uya pulsa ion propia de os ila ion es !Æ y
uyo oe iente de disipa ion es . Si el ampo ele tromagneti o in idente E (t) tiene una
pulsa ion proxima a !Æ , el sistema entra en resonan ia on este estmulo externo, roba
energa ele tromagneti a y la emplea en aumentar su energa me ani a. Comprobemoslo 4 :
La rela ion x + x_ + !Æ2 x = 0 es la e ua ion homogenea aso iada a (1.3), suppolinomio
2 2
ara tersti o es 2 + + !Æ2 = 0 y las ra es de este polinomio son: = 2 4!Æ '
j! donde hemos tenido en uenta que el oe iente de fri i on es peque~no. Por tanto,
2 Æ
la solu ion de la e ua ion homogenea aso iada a (1.3) es (tomando una referen ia de fase
ade uada):

x(t) = Xo e 2 t os(!Æ t) (1.4)
Vemos que el dipolo tiene un modo propio de os ila ion de pulsa ion !Æ . Esta vibra ion
esta amortiguado por la intera ion entre el ampo ele tromagneti o reado por el dipolo
onsigo mismo, por lo que el sistema va perdiendo energa me ani a progresivamente, tal
omo se muestra en g. f1.4g. Si U (t) es la energa me ani a total del os ilador, se umple,
enton es, la siguiente e ua ion:
1 1
U (t) = U (t)pot + U (t) in = kx(t)2 + mx_ 2 = U (tÆ )e t (1.5)
2 2
>Que o urre si tenemos un ampo ele tromagnteti o in idente que os ila a una pul-
sa ion er ana a !Æ ? Pues que el atomo entra en resonan ia, produ iendose una vibra ion
forzada que roba rapidamente energa a la luz in idente, aumentando su energa me ani a.
Este pro eso fsi o se ono e on el nombre de absor ion. La energa me ani a perdida por el
termino de fri ion del dipolo se tradu e en la emision de fotones de pulsa ion er ana, pero
no ne esariamente igual, a !Æ y que se propagan en ualquier dire ion, on ualquier estado
de polariza ion y ualquier referen ia de fase. Este pro eso fsi o se ono e on el nombre de
emision espontanea. En realidad el dipolo indu ido puede perder energa por otros pro esos
fsi os que no impli an la emision de fotones [15℄. El estudio mi ros opi o de los fenomenos
de desex ita ion, aunque resulta muy interesante, se sale fuera de los lmites de este libro.
En la g. f1.5g vemos omo la luz in idente, de pulsa ion ! ' !o , se atenua y omo
se generan fotones por emision espontanea. Estos fotones tiene ara tersti as distintas de
los absorbidos, ya que el estado de polariza ion, dire ion de propaga ion, referen ia de fase
y, hasta ierto punto, pulsa ion, son aleatorios.
1.3. Momentos dipolar mi ros opi o y ma ros opi o

Para des ribir uantitativamente los pro esos de intera ion entre la luz y el medio
atomi o, tenemos que al ular el momento dipolar ma ros opi o sumando los momentos
4 Por supuesto que
esta e ua ion diferen ial se puede integrar exa tamente empleando el metodo de la
transformada de Fourier. De he ho esto es lo que haremos on una e ua ion analoga a esta un po o mas
adelante.

1.3. MOMENTOS DIPOLAR MICROSCOPICO
Y MACROSCOPICO 13
Figura 1.5: Atenua ion y emision espontanea de luz
dipolares mi ros opi os produ idos por los atomos individuales. A la hora de al ular esta
suma, debemos tener en uenta que los atomos estan ho ando ontinuamente entre s, ya
que se en uentran sometidos a un movimiento de agita ion termi a (la temperatura ambiente
es del orden de 300K). Estas olisiones produ en saltos de fase aleatorios [92℄ en la radia ion
emitida por ada atomo (la fase instantanea despues de una olision esta in orrelada on
respe to a la que tena antes del hoque). Por este motivo no podemos sumar dire tamente
( omo si todas estuvieran en fase) las ontribu iones de los atomos individuales 5 .
El objetivo de este apartado es, pre isamente, al ular el ve tor polariza ion ma-
ros opi o a partir de los momentos dipolares mi ros opi os indu idos en los atomos. Deter-
minemos, primero, el momento dipolar de un atomo aislado:
9 9
qE (t) > q 2 E (t) >
x + x_ + ! 2x
Æ =
>
= x + _x + !Æ2 x
= >
=
m ) m )
x (t) = qx(t) >
>
; t = 0; x (t) = xÆ ; Ex = 0 > >
;

x (t) = xÆ e 2 t os(!Æ t + Æ ) (1.6)
Si todos los os iladores estuviesen ini ialmente en fase y no hubiese olisiones entre
atomos, el al ulo del momento dipolar ma ros opi o sera muy sen illo, solo habra que
5 Paratiempos ortos on respe to a las onstantes de relaja ion del sistema, se produ e las llamadas
os ila iones de Rabi [11℄, en las que se produ e un inter ambio periodi o de energa entre el ampo ele tro-
magneti o y el medio material.
0,5
0
0 1 2 3 4 5
x
-0,5
-1
Figura 1.6: Saltos de fase en el momento dipolar mi ros opi o produ idos por las olisiones.
En el eje verti al se representa el momento dipolar mi ros opi o normalizado xxÆ y en el
horizontal el tiempo normalizado 2Tt .
multipli ar por la densidad de atomos, P (t) = NdVx (t) . Como hay olisiones (que vamos a
suponer elasti as), tenemos que la evolu ion temporal del momento dipolar mi ros opi o de
un atomo aislado es, aproximadamente, la des rita por la g. f1.6g.
El momento dipolar ma ros opi o de ae mu ho mas rapidamente que el mi ros opi o.
Esto es debido a que tras una olision la fase del dipolo se ha e aleatoria, distribuyendose
uniformemente en el intervalo (0; 2 ). Los ampos ele tromagneti os emitidos por los dipo-
los mi ros opi os que, en un prin ipio interferan onstru tivamente, omienzan a interferir
destru tivamente. Se puede probar fa ilmente que si T es la variable aleatoria que des ribe
el tiempo que trans urre entre dos olisiones su esivas de un dipolo (atomo) y TÆ es la media
de esta variable aleatoria, enton es el momento dipolar ma ros opi o viene des rito por la
siguiente e ua ion diferen ial [92℄:
Nq 2 E (t)
Px + ( + T2Æ )P_x + !Æ2 Px =
dV m (1.7)
TÆ :=< T >
TÆ es el tiempo que, en promedio, trans urre entre dos olisiones su esivas en un ato-
mo. En la g. f1.7g se muestra el efe to que las olisiones tienen sobre el momento dipolar
ma ros opi o. Se han sumado los momentos dipolares de uatro atomos que ini ialmente
vibraban en fase y se han introdu ido saltos de fases aleatorios (que simulan las olisiones)
en ada uno de ellos. Se observa que la suma total de estos momentos dipolares de ae mas

1.4. SUSCEPTIBILIDAD DIELECTRICA EN MEDIOS DE DOS NIVELES 15
0
0 1 2 3 4 5
x
-2
-4
Figura 1.7: Termino de de aimiento adi ional produ ido por las olisiones. En el eje verti al
se ha representado la suma de los momentos dipolares mi ros opi os de uatro atomos que
1 Xi=4
sufren olisiones aleatoriamente, (t) y en el horizontal el tiempo normalizado 2Tt .
xÆ i=1 xi
rapidamente que la de un dipolo aislado 6 , por lo que las olisiones pueden modelarse in-
trodu iendo un termino de fri ion adi ional en la e ua ion diferen ial del momento dipolar
ma ros opi o, termino que no esta aso iado a una disipa ion de energa (puesto que las oli-
siones son elasti as). Cono iendo la expresion del momento dipolar ma ros opi o, estamos en
ondi iones de analizar los pro esos de intera ion luz-materia (salvo la emision estimulada,
que la estudiaremos uando abordemos los prin ipios de fun ionamiento de los laseres).
1.4. Sus eptibilidad diele tri a en medios de dos nive-

les
A laremos, en primer lugar, lo que entendemos por un "medio atomi o de dos niveles"
[11℄. Lo que queremos de ir es que suponemos que el os ilador atomi o tiene una uni a
pulsa ion propia de os ila ion !Æ . Esto no es normalmente as 7 , pero vamos a suponerlo
para fa ilitar el analisis que sigue.
Supongamos que se propaga una onda ele tromagneti a mono romati a de pulsa ion
! er ana a !Æ . El ampo ve torial que des ribe las propiedades ele tri as dentro del medio
~ [9℄ y su expresion es:
atomi o, es el ve tor desplazamiento D
6 Por lo que las os ila iones de Rabi son observables solo a es alas temporales muy ortas, a menos que
la temperatura del gas sea extremadamente baja.
7 En realidad, nun a lo es. Siempre hay varias fre uen ias de os ila ion propias involu radas, ya que los
estados energeti os a esibles para los atomos son no solo dos sino mu hos.
2 3
~
~ = Æ E~ (! ) + P~ (! ) = Æ 41 + P (! ) 5 E~ (! ) = Æ r (! )E~ (! )
D
Æ E~ (! )
P~ (! )
r (! ) = 1 + (! ); (! ) := ~ (1.8)
Æ E (! )
(! ) re ibe el nombre de sus eptibilidad diele tri a del medio [9℄, mientras que r (! )
es la onstante diele tri a relativa del medio [9℄. Ambas son magnitudes omplejas, uyas
expresiones podemos determinar a partir de la e ua ion diferen ial que des ribe la evolu ion
temporal del momento dipolar ma ros opi o 8 :
Nq 2 E (t) >
9
2 _ 2
Px + ( + TÆ )Px + !Æ Px = 2~
2 + j ( + 2 )! + ! 2 gP~ = Nq E )
>
=
dV m ) f ! Æ
E~ := E (t) = EÆ ej!t >
>
;
TÆ dV m
P~ (! ) Nq 2 1
(! ) := ~ = (1.9)
E (! ) dV mÆ (!Æ ! ) + j ( + T2Æ )
2 2
Esta resultado debe interpretarse on ierta autela. Evidentemente, el modelo me a-

ni o de Lorentz del atomo es in orre to. Para estudiar la sus eptibilidad diele tri a de una
manera rigurosa, deberamos emplear un modelo me ano{ uanti o del atomo y, para estudiar
su intera ion on la radia ion ele tromagneti a, tendramos que uanti ar esta tambien.
As entraramos de lleno en un problema de ele trodinami a uanti a [22℄{[42℄{[50℄{[67℄ que
queremos evitar 9 .
El he ho de modelar el atomo omo un os ilador me ani o y onsiderar la radia ion
ele tromagneti a omo una onda2
lasi a permite obtener resultados ualitativamente validos,
Nq
en los que los parametros dV mÆ , !Æ y ! := ( + T2Æ ) han de medirse experimentalmente.
Si quisieramos determinar el momento dipolar ma ros opi o reado por un ampo
ele tri o dado, solo tendramos que al ular la transformada de Fourier de este ampo,
multipli arlo por la sus eptibilidad diele tri a y, por ultimo, al ular la antitransformada de
Fourier de este produ to. Evidentemente, esto no es mas que resolver la e ua ion diferen ial
relativa al momento dipolar ma ros opi o (una vibra ion forzada por el termino de ampo
ele tri o).
Vamos a des omponer (1.9) en sus partes real e imaginaria y a aproximar ada una
de ellas para valores de pulsa ion er anos a la pulsa ion ara tersti a (! ' !o ). De esta
8 Lo
que vamos a ha er es tener en uenta que todos los ve tores tienen una dependen ia temporal
sinusoidal (o, si se quiere, fasorial).
9 Este tratamiento tiene, sin embargo, una gran ventaja: permite ha er un tratamiento exa to de los
pro esos de intera ion luz{materia, a saber, absor ion, emision estimulada y emision espontanea y poner
de maniesto la ntima rela ion que existe entre estos dos ultimos pro esos.

1.4. SUSCEPTIBILIDAD DIELECTRICA EN MEDIOS DE DOS NIVELES 17
0,2
0,1
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
x
-0,1
-0,2
Figura 1.8: Parte real de la sus eptibilidad diele tri a. En el eje verti al se representa la
fun ion adimensionalizada R[a(!)℄ y en el verti al la pulsa ion, tambien adimensionalizada
x = !+Æ 2! .
TÆ
manera tendremos una idea del aspe to que presenta esta fun ion. La expresion resultante
depende de una sola variable adimensional y de una uni a ostante:
Nq 2 !Æ2 ! 2
Rf(!)g =
dV mÆ (!Æ2 ! 2 )2 + ( + T2Æ )2 ! 2
=
Nq 2 1
=
dV mÆ (!Æ + ! )(!Æ ! ) + ( + T2Æ )2 (!Æ +!!)(2!Æ !)
'
Nq 2 2(!Æ ! ) 2ax
' 2
dV mÆ !Æ 4(!Æ ! )2 + ( + TÆ )2 4x2 + 1
Nq 2 ( + T2Æ )!
If(!)g =
dV mÆ (!Æ2 ! 2 )2 + ( + T2Æ )2 ! 2
=
Nq 2 ( + T2Æ )!Æ a
=
dV mÆ 4!Æ (!Æ ! ) + ( + TÆ ) !Æ
2 2 2 2 2 4x + 1
2
!Æ ! Nq 2
x := 2 a := (1.10)
+ TÆ dV mÆ !Æ ( + T2Æ )
En las g. f1.8g y f1.9g se muestran el aspe to de la parte real e imaginaria de la

sus eptibilidad diele tri a. Al ha er la aproxima ion ! ' !Æ eliminamos el omportamiento
0,8
0,6
0,4
0,2
-3 -2 -1 0 1 2 3
x
Figura 1.9: Parte imaginaria ( ambiada de signo) de la sus eptibilidad diele tri a. En el eje
verti al se representa esta fun ion adimensionalizada, I [a(!)℄ y en el horinzontal la pulsa ion,
tambien adimensionalizada x = !+Æ 2! .
TÆ
asimptoti o de la parte real de la sus eptibilidad diele2 tri a a bajas fre uen ias, que tiende a
un valor onstante que, aproximadamente, es dV mÆNq !Æ ( + T2Æ ) , mientras que a altas fre uen ias
tiende a ero. Este resultado es importante porque expli a por que a bajas fre uen ias el
ndi e de refra ion suele tener valores mayores que a altas fre uen ias [49℄. A partir de la
expresion de la sus eptibilidad diele tri a podemos dedu ir las ara tersti as de atenua ion y
dispersion de un medio atomi o. La magnitud fsi a que nos permite determinar la atenua ion
y dispersion de un paquete de ondas es el ndi e de refra ion omplejo que es, por deni ion,
igual a la raz uadrada de la onstante diele tri a relativa del medio. El omportamiento
dispersivo esta aso iado a la parte real del ndi e de refra ion, mientras que la atenua ion
esta dire tamente rela ionada on la parte imaginaria.
r (! ) = ;r (! ) + j;;r(! ) = 1 + Rf(! )g + j If(! )g

q
1 1
n(! ) := ;r (! ) + j;;r(! ) ' 1 + Rf(! )g + j If(! )g
2 2
1 1
nr (! ) ' 1 + Rf(! )g; n (! ) ' If(! )g (1.11)
2 2
En el razonamiento anterior hemos supuesto que la luz se propaga por un medio muy
diluido (por ejemplo un gas a baja presion), de manera que el oe iente de absor ion del
medio es bajo, y el ndi e de refra ion er ano a la unidad. Dado que el ve tor de onda de
una onda plana mono omati a que se propaga por un medio diele tri o en la dire ion z es

1.5. SUSCEPTIBILIDAD DIELECTRICA
EN MEDIOS DE MULTIPLES NIVELES 19
1,5
0,5
0
95 100 105 110 115
x
Figura 1.10: Constante diele tri a relativa en un medio de tres transi iones. Se han re-
presentado tanto la parte real omo la imaginaria on respe to a la pulsa ion x dada en
Terahertzios.
el produ to del ve tor de onda en el va o multipli ado por el ndi e de refra ion omplejo,
llegamos a la on lusion de que su propaga ion viene des rita por la siguiente expresion:
k = kÆ n(! ) = kÆ nr (! ) + jkÆ n (! ) := (! ) + j (2!)

(!)z
Ez = EÆ e 2 ej [!t (!)z℄ (1.12)
(! ) re ibe el nombre de oe iente de atenua ion del medio (es un numero negativo),
mientras que (! ) es la onstante de propaga ion. La dispersion de los pulsos luminosos
(el aumento de su dura ion temporal a medida que se propagan) se produ e, tal omo
se probara mas adelante, porque la onstante de propaga ion, , vara on repe to a la
pulsa ion, ! , de forma no lineal o, lo que es equivalente, porque el ndi e de refra ion nr no
es onstante sino que depende de la pulsa ion.
1.5. Sus eptibilidad diele tri a en medios de multiples

niveles
Los medios diele tri os reales tienen multiples fre uen ias de resonan ia !1 ; !2 ; :::; !n ,
por lo que en realidad la sus eptibilidad diele tri a depende de la pulsa ion de la siguiente
manera [49℄:
Nq 2 X n fi
(! ) = (1.13)
dV mÆ i=1 (!i2 ! ) + j ( i + T2Æi )!
2
fi es un fa tor que mide la importan ia relativa de las distintas transi iones ele troni-
as. El aspe to de la varia ion de la parte real e imaginaria de la onstante diele tri a relativa
on respe to a la pulsa ion se muestra en la g. f1.10g.
Resulta evidente que el espe tro de absor ion (! ) y la ara tersti a dispersiva
del medio n(! ) son fun iones ntimamente rela ionadas entre s. Ambas derivan de una
misma fun ion ompleja analti a (! ), lo que garantiza que existe una rela ion ausal entre
ambas. En estas ondi iones, se puede demostrar que hay dos rela iones integrales [62℄{[87℄
(rela iones de Kramers-Kronig) entre las fun iones (! ) y n(! ). Como normalmente es mas
fa il medir la ara tersti a de atenua ion, damos la expresion que rela iona el ndi e de
refra ion on respe to a la onstante de atenua ion:
Æ Z 1 (! ;)d! ;
n(! ) = 1 + P (1.14)
! 0 ! ;2 ! 2
Donde la P indi a la parte prin ipal de la integral de Cau hy.
1.6. Propaga ion de pulsos luminosos

Tras estudiar los pro esos de intera ion luz{materia, estamos en ondi iones de des-
ribir la propaga ion de un pulso luminosos por un medio material diele tri o [3℄. Este pulso
tienen una uni a des omposi ion en ondas planas progresivas y mono romati as ( al ulan-
do la transformada de Fourier). Puesto que el medio es lineal (suponemos que las poten ias
opti as son lo su ientemente bajas omo para que los efe tos no lineales sean despre iables),
podremos propagar ada omponente independientemente (empleando para ello un ve tor
de onda ligeramente distinto para ada omponente, ya que los oe ientes de atenua ion e
ndi e de refra ion dependen de la pulsa ion) y volver a sumarlas tras la propaga ion (esto
es, al ular la transformada inversa de Fourier). A partir de ahora vamos a denotar la pulsa-
ion de la portadora luminosa mediante !Æ porque es una nota ion que esta muy extendida.
Por supuesto, no debemos onfundirla on la pulsa ion propia de los dipolos, ya que a la
pulsa ion de trabajo el oe iente de atenu ion de la bra es muy bajo lo que impli a que
estamos muy lejos de esta.
En la g. f1.11g se muestra la dependen ia temporal de los pulsos que se van a propa-
gar: una portadora luminosa de una pulsa ion perfe tamente determinada, !Æ , modulada por
una envolvente de dura ion nita. Si la respuesta impulsional del medio de propaga ion es
h(L; t), donde L es la distan ia re orrida, resulta que podemos expresar el pulso propagado
de dos maneras distintas: 1.- Como el produ to de onvolu ion del pulso por la respuesta
impulsional del anal (o medio de propaga ion). 2.- Como la transformada inversa de Fourier
del produ to de la fun ion de transferen ia del anal multipla ada por la transformada de
Fourier de la se~nal que se propaga:
DE PULSOS LUMINOSOS
1.6. PROPAGACION 21
0,5
0
-2 -1 0 1 2
t
-0,5
-1
Figura 1.11: Pulso luminoso portador de informa ion. En el eje verti al se ha representado
el ampo ele tri o normalizado, EE(xÆ ) y en el horizontal el tiempo normalizado 2Tt t.
)
U (0; t) = A(0; t)ej!Æt
h(L; t)
) U (L; t) = U (0; t) h(L; t) = F 1fF [A(0; t)ej!Æt ℄F [h(L; t)℄g =
F 1fF [A(0; t)ej!Æt ℄e (2!)L e j(!)L g = F 1fA~(0; ! !Æ)e (2!)L e j(!)L g
F 1fA~(0; !)e (2!)L e j(!)L g (1.15)
En el desarrollo anterior hemos dedu ido que la transformada de Fourier del pulso a
la entrada del anal es igual a la transformada de la envolvente, desplazada alrededor de la
portadora luminosa !Æ . Ahora vamos a tener en uenta el orden de magnitud de la pulsa ion
de la portadora de la informa ion (!Æ ' 2 192T rads ) y la dura i
on tpi a de las se~nales
luminosas (del orden de unos 50ps para las tasas binarias maximas). Esto ha e que el an ho
de banda aso iado a la envolvente del pulso sea muy peque~na en ompara ion on !Æ , por lo
(!)L
que podemos aproximar las fun iones e 2 y e j(!)L por medio de un desarrollo en serie
de Taylor alrededor de !Æ . La dependen ia de on respe to a ! es muy debil y podemos
onsiderar que es una onstante. Tenemos, por tanto, que la fun ion de transferen ia del
anal (medio de propaga ion) es aproximadamente igual a:
(! ) ' Æ
)
(! ) ' Æ + Æ L(! !Æ ) + 2Æ L(! !Æ )2

_ )
(!)L 9
(!)L 9
e 2 ' e 2Æ e 2 ' e 2Æ
L =
L =
e j(!)L ' e Æ Æ
j ( L+ _
L! +
2Æ L ! 2 ) ;
) e j(!)L ' e Æ Æ 2
j ( L+ _
L + Æ L 2 ) ;
)

e jÆL e j _ÆL e j 2Æ L2
Æ L
H(; L) = e 2 (1.16)
:= ! !Æ 2 ( 1; +1)
Por tanto, el pulso propagado a lo largo del anal es:
U (L; t) = F 1 fA~(0; )e j _ ÆL e j 2Æ L 2 ge Æ L j (!Æ t Æ L)

2 e (1.17)
Vemos, pues, que al ha er el ambio de variable := ! !Æ , podemos trabajar on la

transformada de Fourier de la envolvente ompleja (que es una se~nal en banda base) y on
una fun ion de transferen ia transladada del anal al origen de fre uen ias (a banda base)
que, en denitiva, veremos que no es mas que un ltro de fase. Anali emos, a ontinua ion,
el signi ado fsi o de los distintos terminos que apare en en la expresion nal:
e 2Æ es un termino de atenua ion, que afe ta por igual a las distintas omponentes
L
espe trales. Todas ellas pierden energa en igual grado a medida que se van propagando
por el anal por lo que el pulso va perdiendo amplitud (energa) sin sufrir ninguna otra
distorsion en su forma temporal. Si ha emos aso omiso de este termino, el anal se
omporta omo un ltro de fase.
ej (!Æ t ÆL) nos permite re uperar la portadora de la se~nal, as omo su referen ia de fase
si multipli amos la envolvente ompleja (parti ularizada en z = L) por este termino
( on lo que obtenemos la se~nal fsi a).
e j _ÆL es un termino lineal en del ltro de fase. En el dominio temporal representa
un retardo puro de valor tr = _Æ L. Es es tiempo que tarda el pulso luminoso en llegar
al otro extremo del anal.

e j 2Æ L2 es el termino dispersivo y es el que en denitiva realmente nos interesa. Las
distintas omponentes espe trales tienen retardos de grupo ligeramente distintos a
tr = _Æ L y estos retardos diferen iales estan representados por este termino. Por esta
razon la expresion = k 2Æ kL! es una buena aproxima ion del ensan hamiento

temporal que sufre el pulso tras re orrer la distan ia L y donde ! es la an hura

espe tral del pulso que se propaga.
Si solo estamos interesados en al ular la dispersion del pulso, podemos ignorar el

retardo temporal y la atenua ion, y tomar las siguientes expresiones omo 1.- la fun ion de
transferen ia del anal (se muestra en la g. f1.12g) y 2.- la expresion del pulso dispersado:
Æ 2
H(; L) = e j 2 L
0 Æ 2
U (L; t ) = F 1 fA~(0; )e j 2 L g (1.18)
Por supuesto esta no es una se~nal fsi a, ya que se le ha eliminado la portadora. Antes
de nalizar esta se ion es importante que re ordemos lo siguiente:
DE UN PULSO DE ENVOLVENTE GAUSSIANA

1.7. PROPAGACION 23
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
x
-1
-2
-3
Figura 1.12: Argumento del ltro de fase uadrati o. El eje verti al representa el argumento
en el rango ( ; ) y el horizontal la pulsa ion adimensional q 2
Æ L
.
1. A~(0; ) no es la transformada de Fourier del pulso luminoso a la entrada del anal. Es

la transformada de Fourier de la envolvente ompleja del pulso, que resulta de eliminar
la portadora luminosa. En general esta es una fun ion ompleja, ya que es omun
que los laseres on modula ion dire ta emitan luz que sufre una ligera varia ion de la
pulsa ion a lo largo de la dura ion la envolvente. Es el denominado hirp que se expresa
matemati amente omo un argumento no onstante de la envolvente ompleja.
2. A(L; t) no es el pulso a la salida del anal. Es su envolvente ompleja. Para re uperar
el pulso, tenemos que multipli ar por ej (oL !o t) .
1.7. Propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana

Como ejemplo vamos a onsiderar un pulso uya pulsa ion es onstante y uya envol-
vente es gaussiana [26℄ (en este aso A~(0; ) es una fun ion real). Veremos que este problema
tiene solu ion analti a y nos servira para omprobar que, ademas del fenomeno de dispersion
(ensan hamiento temporal de la envolvente del pulso), se produ e tambien una redistribu-
ion no uniforme de las omponentes espe trales durante la propaga ion (es de ir, el pulso
adquiere un hirp). Apliquemos el metodo general dedu ido en el apartado anterior:
t2 p 2
E (0; t) = A(0; t)e j!ot = AÆ e Æ2 e j!Æ t ) F [A(0; t)℄ = A~(0; ) = AÆ Æ e (2=Æ )2 (1.19)
0,5
0
-2 -1 0 1 2
t
-0,5
-1
Figura 1.13: Pulso luminoso propagado por un medio on dispersion romati a positiva.En
el eje verti al se ha representado el ampo ele tri o normalizado y en el horizontal el tiempo
normalizado 2Tt .
Puesto que la fun ion de transferen ia es:
H(; L) = e Æ L
2 e j _ Æ L e 2Æ L 2 (1.20)
La transformada de Fourier del pulso propagado es:
p Æ L 2 2
A~(L; ) = AÆ Æ e 2 e j _ÆL e 4 (Æ +2j ÆL) =
A
p ÆL q
0
2
1
= q ÆÆ e 2 e j _ÆL Æ2 + 2j Æ Lexp 22

A (1.21)
Æ2 + 2j Æ L 2
Æ +2j Æ L
En la ultima igualdad hemos multipli ado y dividido por la desvia ion tpi a de
la fun ion Gaussian ompleja para poder al ular la transformada inversa de Fourier. El
termino en exp[ j _Æ L ℄ representa un retardo temporal puro de _Æ L segundos y no nos
interesa espe ialmente (ya sabemos que la velo idad de grupo del pulso es _1Æ ), por lo que
denimos un nuevo tiempo t; = t _Æ L y expresamos el pulso propagado en fun ion de esta
nueva variable temporal:
t2
0
A
=q ÆÆ
0 Æ L
A(L; t ) = F ~(L; )℄
1 [A e 2 e Æ2 +2jÆ L (1.22)
Æ2 + 2j Æ L
DE UN PULSO DE ENVOLVENTE GAUSSIANA

1.7. PROPAGACION 25
0,5
0
-2 -1 0 1 2
t
-0,5
-1
Figura 1.14: Pulso luminoso propagado por un medio on dispersion romati a negativa. En
el eje verti al se ha representado el ampo ele tri o normalizado EE(Æt) y en el horizontal el
tiempo normalizado 2Tt .
Para poder interpretar que ha o urrido on el pulso despues de propagarse, tenemos

que reordenar la expresion anterior, de manera que se vea de una manera lara ual es la
envolvente y ual es la fase. Para ello des omponemos el argumento de la fun ion exponen ial
omo la suma de su parte real mas su parte imaginaria y el oe iente primero lo expresamos
en forma polar forma polar (modulo{fase):
t0 2 t0 2 Æ2 2j Æ L t0 2 2Æ L 0 2
= = j t
Æ2 + 2j Æ L Æ2 + 2j Æ L Æ2 2j Æ L 2 L2 Æ4 + 4Æ2 L2
Æ2 + 4 Æ 2
Æ
v
2Æ L
uq " !#
q
Æ2 + 2j Æ L = Æ4 + 4Æ2 L2 exp j tg
u
t 1 =
Æ2
2Æ L
" !#
q
4 4 + 42 L2 exp j 1
= Æ Æ tg (1.23)
2 Æ2
Teniendo en uenta las rela iones anteriores, resulta:
Æ L 0 02
1
2Æ L 2Æ Lt0 2
" ! #
0 AÆ Æ t 1
A(L; t ) = q4 e 2 exp B Æ2 L2 A exp j
C
tg 1 + 4
Æ + 4Æ2 L2

Æ4 + 4Æ2 L2
Æ + 4 Æ2
2 2 Æ2
(1.24)
Interpretar esta formula es sen illo, ya que podemos determinar la expresion de la

envolvente y de la fre uen ia instantanea:
0 1
02

Æ L
AÆ Æ t
kA(L; t0 )k = exp
2
q
4 4 + 42L2
exp B

C
Æ2 L2 A
Æ Æ 2
Æ + 4 Æ2
1 1 2Æ L 2Æ L 0 2
!
0
arg[A(L; t )℄ = tg + t )
2 Æ2 Æ4 + 4Æ2 L2
0 1 arg[A(L; t0 )℄ 2 Æ L 0
(t ) := 0 = 4 t (1.25)
2 t Æ + 4Æ L2 2
En estas expresiones omprobamos que la desvia ion tpi a de la envolvente del pulso
re e linealmente on la distan ia re orrida y on el valor absoluto del oe iente de disper-
sion romati a. Advertimos, ademas, que en el pulso se produ e un ambio en la pulsa ion
instantanea, aumentando esta linealmente on el tiempo (adquiere un hirp positivo) si el
signo del oe iente de dispersion romati a es positivo y disminuyendo (adquiere un hirp
negativo) si el signo del oe iente de dispersion romati a es negativo, tal omo se muestra
en las g. f1.13g y f1.14g. Si queremos pasar a fre uen ias fsi as, no tenemos mas que
sustituir ! = !Æ + .
1.8. PROBLEMAS 27
1.8. Problemas
Problema 1: Determinar el ensan hamiento temporal que sufre un pulso de
envolvente gaussiana si esta ini ialmente hirpeado. Considere los uatro asos
posibles: hirp ini ial positivo o negativo y dispersion romati a positiva o negativa.
Solu ion: La envolvente ompleja de un pulso on hirp tiene la siguiente expresion [26℄
analti a10:
0 1
(1+jCÆ )t2
s
2
) F [A(0; t)℄ = A~(0; ) = AÆ 1 2+jCÆ exp
2
A(0; t) = AÆ e 2Æ2 A
2(1+jCÆ )
Æ Æ2
q
Vemos que la desvia ion tpi a del pulso se ve in rementada por un fa tor 1 + CÆ2
frente al aso no hirpeado. CÆ representa la pendiente de la pulsa ion a lo largo del pulso
ambiada de signo, ya que si derivamos la parte ompleja del argumento de la fun ion
gaussiana obtenemos: = CÆÆ2t . La transformada de Fourier del pulso propagado es:
2 3

!
r
2 2
A~(L; ) = AÆ 1+2jCÆÆ exp 4 2(1+jCÆ ) 5 exp j Æ L 2 =
Æ2
2
Æ2 + (1 + jCÆ )j Æ L
r " #
2Æ
2
= AÆ 1+jCÆ exp 2
2(1 + jCÆ )
)
2 3
v
(2Æ2 + 2(1 + jCÆ )j Æ L)

u
2 7u
A~(L; ) = AÆ Æ
q 6
1
Æ2 +(1+jCÆ )j Æ L exp
6 7t
4 4 5
1 + jCÆ
2Æ2 +2(1+jCÆ )j Æ L
1+jCÆ
Si ahora al ulamos la transformada inversa obtenemos:
t02 (1 + jCÆ )
!
0 AÆ Æ
A(L; t ) = F ~(L; )℄
1 [A =q exp
Æ2 + (1 + jCÆ )j Æ L 2Æ2 + 2(1 + jCÆ )j Æ L
Si ahora tenemos en uenta que:
Æ L
" !#
AÆ Æ AÆ Æ j 1
=r exp tg
Æ2 CÆ Æ L
q

Æ + (1 + jCÆ )j Æ L 4 (1
2 CÆ Æ L )2 2 2
+ ÆÆL4 2
Æ2
y que:
10 No estamos siendo onsistentes on las expresiones utilizadas anteriormente. Aqu Æ es la desvia ion
tpi a.
3,5
2,5
1,5
0 200 400 600 800 1000

L
Figura 1.15: En esta gura se ha representado el ensan hamiento sufrido por los pulsos, Æ ,
frente a la distan ia re orrida en Km. El parametro dispersivo es = 20ps2=Km, la dura ion
ini ial de los pulsos era de 100ps y el parametro del hirp CÆ ha tomado los valores -1, -0.5,
0, 0.5 y 1.
t02 (1 + jCÆ ) t02 (1 + jCÆ ) (Æ2 CÆ Æ L) j Æ L

= =
2 (Æ2 CÆ Æ L) + j Æ L 2 (Æ2 CÆ Æ L) + j Æ L (Æ2 CÆ Æ L) j Æ L
t02 Æ2 + j [CÆ Æ2 (1 + CÆ2 )Æ L℄
2 (Æ2 CÆ Æ L)2 + Æ2 L2
Obtenemos nalmente:
2 3
1 t02
A(L; t0 ) = r AÆ exp 4
6
2 2
7
5
4 (1 CÆ 2Æ L )2 + Æ2 L2 2 2 Æ2 + Æ 2 (1 + CÆ2 ) 2CÆ Æ L
L
Æ Æ Æ
t02 j [CÆ Æ2 (1 + CÆ2 )Æ L℄ Æ L
" !#
j 1
exp tg
2 (Æ2 CÆ Æ L)2 + Æ2 L2 2 Æ2 CÆ Æ L
Ya estamos en disposi ion de identi ar el modulo y el argumento de la fun ion:
2 3
AÆ 1 t02
kA(L; t0 )k = r
2 2
exp 6
4
2 Æ2 L2

7
5
4 (1
CÆ Æ L )2 + Æ L 2
Æ + 2 (1 + C 2
Æ ) 2C Æ Æ L
Æ2 Æ2 Æ
0 t02 j [CÆ Æ2 (1 + CÆ2 )Æ L℄ j 1 Æ L

arg[A(L; t )℄ = tg 2
2 (Æ2 CÆ Æ L)2 + Æ2 L2 2 Æ CÆ Æ L
1.8. PROBLEMAS 29
Viendo de la e ua ion (1.26) es fa il omprender el omportamiento ualitativo de la

propaga ion de un pulso hirpeado. Siempre que la dispersion romati a () y el oe iente
aso iado al hirp (CÆ ) tengan signos iguales, existira una determinada distan ia durante la
que el pulso se omprime y, a partir de ese momento, se dispersa a un ritmo que ya no
depende del signo del hirp, sino de su valor absoluto. Esto se muestra en la g. f1.15g. Se
puede, ademas, al ular la distan ia a la ual la dura ion del pulso es mnima; basta on
minimizar, en fun ion de L, la desvia ion uadrati a media del pulso:
2 Æ2 L2
" #
CÆ Æ2
Æ + 2 (1 + CÆ2 ) 2CÆ Æ L = 0 ) L =
L Æ 1 + CÆ2 Æ
De nuevo podemos omprobar que solo se obtiene una solu ion on sentido fsi o si el signo
del hirp y de la dispersion romati a son iguales. Ademas vemos que para esta distan ia
se anula el hirp en el pulso, on lo que las ondi iones de ompresion maxima y hirp nulo
oin iden:
0 CÆ Æ2
0 arg[A(L; t )℄ = 0 ) L =
t 1 + CÆ2 Æ
Problema 2: Considere la propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana. La

fre uen ia es de 192THz, la dura ion ini ial es Æ = 1ps y el oe iente
de dispersion romati a es = 20ps2 =Km. El pulso re orre una distan ia
de 100Km. Se pide estimar las fre uen ias maxima y mnima del pulso y su
posi ion relativa.
Solu ion: Tal omo hemos visto, la desvia ion tpi a de un pulso gaussiano no hirpeado
re e a un ritmo jado por la siguiente expresion:
v
o2 L2
u
0
' 2 oL
u
o = o2 + 4
t
o2 o
donde hemos tenido en uenta que el ensan hamiento temporal produ ido a lo largo de
los 100Km es grande en ompara ion on la dura ion ini ial del pulso. Vamos a onsiderar
omo extremos temporales del pulso ensan hado, los tiempos t = 3Æ 0 y t = 3Æ 0 .
Las ex ursiones en fre uen ia (frente a 192THz) estan dadas por:
0 2 o L 0 1 0
(t ) =
o4 + 4o2L2
t ' t
2 o L
on lo ual:
0 0 20ps2=Km 100Km
o = 6o = 12 = 24ns
1ps
3
fmax = fÆ + = 192; 955T Hz
Æ
3
fmin = fÆ = 191; 045T Hz
Æ
Como el signo de la dispersion romati a es positivo, eso indi a que el timepo de propa-
ga ion re e on la fre uen ia, por lo que primero llegan las fre eun ias mas bajas y luego
las mas altas.
Captulo 2
Propaga ion de ondas luminosas en
bras
Resumen: Para des ribir el omportamiento de una bra opti a, ne esitamos
ono er tres propiedades de esta: 1.- La ara tersti a de inye ion, 2.- La ara te-
rsti a de atenua ion y 3.- La ara tersti a dispersiva. Las ara tersti as de
atenua ion y dispersion dependen, fundamentalmente, de las propiedades fsi as
del material on el que se fabri an las bras (generalmente sli e), aunque en la
dispersion apare e un termino adi ional aso iado al guiado de la luz. En bras que
soportan mas de un modo de propaga ion (bras multimodo) este termino re ibe
el nombre de dispersion intermodal, mientras que en las que existe un uni o
modo (bras monomodo) se le llama dispersion de gua.
En este aptulo estudiaremos super ialmente las bras multimodo (usando la
aproxima ion de la opti a geometri a), mientras que analizaremos mas detallada-
mente la propaga ion de luz en bras monomodo utilizando la opti a ele tro-
magneti a. El desarrollo matemati o que permite dedu ir su e ua ion de dispersion
solo se va a esbozar, dejandose omo ejer i io para el le tor que omplete
los pasos omitidos. En el proximo aptulo emplearemos los resultados obtenidos
en este para determinar las ara tersti as dispersivas de una bra monomodo
estandar.
31
DE ONDAS LUMINOSAS EN FIBRAS
ƨ~5x10
-4
n 2
r=a n(r)
SM
n
1
r a~3Ǌm
ƨ~10
-2
n 2
r=a
n(r)
MM
a~25Ǌm
r n 1
ƨ~10
-2
n 2
r=a
n(r)
n
GI
1
r a~12Ǌm
Figura 2.1: Tres tipos de bras opti as; a representa el radio del nu leo y el salto de ndi e
adimensional.
2.1. Introdu ion

La bra opti a permite guiar longitudinalmente los pulsos luminosos, evitando que
su energa se diperse. El guiado de la luz se onsigue gra ias a que en las er anas del eje de
la bra hay una region ilndri a, donde el ndi e de refra ion es mas elevado: esta zona de
la bra se denomina nu leo. El resto re ibe el nombre de orteza e, idealmente, se extiende
transversalmente hasta el innito. Las bras opti as se pueden lasi ar en dos grandes
familias, segun soporten mu hos modos 1 de propaga ion (bras multimodo) 2 o un uni o
modo de propaga ion (bras monomodo).
En la g. f2.1g se muestra la estru tura optogeometri a de tres tipos de bras: la bra

multimodo a salto de ndi e (MM), la bra multimodo a gradiente de ndi e (GI) y la bra
monomodo estandar (SM). Vemos que las bras multimodo tienen un nu leo de diametro
grande y una diferen ia relativamente importante entre los ndi es de nu leo y orteza. Por
ontra, la bra monodo estandar tiene un nu leo de diametro peque~no y la diferen ia entre
los ndi es de nu leo y orteza es mu ho menor que en las multimodo. De esta manera se
onsigue, tal y omo probaremos mas tarde, que, a la longitud de onda de trabajo, exista un
uni o modo guiado.
1 Un modo de propaga ion es una distribu ion transversalmente esta ionaria y longitudinalmente pro-
gresiva del ampo ele tromagneti o. Ademas, la densidad de energa debe tender a ero a medida que nos
alejamos del eje de la bra.
2 Tpi amente varios entenares.

2.2. OPTICA
GEOMETRICA 33
șc
șo n 1
n 2
Figura 2.2: Apertura numeri a de una bra opti a.
De una bra opti a nos interesa ono er tres propiedades distintas, que son:
1. La ara tersti a de inye ion. Nos indi a la forma en la que debemos pro eder para
inye tar de manera e iente poten ia opti a dentro de la bra y onseguir, ademas,
que esta se propague longitudinalmente.
2. La ara tersti a de atenua ion. La ontante de atenua ion permite determinar a
que ritmo pierden energa los pulsos luminosos durante su propaga ion por la bra.
3. La ara tersti a de dispersion. Predi e el ensan hamiento temporal que sufren los
pulsos luminosos en fun ion de la distan ia re orrida a lo largo de la bra.

2.2. Opti a geometri a
El uso de la opti a geometri a esta justi ado en aquellas situa iones en los que las
dimensiones transversales del medio de propaga ion son muy grandes en ompara ion on
la longitud de onda de la luz [17℄. Las bras multimodo a salto de ndi e tienen diametros
de nu leo del orden de 50m y las multimodo a varia ion gradual del orden de 25m. En
ambio las bras monomodo estandar tienen nu leos mu ho mas peque~nos: el diametro es
del orden de 5m. As, pues, el uso de esta aproxima ion esta relativamente justi ado en
las bras multimodo, mientras que no lo esta en absoluto en las bras monomodo.
En la g. f2.2g se ha representado la super ie de entrada de una bra a salto de
ndi e (es de ir, una bra en la que la varia ion de ndi e entre nu leo y orteza o urre de
manera brus a). >Que tiene que o urrir para que el rayo inye tado a la entrada se propague
sin perder energa? Evidentemente, tiene que produ irse una re exion total en la super ie
de separa ion entre el nu leo y la orteza. Es de ir, se tiene que veri ar que r 2 , donde r
representa el angulo que forma el rayo refra tado (no representado en la gura) on respe to
șc
t min
t max
Figura 2.3: Dispersion intermodal en una bra multimodo a salto de ndi e (izquierda) y
al ulo de la disperision aso iada a los rayos de velo idades extremas (dere ha).
a la normal a la super ie de separa ion entre nu leo y orteza. Para dedu ir que rayo a la
entrada umple las ondi iones rti as de in iden ia (es de ir, r = 2 ), apli amos la ley de
Snell:
)
n1 sin i = n2 sin r
r = 2
) sin i = nn21 ) nÆ sin Æ = n1 sin( 2 i ) = n1 os i )
r
n21
sin Æ = n1 os i = n1 1 n22 (2.1)
Si ahora denimos:
n21 n22 (n1 + n2 )(n1 n2 ) 2n1 (n1 n2 ) n1 n2

:= = = = (2.2)
2n21 2n21 2n21 n1
En la expresion anterior hemos tenido en uenta que los ndi es de refra ion de
nu leo y orteza toman valores muy proximos entre s, de manera que a la hora de al ular
n1 + n2 no ometemos un error apre iable si onsideramos que ambos ndi es son iguales. La
onstante re ibe el nombre de salto de ndi e adimensional y la expresion que normalmente
se utiliza para al ularlo es la ultima que es, ademas, la que justi a este nombre. Finalmente
nos queda:
p p p
sin Æ = n1 2 ) Æ = sin 1 (n1 2) ' n1 2 (2.3)
La ultima expresion es aproximadamente ierta debido a que el salto de ndi e adi-

mensional es muy peque~no para todas las bras utilizadas en omuni a iones opti as. Por
supuesto, el angulo Æ (que re ibe el nombre de apertura numeri a) se mide en unidades na-
turales, esto es, en radianes 3 . Ahora vamos a dar valores tpi os para una bra multimodo a
3 En el razonamiento he ho, hemos supuesto que los rayos son meridianos, esto es, rayos que ortan el eje

2.2. OPTICA
GEOMETRICA 35
n 2
n(r)
n 1
r=a
Figura 2.4: Iguala ion de los tiempos de propaga ion en una bra multimodo a gradiente de
ndi e.
salto de ndi e y para una bra monomodo estandar. El resultado obtenido sera uantitativa-
mente valido para bras multimodo y, omo mu ho, solo ualitativamente valido para bras
monomodo (lo que pretendemos es poner de maniesto lo ompli ado que resulta a oplar
luz en una bra monomodo).
Fibra monomodo: n1 ' 1; 45; ' 5 10 4) Æ 3Æ
Fibra multimodo: n1 ' 1; 45; ' 1 10 2 ) 12Æ
Æ
Desde el punto de vista de la ara tersti a de inye ion, la bra multimodo tiene
mejores presta iones que la monomodo, ya que resulta mu ho mas fa il a oplar poten ia
opti a en ellas. Ademas, dado que tienen nu leos mu hos mas grandes, resultan mas fa iles
de empalmar (ya sea me ani amente o por soldadura), motivo por el ual los primeros
sistemas de omuni a iones opti as que se dise~naron empleaban este tipo de bra.
La apertura numeri a dene el llamado ono de a epta ion de la bra. Cualquier rayo
inye tado en el ono y que tenga un angulo de in iden ia inferior a la apertura numeri a
se propaga longitudinalmente. El ono esta denido por la se ion ir ular del nu leo y las
re tas que, pasando por su ir unferen ia, ortan al eje formando un angulo Æ , tal y omo
se miestra en la g. f2.2g.
Ahora vamos a evaluar la ara tersti a dispersiva de las bras multimodo a salto
de ndi e, onsiderando solo la propaga ion de rayos meridianos. En la g. f2.3g, en su
parte izquierda, se muestran distintas familias de rayos que, evidentemente, forman angulos
distintos on el eje de la bra. Como la velo idad de la luz es, en todos los asos n Æ1 , dedu imos
que la velo idad axial es distinta en ada familia de rayos. Por onsiguiente, rayos que se
inye taron simultaneamente al prin ipio de la bra, llegan al otro extremo en instantes
distintos, produ iendose un ensan hamiento temporal del pulso que se propaga por la bra.
Este ensan hamiento temporal se ono e on el nombre de dispersion intermodal. Vamos,
ahora, a tratar de uanti arlo.
longitudinal de la bra. Si el rayo es obli uo, se puede demostrar que su ondi ion de re exion total es mas
laxa, por lo que tenemos garantizado que si un rayo esta dentro del ono de a epta ion, se va a propagar
longitudinalmente.
r=a
r
Į=
Į=10
Į=2
Į=1
Figura 2.5: Perl de varia ion del ndi e de refra ion para varios valores de .
En la misma g. f2.3g, en su parte dere ha, se ha representado tambien el rayo mas

veloz de todos (que se propaga paralelamente al eje, siguiendo la traye toria mas orta) y el
mas lento, para el que se dan ondi iones rti as de re exion y, por tanto, sigue la traye toria
mas larga. Podemos al ular fa ilmente el tiempo que tardan uno y otro en llegar al extremo
de la bra y, al al ular la diferen ia, estimar el ensan hamiento temporal que sufre el pulso
luminoso:
tmax n1 1 n21 9
= = >
>
n21 n1 n2
Æ sin( r ) Æ n2 = ) = tmax tmin = n1 ( n1
>
L 1) = )
tmin n1 > L L Æ n2 Æ n2 n1
= >
>
;
L Æ
n2
= 1 (2.4)
L Æ n2
Si damos valores tpi os para el aso de una bra multimodo a salto de ndi e (MM)
tendremos que n1 ' 1; 45 y ' 10 2 por lo que dedu imos que Bmax Lmax ' L 5Mb=s
Km. Vemos, pues, que on este tipo de bras no se pueden transmitir grandes tasas binarias
a grandes distan ias, motivo por el que no se usan omer ialmente. La dispersion intermodal
apare e omo onse uen ia de que existen distintas familias de rayos (modos de propaga ion)
que viajan on velo idades longitudinales muy distintas. Por motivos obvios, en las bras
monomodo no hay dispersion intermodal.
Una forma de paliar este problema onsiste en fabri ar bras multimodo en las que
el ndi e de refra ion no permanez a onstante en el nu leo de la bra. El ndi e disminuye
a medida que nos alejamos del eje, de manera que aquellos rayos que tienen que re orrer
distan ias mayores (que se alejan mas del eje de la bra), tienen velo idades medias mas
altas ("ven", en promedio, ndi es menores) de forma que se redu en las diferen ias entre

2.2. OPTICA
GEOMETRICA 37
1,5
0,5
0
1 1,5 2 2,5 3
p
-0,5
-1
Figura 2.6: Dispersion intermodal en una bra a gradiente de ndi e. Se muestran tanto la
=L
urva teori a omo te nologi a. En el eje verti al se ha representado log10 ( 1ns=Km ) y en el
horizontal el parametro de deni ion del perl que aqu se denota mediante la letra p.
los tiempos de propaga ion de los distintos modos guiado. Esto se muestra en la g. f2.4g.
Ahora se plantea un problema obvio. >Cual es el perl de varia ion del ndi e de refra ion
que minimiza la dispersion intermodal? Para resolver esta uestion, denimos una familia de
perles de varia ion del ndi e de refra ion que depende de un uni o parametro , parametro
que al aumentar ha e que la varia ion del ndi e entre el eje y la orteza sea mas brus a.
El rango de varia ion es 0 1 y en la g. f2.5g se muestran los perles aso iados
a algunos valores parti ulares de . La expresion analti a de esta familia de perles es la
siguiente:
n1 [1 ( ar ) ℄ r a
(
n(r) := (2.5)
n1 [1 ℄ = n2 r a
Se puede al ular (aunque no lo haremos) la dispersion intermodal para ada valor

del parametro y representar, por tanto, el valor de la dispersion frente a , tal omo se
muestra en la g. f2.6g.
La mejora que se obtiene [41℄{[76℄ para el perl optimo (que es aproximadamente
paraboli o 4 ) es extremadamente grande, siendo la expresion del ensan hamiento temporal
del pulso la siguiente:
n 2
= 2 (2.6)
L 8 Æ
4 El perl optimo se produ e para un valor de = 2(1 ), aunque no lo vamos a demostrar. El le tor
interesado en ono er la justi a ion de este resultado puede onsultar la bibliografa adjunta.
de he ho, la mejora es tan buena que, si realmente hubiese sido posible onstruir bras
uyos perles de varia ion del ndi e fuesen exa tamente iguales al optimo, la introdu ion
de los sistemas basados en bras monomodo podra haberse retrasado durante mu hos a~nos.
El problema es que el mnimo de la dispersion intermodal es tan abrupto (en un primer
orden de aproxima ion, la dispersion intermodal tiende a ero y en un segundo toma el valor
dado en la expresion anterior) que es te nologi amente inviable un pro eso de fabri a ion
de bras on toleran ias lo su ientemente peque~nas que permitan a er arnos a este valor
optimo. Esto se pone de maniesto en la g. f2.6g, donde su ha representado tambien la
urva dispersiva de una bra te nologi amente viable.
Pasamos, a ontinua ion, a estudiar las bras opti as que realmente nos interesan:
las monomodo. De entre todas ellas, nos vamos a entrar en las bras monomodo estandar,
que aunque no son las que se suelen instalar en los enla es de hoy en da, son las uni as que
pueden estudiarse analti amente. Ademas son las bras que mas se emplearon en la de ada
de los 90 del pasado siglo.
2.3. E ua iones de onda

En este apartado queremos determinar los modos de propaga ion de una bra mo-
nomodo estandar (SMF). Por modo de propaga ion entendemos una onda mono romati a
progresiva (esto es, que se propaga) a lo largo del eje longitudinal de la bra, manteniendo
esta ionaria la distribu ion transversal del ampo ele tromaneti o. Ademas, la densidad de
energa tiende rapidamente a ero a medida que nos alejamos del eje de la bra.
A partir de las E ua iones de Maxwell vamos a dedu ir las e ua iones lineales que
des riben la propaga ion de ondas mono romati as a traves de bras SMF, teniendo uidado
de no perder informa ion relevante en esta dedu ion 5 . Puesto que el medio posee simetra
ilndri a pare e, en prin ipio, logi o utilizar este tipo de oordenadas 6 .
r E~ = tB~
9
r E~ ! = j!B~ !
> 8
>
Ft!!
> >
r H~ = tD~
> >
r H~ ! = j! D~ !
>
> >
>
= <
B~ = Z Æ H~; D~ = Æ E~ + P~ *
) (2.7)
t
>
>
> F!!t1 >
>
>
B~ ! = Æ H ~ !; D~ ! = Æ n2 (! )E~ !
P~ = Æ (~r; t )E~ ( )d P~! = Æ (! )E~ ! ; r (! ) = 1 + (! ) = n2 (! )
>
> >
:
>
;
1
En el dominio temporal, la integral de onvolu ion que rela iona el momento dipolar
ma ros opi o P~ on el ampo ele tri o E~ tiene una interpreta ion lara: el medio material
tiene iner ia o, si se quiere, memoria y el valor P~ en el instante a tual depende no solo
del valor de E~ en este pre iso instante, sino tambien de los valores que tomo en el pasado.
Estamos dando por he ho que no depende de E~ , lo ual es ierto siempre y uando el
5 Conesto queremos de ir que las e ua iones dedu idas seran equivalentes a las de Maxwell en lo que
se reere a la propaga ion. No serviran, por supuesto, para des ribir otros fenomenos ele tromagneti os
distintos que pudieran darse en la bra.
6 Mas adelante veremos algo que es ontraintuitivo: uando los ndi es de refra ion de nu leo y orteza
son muy pare idos, es mas onveniente elegir un sistema de oordenadas artesianas.
2.3. ECUACIONES DE ONDA 39
ampo ele tri o no sea ex esivamente intenso, es de ir, uando la fuerza que se ejer e sobre
los os iladores atomi os no es lo su ientemente grande omo para que la fuerza atra tiva
que mantiene al ele tron orbitando alrededor del nu leo deje de ser lineal (propor ional al
desplazamiento) y el os ilador ya no sea armoni o. A lararemos este punto en el ultimo
aptulo de este libro, uando tratemos efe tos no lineales en sistemas de omuni a iones
por bra opti a. Tambien supondremos (y esto es rigurosamente ierto, ya que el sli e es un
solido vtreo y, por tanto, anisotropo) que es una fun ion y no un tensor 7 .
Pare e evidente que las e ua iones de la dere ha (en el dominio de Fourier) son
matemati amente mas sen illas que las de la izquierda: ! , al ontrario que t, no es una
variable sino un parametro y la integral de onvolu ion se ha transformado en el produ to
de una fun ion ono ida (la sus eptibilidad diele tri a del sli e) por el ampo ele tri o (en el
dominio espe tral, por supuesto). Puesto que queremos estudiar fenomenos de propaga ion
tenemos que llegar a una e ua ion de ondas. Conseguirlo es sen illo: obtenemos el rota ional
de la primera e ua ion de la dere ha y tenemos en uenta las demas:
r r E~ ! = j!Æ(r H~ ! ) = !2ÆÆ n2(!)E~ ! = !2 n 22Æ(!) E~ ! = kÆ2 n2 (!)E~ !

9
=
)
r r E~ ! = r(r E~ ! ) E~ ! = E~ ! ;
E~ ! + kÆ2 n2 (! )E~ ! = 0 (2.8)
Operando de manera analoga on la segunda e ua ion, llegamos a una expresion

similar en terminos del ampo magneti o. Por tanto, nos queda el siguiente sistema:
E~ ! + kÆ2 n2 (! )E~ ! = 0

9
>
>
>
>
>
>
=
~ ! + kÆ2 n2 (! )H
H ~! = 0 (2.9)
>
>
>
>
>
n(! ) = n1 (! ) r a; n(! ) = n2 (! ) r a
>
;
Cada uno de los dos ampos tiene tres omponentes r; y z , por lo que, aparentemente,
se propagan seis ondas de manera independiente. Evidentemente, esto no es as 8 y lo que
o urre es que este sistema no es equivalente al de partida y ontiene menos informa ion (en
estas e ua iones hay grados de libertad no fsi os) que aquel. En realidad solo dos de las
e ua iones de onda son independientes entre s y la ele ion de estas es, hasta ierto punto,
arbitraria. Cuando se trabaja en oordenadas ilndri as, lo mas omodo es tomar omo
independientes las omponentes z de ambos ampos. Teniendo en uenta la expresion del
operador lapla iano en oordenadas ilndri as, nos quedan las e ua iones:
7 Hablando de una manera mas rigurosa, es un tensor diagonal, on todos sus elementos iguales.
8 Sabemos que si el medio es isotropo, los ampos E~ y H~ han de ser lo almente ortogonales entre s y
perpendi ulares a su vez al ve tor de onda.
9
2 Ez! 1 Ez! 1 2 Ez! 2 Ez! >
+ + 2 + + kÆ2 n2 (! )Ez! = 0 >
>
>
r2 r r r 2 z 2 >
>
>
>
>
>
=
2 Hz! 1 Hz! 1 2 Hz! 2 Hz! (2.10)
+ + 2 + + kÆ2 n2 (! )Hz! = 0 >
r2 r r r 2 z 2 >
>
>
>
>
>
>
n(! ) = n1 (! ) r a; n(! ) = n2 (! ) r a
>
>
;
Supongamos que ya hemos integrado las dos e ua iones en derivadas par iales ante-
riores. >Como podemos al ular el resto de omponentes del ampo? Para ha erlo, tenemos
que volver a usar las e ua iones de Maxwell y dedu ir, a partir de estas, las expresiones de
las omponentes transversales de los ampos ele tri o y magneti o. Despues de una serie de
opera iones algebrai as, se llega a 9 :
9
1
E~ tr = [j!Ærtr H
~z j (! )rtr E~ z ℄ >
>
>
kÆ n (! ) 2 (! )
2 2 >
>
>
>
>
>
>
>
1 >
=
~ tr =
H [ j!Æ rtr E~ z j (! )rtr H
~ z℄ (2.11)
k2 n2 (! )
Æ 2 (! ) >
>
>
>
>
>
>
rtr = ~ur r + ~u r

>
>
>
>
>
;
En estas expresiones apare e una onstante, (! ) que re ibe el nombre de onstante

de propaga ion del/los modo(s) guiado(s) de la bra. Para determinar los modos guiados de
la bra, la manera de pro eder es la siguiente: En primer lugar debemos integrar las e ua io-
nes en derivadas par iales (2.10) y determinar las omponentes axiales ( omponentes segun
el eje z) de los ampos ele tri o y magneti o. Al ha erlo, apare en una serie de onstantes
de integra ion uyos valores hay que determinar imponiendo las ondi iones de ontorno del
problema. Como estamos estudiando fenomenos ele tromagneti os en el seno de diele tri-
os, estas ondi iones de ontorno son la ontinuidad de las omponentes normales de los
ve tores indu ion magneti a y ve tor desplazamiento y la de las omponentes tangen ia-
les de los ve tores ampo ele tri o y magneti o, tal omo se muestra en la g. f2.9g. Esta
ontinuidad debe veri arse en la super ie de separa ion entre los dos medio diele tri os,
nu leo y orteza. El resto de omponentes no tienen por que ser ontinuas en esta interfase.
Las omponentes normales y tangen iales, se al ulan a partir de las axiales empleando las
rela iones dadas por las e ua iones (2.11). Al imponer las on i iones de ontorno, se ve-
ri a que todas las onstantes de integra ion son nulas (solu ion trivial: por la bra no se
propaga luz alguna) a menos que (! ) tome un valor determinado, solu ion de una e ua ion
algebrai a: es la llamada e ua ion de dispersion.
Ahora planteamos una de las dos e ua iones en derivadas par iales, onsiderando que
los ndi es de refra ion de nu leo y orteza no depende de la pulsa ion ! . De esta manera
vamos a determinar ex lusivamente el termino de la dispersion romati a que depende del
guiado de la luz: la llamada dispersion de gua. Por tanto, lo que nos queda es:
9 A partir de ahora dejaremos de utilzar el subndi e ! para simpli ar la nota ion.
2.3. ECUACIONES DE ONDA 41
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0 2 4 6 8 10
x
-0,2
-0,4
Figura 2.7: Fun iones de Bessel de primera espe ie Jo , J1 , J2 y J3 .
9
2 Ez 1 Ez 1 2 Ez 2 Ez
+ 2 + kÆ2 n2 Ez = 0
>
+ + >
>
r2 r r r2 2 z =
(2.12)
>
n = n1 r a; n = n2 r a
>
>
;
Puesto que tratamos de en ontrar los modos guiados de la bra, ensayamos en la

e ua ion anterior solu iones del tipo: Ez = Ez (r; )e j(!)z , donde anti ipamos que va a
depender de ! aunque onsideremos que los ndi es de refra ion de nu leo y orteza toman
los valores onstantes n1 y n2 . Esta expresion lo que indi a es que las ondas ele tromagneti as
se propagan a lo largo del eje z , permane iendo esta ionarias en la se ion transversal.
Sustituyendo, nos queda:
9
2 Ez 1 Ez 1 2 Ez
+ 2 2 + [kÆ2 n2 Ez 2 (! )℄E
>
+ z =0 >
>
r 2 r r r =
(2.13)
>
n = n1 r a; n = n2 r a
>
>
;
En vez de plantear la e ua ion de dispersion por el metodo mas dire to (que es

puramente analti o), vamos a dar un rodeo y denir dos variables auxiliares, dependientes
entre s, que permiten resolver la e ua ion de manera gra a. Para ello, lo primero que
debemos tener en uenta es que (! ) es la onstante de propaga ion aso iada al modo de
pulsa ion ! . Como parte del ampo ele tromagneti o se propaga por el nu leo y parte por la
orteza, (! ) debe tomar valores omprendidos entre las onstantes de propaga ion de una
onda plana que viaje por dos medios innitos de ndi es n2 y n1 , esto es kÆ n2 (! ) kÆ n1 .
Denimos las siguientes variables positivas:
10
0,2 0,4 0,6 0,8 1

x
Figura 2.8: Fun iones de Bessel de segunda espe ie Ko y K1 .
9
U 2 := kÆ2 n21 2 (! ) >
=
>
) U 2 + W 2 = kÆ2(n21 n22) (2.14)
W2 := 2 (! ) kÆ2 n22 ;
Teniendo en uenta estas deni iones, nos queda:
9
2 Ez 1 Ez 1 2 Ez
+ 2 2 + U 2 Ez = 0 r a
>
+ >
>
>
r 2 r r r >
>
>
>
>
>
=
2 Ez 1 Ez 1 2 Ez (2.15)
+ + W 2 Ez = 0 r a >
r2 r r r2 2 >
>
>
>
>
>
>
>
U 2 + W 2 = kÆ2 (n21 n22 ) >
;
Para integrar las e ua iones en derivadas par iales (2.15), hay que emplear el metodo
de separa ion de variable, que onsiste en postular solu iones del tipo Ez = AF1 (r)F2 ().
Si lo ha emos, llegamos a la on lusion de que la fun ion F2 veri a la e ua ion diferen ial
ordinaria del os ilador armoni o 10 . Ademas, para que los ampos ele tri o y magneti o sean
unievaluados, las dos solu iones linealmente independientes de esta e ua ion son de la forma:
Rfejl g, donde l = 0; 1; 2; 3::: Sustituyendo en las e ua iones anteriores, obtenemos:
10 Demuestrelo omo ejer i io.
DE DISPERSION
2.4. ECUACION 43
9
d2 F1 1 dF1 l2
℄F = 0 r a
>
+ + [U 2 >
>
r2 1
>
r 2 r dr >
>
>
>
>
>
=
d2 F1 1 dF1 l2 (2.16)
+ [W 2 ℄F = 0 r a
r2 1
>
r2 r dr >
>
>
>
>
>
>
>
U 2 + W 2 = kÆ2 (n21 n22 ) >
;
Estas son las e ua iones diferen iales de Bessel que apare en en problemas on simetra
ilndri a. Nos interesan solo las solu iones on sentido fsi o, en parti ular, la fun ion F1
debe tomar un valor nito uando r ! 0 y debe tender a ero uando r ! 1. En denitiva,
la distribu ion de ampo ele tromagneti o debe tener una energa nita y onnada en las
er anas del nu leo, por lo que resulta:
MJl (Ur) r a
(
F1 (r) = NKl (W r) r a (2.17)
Donde Jl es la fun ion de Bessel de primera espe ia, mientras que Kl es la fun ion
modi ada de Bessel de segunda espe ie. El aspe to de estas fun iones se muestra en las g.
f2.7g y f2.8g. La solu iones de las e ua iones en derivadas par iales (2.10) son:
Ez = AJl (Ur) R[ejl e j (!)z ℄ ra
9
>
R[ejl e ra
>
Hz = BJl (Ur) j (!)z ℄ >
=
Ez = CKl (W r) R[ejl e j (!)z ℄ ra >

(2.18)
>
R[ejl e ra
>
Hz = DKl (W r) j (!)z ℄ ;
Donde A, B , C , D y (! ) son onstantes a determinar a partir de las ondi iones

de ontorno.
2.4. E ua ion de dispersion

Para determinar los valores de las onstantes de integra ion, tenemos que imponer
las ondi iones de ontorno en la super ie de separa ion entre el nu leo y la orteza. A
saber, ontinuidad de las omponentes trasversales de los ampos E~ y H ~ y ontinuidad de
las omponentes normales de los ampos D ~ y B~ . Esto es:
)
Ez )r=a = Ez )r=a+ E )r=a = E )r=a+ n21 Er )r=a = n22 Er )r=a+ (2.19)
Hz )r=a = Hz )r=a+ H )r=a = H )r=a+ Hr )r=a = Hr )r=a+
Las omponentes Er , E , Hr y H se al ulan a partir de Ez y Hz utilizando las

rela iones (2.11). Cuando imponemos las ondi iones de ontorno, que se muestra en la g.
Dr)a+
Hǆ)a+
r=a z Hǆ)a- Hr)a+
ǆ
Dr)a- Eǆ)a+
Hr)a- Eǆ)a-
Figura 2.9: Condi iones de ontorno en la super ie de separa ion entre nu leo y orteza.
f2.9g, resulta un sistema de uatro e ua iones lineales y homogeneas en A, B , C y D que,

evidentemente, siempre tiene la solu ion trivial (A = B = C = D = 0), es de ir, que
no hay luz propagandose por la bra. Para que el sistema admita una solu ion distinta,
el determinante del sistema tiene que ser igual a ero (en uyo aso queda un parametro
libre, que representa la poten ia opti a que atraviesa la bra). Esta ondi ion lleva a que la
onstante de propaga ion (! ) tiene que veri ar la siguiente e ua ion algebrai a [30℄:
J_l (Ua) K_ l (W a) J_l (Ua) K_ l (W a)

" #" #
2 2 2 2 l2 1 1 2
+ ko n1 + ko n2 = 2 (! ) 2 2 + 2 (2.20)
UJl (Ua) W Kl (W a) UJl (Ua) W Kl (W a) a U W
Ahora vamos a tener en uenta una hipotesis simpli ativa que se umple siempre
en las bras SMF: la hipotesis de guiado debil [70℄{[76℄. Esto quiere de ir que la diferen ia
entre los valores de los ndi es de refra ion de nu leo y orteza es muy peque~na: 1 y,
por tanto, n1 ' n2 ) kÆ2 n22 ' 2 (! ) ' kÆ2 n21 , on lo que (2.20) se redu e a:
J_l (Ua) K_ l (W a)
1 1
+ = l 2 2 + 2 2 (2.21)
aUJl (Ua) aW Kl (W a) aU aW
Si resolvemos la e ua ion de dispersion de partida (2.20) omprobamos que a medida

que n2 ! n1 existen modos de propaga ion distintos (distintas distribui iones del ampo
ele tromagneti o) uyas onstantes de propaga ion tienden a tener un mismo valor (! ), es
de ir, tienden a degenerar. Tomando iertas ombina iones lineales estos modos uasidege-
nerados [76℄ que son solu iones de (2.20), se obtienen distribu iones de los ampos ele tri o
y magneti o que, en la se ion transversal, tienden a orientarse segun dos dire iones or-
togonales entre s a medida que ! 0. Es de ir, estas ombina iones de modos estan
linealmente polarizadas (y se denominan modos LP) en el lmite n2 ! n1 . Hay que tener en
uenta que en los modos de partida los ampos ele tri o y magneti o no tienen polariza ion
lineal en la se ion transversal. Solo uando ombinamos linealmente determinados modos
DE DISPERSION
2.4. ECUACION 45
uasidegenerados (no lo son totalmente ya que n1 6= n2 ) obtenemos modos que s tienen esta
ara tersti a. Esta informa ion nos habra permitido plantear las e ua iones en un sistema
de oordenadas artesianas, que se adapta mejor a la naturaleza de estas solu iones. No se
ha he ho as porque la e ua ion de dispersion (2.21), al igual que los modos linealmente po-
larizados (LP), no es mas que una aproxima ion de las solu iones exa tas. La aproxima ion
es tanto mas valida uanto menor sea .
Considerando estas ombina iones lineales omo los modos propios de la bra SMF
y teniendo en uenta iertas propiedades de las fun iones de Bessel (propiedades relativas a
sus derivadas y de re ursividad) se puede demostrar que se llega a la siguiente e ua ion de
dispersion [76℄ para los modos LP 11 :
aUkm Jk 1 (aUkm ) aWkm Kk 1 (aWkm )

= (2.22)
Jk (aUkm ) Kk (aWkm )
2 2 = k 2 (n2 n2 )
k = 0; 1; 2; 3; ::: Ukm + Wkm Æ 1 2
Por ahora, el uni o sentido que tiene el ndi e m es indi ar que, dado una valor de
k, la e ua ion de dispersion puede tener mas de una solu ion. Para denotar las distintas
solu iones, utilizamos este ndi e. Resulta un po o extra~no introdu ir dos variables distin-
tas Ukm y Wkm que depende de km (! ) y que estan rela ionadas entre s por medio de la
identidad Ukm 2 + W 2 = k 2 (n2 n2 ). Planteamos la e ua i on de dispersion de esta manera,
km Æ 1 2
porque pretendemos resolverla primero gra amente. La forma de ha erlo sera determinar
el rango natural de varia ion de la variable aUkm , representar gra amente aUkmJkJ(kaU1km
(aUkm )
) ,
q
determinar, despues, el rango de varia ion de aWkm = kÆ2 (n21 n22 )a2 a2 Ukm 2 , representar
aWkm Kk 1 (aWkm )
Kk (aWkm ) y, por ultimo determinar los puntos de interse ion de ambas familias de
urvas, que nos propor ionaran los valores numeri os de las distintas onstantes de propa-
ga ion de los modos guiados km (! ).
r
q
2 2 2 2
La onstante V = kÆ2 (n21= 4 a ( n2Æ1 n2 ) f re ibe el nombre de fre uen ia
n22 )a2
adimensional, ya que es un numero propor ional a la fre uen ia opti a, pero sin dimensiones
fsi as. Sabemos que kÆ n2 km (! ) kÆ n1 por tanto, puesto que a2 Ukm2 = [k 2 n2 2 (! )℄a2 ,
Æ 1 km
dedu imos, pues, que aUkm toma valores omprendidos en el intervalo 0 aUkm V .
Para una bra dada, de radio a, ndi es n1 y n2 de valores todos ono ido, jar el
valor de la fre uen ia adimensional V es equivalente a jar el valor de la pulsa ion ! , para
la que queremos al ular las onstantes de propaga ion km (! ) de los modos guiados. Las
fun iones de Bessel Jk y Kk las evaluan dire tamente iertos programas de al ulo numeri o,
tales omo MATLAB. Por onsiguiente podemos representar gra amente:
aUkm Jk 1(aUkm )
f (aUkm ) :=
Jk (aUkm )
k = 0; 1; 2; 3; ::: 0 aUkm V (2.23)
11 Renombramos el ndi e l
omo k ya que en las ombina iones lineales que se ha en para obtener los
modos LP, intervienen modos on distintos ndi es azimutales.
15
10
0
0 2 4 6 8 10
x
-5
-10
-15
Figura 2.10: Resolu ion gra a de la e ua ion de dispersion para el aso k = 0, on V = 10.
q
Igualmente, puesto que aWkm = V 2 a2 Ukm
2 , podemos representar sobre la gr
a a
anterior la fun ion:
q q
V2 2 K
a2 Ukm 2
k 1 ( V 2 a2 Ukm )
g (aWkm) := q
2 )
Kk ( V 2 a2 Ukm
k = 0; 1; 2; 3; ::: 0 aUkm V (2.24)
Para determinar las onstantes de propaga ion de todos los modos guiados hay que
al ular primero V y tomar, ini ialmente k = 0. Para este valor de k se determinan las
distintas solu iones de la e ua ion de dispersion y las enumeramos on el ndi e m. A on-
tinua ion se toma el valor k = k + 1 para el que habra un numero de solu iones igual o
inferior al anterior. Eventualmente, llegaremos a un valor maximo de k, kmax para el que
no existira interse ion alguna entre las dos familias de urvas y habremos determinados las
onstantes de todos los modos guiados. A modo de ejemplo, se muestra en la g. f2.10g las
tres solu iones que hay para V = 10 y k = 0.
Se puede omprobar que para que exista un uni o modo de propaga ion, que la
ondi in que debe umplirse es V < 2; 405, en uyo aso la bra es monomodo. Si no,
tendremos una bra multimodo a salto de ndi e. Normalmente en los enla es que utilizan
bra SMF se trabaja on una V del orden de 2. Este valor es lo su ientemente grande omo
para que el grado de onnamiento en el nu leo sea importante (mas del 70 % de la poten ia
viaja por el nu leo) y lo su ientemente alejado del valor rti o para el que apare e un
nuevo modo guiado.
DE DISPERSION
2.5. ECUACION ADIMENSIONAL 47
Figura 2.11: Constante de propaga ion b de los modos LP frente a V . Curva tomada de [38℄.
2.5. E ua ion de dispersion adimensional

Vamos, a ontinua ion, a plantear la rela ion de dispersion omo una e ua ion impl i-
ta que rela iona una onstante de propaga ion adimensional on la fre uen ia adimensional.
Para ello, onsideremos primero la siguiente expresion:
W2 [ (! ) + kÆ n2 ℄[ (! ) kÆ n2 ℄
= (2.25)
kÆ2 n1 kÆ2 n2 (kÆ n1 + kÆ n2 )(kÆ n1 kÆ n2 )
2 2
Si tenemos ahora en uenta la ondi ion de guiado debil ( = n1n1n2 1), esto impli a
que n1 ' n2 . Ademas, puesto que kÆ n2 kÆ n1 , dedu imos que kÆ n2 ' ' kÆ n1 . A la
hora de al ular la diferen ia entre dos antidades muy proximas entre s es muy importante
no onfundir sus valores, ya que en una expresion en la que apare en produ tos de terminos,
hay una gran diferen ia entre que uno de ellos sea peque~no o que sea nulo (un ero en un
denominador ha e que una expresion deje de tener sentido y en un numerador la anula).
Sin embargo, a la hora de al ular una suma, onsiderar una u otra antidad es irrelevante.
Teniendo esto en uenta, podemos es ribir:
W2 (! ) kÆ n2 k(!Æ ) n2 nef n2
b := 2 2 2 2
kÆ n1 kÆ n2
' kÆ n1 kÆ n2
=
n1 n 2
=
n1 n2
(2.26)
De la expresion anterior dedu imos que la onstante de propaga ion adimensional b

toma valores omprendidos entre entre 0 y 1 y que representa, en tanto por uno, el ndi e
-1
-0,5
0
y
0,5 -1
-0,5
1 0
0,5
1 x
Figura 2.12: Distribu ion transversal de poten ia del modo LP42 .
de refra ion efe tivo del modo onsiderado. En ualquier aso, estamos ya en disposi ion
de rees ribir la e ua ion de dispersion en fun ion de una uni a variable dependiente, b, y de
una uni a variable independiente, V .
aWkm = V bkm
p 9
p p p p
>
=
V 1 bkm Jk 1 (V 1 bkm ) V bkm Kk 1 (V bkm )
p >
) p
Jk (V 1 bkm )
= p
Kk (V bkm )
(2.27)
aUkm = V 1 bkm ;
El interes de esta e ua ion es que es universal y valida para todas las bras a salto
de ndi e y guiado debil. Solo hay que resolverla numeri amente una vez (algo que, eviden-
temente ya esta he ho) y representarla gra amente, tal omo se ha he ho en la g. f2.11g.
Los numeros aso iados a ada gra a son los ndi es azimutal y radial del modo onsiderado
y tienen una lara interpreta ion fsi a. El primero indi a el numeros de eros angulares de
la distribu ion transversal de la intensidad luminosa del modo en uestion. Por ero angu-
lar entendemos lo siguiente: si trabajamos en oordenadas ilndri as y existe un valor de
la oordenada angular para el que la intensidad luminosa es nula para todo valor de r,
enton es ese modo de propaga ion presenta un ero angular. El segundo numero nos indi a
el numero de eros radiales menos uno. Por ero radial entendemos que si trabajamos en
oordenadas ilndri as y existe un valor de la oordenada radial r para el que la intensidad
luminosa es nula para todo valor de enton es ese modo de propaga ion presenta un ero
radial. Como ejemplo, mostramos la distribu ion transversal de poten ia del modo LP42 en
la g. f2.12g.
Todos los modos salvo el LP01 existen (es de ir son modos guiados) solo a partir de un
determinado valor de la fre uen ia adimensional. La manera de determinar estas fre uen ias,
DE DISPERSION
2.5. ECUACION ADIMENSIONAL 49
1
LP01 LP11 LP02 LP12 LP03 LP13 LP04
0.8
J0
0.6
J1
0.4
0.2
4 6
00
0
2 HE21 HE 22 V 8 10 12
TM01
HE11 TM02
-0.2 TE 01 HE23
TM03
-0.4 TE 02 HE 13 TE 03 HE 14
HE12
Figura 2.13: Fre uen ias de orte de algunos modos LP.
Figura 2.14: Grado de onnamiento de los modos LPml en fun ion de la fre uen ia adimen-
sional V . Curva tomada de [38℄.
llamadas fre uen ias de orte, es muy sen illa. La fre uen ia de orte del modo LPml es igual
al valor del l-esimo ero de la fun ion de Bessel Jm 1 . En la g. f2.13g se representan algunas
fun iones de Bessel y se indi an que modos pasan del orte a ser guiados y a que fre uen ias
adimensionales o urre esto.
Consideremos una bra a salto de ndi e y guiado debil y un determinado modo LPml
guiado. Evidentemente, uanto mayor sea la diferen ia entre la fre uen ia de fun ionamiento
y la fre uen ia de orte de di ho modo, mayor sera el grado de onnamiento de la poten ia
opti a dentro del nu leo de la bra. Se pueden determinar unas familias de urvas parame-
trizadas on respe to a los ndi es m y l , que expresan el por entaje, en tanto por uno,
de la poten ia que viaja por la orteza de la bra on respe to al valor de la fre uen ia
adimensional V [70℄. Estas urvas se representan en la g. f2.14g.
2.6. Problemas
Problema 3: Considere un enla e de omuni a iones opti as, en el que la longitud
de onda de trabajo es Æ = 1550nm. El radio de la bra es a = 3; 4m y los ndi es
de refra ion de nu leo y orteza son n1 = 1; 45 y n2 = 1; 44275 respe tivamente.
Compruebe si se trata de un enla e monomodo, determinar las onstantes de
propaga ion de los modos guiados y el grado de onnamiento en el nu leo.
Solu ion: Lo primero que debemos al ular es la fre uen ia adimensional y ompararla
on el valor rti o 2,405 para de idir si se trata de un enla e monomodo o no:
n21 n22 n1 n2
:=
2n21
' n = 0;005
1
q
a p
V = kÆ a n21 n22 = 2 2 = 2
Æ n1
Por tanto se trata de un enla e monomodo. Si entramos en la g. f2.11g, dedu imos que
la onstante de propaga ion adimensional del uni o modo guiado de la bra es b01 = 0; 4.
Por tanto:
01 = kÆ b01 = 1621467; 2m 1
01 = n2 + 0; 4 (n1 n2 ) = 1; 44565
nef
Si onsultamos la g. f2.14g llegamos a la on lusion de que el 75 % de la poten ia viaja
por el nu leo.
Captulo 3
Atenua ion y dispersion en bras
opti as
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar las ara tersti as de atenua ion y
dispersion de las bras opti as monomodo ya que son las que se usan sistemati a-
mente en los enla es tron ales. La atenua ion esta determinada por las propiedades
fsi as del material on el que se fabri a la bra, generalmente sli e. La ara te-
rsti a dispersiva tiene dos omponentes: La dispersion del material ( uyo origen
fsi o ya se ha estudiado en el aptulo 2) y la dispersion de gua que
apare e omo onse uen ia de la diferen ia entre los ndi es de refra ion de
nu leo y orteza, siendo la dispersion total la suma de estas dos ontribu iones, ada
una on su propio signo. Existe una ter era omponente dispersiva, la llamada
dispersion de polariza ion, que apare e porque el modo LP01 es, en realidad, la
suma de dos modos degenerados y ortogonales. En presen ia de perturba iones que
alteren la simetra ilndri a de la bra, los tiempos de propaga ion aso iados
a estos dos modos resultan ser distintos y apare e este nuevo termino dispersivo.
Por ultimo vamos a estudiar ualitativamente las bras monomodo de dispersion
plana (que se emplean en los sistemas DWDM) y las de dispersion desplazada.
51
52 CAPITULO 3. ATENUACION
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

Atomo de Si
Atomo de O
Cuarzo Sílice
Figura 3.1: Estru turas del uarzo y del sli e. En ima de ada atomo de sili io hay un atomo
de oxgeno que no se ha dibujado, para que la estru tura se vea on mayor laridad.
3.1. Introdu ion

En este aptulo vamos a estudiar los fenomenos de absor ion y dispersion en bras
opti as. Veremos que por ser el sli e un material amorfo (un solido vtreo) apare e un
termino de atenua ion adi ional no estudiado en el aptulo anterior, denominado s attering
Rayleigh [18℄{[67℄. Tambien existe un termino dispersivo no rela ionado on las propiedades
fsi as del sli e, sino on el fenomeno de guiado de la luz. Este termino re ibe el nombre de
dispersion de gua y se va a al ular para las bras monomodo estandar (SMF).
3.2. Mi roestru tura del sli e

El material on el que se fabri a la bra opti a debe umplir una serie de requisitos:
Debe atenuar po o la luz.
Debe ser un material se til (brable).
Debe ser opti amente isotropo.
Debe ser un material abundante (barato).
Debe tener una gran resisten ia a la tra ion.
Todas estas ondi iones las umple el sli e. Tiene un mnimo teori o de atenua ion
dB a la longitud de onda 1;55m, se pueden fabri ar bras on
de 0;15 Km el fa ilmente, es una
solido amorfo y, por onsiguiente, isotropo. La materia prima (sili atos) de partida es muy
abundante y, por ultimo, es muy resistente a la tra ion.
La omposi ion qumi a del sli e, al igual que la del uarzo, es Si02 . A es ala mi-
ros opi a ambos tienen la misma estru tura: un atomo de sili io que se situa en el entro
DE LA FIBRA OPTICA
3.3. CURVA DE ATENUACION 53
de un tetraedro en uyos verti es hay atomos de oxgeno. Lo que ambia es la forma en que
se ombinan estos tetraedros para formar el material [19℄. En el uarzo se ordenan regu-
larmente en las tres dire iones del espa io (se trata de un solido ristalino), por lo que no
todas las dire iones y planos tienen la misma antidad de atomos. Como onse uen ia, las
propiedades fsi as del uarzo, y en parti ular las opti as, dependan de la dire ion en que
se midan. Ademas el uarzo es un material muy rgido y fragil, por lo que resulta imposible
fabri ar una bra opti a on el.
En el sli e la ordena ion de los tetraedros es irregular (se trata de un vdreo o solido
amorfo). Por onsiguiente no existen dire iones ni planos privelegiadas en el espa io, on lo
que el material es isotropo. Ademas se puede doblar par ialmente sin que se rompa.
Veamos de que depende que se forme sli e o uarzo a partir del dioxido de sili io
en estado lquido. Si la velo idad de enfriamiento es muy lenta, los tetraedros se ordenan
on regularidad en las tres dire iones del espa io de manera que la energa del onjunto sea
mnima, formandose as un solido ristalino llamado uarzo, uya estru tura se puede ver en
la g. f3.1g. En ambio, si la velo idad de enfriamiento es alta, los tetraedros no al anzan las
posi iones orrespondientes al mnimo de energa, produ iendose una estru tura desordenada
tpi a de los materiales vtreos y que puede verse en la g. f3.1g. Este material re ibe el
nombre de sli e.
Consideremos un volumen de ontrol unos o dos ordenes de magnitud mayor que el
volumen de un tetraedro. En el uarzo, la densidad medida a esta es ala es pra ti amente
independiente de la posi ion, ya que el material es muy homogeneo. Sin embargo, en el
sli e veremos grandes varia iones de la densidad on respe to a la posi ion del volumen de
ontrol, ya que el numero de tetraedros ontenidos sera muy variable. Por tanto, el ndi e de
refra ion del uarzo es uniforme in luso a es alas espa iales muy peque~nas, mientras que el
del sli e sufre grandes varia iones si se mide por a una es ala su ientemente peque~na.
El volumen de ontrol que, de manera natural, dene la luz que se propaga por
un medio, es una esfera de radio , donde es la longitud de onda de la radia ion. A
medida que disminuye, la luz per ibe varia iones re ientes del ndi e de refra ion en
el sli e. Estas varia iones ha en que exista una ierta probabilidad de que se produz a un
pro eso de absor ion de un foton y su inmediata reemision (a la misma longitud de onda)
en pra ti amente ualquier dire ion del espa io. Este fenomeno fsi o re ibe el nombre de
s attering Rayleigh 1 . El foton reemitido sale en la inmensa mayora de las o asiones fuera de
la bra, ontribuyendo as a aumentar la atenua ion. Este termino adi ional de atenua ion
es tanto mayor uanto menor es la longitud de onda de la luz que se propaga por la bra.
3.3. Curva de atenua ion de la bra opti a

En la g. f3.2g se muestra la varia ion del oe iente de absor ion de una bra en
fun ion de la longitud de onda de la luz que se propaga por ella [37℄. Vemos que en el
infrarrojo er ano (las longitudes de ondas mas ortas) el oe iente de atenua ion re e
1 El s attering Rayleigh es un fenomeno no resonante de intera ion luz{materia. Al igual que todos los
pro esos en los que intervienen estados energeti os virtuales, este me anismo de intera ion es muy debil.
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

1,5
0,5
0,8 1 1,2 1,4 1,6

l
Figura 3.2: Curva de atenua ion de una bra opti a tpi a. El eje horizontal representa la
longitud de onda medida en m, mientras que el verti al representa la atenua ion medida
dB .
en Km
rapidamente, a un ritmo que viene dado aproximadamente por ' 14 Km dB (donde se mide
en mi ras). En esta zona las perdidas dominantes son las debidas al s attering Rayleigh. A
partir de 1550nm vemos que, de nuevo, la atenua ion re e. En este aso el aumento del
oe iente se debe a la presen ia de un pi o de absor ion en el infrarrojo lejano y en esta
44 dB
region tenemos que ' 8 1011 e Km (aqu tambien se mide en mi ras). Los estados
energeti os responsables de la absor ion en esta zona no son ele troni os, sino que estan
aso iados a vibra iones de los enla es ovalentes entre el sili io y el oxgeno.
El pi o de absor ion que se observa a la longitud de onda de 1; 4m esta provo ado
por la presen ia de iones OH en la matriz vtrea del sli e 2 . Si se extreman las pre au iones
en el pro eso de fabri a ion (humedad ambiente muy baja) de la bra, este pi o no tiene
por que apare er, aunque, naturalmente, la bra sera mas ara. Esta omponente de la
atenua ion es extrnse a, ya que no esta provo ado por las propiedades fsi as intrnse as del
sli e.
Por ultimo debemos tener en uenta que esta urva re eja la atenua ion de una bra
on simetra ilndri a perfe ta. Cualquier desvia ion de esta, omo es el urvar la bra o
la presen ia de mi ro urvaturas, provo an un aumento de la atenua ion [37℄. Las perdidas
seran tanto mayores uanto menores sean los radios de las urvaturas y mi ro urvaturas.
El oe iente de atenua ion de una bra se mide indistintamente en unidades naturales

(Km 1 ), que denotaremos n , o bien en de ibelios partidos por kilometro, que denotaremos
dB . Rela ionar un oe iente on el otro es sen illo:
2 El sli e es un material que tiene una tenden ia enorme a hidratarse. De ah que se utili e omo dese ante.
CROMATICA
3.4. DISPERSION DEL MATERIAL 55
ȕ(Ȧ)= Ȧ
co n(Ȧ )
)
t min
dȕ(Ȧ)
L
=
dȦ Ȧo + ǻȦ/2
)
to dȕ(Ȧ)
L
=
dȦ Ȧo
)
t max dȕ(Ȧ)
=
L dȦ Ȧ o- ǻȦ/2
ȦoÄ ǻȦ/2 Ȧo Ȧo ǻȦ/2 Ȧ
Figura 3.3: Origen fsi o de la dispersion romati a del material. El aso mostrado es el de
un material que presenta una dispersion romati a negativa en !Æ .
)
P (z ) = PÆ e n z
dB = 10z Log10 PPzÆ
) dB = (10Log10 e) n = 4; 343n (3.1)
3.4. Dispersion romati a del material

Cuando estudiamos la propaga ion de pulsos luminosos por medios diele tri os de
dimensiones transversales innitas, vimos que estos se dispersan omo onse uen ia de la
dependen ia no lineal de la onstante de propaga ion, , on respe to a la pulsa ion, ! . Dado
que para una onda plana = !Æ n, resulta que un paquete de ondas planas representativo
del pulso luminoso sufre dispersion siempre que el ndi e de refra ion depende de ! 3 . En
una bra opti a el ndi e de refra ion del nu leo y el de la orteza dependen de ! de una
manera muy pare ida y si onsideramos que n1 ' n2 , podremos al ular una de las dos
omponentes dispersivas que apare en en la bra opti a monomodo: la dispersion romati a
del material [41℄. Este termino depende, pues, de las propiedades fsi as del sli e y no del
fenomeno de guiado de la luz. Vamos a evaluar de manera aproximada el ensan hamiento
temporal aso iado.
3 Esto o urre siempre en la realidad.
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

20
micras
0,8 1 1,2 1,4 1,6
0
-20
-40
-60
ps/nm Km
-80
-100
0,01
micras
Ym 0,8 1 1,2 1,4 1,6
0
-0,01
-0,02
Figura 3.4: Curva de dispersion romati a del sli e on unidades fsi as (arriba) y sin ellas
(abajo).
La inversa de la velo idad de propaga ion del pulso (esto es, la inversa de la velo idad
de grupo del paquete de ondas que onstituyen el pulso) viene dada por:
! ! !
tg 1 d d d
= = = (3.2)
L vg d! !Æ d Æ d! !Æ
Si ahora tenemos en uenta que = 2 n ( ) y que = 2 Æ resulta:

Æ Æ !
! " ! # !
tg 1 d dn
= =
L vg d!
=
1
Æ
n (Æ ) Æ
d
) ng = n(Æ) Æ dn
d

(3.3)
!Æ Æ Æ
donde n es el ndi e de refra ion de fase (es de ir, el que hay que tener en uenta
uando lo que se propaga por el medio es una onda mono romati a) y ng es el ndi e de
refra ion de grupo (el aso iado a la propaga ion de un pulso).
El ndi e de refra ion de grupo, ng permite al ular la velo idad de un paquete de

ondas entrado alrededor de la longitud de onda entral del pulso luminoso. En los extremos
superior e inferior del espe tro del pulso, los ndi es de grupo toman valores ligeramente
distintos a ng , por lo que las omponentes espe trales orrespondientes se desplazan on
velo idades de grupo ligeramente distintas. Si suponemos que en Æ la onstante de propa-
ga ion no presenta un punto de in exion, podremos estimar el ensan hamiento temporal del
CROMATICA
3.5. DISPERSION DE GUIA 57
pulso al ulando la diferen ia entre los tiempos de propaga ion de grupo en los extremos del
intervalo espe tral 4 :
9
tg;max tg >
= >
> !
L Æ + 2 = ) Æ (tg;max tg;min ) = Æ = dng =
>
L
tg;min tg > L L d Æ
= >
>
>
L L Æ 2 ;
!
d2 n
= Æ (3.4)
d2 Æ
Es ostumbre expresar la ara tersti a dispersiva del sli e de dos maneras distintas.
ps , mientras que en la segunda
En la primera el oe iente dispersivo tiene dimensiones de nmKm
el oe iente es adimensional. Las expresiones que los justi an son:
! 9 ! 9
d2 n Æ d2 n ps >
= Æ
>
L ps >
>
> D ( Æ ) = >
>
>
Æ d Æ
2 >
= Æ d Æ nmKm >
2 =
Æ d 2 n
!
>
) 2 ! (3.5)
2 d n
>
= 2Æ
> >
>
> YÆ = Æ
>
>
L d Æ Æ
2 >
;
d Æ
2 >
;
Las urvas que rela ionan los oe ientes D e Y se muestran en la g. f3.4g.
3.5. Dispersion romati a de gua

La dispersion romati a de gua, omo su propio nombre indi a, es una omponente
dispersiva adi ional que apare e omo onse uen ia del fenomeno de guiado de la luz. Si nos
entramos en el aso de bras monomodo estandar (SMF), el guiado de la luz se produ e
porque existe una zona alrededor del eje de la bra donde el ndi e de refra ion es mas alto
(nu leo) que en el resto ( orteza). Para al ular la dispersion romati a de gua suponemos
que los ndi es no dependen de la pulsa ion y que toman los valores onstantes n1 y n2 en
el nu leo y la orteza.
En el aptulo anterior des ribimos la estru tura de una bra monomodo estandar.
Supongamos que el diametro del nu leo y el salto de ndi e adimensional son lo sufu iente-
mente peque~nos omo para que, a la longitud de onda de trabajo, la fre uen ia adimensional
V sea inferior a 2,405, on lo que existe un solo modo guiado 5 . V = 2 es un valor tpi o
de trabajo para estas bras, ya que esta relativamente alejado de la fre uen ia de orte del
siguiente modo y el grado de onnamiento de la luz en el nu leo de la bra es elevado.
Antes de expli ar omo se al ula numeri amente la dispersion romati a de gua a
partir de unas urvas adimensionales, vamos a tratar de expli ar ualitativamente el motivo
4 Vamos a suponer que la fun ion es re iente en el intervalo espe tral
5 En realidad son dos modos degenerados que tienen la misma distribu ion de ampos, on la salvedad de
que las polariza iones son ortogonales.
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

ȕ(Ȧ)
kn o 1
kn o 2
Figura 3.5: Varia ion de la onstante de propaga ion on respe to a la pulsa ion.
por el que apare e. Sabemos que la luz que se propaga por la bra tiene una determinada
an hura espe tral 6 . En la g. f3.5g vemos omo vara el valor de a medida que aumenta
la pulsa ion: para pulsa iones bajas la mayor parte del ampo ele tromagneti o viaja por
la orteza, por lo que el valor de es, pra ti amente, el de una onda plana que se propaga
por un medio innito de ndi e n2 . Para pulsa iones altas o urre lo ontrario: el grado de
onnamiento en el nu leo es muy grande y la luz se propaga omo lo hara una onda plana
por un medio innito de ndi e n1 . En la gra a vemos que el grado de onnamiento de
las omponentes espe trales de mayor fre uen ia es tambien mayor, por lo que dedu imos
que los tiempos de propaga ion de los distintos paquetes de onda ambian on la fre uen ia.
Como el pulso que se propaga por la bra tiene una determinada an hura espe tral, apare e
un termino de dispersion romati a aso iado al guiado de la luz. Suponiendo que en !Æ no
hay un punto de in exion, los tiempos de propaga ion maximo y mnimo se produ en en
los extremos del intervalo y podemos al ular la dispersion romati a de gua al ulando la
diferen ia de las pendientes en los extremos del intervalo:
! 9
tg;med d >
= >
>
L d! !!Æ >
>
>
>
>
tg;max d >
>
=
d
!
d
!
d2
!
L
=
d! !Æ + 2! ) L
=
d! d!
=
d! 2
! (3.6)
!Æ + 2! !
>
!
>
> !Æ 2 !Æ
tg;min d
>
>
>
= >
>
>
L d! !Æ 2! >
;
6 Existen dos asos lmite: En el primero la an hura espe tral esta denida por la propia fuente de luz (esto
o urre en laseres que son po o mono romati os). En el segundo (laser muy mono romati o on modula ion
externa), es igual a la an hura espe tral de los propios datos en banda base.
CROMATICA
3.5. DISPERSION DE GUIA 59
Figura 3.6: Tiempos de propaga ion adimensionales de los modos guiados de una bra a
salto de ndi e y guiado debil. Curva tomada de [38℄.
El tiempo medio depropaga i

on del pulso luminoso por la bra opti a esta denido
por el valor de la derivada d! d , mientras que la dispersion de gua lo esta por la segunda
!Æ

2
d

derivada d! 2 !Æ . Ahora nos gustara rela ionar estas derivadas on las derivadas de la urva
universal y adimensional b = f (V ). Para ha erlo se parte de las siguientes rela iones:
! 9
(! ) kÆ n2 (! ) n2 >

>
b'
>
= Æ >
>
kÆ n1 kÆ n2 ! n1 ! n2
>
>
>
=
Æ Æ >
(3.7)
>
>
! q
>
>
>
V = a n21 n22 >
>
;
Æ

d
Si ahora evaluamos la derivada d! , teniendo en uenta las dos igualdades ante-
!Æ
riores, llegamos a que el tiempo medio de propaga ion del pulso luminoso viene dado por la
siguiente expresion [70℄{[76℄:
" #
Æ t d(V b)
= n2g 1 + (3.8)
L dV
donde n2g es el ndi e de refra ion de grupo de la orteza y es el salto de ndi e

adimensional de la bra. Evidentemente, la fun ion d(dVV b) es una urva universal valida para
todas las bras de salto de ndi e y guiado debil. Esta fun ion se obtiene derivando numeri-
amente la rela ion de dispersion b = f (V ) (obtenida en el aptulo anterior) y esta tabulada
y representada gra amente en la g. f3.6g.
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

Figura 3.7: Dispersion adimensional de gua de una bra a salto de ndi e y guiado debil. En
el eje verti al hemos representado d(dVV b) y en el horizontal V . Curva tomada de [41℄.
La forma en la que se dedu e el tiempo medio de propaga ion de un pulso luminoso

por una bra opti a a salto de ndi e y guiado debil, es derivar la fun ion (! ) y rela ionar
esta derivada on las derivadas de la fun ion b = f (V ). Resulta, pues, evidente que para

d2
al ular la dispersion romati a de gua tenemos que evaluar d!2 ! y rela ionarla on las
Æ
derivadas de segundo orden de la fun ion b = f (V ). Si ha emos este desarrollo, llegaremos
a la siguiente on lusion [70℄{[76℄:
Æ V d2 (V b) ! V d2 (V b)
= n2g = n 2g (3.9)
L dV 2 !Æ dV 2 Æ
30
20
ps/nm Km
10
0
1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6
micras
-10
material
total
gua
Figura 3.8: Componentes de la dispersion romati a de una bra SMF.
2
Hemos representamos la fun ion V ddV(V2 b) en la g. f3.7g para el modo LP01 ya que
el al ulo de la la dispersion romati a tiene sentido solo en las bras monomodo (en las
3.6. FIBRAS MONOMODO ESPECIALES 61
multimodo la dispersion intermodal es dominante). Vemos que la dispersion romati a de

gua es2 siempre negativa en las bras SMF, ya que en el intervalo 0 V 2; 405 el signo
de V ddV(V2 b) no ambia. En la g. f3.8g representamos las dos omponentes de dispersion
romati a, as omo su suma. Vemos que en las bra SMF la dispersion de gua representa
solo una peque~na orre ion sobre la del material. Para fabri ar bras uyo omportamiento
dispersivo sea muy distinto al del material tenemos que usar perles que presenten una dis-
persion romati a de gua muy importante. Los perles de varia ion del ndi e de refra ion
ne esarios, son muy distintos de los de una bra SMF. En general estos perles no son ni de
salto de ndi e ni de guiado debil.
3.6. Fibras monomodo espe iales
Figura 3.9: Perles de varia ion del ndi e de algunas bras espe iles.
La bra opti a que mas se utiliza hoy en da no es la monomodo estandar (SMF).
En la mayor parte de los tendidos de bra que se realizan hoy en da, se emplean bras
que tienen la ara tersti a dispersiva ade uada para transmitir un numero muy elevado
de portadoras opti as multiplexadas en longitud de onda (sistemas DWDM), siendo estas
bras muy distintas de las SMF. El motivo por el que la SMF lleva el adjetivo "estandar"
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

20
ps/nm Km
10
0
1,3 1,4 1,5 1,6
micras
-10
-20
SMF
DSSMF
NZDFSMF
Figura 3.10: Cara tersti as dispersivas de algunas bras espe iles.
es puramente histori o ya que se utilizaron en la mayora de los tendidos realizados en la

de ada de los 90 que fue uando se a u~no este nombre.
Entre las bras monomodo espe iales [59℄ vamos a desta ar dos: la bra de dispersion
desplazada (DSSMF 7 ) y la bra de dispersion plana (NZDFSMF 8 ). En la primera de ellas
se desplaza el ero de la dispersion romati a total a la longitud de onda de 1550nm, de
manera que en ter era ventana haya ondi iones optimas de atenua ion y dispersion. Hay
que se~nalar, sin embargo, que el oe iente de atenua ion de este tipo de bras es superior
al de la bra SMF ya que el nivel de dopado del nu leo de la bra es sensiblemente mas
alto (el oe iente de atenua ion de una bra re e on el nivel de dopado del nu leo 9 ).
En la segunda, se tiene un oe iente de dispersion romati a residual no nulo (' nmKm
3ps ) y
pra ti amente onstante en un amplio intervalo de longitudes de onda. Por motivos evidentes
este es el tipo de bra que se utiliza en los sistemas DWDM. Las ara tersti as dispersivas
de estas dos bras pueden verse en la g. f3.10g.
La manera de onseguir que la dispersion romati a total sea muy distinta de la del
material es utilizar perles de varia ion del ndi e de refra ion uya dispersion romati a de
gua sea importante y la ade uada para onseguir la dispersion romati a total deseada. Los
saltos de ndi es de estas bras suele ser importantes (para lo ual hay que dopar el nu leo
de la bra on una on entra ion importante de germanio) y los perles son, normalmente,
muy distintos del salto de ndi e, tal omo se muestra en la g. f3.9g. Para estas bras no
existe urvas adimensionales universales y ada fabri ante suministra las urvas de dispersion
romati a total de sus produ tos. Las te ni as de dise~no de estos perles se basan en el al ulo
numeri o y hay una extensa bibliografa sobre este tema [75℄.
7 Del ingles "Dispersion shifted single mode ber".

8 Del ingles "Non-zero dispersion attend single mode ber".
9 La manera de onseguir aumentar el ndi e de refra ion de una bra es sustituir un ierto por entaje
de atomos de sili io por atomos de un dopante, generalmente germanio.
DE POLARIZACION
3.7. DISPERSION 63
Figura 3.11: Perturba iones de la simetra de la bra que produ en birrefringen ia. Esfuerzos
ortantes (izquierda) y elipti idad del nu leo (dere ha).
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Dp
Figura 3.12: Fun ion de densidad de probabilidad de la dispersion de polariza ion.
3.7. Dispersion de polariza ion

El modo fundamental de una bra SMF, el LP01 , se ompone, en realidad, de dos
modos degenerados, esto es, on onstantes de propaga ion que son exa tamente iguales y
uyas distribu iones de ampo en la se ion transversal de la bra son ortogonales. Esto es
as en la medida en la que la bra presenta una simetra ilndri a perfe ta. En las bra
reales apare en, sin embargo, perturba iones de ara ter aleatorio que rompen esta simetra
y, por tanto, la degenera ion de estos dos modos se suprime, onvirtiendose, as en una bra
bimodal. Dos ejemplos de asimetras que podemos itar son, por un lado, la introdu ion
(a idental) de una ierta elipti idad en el nu leo de la bra durante su fabri a ion y, por
otro, la apari ion de esfuerzos ortantes en el nu leo que indu en una birrefringen ia opti a,
tal y omo se muestra en la g. f3.11g. Estas perturba iones ambian de un tramo a otro
de la bra y evolu ionan, in luso, a los largo del tiempo.
La birrefringen ia indu ida en la bra introdu e un nuevo termino de dispersion
denominado dispersion de polariza ion que es de naturaleza estadsti a, ya que el lugar y
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

el instante en el que se produ en las asimetras son aleatorios. El estudio de esta dispersion
es muy ompli ado [40℄{[80℄{[81℄{[82℄ ya que se basa en los tratamientos on ve tores y
matri es de Jones, ve tores de Stokes y matri es de Muller y la representa ion sobre la
esfera de Poin are de los estados de polariza ion de la luz y de los dispositivos modi adores
del estado de polariza ion 10 . Por ello no vamos a desarrollar la teora, sino que vamos a dar
dire tamente la on lusion a la que se llega.
La dispersion de polariza ion viene dada por una variable aleatoria, de distribu ion
Maxwelliana. La fun ion de densidad es la siguiente:
s
2 x2 2x22
f (x) = e (3.10)
3
q
Es inmediato demostrar que la media de esta variable aleatoria es D p = 8 . Ahora
bien, al igual que o urre en todos los pro esos de tipo "random walk" la dispersion de
polariza ion no re e linealmente on la distan ia re orrida por los pulsos luminosos sino on
su raz uadrada, de manera que las unidades de D p son nmppsKm . En la g. f3.12g se muestra
la fun ion de densidad de esta variable aleatoria. Viendo esta gura resulta laro por que a
la hora de evaluar la dispersion de polariza ion se toma omo dispersion de polariza ion:
p
pol ' 3D p L (3.11)
10 Ademas es ne esaria una ierta familiaridad on la representa ion de los grupos SU(2) y SO(3).
3.8. PROBLEMAS 65
3.8. Problemas
Problema 4: Se desea dise~nar una bra de dispersion desplazada no nula (NZ-DSF)
utilizando el mismo perl que el de una bra monomodo estandar. La dispersion
residual deseada es de 4ps/nmKm a una longitud de onda de 1550nm. Los ndi es de
refra ion de nu leo y orteza son, respe tivamente, 1,45 y 1,44275. En aso de
existir mas de una solu ion elegir, razonadamente, la mas onveniente. Si el espe tro
de emision de la fuente es de 1nm, estime la an hura que tendra un pulso de
dura ion 20ps despues de re orrer una distan ia de 75 Km
Solu ion: La dispersion romati a del material viene dada por:
Æ m d2 n
L
= 2 2
d
)
m d2 n 1550nm ps
= = 0; 01 = 21; 5
L Æ d 2 3 10 Km=ps
7 nmKm
Como queremos que al sumarle la dispersion romati a de gua quede 4ps/nmKm dedu-
imos que esta debe valer -11.5ps/nmKm. Por tanto:
g n2 V d2 (bV )
= = 17;5ps=nmKm )
L Æ dV 2
V d2 (bV ) 1 ps 7 Km
dV 2
=
n2
17;5
nmKm
1550nm 3 10
ps
Como ' n1n1n2 = 5 10 3 resulta que:
V d2 (bV ) ps Km 1
dV 2 = 17;5
nmKm
1550nm 3 10 7
ps 5 10 1; 44275
3 = 1; 128
2
Si onsultamos la gra a V ddV(bV )
2 dedu imos que V puede tomar dos valores distintos.
Tomamos el mayor ya que se orresponde on un radio mayor y, por tanto, on una bra
mas fa il de onstruir.
V d2 (bV )
= 1; 128 ) V = 1; 6
dV 2
V 1; 6 1; 55 10 6
a= q 2 2 = p = 2; 72m
2 n1 n2 1; 452 1; 442752
Estimar la an hura del pulso tras re orrer 75Km es inmediato:
ps ps
m = TÆ + D (
nmKm
) = 20ps + 4
nmKm
1nm 75Km = 320ps
a=2; 72m
m =320ps
Y DISPERSION
EN FIBRAS OPTICAS

Problema 5: Cal ular las ara tersti as dispersivas de una bra teniendo en
uenta los siguientes datos: Æ = 1550nm, n1 = 1; 45, n2 = 1; 44275, =2nm y
a=2; 44m. Cal ular tambien el tiempo que tardan los pulsos en re orrer 30 Km.
Solu ion: Cal ulemos primero el salto de ndi e adimensional:
n21 n22
=
2n1
' n1 n n2 = 5 10 3
1
A partir de este valor podemos al ular la fre uen ia adimensional:
a p
V = 2 n1 2 = 1; 434 < 2; 403
Æ
Por tanto la bra es monomodo y no hay dispersion intermodal

Æ m d2 n 2
= 2Æ 2 = 0; 01 = 1; 3 10 5
L d Æ 1550

Æ g V d( V b)
L
= n2
dV 2 Æ
= 10
5 )
Æ t
= 0; 3 10 5
L
Por tanto: t = 168ps
" #
Æ tprop d(V b01 )
L
= n2 1 +
dV
' 1; 456 )
tprop = 145; 6s
t = 168ps
tprop = 145; 6s
Captulo 4
El laser de niveles dis retos
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar el laser de niveles dis retos. Este
dispositivo no se emplea en omuni a iones opti as, pero omparte on el resto de
laseres los mismos prin ipios basi os de fun ionamiento; ademas, los fenomenos de
de intera ion luz{materia que se produ en en su medio a tivo son menos omplejos
que los de los laseres semi ondu tores, que son los dispositivos empleados en
omuni a iones por bra opti a. El motivo es que en un laser de niveles dis retos
los estados energeti os a esibles estan uantizados y no forman bandas de
energa, omo en los semi ondu tores.
Para entender el fun ionamiento de los laseres tenemos que introdu ir primero
un me anismo de intera ion luz{materia aun no estudiado: la emision estimulada.
Hallando el balan e del numero neto de fotones a~nadidos a la radia ion
ele tromagneti a omo la diferen ia entre los generados por emision estimulada
menos los robados por absor ion, podemos determinar la ganan ia de un medio
material y, por tanto, las ondi iones de emision de luz laser.
67
68 CAPITULO 4. EL LASER
DE NIVELES DISCRETOS
+Vcc
r
i e
A
Ȧo
Ȝ o~ 1cm
Figura 4.1: Esquema general de un emisor de ondas de radiofre uen ia.
4.1. Introdu ion

En aptulos posteriores, estudiaremos el transmisor que se utiliza normalmente en
omuni a iones opti as (sobre todo en enla es en los que se transmiten tasas binarias elevadas
a grandes distan ias): el laser a semi ondu tor. Sin embargo existe un tipo de laser, que
aunque no se emplea en omuni a iones opti as, es relativamente sen illo de estudiar: el laser
de niveles dis retos. Constan de los mismos elementos basi os que un laser semi ondu tor
y presenta la ventaja de que el medio material ampli ador tiene unos estados energeti os
a esibles de estru tura mu ho mas simple. Por este motivo, omo paso previo al estudio
de los laseres que realmente nos interesan, abordamos el fun ionamiento de los laseres de
niveles dis retos.
Un laser es, basi amente, un os ilador o generador de ondas ele tromagneti as y su
estru tura y elementos basi os son los mismos que los de un os ilador de radiofre uen ia, on
la parti ularidad de que la longitud de onda de emision es bastante orta, del orden de una
mi ra. En la g. f4.1g se muestran los elementos basi os de una emisora de radiofre uen ia,
que son:
1. Un ampli ador, en argado de reprodu ir a la salida on mayor amplitud ualquier
radia ion ele tromagneti a que haya a su entrada, siempre que aiga dentro de su an ho
de banda de fun ionamiento.
2. Una fuente de alimenta ion que ede al medio ampli ador la poten ia ne asaria
para realizar esta fun ion.
3. Una red o bu le de realimenta ion que ja la pulsa ion de la radia ion ele tro-
magneti a emitida por el os ilador.
4. Una antena que emita la radia ion generada al espa io radioele tri o.

4.1. INTRODUCCION 69
)CUCVxOKEQ `#ORNKHKECFQT
#
R=1 4`#PVGPC
'URGLQ`
4GCNKOGPVCEKxP .W\NhUGT
$NQSWG4
/GECPKUOQFGDQODGQ `8EE
Figura 4.2: Estru tura de un laser y su analoga on la de un emisor de ondas RF.
El medio material de un laser de niveles dis retos es, en mu has o asiones, un gas
atomi o omo el des rito en el aptulo 1. Sobre este medio se a tua externamente suminis-
trando una ierta poten ia (este pro eso se ono e on el nombre de bombeo ) para onseguir
que el gas tenga un oe iente de ganan ia de manera que se amplique la luz que se pro-
paga en su seno (siempre que aiga dentro de un determinado intervalo espe tral). El gas
esta metido en un tubo ilndri o hermeti o, limitado en sus extremos por dos espejos que
tienen un oe iente de re exion en poten ia alto. El volumen denido por el tubo y los dos
espejos se denomina avidad resonante y es el equivalente a la red de realimenta ion de un
emisor de ondas de RF y determina la longitud de onda de emision Æ . Para que se produz a
la emision de luz, uno de los espejos tiene un oe iente de re exion inferior a la unidad,
de forma que deja pasar al exterior parte de la radia ion ele tromagneti a in idente y es el
equivalente a la antena emisora del os ilador de RF. En la g. f4.2g se muestra la estru tura
de un laser de niveles dis retos y se ompara on la de una emisora de radiofre uen ias (RF).
Las ara tersti as de la luz emitida por un laser son las mismas que las de la radia ion
ele tromagneti a generada por una emisora de RF, a saber:
1. Luz espe tralmente pura.

2. Luz pertene iente a un uni o modo espa ial. Esto quiere de ir que la luz se
propaga en una dire ion espe a del espa io 1 .
3. Luz polarizada. Al igual que la radia ion generada por una emisora de radio, el
estado de polariza ion es jo.
1 Esto es debido a que la avidad resonante es muy alargada. Si la avidad resonante fuese, por ejemplo,
esferi a, el laser emitira ondas esferi as.
E2,N 2
Ȗ =1/Ĳ
rad esp
BW(Ȧ)
E ,N

Emisión espontánea Absorción
Figura 4.3: Diagrama de estados energeti os a esibles de un atomo y pro esos lasi os de
intera ion luz{materia.
4.2. Coe ientes de Einstein

En el primer aptulo des ribimos de una manera simpli ada los me anismos de in-
tera ion entre la luz y un medio material parti ular: un gas atomi o. Vimos que existan dos
me anismos de intera ion luz{materia: El primero, la absor ion, se maniesta laramente
uando se propaga por el medio una radia ion ele tromagneti a uya pulsa ion ! toma un
valor er ano a la pulsa ion ara tersti a del atomo !Æ . La absor ion se produ e porque
los atomos (u os iladores me ani os en el modelo de Lorentz) roban energa ele tromagneti-
a a la radia ion que se propaga, aumentando su energa me ani a (poten ial y ineti a)
de os ila ion. El segundo pro eso es la emision espontanea, que apare e omo onse uen ia
del termino de fri ion del os ilador me ani o y onsiste en la emision por parte de los
atomos de fotones on pulsa ion, fase, estado de polariza ion y dire ion de propaga ion
relativamente aleatorios.
Existe un ter er me anismo de intera ion luz{materia sin el que sera imposible
el fun ionamiento del laser: la emision estimulada. El objetivo de esta se ion es in luirlo
en nuestro modelo de intera ion y des ribir los anteriores pro esos (absor ion y emision
espontanea) teniendo en uenta que, en realidad, los estados energeti os a esibles para los
atomos estan dis retizados, tal y omo se muestra en la g. f4.3g. Aunque siempre hay
mas de dos estados energeti os a esibles, no vamos a onsiderar los demas on objeto de
simpli ar el estudio.
El modelo me ani o introdu ido en el aptulo 1 predi e resultados ualitativamente
iertos para medios materiales diele tri os bajo ondi iones relativamente proximas al equi-
librio termi o pero, ademas, podemos modi arlo para in luir en el la emision estimulada.
4.2. COEFICIENTES DE EINSTEIN 71
E 2,N2 E 2,N2
E 1,N1 E 1,N1
#PVGU Después
Emisión espontánea
E ,N '0
2 2
W(Ȧ) W(Ȧ)
E 1,N1 '0

Antes Después
Absorción
E 2,N2 E 2,N2
W(Ȧ)
W(Ȧ)
E 1,N1 '0
1
#PVGU &GURWoU
'OKUKxPGUVKOWNCFC
Figura 4.4: Pro esos elementales de intera ion luz{materia.
La rela ion que existe entre la pulsa ion ara tersti a !Æ y los parametros de la g. f4.3g es
!Æ = E2 h E1 . Sabemos, ademas, que los atomos pueden absorber y emitir radia ion espontanea
de pulsa iones ligeramente distintas a !Æ , lo que quiere de ir que los estados energeti os E1
y E2 tienen una ierta in ertidumbre 2 en uanto a su valor, tal omo se muestra en la gura.
Por tanto, los pro esos de intera ion luz{materia no tienen por que produ irse exa tamen-
te a la pulsa ion !Æ , sino que pueden produ irse en un intervalo estre ho de pulsa iones
alrededor de este valor. La fun ion de densidad de probabilidad de esta variable aleatoria
(pulsa ion o fre uen ia a la que se produ e un pro eso de intera ion luz{materia) re ibe el
nombre de fun ion de lnea.
La primera des rip ion uanti a de los pro esos de intera ion luz{materia la dio Eins-
tein en 1915 on un modelo fenomenologi o [67℄{[98℄ y en ella, ademas de los pro esos de
2 Si ninguno de los dos estados es el de mnima energa, los tiempos medios de permanen ia de un atomo
en ellos son nitos y la segunda rela ion de in ertidumbre de Heissenberg arma que los valores energeti os
no estan bien denidos.
E2,N 2
Ȗ =1/Ĳ
rad esp
BW(Ȧ) BW(Ȧ)
E ,N
1 1
Emisión espontánea Emisión estimulada Absorción
Figura 4.5: Diagrama ompleto de los pro esos de intera ion luz{materia.
absor ion y emision espontanea, introdujo un nuevo me anismo de intera ion: la emision
estimulada. Las e ua iones que des riben estos fenomenos son las siguientes 3 :
! 9
N2 N
= 2 l(! )d!
>
>
>
!
t esp esp >
>
>
>
>
N2 >
=
= BW (! )l(! )N1d! (4.1)
t !abs >
>
>
>
N2 >
>
= BW (! )l(! )N2d! >
>
>
t est ;
En estas e ua iones N2 representa el numero de atomos que, por unidad de volumen,

o upan el estado energeti o "2". Este numero puede aumentar gra ias a la absor ion y dis-
minuir por ulpa de la emision espontanea y por el aun no des rito me anismo de emision
estimulada. El termino W (! ) representa la densidad espe tral de energa ele tromagneti a
por unidad de volumen, mientras que N1 indi a el numero de atomos que, por unidad de
volumen, o upan el estado energeti o "1". Este numero puede re er gra ias a los me anis-
mos de emision espontanea y emision estimulada y disminuir por ulpa del me anismo de
absor ion. Los parametros B y rad = esp1 son los oe iente fenomenol ogi os de Einstein,
uyo valores teori os solo pueden al ularse a udiendo a me ani a uanti a 4 .
En la g. f4.4g se representan los tres pro esos arriba men ionados 5 . En el primero,
3 Suponemos que el grado de degenera ion para los estados "1" y "2" es el mismo.
4 Si empleamos la "regla de oro" de Dira (injustamente ono ida omo "regla de oro de Fermi") [28℄ los
al ulos se pueden ha er en el mar o de una teora semi lasi a. Si no, hay que a udir a la ele trodinami a
uanti a [22℄{[42℄{[50℄{[67℄.
5 En realidad no es l ito representar los fotones omo part ulas lo alizadas ni onsiderar un uni o atomo.
4.2. COEFICIENTES DE EINSTEIN 73
la emision espontanea, se produ e el paso de un atomo del estado energeti o superior al

inferior y la emision de un foton de energa er ana a E2 E1 , propagandose en ualquier
dire ion del espa io, on ualquier estado de polariza ion y on ualquier referen ia de fase.
Hay que desta ar el he ho de que este pro eso o urre independientemente de la presen ia o
no de radia ion ele tromagneti a en el medio 6 y de ah el sentido del adjetivo espontaneo.
Los otros dos pro esos estan estimulados por la presen ia de un ampo ele tromagneti o
de pulsa ion er ana a !Æ = E2 h E1 y, de alguna manera, son el inverso el uno del otro. El
segundo pro eso, la absor ion, supone el paso de un atomo del estado energeti o inferior al
superior, tomando la energa ne esaria de la radia ion ele tromagneti a que se propaga por el
medio (es de ir, se roba un foton y el atomo pasa al estado de mayor energa). Por ultimo, la
emision estimulada onsiste en el paso de un atomo del estado superior al inferior, estimulado
por la presen ia de radia ion ele tromagneti a de pulsa ion er ana a !Æ = E2 h E1 . La energa
perdida se emplea en aumentar en uno el ujo de fotones que atraviesa el medio atomi o.
El numero de fotones produ idos o robados por un pro eso de intera ion luz{materia,
en un intervalo espe tral (!; ! + d! ) se es ribe omo el produ to de una serie de terminos:
1. Un oe iente de propor ionalidad, que es rad para el pro eso espontaneo y B para
los pro esos estimulados.
2. La densidad de atomos que orresponda: N1 para la absor ion y N2 para los pro esos
de emision.
3. La densidad espe tral de energa W (! ) (por unidad de volumen) para los pro esos
estimulados.
4. La probabilidad de que se produz a un pro eso de intera ion a esa pulsa ion l(! )d! .
El signi ado de la fun ion de lnea pare e laro: puesto que existe una ierta banda de
in ertidumbre en uanto a la posi ion de los estados energeti os E1 y E2 , pueden produ irse
pro esos de intera ion en un entorno de pulsa iones alrededor de !Æ 7 . ComoR la intera ion
tiene que produ irse a alguna pulsa ion, queda laro que l(! ) veri a que 01 l(! )d! = 1
omo ualquier fun ion de densidad de probabilidad.
Ya estamos en disposi ion de representar e interpretar el diagrama ompleto de los
se muestra en la g. f4.5g. Einstein, a partir
pro esos de intera ion luz{materia. Este
de onsidera iones termodinami as [98℄, dedujo la existen ia de la emision estimulada y
determino la rela ion que existe entre el oe iente aso iado a los pro esos estimulados (B )
6 En algunos libros de ele trodinami a uanti a se arma que la emision espontanea esta, en realidad,
estimulada por las u tua iones de la energa de va o del ampo ele tromagneti o y que esta, junto on
el efe to Casimir y la renormaliza ion de masa y arga, son las manifesta iones fsi as mas evidentes del
va o ele tromagneti o. Interpreta iones mas profundas y re ientes de la emision espontanea [73℄ matizan y
orrigen esta interpreta ion.
7 En realidad hay otros pro esos que ontribuyen a ensan har aun mas la fun ion de densidad [92℄. Los
hay que afe tan por igual a toda la pobla ion atomi a, en uyo aso se tiene una fun ion de lnea homogenea
(sera el aso en el que las olisiones atomi as elasti as fuesen el fenomeno dominante). En otras o asiones
los pro esos de ensan hamiento espe tral " lasi an" la pobla ion atomi a en "familias", y enton es se di e
que la fun ion de lnea es inhomogenea (sera el aso de un gas en el que el pro eso dominante fuese un
ensan hamiento por efe to Doppler).
AT AT
ĭ(x) ĭ(x+dx)
x
x+dx
Figura 4.6: Volumen de ontrol del medio ampli ador.
y el pro eso espontaneo ( rad ), que es el siguiente (f es la fre uen ia de la radia ion y n el
ndi e de refra ion del medio):
B 3Æ
= (4.2)
rad 8hf 3 n3
Tambien podemos determinar omo vara on el tiempo la pobla ion atomi a:

!
N2 N
= 2 l(! )d! + B (N2 N1 )W (! )l(! )d!
t ! esp
)
!
Z 1
N2 N2
= + B (N2 N1 ) W (! )l(! )d! (4.3)
t tot esp 0
4.3. Ganan ia de un medio atomi o

En este apartado pretendemos dedu ir la expresion del oe iente (! ) teniendo
en uenta la emision estimulada. Ademas, ono iendo el valor de este oe iente, podemos
dedu ir las ondi iones que deben veri arse para que el medio no atenue la luz, sino que la
amplique. Evidentemente, lo que debemos ha er es determinar el numero neto de fotones
edidos a la radia ion que se propaga por el medio, es de ir, la diferen ia entre los a~nadidos
por emision estimulada menos los robados por absor ion e imponer que este numero sea
positivo:

4.3. GANANCIA DE UN MEDIO ATOMICO 75
Į(Ȧ) E Ȧo E2 Ä E 1
h
E2
Į sc E 1
Ȧo Ȧ N
BW N1 N2
Figura 4.7: Condi iones de inversion de pobla ion en un medio atomi o.
!
N2 rad 3Æ
= (N N1 )W (! )l(! )d! (4.4)
t ! 8hf 3 n3 2
De esta expresion dedu imos que la ondi ion para que el medio amplique la radia ion
ele tromagneti a es que el numero de atomos que estan en el nivel energeti o superior (el
ex itado) sea mayor que el numero de atomos que estan en el estado inferior (fundamental) 8 .
Cal ulemos, a ontinua ion, la evolu ion del ujo de fotones que atraviesan el medio atomi o.
En la g. f4.6g se muestra un volumen de ontrol que forma parte del medio por el que se
propaga la luz. Este volumen de ontrol esta entrado en un punto generi o de la oordenada
longitudinal x y esta denido por dos se iones transversales de area At separadas entre s por
una distan ia dx. El numero total de fotones edidos a la radia ion en este volumen de ontrol
es la diferen ia entre los a~nadidos por emision estimulada menos los robados por absor ion:
!
N2
t
At dx (4.5)
est abs
Los fotones que se rean en este volumen de ontrol ha en que por la super ie At
entrada en x + dx salga un numero de fotones mayor que los que entran por la super ie
At entrada en x. Es de ir, podemos es ribir:
!
N2
t
At dx = (x + dx) At (x) At =
x
At dx )
est abs !
N2
= (4.6)
t est abs x
Medio atómico con inversión de población
N2 ± N 1> 0
Onda de pulsación cercana a Ȧpropagándose

Q
[Į(Ȧ)-Į]z/2 j[Ȧt-ȕ(Ȧ)z]
E=E oe e
Figura 4.8: Onda propagandose por una medio atomi o in inversion de pobla ion.
Pero >que es el ujo exa tamente? Pues el numero de fotones que atraviesan la unidad
de area transversal en la unidad de tiempo. El o iente W (hf!)d! es el numero de fotones que,
por unidad de volumen, hay en el intervalo espe tral (!; ! + d! ) y si lo multipli amos por
la velo idad on la que se mueve el haz nÆ obtenemos el numero de fotones que atraviesan la
unidad de area en la unidad de tiempo en el intervalo espe tral (!; ! + d! ), es de ir, el ujo:
W (! ) Æ
= (4.7)
hfn
La ganan ia del medio por unidad de longitud (llamado oe iente de atenua ion si
es un numero negativo) es, por deni ion:
rad 3Æ
1 8hf 3 n3 (N2 N1 )W (! )l(! )N1d! rad 2Æ
(! ) := = = (N N1 )l(! ) (4.8)
x W (! ) Æ 8n2 2
hfn
Si ahora parti ularizamos para un medio que tenga omo fun ion de lnea una lorent-
9,
ziana el oe iente de ganan ia por unidad de longitud tendra la siguiente expresion, en
la que el termino que apare e en el numerador, 2 ! , no es mas que un oe iente de norma-
liza ion para onseguir que el area de la fun ion de lnea sea igual a la unidad y represente,
por tanto, una densidad de probabilidad:
8 En realidad la ondi ion es que g2N2 g1N1 > 0, donde g1 y g2 representan el grado de degenera ion
de los estados E1 y E2. Para simpli ar, suponemos que g1 = g2.
9 Es la fun ion de lnea tpi a de un medio atomi o on ensan hamiento homogeneo.

4.4. FUNCIONAMIENTO DE UN LASER 77
$1/$'1
.W\
NhUGT
/GFKQCORNKHKECFQT
4 4
Figura 4.9: Cavidad resonante en un laser de niveles dis retos.
2
2 !
(! ) = rad 2Æ (N2 N1 ) ! !Æ 2 (4.9)
8n 1+( )
!=2
Puesto que (! ) tiene unidades de la inversa de una longitud, es de ir, [(! )℄ = L 1 ,

mientras que N2 N1 tiene unidades de la inversa de un volumen, es de ir, [N2 N1 ℄ = L 3 ,
resulta laro por que al termino restante se le da el nombre de se ion ruzada o se ion
e az. Su expresion analti a es la siguiente:
2
rad 2 !
(! ) = (4.10)
8 1 + ( ! !Æ )2
!=2
4.4. Fun ionamiento de un laser

Supongamos que tenemos un medio material en el que N2 N1 > 0 (se di e enton es
que en el medio hay una inversion de pobla ion). En este aso tenemos un oe iente de
ganan ia por unidad de longitud (! ) > 0. Al igual que en ualquier otro medio diele tri o,
existen u tua iones lo ales del ndi e de refra ion que produ en perdida por s attering
Rayleigh, perdidas que podemos suponer onstantes e independientes de la pulsa ion ! , tal
omo se muestra en la g. f4.7g. Veamos que es lo que o urre uando se propaga por este
medio una radia ion ele tromagneti a de pulsa ion er ana a !Æ = E2 h E1 .
En estas ir unstan ias, si la pulsa ion de la onda ele tromagneti a que se propaga
por el medio ae dentro del an ho de banda donde el oe iente de ampli a ion es posi-
tivo, su amplitud re e a medida que se propaga, tal y omo se muestra en la g. f4.8g.
Lm
P número entero
2Lm 2nLm
ǻĭ= Ȝ o 2ʌ = p 2ʌ ĺ Ȝ o = p
n
Figura 4.10: Longitudes de onda sele ionadas por la avidad resonante.
Evidentemente, para mantener la inversion de pobla ion, esto es, N2 N1 > 0, in luso en
ausen ia de radia ion ele tromagneti a, es pre iso suministrar una determinada poten ia al
medio, ya que la tenden ia natural de los atomos es aer del estado energeti o ex itado (E2 )
al fundamental (E1 ) por emision espontanea 10 . En ausen ia de fenomenos estimulados y
despre iando otros pro esos de desex ita ion, el tiempo que, en promedio, permane e un
atomo en el estado superior antes de aer al estado fundamental es esp = rad1 .
>Como introdu imos la realimenta ion en el laser? Limitamos el medio ampli ador
metiendo el gas atomi o en un tubo ilndri o hermeti o en uyos extremos olo amos dos
espejos (planos o urvos), paralelos entre s. Uno de ellos debe tener un oe iente de re exion
ligeramente inferior a la unidad, tal omo se muestra en la g. f4.9g. Mediante el me anismo
de bombeo (que aun no hemos des rito), se matiene la inversion de pobla ion. El objeto
de la avidad resonante es doble: por un lado, se onsigue que un foton 11 re orra el medio
material varias ve es antes de salir de la avidad, de manera que ompensamos el he ho de
que el oe iente de gana ia sea bajo 12 . Por otra parte la avidad sele iona un onjunto
dis reto de longitudes de onda a las que el laser puede emitir. Estas longitudes de onda son
aquellas para las que, despues de un ida y vuelta ompleta por la avidad, se produ e un
desfase un numero entero de ve es la antida 2 . Esto se muestra en la g. f4.10g.
La avidad sele iona estas longitudes de onda porque solo a estas se produ e una
interferen ia onstru tiva entre las ondas re ejadas por los espejos. Para el resto, la interfe-
ren ia es destru tiva por lo que desapare en de la avidad. Ahora lo que debemos plantearnos
es por que el laser a aba emitiendo a una uni a longitud de onda si existe todo un onjunto
dis reto de ellas para las que se umple que > s + esp, donde esp son las perdidas que
se produ en por la re exion par ial en el espejo on R < 1.
10 En realidad hay pro esos fsi os por los que el atomo puede pasar del estado "2" al "1" sin emitir un
foton.
11 Esta arma ion es po o rigurosa e in luso podramos ali arla de erronea. Sin embargo, a ve es resulta
pedagogi amente util referirse a los fotones omo si fuesen bolas de billar.
12 El medio a tivo esta, generamente, muy diluido ya que la presion del gas que hay dentro de la avidad
es muy baja.

4.4. FUNCIONAMIENTO DE UN LASER 79
W(Ȧ)
Į+Į
sc esp
Ȧ
q-2 q-1 q q+1 q+2
W(Ȧ)
Į+Į
sc esp
Ȧ
q-1 q q+1
Į+Į
sc esp
W(Ȧ)
Ȧ
q
Figura 4.11: Evolu ion de la densidad volumetri a de energa ele tromagneti a dentro de la
avidad. Las guras de arriba representan un tiempo un po o posterior al arranque del laser
y las de mas abajo el regimen permanente.
En la g. f4.11g vemos omo evolu iona la densidad de energa dentro de la avidad.

Ini ialmente hay genera ion de fotones por emision espontanea. Una peque~na fra ion de esta
oin ide en fre uen ia on los modos longitudinales de la avidad para los que la ganan ia por
unidad de longitud es mayor que las perdidas. De esta radia ion hay, a su vez, otra peque~na
parte se propaga perpendi ularmente a los espejos de la avidad. Esta peque~na fra ion de
emision espontanea se realimenta positivamente y empieza a re er su densidad volumetri a
de energa. Esta situa ion se muestra en las gura de mas arriba. A medida que re e W (! ),
hay un mayor numero de atomos que pasan del estado ex itado al fundamental, on lo que
la inversion de pobla ion disminuye y, onsiguientemente, el oe iente de ganan ia tambien
disminuye. Modos para los que ini ialmente haba realimenta ion positiva, pasan a ver un
oe iente de gana ia inferior al de perdidas por lo que la densidad espe tral de energa
a esas fre uen ias ae a ero. Esta situa ion se ha representado en las gura entrales de
[4.11℄. Por ultimo se llega a una situa ion de regimen permanente, en la que pervive un
uni o modo, para el que el oe iente de gana ia ompensa exa tamente el de perdidas. El
medio ampli ador repone los fotones que salen de la avidad por los espejos o por s attering
Rayleigh, pero no puede ha er re er su numero.
~+ ~+
E2L E o
Lm
r1
Į sc Į (Ȧ) r2
Figura 4.12: Condi ion de os ila ion del laser: despues de una ida y vuelta por la avidad
resonante, la amplitud debe ser la misma y el desfase un numero entero de ve es la antidad
2 .
Vemos que el laser tiene, en prin ipio, tenden ia e emitir a varias pulsa iones. Sin
embargo hay una autorregula ion a la baja de (! ), de manera que tras un ortsimo regimen
transitorio emite a uni a pulsa ion 13 para la que se veri a que (! )rp = (! )(N2 N1 )rp =
s + esp.
4.5. Condi iones de os ila ion de un laser

La ondi ion de os ila ion de un laser se obtiene imponiento ondi iones esta ionarias
al ampo ele tromagneti o dentro de la avidad, dese hando, naturalmente, la ondi ion
trivial E (z; t) = 0. Para imponer ondi iones esta ionarias estudiamos la ida y la vuelta de
una onda ele tromagneti a e imponemos que no ambie ni la amplitud ni la fase de la onda
omo onse uen ia de este re orrido. Ver g. f4.12g.
j!t zn
E (z; t) = EÆ exp[((! ) s )z ℄e t= (4.11)
Æ
8
>
> E + (0; 0) = EÆ
[(!) s ℄L e j! Ln
>
E + (L; Ln
>
>
>
>
> Æ ) = E Æ e Æ
[(!) s ℄L e j! Ln
<
E (L; Ln Æ ) = EÆ r2 e
Æ (4.12)
>
>
2 Ln [(! ) s e j! Æ
℄2L 2Ln
>
>
>
>
E (2L; Æ ) = EÆ r2 e
[(!) s ℄2L e j! 2 Ln
>
E + (2L; 2 Ln
>
Æ ) = E Æ r1 r2 e
:
Æ
13 En realidad esto es ierto solo enmedios en los que la fun ion de lnea es homogenea. Si no lo es, se
puede produ ir el fenomeno de "hole burning" espe tral [92℄ y el laser puede emitir a longitudes de onda
orrespondientes a varios modos longitudinales. De todas maneras, in luso si los me anismos de ensan ha-
miento de la fun ion de lnea son homogeneos, puede produ irse emision laser a pulsa iones orrespondientes
a distintos modos longitudinales. Este fenomeno se ono e on el nombre de "hole burning" espa ial y es
espe ialmente importante en laseres a semi ondu tor [4℄.
DE UN LASER
4.5. CONDICIONES DE OSCILACION 81
^'
\^
Ȝ/2
.O
Figura 4.13: Estima ion del orden del modo longitudinal presente en la avidad de un laser
de niveles dis retos.
Para tener ondi iones esta ionarias debe veri arse:

8
E + (2L; 2 Ln
Æ ) = 16 p2 p 2 N
< = s + 21L Ln( r11 r12 )
E (0; 0)
+ ) : ! 2Ln = p 2 p2N
(4.13)
Æ
Estas dos ultimas expresiones tienen una interpreta ion sen illa: En primer lugar, la
gana ia del medio a tivo (por unidad de longitud) debe ompensar las perdidas (tambien
por unidad de longitud) de la avidad. De esta manera podemos tener una energa ele tro-
magneti a onstante dentro del ilindro y una poten ia, tambien onstante, saliendo por el
espejo semire e tante. Por otro lado, omo ya hemos visto, la avidad sele iona un onjunto
de pulsa iones o longitudes de onda determinadas: las orrespondientes a los modos propios
(o, tambien llamados, modos longitudinales 14 ).
Vamos ahora a dar valores tpi os a los parametros de un laser de niveles dis retos.
En primer lugar, la avidad resonante tiene una longitud del orden de L ' 0;5m, el ndi e
de refra ion es del orden de n ' 1 ya que el gas suele estar muy diluido (la presion es
muy baja). El oe iente de re exion en poten ia del espejo semire e tante es R ' 0;8 y
un oe iente de s attering Rayleigh tpi o puede ser s ' 1 m 1 . Teniendo en uenta que
R = jrj2 resulta que la gana ia del medio debe ser del orden de ' 4 m 1 . Sabemos tambien
que las pulsa iones propias de la avidad vienen dadas por la expresion !p = p 2 2 L
Æ , de
manera que la separa ion entre dos modos onse utivos es del orden de ! = !p+1 !p =
Æ ' 2 300 106 . Viendo la g. f4.13g podemos estimar u
2 2 nL al es el modo longitudinal
existente en la avidad resonante. Para ello, tenemos que tener en uenta que el o iente
Lm
=2 = p es un n umero entero. Dado que la longitud es del orden de 50 m, la longitud de
onda de emision es del orde de 1m, resulta que p ' 5 105.
14 Estamos suponiendo que la distribu ion transversal admisible para ampo ele tromagneti a en la avidad
es uni a. Normalmente los laseres de niveles dis retos y semi ondu tores (salvo los que se optimizan para
emitir la maxima poten ia posible) se dise~nan para que esto sea as.
4.6. Me anismo de bombeo.
Existe una gran variedad de medios a tivos on los que se puede fabri ar un laser.
Sin embargo todos, salvo el laser a semi ondu tor, tienen una ara tersti a omun: el medio
a tivo esta muy diluido, es de ir, hay po os atomos opti amente a tivos (tambien pueden ser
mole ulas o iones) por unidad de volumen. Si tenemos en uenta que (! ) es propor ional a
l(! ) (fun ion de densidad de probabilidad de transi ion entre estados) resulta evidente que
la ampli a ion sera tanto mas sen illa uanto menor sea la an hura espe tral de la ganan ia
15 . Esto s
olo es posible en medios diluidos. En los laseres de estado solido (salvo los laseres
semi ondu tores), los elementos a tivos son iones dispersos en el seno de un medio vtreo
que a tua de soporte, en los laseres lquidos (de olorantes) o urre lo mismo: el lquido no es
mas que un medio donde se disuelve un olorante, que es el material opti amente a tivo. Por
ultimo, en los gases, la presion de trabajo es muy baja, de forma que los atomos o mole ulas
estan separados por distan ias medias grandes.
4.6.1. Laser de tres niveles.

E3
Tr
an
sic
io
n
ra
pi
da
N2 E2
Bombeo
Radiacion estimulada
N1 E1
Figura 4.14: Medio a tivo de tres niveles.
Las ara tersti as de un laser de tres niveles se muestran en la g. f4.14g. El nivel

energeti o "1" es el estado fundamental de los atomos, mientras que los estados "2" y "3" son
estados ex itados. El sistema de bombeo se en arga de eder energa al medio ampli ador,
indu iendo transi iones entre el estado fundamental y el "3", siendo este inestable, es de ir,
su tiempo medio de permanen ia es muy peque~no, es de ir, 32 21 . Por este motivo los
atomos se desex itan rapidamente al estado "2", donde permane en mas tiempo al ser un
estado metaestable.
15 Para que exista empli a ion es ne esario que (!) > p . Si la an hura espe tral de l(!) es grande, su
amplitud debe ser peque~na (de he ho resulta habitual aproximar l(!) ' 1! ) y la ampli a ion dif il.
4.6. MECANISMO DE BOMBEO. 83
Entre los niveles "1" y "2" se produ en los fenomenos de absor ion y emision estimu-
lada, que son los responsables de la ampli a ion de luz. En este tipo de laseres el bombeo
tiene que ser muy energi o, puesto que hay que llevar un numero importante de atomos al
estado "2" (al menos la mitad). Teniendo en uenta que el bombeo es generalmente opti-
o (en este tipo de sistemas) los laseres a tres niveles solo son fa tibles si en la transi ion
"1"{"3" hay una banda de absor ion muy importante 16 .
4.6.2. Laseres de uatro niveles.

E4
Tr
a
ns
ic
io
n
ra
p id
a
N3 E3
Radiacion estimulada
Bombeo
N2 E2
Transicion rapida
N1 E1
Figura 4.15: Medio a tivo de uatro niveles.
En la g. f4.15g se muestra la estru tura energeti a de un laser a uatro niveles. El

nivel 1 es el fundamental y el bombeo se produ e entre los niveles "1" y "4". El nivel "4"
es inestable, por lo que rapidamente se desex ita ha ia el nivel "3", donde el tiempo medio
de permanen ia es, en terminos relativos, grande. Entre los niveles "3" y "2" se produ en
los fenomenos de emision estimulada y de absor ion. Los atomos que pasan al nivel "2"
(por emision estimulada) se desex itan rapidamente, ya que se trata de un estado inestable,
pasando rapidamente al nivel fundamental. Por onsiguiente la pobla ion atomi a del nivel
"2" es muy peque~na. Vemos que on un peque~na poten ia de bombeo se onsigue la inversion
de pobla ion, ya que N2 ' 0 y se puede produ ir ampli a ion opti a. Esta es la gran ventaja
de los sistemas de uatro niveles y el motivo por el que la mayor parte de los laseres de niveles
dis retos son de este tipo.
16 En realidad el estado "3" no es un uni o nivel energeti o, sino un onjunto de niveles proximos entre
s que posibilitan la absor ion de una parte signi ativa de los fotones que rea la fuente de luz en argada
del bombeo (normalmente una lampara ash o una laser semi ondu tor).
4.7. Problemas
Problema 6: Se desea modi ar la e ua ion de polariza ion ma ros opi a de un
gas de manera que tenga en uenta la emision estimulada. Sugeren ia: ompare los .
oe ientes de gana ia (en realidad de atenua ion) que se derivan del modelo
lasi o de os iladores y fuer e a que oin ida on la expresion obtenida en este
aptulo.
Solu ion: La e ua ion de la polariza ion ma ros opi a dedu ida en el segundo tema es:
2 Nq 2 E (t)
Px + ( + )P_x + !o2 Px =
To dV m
de la que se dedu a el siguiente oe iente de absor ion:
2
2 q2 N !
(! ) = If(! )g =
Æ Æ mÆ !Æ dV ( !Æ ! )2
1 + !=2
la expresion que hemos obtenido en este tema es:
2
2 !
(! ) = rad 2Æ (N2 N1 ) ! !Æ 2
8n 1+( )
!=2
Vemos, pues, que lo que hay que ha er es identi ar la densidad de os iladores lasi os dV N
3
on la densidad de atomos en inversion de poble ion N2 N1 y el o iente mq on rad82Æn2Æ !Æ .
Con estas sustitu iones queda:
2 3 !
Px + ( + )P_x + !Æ2 Px = rad 2Æ Æ2 Æ (N2 N1 )E (t)
TÆ 8 n
Que es la expresion me ano uanti a orre ta de la polariza ion ma ros opi a de un medio
diele tri o de dos niveles.
Captulo 5
Gana ia opti a de un semi ondu tor
Resumen: En este tema vamos a estudiar el medio a tivo del transmisor que
mas se emplean en los sistemas de omuni a ion por bra opti a: el laser semi-
ondu tor.
Los semi ondu tores son solidos mono ristalinos uyas propiedades ele tri as
se situan en un punto intermedio entre las de los metales y los aislantes. En este
aptulo se dara una breve introdu ion a las propiedades fsi as de los
semi ondu tores para estudiar, seguidamente, los pro esos de intera ion
luz{materia en estos materiales. En parti ular pretendemos al ular el
oe iente de ganan ia (o de atenua ion) y rela ionarlo on la on entra ion de
portadores. La materia tratada en este aptulo es fundamental para entender el
fun ionamiento de los laseres de avidad Fabry-Perot y los de avidad distribuida.
85
86 CAPITULO 5. GANACIA OPTICA

DE UN SEMICONDUCTOR
Cúbica simple Cúbica centrada Cúbica centrada

en el cuerpo en la cara
Trigonal centrada Trigonal simple

en el cuerpo
Figura 5.1: Algunos ejemplos de eldillas elementales.
5.1. Introdu ion

Los solidos ristalinos [12℄{[88℄ tienen un estru tura muy regular. Los atomos que los
onstituyen se ordenan en el espa io de una manera periodi a asi perfe ta, de forma que el
solido puede verse omo un "mosai o", en el que existe un bloque elemental que se repite
regularmente en las tres dire iones del espa io [93℄. En la g. f5.1g se muestran distintos
ejemplos de eldas elementales, a partir de las uales puede onstruirse el solido ristalino
desplazando esta a lo largo los tres ve tores de transla ion aso iados a sus aristas. Estos
ristales son sustan ias anisotropas, es de ir, sustan ias uyas propiedades dependen de la
dire ion o el plano en que se midan. No es dif il onven erse de esto si se observa que
existen dire iones y planos esen ialmente distintos, donde la periodi idad en la repeti ion
de atomos es distinta.
La extension espa ial de las "orbitas" 1 de los ele trones de un atomo aislado es
tanto mayor uanto mayor es la energa del ele tron. Por ello, uando se aproximan entre
s los atomos para formar un solido ristalino, son pre isamente los ele trones de valen ia
(que orbitan a mayor distan ia del nu leo) los uni os que intera ionan 2 . Esto justi a
el onsiderar separadamente el onjunto formado por el nu leo del atomo y los ele trones
internos (a este onjunto lo llamaremos nu leo de la red ristalina) por un lado y los ele trones
de valen ia por otro.
Cuando dos atomos iguales estan lo su ientemente separados, los ele trones de uno
1 En realidad se debera hablar de las fun iones de onda aso iadas [14℄ a los ele trones en estados esta io-
narios (es de ir, de energa onstante).
2 En algunos elementos esta hipotesis simpli ativa no es valida.

Banda de
conducción
(4N estados)
6N estados 2p
2N estados 2s
Banda de
valencia
(4N estados)
2Nestados 1s
Atomos muy
Distancia de alejados
separación
Figura 5.2: Forma ion de las bandas de valen ia y ondu ion de un ristal de arbono.
y otro no intera ionan entre s. Las "orbitas" orrespondientes a ele trones equivalentes
de estos dos atomos no solapan. Aquellos ele trones que o upan niveles similares en ambos
atomos tienen la misma energa y sus "orbitales" son iguales (mientras no haya intera ion
entre ambos). Sin embargo, a medida que se aproximan, las "orbitas" omienzan a solapar
on lo que se ven perturbadas. Cualitativamente se observa un desplazamiento de los niveles
energeti os de ambos ele trones de forma que estos no oin idan.
En la g. f5.2g se observa lo que o urre a medida que se a er an los N atomos de

una red ristalina de arbono [71℄. Los 2N niveles energeti os 2s de los atomos, as omo
los 6N niveles 2p, empiezan a separarse, formando, ini ialmente, dos "bandas" de niveles
energeti os, una orrespondiente a los 2N niveles 2s y otra orrespondiente a los 6N niveles
2p (N es el numero de atomos de la red ristalina). Si el a er amiento entre atomos ontinua,
las dos bandas se funden en una sola. Si la aproxima ion es aun mayor, esta banda se divide
en dos, ada una de las uales ontiene 4N niveles energeti os. La banda inferior (formada
por orbitales "enlazantes") re ibe el nombre de banda de valen ia y la superior (formada por
los orbitales "antienlazantes") banda de ondu ion. En la gura se ha representado tambien
la distan ia de separa ion entre atomos en la red del diamante, es de ir, la distan ia para
la ual la energa total del sistema se ha e mnima. El intervalo de separa ion entre ambas
bandas re ibe el nombre de banda prohibida y el valor de la energa que las separa, energa
de la banda prohibida.
A una temperatura igual a 0K, los ele trones o upan los niveles de energa mas bajos.
El diamante uenta on uatro ele trones en su ultima apa, por lo que la banda de valen ia
estara totalmente o upada, mientras que la banda de ondu ion estara totalmente va a.
Para que un ele tron pueda desplazarse omo una part ula libre a lo largo de la red ristalina

DE UN SEMICONDUCTOR
( ondi ion indispensable para que sea ondu tor de la ele tri idad) debe tener estados de
energa superiores a esibles (va os) dentro de la banda a la que pertene e 3 . Por ello se
puede dedu ir que a 0K el diamante es un aislante perfe to. A temperaturas superiores a
0K los ele trones no tienen por que o upar ne esariamente los niveles energeti os mas bajos
posibles y existe una probabilidad no nula de que un ele tron que pertene a a la banda de
valen ia o upe un estado energeti o de la banda de ondu ion. Esta probabilidad depende
tanto de la temperatura omo de la an hura de la banda prohibida. En el diamante la an hura
de la banda prohibida es lo su ientemente grande omo para que a ualquier temperatura
razonable la probabilidad de que esto o urra sea nma. Por ello el diamante es una ex elente
aislante in luso a temperaturas muy altas.
Los metales son buenos ondu tores de la ele tri idad debido a que la banda de
ondu ion no esta va a sino que se en uentra par ialmente llena, o bien puede o urrir que
la banda de valen ia y la banda de ondu ion solapen entre s (este es el aso de los metales
de transi ion).
Hay determinados solidos ristalinos que presentan ara tersti as de ondu ion
ele tri a intermedias entre las de los aislantes y los metales. Son los llamados semi ondu to-
res, entre los que abe desta ar el Sili io, el Germanio y el Arseniuro de Galio y sus derivados
[1℄. En estos materiales la an hura de la banda prohibida es lo su ientemente estre ha omo
para que a temperaturas razonables haya una on entra ion no despre iable de ele trones en
la banda de ondu ion. Este tipo de materiales son buenos aislantes a temperaturas bajas
y su ondu tividad ele tri a re e a medida que aumenta la temperatura.
5.2. Portadores libres de arga en los semi ondu tores.

A medida que la temperatura de un semi ondu tor aumenta por en ima de los 0K,
algunos ele trones de valen ia adquieren la su iente energa termi a omo para pasar a la
banda de ondu ion. Cuanto mayor sea la temperatura, mayor sera la probabilidad de que
un ele tron adquiera una energa termi a igual o superior a la an hura de la banda prohibida,
on lo que el numero de ele trones en la banda de ondu ion aumentara. Estos ele trones, al
saltar a la banda de ondu ion, dejan estados energeti os libres en la banda de valen ia, la
ual estaba ompletamente llena a 0K. Los estados libres de la banda de valen ia re iben el
nombre de hue os. Tanto los ele trones omo los hue os son portadores de arga (los primeros
de arga negativa y los segundos de arga positiva) que se desplazan "libremente" 4 por las
bandas de ondu ion y valen ia respe tivamente, on lo que ontribuyen al fenomeno de
ondu ion de la ele tri idad [71℄{[93℄.
En esta se ion se pretende determinar la on entra ion de portadores de arga (ele -
trones y hue os) que, a una temperatura dada, existe en un semi ondu tor. Primeramente
3 Losele trones de una banda totalmente o upada, si se en uentran sometidos a un ampo ele tri o,
realizan un movimiento armoni o, llamado os ila ion de Blo h, alrededor de los nu leos de la red ristalina.
4 La hipotesis de part ula libre es aproximadamente ierta solo en las er anas del mnimo de la banda
de ondu ion y del maximo de la banda de valen ia en semi ondu tores de transi ion dire ta. En los de
transi ion indire ta la hipotesis deja de ser valida en la banda de ondu ion. Sin embargo, gra ias a la
presen ia de varios mnimos simetri os en la primera zona de Brillouin [12℄, al promediar el omportamiento
de los ele trones, su movimiento se puede des ribir omo si fuesen libres.
5.2. PORTADORES LIBRES DE CARGA EN LOS SEMICONDUCTORES. 89
Banda de conducción
Estados accesibles
Banda prohibida
Banda de valencia
Figura 5.3: Dis retiza ion de estados energeti os dentro de las bandas de valen ia y ondu -
ion.
se entrara el estudio sobre los semi ondu tores intrnse os, es de ir, aquellos en los que
ele trones y hue os se rean ex lusivamente mediante ex ita ion termi a. Estos portadores
de arga re iben el nombre de portadores intrnse os y la ondu tividad debida a estos por-
tadores (la uni a que existe en los semi ondu tores intrnse os), ondu tividad intrnse a.
En un semi ondu tor intrnse o el numero total de ele trones en la banda de ondu ion es
igual al numero total de hue os en la banda de valen ia ya que, al pasar un ele tron de la
banda de valen ia a la de ondu ion, automati amente este deja un hue o en la banda de
valen ia.
Para hallar la ondu tividad de un semi ondu tor hay que determinar previamente
dos fun iones: La densidad de estados energeti os a esibles en las bandas de ondu ion y
valen ia [12℄ y la probabilidad de o upa ion [12℄, a una temperatura dada, de estos niveles
energeti os.
A partir del analisis he ho para los semi ondu tores intrnse os, se estudiaran los
semi ondu tores extrnse os, es de ir, aquellos uyas propiedades ele tri as dependen de
impurezas (llamadas dopantes) que se a~naden al semi ondu tor.
5.2.1. Densidad de estados en las bandas de valen ia y ondu ion.
Los niveles de energa permitidos en un solido ristalino son dis retos, aunque estan
separados entre s por saltos de energa extremadamente peque~nos, tal y omo se muestra
en la g. f5.3g. Por esta razon, en general, se supone que forman un ontinuo de valores.
Consideremos un nivel de energa situado en la banda prohibida. Segun se dijo en apartados

DE UN SEMICONDUCTOR
anteriores, un ele tron de un semi ondu tor ideal no puede tener ese valor de energa y,
por tanto, si tomamos un intervalo estre ho de energas alrededor de ese valor, resulta que
el numero de estados energeti os (por unidad de volumen) a esibles en di ho intervalo es
nulo y, por onsiguiente, la densidad de estados, es de ir el numero de estados a esibles
dividido por la an hura del intervalo onsiderado y por el volumen del semi ondu tor, es, en
la banda prohibida, igual a ero. Si onsideramos una energa superior al mnimo de la banda
de ondu ion, resulta que ese estado s es a esible para un ele tron y, por onsiguiente, la
densidad es mayor que ero. La separa ion entre estos niveles no es onstante, sino que es
menor para los niveles energeti os mas altos, es de ir, la densidad de niveles energeti os es
mas alta (en la banda de valen ia o urre justo lo ontrario: uanto menor es la energa mayor
es la densidad de estados). Las expresiones de las densidades de estados de los ele trones
en las er anas del mnimo de la banda de ondu ion y de los hue os en las er anas del
maximo de la banda de valen ia son, aproximadamente [101℄:
p
8 2 23 q
Ne (E ) = 3 me E E
ph
8 2 32 q
Nh (E ) = 3 mh Ev E (5.1)
h
donde E es la energa del mnimo de la banda de ondu ion, Ev es la energa del

maximo de la banda de valen ia y me y mh son las masas efe tivas de ele trones y hue os en
las bandas de ondu ion y valen ia. La expresiones (5.1) ponen de maniesto que, a medida
que nos adentramos en la banda de ondu ion, el numero de estados a esibles para los
ele trones re e on la raz uadrada de la energa. La arma ion analoga es ierta para los
hue os en la banda de valen ia. El oe iente de propor ionalidad no es en ambos asos el
mismo ya que, en general, las masas efe tivas de ele trones y hue os no son iguales.
5.2.2. Probabilidad de o upa ion de estados
Para determinar el numero de portadores de arga en la banda de ondu ion y en

la banda de valen ia ne esitamos ono er, ademas de la densidad de estados energeti os
a esibles N (E ), la probabilidad de que, supuesto que sea a esible, el estado de energa
E este o upado. Esta ara tersti a viene denida por una fun ion f (E; T ) de distribu ion
donde E vara de 0 a innito. El sentido de esta fun ion es laro. Supongamos un estado de
energa E ; supuesto que este valor de energa pertene e la la banda de ondu ion (estado
a esible de energa) la probabilidad de que este o upado por un ele tron es f (E; T ).
La expresion de f (E; T ) es la siguiente:
1
f (E; T ) = (E Ef ) (5.2)
1 + e kT
Esta fun ion re ibe el nombre de fun ion de distribu ion de Fermi{Dira [101℄ y
des ribe el omportamiento estadsti o de ualquier pobla ion de fermiones y en parti ular
el de los ele trones y hue os en un solido ritalino. Ef es una " onstante" en el sentido de
que no es fun ion de E , pero depende, aunque sea debilmente, de la temperatura y de las
kT
f(E)
1
0.5
E
Ef
Figura 5.4: Fun ion de distribu ion de Fermi-Dira .
masas efe tivas de los portadores. Ef re ibe los nombres de poten ial qumi o, nivel de Fermi
o energa de Fermi.
En la g. f5.4g hemos representado la fun ion de distribu ion de Fermi{Dira para

una temperatura dada. En ella se observa que un estado de energa igual a la del nivel
de Fermi tiene una probabilidad 0.5 de estar o upado. En una se ion posterior veremos
omo se determina Ef y omo depende de la temperatura. La onstante k es la onstante de
Boltzmann.
5.2.3. Con entra ion de ele trones y hue os en equilibrio termi o

en un semi ondu tor intrnse o.
La on entra ion de ele trones en la banda de ondu ion, es de ir, el numero de

ele trones que hay por unidad de volumen en un intervalo innitesimal de energa (E; E +dE ),
se obtiene multipli ando la fun ion de densidad de estados en la banda de ondu ion por la
probabilidad de que di hos estados esten o upados, es de ir, por la fun ion de distribu ion
de Fermi-Dira f (E; T ). Integrando este produ to para energas superiores al mnimo de la
banda de ondu ion se obtiene la on entra ion total de ele trones libres en la banda de
ondu ion [77℄.
La on entra ion de hue os en la banda de valen ia se obtiene multipli ando la fun ion
de densidad de estados en la banda de valen ia por la probabilidad de que di hos estado no
esten o upados (esta es, pre isamente, la probabilidad de que exista un hue o), es de ir por
1 f (E; T ). Integrando este produ to para energas inferiores al maximo de la banda de
valen ia se obtiene la on entra ion total de hue os libres en la banda de valen ia.

DE UN SEMICONDUCTOR
Densidad de Densidad de
estados en la estados en la Nc(e)
Nc(e) banda de
banda de conducción
conducción Densidad de Densidad de
electrones electrones
f(e)Nc(e) f(e)Nc(e)
Probabilidad de Probabilidad de
ocupación de ocupación de
f(e) f(e)
Ef
Ef Densidad de Densidad de
huecos huecos
(1-f(e))Nv(e) (1-f(e))Nv(e)
huecos huecos
estados en la estados en la
banda de banda de Nv(e)
valencia Nv(e) valencia
m *p > m *e
m *p = m *e
Figura 5.5: Con entra ion de ele trones y hue os en un semi ondu tor.
En ondi iones de equilibrio termi o, el numero de ele trones dn que, por unidad de
volumen, tienen una energa dE alrededor de E en la banda de ondu ion es:
p
8 2 3 q 1
dno = Ne (E )f (E; T )dE = 3 me2 E E (E Ef ) dE (5.3)
h 1 + e kT
Esta es la expresion analti a del diferen ial de una de las urvas rayadas que se
muestran en la g. f5.5g (la orrespondiente a la banda de ondu ion). Para obtener la
on entra ion total de ele trones en la banda de ondu ion habra que integrar para valores
de E que van de E a 1. Sin embargo, la fun ion (5.3) no tiene una primitiva, ni puede
al ularse de forma exa ta (por otros medios omo, por ejemplo, el metodo de los residuos)
esta integral denida, por lo que tendramos que realizar una integra ion numeri a. Sin
embargo, si la energa de Fermi esta dentro de la banda prohibida a varias unidades kT
lejos del borde de la banda de ondu ion (es de ir, si E Ef kT ), enton es podemos
aproximar la fun ion de distribu ion de Fermi-Dira en la banda de ondu ion mediante
[71℄:
(E Ef )
f (E; T ) ' e kT (5.4)
Las ondi iones para que esta aproxima ion sea valida se veri an en todos los se-
mi ondu tores intrnse os normalmente utilizados en la fabri a ion de dispositivos. Esta
aproxima ion re ibe el nombre de aproxima ion de Boltzmann y tiene una interpreta ion
fsi a sen illa: la estadsti a de ele trones y hue os pasa de ser una estadsti a uanti a a ser
Estados de la banda
E E
de conducción
Ec - - -- - -- - -- - --
-- - - - -
- --- - - -- -- -
Ed Estados donadores
Ea Estados aceptores
+ +++++ + + + ++ + + ++ ++ ++
Ev ++ + + +++++ ++ ++
+ ++ ++ +
Estados de la banda
de valencia
Figura 5.6: Estados energeti os donadores y a eptores. En un semi ondu tor dopado se
da una de las dos posibilidades: o bien existen estados donadores, o bien existen estados
a eptores.
una estadsti a lasi a, ya que el numero de portadores es peque~no y el prin ipio de ex lusion
de Pauli no juega un papel importante.
Efe tuando la integral antes men ionada, resulta:
(E Ef )
ni ' U e kT
!3
2me kT 2 (5.5)
U = 2
h2
El numero de hue os pi por unidad de volumen en la banda de valen ia de un semi-

ondu tor, puede al ularse de un modo similar y se obtiene:
(Ef Ev )
pi ' Uv e kT
!3
2mh kT 2 (5.6)
Uv = 2
h2
Si mh y me fuesen exa tamente iguales (esto no o urren en ningun semi ondu tor
de tipo IV o III-V [1℄), las urvas de densidad de estados en las dos bandas son totalmente
simetri as, por lo que la energa de Fermi debe quedar exa tamente en el entro de la banda
prohibida. De otra forma, la pobla ion de ele trones en la banda de ondu ion y la de
hue os en la banda de valen ia no oin idiran. Si mh y me no son iguales (normalmente la
masa efe tiva de los ele trones es mas ligera que la de los hue os), el nivel de Fermi debe
desplazarse ligeramente ha ia arriba o ha ia abajo de forma que al efe tuar las integrales se

DE UN SEMICONDUCTOR
obtengan valores iguales. En este aso, el nivel de Fermi queda er a del entro de la banda
prohibida pero no exa tamente en el. Esto se muestra en la g. f5.5g.
En un semi ondu tor intrnse o las on entra iones de ele trones y hue os son iguales,
por lo que identi ando (5.5) on (5.6) puedemos dedu ir la dependen ia del nivel de Fermi
on la temperatura. A onsejamos al le tor que demuestre la siguiente expresion, ierta para
un semi ondu tor intrnse o:
1 3 m
Ef = (Ev + E ) + kT ln h (5.7)
2 4 me
Dado que, a temperaturas ordinarias, kT es una energa muy peque~na en ompara ion
on la an hura de la banda prohibida (del orden de magnitud de 1eV ), resulta que, aun en
el aso de semi ondu tores en los que las masas efe tivas de los portadores de arga no sean
iguales, el nivel de Fermi esta situado aproximadamente en el entro de la banda prohibida
(en un semi ondu tor intrnse o). Si me < mh el nivel de Fermi se desplaza ligeramente ha ia
el mnimo de la banda de ondu ion y si mh < me , se desplaza ligeramente ha ia el maximo
de la banda de valen ia.
Se puede demostrar on fa ilidad [2℄ que el produ to no po es una fun ion ex lusiva de
la an hura de la banda prohibida, las masas efe tivas y la temperatura, siendo independiente
del nivel de Fermi. Los semi ondu tores extrnse os pueden des ribirse (tal omo veremos
en la proxima se ion) onsiderando que su nivel de Fermi esta desplazado en rela ion a la
posi ion que tendra si fuese intrnse o. Al no depender nÆ pÆ del nivel de Fermi, la expresion
que sigue, al ulada tomando no = ni y po = pi , es valida tambien para los semi ondu tores
extrnse os. (Con el subndi e Æ se denota una situa ion de equilibrio termi o).
!3
2kT 3 Eg
nÆ pÆ = n2i (T ) = p2i (T ) =4 (me mh ) 2 e kT (5.8)
h2
La demostra ion de esta formula la dejamos omo ejer i io para el le tor. Este re-
sultado, que pone de maniesto que el produ to de la on entra ion total de ele trones y
hue os es independiente del dopado de un semi ondu tor extrnse o, se va a usar on mu ha
fre uen ia.
5.2.4. Con entra ion de ele trones y hue os en equilibrio termi o

en un semi ondu tor extrnse o.
Es muy fa il introdu ir antidades muy peque~nas de substan ias tales omo el arseni o
5, u otros elementos pertene ientes al grupo V de la tabla periodi a, en ristales puros de
sili io o germanio, omo impurezas de substitu ion, es de ir, omo atomos de impurezas
que o upan sitios de la red ristalina que normalmente estaran o upados por atomos del
semi ondu tor de tipo IV. Los atomos del grupo V tienen in o ele trones de valen ia.
5 Estamos suponiendo que el semi ondu tor de tipo IV ( uarta olumna del sistesma periodi o) omo, por
ejempo, el sili io, aunque todos los dispositivos opti os se fabri an on semi ondu tores de tipo III{IV, es
de ir, ompuestos de elementos de las olumnas ter era y quinta del sistema periodi o omo, por ejemplo,
el arseniuro de galio.
Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge
-
+
Ge Ge Ge As Ge Ge Ge Ge Ge Ge
-
Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge In Ge
+
Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge
Tipo n Tipo p
Figura 5.7: Ele trones y hue os libres pro edentes de atomos de impurezas (interpreta ion
lasi a).
Cuatro de ellos se usan para formar enla es ovalentes on atomos ve inos y el quinto se
enlaza al atomo de impureza on fuerzas ele trostati as muy debiles. El enla e es tan debil
que, in luso a temperaturas muy bajas (del orden de 20K), la energa de agita ion termi a
es su ientemente elevada omo para ionizar al atomo de impureza [71℄, pasando el ele tron
a la banda de ondu ion sin produ irse un hue o en la banda de valen ia. Esto puede
interpretarse omo que existen estados energeti os a esibles para los ele trones por debajo,
pero muy proximos al mnimo de la banda de ondu ion, tal omo se muestra en la g.
f5.6g. La proximidad es tan grande que el aporte de una antidad mnima de energa (es
de ir, que la temperatura sea ligeramente superior a 0K) ha e que estos ele trones pasen a la
banda de ondu ion. El atomo de impureza que ha perdido el ele tron se onvierte en un ion
positivo y jo. Esta situa ion se ilustra en la g. f5.7g. Estos semi ondu tores se denominan
de tipo n, designados as porque la mayora de los portadores de arga son, a temperaturas
normales de fun ionamiento, ele trones libres. La omponente de ondu tividad ele tri a que
se produ e por los atomos de impureza se llama ondu tividad por impureza. Los atomos del
grupo V de substitu ion se llaman on fre uen ia atomos donadores, ya que ada uno de
ellos dona un ele tron libre al ristal.
Si en lugar de los atomos del grupo V se introdu en en la red del semi ondu tor de
tipo IV atomos del grupo III (Al,Ga,In,et .), se observara un fenomeno muy distinto. Estos
atomos tienen solo tres ele trones de valen ia que se usan para formar enla es ovalentes on
tres atomos ve inos, pero el uarto posible enla e are e de ele tron. Esto puede interpretarse
omo que existen estados energeti os a esibles para los ele trones por en ima, pero muy
proximos al maximo de la banda de valen ia, omo se muestra en la g. f5.6g. La er ana
es tan grande que el aporte de una antidad mnima de energa (es de ir, que la temperatura
sea superior a unas uantas de enas de grados Kelvin) ha e que los ele trones de la banda
de valen ia pasen a o upar estos estados energeti os, produ iendose un hue o en la banda de
valen ia [71℄. El atomo de impureza se onvierte en un ion negativo y jo. Esta situa ion se
ilustra en la g. f5.7g. Estos semi ondu tores se denominan de tipo p, designados as porque

DE UN SEMICONDUCTOR
la mayora de los portadores de arga son, a temperaturas normales de fun ionamiento,

hue os libres. La omponente de ondu tividad ele tri a que se produ e por los atomos de
impureza se llama ondu tividad de impureza. Los atomos del grupo III de substitu ion se
llaman on fre uen ia atomos a eptores, ya que ada uno de ellos a epta un ele tron de la
banda de valen ia produ iendose un hue o adi ional en la banda de valen ia.
La estadsti a de o upa ion de estados en los semi ondu tores tipo n y p se ara teriza
por la presen ia del nivel de Fermi por en ima (para el tipo n) o por debajo (para el tipo p)
del nivel de Fermi de un semi ondu tor puro (intrnse o). Segun lo que vimos en el apartado
anterior, en un ristal tipo n no puede haber mas ele trones que hue os a menos que el
nivel de Fermi este situado por en ima del nivel de Fermi del semi ondu tor intrnse o. La
situa ion ontraria se da para un ristal tipo p.
En un semi ondu tor en equilibrio termi o debe haber un hue o o un ion positivo por
ada ele tron libre, y un ele tron libre o un ion negativo por ada hue o libre ( onsideramos el
aso generi o en el que haya simultaneamente impurezas donadoras y a eptoras). Por tanto,
dado que el ristal debe ser ele tri amente neutro, esta ondi ion de neutralidad de argas se
expresa igualando la suma algebrai a de argas positivas (jas y moviles) y negativas (jas
y moviles):
pÆ + N d = n Æ + N a (5.9)
donde pÆ , nÆ son las on entra iones de hue os y ele trones generados termi amente
y Nd , Na las on entra iones de argas jas produ idas por la ioniza ion de las impurezas
donadoras y a eptoras. Puede probarse que sustituyendo en esta expresion (5.5) y (5.6) se
llega a:
!
1 3 m Nd Na
Ef = (Ev + E ) + kT ln h + kT sinh
2 4 me
1
p E
2 U Uv e 2kT
(5.10)
Los dos primeros sumandos representan el nivel de Fermi del semi ondu tor si este
fuese intrnse o, Efi . Teniendo en uenta (5.8) la formula anterior puede expresarse de la
siguiente forma:
1

Nd Na
Ef = Efi + kT sinh (5.11)
2ni
Esta es la expresion del nivel de Fermi para un semi ondu tor on impurezas. En la
g. f5.8g se observa la posi ion relativa que o upan los niveles de Fermi en un semi ondu tor
de tipo n y en uno de tipo p frente al nivel intrnse o. Cuanto mayor sea el dopado neto
del semi ondu tor, mayor sera el desplazamiento. Es importante desta ar que para dedu ir
(5.11) se ha empleado la aproxima ion de Boltzmann. Si el dopado neto es muy elevado, el
nivel de Fermi se aproxima mu ho (puede, in luso, superarlo), en el primer aso, al mnimo
de la banda de ondu ion y en el otro, al maximo de la banda de valen ia. Sugerimos al
le tor que estime para que nivel de dopado (5.11) deja de ser valida. Para estimarlo se puede
tomar omo riterio admitir que la aproxima ion de Boltzmann deja de ser ierta uando el
nivel de Fermi se aproxima a una de las bandas a una distan ia inferior o igual a 3kT .
estados en la estados en la Nc(e)
Nc(e) banda de
banda de conducción
conducción Densidad de Densidad de
f(e)Nc(e)
Probabilidad de f(e)Nc(e)
Probabilidad de
f(e)
f(e)
Ef Densidad de Densidad de
huecos Ef huecos
(1-f(e))Nv(e) (1-f(e))Nv(e)
huecos huecos
estados en la estados en la
banda de banda de Nv(e)
valencia valencia
Nv(e)
Tipo n Tipo p
Figura 5.8: Ele trones y hue os libres en semi ondutores dopados.
La expresion (5.11) puede, en la mayora de los asos, simpli arse. Normalmente el

dopado en semi ondu tores es lo su ientemente elevado omo para que la on entra ion
de portadores mayoritarios pro edente de la ioniza ion de impurezas sea muy grande en
ompara ion on la on entra ion de portadores mayoritarios de origen termi o. Esto quiere
de ir que el argumento de la fun ion sinh 1 es muy grande. En estas ir unstan ias puede
ha erse la aproxima ion: sinh 1 x ' ln j2xj, on lo que resulta:
jNd Na j
!
Ef = Efi kT ln (5.12)
ni
en donde el signo mas se utiliza para materiales de tipo n (Nd > Na ), y el signo menos
para materiales de tipo p (Nd < Na ). El error ometido en la aproxima ion es del veinte por
iento uando ni = Nd Na e inferior al in o por iento (de re iendo ademas rapidamente)
para ni = 0;5(Nd Na ). A onsejamos al le tor que utili e esta expresion para determinar
omo vara el nivel de Fermi de un semi ondu tor extrnse o on respe to a la temperatura.
La on entra ion de portadores en las bandas de ondu ion y valen ia se puede
en ontrar a udiendo a la e ua ion de neutralidad de argas. Por ejemplo, uando en (5.9) se
2
sustituye pÆ = nnÆi se obtiene, resolviendo la e ua ion de segundo grado resultante [2℄:
s
1 1
nÆ = (Nd Na ) + (N Na )2 + n2i (5.13)
2 4 d
n2i
Del mismo modo, uando se sustituye no = pÆ , se obtiene:

DE UN SEMICONDUCTOR
s
1 1
pÆ = (Nd Na ) (N Na )2 + n2i (5.14)
2 4 d
De a uerdo on estas formulas, es evidente que uando Nd Na = 0, nÆ = pÆ = ni .

Este es el aso de ompensa ion total de dopados y el semi ondu tor se omporta omo si
fuera intrnse o. Si Nd Na > 0, nÆ > pÆ , omo es de esperarse en un semi ondu tor de
dopado tipo n; si Nd Na < 0, nÆ < pÆ , omo se requiere en un semi ondu tor de tipo p.
Para semi ondu tores fuertemente extrnse os (es el aso habitual), estas formulas se
simpli an mu ho. Por ejemplo, si Nd Na ni , omo su ede para un semi ondu tor de
fuerte dopado tipo n, resulta:
17 300K
10
15
10 13
2.5 10 cm-3
13
10 Ge
11
10 10
1.5 10 cm-3
9
10
AsGa Si
7
10 6
4 -1
2 3 2 10 cm-3
1000/T (K )
Figura 5.9: Con entra ion de portadores intrnse os en fun ion de la temperatura.
nÆ ' N d Na
n2i
pÆ ' (5.15)
Nd Na
en tanto que para un semi ondu tor tipo p muy dopado, en donde Nd Na es grande
y negativo,
pÆ ' N a Nd
n2i
nÆ ' (5.16)
Na Nd

5.3. SEMICONDUCTORES FUERA DEL EQUILIBRIO TERMICO. 99
ȡ
c
Ec
fc Fc ǻn
ǻn=ǻp
Eg
Fv
H v
ǻp
Ev
ȡ X
Figura 5.10: Con entra ion de portadores en un semi ondu tor fuera del equilibrio termi o.
Las expresiones anteriores pare en indi ar que, mientras la on entra ion de porta-
dores minoritarios depende fuertemente de la temperatura (ni depende de la temperatura),
la de los portadores mayoritarios no depende de esta. Esta arma ion es ierta en un ran-
go de temperaturas limitado. En (5.13) y (5.14) se ha despre iado la ontribu ion de los
portadores intrnse os frente a los extrnse os a la hora de determinar la on entra ion de
portadores mayoritarios. Sin embargo, tal omo se muestra en la g. f5.9g, esta ontribu ion
re e rapidamente on la temperatura, por lo que uando esta es su ientemente elevada,
la ontribu ion de portadores intrnse os se ha e omparable a la de los extrnse os [77℄.
Sugerimos al le tor que estime a que temperatura un semi ondu tor, que en prin ipio era
extrnse o, pasa a omportarse omo uno intrnse o.
5.3. Semi ondu tores fuera del equilibrio termi o.

En un semi ondu tor en equilibrio termi o, los ele trones de la banda de ondu ion
estan en equilibrio on los hue os de la banda de valen ia debido a que ambas bandas
inter ambian energa gra ias a los pro esos de genera ion y re ombina ion de portadores [71℄.
Por ello existe una uni a fun ion de distribui ion que des ribe la probabilidad de o upa ion de
los estados energeti os a esibles en ambas bandas. Si ejer emos alguna a ion externa sobre

DE UN SEMICONDUCTOR
el material (inye tamos una orriente, por ejemplo) esto deja de ser ierto. Los ele trones de la
banda de ondu ion estan en una situa ion de uasiequilibrio entre ellos (estos ele trones son
apa es de inter ambiar energa rapidamente mediante olisiones on la red ristalina si su
on entra ion es baja y por olisiones dire tas entre los propios portadores si su on entra ion
es alta [20℄). Lo mismo o urre on los hue os de la banda de valen ia, pero ambas bandas
no estan en equilibrio mutuo. Esto se re eja en la apari ion de dos fun iones de distribu ion
distintas, una para los ele trones en la banda de ondu ion y otra para los hue os en la banda
de valen ia. Estas dos fun iones estan perfe tamente denidas si ono emos, respe tivamente,
la posi ion de los uasi niveles de Fermi en la banda de ondu ion y en la banda de valen ia.
Logi amente, la posi ion de los dos uasiniveles de Fermi no es independiente la una de la
otra. Sus posi iones determinan las on entra iones totales de ele trones y hue os y, dado que
el semi ondu tor tiene que ser ele tri amente neutro 6 , se tiene que umplir que n = p.
La manera de al ular la on entra ion de portadores en ada banda sigue siendo la
misma: tenemos que multipli ar la densidad de estados energeti os a esibles por la probabi-
lidad de que esten o upados (si lo que estamos al ulando es la on entra ion de ele trones
en la banda de ondu ion) y por la probabilidad de que esten va os (si lo que estamos al-
ulando es la on entra ion de hue os en la banda de ondu ion). Si integramos para todos
los valores energeti os de la banda de ondu ion tendremos la on entra ion total de ele -
trones y si pro edemos de igual forma en la banda de valen ia obtendremos la on entra ion
total de hue os:
p
8 2 3 q 1
dn(E ) = Ne (E )f (E; F ; T )dE = 3 me2 E E (E F ) dE
ph 3 q 1 + e kT
8 2 1 (E Fv )
dp(E ) = Nh (E )[1 f (E; Fv ; T )℄dE = 3 mh2 EV E (E Fv ) e kT dE (5.17)
h 1 + e kT
Podemos expresar matemati amente la rela ion que existe entre el uasinivel de Fermi
en la banda de ondu ion y el de la banda de valen ia, mediante las siguientes rela iones
integrales:
p
1 8 2 3 q
Z
2 1
m e E2 E (E F ) dE = nÆ + n
p E h3 1 + e 2kT
Z
8 2 23 q
Ev 1 (E1 Fv )
mh EV E1 (E1 Fv ) e kT dE = pÆ + n (5.18)
1 h3 1+e kT
Donde nÆ y pÆ son las on entra iones de los portadores en la situa ion de equilibrio
termi o. Vemos, pues, que no se pueden jar independientemente las posi iones de los dos
uasiniveles de Fermi. Dada la posi ion de uno, podemos al ular la del otro, por el sen illo
motivo de que el semi ondu tor es ele tri amente neutro. Normalmente en el medio a tivo
de un laser se ono e la on entra ion total de portadores en desequilibrio n = p = N ,
de manera que las rela iones (5.18) sirven para determinar, apli ando metodos numeri os,
la posi ion de los uasiniveles de Fermi F y Fv .
6 En los "puntos uanti os" que, entre otras mu has apli a iones, se emplean para fabri ar laseres semi-
ondu tores, la neutralidad de arga no se veri a ne esariamente.
DIRECTA E INDIRECTA.
5.4. SEMICONDUCTORES DE TRANSICION 101
Ec
ƫN
Ev
Figura 5.11: Diagrama de bandas de un semi ondu tor de transi ion dire ta.
5.4. Semi ondu tores de transi ion dire ta e indire ta.

Las fun iones de onda aso iadas a los ele trones que se en uentran en estados esta-
ionarios en un solido ristalino, es de ir, estados que no ambian on el tiempo, pueden
determinarse de forma aproximada, ya sea apli ando teoras empri as de pseudopoten iales
o, si solo interesan los estados proximos a los maximos y mnimos de las bandas de valen ia
y ondu ion, empleando el metodo k:p de Kane [44℄{[74℄. En ualquier aso, estas fun io-
nes de onda representan estados ele troni os espa ialmente no lo alizados dentro del ristal.
Si un ele tron se en uentra en un estado denido por una de estas fun iones de onda, no
se en uentra en una posi ion dada del ristal pero s se ono e de una manera exa ta la
energa que tiene y el valor de una magnitud ve torial denominada uasiimpulso o impulso
del ristal, que esta estre hamente rela ionada on la antidad de movimiento. Esto no debe
extra~nar. Re uerdemos que la primera rela ion de in ertidumbre de Heisenberg arma que
pr > h2 por lo que si una part ula posee una antidad de movimiento perfe tamente
determinada, su posi ion en el espa io es totalmente in ierta. Esto es lo que o urre en el
ristal, un ele tron des rito por una fun ion de onda esta ionaria posee un valor ono ido
del uasiimpulso (magnitud rela ionada on la antidad de movimiento) pero su posi ion en
el ristal esta asi totalmente indeterminada. El diagrama de bandas de un solido rela iona
las energas a esibles para los ele trones en sus estados esta ionarios dentro de una banda
on los valores de uasiimpulso de di hos ele trones poseen.
Un solido ondu e la ele tri idad porque los ele trones se desplazan en su seno siguien-
do una traye toria determinada, por lo que o upan una posi ion en el ristal y se desplazan
on una velo idad determinada. Por onsiguiente, las fun iones de onda de los estados es-

DE UN SEMICONDUCTOR
Figura 5.12: Poten ial periodi o en el interior de un ristal (representa ion unidimensional).
ta ionarios del ele tron en el solido no des riben el omportamiento de estos ele trones. Sin
embargo hallando ombina iones lineales (estas sumas de riben paquetes de ondas) de estas
fun iones puede des ribirse un ele tron de este tipo.
El uasiimpulso, al igual que la antidad de movimiento, es una magnitud ve torial,
por lo que, en prin ipio, el diagrama de bandas exige representar una variable dependiente,
la energa, en fun ion de tres variables independientes, las omponentes del uasiimpulso.
En la g. f5.11g se ha representado el diagrama de bandas simpli ado del Arseniuro
de Galio. El Arseniuro de Galio es un semi ondu tor de transi ion dire ta, es de ir, el mni-
mo de energa de la banda de ondu ion y el maximo de la banda de valen ia o urren para
un mismo valor del uasiimpulso; ademas, para in rementos peque~nos del uasiimpulso, la
energa no depende mas que del modulo de este 7 , de ah que sea posible ha er la representa-
ion bidimensional mostrada en la gura. Las urvas representadas son parabolas, al menos
para valores peque~nos de la variable independiente. Esto nos permite es ribir la siguiente
expresion para la banda de ondu ion (que re eja la rela ion uadrati a que existe entre la
energa y el uasiimpulso):
h 2 k2
E2 E = (5.19)
2me
donde E es la energa del mnimo de la banda de ondu ion, me es un termino

uya inversa dene la urvatura de la banda y que re ibe el nombre de masa efe tiva de
los ele trones en la banda de ondu ion y no oin ide, en general, on la masa en reposo:
vemos, por tanto, que el ele tron se omporta en la banda de ondu ion omo una part ula
libre de masa me . Es posible dar una expli a ion intuitiva a esto. La rela ion que existe
en Me 2
ani a Clasi a entre la energa y la antidad de movimiento de una part ula libre es
p
E = 2m , donde m es la masa de la part ula. El equivalente lasi o del uasiimpulso es la
antidad de movimiento, de forma que, estable iendo una analoga entre esta expresion y
(5.19), se on luye que me es una "masa efe tiva". El motivo por el que me no oin ide on
la masa del ele tron es que este no es en absoluto una parti ula libre, sino que se en uentra
sometido a un poten ial periodi o produ ido por los nu leos de la red ristalina [20℄{[93℄,
tal omo se observa en la g. f5.12g. Los portadores libres de arga en la banda de valen ia
(hue os) tambien podemos onsiderarlos omo part ulas libres, siempre que sustituyamos
7 Estono es rigurosamente ierto. La banda de valen ia tiene tres subbandas distintas [20℄{[93℄: la de
hue os pesados, la de hue os ligeros y otra subbanda adi ional, de mayor energa, que no juega un papel
importante. Las super ies de Fermi [12℄ de los denominados "hue os pesados" demuestran on laridad que
su masa efe tiva no es isotropi a.
5.5. DENSIDAD DE ESTADOS COMPATIBLES. 103
su masa real, por una masa efe tiva que denotaremos mh . La rela ion que existe entre la
energa de los hue os y el uasiimpulso que poseen viene dada por la rela ion:
h 2 k2
E E1 = (5.20)
2mh
Los semi ondu tores de transi ion dire ta re iben tambien el nombre de semi on-
du tores opti amente a tivos, porque un por entaje importante de las re ombina iones son
re ombina iones radiativas, es de ir, la energa perdida por el ele tron al pasar del mnimo
de la banda de ondu ion al maximo de la banda de valen ia se transforma en un foton.
Esto es as, porque las re ombina iones dire tas entre bandas son bastante probables, ya que
no impli an un ambio del uasiimpulso.
En otros semi ondu tores, es el aso del Sili io y el Germanio, el mnimo de la banda
de ondu ion y el maximo de la banda de valen ia no oin iden, por lo que re iben el
nombre de semi ondu tores de transi ion indire ta. El maximo de la banda de valen ia
o urre en ambos para el valor h~k=0, pero los mnimos absolutos (son varios) de la banda
de ondu ion se dan para valores de h~k distintos de ero. Ademas, aunque el maximo de
la banda de valen ia de estos ristales tiene una urvatura (masa efe tiva) que no depende
de la dire ion de ~k, no o urre lo mismo on los mnimos de la banda de ondu ion, por lo
que la masa efe tiva de los ele trones en la banda de ondu ion depende de la dirre ion
(se trata, en realidad, de una magnitud tensorial).
Por motivos que no van a expli arse [12℄{[62℄, para los semi ondu tores de transi ion
indire ta tambien es posible denir una masa efe tiva uni a en la banda de ondu ion y
tratar a los ele trones omo part ulas libres on una ierta masa efe tiva me . Este tipo de
semi ondu tores se llaman tambien semi ondu tores opti amente ina tivos, porque la mayor
parte de las re ombina iones son re ombina iones no radiativas, es de ir, la energa perdida
por el ele tron al pasar del mnimo de la banda de ondu ion al maximo de la banda de
valen ia no se transforma en un foton. Esto es as, porque las re ombina iones dire tas entre
bandas son muy improbables, ya que impli an un ambio del uasiimpulso que tiene que
ser edido o absorbido por la red ristalina. En estos semi ondu tores la mayor parte de las
re ombina iones tienen lugar en "trampas" [71℄, que son estados energeti os situados en la
banda prohibida que apare en omo onse uen ia de imperfe iones en la red ristalina.
La inmensa mayora de los dispositivos de estado solido emisores de luz (diodos LED y
laser) se onstruyen, logi amente, on semi ondu tores de transi ion dire ta y, en la segunda
y ter era ventanas de transmision, son alea iones uaternarias derivadas del AsGa y del PIn
(fosfuro de indio) [102℄.
5.5. Densidad de estados ompatibles.

En el apartado anterior hemos visto que para que la re ombina ion de un par ele tron-
hue o sea radiativa, es ne esario que el uasiimpulso se onserve, motivo por el que los
semi ondu tores de transi ion dire ta son opti amente a tivos y los de transi ion indire ta
no. Pero las onse uen ias de este razonamiento las podemos extender a un semi ondu tor

DE UN SEMICONDUCTOR
Ec
ƫN
Ev
+
Figura 5.13: Re ombina ion radiativa de un par ele tron-hue o en un semi ondu tor de
transi ion verti al.
de transision dire ta: un ele tron de la banda de ondu ion solo puede re ombinarse on
un hue o de la banda de valen ia si ambos tienen el mismo valor de uasiimpulso, es de ir,
si la transi ion es verti al en el diagrama de bandas [24℄, tal omo se muestra en la g.
f5.13g. Imponiendo esta ondi ion, podemos dedu ir la expresion de la densidad de estados
energeti os ompatibles. En este aso, " ompatible" quiere de ir que el paso del ele tron de
la banda de ondu ion a la banda de valen ia, puede produ ir un foton y vi eversa, que un
ele tron de la banda de valen ia pueda absorber un foton y pasar a la banda de ondu ion
a o upar un estado energeti o libre. Para determinar esta densidad de estados ompatibles
partimos de la rela ion que hay entre la energa de un ele tron en la banda de ondu ion y
su uasiimpulso y la rela ion analoga para un hue o en la banda de valen ia:
h 2 k2
E2 = E +
2me
h 2 k2
Ev = E1 + (5.21)
2mh
Como las transi iones tienen que ser verti ales (el valor de h k en las igualdades
anteriores es el mismo) y la energa de un foton es h ! = E2 E1 , podemos sumar las dos
e ua iones anteriores y dedu ir:
9
h 2 k2 >
E2 = E + >
>
h 2 k2
2me = ) h ! = E
>
h 2 k2 > 2 E1 = Eg +
2mr
) h 2k2 = 2mr (h! Eg ) (5.22)
Ev = E1 + >
>
>
2mh ;
5.5. DENSIDAD DE ESTADOS COMPATIBLES. 105
ȡ(Ȧ)
ƫȦ
Eg
Figura 5.14: Densidad espe tral de estados energeti os de un semi ondu tor que pueden
intera ionar on la luz (por unidad de volumen).
donde: 1 := 1 + m1h y Eg := E Ev .
mr me
Pretendemos estable er la densidad de estados que pueden rear un foton de energa

h ! o absorberlo (esta fun ion va a intervenir en todos los pro esos de intera ion luz{
semi ondu tor). Como existe una rela ion biunvo a entre los fotones y los estados energeti-
os de ualquiera de las dos bandas (por supuesto, imponiendo que las transi iones sean
verti ales), podemos es ribir:
Ne (E2 )dE2 = (! )d! (5.23)
y ahora las rela iones (5.21) y (5.22) nos permiten evaluar tanto Ne (E2 ) en fun ion
de ! omo dE2 en fun ion de d! :
mr me
E2 = E + (h! Eg ) ) dE2 = h d! (5.24)
me m
Lo uni o que resta ha er es evaluar la densidad de estados para los ele trones de
la banda de ondu ion (podramos, igualmente, haber elegido los hue os en la banda de
valen ia y el resultado nal sera el mismo) y tener en uenta las rela iones que a abamos de
dedu ir (que, en denitiva, resultan de imponer que la transi ion sea verti al en el diagrama
de bandas):
p
8 2 32 q (2me )3=2 mr 1=2 q mr
Ne (E2 )dE2 = 3 me E2 E dE2 = h ! Eg h d! )
h 2 2 h 3 me me
(2mr )3=2 q
(! ) = h ! Eg (5.25)
2 2h 2

DE UN SEMICONDUCTOR
5.6. Intera ion luz-materia.

Pasamos ahora a estudiar los tres pro esos de intera ion luz-materia, on la parti-
ularidad de que el medio material es un solido ristalino semi ondu tor.
5.6.1. Emision espontanea.
Para que puedan produ irse fotones por emision espontanea de una determinada
energa h ! han de veri arse una serie de ondi iones que pasamos a enumerar [87℄:
1. Que existan estados energeti os en el semi ondu tor que puedan produ ir fotones de
esa energa. Por tanto la tasa de emision espontanea es propor ional a (! ).
2. Que exista un ele tron que se pueda re ombinar. La tasa de emision espontanea es,
por tanto, propor ional a la probabilidad de que haya un ele tron on la energa E2 ,
f (E2 ; F ) = (E12 F ) .
1+e kT
3. Que exista un hue o que se pueda re ombinar. La tasa de emision espontanea es propor-
ional, pues, a la probabilidad de que haya un hue o on la energa E1 , 1 fv (E1 ; Fv ) =
(E1 Fv )
e kT
(E1 Fv ) .
1+e kT
Con luimos, enton es, que la tasa de emision espontanea (numero de fotones generados
por unidad de volumen y unidad de tiempo en ada intervalo espe tral) viene dada por la
siguiente expresion:
rsp = rad (! )f (E2 ; F )[1 fv (E1 ; Fv )℄ (5.26)
En realidad las energas E1 y E2 estan rela ionadas on la energa del foton ya que,
tal omo vimos en el apartado anterior, las transi iones entre bandas han de ser verti ales,
por lo que se veri a [25℄:
mr 9
E2 = E + (h! Eg ) >
>
me >
>
=
(5.27)
mr >
>
Ev = E1 + (h! Eg ) >
>
;
mh
La e ua ion (5.26) esta sujeta a la restri ion n = p (que es una antidad ono ida
si sabemos la orriente de polariza ion del laser), on lo que el uni o problema onsiste en
determinar la posi ion de los uasiniveles de Fermi en fun ion de la on entra ion de por-
tadores. Para resolver este problema de forma exa ta, habra que manipular numeri amente
la fun ion de Fermi{Dira . Afortunadamente existen diversas rela iones aproximadas que
LUZ-MATERIA.
5.6. INTERACCION 107
simpli an el problema y permiten al ular F y Fv en fun ion de n = p. Damos, omo

ejemplo, las rela iones de Nilsson [25℄:
p
F = fln Æ + Æ [64 + 0;05524Æ (64 + Æ )℄g
9
>
>
>
>
Fv = fln + [64 + 0;05524(64 + )℄g

p >
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
n >
>
Æ :=
>
=
me KT 3=2

(5.28)
2 >
>
2h 2 >
>
>
>
>
>
>
>
n >
>
>
:= >
>
m KT 3=2
>
>
>
2 h 2
>
>
;
2h
Vamos a onsiderar ahora el aso parti ular de que el semi ondu tor no esta ex esiva-
mente lejos del equilibrio termi o (es de ir, la inye ion de portadores es debil 8 ), podemos
ha er la aproxima ion de Boltzmann en las bandas de valen ia y ondu ion, lo que nos lleva
a:
(E2 F )
f (E2 ; F ) = 1
(E2 F ) 'e kT
1+e kT
(E1 Fv )
1 fv (E1 ; Fv ) = e kT
(E1 Fv ) ' e (E1kTFv ) (5.29)
1+e kT
Si ahora sustituimos en la expresion de la tasa de emision espontanea llegamos a:
rad (2mr )3=2 F Fv Eg q h ! Eg

rsp = e kT h ! Eg e kT (5.30)
h 2
Esta expresion predi e la tasa de emision espontanea de un semi ondu tor solo en
ondi iones de inye ion debil (es de ir, in rementos en la on entra ion de portadores bajos
en ompara ion on la on entra ion de portadores mayoritarios en ondi iones de equilibrio
termi o).
5.6.2. Emision estimulada.
Para que puedan produ irse fotones por emision estimulada de una determinada
energa h ! se tienen que umplir los siguientes requisitos [87℄:
8 En los laseres nun a se veri a esta hipotesis. La inye ion de portadores siempre esfuerte ya que el
uasinivel de Fermi de los ele trones siempre esta situado dentro dela banda de ondu ion y el de los hue os
er a del maximo de la banda de valen ia.

DE UN SEMICONDUCTOR
Fc
-
Ec
ƫN
Ev
+ Fv
Ec - Ev<Ȧ< Fc - Fv
ƫ ƫ
Figura 5.15: Intervalo de pulsa iones en las que el semi ondu tor puede ampli ar.
1. Que existan estados energeti os en el semi ondu tor que puedan produ ir fotones de
esa energa. Por tanto la tasa de emision estimulada es propor ional a (! ).
2. Que exista un ele tron que se pueda re ombinar de forma estimulada. La tasa de
emision estimulada es propor ional, por tanto, a la probabilidad de que haya un ele tron
on la energa E2 en la banda de ondu ion, f (E2 ; F ) = (E12 F ) .
1+e kT
3. Que exista un hue o on el que se pueda re ombinar el ele tron. La tasa de emision
estimulada es propor ional, por tanto, a la probabilidad de que haya un hue o on la
(E1 Fv )
e
energa E1 , 1 fv (E1 ; Fv ) = (EkT1 Fv ) .
1+e kT
4. Que exista radia ion (fotones) que estimulen a los ele trones de la banda de ondu ion
a re ombinarse on hue os de la banda de valen ia. As, pues, la tasa de emision de
fotones estimulados es propor ional al ujo de fotones.
Por tanto la tasa de emision estimulada (numero de fotones generados por unidad de
volumen y unidad de tiempo en ada intervalo espe tral) viene dada por:
2 rad
rest = (! )f (E2 ; F )[1 fv (E1 ; Fv )℄ (5.31)
8
Repetimos, para reunir todas las expresiones ne esarias para evaluar la tasa de emision
estimulada, las expresiones que rela ionan E1 y E2 on h ! y las rela ions de Nilsson (dado
LUZ-MATERIA.
5.6. INTERACCION 109
que suponemos que no vamos a tratar de invertir la fun ion de Fermi{Dira numeri amente)
[25℄:
mr 9
E2 = E + (h! Eg ) >
>
me >
>
>
>
>
>
>
mr >
>
>
Ev = E1 + (h! Eg ) >
>
>
mh >
>
>
>
p
>
>
>
>
F = fln Æ + Æ [64 + 0;05524Æ (64 + Æ )℄g
>
>
>
>
>
>
p
>
>
>
Fv = fln + [64 + 0;05524(64 + )℄g
>
=
>
(5.32)
>
>
n >
>
>
Æ := >
>
>
me KT 3=2
>
>
>
2 >
>
2h 2
>
>
>
>
>
>
>
>
n
>
>
>
:= >
>
>

mh KT 3=2 >
>
>
2 >
>
;
2h 2
5.6.3. Absor ion.
Para que puedan absorberse fotones de una determinada energa h ! han de veri arse
una serie de ondi iones [87℄:
1. Que existan estados energeti os en el semi ondu tor entre los que se pueda produ ir
la absor ion. Por tanto la tasa de absor ion es propor ional a (! ).
2. Que exista un ele tron en la banda de valen ia que pueda ser absorbido. La tasa de
absor ion es, pues, propor ional a la probabilidad de que haya un ele tron on la energa
E1 en la banda de valen ia, fv (E1 ; Fv ) = (E11 Fv ) .
1+e kT
3. Que exista un estado energeti o no o upado en la banda de ondu ion. La tasa de

absor ion es propor ional, por tanto, a la probabilidad de que haya un estado libre en
(E2 F )
e
la banda de ondu ion de energa E2 , 1 f (E2 ; F ) = (EkT2 F ) .
1+e kT
4. Que exista radia ion (fotones) que estimulen la absor ion de ele trones de la banda de
valen ia y los lleven a la banda de ondu ion. Por onsiguiente, la tasa absor ion de
fotones es propor ional al ujo de estos.
En denitiva, la tasa de absor ion (numero de fotones perdidos por unidad de volumen
y unidad de tiempo en ada intervalo espe tral) viene dada por la siguiente expresion:
2 rad
rabs = (! )fv (E1 ; Fv )[1 f (E2 ; F )℄ (5.33)
8

DE UN SEMICONDUCTOR
4
x 10
10
−2
0.78 0.8 0.82 0.84 0.86 0.88 0.9
Figura 5.16: Evolu ion de la ganan ia de un semi ondu tor (medida en m 1 ) on respe to
a la on entra ion de portadores y la energa del foton (en eV). Las urvas representadas se
orresponden on las siguientes on entra iones de portadores: 0; 91024 m 3 , 1; 341024m 3 ,
1; 78 1024 m 3 , 2; 22 1024 m 3 , 2; 66 1024 m 3 y 3 1024 m 3 . Simula ion realizada por
Alejandro Carballar Rin on.
que ompletamos on [25℄:
mr 9
E2 = E + (h! Eg ) >
>
me >
>
>
>
>
>
>
mr >
>
>
Ev = E1 + (h! Eg ) >
>
>
mh >
>
>
>
p
>
>
>
>
F = fln Æ + Æ [64 + 0;05524Æ (64 + Æ )℄g
>
>
>
>
>
>
p
>
>
>
Fv = fln + [64 + 0;05524(64 + )℄g
>
=
>
(5.34)
>
>
n >
>
>
Æ := >
>
>

me KT 3=2 >
>
>
2 >
>
2h 2
>
>
>
>
>
>
>
>
n
>
>
>
:= >
>
>

m KT 3=2 >
>
2 h 2
>
>
>
;
2h

5.7. GANANCIA OPTICA DEL MEDIO. 111
5.7. Ganan ia opti a del medio.
Para al ular el numero neto de fotones edidos por unidad de volumen y tiempo
a la radia ion que se propaga por el semi ondu tor (en ada intervalo espe tral) tenemos
que restarle a los que se eden por emision estimulada los que se pierden por absor ion.
Ademas sabemos que este in remento se tradu e en una varia ion del ujo en la dire ion
de propaga ion [20℄:
dNf 2
= = rest rabs = rad (! )[f (E2 ; F ) fv (E1 ; Fv )℄ )
dt z 8
2
1 rad
(! ) := = (h! )[f (E2 ; F ) fv (E1 ; Fv )℄ (5.35)
z 8
que, de nuevo, ompletamos on:
mr 9
E2 = E + (h! Eg ) >
>
me >
>
>
>
>
>
>
mr >
>
>
Ev = E1 + (h! Eg ) >
>
>
mh >
>
>
>
p
>
>
>
>
F = fln Æ + Æ [64 + 0;05524Æ (64 + Æ )℄g
>
>
>
>
>
>
p
>
>
>
Fv = fln + [64 + 0;05524(64 + )℄g
>
=
>
(5.36)
>
>
n >
>
>
Æ := >
>
>
m KT 3=2
>
>
2 e 2
>
>
>
>
2h >
>
>
>
>
>
>
n
>
>
>
:= >
>
>

mh KT 3=2 >
>
>
2 >
>
;
2h 2
Analizando la e ua ion (5.35) podemos sa ar algunas on lusiones ualitativas. En pri-

mer lugar, para que haya gana ia opti a, se tiene que umplir que f (E2 ; F ) fv (E1 ; Fv ) > 0,
lo que es equivalente a de ir que la energa de los fotones debe ser inferior a la separa ion
entre los uasiniveles de Fermi y mayor que la energa de banda prohibida. El medio semi-
ondu tor es apaz de ampli ar radia ion ele tromagneti a en el intervalo: Ehg ! F h Fv
[20℄, tal y omo se muestra en la g. f5.15g.
Ahora vamos a mostrar los resultados de simula ion de la urva de ganan ia opti a de
un semi ondu tor que esta a temperatura ambiente (T=300K). El semi ondu tor en uestion

DE UN SEMICONDUCTOR
4
x 10
10
−2
0.5 1 1.5 2 2.5 3
24
x 10
Figura 5.17: Ganan ia maxima del semi ondutor (medida en m 1 ) frente a la on entra ion
de portadores (medida en m 3 ). Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
es una muestra de InGaAsP on una an hura de banda prohibida Eg = 0; 78eV , es de ir, un

semi ondu tor que emite luz a Æ = 1; 55m. El tiempo medio de re ombina iones radiativas
es r = 0; 9ns y las masas efe tivas de ele trones y hue os son me = 0; 046m y mh = 0; 46m
(donde m es la masa de un ele tron libre). La urva esta parametrizada para in rementos de la
on entra ion de portadores ada vez mayores: n = 0;9 1018 m 3 , n = 1; 34 1018 m 3 ,
n = 1; 78 1018 m 3 , n = 2; 22 1018 m 3 , n = 2; 66 1018 m 3 y n = 3 1018 m 3 .
Esto se muestra en la g. f5.16g.
Un laser emite luz en los modos longitudinales que estan proximos a los maximos de
las urvas que rela ionan la gana ia frente a la energa de los fotones, puntos que se han
mar ados en la g. f5.16g. Por tanto, lo que realmente nos interesa en este apartado, es
rela ionar los valores maximos de (! ) frente a la on entra ion de portadores n = p. La
urva resultante se ajusta relativamente bien [20℄ por medio de una lnea re ta 9 , tal omo se
muestra en la g. f5.17g. Esta
es la rela ion que ne esitamos para modelar el omportamiento
de los laseres de materiales semi ondu tores. La expresion analti a de la gana ia es:
n abs
(n) = abs ( 1) = (n nT ) := gN (N NÆ ) (5.37)
nT nT
abs es el oe iente de absor ion del semi ondu tor, nT := NÆ es la on entra ion
de portadores de transparen ia, es de ir, la on entra ion de portadores en ex eso (frente a la
9 Esta rela ion es lineal solo en los semi ondu tores volumetri os. En los pozos, lneas o puntos uanti os
esta dependen ia no es lineal [20℄.

5.7. GANANCIA OPTICA DEL MEDIO. 113
situa ion de equilibrio termi o) que debe haber para que el semi ondu tor sea transparente
(es de ir, que ni ampique ni atenue la luz que se propaga por el medio) y, por ultimo gn es
la gana ia diferen ial del medio.

DE UN SEMICONDUCTOR
5.8. Problemas
Problema 7: Se tiene un semi ondu tor intrnse o en el que se inye tan
portadores de arga. La inye ion es debil, lo que quiere de ir que los
uasiniveles de Fermi no se alejan mu ho de su posi ion de equilibrio termi o.
Se trata de un semi ondu tor de transi ion dire ta por lo que va a emitir luz por
emision espontanea. Se desea ono er la pulsa ion a la que la densidad espe tral
de poten ia opti a emitida es maxima.
Solu ion: La expresion de la tasa de emision espontanea es:
rad (2mr )3=2 F FkTv Eg q h ! Eg

rsp = 2 e h ! Eg e kT
h
La densidad espe tral de poten ia sera maxima a aquella pulsa ion que verique:
2 h ! Eg q 3
r (! ) (2m )3=2 F Fv Eg h e kT h h ! Eg h ! Eg
0 = sp ' rad 2r e kT 4 q e kT 5 )
! h 2 h ! Eg kT
kT
0 = kT 2(h!max Eg ) ) h !max = Eg + (5.38)
2
Por tanto la respuesta es:
kT
h !max = Eg +
2
Captulo 6
El laser de avidad Fabry-Perot
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar el laser de avidad Fabry-Perot.
En realidad vamos a estable er dos e ua iones de balan e, una para los portadores
de arga dentro de la region a tiva y otra para los fotones dentro de la avidad
resonante. Estas dos e ua iones, ono idas on el nombre de "rate{equations"
en ingles, son validas para ualquier tipo de laser, no solo para los de avidad
FP, y permiten estable er la rela ion que hay entre la orriente inye tada y la
evolu ion temporal de la poten ia opti a total emitida. Estas mismas e ua iones
rela ionan, tambien, la orriente inye tada on la varia ion en el tiempo de la
on entra ion de portadores en la region a tiva. Ademas de plantear estas
e ua iones, expli aremos, ualitativamente, las ara tersti as espe trales de estos
laseres y des ribiremos su estru tura fsi a, es de ir, veremos que la region
a tiva de estos laseres es una doble heteroestru tura en la que se onsigue un
onnamiento asi total de los portadores y un onnamiento par ial de la luz.
Aunque la mayor parte de los laseres que se emplean hoy en da en omuni a iones
opti as son laseres de pozos uanti os (y, quizas en el futuro lo sean de lneas
o puntos quaanti os), estos laseres, uyas regiones a tivas son semi ondu tores de
bajas dimensiones (pozos uanti os: dos, lneas uanti as: una y puntos
uanti os: ero) no se abordan en este libro.
115

DE CAVIDAD FABRY-PEROT
p++
x z
n ++
Figura 6.1: Estru tura tridimendional de un diodo de avidad Fabry-Perot.
6.1. Introdu ion

En la g. f6.1g se ha representado la estru tura de un laser de avidad Fabry-Perot
guiado por el ndi e. La apa de material semi ondu tor que se ha dibujado a rayas, re ibe el
nombre de region a tiva del laser y esta onstituida por un semi ondu tor opti amente a tivo
a la longitud de onda de trabajo (1300nm o 1550nm, normalmente) que esta muy debimente
dopado o que in luso puede ser intrnse o. El resto de semi ondu tores que rodean a la region
a tiva, tanto en la dire ion "x" omo en la dire ion "y" tienen unas an huras de bandas
prohibidas mayores que la de esta. No se ha intentado representar los semi ondu tores que
hay alrededor de la region a tiva, ya que son estru turas de geometras muy omplejas y que
varan mu ho de un laser a otro. En la bibliografa adjunta [4℄{[102℄ se pueden en ontrar
varios ejemplos. El he ho de que la region a tiva tenga una an hura de banda prohibida
menor que los semi ondu tores que hay alrededor tiene una importan ia primordial para el
orre to fun ionamiento del dispositivo, ya que de esta manera se onsiguen los siguientos
objetivos [10℄{[63℄:
1. Un onnamiento asi total de los portadores en la region a tiva del laser.

2. Un onnamiento par ial de la luz en la region a tiva del laser.
Vamos a expli ar detenidamente ada una de estas arma iones. Consideremos, pri-
mero, el diagrama de bandas de los semi ondu tores que apare en en el plano y = 0, estando
el diodo dire tamente polarizado, diagrama que se muestra en la g. f6.2g. Supongamos
que ir ula una orriente I por el dispositivo. La barrera de poten ial que apare e en la
se ion "A" impide que los hue os se difundan por la zona n++ y quedan atrapados en la

++ Región ++
P activa N
³%´
ĭe Banda de
-- -- -- -- -- -- -- conducción
+++++++
+++++++
Banda de
valencia
³$´
ĭh
Figura 6.2: Diagrama de bandas de la doble heteroestru tura de un diodo de avidad Fabry-
Perot.
region a tiva. De igual forma, la barrera de poten ial que apare e en la se ion "B" en la
banda de ondu ion, impide que los ele trones se despla en por difusion por la zona p++
y tambien quedan atrapados en la region a tiva. Por supuesto, en esta zona se produ e una
importante re ombina ion de pares ele tron{hue o, que es la responsable de la orriente que
esta atravesando el diodo 1 . Vemos, pues, que la orriente I = qAt e = qAt h produ e una
a umula ion de portadores en la region a tiva n = p = N (ambas on entra iones son
iguales, para que el semi ondu tor sea ele tri amente neutro 2 ). Si esta on entra ion de por-
tadores es su ientemente alta, la region a tiva tendra un oe iente de ganan ia por unidad
de longitud > 0, en vez de un oe iente de atenua ion, que es la situa ion que se da en
equilibrio termi o y para on entra iones de portadores inferiores a un determinado valor,
llamada on entra ion de transparen ia que se denota NÆ . En resumen, utilizando semi on-
du tores on distintas an huras de banda prohibida (las llamadas dobles heteroestru turas ),
onseguimos que el onnamiento de ele trones y hue os se produz a en una determinada
region del dispositivo llamada region a tiva 3 .
1 Estamos despre iando los portadores que saltan las barrera por efe to termoioni o y las orrientes
difusivas que no llegan a la region a tiva. En un modelo mas exa to del laser deberamos uanti ar e in luir
estos terminos.
2 Si no fuese as, se generaran unas fuerzas ele tri as muy intensas que onsiguen, en un intervalo de
tiempo muy orto, reestable er el equilibrio de argas. La hipotesis de neutralidad de argas se apli a en el
modelado de asi todos los dispositivos ele troni os y fotoni os.
3 La idea de utilizar dobles heteroestru turas para onseguir un onnamiento simultaneo de portadores
y fotones es, posiblemente, el hito mas importante en la historia de los laseres a semi ondu tor, ya que
hizo posible el fun ionamiento de estos dispositivos a temperatura ambiente y en regimen ontinuo. La idea
original la propusieron simultaneamente en 1963 H. Kroemer en EE.UU. y R.F. Kazarinov y Z.I. Alfero en
la Union Sovieti a .

2
ns-1 2
R= ns-1
n s+1 R= n +1
s
Figura 6.3: Distribu ion transversal de los modos guiados de una avidad Fabry-Perot guiada
por el ndi e.
Los materiales semi ondu tores tienen una propiedad importante [1℄: uanto menor
es su an hura de banda prohibida, mayor es su ndi e de refra ion, por lo que la region
a tiva tiene un ndi e de refra ion mayor que el de todos los materiales que la rodean,
ha iendose posible, por tanto, el guiado longitudinal de la luz. Re ordemos que en las bras
opti as la existen ia de una region entral (el nu leo) on un ndi e de refra ion mas alto
que las regiones mas alejadas del eje (la orteza) era lo que permita que la luz se propagara
longitudinalmente. El onjunto formado por la region a tiva y el resto de materiales semi on-
du tores que la rodean onstituyen, pues, un guiaonda que permite que la luz se propague
longitudinalmente.
Tenemos, pues, una estru tura de guiado longitudinal de la luz, en la que la region
a tiva ha e la fun ion que en la bra realiza el nu leo. Todos los materiales semi ondu tores
que hay alrededor de esta tienen an huras de banda prohibida mayores, por lo que sus
ndi es de refra ionson menores y umplen una fun ion analoga a la de la orteza en una
bra opti a. Las super ies frontal y posterior del diodo laser son ortes pre isos a lo largo
de planos ristalogra os del semi ondu tor, por lo que apare e una varia ion brus a del
ndi e de refra ion. En el Alx AsGa1 x el ndi e de refra ion toma valores er anos a 3,5,
mientras que el del aire es pra ti amente igual a la unidad, on lo que que estas super ies
tienen un oe iente de re exion en poten ia er ano la 31 % 4 . As, pues, hay dos espejos
planos paralelos entre s situados en los extremos de la avidad, es de ir, tenemos una avidad
resonante.
El laser de avidad Fabry Perot se dise~na de manera que a la longitud de onda de
trabajo, exista un uni o modo transversal soportado por la estru tura, tal omo se muestra
4 Los oe ientes de re exion toman el valor R = ( ns 1 )2 .
ns +1

2
O9

.QPIKVWFFGQPFC
ȝO
%QTTKGPVG
O#
Figura 6.4: Espe tro de un diodo de avidad Fabry-Perot guiado por el ndi e en fun ion de
la poten ia emitida.
en la g. f6.3g. Esto quiere de ir que existe una uni a distribu ion transversal del ampo
ele tromagneti o para la que es posible la propaga ion longitudinal de la luz laser. En esta
gura su muesta tambien que solo fra ion de intensidad luminosa que se propaga por la
avidad solapa on la region a tiva y, por tanto, solo esta fra ion puede produ ir fenomenos
estimulados. Esta fra ion, expresada en tanto por uno, la denotamos por medio de y
re ibe el nombre de fa tor de onnamiento.
El dispositivo emite a mas de una longitud de onda, es de ir, emite en varios modos
longitudinales [4℄. Los laseres guiados por el ndi e [4℄ (que son los que estamos onsiderando)
tiene la propiedad de que uanto mayor es la poten ia de emision y bajo ondi iones de
regimen permanente, son mas mono romati os, es de ir, la distribu ion de poten ia entre los
distintos modos guiados se vuelve mas asimetri a, de manera que a poten ias altas, la mayor
parte de esta se emite a la longitud de onda orrespondiente al modo longitudinal prin ipal,
tal y omo se muestra en la g. f6.4g.
En este apartado hemos identi ado los elementos basi os del laser de avidad Fabry-
Perot guiado por elndi e (existen otros tipos de laseres de este tipo, los guiados por ganan ia,
que no vamos a onsiderar):
1. El medio ampli ador, es de ir, la region a tiva. Es un paraleleppedo ompuesto de
un material semi ondu tor de an hura de banda prohibida baja (en ompara ion on
el resto de semi ondu tores que lo rodean) que es opti amente a tivo a la longitud de
onda de emision del laser y que no esta dopado.
2. El me anismo de bombeo, que onsiste en la inye ion de una orriente, ha e que
la on entra ion de portadores en la region a tiva rez a y uando esta aumenta por

Į+ Į
sc E
P fotones
Figura 6.5: Cavidad resonante en la que hay radia ion espontanea y estimulada.
en ima de la on entra ion de transparen ia, el medio a tivo adquiere una ganan ia que
es propor ional a la diferen ia entre la on entra ion de portadores y la on entra ion
de transparen ia.
3. La avidad resonante, que o upa un volumen mayor que la region a tiva, ya que la
distribu ion transversal del ampo ele tromagneti o se extiende mu ho mas alla de
los lmites de esta. La avidad resonante esta limitada por dos planos ristalogra os
paralelos entre s, que tienen un oe iente de re exion en poten ia er ano al 31 %.
En realidad, la mayora de los laseres que se emplean hoy en da en omuni a iones
opti as son dispositivos de pozos uanti os [109℄ y, quizas, en un futuro no muy lejano,
sean laseres on medios a tivos onstituidos por lneas y puntos uanti os [44℄{[74℄{[97℄. No
vamos a abordar el estudio de estos emisores de luz porque no le presuponemos al le tor
los ono imientos de me ani a uanti a y fsi a de semi ondu tores que son impres indibles
para tratar estas uestiones.
6.2. Comportamiento dinami o de un laser

En este apartado vamos a dedu ir dos e ua iones diferen iales no lineales a opladas
entre s que permiten determinar la evolu ion temporal de la poten ia emitida por el laser
en fun ion de la orriente inye tada. Estas dos rela iones son e ua iones de ontinuidad,
que expresan la varia ion en el tiempo del numero de portadores (o su on entra ion, si se
preere) que hay en la region a tiva y la varia ion temporal del numero de fotones (o su
on entra ion) en la avidad resonante. Es importante re al ar que estos dos volumenes de
ontrol en los que vamos a dedu ir estas dos e ua iones son distintos. La region a tiva es el
pareleleppedo rayado representado en la g. f6.1g, mientras que la avidad resonante es el
volumen ompleto del diodo semi ondu tor. Ambas son e ua iones de balan e, en las que

6.2. COMPORTAMIENTO DINAMICO
DE UN LASER 121
+
P (0)
+
P (L)
- -
P (2L) P (L)
Lm
Figura 6.6: Cal ulo de la onstante de perdidas en la avidad resonante.
se evalua la varia ion del numero de fotones o portadores en su orrespondiente volumen de

ontrol, omo la suma de todos los terminos que tienden a introdu ir fotones o portadores
menos la suma de todos los que tienden a sa arlos fuera de all.
Para poder plantear la e ua ion de balan e del numero de fotones, tenemos que
uanti ar los pro esos que tienden a introdu ir fotones dentro de la avidad y los que
tienden a sa arlos. Consideremos primero el oe iente de ganan ia por unidad de longitud
del medio a tivo. Evidentemente la ganan ia del medio ampli ador tiende a aumentar la
on entra ion de fotones en su volumen de ontrol. Deduz amos la expresion exa ta:
!
dP dP dx g x Æ P
P = PÆ e g x ) dt
=
dx dt
= g PÆ e
n
:=
g
(6.1)
est abs
En la expresion (6.1) hemos tenido en uenta que solo una fra ion (re ordemos que
re ibe el nombre de fa tor de onnamiento) de la intensidad luminosa total viaja por la
region a tiva. Ademas hemos denido el tiempo medio que tarda en ganarse un foton omo
resultado de los pro esos estimulados (emision estimulada menos absor ion) omo g := gn Æ .
Si ahora tenemos en uenta que g = gn(N NÆ ) resulta que g = gn (N nNÆ ) Æ .
Ahora vamos a onsiderar los pro esos fsi os que sa an fotones de la avidad re-
sonante: el s attering Rayleigh y la re exion par ial en los espejos. Para ello vamos a ver
omo disminuye el numero de fotones omo onse uen ia de un viajes de ida y vuelta por la
avidad, tal omo se muestra en la g. f6.6g:

8
>
>
>
P + (0) = PÆ
>
>
>
< P + (L) = PÆ e s L
>
P (2) = RPÆ e s L (6.2)
>
>
>
>
P (2L) = RPÆ e s 2L
P + (2L) = R2 PÆ e s 2L
>
:
Vemos que el numero de fotones va disminuyendo por ulpa de las perdidas por
s attering Rayleigh y las re exiones par iales en los espejos. Resulta onveniente repartir
las perdidas lo alizadas en los espejos mediante un oe iente de perdidas por unidad de
longitud aso iado a los espejos e introdu irlo en el argumento de la fun ion exponen ial.
Deniendo esp := 21L Ln( R12 ), nos queda:
P +(2L) = PÆ e (s +esp )2L ) P (x) = PÆe (s +esp )x )

dP
!
dP dx P (6.3)
= = 2(s + esp)P Æ =
dt per dx dt n p
donde la onstante de tiempo de perdidas de la avidad fra (perdidas que no estan

rela ionadas on la atenua ion del medio material) tiene la expresion: p := 2 Æ (s n+esp ) y
donde esp := 21L Ln( R12 ). El signi ado fsi o de p es evidente: es el tiempo que, en promedio,
tarda en salir un foton de la avidad por alguno de los dos fenomenos antes men ionados,
que son o bien una re exion par ial en uno de los espejos, o bien un pro eso de s attering
Rayleigh.
Hay un ultimo termino que tiene tenden ia a aumentar el numero de fotones que hay
en la avidad: la peque~na fra ion de fotones del total generado por emision espontanea
que se propagan en la dire ion perpendi ular a los espejos y que ae dentro del an ho de
banda de la luz generada por el laser. Si el numero total de fotones generados por emision
espontanea por unidad de volumen y tiempo es esp N los que se suman a la radia i on generada
N
por el laser es esp . Realmente no es ne esario introdu ir este oe iente empri o [4℄{[24℄,
tal omo veremos en el aptulo 10 donde se demostraremos que la emision espntanea y la
estimulada pueden rela ionarse entre s. La expresion que des ribe de forma aproximada la
ontribu ion de la emision espontanea es:
!
dP N
= (6.4)
dt esp esp
En realidad el numero de fotones generados por emision espontanea por unidad de

volumen y tiempo es, bajo ondi iones de inye ion fuerte (que son las habituales en la region
a tiva de un laser), aproximadamente propor ional al uadrado del numero de portadores 5 .
5 En un semi ondu tor se produ en tres tipos de re ombina iones [4℄{[74℄{[90℄: re ombina iones en tram-
pas, re ombina iones radiativas y re ombina iones Auger. Solo las primeras permiten denir un tiempo de
re ombina ion onstante. Ni las re ombina iones en trampas ni las Auger ontribuyen a la genera ion de
fotones espontaneos.

6.2. COMPORTAMIENTO DINAMICO
DE UN LASER 123
+
EQTTKGPVG Luz láser
Fotones generados por

emisión espontánea
Luz láser V(volumen de la región activa)
Figura 6.7: Volumen de ontrol donde vamos a plantear la e ua ion de ontinuidad de los
portadores de arga.
La formula anterior, que es habitual en los modelos mas sen illos del laser a semi ondu tor,
la podemos a eptar omo valida si suponemos que esp depende de N , aunque, on objeto
de simpli ar el modelo, onsideraremos que esp es onstante. Para modelos mas realistas
remitimos al le tor a la bibliografa adjunta [20℄{[24℄{[25℄{[74℄. El oe iente apare e
porque el volumen de la avidad resonante es mayor que el de la region a tiva y el o iente
de este ultimo dividido por el anterior es, pre isamente, el fa tor de onnamiento. Ya hemos
al ulado todos los terminos que tienden a ambiar la on entra ion de fotones dentro de la
avidad. Por tanto, teniendo en uenta las expresiones (6.1), (6.3) y (6.4), podemos es ribir
la primera a ua ion de balan e, la de los fotones dentro de la avidad resonante:
dP P P N
= +
dt g p esp
n n
g := ; p = (6.5)
Æ gm (N NÆ ) 2 Æ (s + esp)
1 1
esp := ln 2
2L R
Vamos a plantear ahora la e ua ion de ontinuidad del numero de portadores en

desequilibrio N (no espe i amos si son ele trones o hue os, ya que las on entra iones de
desequilibrio tienen que ser iguales para que el semi ondu tor sea ele tri amente neutro) en
el volumen de ontrol denido por la region a tiva del diodo. Este volumen de ontrol se
muestra en la g. f6.7g. El uni o termino que ontribuye a que la on entra ion de portadores
en la region a tiva aumente es la inye ion de orriente I y el aumento provo ado es:
!
dN I
= (6.6)
dt orr qV

Para simpli ar la e ua ion de balan e, suponemos que todos los portadores inye -
tados llegan a la region a tiva (lo ual no es ierto) y que los portadores no pueden saltar
las barreras de poten ial (una ierta propor ion de ellos lo ha e por efe to termoioni o).
Los terminos que tienden a ha er disminuir la on entra ion de portadores son el efe to
neto emision estimulada menos absor ion y la tasa de emision espontanea 6 (en este aso
uenta todos los fotones produ idos por emision espontanea, ya que todos apare en omo
onse uen ia de la re ombina ion de un pares ele tron{hue o):
!
dN P
=
dt !est abs g
dN N (6.7)
=
dt esp esp
Ahora no apare e en la primera expresion debido a que el volumen de la region

a tiva es menor que el de la avidad resonante. Por tanto, el par de e ua iones de balan e
que des ribe, de forma simpli ada, el omportamiento del laser es:
9
dP P P N
= + >
>
>
dt g p esp >
>
>
>
>
>
>
>
>
dN I P N >
>
=
>
>
>
dt qV g esp =
(6.8)
>
>
n n >
>
>
g := ; p = >
>
Æ gm (N NÆ ) 2 Æ (s + esp) >
>
>
>
>
>
>
>
>
esp := 1 1 >
2L Ln( R2 )
;
El modelo dinami o del laser viene, pues, des rito por un par de e ua iones diferen-
iales no lineales y a opladas entre s, ya que apare e terminos en las e ua iones que son
produ tos de on entra iones de portadores multipli ados por on entra iones de fotones.
6.3. Cara tersti a estati a del laser

Queremos determinar en este apartado la ara tersti a estati a del laser, es de ir, la
rela ion que hay, en regimen permanente, entre la poten ia emitida por el laser y la orriente
que lo atraviesa. Para dedu irla vamos a anular las derivadas temporales en la e ua ion (6.8)
y denimos la onstante A := Ængn on lo que queda:
6 De nuevo estamos suponiendo que la re ombina ion de portadores se puede des ribir por medio de un
tiempo esp independiente de N y no onsideramos las re ombina iones no radiativas (re ombina iones en
trampas y re ombina iones Auger) que pueden ser del mismo orden de magnitud que las re ombina iones
radiativas.
6.3. CARACTERISTICA ESTATICA

DEL LASER 125
P N
0 = AP (N NÆ ) +
p esp
I N
0= PÆ A(N NÆ ) (6.9)
qV esp
En la g. f6.4g se ha representado, junto al espe tro de emision de un laser de

avidad Fabry-Perot guiado por el ndi e, su ara tersti a estati a. Vemos que hay dos
zonas laramente diferen iadas en las que la poten ia opti a re e linealmente respe to a
la orriente inye tada on pendientes muy distintas. En la primera (zona I), la pendiente
es muy suave, debido a que la luz se genera, en su mayor parte, por emision espontanea.
Determinaremos la rela ion entre P e I en esta zona despre iando los fenomenos estimulados
(ya que el medio no tiene una ganan ia apre iable) y reteniendo solo el termino de emision
espontanea. En la segunda region (zona II) los fenomenos estimulados son los responsables
de la genera ion de la mayor parte de la poten ia opti a emitida. En el odo de transi ion
entre la zona I y la II, no se puede ha er esta aproxima ion y, ademas, habra que modi ar
la e ua ion de balan e del numero de fotones para prede ir on exa titud el omportamiento
del laser en esta zona [24℄. En esta region de transi ion, la emision espontanea pasa de estar
repartida entre un enorme numero de modos longitudinales a on entrarse en uno solo (si
el laser es monomodo) y en unos uantos (si el laser es multimodo). Un tratamiento exa to
de la emision espontanea ha e inne esaria esta linealiza ion por tramos de la ara tersti a
estati a del laser. Desgra iadamente un tratamiento de esta naturaleza se sale de los lmites
de este libro.
6.3.1. Modelo para la zona I (emision espontanea dominante)
El modelo para esta zona de fun ionamiento lo determinamos despre iando en (6.9)
los terminos estimulados, on lo que resulta:
P N 9
0= + >
>
p esp
>
>
) P = qVg I
>
=
(6.10)
I N >
>
>
0= >
>
;
qV esp
Vemos que, efe tivamente, la pendiente de la re ta que rela iona P on I es muy

peque~na, ya que la onstate es 1.
6.3.2. Modelo para la zona II (emision espontimulada dominante)
Ahora, al sustituir en (6.9) despre iamos el termino en el que apare e on lo que

nos queda:

P P 9
n 9

9
0=
g p
>
>
> g =
Æ gn(N NÆ )
= p >
> P = p (I Ith ) >
>
>
>
>
=
>
>
= qV >
>
=
) ) (6.11)
I P N >
> n >
>
N
>
>
0=
>
>
> N = Nth := NÆ + >
>
;
Ith := th
>
>
>
qV g esp
;
Æ gn
;
Vemos que en todos los puntos de la zona II de la ara tersti a estati a del laser la
on entra ion de portadores por en ima del equilibrio termi o es onstante e igual a Nth .
Cualquier in remento en la orriente inye tada, se tradu e en un in remento del numero
de fotones que hay en la avidad y, por tanto, en un in remento de la poten ia opti a que
genera el laser. Vemos, tambien, que en todos los puntos de la zona II la ganan ia del medio
ampli ador permane e onstante e igual a las perdidas que hay en la avidad resonante
7 . S
olo en la zona I de fun ionamiento, un in remento en la orriente inye tada se tradu e
en un aumento de la on enta ion de portadores en la region a tiva. Por onsiguiente, solo
en la zona I se onsigue que la on entra ion de portadores aumente y que el oe iente
de atenua ion disminuya a medida que aumenta la orriente y que, eventualmente, se haga
positivo y se traduz a en una oe iente de ganan ia por unidad de longitud. Cuando la
orriente llega al valor de la orriente umbral, estamos justo en el odo que une las zonas I y
II. A partir de ese instante, aunque aumentemos la orriente, la on entra ion de portadores
se mantiene igual a Nth . Tambien vemos que la pendiente que rela iona P on I en la zona II
es mu ho mayor que en la zona I, ya que ha desapare ido del oe iente de popor ionalidad.
6.4. Cara tersti a de peque~na se~nal del laser

En este apartado vamos a determinar el modelo de peque~na se~nal de un laser polariza-
do en un punto de la zona II de fun ionamiento. Vamos a derivar este modelo, no porque nos
interese el resultado en s mismo, sino porque nos va a dar una informa ion muy util a er a
del omportamiento del laser en onmuta ion. Conmutamos un laser semi ondu tor uando
variamos rapidamente su punto de polariza ion desde uno en el que genera una poten ia
muy baja (se transmite un "0" logi o) a otro donde la poten ia generada es alta (y en el que
se transmite un "1" logi o). Este es la manera mas sen illa de transmitir informa ion digital
on un laser y se ono e on el nombre de modula ion dire ta 8 . El ir uito on el que se
polarizara el laser para medir su ara tersti a de peque~na se~nal se muestra en la g. f6.8g.
En las e ua iones que siguen vamos a despre iar la poten ia opti a generada por emision
espontanea. Para el le tor interesado en un modelo mas detallado del laser semi ondu tor,
lo referimos a [4℄{[24℄{[74℄.
La fun ion de transferen ia que deseamos obtener (que ara teriza el omportamiento
del laser de peque~na se~nal) es la que rela iona p~ on ~i, es de ir, las u tua iones senoidales
de la poten ia opti a, que es la variable ontrolada, on respe to a las u tua iones de la
orriente, que es la variable de ontrol. La poten ia PÆ , la on entra ion Nth y la orriente
7 Lo mismo pasa en los laseres de niveles dis retos y, en general, en ualquier tipo de laser.
8 Las tasas binarias maximas que se pueden transmitir on modula ion dire ta son del orden de un par
de gigabits por segundo.
6.4. CARACTERISTICA DE PEQUENA

~ SENAL
~
DEL LASER 127
~
Io+i
+ ~
Po+p
Vo
+
~
v
Figura 6.8: Cir uito de peque~na se~nal del laser.
IÆ denen el punto de polariza ion de la zona II alrededor del ual se van a produ ir las
perturba iones senoidales. Por tanto veri an las siguientes igualdades:
P PÆ 9
0= Æ >
>
>
g p =
(6.12)
IÆ Nth PÆ
0=
>
>
>
qV esp g ;
Ahora tenemos que sustituir en las e ua iones dinami as del laser los valores
P = PÆ + p~, I = IÆ + ~i y N = Nth + n~ , donde p~, ~i y n~ son peque~nas perturba iones senoidales
(o fasores de peque~na amplitud, si se trabaja on numeros omplejos, osa que haremos):
dN I N 9
= A(N NÆ )P >
>
dt qV esp >
>
>
=
)
dP P >
>
>
= A(N NÆ )P >
>
;
dt p
9
I Nth ~i n~
j! n~ = Æ
>
A(Nth NÆ )PÆ + A(Nth NÆ )~p APÆ n~ An~ p~ >
>
>
qV esp qV esp >
>
=
PÆ
>
1 >
>
j! p~ = A(Nth NÆ )PÆ + p~[ A(Nth NÆ ) ℄ + APÆ n~ >
>
>
p p ;
(6.13)
Si ahora tenemos en uenta las rela iones (6.12), que 1 = A(Nth NÆ ) y sustituimos
p

3.5
2.5
1.5
0.5
0
0 0.5 1 1.5
−8
x 10
Figura 6.9: Comportamiento del laser en peque~na se~nal. La on entra ion de portadores se
ha normalizado on respe to a 1; 7 1024 m 3 y la poten ia on respe to a 0; 65mW . Los
datos del laser se han tomado del Problema 9. Simula ion realizada por Alejandro Carballar
Rin on.
en (6.13), nos queda:
9
~i p~ n~ >
j! n~ = APÆ n~ An~ p~ >
>
>
qV p esp >
>
=
(6.14)
1
>
>
>
j! p~ = p~[A(Nth NÆ ) ℄ + APÆ n~ >
>
>
p ;
Las rela iones (6.14) se pueden simpli ar aun mas si tenemos de nuevo en uenta
que A(Nth NÆ ) = 1p y que dado que los fasores n~ y p~ son de muy peque~na amplitud, el
produ to de los dos se puede despre iar, on lo que queda:
9
~i p~ n~ >
j! n~ = APÆ n~ >
>
>
qV p esp =
(6.15)
>
>
>
j! p~ = APÆ n~ >
;
Si ahora eliminamosqen la e ua ion (6.15) la variable n~ y denimos la pulsa ion

ara tersti a omo !r := APÆ y el tiempo de amortiguamiento omo := 1
p r 1
APÆ + esp
dedu imos que la fun ion de transferen ia del modelo de peque~na se~nal del laser viene dada
por la siguiente expresion:
6.4. CARACTERISTICA DE PEQUENA

~ SENAL
~
DEL LASER 129
9
p~ p !r2 >
~i = qV !r2
>
>
! 2 + 2j !r >
>
>
>
=
s
(6.16)
APÆ
>
1 >
>
!r := r := 1
>
>
>
p APÆ + esp >
;
Lo interesante de este resultado es que la fre uen ia de os ila ion resultante y el tiempo
de estable imiento (o amortiguamiento, omo se preera llamar) oin iden on los medidos
en un laser en onmuta ion, tal y omo se observa en la g. f6.9g, donde se representa
la evolu ion de los terminos normalizados N(t) ( on entra ion de portadores en la region
a tiva) y P(t) (poten ia opti a generada por el laser) al onmutar brus amente la orriente
desde el valor I=0 hasta un valor I=10.5mA (el resto de datos estan tomados del problema
resuelto 9), situado dentro de la zona II.

6.5. Problemas
Problema 8: Se tiene un laser de avidad Fabry-Perot uya region a tiva
tiene las siguientes dimensiones: L=300m, W=1,2m y e=0,2m. Los
oe ientes de re exion en poten ia son R1 = R2 = 0; 3, el oe iente de perdidas
por s attering Rayleigh es r = 40 m 1 y los ndi es de refra ion
de fase y grupo son n = 3; 5 y ng = 4. La ganan ia diferen ial debida a los
fenomenos estimulados es gn = 1; 5 10 16 m2 y la densidad de
portadores en la region a tiva bajo ondi iones de transparen ia es
NÆ = 1018 m 3 . La tasa de emision espontanea es = 10 4 y el
tiempo medio de vida de los portadores en la region a tiva es = 2ns.
Se pide:
1.- Cal ular el tiempo medio de permanen ia de un foton en la avidad resonante.
2.- Determinar la on entra ion de portadores y la orriente en la zona umbral.
3.- Determinar la on entra ion de fotones en la avidad resonante, si se polariza
el laser on una orriente de 13,834mA
4.- Deterinar la fre uen ia de os ila ion del laser y su tiempo de estable imiento.
5.- Estimar la tasa binaria maxima que se puede transmitir on el laser mediante
modula ion dire ta.
Solu ion:
1. Tal omo hemos visto en el tema anterior, el tiempo medio de permanen ia de un foton
en la avidad es p = Æ (En+g s ) . s = 40 m 1 = 4000m 1 . Por otra parte sabemos que
E = L1 Ln( R11R2 ) = 4013m 1, on lo que las perdidas totales por unidad de longitud
valen: = E + s = 8013m 1 . Por tanto el tiempo medio de permaneni a de un
foton en la avidad fra es p = Æ (En+g s ) = 310848013 = 1; 664ps.
2. La on entra ion de portadores en la zona umbral del laser la al ulamos imponiendo
que el oe iente de ganan ia por unidad de longitud (fa tor de onnamiento in luido),
sea igual a las perdidas por unidad de longitud de la avidad fra, es de ir: gn (Nth
NÆ ) = E + s . Sustituyendo, queda: 1; 5 10 16(n 1018 ) = 80; 13 ) Nth = 1;580 ;13
10 16 +
1018 = 1; 5342 101819 m 3 . Para al ular la orriente umbral, tenemos en uenta que
24 30010 6 1;210 6 0;210 6
qN
Ith = = th V 1;6 10 1;534210 = 8; 834mA.
210 9
3. La on entra ion de fotones dentro de la avidad viene dada por la expresion P =
p
qV (I Ith ). Como ya hemos al ulado todos los terminos que intervienen en esta
;66410 12 510 3
expresion, podemos sustituirlos: P = 1;610 19130010 6 1;210 6 0;210 6 = 7; 22 10 m .
20 3
ÆgN PÆ 8 20 20
310 1;510 7;2210 ) f = 3; 5163GHz .
4. Sabemos que !r2 = AP Æ
p = ng p = 41;66410 12 r
2
r =
ÆgN PÆ + 1 = 3108 1;510 20 7;221020 +
210 9 ) r = 1; 524ns.
1
ng 4
5. Vamos a admitirque el pulso se ha e estable uando trans urre un tiempo que es dos
ve es el de estable imiento. Por tanto, si asumimos una odi a ion NRZ, tendremos
que Bmax ' 21;524110 9 = 328; 1MHz .
Captulo 7
El laser de avidad distribuida: modos
a oplados
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar el laser de avidad distribuida
utilizando el formalismo de modos a oplados. Sin embargo la dedu ion que vamos
a ha er de las e ua iones no es matemati amente rigurosa. Esto se ha e as
porque la dedu ion rigurosa y orre ta de las e ua iones de modos a oplados
es larga y requiere unos ono imientos matemati os que no se le presuponen al le tor.
La manera en que vamos a razonar es "intuitiva" y nos pare e que esta razon justi a
la falta de rigor matemati o. En primer lugar expli aremos, de una manera tambien
ualitativa, por que una perturba ion senoidal del ndi e de refra ion
puede a oplar energa entre dos modos propios que se propagan en sentidos
ontrarios. A ontinua ion "dedu iremos" la e ua ion de modos a oplados para,
a ontinu a ion, resolverla y demostrar que el laser propuesto es, en prin ipio,
bimodal, es de ir, que emite a dos longitudes de onda distintas. Veremos, por
ultimo, que modi a iones hay que introdu ir en la estru tura para que el
dispositivo emita a una uni a longitud de onda.
131

DE CAVIDAD DISTRIBUIDA: MODOS ACOPLADOS
ȁ
Reflector distribuido
Región activa
r=0 r=0
Figura 7.1: Corte longitudinal de un laser de Bragg.
7.1. Introdu ion

En la g. f7.1g se muestra una se ion longitudinal de un laser de avidad distribuida.
Las super ies anterior y posterior del dispositivo han sido tratadas de manera que tengan un
oe iente de re exion en ampo nulo. Sin embargo, para longitudes de onda er anas a un
determinado valor (longitud de onda de Bragg) la perturba ion periodi a senoidal presente
en el dispositivo introdu e un fuerte a oplamiento (inter ambio de energa) entre dos modos
que se propagan en sentidos opuestos [56℄.
En el laser el ndi e de refra ion omplejo viene des rito por medio de la siguiente
expresion:
2
n(z ) = nÆ + n1 os( z ) + jn2 (7.1)

donde nÆ es el ndi e de refra ion promedio, n1 es la amplitud de la perturba ion del

ndi e, es el periodo de la perturba ion y n2 representa la ganan ia del medio (de la que
es responsable, por supuesto, la region a tiva del laser). Supongamos que por el dispositivo
se esta propagando una onda y que en los maximos del ndi e de refra ion se produ en
re exiones par iales, tal omo se muestra en la g. f7.2g.
La longitud de onda para la ual la estru tura presenta un oe iente de re exion
elevado es aquella para la que todas las ondas par ialmente re ejada se suman en fase, es
de ir, para la que se umple:
2
= 2 = 2 ) B = 2nÆ (7.2)
B =nÆ

n(z) ȁ
n 1
n o
Figura 7.2: Refexiones par iales en una red de difra ion de Bragg.
donde no tiene sentido que nos planteemos que el desfase sea un multiplo entero de
2 distinto de la unidad, ya que a esas longitudes de onda el medio a tivo no sera apaz
de ampli ar la luz. Por tanto, si suponemos que las ondas que se propagan son planas
(en realidad lo uni o que ha emos es ignorar la distribu ion transversal del modo guiado)
llegamos a la on lusion de que estas ondas tienen onstantes de propaga ion er anas a
nÆ 2B = . Por onsiguiente, y dado que la red de difra ion de Bragg tiene una longitud
nita, lo uni o que podemos armar de una manera ierta es que por el laser solo se puede
emitir ondas ele tromagneti as uyas onstantes de propaga ion en el medio tomen valores
er anos a :

' B = (7.3)

La longitud de onda real de emision del laser, aunque proxima a B , no tiene por
que oin idir exa tamente on este valor. Vamos a denir una serie de onstantes de pro-
paga ion aso iadas a los distintos ndi es que apare en en la estru tura, que nos resultaran
muy utiles mas adelante [34℄:
8
>
>
>
Æ := B
>
>
>
>
<
kn
:= Æ 1 (7.4)
>
>
>
>
2
>
>
>
:
g := 2kÆ n2
El termino Æ representa la desvia ion, medida omo una onstante de propaga ion,
entre la longitud de onda de la luz que se propaga por el medio y la longitud de onda de
Bragg. La onstante es la amplitud de la perturba ion del ndi e (n1 ) expresada omo una

n(z) ȁ
n 1
n o
R(z)
S(z)
Figura 7.3: Inter ambio de enrga entre las ondas ontrapropagadas en el re e tor de Bragg.
onstante de propaga ion e indi a omo de intenso es el a oplamiento entre las ondas o y
ontrapropagadas. Por ultimo, g es la ganan ia del medio medida, tambien, omo onstante
de propaga ion.
7.2. E ua ion de Helmholtz

Vamos a plantear ahora las e ua iones de dos ondas planas que se propagan por un
medio omo el des rito por la g. f7.3g. Evidentemente, la perturba ion senoidal del ndi e
provo a un inter ambio de energa entre dos ondas que se propagan en sentidos opuestos
on una misma onstante de propaga ion de fase (en valor absoluto) er ana a B . La
amplitud de la onda que viaja ha ia la dere ha la denotaremos R(z ) y asumimos (dado
que la perturba ion del ndi e es peque~na) que vara lentamente frente a la oordenada
longitudinal z. La amplitud de la onda que se propaga ha ia la izquierda es S (z ) y ambia,
por identi os motivos, lentamente on respe to a la oordenada longitudinal z.
La expresion analti a del ndi e omplejo de refra ion de la estru tura es:
2n 2n
ej + e j
n(z ) = nÆ + n1 + jn2 (7.5)
2
y es pre isamente el termino en n1 el que a opla las ondas R(z ) y S (z ). La e ua ion

que des ribe la propaga ion de las ondas es la e ua ion de Helmholtz:
d2 E
+ kÆ2 n(z )E = 0 (7.6)
dz 2
Postulamos omo solu ion de esta e ua ion la suma de dos ondas que tienen la misma
DE HELMHOLTZ
7.2. ECUACION 135
onstante de propaga ion, en valor absoluto, pero que se propagan en sentidos ontra-
rios. Ademas vamos a onsiderar que las envolventes R(z ) y S (z ) varan lentamente on la
oordenada longitudinal, es de ir, ensayamos on una solu ion uya expresion es:
E (z ) = R(z )e j z + S (z )ejz )
E_ (z ) = (R_ j R)e jz + (S_ + j S )ejz ) (7.7)
E (z ) ' (2j R_ + 2 R)e j z + (2j S_ 2 S )ejz
En esta ultima expresion hemos tenido en uenta que las envolventes varan muy po o
a lo largo de una longitud de onda, por lo que los terminos uadrati os y lineales en son
dominantes frente al resto.
Ahora vamos a al ular kÆ2 n2 despre iando los terminos que sean produ tos de dos
magnitudes peque~nas (tanto n1 omo n2 son peque~nas perturba iones on respe to al valor
medio del ndi e de refra ion nÆ ):
e2jB z + e 2jB z !
kÆ2 n2 (z ) ' kÆ2 n2Æ + 2jnÆ n2 + 2nÆ n1
2
E (z ) = R(z )e j z + S (z )ej z )
(7.8)
kÆ2 n2 (z )E (z ) ' B2 Re j z + B2 Sejz + 2jB kÆ n2 Re j z + 2jB kÆ n2 Sejz +
+B kÆ n1 Rej (2B )z + B kÆ n1 Se j (2B )z ' B2 Re j z + B2 Sejz +
+2jB kÆ n2 Re j z + 2jB kÆ n2 Sejz + B kÆ n1 Rejz + B kÆ n1 Se j z
Los terminos en ej (2B +)z y e j (2B +)z no se han onsiderado ya que para las

longitudes de onda orrespondientes no hay realimenta ion alguna y el medio a tivo es
absorbente. Ademas hemos he ho la aproxima ion 2B ' . La expresion resultante
es la suma de dos ondas, una que se propaga de izquierda a dere ha y otra que se propaga
de dere ha a izquierda. Para que la suma de ambas ondas sea nula, el sumatorio de los
oe ientes de las ondas que se propagan de izquierda a dere ha ha ser igual a ero al igual
que el sumatorio de los oe ientes de las ondas que se propagan en sentido ontrario. Por
onsiguiente, tienen que veri arse las siguientes rela iones:
(B2 2 )R + 2jB kÆ n2 R 2j R_ + B kÆ n1 S = 0
(B2 2 )S + 2jB kÆ n2 S 2j S_ + B kÆ n1 R = 0 (7.9)
Si ahora dividimos ambas e ua iones por 2j , apare en los siguientes oe ientes:

B2 2 (B + )(B )
2j
=
2j
' 2(2j
B )
= jÆ

2jB kÆ n2
2j
' kÆ n2 = g2 (7.10)
B kÆ n1
2j
' j kÆ2n1 = j
El sistema de e ua iones diferen iales resultante es:
_R + g

jÆ R = jS
2

g
S_ + jÆ S = jR (7.11)
2
donde g y son la onstante de ganan ia y a oplo, mientras que Æ es la variable que

representa la longitud de onda o, si se preere, la onstante de propaga ion. Estos terminos
se denieron en (7.4).
Las e ua iones (7.11) denen un sistema de dos e ua iones diferen iales de primer
orden a opladas entre s para el que hay pro edimientos de integra ion dire ta. En vez de
apli arlos, vamos a dedu ir dos e ua iones diferen iales de segundo orden, lineales y des-
a opladas. Evidentemente, en la solu ion de estas e ua iones apare en uatro onstantes de
integra ion de las que solo dos son independientes. Este problema lo resolveremos impo-
niendo que las solu iones de estas e ua iones diferen iales de segundo grado sean tambien
solu iones de (7.11).
_R + g jÆ R = jS > g
9 9
>
R+ jÆ R_ = jS_ >
>
2 =
) 2 =
)
_S + g jÆ S = jR > g

>
;
S+ _
jÆ S = jR _ >
>
;
2 2

g
_ 2

g 9
R+ jÆ R = R j jÆ S > >
2R = 0 )
R
2 2 =
) S 2 S = 0 (7.12)

g
g
S + jÆ S_ = 2 R + j jÆ R >
>
;
2 2
Donde la onstante veri a la rela ion 2 := 2 +( 2g jÆ )2 . Ahora podemos integrar

de manera inmediata las e ua iones diferen iales (7.12), uya solu ion es:
R(z ) = r1 e z + r2 e z
S (z ) = s1 e z + s2 e z (7.13)
DE OSCILACION
7.3. CONDICION DEL LASER
137
r=0 r=0
ȁ S(z)
Reflector distribuido
R(z)
Región activa
z=-L/2 z=0 z=L/2
Figura 7.4: Sistema de referen ia para imponer las on i iones de ontorno r=0.
Si ahora imponemos que las solu iones (7.13) veriquen las e ua iones (7.11) nos
quedan las siguientes rela iones entre las onstantes de integra ion r1 , r2 , s1 y s2 :
g

r1 + jÆ r1 = js1
2

g
r2 + jÆ r2 = js2 (7.14)
2
La pregunta que ahora debemos plantearnos es omo podemos hallar otras dos rela-
iones que nos permitan determinar los valores de las uatro onstantes de integra ion. Si
miramos la g. f7.1g vemos que los oe ientes de re exion en las dos super ies extremas
del laser son iguales a ero. En la g. f7.4g vemos laramente que para que el oe iente de
re exion sea ero en la super ie izquierda, la onda R debe anularse en z = 2L . De igual
manera, para que el oe iente de re exion en la super ie de la dere ha sea ero, la onda
S parti ularizada en z = L2 debe ser igual a ero tambien. De esta manera dedu imos las
siguientes rela iones entre las onstantes de integra ion:
L L
r1 e 2 + r2 e 2 = 0
L L
s1 e 2 + s2 e 2 = 0 (7.15)
7.3. Condi ion de os ila ion del laser

Si ahora reunimos las rela iones (7.14) y (7.15) nos queda el siguiente sistema lineal
y homogeneo de uatro e ua iones on uatro in ognitas:

S(z) R(z)
ȁ
1 Reflector distribuido
r(f) Región activa
r=0 r=0
z=-L/2 z=0 z=L/2
Figura 7.5: Estru tura a la que vamos a al ularle el oe iente de re exion.
8 L L
>
>
>
r1 e 2 + r 2 e 2 = 0
>
>
>
>
>
> L L
>
>
>
>
>
s1 e 2 + s2 e 2 = 0
<

g (7.16)
>
>
> r1 + jÆ r1 js1 = 0
>
>
>
>
>
2
>
>
>
>
> g
>
: r2 + jÆ r2 js2 = 0
2
Este sistema siempre tiene omo solu ion la solu ion trivial r1 = r2 = s1 = s2 = 0,
es de ir, el laser no emite luz alguna. Para que exista una solu ion distinta de la trivial,
el determinante del sistema debe ser igual a ero, en uyo aso queda un parametro libre
que ja la poten ia de emision del laser. Vamos ahora a operar sobre las las de la matriz
aso iada al sistema de e ua iones, para onvertirla en una matriz triangular superior, ya para
estas matri es el determinante aso iado es igual al produ to de los elementos de la diagonal
prin ipal:
2 L L 3
e 2 e2 0 0 7
6 L L
6
6 0 0 e 2 e 2 77 F2$4 !
6
4 + ( 2g jÆ ) 0 j 0 75
0 + ( g2 jÆ ) 0 j
DE OSCILACION
139
z=-L/2 z=0 z=L/2

ʌ
Figura 7.6: Desfases que se produ en dentro de la estru tura a las longitudes de onda de
emision.
2 L L 3
e 2 e 2 0 0 7
6
0 g
+ ( 2 jÆ ) 0 j 77 F [ ( g jÆ )℄e 2 L
6
6
6 g
+ ( 2 jÆ ) 0 j 0 75 31 2
!
4
L L
0 0 e 2 e 2
2 L L 3
e 2 e 2 0 0
+ ( g2 jÆ ) j 77 F [ e L ( 2g jÆ ) ℄ !
6 7
6
6
0 0
6
4 0 e L [ ( g2 jÆ )℄ j 0 75 32 + ( g2 jÆ )
L L
0 0 e2 e 2
2 L L 3
e 2 e 2 0 0
0 + ( g2 jÆ ) 0 jg L
6 7
6 7
e2
6
6
0 0 j je L +(( g22 jÆ ) 7 F43 [
7
℄!
6
4 jÆ) 75
j
L L
0 0 e2 e 2
2 3
L L
e 2 e 2 0 0
0 + ( 2g jÆ ) 0
6 7
6
6 jg 7
7
6
6 0 0 j je L ( g2 jÆ) 7
7 (7.17)
6 +( 2 jÆ) 7
4 L 3 L ( g2 jÆ) 5
0 0 0 e 2 + e 2 +( g2 jÆ)
Para que el determinante de (7.17) sea nulo, se tiene que umplir que el produ to de
sus elementos diagonales sea igual a ero, es de ir que:

4 4
3.5 3
3 2
2.5 1
2 0
1.5 −1
1 −2
0.5 −3
0 −4
−5 −4 −3 −2 −1 0 1 2 3 4 5 −5 −4 −3 −2 −1 0 1 2 3 4 5
−9 −9
x 10 x 10
Figura 7.7: Coe iente de re exion omplejo (modulo a la izquierda y argumento a la dere ha)
de una estru tura laser de Bragg bimodo on ganan ias inferiores a la umbral. Las urvas
de modulo representadas se orresponden on las ganan ias g = 0 m 1 , g = 100 m 1 ,g =
200 m 1 y g = 250 m 1 . El argumento se ha representado solo para g = 250 m 1 . El resto
de parametros son, en todas las gra as, los mismos: = 50 m 1 , L = 125m nÆ = 3; 5 y
B = 1; 3m. Simula ion relizada por Alejandro Carballar Rin on.
L

g
L

g
g e + jÆ+e 2 ( jÆ
L
=e 2 + jÆ ( j)e 2
L 2 2 =
2 g
+ jÆ
2

g
(7.18)
= j 2 Ch( L) jÆ 2Sh( L) = 0 )
2
g
jÆ L
Cotgh( L) = 2
L
La e ua ion (7.18) es ompleja y, de he ho, hay dos in ognitas reales: por un lado
el valor de Æ , es de ir la longitud de onda de os ila ion del laser y, por otro, g2 , es de ir,
el valor que debe tomar la gana ia a tiva para que el dispositivo pueda emitir luz. Los
parametros B y son ono idos ya que sabemos que periodo tiene la perturba ion senoidal
del ndi e introdu ida en la estru tura y la amplitud de la misma. Sin embargo la resolu ion
de esta e ua ion no aporta ninguna informa ion intuitiva a er a del omportamiento del
dispositivo. Por ello, vamos a onsiderar la g. f7.5g y vamos a al ular el oe iente de
re exion de la estru tura representada. Esto quiere de ir que vamos a resolver el mismo
sistema de e ua iones a partir del que dedujimos la ondi ion de os ila ion, salvo que ahora
la ondi ion de ontorno en z = L2 es S ( L2 ) = 1 (lanzamos, por la izquierda, una onda de
amplitud 1 a todas las longitudes de onda), on lo que obtenemos el sistema:
DE OSCILACION
141
30 20
18
25
16
20 14
12
15
10
10 8
6
5
4
0 2
−5 −4 −3 −2 −1 0 1 2 3 4 5 −5 −4 −3 −2 −1 0 1 2 3 4 5
−9 −9
x 10 x 10
de una estru tura laser de Bragg bimodo on ganan ia igual a la umbral. La urva de
modulo representadas se orresponden on la ganan ia g = 372; 9 m 1 . El argumento se ha
representado tambien para g = 372; 9 m 1. En la urva del argumento se observa laramente
un salto de fase igual a a las dos longitudes de onda de emision. El resto de parametros
son, en todas las gra as, los mismos: = 50 m 1 , L = 125m nÆ = 3; 5 y B = 1; 3m.
Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
2 L L 32
e 2 e2 r1
3 2 3
0 0 1
L L
r2
6 7
6
6 0 0 e2 e 2 7
7
6
6
7
7
6
= 664 0 7
7
(7.19)
6
4 + ( 2g jÆ ) 0 j 0 7
5
6
4 s1 7
5 0 7
5
0 g
+ ( 2 jÆ ) 0 j s2 0
Para resolver este problema, realizamos las mismas opera iones por las que uan-
do al ulamos el determinante de la matriz, pero ahora lo ha emos on la matriz 4 5,
resultante de a~nadir el ve tor olumna de los terminos independientes. No vamos a repetir
las opera iones y damos los valores dedu idos de los oe ientes s1 y s2 y el oe iente de
re exion resultante:
L 9
>
>
j=2e 2 >
>
>
s1 =
>
>
g >
>
>
Ch( L) jÆ Sh( L) >
>
=
2 )
L >
>
>
2e 2
>
j= >
>
s2 =
g
>
>
>
>
>
Ch( L) jÆ Sh( L) >
;
2
jSh( L)
r = S ( L=2) = (7.20)
Ch( L) ( g2 jÆ )Sh( L)

z=-L/2 z=0 z=L/2

ʌ/2
ʌ/2
Figura 7.9: Estru tura de un laser de Bragg monomodo.
Este oe iente de re exion es omplejo, lo que indi a que la onda re ejada tiene
una amplitud distinta de la onda in idente y un desfase on respe to a ella. Lo que vamos a
ha er es representar tanto el modulo del oe iente de re exion omo su argumento. El uni o
parametro que vamos a onsiderar variable es (o, lo que es equivalente, Æ ). Vamos a jar la
longitud del laser igual a L = 125m, el ndi e de refra ion promedio lo tomamos nÆ = 3; 5,
la longitud de onda de Bragg orrespondiente a la perturba ion del ndi e sera B = 1; 3m,
el oe iente de a oplamiento lo ha emos igua a = 50 m 1 y parametrizamos las urvas del
modulo para los valores de ganan ia g = 0 m 1 ; 150 m 1 ; 200 m 1 y 250 m 1 . La gra a
aso iada al argumento del oe iente de re exion solo se ha representado para este ultimo
aso, tal omo se muestra en la g. f7.7g.
En estas gra as vemos que si la ganan ia del medio se ha e su ientemente grande,
el modulo del oe iente de re exion tiende a innito a dos longitudes de onda distintas [74℄.
>Como debemos interpretar este he ho? Si vemos la gra a orrespondiente al argumento del
oe iente de re exion on g = 250 m 1 , omprobamos que a la dos longitudes de onda de
emision donde el oe iente de re exion es maximo se produ e un desfase de valor er ano
a . Si ahora simulamos el omportamiento de la estru tura para g = 372; 9 m 1 vemos en
la g. f7.8g que a las dos longitudes de onda donde r se ha e innito, el desfase a umulado
en una ida y vuelta a lo largo de la avidad es exa tamente igual a 2 on lo que se dan
las ondi iones de realimenta ion positiva. Sin embargo esta situa ion no nos interesa en
absoluto, ya que lo que se quiere es que el dispositivo emita a una uni a longitud de onda,
es de ir, se bus a un laser monomodo y no bimodal.
Para solventar el problema se puede modi ar la estru tura de la perturba ion intro-
du iendo un salto de fase de valor en z=0. Se puede omprobar (empleando las te ni as
de simula ion numeri a des ritas en el siguiente aptulo) que el laser representado en la
g. f7.9g emite a una uni a longitud de onda, tal y omo se muestra en la g. f7.10g. Nor-
malmente el salto de fase que se introdu e dentro del re e tor de Bragg vale 2 (tambien
ono ido omo salto de fase de 4 ) [34℄{[74℄ ya que se onsigue una pureza espe tral mayor.
DE OSCILACION
143
−1.5
300
−2
250
−2.5
200
−3
150
−3.5
100
−4
50
−4.5
0 −5
−1 0 1 −1 0 1
−9 −9
x 10 x 10
Figura 7.10: Coe iente de re exion omplejo (modulo a la izquierda y argumento a la

dere ha) de una estru tura laser de Bragg monomodo ( on un salto de fase igual a ))
on ganan ia igual a la umbral. La urva de modulo representadas se orresponden on la
ganan ia g = 372; 9 m 1. El argumento se ha representado tambien para g = 372; 9 m 1 .
En la urva del argumento se observa laramente un salto de fase igual a a la longitud de
onda de emision. El resto de parametros son, en todas las gra as, los mismos: = 50 m 1 ,
L = 125m nÆ = 3; 5 y B = 1; 3m. Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
Estamos utilizando un modelo demasiado simpli ado del laser de avidad distribuida, por
lo que no podemos justi ar esta arma ion.

z=-L/2 z=0 z=L/2

Figura 7.11: Estru tura de un laser de Bragg monomodo on salto de fase de 2 .
3000 −14.5
−15
2500
−15.5
2000
−16
1500
−16.5
1000
−17
500
−17.5
0 −18
−2 −1.5 −1 −0.5 0 0.5 1 −2 −1.5 −1 −0.5 0 0.5 1
−9 −9
x 10 x 10
Figura 7.12: Coe iente de re exion omplejo (modulo a la izquierda y argumento a la

dere ha) de una estru tura laser de Bragg monomodo ( on un salto de fase igual a 2 ))
on ganan ia igual a la umbral. La urva de modulo representadas se orresponden on la
ganan ia g = 372; 9 m 1 . El argumento se ha representado tambien para g = 372; 9 m 1.
En la urva del argumento se observa laramente un salto de fase igual a a la longitud de
onda de emision. El resto de parametros son, en todas las gra as, los mismos: = 50 m 1 ,
L = 125m nÆ = 3; 5 y B = 1; 3m. Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
7.4. Problemas
Problema 9: Simular el omportamiento de un laser de avidad distribuida on
un salto de fase de 2 . Las ondi iones de simula iones son las mismas
que las del laser bimodo y el laser monomodo on un salto de fase de . Las
simula iones deben ha erse utilizando el modelo matri ial expli ado en el siguiente
aptulo.
Solu ion: Para resolver este problema modi amos la perturba ion senoidal del ndi e
on un salto de fase de valor 2 en z=0. El laser resultante se ha representado en la g.
f7.11g. Para simular su omportamiento, ha emos unos al ulos numeri os des ritos en el
siguiente aptulo que se basan en el formalismo de las matri es de transmision. El dispositivo
emite a una uni a longitud de onda, tal y omo se muestra en la g. f7.12g. Se observa un
desplazamiento de la longitud de emision on respe to a la longitud de onda de Bragg.
Captulo 8
Estudio matri ial de las avidades
distribuidas
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar de nuevo los laseres de avidad
distribuida. Esta vez utilizaremos el formalismo de las matri es de s attering
y transmision para dedu ir las propiedades de las avidades resonantes de estos
dispositivos. Este formalismo permite, ademas, abordar el analisis de ltros
multi apa y ltros he hos on bras de difra ion de Bragg (que se estudiaran
en un aptulo posterior). A modo de ejemplo, analizaremos el ltro de avidad
Fabry{Perot. Tambien estudiaremos los laseres de avidad verti al ya que,
aunque no se utilizan en omuni a iones opti as, tienen ostes de produ ion muy
bajos. Estos dispositivos se usan hoy en da fundamentalmente en reprodu tores y
grabadores de DVD y quizas, en el futuro, se empleen tambien en las omuni a io-
nes por bra opti a. Por ultimo des ribiremos super ialmente el fun ionamiento
de los laseres de Bragg (DBR) uya ara tersti a distintiva es que son laseres
sintonizables en los que se puede ontrolar tanto la poten ia emitida, omo la
longitud de onda y la fase de la onda ele tromagneti a que generan. Estos son
los laseres utilizados en los sistemas DWDM.
145
146 CAPITULO 8. ESTUDIO MATRICIAL DE LAS CAVIDADES DISTRIBUIDAS
a1 a2
Puerto 1
S ij Puerto 2
b1 b2
Figura 8.1: Esquema de una bipuerta des rita por una matriz de s attering.
8.1. Introdu ion
El analisis de mu hos dispositivos, tanto opti os omo de mi roondas, puede abordar-

se mediante las llamadas matri es de s attering o matri es de reparto y otras formula iones
equivalentes [24℄{[34℄{[68℄{[107℄. Estas matri es pueden des ribir el fun ionamiento de multi-
puertas (dispositivos on multiples puertos de entrada y salida), aunque todos los dispositivos
estudiados en este aptulo seran bipuertas, es de ir, dispositivos de solo dos puertas que se
van a denotar por medio de los numeros "1" y "2". Las matri es de s attering des riben las
rela iones que impone el omponente (o dispositivo) entre las ondas que salen de la bipuerta
(ondas que denotaremos por medio de la letra "b") on respe to a las ondas que entran en
ella (que se van a denotar on la letra "a"). Estas ondas no son ondas fsi as, en el sentido
de que no representan un ampo ele tri o o magneti o. Sus amplitudes son iguales a la raz
uadrada del ujo de poten ia ( ujo entrante, si se trata de las ondas "a" y saliente si se
trata de las ondas "b"), mientras que la fase es igual a la fase de ualquiera de los dos ampos
(ele tri o o magneti o). En la g. f8.1g se ha representado una bipuerta, uyos parametros
Sij rela ionan las ondas "b" on las ondas "a" de la siguiente manera:
" # " #" #

b1 = S11 S12 a1 (8.1)
b2 S21 S22 a2
A ontinua ion vamos a dedu ir la expresion de las matri es de s attering de los

dos pro esos fsi os elementales (re exion en una interfaz diele tri a y propaga ion a lo
largo de un medio diele tri ode longitud nita), a partir de los que podemos des ribir el
fun ionamiento de todos los dispositivos que vamos a estudiar a lo largo de este aptulo.
8.2. MATRICES DE SCATTERING ELEMENTALES 147
L=0
a 1 a 2
r medio infinito
medio infinito de índice n 2
de índice n 1 n1 n 2
b 1
b 2
n -n 2n
r n+n 2 1
t n+n
1
1
2
2 1
Figura 8.2: Esquema de una bipuerta orrespondiente a una interfaz diele tri a.
8.2. Matri es de s attering elementales

Empe emos on la interfaz diele tri a, que no es mas que una region de espesor
innitesimal (una super ie plana) en la que se produ e una varia ion brus a del ndi e de
refra ion, que pasa de tomar el valor n1 a la izquierda de esta super ie, a tomar otro
valor distinto n2 a la dere ha, tal y omo se representa en la g. f8.2g. Supongamos que
ex itamos esta estru tura desde el puerto "1" on una onda in idente a1 . Para garantizar que
los puertos "1" y "2" no van a introdu ir re exiones adi ionales indeseadas, los "adaptamos",
es de ir, los ontinuamos on medios de longitud innita uyos ndi es toman los valores n1
y n2 respe tivamente. De esta manera no se produ en ambios de ndi e de refra ion y no
hay re exiones en ninguno de los dos puertos. >Que expresion analti a tiene la onda a1 ?
En primer lugar debe apare er omo termino multipli ando la amplitud del ampo ele tri o
in identeq
EÆ . A ontinua ion debemos dividir por la raz uadrada de la impedan ia del
medio, n1Æ para que el uadrado de la onda represente el ujo de poten ia in idente. Por
2
ultimo debe apare er el termino que indique que la propaga ion de la onda se produ e de
izquierda a dere ha, e jz , es de ir:
E n
p
a1 = Æ 1 e jz (8.2)
2Æ
>Que ondas se produ en omo respuesta ante esta onda in idente a1 ? En primer lugar0
apare e una onda transmitida b2 que obtenemos de la siguiente manera: su amplitud EÆ
es el produ to del oe iente de transmision en ampo t multipli ado por la amplitud del
0
ampo in idente EÆ , EÆq = tEÆ . A ontinua ion debemos dividir por la raz uadrada de la
impedan ia del medio, 2n2Æ para que el uadrado de la onda represente el ujo de poten ia
transmitida. Por ultimo debe apare er el termino que indi a que la propaga ion de la onda
se produ e de izquierda a dere ha, e jz 1 , es de ir:
1 Noestamos teniendo en uenta que las onstantes de propaga ion a ambos lados de la interfaz son
ligeramente distintas.
a 1 a 2
medio medio
infinito de infinito de
índice n1
n 1
índice n1
b 1 b 2
Figura 8.3: Esquema de una bipuerta orrespondiente a un medio diele tri o de longitud L.
p
tEÆ n2
b2 = e jz (8.3)
2Æ
En segundo lugar apare e una onda re ejada b1 que obtenemos de la siguiente forma:
su amplitud EÆ00 es el produ to del oe iente
00
de re exion en ampo r multipli ado por
la amplitud del ampo in idente EÆ , E
qÆ
= rEÆ . A ontinua ion debemos dividir por la raz
2
uadrada de la impedan ia del medio, n1Æ para que el uadrado de la onda represente el ujo
de poten ia re ejada. Por ultimo debe apare er el termino que indique que la propaga ion
de la onda se produ e de dere ha a izquierda, ejz , es de ir:
rE n
p
b1 = Æ 1 ejz (8.4)
2Æ
Ahora vamos a omprobar que se umple la onserva ion del ujo de poten ia, es
de ir, omprobemos que a1 a1 = b1 b1 + b2 b2 :
E2n
a1 a1 = Æ 1
2Æ
2 2
EÆ 4n1 n2 EÆ2 n1 (n2 n1 )2 EÆ2 n1
b1 b1 + b2 b2 = + = (8.5)
2Æ (n1 + n2 )2 2Æ (n1 + n2 )2 2Æ
Si ensayamos el dispositivo por el puerto "2" llegamos a unos resultados analogos y

dedu imos que la bipuerta se puede des ribir por medio de la siguiente matriz de s attering:
" # " #" #
b1 = r t1 a1 (8.6)
b2 t2 r a2
8.2. MATRICES DE SCATTERING ELEMENTALES 149
a1 a2
r -r
n2
n1 n2 n1 = n1 n2 + +n n 2 1
L t2
t1
b1 b2
L
2n1 n-n 2n2

t1 = r= n 2+ n11 t2 =
n 2+ n1 2 n 2+ n1
Figura 8.4: Cavidad Fabry-Perot des ompuesta en sus elementos fundamentales.
donde:
n1 n2
r=
n1 + n2
2n1
t1 =
n1 + n2
2n2
t2 = (8.7)
n1 + n2
Vamos a estudiar a ontinua ion la bipuerta (y su matriz de s attering aso iada)

orrespondiente a la propaga ion por un medio diele tri o de ndi e de refra ion onstante
de valor n1 y de longitud L. De nuevo, nos aseguraremos de que las puertas de entrada y
salida ("1" y "2") no introdu en re exiones indeseadas "adaptando" impedan ias, es de ir,
ontinuandolas on un medio de dimensiones innitas uyo ndi e de refra ion sea onstante
e igual a n1 , tal y omo se muestra en la g. f8.3g.
Si ex itamos el dispositivo por el puerto "1" on una onda in idente de expresion:
E n
p
a1 = pÆ 1 e jz (8.8)
2Æ
resulta que esta onda se propaga sin re exion hasta el puerto "2", por lo que se tiene:
b1 = 0 p
E n
b2 = pÆ 1 e jL e jz (8.9)
2Æ
De igual forma, si ex itamos el dispositivo por el puerto "2" obtenemos un resultado

analogo: no se produ e onda re ejada alguna y la onda sale por el terminal "1" on un desfase
A1 A2
Puerto de Puerto de
entrada (³1´) T ij salida (³2´)
B1 B2
³$´ Onda que viaja de izquierda a derecha
³%´ Onda que viaja de derecha a izquierda
Figura 8.5: Des rip ion de bipuertas segun el formalismo de las matri es de transmision.
igual a e jL . Dedu imos que la matriz de s attering que des ribe el omportamiento de esta
bipuerta es:
" #
0 e jL
Sij = e jL 0 (8.10)
8.3. Cavidad resonante Fabry-Perot

En la g. f8.4g se ha representado una avidad Fabry-Perot. Esta puede des ribirse
omo la su esion de un interfaz diele tri a ara terizada por unos oe ientes de re exion y
transmision en ampo r y t1 , la propaga ion a lo largo de un medio de ndi e de refra ion
onstante n2 y longitud L y, por ultimo, otra interfaz diele tri a uyos oe ientes de re exion
y transmision en ampo son r y t2 . Ahora nos gustara en ontrar la matriz de s attering
aso iada a la avidad a partir de las expresiones de las matri es de s attering de ada
uno de sus elementos. Sin embargo el formalismo de matri es de s attering no esta bien
adaptado para la des rip ion de un onjunto de omponentes one tados entre s en as ada.
El formalismo matri ial que se adapta bien a este tipo de problemas es el de las matri es de
transmision, en el que se onsideran omo variables independientes las ondas en el puerto de
salida y omo variables dependientes las ondas en el puerto de entrada, ademas se lasi an
las ondas segun se propaguen por el dispositivo de izquierda a dere ha (ondas "A") o de
dere ha a izquierda (ondas "B"). Esto se muestra en la g. f8.5g.
Puesto que la matriz de tansferen ia rela iona las ondas a la entrada de la bipuerta
(puerto "1") on las ondas a la salida (puerto "2"), resulta que la matriz que representa a un
onjunto de elementos olo ados en serie, no es mas que el produ to ordenado de las matri es
que representan a ada uno de estos elementos. Al igual que en el aso de las matri es de
s attering, se supone que en los puertos de entrada y salida se adaptan impedan ias a la hora
de medir los oe ientes de la matriz de transmision. Tambien pare e laro que, ono iendo la
des rip ion de una bipuerta mediante la matriz de s attering, podemos determinar la matriz
de transmision aso iada y vi eversa 2 . Las expresiones que rela ionan estas dos des rip iones
2 Siempre que ambas sean no singulares.

8.3. CAVIDAD RESONANTE FABRY-PEROT 151
son:
" #
1 T21 det(T )
Sij = T12
T11 1
" #
1 1 S22
Tij = S det(S ) (8.11)
S21 11
Teniendo en uenta estas rela iones, podemos es ribir:
1 r r
9
2 3 2
1 3
>
>
>
6
6 t1 t1 7
7
"
ejL 0
# 6
6 t2 t2 7
7
>
>
=
Tij(1) = 6
6
7
7 Tij(2) =
0 ejL
Tij(3) = 6
6
7
7 )
6
4 r 1 7
5
6
4 r 1 7
5
>
>
>
>
>
t1 t1 t2 t2 ;
2
ejL r2 e jL rejL + re jL 3
6
6 t1 t2 t1 t2 7
7
Tij(1) Tij(2) Tij(3) = 6
6
7
7 (8.12)
rejL jL ejL r2 e jL
6 7
4 re 5
t1 t2 t1 t2
Si ahora tenemos en uenta (8.11), resulta que la matriz de s attering aso iada a esta
matriz de transmision es:
rt1 t2 e 2jL t1 t2 e jL
2 3
r
6
6 1 r2 e 2jL 1 r2 e 2jL 7
7
Sij = 6
6
7
7 (8.13)
t1 t2 e jL rt1 t2 e 2jL
6 7
4 5
r
1 r2 e 2jL 1 r2 e 2jL
Hasta ahora hemos dado por supuesto que la avidad es pasiva, es de ir, que 2
R. Consideremos, por un instante, que la avidad es a tiva, es de ir, que 0 = + j 2 y
tratemos de ver ual es la ondi ion de os ila ion del laser de avidad Fabry{Perot resultante.
Evidentemente, para que este dispositivo emita luz sin ne esidad de que haya luz in idente,
es ne esario que los elementos de la matriz Sij tengan un polo, para lo ual es ne esario y
0
su iente que: 1 r2 e 2j L = 0 de donde dedu imos el siguiente par de rela iones (que son
las ondi iones de os ila ion de un laser de avidad Fabry-Perot, que ya habamos dedu ido
en el aptulo orrespondiente):
1 1
= Ln( 2 )
2 2L jrj
2Ln2
p = (8.14)
p
Volvamos al aso de una avidad sin ganan ia ( avidad fra). En este aso lo que
tenemos es un ltro de avidad Fabry{Perot. Para analizar las ara tersti as de este l-
tro, vamos a representar los numeros omplejos omplejos S11 y S12 , dando sus modulos
elevados al uadrado y sus argumentos frente a la fre uen ia de la radia ion in idente, y
parametrizandolos on respe to a distintos oe ientes de re exion en ampo r de la inter-
faz diele tri a. Este resultado lo utilizaremos en el aptulo dedi ado a los ltros opti os y,
mas espe amente, uando estudiemos los ltros sintonizables en transmision. En la g.
f8.6g se representan los oe iente de re exion y transmision omplejos (R = jS11j2, 6 S11)
y (T = jS12 j2 , 6 S12 ) frente a fF SR
fÆ , donde f es la fre uen ia entral de trabajo (que ha de
Æ
ser un multiplo entero de F SR) y F SR es el denominado "rango espe tral libre", uyo valor
viene dado por F SR := 2n 2ÆL .
Si denimos el oe iente de re exion en poten ia de la interfaz diele tri a omo

R = jrj2, tendremos que la fun ion de transferen ia del ltro en transmision viene denida
por [104℄:
(1 R)2
T (f ) := jS21 j2 = f F SR := Æ (8.15)
2
(1 R) + 4R sin ( F SR )
2 2n2 L
1 1
0.9 0.9
0.8 0.8
0.7 0.7
0.6 0.6
0.5 0.5
0.4 0.4
0.3 0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0 0
−3 −2 −1 0 1 2 3 −3 −2 −1 0 1 2 3
−1.5 −6
−8
−2
−10
−2.5 −12
−14
−3
−16
−3.5
−18
−20
−4
−22
−4.5
−24
−5 −26
−3 −2 −1 0 1 2 3 −3 −2 −1 0 1 2 3
Figura 8.6: Coe iente de re exion (izquierda) y transmision (dere ha) omplejos (modulo
arriba y argumento abajo) de una avidad Fabry{Perot de L = 300m, r1 = 0; 4 (trazo
dis ontinuo) y r2 = 0; 87 (trazo ontinuo). Simula ion realizada por Alejandro Carballar
Rin on.
8.4. REFLECTORES DISTRIBUIDOS 153
Es inmediato omprobar que el oe iente de transmision se ha e maximo, T (f ) =

Tmax = 1, para las fre uen ias que son multiplos enteros del rango espe tral libre, f =
k F SR on k = 1; 2; 3:::, mientras que es mnimo, T (f ) = Tmin = ( 1+ 1 R )2 , para las
R
fre uen ias que son multiplos semienteros del rango espe tral libre, f = k2 F SR on
k = 1; 3; 5:::. Vemos, pues, que la avidad resonante Fabry{Perot se omporta omo un
ltro paso de banda en transmision periodi o en fre uen ia, siendo la an hura del periodo
fundamental igual al rango espe tral libre. Tambien se puede omprobar que el an ho de
banda del ltro, entendido omo el intervalo de fre uen ias para el que T (f ) 12 , es:
Æ 1 R
F W HM := sin 1 ( p ) (8.16)
n2 L 2 R
Las avidades resonantes pasivas Fabry{Perot se utilizan mu ho en omuni a iones

opti as omo ltros paso{banda sintonizables en transmision, fundamentalmente en sistemas
densos de multiplexa ion en longitud de onda (DWDM).
8.4. Re e tores distribuidos
Luz láser
n2
. .. . . . . .. .. . ..
.. ..n1 .. . . . ... . . .
. . .. .. . . . . .. . .. . . . .. .. .
. .. . . . . .. .. . .. . .. . . n2
. ... . . .
. . .. .. . . . .. .n1. .. . .. . . . .. .. .
. .. . . . . .. .. . ..
.. ..n1 .. . . n2
. ... . . .
. . .. .. . . . . .. . .. . . . .. .. .
n2
. .. . . .. . ... .. . .. .
.. .n1. .. . . . ... . . .
. . . .. . . .. . .. . . . .. .. .
n2
. .. . . .. . ... .. . ..
.. ..n1 .. . . . ... . . .
. . . .. . . . .. . .. . . . .. .. .
n2
. .. . . .. . ... .. . ..
.. ..n1 .. . . . ... . . .
. . . .. . . . .. . .. . . . .. .. .
L1 L2
n2
. .. . . .. . ... .. . .. .
.. .n1. .. . . . ... . . .
. . . .. . . .. . .. . . . .. .. .
n2
. .. . . .. . ... .. . ..
.. ..n1 .. . . . ... . . .
. . . .. . . . .. . .. . . . .. .. .
n2
Región activa
Figura 8.7: Laser de avidad verti al (VCSEL).
Existen distintos tipos de laseres semi ondu tores de re e tores distribuidos. Vamos
a onsiderar primero el denominado laser de avidad verti al o VCSEL [8℄ que, aunque
no se utiliza mu ho en omuni a iones opti as (estan empezando a emplearse en algunos
enla es de primera ventana [58℄), tiene un prin ipio de fun ionamiento fa il de entender.
1 4
0.9
2
0.8
0.7 0
0.6
−2
0.5
−4
0.4
0.3
−6
0.2
−8
0.1
0 −10
−4 −3 −2 −1 0 1 2 3 4 −4 −3 −2 −1 0 1 2 3 4
de la avidad distribuida de un VCSEL de 8 (trazo ontinuo), 20 (trazo dis ontinuo) y 80
apas (trazo punteado). La variable independiente es ÆLg . Simula ion realizada por Alejandro
Carballar Rin on.
Su estru tura se muestra en la g. f8.7g. En este tipo de laser se ha sustituido uno de los
espejos de la avidad Fabry{Perot por un onjunto de apas de material diele tri o uyas
an huras e ndi es de refra ion toman, alternativamente, dos valores distintos. Si el numero
de apas es su ientemente grande, el oe iente de re exion de la estru tura es muy alto
en un entorno estre ho de longitudes de onda entrado alrededor la denominada "longitud
de onda de Bragg".
Queremos determinar la matriz de transmision del re e tor distribuido. Para ello nos
jamos en el periodo elemental que se repite a lo largo de la estru tura: esta formado por
una apa de diele tri o de espesor L2 e ndi e de refra ion n2 seguido de otra apa, tambien
de material diele tri o, de espesor L1 e ndi e de refra ion n1 . Debemos hallar la matriz de
transmision de esta estru tura, elevarla a la enesima poten ia (el re e tor esta ompuesto por
un numero n de estas estru tura) y determinar, as, la matriz de transmision del onjunto.
Vemos que lo primero que en ontramos es una interfaz diele tri a aso iada al ambio dendi e
del valor n1 al valor n2 , a ontinua ion nos en ontramos on un fenomeno de propaga ion
a lo largo de un medio de longitud L2 e ndi e n2 , luego otra interfaz diele tri a en la que
el ambio de ndi e es desde el valor n2 al valor n1 y, por ultimo, otra propaga ion a lo
largo un medio de longitud L1 e ndi e n1 . Para redu ir el numero de parametros de los que
depende el problema (para ha er la simula ion numeri a no es ne esaria esta aproxima ion),
vamos a suponer que los aminos opti os aso iados a las dos propaga iones son iguales:
Lopt = n1 L1 = n2 L2 ' n1 +2 n2 L1 +2 L2 n 2 . La penultima igualdad es aproximadamente valida
si los ndi es son muy pare idos entre s, lo ual es siempre ierto (se onsiguen re e tividades
grandes apilando mu has apas su esivas, no porque la re e tividad de una interfaz sea alta).
Las matri es aso iadas son:
2
1 r 3 2
1 r 3
6
t1 t1 7 " # 6
t2 t2 7 " #
Tij(1) =
6
6
7
7
Tij(2) =
ejn 2 0 T (3)
=
6
6
7
7
Tij(4) =
ejn 2 0
6 7
j n ij 6 7
6
4 r 1 7
5
0 e 2 6
4 r 1 7
5
0 e n 2
j
t1 t1 t2 t2
8.4. REFLECTORES DISTRIBUIDOS 155
2
ejn r2 rejn + r 3
6
6 t1 t2 t1 t2 7
7
Tij(1) Tij(2) Tij(3) Tij(4) = 6
6
7
7 (8.17)
re jn e j n
6 7
4 r r2 5
t1 t2 t1 t2
En las expresiones anteriores tenemos que = L1 + L2 , n = n1 +2 n2 , r = abs( nn11 +nn22 ),

t1 = n12+n1n2 , t2 = n12+n2n2 y = 2 . Por supuesto, representa la longitud de onda de la
luz en el va o. Las opera iones matri iales hay que realizarlas numeri amente utilizando un
programa de al ulo numeri o, omo, por ejemplo, MATLAB. En el aso de que el oe iente
de re exion resultante sea inferior a 0.15 se pueden despre iar las re exiones internas dentro
de la estru tura y se puede demostrar que el modulo del oe iente de re exion esta des rito,
aproximadamente, por la siguiente expresion [60℄:
jS11j ' 2mr sin(ÆLÆLg )

g
2
Lg := m; Æ := n (8.18)

1,2
0,8
0,6
0,4
0,2
190 191 192 193 194
x
Figura 8.9: Curvas de ganan ia y perdida en un laser de avidad distribuida. La lnea ho-
rizontal representa la urva de perdidas de un laser de avidad Fabry{Perot. La letra x
representa la fre uen ia en THz.
Donde m representa el numero de periodos de la red y 2mr el oe iente de re exion

maximo de la estru tura (suponiendo que sea inferior a 0.15). En la g. f8.8g se muestra
el oe iente de re exion simulado en MATLAB para 2mr = 0;4, 2mr = 1 y 2mr = 4
(para los uales la aproxima ion anterior no es valida). Las ondi iones de simula ion son
= 221; 4nm, n1 = 3; 675 y n2 = 3; 5. Observamos que a medida que mr va re iendo el
oe iente de re exion de la estru tura toma un valor ada vez mas er ano a la unidad
para un intervalo de longitudes de onda ada vez mayor, mientras que en la ara tersti a de
fase omprobamos que esta va ha iendose ada vez mas no lineal. La ondi ion de re exion
maxima se produ e, evidentemente, a la longitud de onda B = 2n que re ibe el nombre
de longitud de onda de Bragg. Dejamos omo ejer i io para el le tor el omprobar que a esta
longitud de onda todas las re exiones par iales se suman en fase.
8.5. Perdidas en un laser de avidad distribuida
Control ganancia Control fase Control longitud de onda
Figura 8.10: Se iones longitudinales de un DFB (arriba) y un DBR (abajo).
Los laseres de avidad distribuida [8℄{[56℄{[58℄{[74℄ que sistemati amente se emplean

en omuni a iones opti as son el DFB (que emite a una longitud de onda ja) y el DBR (que
emite a una longitud de onda programable dentro de un ierto rango). Ambos son laseres que
emiten en un uni o modo longitudinal y por tanto son mu ho mas mono romati os que el de
avidad Fabry{Perot (que emiten poten ia en varios modos longitudinales). Esto podemos
entenderlo intuitivamente observando la g. f8.9g. Vemos que la urva de perdidas de una
avidad distribuida puede ser tangente a la urva de ganan ia en un uni o punto on mas
fa ilidad que la urva de perdidas de una avidad Fabry{Perot, ya que esta es una re ta
horizontal.
Las avidades resonantes de los laseres DFB y DBR son radi almente distintas a la
de los laseres VCSEL. En ellas se produ e una varia ion longitudinal del ndi e efe tivo que,
re ordemos, se dene omo kÆ , donde es la onstante de propaga ion del modo guiado.
Las varia iones senoidales del espesor de la apa semi ondu tora rayada de la g. f8.10g,
provo an una varia ion senoidal del ndi e efe tivo a lo largo de la estru tura del laser.

8.5. PERDIDAS
EN UN LASER DE CAVIDAD DISTRIBUIDA 157
Estas perturba iones senoidales son mu ho mas peque~nas que las del VCSEL (donde la luz
atraviesa materiales de ndi es distintos) pero aumentando el numero de periodos se onsigue
que el re e tor distribuido tenga una re e tividad alta.
En el DFB normalmente 3 solo se puede ontrolar un parametro, la poten ia opti a,
regulando la orriente ele tri a que inye tamos en la region a tiva. En el DBR se pueden, sin
embargo, ontrolar tres parametros de fun ionamiento distintos [8℄{[56℄: la poten ia opti a,
la fre uen ia de emision (dentro de un determinado rango, laro esta) y, por ultimo, la fase del
ampo ele tromagneti o emitido. La poten ia se ontrola regulando la orriente que se inye ta
en la region a tiva, la longitud de onda se puede modi ar en un rango amplio inye tando
una orriente en la zona orrespondiente al re e tor distribuido. De esta manera se produ e
una varia ion en la on entra ion de portadores que modi a el ndi e de refra ion medio de
esta zona. Este ambio de ndi e produ e una varia ion en la longitud de onda de Bragg del
re e tor distribuido. Por ultimo, la fase puede ontrolarse tambien inye tando una orriente
ajustable en la ter era region del DBR ( ambiando, as, el ndi e del medio). Una se ion
longitudinal de un DFB bimodal y un DBR se muestra en la g. f8.10g.
3 Existen DFBs uyas estru turas son distintas a las vistas hasta ahora, en los que se puede modi ar
ligeramente por efe to termi o la longitud de onda de emision.
3000 2.5
2
2500
1.5
2000
1500
0.5
1000
0
500
−0.5
0 −1
−4 −3.9 −3.8 −3.7 −3.6 −3.5 −3.4 −3.3 −3.2 −3.1 −3 −4 −3.9 −3.8 −3.7 −3.6 −3.5 −3.4 −3.3 −3.2 −3.1 −3
−9 −9
x 10 x 10
Figura 8.11: Coe iente de transmision omplejo del DBR (modulo elevado al uadrado a
la izquierda y fase a la dere ha). La longitud de onda de emision es 1296; 3nm. La variable
independiente es lambdaB . Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
8.6. Problemas
Problema 10: Simular el omportamiento de un laser DBR utilizando el forma-
lismo de las matri es de transmision. Sustituya la perturba ion senoidal del re e tor
de Bragg por una uadrada uyo primer armoni o oin ida on la amplitud de la
perturba ion senoidal. Suponga que solo hay ganan ia en la zona de la avidad
donde el ndi e medio es onstante. La longitud de onda de Bragg es B = 1300nm,
el ndi e de refra ion medio vale nÆ = 3;5, la amplitud de la perturba ion senoidal
n1 = 0;0021, = 185; 714nm y la longitud del re e tor es L2 = 125m. La longitud
de la zona del ndi e sin perturba ion senoidal es L1 = 125m, la ganan ia de la
region a tiva n2 = 0;00345 y el oe iente de re exion del espejo: R = 31 %.
Solu ion: La forma de resolver este problema es al ular el oe iente de transmision

de esta estru tura, que esta onstituida por una interfase de oe iente de re exion R=31 %
(aunque se podra haber dado un tratamiento a esta super ie, de forma que el oe iente
de re exion en poten ia fuese proximo a la unidad), una region diele tri a de longitud L =
125m e ndi e n = 3; 5 j 0; 00345 (la parte imaginaria representa la ganan ia del medio
a tivo, que se ha he ho igual a la ganan ia umbral del laser) y, por ultimo, de un re e tor de
Bragg de longitud 125m de ndi e n = 3; 5 + 0; 0021 sin( 2 z ). Por tanto podemos al ular
la matriz de transmision del onjunto y determinar el oe iente de transmision o re exion
aso iado. La ganan ia del medio se ha tomado igual al valor umbral, de manera que el
oe iente de re exion (o el de transmision) se ha e innito a una determinada longitud de
onda. Esa es, pre isamente, la longitud de onda de emision del laser.
En la f8.11g hemos representado el oe iente de transmision omplejo del DBR (a
la izquierda hemos representado el modulo elevado al uadrado y a la dere ha la fase). La
longitud de onda nominal de emision del DBR es 3; 7nm inferior a la longitud de onda de
Bragg, aunque no hemos onsiderando inye ion de orriente alguna en la zona del re e tor
(no hemos simulado este efe to que podra ambiar la longitud de onda de emision del laser).
Captulo 9
An hura espe tral de un laser
monomodo
Resumen: En este aptulo vamos a determinar la an hura espe tral de emi-
sion de un laser monomodo en ondi iones esta ionarias, es de ir, emitiendo
una poten ia onstante. Veremos que la emision espontanea es la responsable
de que, in luso en estas ondi iones, se produz an u tua iones aleatorias en
la fase del ampo ele tromagneti o emitido por el dispositivo, lo que provo a
un ensan hamiento del espe tro emitido. Para redu irlo se puede aumentar la
poten ia de emision, ya que el produ to poten ia emitida multipli ada por la
an hura espe tral es igual a una onstante. Los laseres a semi ondu tor son
intrnse amente mas ruidosos que los de niveles dis retos, ya que en estos se
produ e un a oplamiento entre los ruidos de amplitud y fase aso iados a la emi-
sion espontanea. Por este motivo estudiaremos primero el aso mas simple de un
laser de niveles dis retos para, despues, in luir los fenomenos de a oplamiento
de las dos omponentes de ruido y dedu ir las ara tersti as espe trales
de los laseres semi ondu tores.
159
160 CAPITULO 9. ANCHURA ESPECTRAL DE UN LASER

MONOMODO
9.1. Introdu ion

Nuestro objetivo es analizar el espe tro de emision de un laser monomodo semi on-
du tor bajo ondi iones de regimen permanente (es de ir, emitiendo una poten ia opti a
onstante). Puesto que este estudio es bastante ompli ado, preferimos determinar primero
el espe tro de emision de un laser de niveles dis retos y generalizar, despues, el resultado
para el aso de un laser semi ondu tor. En ualquier aso, la razon ultima por la que un
laser monomodo ualquiera no emite un ampo ele tromagneti o ompletamente senoidal
(en uyo aso su densidad espe tral de poten ia sera una delta de Dira ) es que en la a-
vidad resonante hay fotones generados por emision espontanea que produ en u tua iones
aleatorias en la amplitud y la fase del ampo ele tromagneti o emitido por el laser. Estas
u tua iones produ en, inevitablemente, un ensan hamiento espe tral de la luz generada por
el dispositivo.
Un analisis riguroso de ualquier fenomeno rela ionado on la emision espontanea
obliga a uanti ar la radia ion ele tromagneti a. Para evitar esto y limitarnos a un analisis
semi lasi o del problema, vamos a introdu ir un postulado (que, evidentemente, es inde-
mostrable) on erniente a la emision espontanea: el efe to de la emision espontanea en un
onjunto de atomos que ampli an radia ion ele tromagneti a se redu e a a~nadir a los foto-
nes de esta radia ion nsp fotones in orrelados por modo [92℄. El termino nsp se ono e on el
nombre oe iente de emision espontanea en ex eso y, para los laseres de niveles dis retos,
tiene la expresion nsp = N2N2N1 . Si el medio ampli ador es un semi ondu tor, enton es el
oe iente de emision espontanea en ex eso viene dado por nsp ' 1
F F v E g .
1 e kT
En los siguientes apartados (salvo el ultimo) vamos a ir des ribiendo, su esivamente,

los distintos terminos que introdu en o sa an fotones de la avidad resonante de un laser
de niveles dis retos. En el segundo apartado, estudiaremos una avidad fra en la que uni-
amente salen fotones por perdidas aso iadas a las re exiones par iales en los espejos y al
s attering Rayleigh. Comprobaremos que la densidad espe tral de energa de la luz emitida
es inversamente propor ional al tiempo medio de permanen ia del foton en la avidad. En el
ter ero, tendremos en uenta, ademas, la ganan ia opti a del medio pero no los fotones gene-
rados por emision espontanea. En estas ondi iones (imposibles de onseguir en la pra ti a)
el tiempo medio de vida del foton se ha e innito, ya que la ganan ia del medio (emision
estimulada menos absor ion) repone los fotones que se pierden. En estas ondi iones (que
son irrealizables), la densidad espe tral de poten ia de la luz generada por el laser vendra
dada por una delta de Dira . En uarto apartado in luiremos, tambien, el termino de emision
espontanea y dedu iremos la expresion real de la an hura espe tral de emision de un laser
monomodo de niveles dis retos. Por ultimo, estudiaremos el a oplamiento entre los ruidos
de amplitud y fase que se produ e en los laseres semi ondu tores y veremos que el espe tro
de emision es onsiderablemente mas an ho que el de un laser de niveles dis retos.
9.2. Cavidad fra

Consideremos la avidad resonante de un laser en el que subitamente interrumpimos
el bombeo, de manera que solamente tenemos perdidas, tal y omo se muestra en la g.
9.2. CAVIDAD FRIA 161
+
P (0)
+
P (L)
- -
P (2L) P (L)
Lm
Figura 9.1: Cavidad fra.
f9.1g. La evolu ion del numero de fotones en la avidad, viene dada por:
P +(0) = PÆ
P +(L) = PÆ e s L
P (2L) = RPÆ e s L
P (2L) = RPÆ e s 2L
P +(2L) = R2 PÆ e s 2L (9.1)
Ahora vamos a distribuir las perdidas lo alizadas en los espejos a lo largo de toda la
avidad, para lo que denimos un oe iente de perdidas por unidad de longitud aso iado a
las re exiones par iales en estos. Deniendo esp := 21L Ln( R12 ) nos queda:
P + (2L) = PÆ e (s +esp )2L ) P (x) = PÆ e (s +esp )x )

!
dP dP dx P
= = 2(s + esp)P Æ = (9.2)
dx per dx dt n p
donde la onstante de tiempo de perdidas de la avidad fra (perdidas que no estan

rela ionadas on la atenua ion del medio a tivo) viene dada por: p := 2 Æ (s n+esp ) y donde
esp := 21L Ln( R12 ). El signi ado fsi o de p es evidente: es el tiempo que, en promedio, tarda
en salir un foton de la avidad por alguno de los dos me anismos men ionados, que son o
bien una re exion par ial en uno de los espejos o bien un pro eso de s attering Rayleigh.
P
Si ahora integramos la e ua ion diferen ial dP P
dt = p queda: P (t) = PÆ e
p . A partir
de esta expresion (evolu ion temporal de la poten ia opti a presente en la avidad del laser)
podemos al ular fa ilmente la evolu ion temporal del ampo ele tri o:
t EÆ
E (t) = EÆ e 2p ej!Æt ) E (! ) = 1 (9.3)
2p + j (! !Æ )

MONOMODO
La densidad espe tral de energa no normalizada viene dada por:
EÆ2
S (! ) = E (! )E (! ) = 1 (9.4)
4p2 + (! !Æ )
2
Para expresar esta densidad espe tral de energa en forma normalizada, imponemos
que el area denida por la fun ion S nor (! ) y el eje ! sea igual a 1.
Z 1 Z 1
EÆ2 Z 1
EÆ2 4p2
S (! )d! = d! = d! (9.5)
1 1 41p2 + (! !Æ )2 1 1 + [2p (! !Æ )℄2
Si ahora denimos x = 2p (! !Æ ) y sustituimos en (9.5) nos queda:
2
Z 1 Z 1
dx S (! ) !
S (! )d! = EÆ2 2p = EÆ2 2p ) S nor (! ) = 2 = (9.6)
1 1 1+x 2 EÆ 2p 1 + ( ! !Æ )2
!=2
Donde ! = 1p es la an hura espe tral de la energa del ampo emitida por la avidad
fra. Vemos que uanto mayor es el tiempo medio de permanen ia de un foton en la avidad
p , menor es la an hura espe tral ! de emision y vi eversa.
9.3. Cavidad aliente sin emision espontanea

Ahora introdu imos el termino de ganan ia en la e ua ion de balan e del numero
de fotones que hay en la avidad (para simpli ar la nota ion introdu imos el fa tor de
onnamiento en la deni ion de g ):
dP P P P
= = g p (9.7)
dt g p
p g
En ondi iones esta ionarias todas las derivadas temporales son nulas. Como estamos
suponiendo que el laser emite luz, resulta que P 6= 0 por lo que se umple que p = g y, por
tanto, el tiempo medio de permanen ia de un foton en la avidad resulta ser innito on lo
que la densidad espe tral de poten ia de la radia ion emitida es:
S (! ) = EÆ2 Æ (! !Æ ) ) S nor (! ) = Æ (! !Æ ) (9.8)
ESPONTANEA
9.4. CAVIDAD CALIENTE CON EMISION 163
Im(¥3)
. . .
. . . .
. .
.
. . . . .
. .
. . . .
. . .
. . .
.
. .
. . ¥3) . .
. . .
. .
.
ĳ Re(¥3)
.
. .
. .
.
.
. .
. .
.
. .
.
. . .
.
. . . .
. .
. .
. . .
.
. .
. .
. . . .
. . . .
. .
Figura 9.2: Campo ele tromagneti o dentro de la avidad.
9.4. Cavidad aliente on emision espontanea

Si ahora in luimos el termino de emision espontanea, la e ua ion de balan e del
numero de fotones que hay dentro de la avidad resonante es:
dP P P
= +R (9.9)
dt g p
donde R es el numero de fotones espontaneos que, por unidad de tiempo, se a~naden

a los generados por los pro esos estimulados (emision estimuladas menos absor ion). Estos
fotones pertene en al mismo modo espa ial y temporal que los estimulados, pero no tienen
por que estar en fase on la radia ion que se esta ampli ando (de he ho se suman on un
desfase arbitrario). Si imponemos ondi iones de regimen permanente resulta:
P P 1 R
0=
g p
+R)
1
p
=
g P
) eq = p+p =
P
R
(9.10)
p g
Vemos que ahora el tiempo medio de permanen ia de un foton dentro de la avidad

es nito e igual al o iente entre el numero de fotones que hay en la avidad resonante, P ,
y la tasa de emision espontanea, R. Si la tasa de emision espontanea fuese nula, de nuevo
tendramos un tiempo innito de permanen ia dentro de la avidad. Vemos, pues, que el
motivo por el que el laser tiene una an hura espe tral de emision no nula es, pre isamente,
la existen ia de fotones que, generados por emision espontanea, se suman a los produ ido
por fenomenos estimulados. En la g. f9.2g se ha representado el ampo ele tromagneti o
dentro de la avidad del laser (hemos eliminado, laro esta, el termino de pulsa ion ej!Æt ).

MONOMODO
Im(¥3)
I
ԧ
Q
1
¥3
ǻĳ
ĳ
Re(¥3)
Figura 9.3: Varia ion de fase del ampo ele tromagneti o omo onse uen ia de que se suma
un foton generado por emision espontanea.
p
Se observa que tanto la amplitud P omo la fase ' van variando on el tiempo omo
onse uen ia de los fotones a~nadidos por emision espontanea. Estos fotones tiene una fase
totalmente in orrelada on la fase del ampo ele tromagneti o que hay en la avidad ', de
ah que se produz an varia iones tanto de amplitud omo de fase. Las u tua iones de fase
son las que provo an un mayor ensan hamiento espe tral del laser y van a ser las uni as que
vamos a onsiderar en lo que sigue.
En la g. f9.3g hemos representado el ambio sufrido por el fasor ampo ele tri o
uando se a~nade un foton pro edente de la emision espontanea. La omponente en fase (I)
produ e un ambio de la amplitud del ampo ele tri o uya in uen ia en el espe tro de emi-
sion del laser podemos onsiderar despre iable. Sin embargo, la omponente en uadratura
(Q) produ e una varia ion de fase que es la prin ipal responsable del espe tro de emision
del laser. Como la fase del foton agregado por emision espontanea puede ser ualquiera, esto
signi a que es una variable aleatoria on distribu ion uniforme en el intervalo (0; 2 ), es
de ir, U (0; 2 ), on lo que podemos es ribir:
sin()
tg(') = p (9.11)
P
omo ' 1 tenemos que ' ' sin(

p ) y resulta:
P
ESPONTANEA
9.4. CAVIDAD CALIENTE CON EMISION 165
1 Z 2 sin()
< ' >=
2 0
p d = 0
P
1 Z 2
sin2 () 1 Z 2 1 os(2) 1
< '2 >=
2 0
p d =
2 0 2P
d =
2P
(9.12)
P
En realidad tenemos una tasa R de fotones generados por unidad de tiempo, de forma
que la varia ion de fase ' por unidad de tiempo tiene omo estadsti os prin ipales:
< ' >= 0

R
< '2 >= (9.13)
2P
Pero, >que valor toma R? Vimos en la introdu ion de este aptulo que para tener
en uenta los fenomenos de emision espontanea haba que tratarla omo si fuese emision
estimulada, sustituyendo los P fotones que se tienen en la avidad (generados por pro esos
estimulados, esto es, por emision estimulada menos absor ion) por nsp fotones produ idos
por emision espontanea. Dado que el numero de fotones produ idos por unidad de tiempo
por fenomenos estimulados es Pg ' Pp dedu imos que R ' nspp (numero de fotones generados
por unidad de tiempo por pro esos espontaneos) quedando:
9 9
< ' >= 0 = < '( ) >= 0 =
< '2 >= sp

n ) n
< '2 ( ) >= sp (9.14)
2P p ;
2P p ;
Dado que el ampo ele tri o que hay dentro de la avidad es una se~nal aleatoria, para
al ular el espe tro de esta tenemos que al ular su fun ion de auto orrela ion y, una vez
obtenida, al ular su transformada de Fourier (teorema de Wiener{Kint hine [85℄{[104℄).
E (t) = EÆ ej [!Æt+(t)℄ )< E (t)E (t + ) >= EÆ2 ej!Æ < ej [(t+ ) ( )℄ > (9.15)
Ahora, sabiendo quep'( ) se distribuye omo una variable aleatoria gaussiana de

media 0 y desvia ion tpi a < ' >, es de ir, ' N (0; p 2P ), se puede demostrar de
q
2 nsp
forma rigurosa que la fun ion de auto orrela ion viene dada por (9.16). El desarrollo que se
muestra a ontinua ion no es mas que una regla mnemote ni a para re ordar el resultado:
RE ( ) :=< E (t)E (t + ) >= EÆ2 ej!Æ < ej [(t+ ) ( )℄ >=

= EÆ2 ej!Æ < [1 + j ('( ) 21 '2 ( ) + :::℄ >=
= EÆ2 ej!Æ [1 + j < ( ) > 21 < '2 ( ) > +:::℄ = (9.16)
1
= EÆ2 ej!Æ [1 21 < '2 ( ) > +:::℄ = EÆ2 ej!Æ e 2 <'2 ( )>
nsp
Si ahora denimos !l := p 2P nos queda:

MONOMODO
P número de fotones en la cavidad
P/2 la mitad va hacia la derecha
c /n
o g velocidad de los fotones
ƫȦ energía de un fotón
cavidad resonante P/2 c /n ƫȦ o g potencia x longitud
Į E
pérdidas por unidad de l. del espejo
W= P/2 c /n ƫȦĮ o g E
Potencia óptica que sale del espejo
Figura 9.4: Rela ion entre la poten ia opti a emitida por el laser y el numero de fotones que
hay en la avidad.
1
RE ( ) = EÆ2 e 2 !l ej!Æ
n
!l := sp (9.17)
p 2P
Por tanto, teniendo en uenta que una desvia ion tpi a es siempre una antidad
positiva, el espe tro de emision normalizado del laser viene dado por:
2 9
>
>
Z 1
S (! ) 1 !l !
>
>
E nor (! ) = E 2 := 2 RE ( )e j! d =
>
>
>
! !Æ 2
>
EÆ EÆ 1 =
(9.18)
1+
!l =2 >
>
>
nsp >
>
!l := >
>
>
p 2P ;
Sin embargo esta expresion de la an hura espe tral, !l = np sp2P , no es fa il de inter-
pretar ya que P representa el numero de fotones que hay dentro de la avidad. Nos gustara
rela ionar P on W , la poten ia opti a emitida por el laser, que es la variable fsi a aso iada
a P que se puede medir on fa ilidad. Si observamos la g. f9.4g, resulta laro que podemos
es ribir:
P Æ 9
W= h !E >
h !E (E + s ) 2Æ
) !l = n2spP
>
2 ng =
= nsp (9.19)
ng 4W n2g
p = >
>
; p
Æ (s + E )
9.5. LASER SEMICONDUCTOR 167
Im(¥3)
I
ԧ cos(ԧ)
Q
1 Įcos(ԧ)
sin(ԧ)
¥3
ǻĳ
ǻĳ1
ǻĳ2
ĳ
Re(¥3)
Figura 9.5: Varia ion de fase del ampo ele tromagneti o omo onse uen ia de que se suma
un foton generado por emision espontanea y el a oplamiento entre el ruido de amplitud y el
ruido de fase.
que es la famosa rela ion de S hawlow y Townes [91℄.
Si ahora tomamos valores tpi os para nsp, E y s nos queda un valor !l W '
2 5MHz mW resultado que esta de a uerdo on las medidas experimentales del espe tro
de emision de un laser de niveles dis retos. Sin embargo en un DFB o un DBR los valores
experimentales tpi os son !l W ' 2 100MHz mW . Esto quiere de ir que hay algun
fenomeno fsi o importante en los laseres a semi ondu tor que no hemos tenido en uenta
[51℄.
9.5. Laser semi ondu tor

El ndi e de refra ion de un medio material es una magnitud ompleja, n = nR jnI ,
donde la parte real nR afe ta al desfase que sufre la onda ele tromagneti a que se propaga
por el medio (la onstante de propaga ion en un medio diele tri o es (! ) = kÆ nR ), mientras
que la parte imaginaria nI es la responsable de la atenua ion (o de la ampli a ion) que sufre
el modulo (re ordemos que el oe iente de atenua ion de un medio diele tri o es 2 = kÆ nI ).
A la parte imaginaria le hemos asignado un signo negativo porque estamos estudiando un
laser y, por tanto, el medio material tiene ganan ia, no atenua ion. La parte real e imaginaria

MONOMODO
del ndi e de refra ion no pueden variar independientemente, ya que derivan de una misma
fun ion analti a ompleja, (! ). Re ordemos que las rela iones integrales que ligan nR y nI
se ono en on el nombre de rela iones de Kramers{Kronig. Una aproxima ion grosera de
esta rela ion (valida para un an ho de banda espe tral peque~no) es nnRI = a, donde nR
y nI son las varia iones de la parte real e imaginaria del ndi e de refra ion produ idas
por la emision espontanea y a es una onstante positiva que re ibe el nombre de fa tor
de ensan hamiento espe tral en ex eso 1 [51℄. Veamos que onse uen ias se derivan de esta
rela ion:
1 djE j nI !Æ
9
nI !Æ z >
9
jE j dz = Æ
>
> >
>
jE j = EÆ e Æ >
> >
>
) dd' nR
>
= >
=
) jE j = nI
= a (9.20)
>
d' nR !Æ
>

nR z >
> >
>
' = !Æ t
Æ
>
>
>
;
dz
=
Æ
>
>
; jE j
Esta e ua ion nos di e que las varia iones unitarias del modulo del ampo ele tri-
o produ en, ademas, una varia ion de fase de valor d' = a djjEEjj . En la g. f9.5g se ha
representado la varia ion total de la fase produ ida por un foton generado por emision es-
pontanea, teniendo en uenta el fenomeno de a oplamiento entre el ruido de amplitud y el
de fase. A partir de este resultado, y razonando de la misma manera que en el apartado
anterior tenemos:
sin() a os()
tg(') = p (9.21)
P
Como ' 1 tenemos que ' ' sin() p os()

P on lo que podemos es ribir:
1 Z 2 sin() a os()
< ' >=
2 0
p d = 0
P
1 Z 2 [sin() a os()℄2 1 + a2
2
< ' >=
2 0
p d =
2P
(9.22)
P
Por tanto el espe tro de emision del laser vuelve a ser Lorentziano, pero ahora la
an hura espe tral de emision !l viene dada por:
nsp h !E (E + s ) 2Æ
!l = = nsp (1 + a2 ) (9.23)
p 2P 4W ng2
La tasa de emision espontanea en ex eso de un laser a semi ondu tor es:
1
nsp = F Fv Eg (9.24)
1 e kT
1 En ingles "linewidth enhan ement fa tor".
9.5. LASER SEMICONDUCTOR 169
donde F y Fv son los uasiniveles de Fermi en la banda de ondu ion y de valen ia y

Eg es la an hura de banda prohibida del semi ondu tor.
Una uestion que se plantea de manera natural es por que el fenomeno de a oplamiento
entre el ruido de fase y el ruido de amplitud o urre solo en los laseres semi ondu tores.
Despues de todo, se trata de una onse uen ia de las rela iones de Kramers{Kronig y estas
son validas para ualquier medio a tivo. Se puede demostrar, sin embargo, que el oe iente
a es nulo a la longitud de onda orrespondiente al maximo de la urva de ganan ia del medio
si esta es simetri a, osa que o urre en los medios a tivos de los laseres de niveles dis retos,
pero no en los laseres semi ondu tores.

MONOMODO
9.6. Problemas
Problema 11: Se tiene un laser monomodo semi ondu tor uya fre uen ia entral de
emision es f=192THz. La longitud de la avidad es L=300m, el ndi e de refra ion
del medio es ng = 3; 5 y el oe iente de perdidas por unidad de longitud de por s at-
tering Rayleigh es s = 40 m 1 . Teniendo en uenta que el oe iente de emision
espontanea en ex eso nsp = 5 y el oe iente de a oplamiento entre el ruido de amplitud
y el de de fase es = 6, se desea determinar la poten ia de emision ne esaria para
que la an hura espe tral de emision sea de 50MHz.
Solu ion:
!2 9
n 1
R= g
ng + 1
' 0; 31 >
>
>
>
>
>
>
>
>
) p = ( +ng ) = 1; 5 10 12 s ) f = 2
1
>
=
1 1 1 = 0; 106T Hz
E = ln 2 = 3904m >
> E s Æ p
2L R >
>
>
>
>
>
>
>
s = 40 m 1 = 4000m 1 ;
h !E (E + s ) 2Æ
W = nsp (1 + a2 ) =
8 fW n2g
24 1; 6 10 19 (3904 + 4000)3904(3 108 )2
5 11;;55
= (1 + 36) = 4; 27W
8 50 103 3; 52
Captulo 10
Re eptores para omuni a iones
opti as
Resumen: En este aptulo vamos a expli ar, en primer lugar, el fun ionamiento
de los dos fotodete tores que mas se emplean en omuni a iones opti as: el fotode-
te tor PiN y el de avalan ha (APD). El primero genera un portador de arga por
ada foton absorbido, mientras que el segundo tiene gana ia interna, es de ir,
genera, en promedio, un numero M1 de portadores por foton dete tado. A onti-
nua ion dedu iremos un modelo ele tri o (en el que tambien se in luiran las fuentes
de ruido) de ada uno de los elementos que forman parte del re eptor de omuni a-
iones opti as: el fotodete tor, la resisten ia de arga y la primera etapa ampli-
adora del re eptor. A partir de este modelo, al ularemos el o iente entre la poten-
ia de la se~nal y la poten ia del ruido en el re eptor para las dos ongura iones
mas empleadas: el preampli ador de tension y el de transimpedan ia.
Por ultimo, dado que la mayora parte de los sistemas de omuni a ion por bra
opti a son digitales, rela ionaremos, para un aso general, este o iente on la
tasa de error binaria maxima admisible del enla e. Veremos, tambien, ual ha de
ser el valor umbral (o tension de ompara ion) optimo en el ir uito de de ision,
de manera que se minimi e la probabilidad de error del enla e.
171
172 CAPITULO 10. RECEPTORES PARA COMUNICACIONES OPTICAS

10.1. Introdu ion

En un sistema de omuni a iones opti as, el re eptor tiene omo nalidad onvertir la
se~nal opti a en una se~nal ele tri a. El fotodete tor (primer elemento del re eptor) transforma
el ujo de fotones que llegan al extremo de la bra opti a en una orriente ele tri a (un ujo
de ele trones) que hay que ampli ar para que esta se distinga laramente del ruido termi o
de fondo presente en el re eptor.
filtro adaptado
comparador
+
A *
g(t)
fibra
optica thrs. -
clk
+
fotodetector mas -
vco
preamplificador
recuperacion del
reloj
Figura 10.1: Esquema de un re eptor de omuni a iones opti as.
En la g. f10.1g se muestra el diagrama de bloques de un posible re eptor de un

sistema digital de omuni a iones opti as. Consta de un fotodete tor que a partir de la
poten ia opti a in idente genera una orriente propor ional a esta. A ontinua ion hay un
bloque ampli ador y un ltro adaptado 1 que minimiza la interferen ia entre smbolos [83℄
de forma que la probabilidad de error aso iada sea muy baja. La salida del ltro se ompara,
en el instante de muestreo, on un valor umbral, de manera que si es mayor que este, se de ide
que se ha re ibido un uno y en aso ontrario se de ide que se ha re ibido un ero. El instante
de muestreo lo determina el bloque de re upera ion del reloj (PLL, del ingles "Phase lo ked
loop" [48℄), que onsta de un VCO (un os ilador ontrolado por tension [48℄) realimentado
al que se le da omo referen ia la salida de un ltro sintonizado a la fre uen ia del reloj. En
este esquema se supone que se ha utilizado una odi a ion de los datos de forma que la
densidad espe tral de poten ia a la fre uen ia del reloj (o a un multiplo de esta) es elevada.
Otro esquema muy popular en enla es digitales onsiste en olo ar un integrador a la salida
del preampli ador y muestrear la salida del integrador al nal del tiempo de dura ion del
bit [83℄. La interferen ia entre smbolos no es mnima, pero se mejora la sensibilidad del
re eptor ya que la SNR (rela ion se~nal a ruido) es mayor.
Como en ualquier otro sistema de omuni a iones, la primera etapa del ampli ador
es la que limita la sensibilidad del re eptor y es a la salida de esta donde hay que onseguir
que el o iente entre la poten ia de se~nal dividido por la poten ia del ruido tenga un valor
mnimo que garanti e una tasa binaria de error inferior a un maximo prejado. En este
aptulo vamos a estudiar los dispositivos fotodete tores y las ara tersti as de ruido del
1 Esto es, en mu has o asiones, muy dif il de llevar a abo. Unas ve es porque no se ono e la fun ion de
transferen ia del anal y otras porque esta vara en el tiempo, obligando a implementar un ltro adaptativo.
10.2. CARACTERISTICAS DE LOS FOTODETECTORES EMPLEADOS EN COMUNICACIONES
onjunto formado por el fotodete tor y el preampli ador de entrada, ya que ambos denen
la sensibilidad del re eptor.
10.2. Cara tersti as de los fotodete tores empleados

en omuni a iones opti as.
El elemento fotodete tor se olo a al extremo de la bra opti a para onvertir el
pulso luminoso re ibido en una pulso ele tri o. La poten ia de la se~nal luminosa re ibida
puede ser muy debil (del orden del nW ), por lo que el dete tor debe ser apaz de responder
ante se~nales muy debiles (es de ir, ser muy sensible). Las propiedades que debe tener un
fotodete tor para omuni a iones opti as son las siguientes:
1. Buena sensibilidad a la longitud de onda de trabajo.
2. Una velo idad de respuesta elevada. El onvertidor optoele troni o debe ser apaz de
generar una orriente que siga elmente las rapidas varia iones de los pulsos luminosos.
3. Un bajo nivel de ruido. Puesto que la se~nal opti a in idente es muy debil, el ruido de
origen ele tri o a~nadido por el fotodete tor podra enmas arar la informa ion util.
4. Dimensiones redu idas, ompatibles on el tama~no de la bra.
5. Fiabilidad y bajo oste.
Los uni os dispositivos que reunen todos estos requisitos son los fotodete tores se-
mi ondu tores, on ganan ia interna o sin ella. El dispositivo sin ganan ia interna es el
fotodiodo PIN y el que s la tiene es el fotodete tor de avalan ha (APD).
P(x)
Po
(1-R)Po
Figura 10.2: Evolu ion de la poten ia opti a en el seno de un semi ondu tor absorbente.

10.3. Foto ondu tores.

Cuando se ilumina un material semi ondu tor on luz de una fre uen ia f tal que
la energa de los fotones hf es superior a la an hura de la banda prohibida (Eg ), esta es
absorbida reandose pares ele tron{hue o 2 .
5
10
-1
10
Profundidad de penetracion (µ m)
AsGa In0.53Ga0.47As
Coeficiente de absorcion α (cm−1)

4
1 10
Ge
3
10 10
2
10
2
10
Si
10
3
10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Longitud de onda (µ m)
Figura 10.3: Coe iente de absor ion de varios semi ondu tores.
Si representamos la intensidad luminosa frente a la penetra ion en el material (ver la

g. f10.2g) 3 , observamos que la fun ion presenta una ara tersti a exponen ial de re iente
denida por un oe iente, denominado oe iente de absor ion del semi ondu tor y que
denotaremos mediante la letra . La inversa del oe iente de absor ion, 1 , tiene dimensiones
de longitud y representa la distan ia re orrida en promedio por un foton antes de absorberse.
El valor de para un determinado semi ondu tor depende de la longitud de onda de la
radia ion in idente (ver la g. f10.3g) y de si este es de transi ion dire ta o indire ta. Los
semi ondu tores de transi ion dire ta presentan una varia ion brus a en el oe iente de
absor ion a la fre uen ia orrespondiente a la an hura de la banda prohibida, mientras que
en los semi ondu tores de transi ion indire ta la varia ion es mas suave [90℄.
En la g. f10.4g se muestra un foto ondu tor (que no es mas que un semi ondu tor
debilmente dopado). Evidentemente la resisten ia del semi ondu tor depende de que este o
no iluminado. Si hay luz presente, la on entra ion de portadores libres de arga es mayor, por
lo que la resisten ia sera mas peque~na. Por tanto, midiendo la resisten ia de este dispositivo,
podemos determinar la intensidad luminosa in idente.
El problema que presentan los foto ondu tores es que una sensibilidad alta exige un
2 El rendimiento uanti o del pro eso de absor ion es el o iente entre el numero de pares ele tron{hue o
generados y el numero de fotones absorbidos.
3 La dis ontinuidad que se observa en x = 0 es debida a la fra ion de luz que se re eja en la super ie
de separa ion entre el aire y el semi ondu tor.
10.4. EL FOTODIODO PIN. 175
tiempo de respuesta grande (dinami a lenta), mientras que un tiempo de respuesta peque~no
(dinami a rapida) onlleva una sensibilidad baja. Esto es fa il de omprender si pensamos
que uanto mayor sea el tiempo medio de re ombina ion entre portadores, mayor sera la
varia ion de la resistividad pero su dinami a sera mas lenta.
Luz
semiconductor contacto
ohmico
Figura 10.4: Foto ondu tor.
Si el foto ondu tor estaba iluminado y brus amente interrumpimos la luz, la on en-
tra ion de portadores empieza a de re er exponen ialmente on una onstante de tiempo
igual al tiempo medio de re ombina ion de los pares ele tron{hue o (de igual forma, si el
semi ondu tor estaba a os uras y brus amente lo iluminamos la on entra ion de portadores
en desequilibrio empieza a re er exponen ialmente on una onstante de tiempo igual al
tiempo medio de re ombina ion ).
Si el tiempo medio de re ombina ion de los pares ele tron{hue o en desequilibrio
es alto, tendremos una sensibilidad apre iable (habra un ambio grande de resisten ia en
regimen permanente) pero resulta evidente que su dinami a es ina eptablemente lenta. Si
por el ontrario el tiempo medio entre re ombina iones es peque~no, su dinami a sera rapida,
pero su sensibilidad sera muy baja.
10.4. El fotodiodo PIN.

Una forma de mejorar las ara tersti as de sensibilidad y tiempo de respuesta es
utilizar un diodo de union inversamente polarizado. Si la mayor parte de los pares ele tron{
hue o formados por la absor ion de fotones se generan en la region de arga espa ial, el
fuerte ampo ele tri o presente en la zona separa los portadores llevando a ada uno de ellos
a la zona donde son mayoritarios, on lo que apare e un portador de arga que atraviesa el
dipositivo por ada foton absorbido (ver la g. f10.5g).
La orriente que atraviesa el diodo es una orriente inversa de ir ula ion que toma
un valor muy peque~no si la union no esta iluminada y sera algo mayor si hay luz in idente
[77℄. En la g. f10.5g se muestra la urva ara tersti a estati a del diodo para el aso en
que hay luz presente y para el aso en que no la hay.

i R
- +
- - - + +
V
- - - + +
luz corriente de
P - -
-
- + + N obscuridad
+
- - - + +
- - - + +
corriente
optica
Par electron-hueco creado
por la absorcion de un foton
Figura 10.5: Estru tura del fotodiodo (izquierda) y urvas ara tersti as (dere ha).
10.4.1. Sensibilidad del dispositivo.
Supongamos que la union p{n inversamente polarizada (el fotodete tor) se ilumina
por la zona p. Podemos distinguir tres zonas distintas donde se van a absorber fotones:
Primero tenemos la zona p, omprendida entre la super ie de entrada y la de omien-
zo de la region de arga espa ial. Aqu la intensidad luminosa I (x) es grande y se
generan mu hos pares ele tron{hue o por unidad de volumen. Para que el el foton
absorbido en esta zona pueda ontribuir a la orriente que atraviesa el dispositivo, es
ne esario que el ele tron (que es el portador minoritario) pueda difundirse hasta la
region de arga espa ial, donde el ampo ele tri o lo arrastrara a la zona donde es el
portador mayoritario. Esto no sera posible si la super ie de entrada del dispositivo
tiene una velo idad de re ombina ion super ial alta [71℄, ya que enton es el ele tron
tiende a difundirse en sentido ontrario. Por tanto, para aumentar la sensibilidad del
fotodete tor, es pre iso onseguir que esta velo idad de re ombina ion sea peque~na. En
segundo lugar, puesto que queremos que el ele tron llegue a la zona de deplexion sin
re ombinarse en el volumen, la distan ia a re orrer debera ser peque~na en ompara ion
on la longitud de difusion. Para onseguir esto es ne esario que el espesor de la zona
p sea peque~no frente a la longitud de difusion de los ele trones 4 [93℄. En resumidas
uentas la sensibilidad es tanto mayor uanto menor sea la velo idad de re ombina ion
super ial del plano de entrada y uanto mas estre ha sea la zona p frente a la longitud
de difusion de los ele trones.
En segundo lugar tenemos la region de arga espa ial. Los pares ele tron{hue o ge-
nerados aqu se separan y llegan a las zonas volumetri as donde son mayoritarios,
ontribuyendo as a la foto orriente que atraviesa el diodo. Interesa que esta region sea
lo mas an ha posible para que la mayor parte de los fotones se absorban aqu.
Por ultimo tenemos la zona n. Si la region de deplexion es lo su ientemente an ha
podemos despre iar la intensidad luminosa que llega hasta aqu.
4 El motivo por el que se ilumina por la zona p es que los ele trones, que son los portadores minoritarios,
tienen oe ientes de difusion mas altos que los hue os, por lo que la longitud de difusion es mayor.
10.4. EL FOTODIODO PIN. 177
metalizaciones ρ
Π N+
x
x
capa
antireflectante P+
Figura 10.6: Estru tura de un fotodiodo pin.
Con objeto de maximizar la sensibilidad del fotodete tor se suelen utilizar fotodiodos
PIN [77℄{[102℄, es de ir, diodos formados por una apa de un semi ondu tor tipo p fuerte-
mente dopado, una apa asi intrnse a (es de ir, en la que el dopado es muy debil 5 ) y por
ultimo una apa donde hay un fuerte dopado tipo n. En la g. f10.6g se muestra esta estru -
tura. Las tensiones de polariza ion inversa ne esarias para que la region de arga espa ial
se extienda por toda la region intrnse a, tal y omo se ha representado en la gura, son
del orden de la de ena de voltios. En la super ie de entrada se intenta que la velo idad de
re ombina ion super ial sea baja 6 . El espesor de la zona p es estre ho on objeto de mini-
mizar la absor ion de luz en esta zona, mientras que la region intrnse a es lo su ientemente
an ha omo para que en ella se absorba la pra ti a totalidad de la luz.
10.4.2. Tiempo de respuesta.
Entre el momento en que se genera un par ele tron{hue o ( omo onse uen ia de la
absor ion de un foton) y el momento en que el portador de arga atraviesa la resisten ia
de arga, ontribuyendo as a rear una se~nal ele tri a dete table y ampli able, trans urre
un ierto tiempo, es de ir, hay un ierto retraso. Estos retrasos no son iguales para todos
los fotones que se han absorbido en un mismo instante, lo que provo a una dispersion de la
se~nal ele tri a on respe to a la opti a o, lo que es lo mismo, una dispersion en el tiempo de
respuesta del dispositivo.
Tiempo de respuesta interna. El tiempo de respuesta interno esta aso iado al

tiempo que tardan los portadores en llegar a los onta tos metali os del dispositivo.
En realidad existen dos tiempos de respuesta interna, uno aso iado a la difusion de
los ele trones [71℄ pro edentes de la absor ion de luz en la zona p (en realidad a la
5 Cuanto menor es el dopado de un semi ondu tor mayor es el tiempo medio de re ombina ion de pares
ele tron{hue o.
6 Sin embargo en esta se suelen depositar una serie de apas de un material diele tri o on objeto de
disminuir el oe iente de re exion [68℄ (que es del orden del 30% en una interfaz aire{semi ondu tor). Esta
deposi ion suele aumentar, desgra iadamente, la velo idad de re ombina ion super ial.

Ct
G Rs
Cd
Figura 10.7: Modelo de peque~na se~nal del fotodete tor donde se ha eliminado la fuente de
orriente. Ct es la apa idad parasita aso iada a la region de arga espa ial y Cd la aso iada
a la varia ion de arga libre a umulada fuera de la region de arga espa ial.
dispersion de estos tiempos) y otro aso iado al arrastre de los portadores [71℄ en la
region de arga espa ial. El tiempo de respuesta del pro eso de difusion es mayor que
el del de arrastre. Un valor tpi o para el primero puede estar en los 100ps, mientras
que el segundo en los 10ps. En el apendi e 1 se dedu en las expresiones analti as de
estos dos tiempos.
Tiempo de respuesta externa. El fotodiodo se polariza inversamente por lo que
apare e una apa idad parasita entre sus extremos, denomidada apa idad de transi-
ion. La region de arga espa ial se omporta omo un material diele tri o que separa
dos regiones ondu toras (zonas p y n del diodo) y de ah el omportamiento apa itivo
del dispositivo. La expresion del valor de este ondensador es:
A
C = o r (10.1)
wd
donde wd es la an hura de la region de arga espa ial y uyo valor tpi o es 200fF .
Normalmente las apa idades parasitas de onexion del dispositivo son mas importan-
tes. En ualquier aso, si onsideramos el modelo de peque~na se~nal representado en la
g. f10.7g vemos que la tension entre los extremos de la resisten ia de arga no puede
variar mas rapidamente que la onstante de tiempo del ir uito.
En la g. f10.8g se representa [3℄ la respuesta temporal de un fotodiodo uya dinami a

esta limitada por el tiempo de respuesta interna. La dinami a rapida ini ial esta aso iada
al tiempo de transito por la region de arga espa ial y la lenta al tiempo de difusion de los
portadores minoritarios.
10.5. El fotodiodo de avalan ha.

Cuando la tension de polariza ion inversa apli ada a una union p{n es su ientemente
elevada, los portadores de arga (ele trones y hue os) que atraviesan la region de arga
10.5. EL FOTODIODO DE AVALANCHA. 179
Popt
Impulso optico
t
Iopt
Respuesta interna del

t fotodiodo
Figura 10.8: Respuesta de un fotodiodo limitado por los tiempos de transito y difusion.
espa ial pueden adquirir una energa ineti a muy grande. Cuando ho an on los nu leos de
la red ristalina rean pares ele tron{hue o al transferir ele trones de la banda de valen ia
a la banda de ondu ion. Estos portadores de arga se undarios, generados por hoques
de los primarios pueden, a su vez, produ ir otros pares ele tron{hue o, produ iendose un
fenomeno de avalan ha [77℄{[64℄{[71℄.
La multipli a ion de portadores se puede uanti ar dando dos terminos, y ,
denominados oe ientes de ioniza ion, que denen las tasas de rea ion de pares se undarios
a partir de ele trones y hue os primarios [64℄. Los oe ientes (relativo a los ele trones) y
(relativo a los hue os) dependen del ampo ele tri o al que se ven sometido de la siguiente
manera [77℄:
A2
= A1 exp( ) (10.2)
E
B
= B1 exp( 2 ) (10.3)
E
donde A1 , A2 , B1 y B2 son terminos que dependen del tipo de semi ondu tor y de la
temperatura.
Los oe ientes de ioniza ion representan la ganan ia por unidad de longitud de las
densidades de orriente aso iadas a los ujos de ele trones y hue os debidas al pro eso de
avalan ha, esto es:
dJn
= dx (10.4)
Jn
dJp
= dx (10.5)
Jp

ρ
metalizaciones
- E
+
capa
N+
antireflectante P+ zona de ionizacion
P zona de absorcion
Figura 10.9: Estru tura de un fotodiodo de avalan ha.
En el fotodiodo de avalan ha la ganan ia en orriente, el tiempo de respuesta y el

ruido a~nadido a la se~nal util dependen fuertemente de los valores que tomen los oe ientes
de ioniza ion y . Podemos distinguir dos asos lmites: uno primero en el que el oe iente
de ioniza ion de los fotoportadores (portadores primarios que, por su mayor movilidad son
ele trones) es mu ho mayor que el de los hue os y uno segundo en el que ambos son del
mismo orden de magnitud. Vamos a ver, seguidamente, que para garantizar una dinami a
rapida y bajos niveles de ruido la primera situa ion es la uni a admisible.
En la g. f10.9g se muestra la estru tura de un fotodiodo de avalan ha [102℄. Para

que la region de arga espa ial o upe toda la region intrnse a y se ree una zona donde
se produz a el efe to avalan ha, son ne esarias tensiones de polariza ion inversas del orden
del entenar de voltios. En la parte intrnse a (zona ) se produ e la absor ion de fotones,
generandose pares ele tron{hue o que son separados por el ampo ele tri o presente. Los
hue os se desplazan ha ia la izquierda y los ele trones ha ia la dere ha. Estos ele trones
(portadores primarios) entran en la union p+ {n+ donde, debido al intenso ampo ele tri o,
provo an, al ho ar on la red ristalina, la apari ion de pares se undarios produ iendose
un efe to avalan ha y, onsiguientemente, la ampli a ion de orriente. El oe iente de
ampli a ion se denota por medio de la letra M y toma, para el aso de APDs de AsGa,
valores que son del orden de 100. Si se umple que el ruido introdu ido por el
fotodete tor no es demasiado grande y ademas el tiempo de respuesta no empeora demasiado
on respe to al fotodiodo PIN.
En la g. f10.10g se muestra el omportamiento de la region de avalan ha para los

asos y ' . En el eje horizontal se representa la oordenada longitudinal y en el
verti al el tiempo. Puesto que suponemos que los portadores se desplazan a una velo idad
de arrastre onstante (para una des rip ion detallada de los fenomenos de transporte en
semi ondu tores remitimos al le tor interersado a la bibliografa adjunta [101℄{[71℄{[90℄{[93℄),
las traye torias son re tas de pendiente onstante (positiva para los ele trones y negativa
para los hue os, ya que se desplazan on sentidos ontrarios). En la primera gura se observa
que solo los ele trones generan pares ele trones{hue o se undarios, ya que su oe iente de
ioniza ion es mu ho mayor que el de los hue os. Esto lleva a que el retraso maximo entre
10.6. FUENTES DE RUIDO EN UN RECEPTOR. 181
x
-
-
+ -
-
+ -
+ -
+ - α >> β
+ +
+
−
+ −
+
α ∼ β
+ −
−
− −
+
+ − −
Figura 10.10: Comportamiento de la region de avalan ha.
el instante en que entra el portador primario en la region de avalan ha y el momento en

que deja de haber portadores se undarios provo ados por el sea, aproximadamente, la suma
del tiempo de transito del ele tron mas el tiempo de transito del hue o. Ademas el ruido
introdu ido por el efe to de avalan ha esta determinado solo por el ara ter aleatorio de la
genera ion de pares se undarios.
En la segunda gura se observa que no podemos a otar de una forma sen illa el retraso
maximo y que el numero de portadores se undarios generados por un portador primario es
mu ho mas variable que en el aso anterior. Por este motivo las ara tersti as de ruido y
tiempo de respuesta son medio res.
10.6. Fuentes de ruido en un re eptor.
La g. f10.1g representa el diagrama de bloques de un re eptor de omuni a iones

opti as. Como ya hemos visto, el fotodete tor onvierte la poten ia opti a re ibida en una
orriente ele tri a. En el siguiente bloque del re eptor, el ampli ador, se onvierte esta
orriente en una tension que debe ser lo su ientemente intensa omo para poder ser tratada
en el bloque demodulador. Como en ualquier otro sistema de omuni a iones, la primera
etapa del ampli ador es la que limita la sensibilidad del re eptor. En este punto hay que
garantizar una rela ion poten ia de se~nal{poten ia de ruido mnima que garanti e la alidad
de la transimision. En la g. f10.11g se representa la etapa de entrada del re eptor, as omo

su modelo de peque~na se~nal 7 .
C R
A
Id
Figura 10.11: Conjunto formado por el fotodete tor y el preampli ador.
Existen varios fenomenos fsi os que introdu en ruidos (se~nales de ara ter aleatorio y
media ero) que no estan in luidas en este modelo. Para analizar la sensibilidad del re eptor,
vamos a estudiar las ara tersti as de las distintas fuentes de ruido para despues modelarlas
ele tri amente 8 e in luirlas en el ir uito de peque~na se~nal.
1. En primer lugar tenemos el llamado ruido uanti o aso iado a la propia se~nal. Es
el uni o termino de ruido que es imposible eliminar, ni tan siquiera en un experimento
idealizado ya que esta aso iado a la naturaleza uanti a de la propia se~nal util. Consi-
deremos que se dete ta una pulso luminoso de poten ia P y dura ion . En el pro eso
de dete ion, el pulso luminoso se omporta omo un onjunto de orpus ulos, llama-
dos fotones, uyo numero no es determinista sino aleatorio. Este ara ter aleatorio es
el responsable del ruido uanti o aso iado a la se~nal re ibida.
2. Ruido termi o de la resisten ia de arga. Esta provo ado por el movimiento
aleatorio de los portadores de arga (ele trones) en la resisten ia de arga RL . Este
movimiento, de origen termi o, provo a u tua iones de tension en los extremos de la
resisten ia de arga. Teori amente podra eliminarse enfriando esta a la temperatura
de 0K.
3. Ruido termi o del ampli ador. Cualquier ampli ador degrada el o iente NS de
la se~nal que esta tratando, debido al ruido a~nadido por los elementos a tivos on los
que se ha onstruido.
4. Ruido uanti o aso iado a la orriente de obs uridad. Una orriente ele tri a
esta provo ada por el paso de portadores dis retos de arga (ele trones y hue os en
el aso de un semi ondu tor) a traves del dispositivo. El ara ter orpus ular de estos
7 En la mayora parte de las o asiones la se~nal luminosa que llega al re eptor es lo su ientemente debil
omo para que el modelo linealizado (de peque~na se~nal) de la etapa de entrada des riba orre tamente su
omportamiento.
8 El modelo ele tri o de una fuente de ruido onsiste en una fuente de orriente de media ero y valor
uadrati o medio ono ido. El valor uadrari o medio representa la poten ia del ruido.
provo a u tua iones de la orriente alrededor de su valor medio. En el aso de un

fotodiodo, sabemos que existe una ierta orriente que lo atraviesa en ausen ia de luz
( orriente inversa de satura ion, tambien llamada orriente de obs uridad) que es tanto
mas importante uanto menor sea la an hura de la banda prohibida del semi ondu tor
del que esta he ho el fotodiodo. Las u tua iones de la orriente de obs uridad alre-
dedor de su valor medio introdu en un termino de ruido que puede ser importante si
la orriente inversa de satura ion es (relativamente) grande 9 . Sin embargo no vamos
a onsiderar esta fuente de ruido en nuestro analisis.
5. Si el fotodete tor que se emplea es un fotodiodo de avalan ha apare e un fa tor de
ruido adi ional: el ruido de avalan ha, provo ado por el he ho de que el numero de
portadores se undarios generados a partir de uno primario es variable, por lo que se
introdu e un termino de ruido en el pro eso de ampli a ion interna.
En los proximos apartados vamos a estudiar ada uno de estos termino, a modelarlos
e in luirlos en el modelo de peque~na se~nal del re eptor [41℄-[57℄.
10.6.1. Ruido uanti o aso iado a la se~nal.

Pro eso de dete ion.
El pro eso de dete ion de la luz impone sobre esta un omportamiento orpus ular
10 .
La tasa media de llegada fotones al dete tor se puede al ular fa ilmente. Si P es la
poten ia luminosa, el numero de fotones medios dete tados por unidad de tiempo es:
P
r= (10.6)
hf
Si admitimos que los tiempos de llegada de los fotones no estan temporalmente orre-
lados, se puede demostrar que el pro eso estadsti o denido por las probabilidades dis retas
pn (t) de re ibir n fotones al abo de t segundos es poissoniano. Por onsiguiente [52℄{[69℄{[89℄:
(rt)n rt
pn (t) = e (10.7)
n!
Si parti ularizamos para t = (tiempo de deni ion de un bit) y tenemos en uenta
que el produ to r es el numero medio (esperado) de fotones por ada pulso luminoso,
enton es resulta que el numero de fotones que vienen en un pulso luminoso se des ribe
mediante una variable aleatoria dis reta denida por las probabilidades:
nn n
pn = e (10.8)
n!
donde n = P .
hf
9 Como es el aso de los fotodete tores de Germanio, ya que la banda prohibida de este semi ondu tor es
relativamente estre ha.
10 Los quantos, entes fsi os des ritos por la me ani a uanti a, maniestan una naturaleza ondulatoria o
orpus ular dependiendo del experimento en que intervienen.

La se~nal util transmitida esta aso iada al valor medio de la variable aleatoria, mien-
tras que el ruido uanti o esta aso iado a las u tua iones que sufre el numero de fotones
dete tados en torno al valor esperado. Puesto que ono emos las expresiones de las probabi-
lidades dis retas, podemos al ular fa ilmente la desvia ion uadrati a media de la variable
aleatoria. Ha iendo las opera iones orrespondientes, resulta:
n2 = n (10.9)
Cono iendo el valor esperado del numero de fotones por pulso y la desvia ion uadrati-
a media podemos obtener fa ilmente el modelo "ruidoso" de la se~nal ele tri a generada por
el dete tor. La se~nal util esta aso iada a la media de la variable aleatoria. La orriente media
que atraviesa el fotodete tor sera igual al produ to del numero medio de pares ele tron{
hue o generados por la absor ion de fotones, multipli ados por el rendimiento uanti o del
fotodete tor y por la arga de un portador y dividido por el tiempon de dura ion del pulso
luminoso, es de ir:
qn qP
i= = (10.10)
hf
La poten ia de la se~nal ele tri a util es igual al uadrado de la expresion anterior.

La poten ia del ruido ele tri o la podemos al ular fa ilmente (suponiendo que es una
onstante y no una variable aleatoria):
q 2 2 n2 q 2 P
i2 = = (10.11)
2 hf
Si ahora elevamos al uadrado (10.10) y dividimos el resultados por (10.11) obtenemos

la expresion del o iente poten ia util de la se~nal dividida por la poten ia del ruido uanti o
aso iado a esta:
S i2 P
= 2= (10.12)
N i hf
Vemos, pues, que el fotodete tor ne esariamente degrada la rela ion se~nal a ruido, a
menos que tenga ara tersti as ideales ( = 1). El ruido uanti o existe en todos los sistemas
de omuni a iones, aunque solo en omuni a iones opti as es pre iso tenerlo en uenta. Esto
se puede justi ar fa ilmente a partir de (10.12). En el dominio radioele tri o las longitudes
de onda son lo su ientemente largas (y, por onsiguiente, las fre uen ias lo su ientemente
bajas) omo para que el produ to hf sea despre iable. A estas fre uen ias tan bajas el
ara ter orpus ular de la energa dete tada no es observable 11 . En omuni a iones opti as
la energa de un uanto de luz (de un foton) es apre iable frente a la del pulso luminoso 12 ,
por lo que este ara ter orpus ular se pone de maniesto, apare iendo un termino de ruido
adi ional, el ruido uanti o.
11 Esto es as porque en un pulso siempre hay un numero enorme de uantos.
12 Siempre y uando la energa del pulso luminoso, es de ir, el produ to P , sea su ientemente peque~no.
Modelo ele tri o.
Para modelar el pro eso de dete ion, se onsideran dos fuentes de orriente en pa-
ralelo, una de las uales representa la se~nal util mientras que la otra representa el ruido
uanti o aso iado a esta. El valor medio de la fuente de orriente aso iada al ruido es 0,
mientras que el de la se~nal util es 13 :
i = RP
q
R := (10.13)
hf
La otra fuente representa las u tua iones alrededor de este valor medio. Teniendo
en uenta (10.10) y (10.11) llegamos a [41℄:
qi
i2 = = 2qif (10.14)

donde f es el an ho de banda de la envolvente de la se~nal opti a. Normalmente el
an ho de banda del ampli ador de entrada es igual al de la se~nal por lo que, a partir de
ahora, onsideraremos que f es el an ho de banda ele tri o del ampli ador.
10.6.2. Ruido termi o en la resisten ia de arga.
Los portadores de arga de una resisten ia (ele trones) estan sometidos a un movi-
miento de agita ion termi a ontinuo. Si olo amos dos resisten ias en paralelo, tendremos
que la energa maxima que, por unidad de tiempo y de intervalo espe tral, puede eder una
a la otra viene dada por 14 :
hfdf
Pe = hf (10.15)
e kT 1
Si tomamos omo temperatura 290K tenemos que la poten ia total maxima 15 que se
podra eder es:
Z 1 hf
Ptot = hf df = 40nW (10.16)
0 e kT 1
Esta numero es muy grande y, si realmente este fuese el valor de la poten ia debida al
ruido termi o, la se~nal util estara, en la mayor parte de los asos, totalmente enmas arada.
13 Esta expresion se dedu e de modo inmediato de (10.10) y de la deni ion de R (que re ibe el nombre
de responsividad del fotodete tor).
14 Esta expresion es una onse uen ia inmediata de la ley de Plan k a er a de la radia ion de un uerpo
negro.
15 La poten ia transferida sera maxima siempre que hubiera adapta ion de impedan ias, es de ir, que la
segunda resisten ia fuese de igual valor que la primera.

Sin embargo el an ho de banda del ampli ador es limitado, por lo que en la pra ti a la
poten ia debida al ruido termi o es mu ho menor ya que se ltran las omponentes de mas
alta fre uen ia. Para al ularla bastara on al ular la integral anterior sustituyendo 1 por
la fre uen ia de orte del ampli ador B .
En realidad el al ulo de la poten ia del ruido termi o se puede simpli ar mu ho. A
temperatura ambiente kT = 0;026eV lo que se orresponde on una fre uen ia f ' 3T Hz ,
es de ir un valor muy grande en ompara ion on la de orte del ampli ador 16 . Esto nos
lleva a que hf kT , on lo que podemos aproximar la densidad espe tral de poten ia del
ruido termi o mediante la ono ida expresion 17 :
Pe = kT f (10.17)
Una vez ono ida esta expresion es inmediato determinar el modelo de ruido de la
resisten ia de arga. Este onsiste en una fuente de orriente de media 0 y valor uadrati o
medio i2 = 4kT R f en paralelo on la resisten ia, ya que de esta manera si one taramos
una resisten ia de arga igual (adapta ion de impedan ias), se disipara una poten ia de
valor kT f .
____ Amplificador
∆v +2
a libre de ruido
A
____
∆i
2
a
Figura 10.12: Modelo de ruido del preampli ador.
10.6.3. Ruido del preampli ador.
La fun ion del preampli ador es la de produ ir una se~nal lo su ientemente intensa
omo para que la puedan tratar las etapas posteriores del re eptor. La ampli a ion in-
trodu e un ruido adi ional de origen omplejo 18 que podemos modelar por medio de dos
16 Esta fre uen ia puede ser, omo mu ho, del orden de algunas de enas de Ghz.
17 Vemos que en esta aproxima ion, valida para el dominio radioele tri o, el ruido termi o se puede onsi-
derar espe tralmente blan o.
18 Intervienen fuentes de ruido uanti o y termi o, entre otras.

10.7. CALCULO POTENCIA SENAL{POTENCIA
DE LA RELACION ~ RUIDO. 187
fuentes que vamos a suponer independientes entre s 19 , una de intensidad y otra de tension,
olo adas a la entrada del ampli ador de la manera indi ada en la g. f10.12g. Las medias
uadrati as de estas dos fuentes de ruido dependen del tipo de dispositivo que se emplee [41℄
(transistor bipolar de Si, JFET de Si o MESFET de AsGa) y de las ondi iones de polariza-
ion. Normalmente las ondi iones de polariza ion optimas en uanto a niveles de ruido no
oin iden on una ganan ia maxima. Los valores tpi os de losq
parametros de
q
ruido de un
2pA
transistor bipolar de Si polarizado en ondi iones optimas son i2a = pHz y Va2 = p2nV
q q Hz .
Los de un transistor J-FET de Si son i2a = 10 p fA y Va2 = p4nV . Por ultimo, los de un
q q Hz Hz
100
p fA p1nV
MES{FET de AsGa son ia = Hz y Va = Hz . Este tipo de transistores tienen
2 2
apa idades de entrada muy bajas, del orden de 0;5pF .
10.6.4. Ruido de ampli a ion interna (ruido de avalan ha).
El efe to de avalan ha ha e que por ada foton absorbido se generen, omo media, M
portadores de arga que atraviesan el dispositivo. Sin embargo, el numero real, en un aso
parti ular, viene representado por una variable aleatoria que tiene una determinada desvia-
ion uadrati a media. Estas u tua iones provo an una degrada ion del o iente poten ia
se~nal{poten ia ruido. Esta degrada ion viene determinada por el siguiente oe iente [102℄:
M2 M 2
F := = 1 + (10.18)
M2 M2
Los valores tpi os de ganan ia en orriente y fa tor de ruido de un fotodiodo APD de

Si (empleado en la primera ventana de transmision) son M = 100 y F = 6, mientras que los
de un APD de Ge (empleados en la seguda y ter era ventana de transmision) son M = 20 y
F = 10.
10.7. Cal ulo de la rela ion poten ia se~nal{poten ia

ruido.
Ya estamos en ondi iones de in luir los terminos debidos a las fuentes de ruido en el
modelo de la g. f10.11g. El ir uito resultante se muestra en la g. f10.13g.
La resisten ia R (resisten ia equivalente al onjunto formado por la resisten ia de
arga del fotodete tor y la resisten ia de entrada del preampli ador) y la apa idad C (suma
de la apa idad parasita del fotodete tor mas la apa idad de de entrada del preampli ador)
denen un ltro paso bajo de fre uen ia de orte 2RC 1 que puede distorsionar la se~nal
re ibida. En prin ipio sera deseable que esta fre uen ia fuese superior al an ho de banda
ele tri o de la se~nal que se transmite. Para onseguir esto se pro ura minimizar durante el
pro eso de fabri a ion el valor de las apa idades parasitas. Una manera obvia de onseguir
que el preampli ador tenga un an ho de banda grande es tomar una resisten ia de arga
19 Esto no es ierto a altas fre uen ias. Sin embargo, on objeto de fa ilitar los al ulos, vamos a admimitir
esta simpli a ion.

G(f)
∆v2a
+
Go EQ
Vi
Mi C R ∆ ia
2
∆ i 2 = 2qM i ∆ f
2+x
4kT
∆ i 2 = R ∆f
Figura 10.13: Modelo de ruido del re eptor ompleto.
peque~na. El problema es que enton es el ruido termi o introdu ido por esta resisten ia se
ha e tambien grande.
Hay asos (transmision de grandes volumenes de informa ion a grandes distan ias
20 )en las que resulta inevitable que la resisten ia R y el ondensador C ltren la se~nal
que se re ibe. Para orregir esto es pre iso a~nadir un e ualizador que amplique mas las
omponentes de alta fre uen ia que se han ltrado durante la dete ion. Este e ualizador se
ha in luido en la g. f10.13g.
Si ha emos aso omiso de los terminos de ruido, tendremos que la tension a la entrada
del preampli ador es 21 :
1 RMi
Vi = MiZeq = Mi 1 = (10.19)
R + j 2fC 1 + j 2fRC
La red de e ualiza ion debe estar dise~nada para orregir este ltrado, de manera que
la se~nal a la salida del preampli ador sea:
RMi
VÆ = Vi G(f ) = G (1 + j 2RC ) = GÆ RMi (10.20)
1 + j 2fRC Æ
Si ahora tenemos en uenta solo las fuentes de ruido, podemos al ular la desvia-
ion tpi a 22 de las u tua iones alrededor de la tension media obtenida anteriormente.
Supondremos que las fuentes de ruido son independientes, on lo que podemos sumar las
desvia iones uadrati as medias produ idas por ada una de las fuentes de ruido. Vamos a
agrupar todas las fuentes de orriente de ruido en una sola, uya media uadrati a es la suma
de las medias uadrati as de ada una de las omponentes ( onsideramos que las variables
20 En estos asos es inevitable tomar una resisten ia de arga grande ya que si no se hi iera esto el ruido
termi o introdu ido por R enmas arara la se~nal util.
21 Estamos onsiderando el aso mas general en el que el fotodete tor sea un fotodiodo de avalan ha. Para
parti ularizar para un fotodiodo PIN basta on tomar M = 1.
22 La desvia ion tpi a de una variable aleatoria es la raz uadrada de la desvia ion uadrati a media.

10.7. CALCULO POTENCIA SENAL{POTENCIA
DE LA RELACION ~ RUIDO. 189
G(f)
∆v2a
+
Go EQ
Vi
C R
∆ i2
Figura 10.14: Modelo equivalente de ruido del re eptor.
aleatorias son independientes). Por tanto el modelo de ruido equivalente es el mostado en la

g. f10.14g.
Teniendo en uenta que tenemos dos fuentes independientes, una de tension y otra
de intensidad, podemos dedu ir, apli ando el prin ipio de superposi ion, la expresion de las
u tua iones uadrati as medias de tension (por unidad de an hura espe tral) a la entrada
del ampli ador{e ualizador:
R2
Vi2 = i2 f + Va2 f (10.21)
1 + 4 2 f 2 R2 C 2
A partir de esta expresion al ulamos las u tua iones uadrati as medias totales a
la salida:
Z B R2 i2 Z B
V 2Æ = 0 1 + 4 2 f 2 R2 C 2
jG(f )j df + 0 Va2 jG(f )j2df
2
(10.22)
Desarrollando esta expresion 23 se dedu e la siguiente expresion para la desvia ion

tpi a de la tension de salida:
v
" #
1 4 2
q u q
u
Vo2 = Go R t
i2 + Va2 + (f )2 C 2 f (10.23)
R2 3
Teniendo ahora en uenta las distintas omponentes que intervienen en la fuente de

ruido i2 , se llega a que el o iente [41℄ entre el valor medio de la tension de salida dividido
por la desvia ion tpi a de sus u tua iones, o iente que denotamos mediante la letra K ,
tiene la siguiente expresion 24 :
23 A onsejamos al le tor que haga el desarrollo.
24 De nuevo hemos onsiderado el aso mas general en el que el fotodete tor es un fotodiodo de avalan ha.
Para ontemplar el aso de un fotodiodo PIN basta on ha er M = 1 y F = 1.

Vo i
K := q =v (10.24)
Vo u
u
2qF i +
"
4kT Ia2 Va2 1 4 2 2 2
#
pf
2 + 2 + 2 R2 + 3 (f ) C
t
RM M M
De esta expresion podemos dedu ir algunas on lusiones de ara ter general:

1. El o iente K re e a medida que aumenta el oe iente de avalan ha M , hasta que
llega un momento en el que el ruido de avalan ha, que esta multipli ado por el fa tor
F , se ha e dominante.
2. Un aumento en la resisten ia de arga R aumenta el o iente K , siempre que alguno de
los terminos en los que interviene sea el dominante. Sin embargo, utilizar resisten ias
de arga de valor elevado tiene un in onveniente obvio: es pre iso a~nadir un ir uito de
e ualiza ion, lo que limita el rango dinami o de fun ionamiento del re eptor. El rango
dinami o indi a la apa idad de manejar simultaneamente se~nales fuertes y debiles. En
un esquema omo el des rito hasta ahora, el rango dinami o es peque~no ya que para
onseguir una sensibilidad grande en toda la banda de paso es pre iso ampli ar mu ho
en baja fre uen ia (antes del polo denido por R y C ). En el aso de que la se~nal de
entrada tome un valor elevado (si el rango dinami o es alto, habra ve es en las que la
se~nal de entrada sera debil y otras en las que sera intensa), las omponentes de baja
fre uen ia pueden saturar el preampli ador provo ando distorsion.
3. A altas fre uen ias, el termino apa itivo del denominador puede ha erse dominante,
ya que re e on el uadrado de la fre uen ia. Este es un motivo adi ional para intentar
minimizar C .
Rf
- Go (f)
Mi C R
Figura 10.15: Preampli ador de transimpedan ia.
La ongura ion del preampli ador que hemos estudiado hasta ahora (la de un
ampli ador de tension en el que la resisten ia de arga sirve omo onvertidor intensidad{
tension), no es la que se utiliza mas habitualmente. Con mayor fre uen ia se emplea el
ir uito representado en la g. f10.15g, el ampli ador de transimpedan ia [86℄.

10.8. TASA DE ERROR BINARIO MAXIMA ADMISIBLE. 191
Si al ulamos la fun ion de transferen ia de este ir uito, llegamos a la siguiente

expresion:
Rf M
1 + G1Æ + GRÆfR
V= 2fCRf i (10.25)
1+j
1 + RRf + GÆ
Si la ganan ia del ampli ador veri a GÆ (1 + RRf ) la expresion anterior se sim-

pli a, quedando:
Rf Mi
V ' (10.26)
(1 + j 2fR fC
GÆ )
Por lo que si ademas se toma una ganan ia lo su ientemente alta omo para que
GÆ 2CRf f , resulta que no es pre iso e ualizar ya que
V ' Rf Mi (10.27)
La ventaja de estos preampli adores onsiste en que, al no ser ne esario e ualizar

su respuesta, tienen un rango dinami o de fun ionamiento mayor que el del ampli ador
de tension. Como desventaja, sus ara tersti as de ruido son peores y los requerimientos
de dise~no del ampli ador son mu ho mas estri tos (la ganan ia debe ser muy alta en todo
el an ho de banda). Se puede demostrar que la expresion (10.24) sigue siendo valida para
los preampli adores de transimpedan ia, a ondi ion de sustituir la resisten ia R por el
paralelo de las resisten ia R y Rf , lo que ha e que aumente el ruido termi o.
10.8. Tasa de error binario maxima admisible.

En la g. f10.16g se ha representado las fun iones de densidad de probabilidad (al ha-
ber ruidos aleatorios superpuestos las se~nales no son deterministas) aso iadas a los siguientes
su esos: re ibir un smbolo orrespondiente a un ero (denotado en la gura omo "o") y
re ibir un smbolo orrespondiente a uno (denotado en la gura omo "on"). Tambien se
ha representado el valor umbral de de ision. Si la tension medida en el bloque de de ision
( omparador) es mayor que Vth se asume que se ha re ibido re ibido un uno logi o y en
aso ontrario un ero logi o. Debido al ruido presente en el re eptor, puede o urrir que se
haya re ibido un ero y el ruido superpuesto a la se~nal haga que la tension sea superior a
la umbral. En este aso de idiremos, erroneamente, que se hemos re ibido un uno. Tambien
puede o urrir que llegue un uno y por ulpa del ruido, la tension a la entrada del ompa-
rador sea inferior a Vth . Tambien en este aso on luiremos que hemos re ibido el smbolo
equivo ado (un ero en este aso). Vamos a suponer que los ruidos superpuestos a la se~nales
utiles (representadas por los valores medios on y off ) son gaussianos; denotaremos la pro-
babilidad de re ibir un "1" por medio de la letra a y la de re ibir un "0" por medio de 1 a
y las probabilidades de de idir, erroneamente, que ha llegado un "1" por medio de PÆ y la

Ș
ȝ on
ı on
V th
ȟ ȝ off
ı off
f(v)
Figura 10.16: fun iones de densidad de probabilidad de error y umbral de de ision.
probabilidad de de idir, tambien equivo adamente, que hemos re ibido un "0" por medio de
P1 . Cal ulemos la probabilidad de error total:
PE = aP1 + (1 a)PÆ
Z 1 (V off )2
1 2
PÆ = p
Vth 2off
e 2off dV
Z V
th 1 (V on )2
P1 = p
1 2on
2 dV
e 2on (10.28)
Ahora si ha emos los siguientes ambios de variables: := Vp2off

off y := Vp on y
2on
tenemos en uenta que las gaussianas tienen simetra par on respe to a la media, resulta:
PE = aP1 + (1 a)PÆ
1 Z 1 2 1
PÆ = p e d = erf (QÆ )
QÆ 2
1 Z Q 1 2 1 Z 1 2 1
P1 = p e d = p
e d = erf (Q1 ) (10.29)
1 Q1 2
Por tanto, dedu imos:

10.8. TASA DE ERROR BINARIO MAXIMA ADMISIBLE. 193
a 1 a
PE = erf [QÆ (Vth )℄ + erf [Q1 (Vth )℄ (10.30)
2 2
Evidentemente, tomaremos omo valor de Vth aquel que minimi e la propabilidad de

error:
! !
dPE PE dQÆ PE dQ1 a 2 1 a Q21
= + =0) p e QÆ + p e =0)
dVth QÆ dVth Vth Q1 dVth Vth 2off 2on
a on 2Æ Q21 off !2
Vthp on V !2 a
!
1 a off
=e Q ) p th = ln
1 a off
on
(10.31)
2off 2on
Esta e ua ion algebrai a habra que resolverla numeri amente en ada aso parti ular
para obtener el valor Vth . El aso des rito en asi ualquier libro de omuni a iones digitales
es a = 21 y on = off que, sustituido en el que la expresion anterior lleva a [3℄{[83℄:
QÆ = Q1
Vth = on +2off
!
on off
1
PE = 2 erf p (10.32)
2 2

10.9. Apendi e I: Dedu ion de los tiempos de respues-

ta interna.
Estimemos el tiempo que tarda un ele tron en atravesar la zona p de entrada. Para
ha erlo tenemos en uenta que el ujo es puramente difusivo (por ser el portador minoritario).
Por tanto, la expresion del ujo la podemos aproximar mediante:
n
n = D n
x
' Dn wn (10.33)
p
donde n representa la on entra ion de portadores en desequilibrio justo a la entrada

del dispositivo 25 y wp representa la an hura de la zona p.
A partir del ujo difusivo es fa il dedu ir la velo idad media de desplazamiento de los
ele trones. Para ello basta dividir el ujo por la on entra ion media de ele trones ya que
este o iente tienen las dimensiones fsi as de una velo idad:
n
n=2
' wp ' 2wDn (10.34)
dif p
de donde dedu imos que el tiempo medio de difusion de los ele trones viene dado por
la expresion siguiente:
wp2
dif = (10.35)
2Dn
25 La aproxima ion he ha en (10.33) es muy buena puesto que la zona p es muy estre ha on respe to a
la longitud de difusion y, en onse uen ia, la urva exponen ial se aproxima muy bien mediante una lnea
re ta. La on entra ion de portadores en desequilibrio en la regi
on de deplexion es peque~na, de ah que la
pendiente (negativa) de la re ta se aproxime por el o iente wpn .
10.10. PROBLEMAS 195
10.10. Problemas
Problema 12: Cal ule la poten ia opti a requerida en una omuni a ion en la que se
transmiten datos on un regimen binario (Rb ) de 155Mbps (f = 310MHz ).
La longitud de onda de trabajo es Æ = 1300nm. Se ha elegido un preampli ador uyos
1 1 1 1
parametros de ruido son (i2a ) 2 = 2pA=(Hz ) 2 , (va2 ) 2 =2nV=(Hz ) 2 . La apa idad
total del ir uito de entrada es C=3pF, la resisten ia de arga es RL = 40K
y la
resisten ia de realimenta ion (se trata de un ampli ador de transimpedan ia)
es Rf = 10K
. Se pre isa en el re eptor una K=20.
Datos: q = 1;6 10 19 C, kT=0.026eV, Æ = 3 108 m=s, h = 6;6 10 34 Js.
1.- Considere un fotodiodo PIN on = 0;5 y al ule la poten ia opti a que de llegar
al re eptor, as omo el numero de fotones.
2.- Considere, ahora, un fotodiodo APD on = 0;2. M=20 y F = M x = 10 y determine la
poten ia opti a que ha de llegar al re eptor as omo el numero de fotones.
Solu ion:
Apartado 1:
i2a = 4 10 24 A2
9
>
Hz >
>
>
>
>
>
va2 6; 25 10 18
>
A2 >
= 6; 25 10
>
= 26 >
>
(8 103 )2
>
R2 Hz >
>
>
>
>
>
>
=
i
2
va2 43 C 2 (f )2 = 4; 54 10 23 A2
Hz >
>
) [5; 16 10 23 ℄1=2 [310 106℄1=2 = 20 )
>
>
>
>
4KT A2 >
>
= 2; 08 10
>
24 >
>
>
RM Hz >
>
>
>
>
>
>
2qF i ' 0
>
;
i = 2; 53A
2
on el valor de i obtenido se veri a que, efe tivamente, 2qF i = 8; 09 10 25 Hz
A ' 0. Si
ademas tenemos en uenta que en una odi a ion NRZ el tiempo de deni ion de un bit es
Tb = R1b , nos queda:
h
i Æ
Popt = = 4; 81W
q
Popt
n= = 203747
hfRb

Apartado 2
9
i2a 26 A2 >
= 10 >
>
M2 Hz >
>
>
>
>
>
>
>
va2 A2 >
>
= 1; 56 10
>
26 >
>
>
R2 M 2 Hz >
>
>
>
>
>
>
) 20 = [3; 2 10 18i + 1; 28 i 10
>
va2 4 2 2 A2 =
C (f )2 = 1; 135 10 25
25 ℄1=2 [310 106℄1=2
M 3
2 Hz >
>
>
>
>
>
>
4KT A2 >
>
= 5; 2 10
>
27 >
>
>
RM 2 Hz >
>
>
>
>
>
>
>
2
18 i A
>
2qF i = 3; 2 10
>
>
>
;
Hz
La e ua ion de segundo grado resultante es:
i2 3; 968 10 7 i 1; 584 10 14 = 0 ) i = 4; 33 10 7 A; Mi = 8; 66A

on lo que resulta:
h
i Æ
Popt = = 824nW
q
P
n = opt = 34905
hfRb
Problema 13: Se tiene un sistema de omuni a iones analogi as en el que se quieren

transmitir 30 anales de television utilizando 30 subportadores ele tri as, de manera
que la se~nal resultante tiene una o upa ion espe tral de 800MHz. En el re eptor que
hay al otro extremo de la bra, la apa idad parasita onjunta del fotodete tor y el
preampli ador es de 1pF. Para evitar posible fenomenos de satura ion en un
hipoteti o e ualizador se ha de idido emplear un preampi ador de tension,
dese handose la op ion del ampli ador de transimpedan ia y de un e ualizador en
aso de que la primera etapa ampli adora ltre la se~nal. Teniendo esto en uenta,
se pide:
1.- Determine el valor de la resisten ia de arga del fotodete tor.
p p
2.- Si los parametros de ruido del ampli ador son 1pA/ Hz y 0,1nV/ Hz omprue-
be que el termino de ruido termi o dominante es el de la resisten ia de arga.
3.- En las ondi iones anteriores, al ule el valor optimo de la gana ia interna
del fotodete tor.
4.- En la expresion del apartado anterior, tome x=1 (valor tpi o para un APD
de germanio) y al ule la expresion de la SNR optima.
5.- Teniendo en uenta que en una omuni a ion analogi a se ne esita una SNR por
en ima de 40dB, razone si tiene sentido utilizar un APD de germanio omo dete tor.
6.- Considere un fotodete tor formado por el onjunto de un ampli ador opti o mas
un fotodete tor PiN y se modelelo omo si fuese un APD on un valor muy bajo de x,
x=0,01. Cal ule la gana ia del ampli ador opti o y la orriente ne esaria en
el fotodete tor para tener una SNR de 40dB.
7.- Dise~ne el ampli ador opti o. Æ = (N2 N1 ) = 0; 1
= 5 10 25 m 3 N2 N1 = 2 1024 m 3
Solu ion:
Apartado 1:
Como hay que emplear un preampli ador de tension sin e ualiza ion, el ir uito RC de
entrada no debe ltrar la se~nal:
~
~ eq = I
V~ = IZ
Yeq
1 1 + j!RCp R
Yeq =
R
+ j!Cp =
R
) Zeq = 1 + j!RC
p
1 1
!RCp = 1 ) Rmax = = ' 200
2fmax Cp 2 800 106 10 12

Apartado 2:
Cal ulemos ada uno de los terminos de ruido uanti o:
4KT 4 0; 026 1; 6 10 19 A2
= = 8 10 23
R 200 Hz
A2
i2a = 10 24
Hz
va2 A2
= 2; 5 10 25
R2 Hz
4 2 va2 C 2 (f )2 A2
= 8; 41 10 23
3 Hz
Luego, efe tivamente, el ruido termi o dominante es el de la resisten ia de arga.
Apartado 3:
Tenemos que maximizar la expresion de la SNR:
9
i2
K2 '
>
>
! >
>
x 4kT >
>
2M 4KT 4KT 2
2qM i + 2 f
=
RM ) 2qixM x 1
4 R = 0 ) 2qxM
x 1
=
R M3
)
dK 2
>
>
>
>
M
=0 >
>
;
dM
! 1 1
) M opt = 5 xi10
4KT 2+x 4 ! 2+x
M opt =
xRqi
Apartado 4:
En la expresion anterior tomamos x=1 y sustituimos en la formula de la SNR:
s
4KT
M opt = 3
qRi
4
2 = 2 i2 i3
SNR℄opt = Kopt !1 3 = 2 !1 !1 3 =
4KT 3 4kT 32q 2 kT 3 4kT q 2 3 5
42q i + 4KT 2 5 f 4 + f
Rqi R( Rqi ) 3 R R
4
i3
= !1
4q 2 kT 3
3f
R
Si sustituimos valores queda:
4
SNR i3 M opt
4
40dB=10 12,97A 6,2
50dB=105 72,94A 2,6
40dB=106 410,19A 1,1
4
i3
(SNR)opt =
3; 0478 10 11
Apartado 5:
3
Imponiendo una SNR de 40, 50 y 60dB y teniendo en uenta que i = (3; 0478 10 11 ) 4
y Mopt = 510i 4 obtenemos los datos de la tabla (10.10). Vemos que las gana ias optimas
q
son muy bajas, debido al elevado fa tor de ruido del fotodete tor. Las ganana ia interna
de un APD de germanio es del orden de 100, por lo que no tiene sentido emplearlo en esta
apli a ion.
Apartado 6:
Como ahora tenemos x=0,01, la sensibilidad del re eptor va a ser mas alta. Cal ulemosla:
! 1 !1
4KT 2+x 4KT 2
Mopt =
xRqi
' xRqi
4KT
i2 Mopt
2 i2 i
SNRopt = ' xRqi ! = )
4KT 4KT 4KT q f (x + 2)
2qiM 2+x + f 2qi + f
R xRqi R
i = SNRopt qB (x + 2) = 104 1; 6 10 19 8 108 2; 01 = 2; 57A
s
4KT
Mopt ' = 139; 5
xqRi

Apartado 7:
Dise~nemos el ampli ador opti o. Para ello, tendremos en uenta que GEDF A = eÆ L y
que Æ = (N2 N1 )
ln G ln 139; 5
L= = = 49; 37m
(N2 N1 ) 0; 1 5 10 25 2 1024
Captulo 11
Ampli adores opti os
Resumen: En este aptulo vamos a expli ar el fun ionamiento del ampli ador opti o
de bra dopada on erbio (EDFA). En los apartados dos, tres y uatro haremos una apro-
xima ion que, siendo admisible en los ampli adores opti os a semi ondu tor (SOAs), no
lo es en los EDFAs. Esta aproxima ion onsiste en suponer que la inversion de pobla ion
del medio a tivo es la misma en todos los puntos del ampli ador. De esta manera
resulta sen illo introdu ir los on eptos de an ho de banda de ampli a ion,
satura ion de la ganan ia y fa tor de ruido del ampli ador. En los dos ultimos aparta-
dos modelaremos el omportamiento del EDFA en sus dos ongura iones basi as: la de
opropaga ion y la de ontrapropaga ion. Un aspe to no tenido en uenta a la hora de
dedu ir este modelo es que las se iones ruzadas aso iadas a la emision estimulada
y a la absor ion son distintas y, a su vez, estas dos se iones ruzadas dependen de la
fre uen ia a lo largo de todo el an ho de banda de opera ion. Al no haber tenido en
uenta estos aspe tos, lo modelos obtenidos tan solo reprodu en ualitativamente el
fun ionamiento de los ampli adores de bra dopada on erbio.
201
202 CAPITULO 11. AMPLIFICADORES OPTICOS

11.1. Introdu ion
Medio atómico con inversión de población
N2 ± N 1> 0
Onda de pulsación cercana a Ȧpropagándose

Q
[Į(Ȧ)-Į]z/2 j[Ȧt-ȕ(Ȧ)z]
E=E oe e
Figura 11.1: Medio atomi o on inversion de pobla ion que ampi a la radia ion ele -
tromgneti a in idente.
En las omuni a iones por bra opti a se utilizan dos tipos de ampli adores opti os:
1.- El EDFA [13℄{[16℄{[27℄ (del ingles "Erbium Doped Fiber Amplier") uyo medio a tivo
son iones de erbio on arga positiva trivalente que, inmersos en la matriz vtrea del nu leo
de una bobina de bra monomodo, tienen estados energeti os a esibles dis retos. 2.- El
SOA [25℄ (del ingles "Semi ondu tor Opti al Amplier") es un ampli ador opti o uyo
medio a tivo es un semi ondu tor. El EDFA es, on diferen ia, el mas utilizado de los dos,
ya que se emplean sistemati amente omo ampli ador de lnea [72℄, omo "booster" [72℄
y omo preampli ador [72℄ para aumentar la sensibilidad de los re eptores. El SOA es un
dispositivo on mu has posibles apli a iones en redes todo{opti as que, quizas, se desarrollen
en un futuro no muy lejano. Sus apli a iones mas prometedoras son los onvertidores en
longitud de onda [25℄{[59℄{[58℄, la realiza ion fsi a de regeneradores 3R [25℄{[59℄{[58℄ y de
dispositivos apa es de llevar a abo una multiplexa ion temporal de pulsos en el dominio
opti o [25℄{[59℄{[58℄. Su fun ionamiento se basa en una serie de efe tos no lineales que,
normalmente, estan indu idos por la varia ion de la on entra ion de los portadores libres
en el medio a tivo, (aunque, di ho sea de paso, la dinami a aso iada a estos fenomenos
es relativamente lenta, del orden de 50ps, pero se ree que la nueva genera ion de SOAs
basados en puntos uanti os permitira superar este in onveniente). En este aptulo nos
entraremos en el estudio del EDFA ya que estos son omponentes omer iales que se emplea
sistemati amente en las redes opti as a tuales.
En aptulos anteriores estudiamos los me anismos de intera ion luz{materia en

medios uyos estados energeti os a esibles estaban dis retizados, omo el mostrado en la
g. f11.1g. Re ordemos una serie de resultados que obtuvimos enton es:
d 9
= Æ (f ) + es(f ) >
>
>
dz >
>
>
>
>
>
>
>
Æ (f ) = (f )(N2 N1 ) >
>
>
>
>
>
>
>
>
2 l(f )
=
(f ) = (11.1)
8sp >
>
>
>
>
>
>
>
2 1
>
>
>
l(f ) = !2
>
>
>
f f f21
>
>
>
1+ >
>
>
f ;
La primera e ua ion de (11.1) des ribe la evolu ion del ujo de una onda ele -
tromagneti a que se propaga por un medio a tivo. El termino Æ (f ) re ibe el nombre de
ganan ia por unidad de longitud puesto que los tres terminos que intervienen en la e ua ion
tienen, ne esariamente, las mismas unidades fsi as. Dado que ddz es, dimesionalmente, un
ujo dividido por una longitud, Æ ha de tener la dimension de la inversa de una longitud y
de ah su nombre.
E 2 N 2
E 1 N 1
Figura 11.2: Estados energeti os a esibles del medio diele tri o.
La segunda formula de (11.1) indi a que la ganan ia por unidad de longitud del medio
ampli ador, Æ (f ), es positiva solo si el numero de atomos (por unidad de volumen) 1 que
hay en el estado energeti o ex itado, N2 , es mayor que el que hay en el estado inferior, N1 .
El termino , que interviene en la deni ion de la gana ia por unidad de longitud, re ibe
el nombre de fa tor de onnamiento y pone de maniesto que solo una fra ion del ujo
(esta fra ion, expresada en tanto por uno, es, pre isamente, el fa tor de onnamiento) se
propaga por el medio a tivo e intera iona on este. El termino (f ) re ibe el nombre de
se ion ruzada debido a que tiene unidades de super ie. De alguna manera, si interpretamos
los pro esos de intera ion luz{materia omo la olision de un foton on un ion de erbio,
la se ion ruzada es el area que presenta el ion de erbio ( onsiderado omo una "diana")
1 Suponemos el mismo grado de degenera ion en los dos estados energeti os a esibles.

frente a un ujo in idente de fotones (que, en esta inexa ta analoga, seran los "proye tiles").
Cuanto mayor es la se ion ruzada, mas intensos son los pro esos de intera ion luz{materia.
Por ultimo, l(f ) re ibe el nombre de fun ion de lnea y su signi ado es laro: representa la
densidad de probabilidad de la variable aleatoria aso iada a que un fenomeno de intera ion
luz{materia se produz a en un intervalo de fre uen ias df determinado. En (11.1) hemos
supuesto que la fun ion de lnea es una Lorentziana lo ual es ierto solo en medios a tivos
de niveles dis retos y ensan hamiento homogeneo (que no es el aso de los iones de erbio del
EDFA). Por ultimo, el termino es (f ) representa el peque~no in remento de ujo aso iado a
la fra ion de emision espontanea que se propaga en la misma dire ion y sentido y en el
mismo an ho de banda que el ujo in idente.
En la g. f11.2g observamos el diagrama de estados energeti os a esibles de un
medio a tivo en el que hay inversion de pobla ion. El ujo in idente, que esta ompuesto
por fotones de fre uen ia f21 = E2 h E1 , estimula pro esos de absor ion y emision estimulada.
Como N2 > N1 , la emision estimulada es mas importante que la absor ion y el ujo re e
exponen ialmente a medida que se propaga por el medio, tal omo se muestra en la g.
f11.1g.
N3 =0,E 3
Ĳ32=0
N2 ,E 2
ĭb
Ĳ 21
ĭs
N1 ,E 1
EDFA
ĭ so ĭ sl
L
ĭ
bo
ĭ
bl
Figura 11.3: Ampli ador opti o de bra dopada on erbio. Bombeo en opropaga ion.
Los ampli adores opti os de bra dopada on erbio 2 tienen una estru tura pare ida
a la mostrada en la g. f11.3g. Consisten en una bobina de bra opti a monomodo uya
longitud es tpi amente de unas uantas de enas de metros, en uyo nu leo se introdu e una
ierta on entra ion de iones de erbio, una tierra rara, que denotamos Er3+ . Estos iones
onstituyen el medio a tivo del ampli ador opti o y sus estados energeti os a esibles se
muestran tambien en la g. f11.3g. Este diagrama es el tpi o de un laser de tres niveles
dis retos, en el que el estado energeti o "3" onstituye la banda de bombeo y los estados
2 Se fabri an tambien ampli adores de bra dopada on yterbio para enla es de segunda ventana. Esto
dispositivos no han llegado, sin embargo, a popularizarse por una serie de in onvenientes te ni os que no
vamos a expli ar.

"1" y "2" son los estados entre los que se produ en las transi iones estimuladas (absor ion
y emision estimulada). Como en ualquier laser de tres niveles, el estado "3" es inestable (es
de ir, el tiempo medio de permanen ia de un ion en este estado es muy peque~no, 32 ' 0),
el nivel "2" es metaestable (es de ir, 21 es grande) y, por ultimo, el estado "1" es estable ya
que es el estado de mnima energa).
Por el ampli ador opti o se propagan dos ujos de radia ion luminosa de longitudes
de onda distintas. Por un lado esta el ujo de bombeo (que normalmente esta generado por
un laser semi ondu tor) y que, en en la g. f11.3g, se propaga en el mismo sentido que
la otra radia ion luminosa, la de la se~nal que se quiere ampli ar. A esta ongura ion de
bombeo, por motivos obvios, se le da el nombre de bombeo en opropaga ion. Tambien es
posible realizar el bombeo desde el otro extremos de la bra y en sentido ontrario, en uyo
aso tendramos una ongura ion en ontrapropaga ion. Se pueden utilizar dos longitudes
de onda distintas para realizar el bombeo: 980nm y 1480nm, ya que el Er3+ tiene estas
dos bandas de absor ion. Las ara tersti as del EDFA (mayor o menor sensibilida a la
satura ion y fa tor de ruido mas o menos a usado) dependen tanto del tipo de ongura ion
de bombeo ( opropaga ion, ontrapropaga ion o bombeo bidire ional) omo de la banda en
la que se efe tue el bombeo; desgra iadamente, el modelado que vamos a ha er del EDFA no
permitira prede ir estas ara terti as. El motivo es que tendramos que estudiar previamente
la espe tros opa de las tierras raras [13℄ (el erbio lo es) y el ensan hamiento que produ e la
matriz vtrea sobre los estados energeti os, lo que laramente ex ede los objetivos mar ados
en este libro. Destaquemos, por ultimo, que los EDFAs tienen una an ho de banda de unos
30nm en los que la ganan ia es pra ti amente plana 3 .
n 2
. . . . . ... . . . . . .. . .. . . . . .
. . . .. ..
.
n
.
. .. . . .
. . . . .. . . . . . .. .. . .. . . .
. . . .. .. . . . . . . .
1
. . . .
Figura 11.4: Fa tor de onnamiento de la bra dopada on erbio.
En la g. f11.4g se ha representado un trozo de la bra opti a monomodo dopada on

erbio. Vemos que el dopado se realiza en el nu leo de la bra pero no ne esariamente en toda
su se ion. El signi ado del fa tor de onnamiento es laro: es el area rallada dividida
por el area total, orrespondiente a la fra ion de intensidad luminosa que se propaga por
3 Esto se onsigue introdu iendo en el EDFA una bra on perdidas que e ualiza la ganan ia en el rango
de fre uen ias de interes.

la zona a tiva de la bra expresada en tanto por uno. Solo esta fra ion produ e fenomenos
de intera ion luz{materia. Puesto que el ujo de bombeo y el de la se~nal se realizan a
longitudes de onda distintas, los fa tores de onnamiento aso iados son, tambien, diferente.
Con objeto de no ompli ar el modelado del EDFA los tomaremos iguales aunque esto no
es, evidentemente, ierto.
Hay otro aspe to de los EDFAs que no vamos a estudiar: los iones trivalentes del erbio
presentes en el nu leo de la bra generan un ampo ele tri o que in uye sobre sus estados
energeti os a esibles. Este ampo ele tri o ha e que, por efe to Stark [14℄, estos estados
a esibles se separen en bandas que son aun mas an has, modi ando las se iones ruzadas
del medio a tivo. A efe tos del modelado del EDFA, la onse uen ia mas importante es que
la urva que rela iona la se ion ruzada de la emision estimulada frente a la fre uen ia de
la radia ion luminosa es distinta de la de la absor ion [13℄{[16℄{[27℄{[36℄. Como ya hemos
expli ado anteriormente, el estudio de la espe tros opa de las tierras raras, el grado de
degenera ion de los estados energeti os a esibles y la in uen ia que tiene en estos la matriz
vtrea (el sli e) y el efe to Stark rebasa, on re es, los lmites de este libro por lo que
vamos a ignorarlos y tomaremos se iones ruzadas iguales para los fenomenos de emision
estimulada y absor ion. Tampo o vamos a intentar modelar de una manera pre isa el ruido
de emision espontanea (ruido "ASE") que se produ e en los EDFAs. Pedimos dis ulpas por
esta grosera simpli a ion de la realidad y remitimos al le tor interesado en profundizar en
estas interesantes uestiones a la bibliografa adjunta [13℄{[14℄{[16℄{[27℄{[36℄.
En los tres apartados que siguen haremos una aproxima ion que, siendo relativamente
valida en los ampli adores opti os a semi ondu tor (salvo la expresion de la fun ion de
lnea) [25℄{[66℄{[86℄, no se puede justi arse en los ampli adores de bra dopada on erbio.
Esta aproxima ion onsiste en suponer que la inversion de pobla ion del medio a tivo es
la misma en todos los puntos del ampli ador. Lo que pretendemos on esto es introdu ir
de una manera sen illa los on eptos de an hos de banda de ampli a ion (an ho de banda
aso iado a la ganan ia por unidad de longitud y el aso iado a la ganan ia total), el fenomeno
de satura ion de la ganan ia y el fa tor de ruido de un ampli ador opti o. Creemos que,
puesto que estos fenomenos se dan en todos los ampli adores opti os, el "insight" que se
adquiere on este tratamiento tan sen illo ompensa la falta de rigor.
11.2. Ganan ias y an hos de banda aso iados
El primer an ho de banda que podemos denir en un ampli ador opti o esta rela io-
nado on la ganan ia por unidad de longitud. Lo denimos omo el intervalo de fre uen ias
para el que esta ganan ia es superior o igual a la mitad del maximo y los denotamos mediate
F W HM (del ingles "full width half maximum"). En la g. f11.5g hemos representado la
dependen ia de la ganan ia por unidad de longitud aso iada a una fun ion de lnea Lorent-
ziana (dividida por su valor maximo) frente a la fre uen ia y hemos trazado tambien una
re ta horizontal de valor 21 . Los dos puntos de orte entre denen F W HM . Veamos ual es
su expresion analti a:
11.2. GANANCIAS Y ANCHOS DE BANDA ASOCIADOS 207
0,8
0,6
0,4
0,2
0
184 186 188 190 192 194 196 198
f
Figura 11.5: An ho de banda aso iado a la ganan ia por unidad de longitud. En el eje verti al
se ha representado ÆÆmax
(f )
junto a una lnea horizontal de ordenada 0,5 y en el horizontal la
fre uen ia medida en T Hz . El valor de f21 es f21 = 192T Hz .
2 9
>
>
2
(N2 N1 ) f
>
>
>
Æ (f ) = f f21 2
>
>
8es
>
>
) Æ2max = Æ ) f = f21 2f

>
1+( ) =
(11.2)
f >
>
>
>
>
2 2 (N2 N1 ) >
>
>
Æmax = Æ (f21 ) = >
>
;
f 8es
Por tanto el an ho de banda resulta ser:
F W HM = f (11.3)
Determinemos, a ontinua ion, la ganan ia total del ampli ador opti o teniendo en
uenta que esta es, por deni ion, el o iente entre el ujo de salida y el ujo de entrada:
9
d
= Æ (f )
>
>
dz
>
= Z L d Z L
>
>
) Æ
= Æ (f )dz ) G(f ) = eÆ (f )L
0
(11.4)
z = 0 = Æ ; z = L = L
>
;
La ganan ia total maxima se produ e tambien para la fre uen ia f = f21 :
GÆmax = GÆ (f = f21 ) = eÆmax L (11.5)

Si ahora imponemos la ondi ion de que sea igual a la mitad del maximo, resulta:
eÆ (f )L 1
9
GÆmax
= ; ln 0 1 = ln 2;
>
>
>
GÆmax 2 Æmax L
>
>
>
>
exp A >
>
1 + ( f ff21 )2
>
>
>
>
>
>
>
>
>
> s
ln GÆmax
>
=
ln 2
ln GÆmax ! = ln 2; ) F W HMG = f (11.6)
f f21 2 >
> ln GÆmax =2
1+ >
>
>
f >
>
>
>
>
>
>
>
>
!2 >
f f21 ln GÆmax >
>
>
= 1 >
>
f ln GÆmax =2
;
Puesto que normalmente GÆ 1 resulta que F W HMG F W HM.
11.3. Satura ion de la ganan ia

Naturalmente un modelo que predi e un re imiento exponen ial del ujo de salida
tiene un rango de validez muy limitado (solo predi e resultados orre tos si el ujo de entrada
es muy debil). La ganan ia debe disminuir por debajo de lo predi ho por el modelo del
apartado anterior a medida que el ujo se haga del mismo orden de magnitud o mayor que
un determinado valor umbral que llamaremos ujo de satura ion. Postulamos, omo modelo
mas relista del EDFA, uno en el que la ganan ia por unidad de longitud de re e on respe to
al ujo de a uerdo on la siguiente expresion:
Æ (f )
Æs = (11.7)
1+
sat
La ganan ia por unidad de longitud es propor ional a la inversion de pobla ion

N2 N1 , pero si el ujo que atraviesa el ampli ador se ha e muy grande, el numero de
iones que pasan del estado ex itado al fundamental aumenta, disminuyendo, por tanto, la
inversion de pobla ion. La rela ion mas sen illa que podemos estable er y que re eja esta
disminu ion es (11.7). El parametro sat es una ara tersti a propia del ampli ador que
hay que determinar experimentalmente on algun tipo de ensayo. La e ua ion diferen ial
resultante, que des ribe la varia ion del ujo en un ampli ador opti o on el modelo de
satura ion propuesto, es integrable:
d (f ) d d Z
out d in
= Æ ) + = Æ (f )dz ) + out = ln GÆ (f ) (11.8)
dz 1 + sat in sat
sat
La gana ia total del ampli ador la vamos a denotar mediante G(f ), mientras que la
ganan ia sin satura ion omo GÆ (f ). Teniendo esto en uenta resulta:

11.4. FACTOR DE RUIDO DE UN AMPLIFICADOR OPTICO 209
!
1 G(f ) 1 out
ln G(f ) + out [1 ℄ = ln GÆ (f ) ) G(f ) = GÆ (f )exp (11.9)
sat G(f ) G(f ) sat
La rela ion (11.9) dene una e ua ion impl ita que nos permite al ular la ganan ia
del ampli ador opti o para un valor determinado del ujo de de salida. Con objeto de
tener una idea ualitativa del omportamiento del ampli ador, jamos la fre uen ia al
valor f = f12 :

Gmax 1 out
Gmax = GÆmax exp (11.10)
Gmax sat
y, dado que para valores razonable de in (es de ir, ujos de entrada muy inferiores
al de satura ion), se veri a Gmax 1 por lo que GGmax
max
1 ' 1 resultando:

out
Gmax ' GÆmax (f )exp (11.11)
sat
Vemos que uando el ujo de salida se ha e del mismo orden de magnitud que el ujo
de satura ion, la ganan ia del ampli ador opti o de re e exponen ialmente. >Que tipo de
ensayo habra que ha er para determinar el ujo de satura ion sat de un ampli ador opti o?
Supongamos que introdu imos ini ialmente un ujo a la entrada que es lo su ientemente
debil omo para que la ganan ia (es de ir, el o iente entre el ujo de salida y el de entrada)
sea igual a GÆ . Supongamos, tambien, que aumentamos este ujo de manera que la ganan ia
del ampli ador empieza a aer por debajo del valor teori o maximo GÆ . Si ontinuamos
aumentando la entrada hasta que G out in
= G2Æ , en este momento anotamos el ujo de
salida y lo denotamos, por ejemplo, omo sat out . En estas ondi iones tendremos:
0 1
GÆmax
GÆmax B 1C GÆmax 2 sat
= GÆmax exp B 2 C ) sat =
C
(11.12)
GÆmax sat GÆmax ln 2 out
B
2
out A
2 sat
Esta rela ion nos permite, pues, al ular el valor de sat a partir de la medida expe-
rimental de sat
out
11.4. Fa tor de ruido de un ampli ador opti o

En los apartados anteriores hemos integrado la e ua ion diferen ial aso iada al ujo
de la se~nal sin tener en uenta el termino de emision espontanea. Sin embargo, una peque~na
fra ion de estos fotones se re eja en la super ie de separa ion entre nu leo y orteza,
produ iendo una se~nal a la salida en ausen ia de entrada. Esta se~nal es, evidentemente, un

ruido que se superpone a ualquier radia ion luminosa ampli ada por el EDFA. Vamos
a determinar la densidad espe tral de poten ia aso iada a este ruido (por supuesto, en el
mar o del modelo simpli ado que estamos onsiderando).
9
d
= Æ (f ) + sp(f )
>
>
>
dz =
(11.13)
>
>
z=0 =0 >
;
Como queremos al ular la densidad espe tral de poten ia del ruido a la salida del
ampli ador, no onsideramos ningun ujo a la entrada. Cualquier se~nal que aparez a a la
salida estara provo ada por los fotones generados por emision espontanea y posteriormente
ampli ados en el dispositivo. La e ua ion diferen ial (11.13) es de variables separadas, de
manera que la podemos integrar fa ilmente:
d
= dz ) ln [Æ (f ) + sp(f )℄0 L = Æ (f )L )
Æ (f ) + sp(f )
sp(f ) Æ L
L = [e 1℄
Æ (f )
Re ordemos que sp es la fra ion de fotones que, generados por emision espontanea
en el nu leo de la bra, son guiados por la bra en el mismo sentido que el ujo de la se~nal,
aen en el mismo an ho de banda que esta y tienen polariza ion verti al (suponemos que a
la salida del ampli ador hay un polarizador orientado segun esta dire ion de manera que
podemos eliminar la mitad del ruido).
N2 d
sp(f ) = l(f )Bel (11.14)

sp 2 4
N2
es el numero total de fotones generados por emision espontanea por unidad de
sp
volumen y tiempo.
l(f )Bel es la fra ion de fotones que oin ide en an ho de banda on la se~nal (el resto
lo podemos eliminar on un ltro opti o paso{banda).
d
es la fra ion de fotones espontaneos guidos por la bra, que se propagan en

2 4
el mismo sentido que la se~nal y tienen polariza ion verti al. d
es el angulo solido
aso iado a las dire iones para las que los fotones generados por emision espontanea
son guiados por la bra.
La expresion del oe iente de gana ia por unidad de longitud es:
2 l(f )
Æ (f ) = (N N1 ) (11.15)
4sp 2

11.4. FACTOR DE RUIDO DE UN AMPLIFICADOR OPTICO 211
(f )
Con lo que el o iente tiene la siguiente expresion:
Æ (f )
N2 d
l(f )Bel
(f ) 2 4 N2 d
= sp2 = B (11.16)
Æ (f ) l(f ) N2 N1 2 el
(N N1 )
4sp 2
La poten ia a la salida del ampli ador opti o es PL = L At hf donde At es la se ion

efe tiva de la bra. Teniendo esto en uenta resulta:
N2 d
PL = (G 1)hfBel (11.17)
N2 N1 2 Æ
At
Ahora tendramos que demostrar que el angulo solido d

es pre isamente 2 (no lo
At
vamos a ha er para no ompli ar mas la demostra ion), on lo que queda:
N2 d
PL = (G 1)hfBel ) SASE = nsp(GÆ 1)hf ' nspGÆ hf (11.18)

N2 N1 2 Æ
At
En la rela ion (11.18) omprobamos que si el ampli ador fun iona en ondu iones
ideales (es de ir, on inversion de pobla ion ompleta) nsp = 1, el ruido ASE (del ingles "Am-
plied Spontaneous Emission") sera, en este aso, equivalente a suponer que a la entrada,
aparte de la se~nal a ampli ar, hay, ademas, un foton in orrelado on esta.
Para denir el fa tor de ruido de un ampli ador opti o hay que pasar, sin embargo,
al dominio ele tri o ya que la dete ion introdu e terminos de "mez la" entre la se~nal util
ampli ada y el ruido ASE (esta interferen ia entre la se~nal util y el ruido ASE es, por
supuesto, un ruido indeseado). El ampo ele tri o total en el fotodete tor es la suma del
ampo debido a la se~nal util ampli ada y el aso iado al ruido ASE superpuesto. Dado que
el fotodete tor genera una orriente que es propor ional al uadrado del ampo ele tri o
total, apare en terminos de interferen ia entre las distintas se~nales ele tromagneti as. Los
terminos de ruido dominantes son a) El ruido uanti o aso iado a la se~nal ampli ada y b) El
ruido de interferen ia (o mez la) entre la se~nal ampli ada y el ruido ASE. Esta arma ion
es ierta siempre que se tenga la pre au ion de olo ar a la salida de ampli ador opti o un
ltro pasobanda opti o que limite el an ho de banda del ruido ASE que llega al fotodete tor.
Si esto no se ha e, dos terminos de ruido que no estamos al ulando, la mez la del ruido ASE
onsigo mismo y el ruido uanti o aso iado al ruido ASE, se ha en importantes e in luso
pueden llegar a ser dominantes.
A la hora de al ular la gura de ruido del ampli ador opti o supondremos, para
simpli ar el razonamiento, que la se~nal a ampli ar es perfe tamente mono romati a tal y
omo la hemos representado en la g. f11.6g (esta simpli a ion, aunque fa ilita los al ulos,

P (Ȧ) 1 G P (Ȧ)
o o
AO
o 1
G P (Ȧ)
o o 1
Ȧ ASE
¯i Ȧ
2
¯i
G P (Ȧ) Ȧ-B Ȧ+B
P (Ȧ)
o 1
o o 1
1 E 1 E
ASE(Ȧ) 2
Figura 11.6: Cal ulo de la gura de ruido de un ampli ador opti o.
no es impres indible). La gura de ruido (o fa tor de ruido) de un ampli ador es, por
deni ion, el o iente entre la rela ion se~nal a ruido a la entrada dividido por la rela ion
S
se~nal a ruido a la salida del ampli ador, es de ir, F := NS ))LÆ . Evidentemente, el o iente que
N
resulta dif il de al ular es la rela ion se~nal a ruido a la salida del ampli ador.
Cuando se produ e la mez la de la se~nal util GÆ PÆ on el ruido ASE (ver g. f11.6g),
las omponentes espe trales situadas por en ima de la pulsa ion !1 + BE y por debajo de
!1 BE aen, al mez larse, fuera del an ho de banda de la primera etapa ampli adora del
re eptor, motivo por el que no vamos a tenerlas en uenta. Consideremos una omponente
de ruido ASE arbitraria de pulsa ion !2 2 (!2 ; !2 + d!2 ). La orriente generada al mez larse
en el fotodete tor este ruido ASE on la se~nal util GÆ PÆ es, evidentemente, una omponente
de ruido. Cal ulemos uanto vale la orriente total de mez la:
iT = R[p2Etot ℄2 = R[p2pGÆ PÆ sin(!1 t) + p2pSASE d!2 sin(!2 t + )℄2 )
iM = 4RpGÆ PÆ pSASE d!2 < sin(!1 t) sin(!2 t + ) >=

p p
= 2R GÆ PÆ SASE d!2 < os[(!1 !2 )t + ℄ > (11.19)
En la e ua ion (11.19) representa el desfase que hay entre la se~nal util y el ruido
ASE. Una uestion que debemos dilu idar es si vara rapida o lentamente en ompara ion
on el tiempo de deni ion de un bit. En el primer aso, al promediar 4 , obtendramos un
4 Suponemos que el re eptor integra la se~nal durante el tiempo de deni ion del bit.

11.5. MODELO DEL EDFA EN COPROPAGACION 213
valor nulo y en el segundo el promedio dara un valor distinto de ero que tendramos que
al ular. Para averiguarlo, debemos re ordar que el ruido ASE tiene un an ho de banda
efe tivo limitado e igual a 2BE . Por tanto, el tiempo de oheren ia de este ruido (el tiempo
durante el ual no vara apre iablemente) resulta ser t oh = B1R = 2B1E = Tbit [69℄{[78℄.
Dedu imos, pues, que permane e pra ti amente onstante y, por omodidad, lo tomamos
igual a ero:
p
iM = 2RpGÆ PÆ pSASE d! os(!t) ) i2 M = 4R2 GÆ PÆ S ASE [ 21 + 12 os(2!t)℄d! )
Z BE 1 1
i2 totM = 4R2 GÆ PÆ SASE [ + os(2!t)℄d! = 4R2 GÆ PÆ SASE BE (11.20)
BE 2 2
Ya estamos en ondi iones de al ular el fa tor de ruido F del ampli ador opti o.
Sabemos que a la entrada el uni o ruido presente es el ruido uanti o aso iado a la se~nal,
mientra que a la salida tenemos dos terminos: el ruido uanti o aso iado a la se~nal a ampli-
ada y el ruido de mez la. Como son estadsti amente independientes, podemos sumar sus
varianzas.
S RPÆ
9
RPÆ
=
>
>
>
N in 2qBE =
) F = 2qBE =
S RGÆ PÆ RGÆ PÆ
=
>
>
>
N out 2qBE + 4RSASE BE ;
2qBE + 4RSASE BE
R
2qBE [1 + 2 n (G 1)℄
= q=hf sp Æ =
1 + 2nsp(GÆ 1)
(11.21)
2qBE GÆ GÆ
En la formula (11.21) es el rendimiento uanti o interno del fotodete tor y dado

que estamos onsiderando un fotodete tor ideal, tomamos = 1. Si, ademas, tenemos en
uenta que la ganan ia del ampli ador suele ser muy alta, resulta:
F ' 2nsp (11.22)
donda nsp es la tasa de emision espontanea en ex eso.
11.5. Modelo del EDFA en opropaga ion

En la g. f11.7g hemos representado un ampli ador opti o de bra dopada on erbio
on una ongura ion de bombeo en opropaga ion. Tal omo se observa en la gura, en los
extremos se han olo ado dos aisladores que sirven para evitar que las re exiones parasitas
en la bra onviertan el ampli ador en un laser 5 , ya que el aislador solo permite que la luz
5 Re ordemos que un laser no es mas que un medio material on ganan ia que esta limitado en sus extremos
por dos espejos.

N3 =0,E 3
Ĳ32=0
N2 ,E 2
ĭb
Ĳ 21
ĭs
N1 ,E 1
EDFA
ĭ so ĭ sl
L
ĭ
bo
ĭ
bl
Figura 11.7: Ampli ador opti o de bra dopada on erbio. Bombeo en opropaga ion.
se propague en un uni o sentido. El multiplexor de entrada sirve para introdu ir en la bra

el ujo de bombeo (que puede ha erse a = 980nm o bien a = 1480nm), mientras que
el desmultiplexor de salida permite extraer el ujo de bombeo ex edente, que si el EDFA
esta bien dise~nado debe ser muy peque~no. La diferen ia entre bombear a 980nm y ha erlo
a 1480nm onsiste en que el fa tor de ruido del ampli ador es mas bajo en el primer aso,
mientras que la poten ia de satura ion es mas alta en el segundo (tal omo indi amos en la
introdu ion de este aptulo, los modelos que vamos a dedu ir en este y el proximo apartado
no nos van a permitir prede ir este omportamiento).
En la g. f11.7g tambien se representa el diagrama de estados energeti os a esibles

para los iones Er3+ on los que se ha dopado el nu leo de la bra. El estado "3" es, omo
en un laser de tres niveles, inestable, por lo que el tiempo medio de permanen ia en este
estado es muy peque~no: 32 ' 0 y, en onse uen ia, entre los estados "0" y "3" solo puede
haber absor ion y nun a emision estimulada (ya que N3 ' 0). El ujo de bombeo B sirve,
pre isamente, para estimular la absor ion entre los estados "0" y "3" y onseguir que los iones
aigan rapidamente al estado "2". De esta manera se rea una inversion de pobla ion entre los
estados "1" y "2" y se produ en mas fotones por emision estimulada que los que se roban por
absor ion. La onstante de tiempo de la transi ion "1{2", 21 , es lo su ientemente grande
omo para que resulte posible mantener la inversion de pobla ion y el numero de fotones
generados por emision espontanea sea bajo.
Para simpli ar, supondremos que los fa tores de onnamiento aso iados a los u-
jos de bombeo y se~nal son iguales (lo ual no es ierto). Planteemos, a ontinua ion, las
e ua iones diferen iales de evolu ion de los ujos, la onserva ion del numero total de iones,
la e ua ion diferen ial que des ribe la varia ion del numero de iones en el estado "1" (im-
ponemos ondi iones esta ionarias, ya que bus amos un modelo estati o del EDFA) y las
ondi iones de ontorno del problema:

11.5. MODELO DEL EDFA EN COPROPAGACION 215
9
dB
= B N0 B >
>
>
dz >
>
>
>
>
>
>
>
dS >
>
= S (N1 N0 )S >
>
>
dz >
>
>
>
>
=
NEr3+ = N0 + N1 >
(11.23)
>
>
>
>
>
dN1 N1 >
>
>
= B NÆ B S (N1 N0 )S =0 >
>
>
dt 10 >
>
>
>
>
>
>
>
>
z = 0; B = B0 ; S = S 0 ;
Estas e ua iones dependen de un numero ex esivamente grande de parametros, a

saber: , S , B , 10 , B , S , NEr3+ y L. Para redu ir este numero vamos a adimensionalizar
las e ua iones, expresandolas en fun ion de variables adimensionales que toman valores
omprendidos entre 0 y 2:
9

B = B ; S = S >
>
>
B0 B0 >
>
>
>
>
>
>
>
2N0 2N1 >
=
0 = ; 1 = (11.24)
NEr3+ NEr3+ >
>
>
>
>
>
>
z >
>
; B0 = 1; S 0 = S 0
>
= >
>
z B0
;
El ujo de la se~nal a la entrada del ampli ador (en z = 0) suele ser mu ho mas
peque~no que el de bombeo. Ademas, en una situa ion ideal (que nun a se veri a exa ta-
mente en la pra ti a), en z = L todos los fotones del ujo de bombeo habran pasado al
de la se~nal, de manera que omo mu ho, el ujo de se~nal a la salida sera igual a la suma
de los ujos de bombeo y se~nal a la entrada, motivo por el que se toma B0 omo ujo
de adimensionaliza ion. La distan ia ara tersti a de adimensionaliza ion, z , no tiene por
que oin idir on L (de he ho, la mayor parte de las ve es no oin ide). El signi ado fsi o
de z es la distan ia a lo largo de la que los dos terminos de la primera e ua ion del sistema
(11.23) son del mismo orden de magnitud. Expresamos a ontinua ion el sistema (11.23) en
fun ion de las variables adimensionales denidas en (11.24):

B0 dB B NEr3+ B0 9
= 0 B >
>
>
z d 2 >
>
>
>
>
>
>
>
B0 dS N 3+ >
>
= S Er B0 (1
>
0 )S >
>
z d
>
2 >
>
>
>
>
>
>
>
NEr3+ =
(11.25)
NEr3+ = (0 + 1 )
2 >
>
>
>
>
>
>
B NEr3+ B0 N 3+ NEr3+ >
>
0 B + B Er B0 (1 0 )S =0
>
>
210 1
>
2 2 >
>
>
>
>
>
>
>
S 0
>
>
>
= 0; B = 1; S = >
>
;
B0
Para que los dos terminos de la primera e ua ion del sistema (11.25) sean del mismo
orden de magnitud, tomamos z = B N2Er3+ , on lo que queda:
dB 9
= 0 B >
>
>
d >
>
>
>
>
>
>
>
dS >
>
>
= a(1 0 )S >
>
d >
>
>
>
>
>
>
=
0 + 1 = 2 >
(11.26)
>
>
>
>
1
>
>
>
0 B a(1 0 )S =0 >
>
>
b >
>
>
>
>
>
>
>
S 0 >
>
= 0; B0 = 1; S 0 = >
>
;
B0
Comparando los sistemas de e ua iones (11.23) y (11.26) vemos que hemos redu ido
el numero de parametros a dos a := BS y b := 10 B B0 . En los ampli adores opti os se
umple, aproximadamente, que b 1 (es de ir, la aporta ion de la emision espontanea en
la varia ion del numero de atomos que o upan el estado "1" es po o importante). Si ahora
resolvemos en Æ y 1 el sistema formado por las e ua iones ter era y uarta de (11.26)
queda:
2aS
9
9 0 ' >
>
>
0 + 1 = 2 = B + 2aS >
>
=
0 B a(1 0 )S
1
=0
) (11.27)
b
;
2B + 2aS >
1 '
>
>
>
>
B + 2aS ;
Vemos que al despre iar la emision espontanea, podemos expresar las pobla iones de
los estados "0" y "1" en fun ion de los ujos de se~nal y bombeo. Si ahora sustituimos (11.27)
en las e ua iones primera y segunda de (11.26) queda:

11.6. MODELO DEL EDFA EN CONTRAPROPAGACION 217
dB 2aB S 9
= >
>
>
d B + 2aS >
>
=
(11.28)
dS 2aB S >
>
>
= >
>
;
d B + 2aS
Sumando las dos e ua iones (11.28) omprobamos que se dd (B + S ) = 0 ya que

al despre iar el termino de emision espontanea, ada foton perdido por el ujo de bombeo
se tradu e en un foton ganado por el ujo de la se~nal. Si parti ularizamos en = 0 queda
B ( ) + S ( ) = 1 + BS00 ' 1, que sustituido en (11.28) resulta:
9
dS 2aS (1 S ) SL 21a

= >
>
>
d 1 + 2aS S >
>
=
S 0 L
SL 2a 2zaL
) ln SL 1 =
z
)G= 1
B0
e (11.29)
S 0 >
>
>
= 0; S = S 0 = >
>
; S 0 1
B0
S 2
Donde a := y z := .
B B NEr3+
11.6. Modelo del EDFA en ontrapropaga ion
N3 =0,E 3
Ĳ32=0
N2 ,E 2
ĭb
Ĳ 21
ĭs
N1 ,E 1
EDFA
ĭ so ĭ sl
ĭ bo
ĭ
bl
Figura 11.8: Ampli ador opti o de bra dopada on erbio. Bombeo en ontrapropaga ion.

En la g. f11.8g se muestra un EDFA on bombeo en ontrapropaga ion. La diferen ia

fundamental on respe to al aso anterior onsiste en que el bombeo se realiza desde el
extremo de la bra, on lo que la zona donde se bombea on mas intensidad oin ide on la
region donde el ujo de la se~nal util es mayor. Como onse uen ia, la poten ia de satura ion
del ampli ador es mas alta, aunque el modelo que vamos a dedu ir no es apaz de predi ir
este omportamiento.
9
dB
= B N0 B >
>
>
dz >
>
>
>
>
>
>
>
dS >
>
= S (N1 N0 )S >
>
>
dz >
>
>
>
>
=
NEr3+ = N0 + N1 >
(11.30)
>
>
>
>
>
dN1 N1 >
>
>
= B N0 B S (N1 N0 )S =0 >
>
>
dt 10 >
>
>
>
>
>
>
>
>
z = 0 S = S 0 ; z = L B = BL ;
Comparando las e ua iones (11.30) on (11.23) advertimos de que la uni a diferen ia

on el aso anterior es que el ujo de bombeo re e on la oordenada longitudinal z, ya que
el laser de bombeo esta olo ado al nal del ampli ador.
De nuevo, estas e ua iones dependen de un numero grande de parametros: , S ,

B , 10 , B , S , NEr3+ y L. Para redu ir este numero adimensionalizamos las e ua iones,
expresandolas en fun ion de las siguientes variables adimensionales:
9
B = B ; S = S >
>
>
BL BL >
>
>
>
>
>
>
>
2N0 2N1 >
>
>
0 = ; 1 = =
(11.31)
NEr3+ NEr3+ >
>
>
>
>
z >
; BL = 1; S 0 = S 0
>
= >
>
>
z BL >
>
>
>
;
Hemos tomado BL omo ujo de adimensionaliza ion. Al igual que en el apartado
anterior, la distan ia ara tersti a de adimensionaliza ion z es la distan ia a lo largo de
la ual los dos terminos de la primera e ua ion del sistema (11.30) son del mismo orden de
magnitud. Expresemos el sistema (11.30) en fun ion de las variables adimensionales denidas
en (11.31).

11.6. MODELO DEL EDFA EN CONTRAPROPAGACION 219
BL dB N 3+ 9
= B Er BL 0 B >
>
>
z d 2 >
>
>
>
>
>
>
>
BL dS N 3+ >
>
= S Er BL (1
>
0 )S >
>
z d
>
2 >
>
>
>
>
>
>
>
NEr3+ =
(11.32)
NEr3+ = (0 + 1 )
2 >
>
>
>
>
>
>
B NEr3+ BL N 3+ NEr3+ >
>
0 B + B Er BL (1
>
0 )S =0 >
210 1
>
2 2 >
>
>
>
>
>
>
>
L
>
>
B = 1; = 0 S = S 0
>
= >
>
;
z BL
Para que los dos terminos de la primera e ua ion del sistema (11.32) sean del mismo
orden de magnitud, tomamos z = B N2Er3+ , on lo que queda:
dB 9
= 0 B >
>
>
d >
>
>
>
>
>
>
>
dS >
>
>
= a(1 0 )S >
>
d >
>
>
>
>
>
>
=
0 + 1 = 2 >
(11.33)
>
>
>
>
1
>
>
>
0 B a(1 0 )S =0 >
>
>
b >
>
>
>
>
>
>
>
S 0 >
>
= 0; S 0 = =1 >
>
BL BL
;
Comparando los sistemas de e ua iones (11.23) y (11.26) vemos que hemos redu ido
el numero de parametros a dos a := BS y b := 10 B BL . Al igual que en el aso anterior
se umple, aproximadamente, b 1. Si ahora resolvemos en 0 y 1 el sistema formado por
las e ua iones ter era y uarta de (11.33) queda:
2aS
9
0 '
9
0 + 1 = 2 >
>
>
>
>
>
= B + 2aS >
>
=
1 ) (11.34)
0 B a(1 0 )S =0
>
2B + 2aS >
1 '
>
> >
>
; >
b B + 2aS
>
;
Si ahora sustituimos (11.34) en las e ua iones primera y segunda de (11.33) queda:

dB 2aB S 9
= >
>
>
d B + 2aS >
>
=
(11.35)
dS 2aB S >
>
>
= >
>
;
d B + 2aS
Restando las e ua iones (11.35) omprobamos que se veri a dd (B S ) = 0 ya que

al despre iar el termino de emision espontanea, ada foton perdido por el ujo de bombeo
se tradu e en un foton ganado por el ujo de la se~nal. A diferen ia del aso anterior, no
podemos parti ularizar esta expresion para ningun ya que no son ono idos los dos ujos
simultaneamente en niguno de los dos extremos. Sin embargo, a udiendo a la deni ion de la
gana ia del ampli ador, tenemos que SL = GS 0 por lo que llegamos a la integral primera
B ( ) S ( ) = 1 GS 0 . Sustituyendo en (11.35) resulta:
dS 2aS (1 GS 0 + S ) 9
= >
>
>
1
2aL
d 2aS + 1 GS 0 + S =
) ln G + 2a ln = )
>
> 1 + S 0 GS 0 z
S0
= 0; S = S 0 = BL
>
;

SL 2a 2zaL
G' 1 e (11.36)
BL
11.7. PROBLEMAS 221
11.7. Problemas
Problema 14: Se tiene una ampli ador opti o de bra dopada on erbio en
opropaga ion. El oe iente de absor ion de la bra a 980nm es de 1dB/m y los
fa tores de onnamiento aso iados a los ujos de se~nal y bombeo valen = 0; 5. El
tiempo de permanen ia de un ion de erbio en el estado 2 es despre iable, mientras que
el aso iado al estado 1 es 10 = 50ms. La se ion ruzada de se~nal vale S = 3 10 25 m2
y la de bombeo el doble. La se ion efe tiva aso iado a ambos ujos es At = 40m2 ,
las poten ias de bombeo y se~nal al prin ipio del ampli ador son PB0 = 10mW
PS 0 = 1W y la longitud de onda de la se~nal es Æ = 1553nm.
24 y q = 1; 6 10 19 C .
Datos adi ionales: h ! = Æ1(;m)
Se pide: 1.- Cal ule los valores de las onstantes a, b y z as omo el valor del ujo
adimensional de la se~nal a la entrada del EDFA.
2.- Determine la expresion analti a de la evolu ion del ujo de la se~nal a
lo largo del ampli ador opti o. Cal ular la longitud de la bra de manera que
el ujo adimensional de la se~nal a la salida sea el 95 por iento del ujo de bombeo
a la entrada.
3.- Cal ule la poten ia opti a de se~nal y bombeo a la salida del ampli ador
opti o.
Solu ion:
Apartado 1:
El oe iente de atenua ion de la bra a 980nm expresado en unidades de m 1 es:
980 (m 1 ) 1
980 (m 1 ) = = = 0; 2303m 1
10Log10 e 4; 343
Teniendo en uenta que 980 = B NEr3+ resulta:
980 0; 2303
NEr3+ = = = 7; 677 1023 m 3
B 3 10 25
Cal ulemos, ahora, los parametros a y z
2 2
z = = = 8; 684m
B NEr3+ 980
a= S = 1
B 2
Puesto que b = 10 B B0 , tenemos que al ular primero B0
P 10 2
B0 = 1; 24 B0 = 1; 24 = 1; 2348 1027 m 2
B (m)
q At 0; 98 1; 6 10 1940 10 12
b = 10 B B0 = 5 10 2 10 25 1; 2349 1027 = 18; 524

Cal ulemos tambien s0
P 10 6
S 0 = 1; 24 S 0 = 1; 24 = 1; 9569 1023 m 2
S (m)
q At 1; 55 1; 6 10 19 40 10 12
Apartado 2:
Puesto que b 1 y a = 1
2 la e ua ion diferen ial de evolu ion del ujo de se~nal dentro
del EDFA es:
2
S 3
S S 0
1) ) ln 664 S 0 1 775 = )
6 7
dS
d = S (S = e
S S 1 S 0 1
S 0 1
Ahora lo uni o que hay que ha er es imponer la ndi ion S= zL = 0; 95:
S 0 1; 9569 1023
S 0 = = = 1; 5847 10 4
B0 1; 2349 1027
0;95 1; 5847 10 4 L
=
0; 95 1 1; 5847 10 4 1
e z ) L = 11; 69 z = 101; 55m
Apartado 3:
Puesto que hay que al ular la poten ia de la se~nal a la salida, al ulamos primero el
ujo aso iado:
SL = 0; 95 ) SL = 0; 95B0 = 1; 1731 1027 m 2
y, despues, la poten ia:
1; 24
PSL = SL h !At =
1; 55
1; 6 10 19 40 10 12 1; 1731 1027 = 6mW
al ulemos, por ultimo, la poten ia de bombeo a la salida:
BL = 0; 05B0 = 6; 175 1025 m 2 ) PBL = BLh !At =

= 1;24
0;98 1; 6 10 19 10 10 12 6; 174 1025 = 0; 5mW
11.7. PROBLEMAS 223
Problema 15: Considere un onjunto k de ampli adores opti os one tados en

as ada, separados entre s por bra uyas atenua iones son L1 , L2 ..., Lk .
Las gana ias de los ampli adores y sus fa tores de ruido son G1 y F1 , G2 y F2 ,
..., Gk y Fk . Cal ule la expresion general del fa tor de ruido del onjunto y
optimi e el dise~no para los siguientes asos:
1.- Un preampli ador on un bajo nivel de ruido que ha de trabajar on se~nales
uyo rango dinami o es muy elevado.
2.- Ampli adores de lnea que ompensen la atenua ion del vano de lnea anterior.
Solu ion: Pensemos, primero, omo afe ta el fa tor de ruido del ampli ador olo ado
en la primera posi ion al fa tor de ruido global. A su entrada el fa tor de ruido vale F1 pero
si onsideramos que al prin ipio del primer vano la se~nal util es L11 ve es mas fuerte, resulta
que el primer ampli ador ontribuye al fa tor de ruido total de la siguiente manera:
(S=N )in F1
Ftot := = + :::
(S=N )out L1
La ontribu ion del segundo ampli ador tambien es fa il de la ular: vale F2 en la
posi ion que esta olo ado, pero a la entrada de la adena la se~nal es L1 G11 L2 ve es mas fuerte,
por lo que su ontribui ion vale:
F1 F2
Ftot = + + :::
L1 L1 G1 L2
Razonando por indu ion llegamos a:
F1 F2 F
Ftot = + + ::: + Pk 1 k
L1 L1 G1 L2 ( i=1 Li Gi )Lk
Consideremos ahora el primer aso. Evidentemente, los tramos de bras van a ser
muy ortos (latiguillos) uyas perdidas podemos despre iar. Ne esitaremos, normalmente,
solo dos ampli adores opti os: uno que tenga un fa tor de ruido lo mas bajo posible (F1 ),
aun a osta de tener una poten ia de satura ion y una gana ia medio res y un segundo que
debe tener una poten ia de satura ion muy alta (para poder trabajar on un rango dinami o
alto) aun a osta de tener una fa tor de ruido medio re (F2 ). El fa tor de ruido sera:
F2
Ftot = F1 +
G
' F1
En el siguiente aso, omo las gana ias de los ampli adores tienen que ompensar
las perdidas, se umplira que Gi Li = 1 on lo que tendremos:
F1 F2 F X k
Ftot = + + ::: + k = Gi Fi
L1 L2 Lk i=1

Normalmente los ampli adores se olo an equiespa iados por los que queda:
Ftot = kGF
Vemos, pues, que todos los ampli adores ontribuyen por igual a la gura de ruido
del onjunto.
Captulo 12
Componentes basados en el SOP
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar dos omponentes muy utilizados en
omuni a iones opti as, el aislador y el ir ulador opti o, uyo fun ionamiento se
basa en modi ar el estado de polariza ion de la luz. Para omprender omo fun io-
nan, hay que estudiar previamente una serie de elementos que modi an de manera
elemental el estado de polariza ion de la luz (SOP), tales omo los polarizadores, los
retardadores de onda, rotadores (re pro os y de Faraday) y los ombinadores y se-
paradores de ha es. Para analizar estos dispositivos vamos a emplear el formalismo de
Los ve tores y matri es de Jones y, aunque el formalismo de las matri es de Muller y
ve tores de Stokes es omplementario al anterior y resulta impres indible para estudiar
fenomenos tan importantes omo la dispersion de polariza ion, no los vamos a uti-
lizar por su omplejidad matemati a. Empezaremos este aptulo dando una breve
introdu ion a los estados de polariza ion de la luz ya que es ne esario ono er las
distintas bases de des omposi ion de un estado de polariza ion arbitrario. Los aisla-
dores y ir uladores des ritos en este aptulo son de te nologa mi ro{opti a,
aunque existen produ tos omer iales basados en otras te nologas, tales omo la de
ristales fotoni os.
225
226 CAPITULO 12. COMPONENTES BASADOS EN EL SOP
12.1. Estado de polariza ion de la luz

y x
Figura 12.1: Estado de polariza ion (SOP) elpti o.

Consideremos un haz de luz polarizada y mono romati a propagandose por un medio
isotropo. Este haz luminoso lo des ribimos por medio de una onda lo almente plana uyo
ve tor de onda ~k oin ide en dire ion y sentido on el ve tor de Poynting, mientras que
las magnitudes ve toriales ampo ele tri o y magneti o se mantienen perpendi ulares entre
s y on respe to a la dire ion de propaga ion (es de ir, la dire ion a la que apunta ~k).
El extremo del ampo ele tri o (o el del ampo magneti o) re orre, en el aso mas general,
una traye toria heli oidal uya proye ion sobre el plano perpendi ular a ~k es una elipse
[17℄, tal omo se indi a en la g. f12.1g. Diremos que la heli idad del estado de polariza ion
es positiva si, al ontemplar la onda alejandose de nosotros, el extremo del ve tor ampo
ele tri o (o magneti o) re orre la heli e en el mismo sentido que las agujas del reloj y en
aso ontrario diremos que la heli idad es negativa. En la g. f12.1g la heli idad es, pues,
positiva.
La expresion matemati a generi a del ve tor ampo ele tri o es:
zn )
E~ = R[Ae
~ j!Æ(t Æ ℄ (12.1)
La uni a restri ion que imponemos A~ es que sea perpendi ular a ~k . Por tanto,
si jamos z = 0 y analizamos la evolu ion temporal del ampo ele tri o en este plano,
tenemos que siempre lo podemos des omponer en una suma de dos fasores espa ialmente
perpendi ulares entre s (orientados, por ejemplo, segun los ejes x e y ) que tienen, en general,
amplitudes y referen ias de fase distintas:
E~ = Ae
~ j!Æt = ax ej x ej!Æt + ay ej y ej!Æt (12.2)
12.2. Ve tores y matri es de Jones

En el aso mas general, la omposi ion de estos dos movimientos armoni os, ha e que
el extremo del ve tor ampo ele tri o (y el magneti o) tra e una elipse que no ne esariamente
esta orientada segun los ejes "x" e "y" (estos son sus ejes prin ipales solo en el aso en que
el desfase entre ambos fasores sea igual a 2 radianes). El estado de polariza ion (SOP) de
la luz lo vamos a representar por medio de un ve tor olumna (ve tor de Jones) [78℄ uyas
12.2. VECTORES Y MATRICES DE JONES 227
y
\¶ [¶
Į x
Figura 12.2: Cambio de ejes para que el fasor y ; se adelante 2 radianes on respe to al fasor
x; . La heli idad es positiva ya que al apli ar la regla del sa a or hos, el eje z ; avanza ha ia el
observador y, al mirar omo se aleja la onda en este sentido, el giro de la heli e es dextrogiro.
omponentes van a ser las amplitudes y referen ias de fase de los dos fasores ortogonales
entre s. Sin embargo, lo que tiene relevan ia fsi a no es la fase absoluta de ada uno de los
dos fasores, sino el desfase que hay entre ambos, por lo que los siguientes ve tores de Jones
son equivalentes entre s:
" # " #
j x ax
J = aax eej y ay ej(y x ) (12.3)
y
Si ahora ha emos el ambio de ejes indi ado en la g. f12.2g tendremos que el desfase
entre los dos fasores es de 2 radianes, estando el fasor orientado segun y ; adelantado.
a0x
" # " # " #
j x
J = aaxeej y ay ej(y ax (12.4)
y
x ) ja0y
El desfase antes men ionado impli a que si observamos omo se aleja la onda de
nosotros, el sentido de giro de la elipse oin ide on el de las agujas del reloj (es de ir, el giro
es dextrogiro). Se puede demostrar (y se deja omo ejer i io para el le tor) que el valor del
angulo que dene el ambio de ejes de la g. f12.2g viene dado por la siguiente expresion
[53℄:
2ax ay
tan(2) = os (12.5)
a2x a2y
En mu hos asos solo nos va a interesar el SOP (la norma del ve tor, que indi a la
poten ia de la onda, no nos va a preo upar espe ialmente), on lo que podremos es ribir:
2 3
" # " # " # " 0 #
1
J= ax ej x ay ej(axy 1
jaax0 j a0y (12.6)
ay j 4 5
ay ej y ax e
x )
y a0x
y y
Į x x
y y
Į x x
y y
x x
Figura 12.3: Estados de polariza ion parti ulares.
En la g. f12.3g se muestran los estados de polariza ion siguientes (enumeramos de

arriba ha ia abajo y de izquierda a dere ha);
1. SOP elpti o orientado segun unos ejes no prin ipales (heli idad positiva).
2. SOP elpti o orientado segun unos ejes prin ipales (heli idad positiva).
3. SOP lineal orientado segun unos ejes no prin ipales.
4. SOP lineal orientado segun unos ejes prin ipales.
5. SOP ir ular a izquierdas (heli idad positiva).
6. SOP ir ular a dere has (heli idad negativa).
uyos ve tores de Jones son los siguientes [78℄:

" # " # " # " # " # " #
J1 = a ae x j J2 = ax J = os J = 1 J = 1 J =
jay 3 sin 4 0 5 j 6
1
j (12.7)
y
Ahora vamos a introdu ir una nota ion [40℄ que va a resultar util a lo largo de todo este
aptulo 1 . Los ve tores de Jones, tal omo los hemos denido, los denominaremos ve tores
1 Esta es la nota ion de Dira de su formula ion de la me ani a uanti a [14℄.
12.2. VECTORES Y MATRICES DE JONES 229
del espa io dire to (que, evidentemente, es un espa io bidimensional omplejo) o, tambien,

ve tores "ket" y los denotaremos jJia >, siendo i el ndi e que enumera las dos omponentes.
Los ve tores la aso iados, uyas omponentes son los omplejos onjugados, son ve tores
que pertene en al espa io dual, los denominaremos ve tores "bra " y los denotaremos < Jia j.
Un ve tor "bra " multipli ado por un ve tor "ket" produ e omo resultado un "bra ket"
( or hete en ingles) que no es mas que un numero ( omplejo en general). El bra ket de dos
ve tores de Jones es un produ to interno uyo resultado depende de que ve tor tomemos
omo "bra " y ual tomemos omo "ket" (inter ambiar los papeles de los dos ve tores ha e
que el numero resultante sea el omplejo onjugado del original). El "bra ket" de un estado
de polariza ion es su norma (que, ne esariamente, es un numero positivo) y esta rela ionada
on el ujo de poten ia:
" #
Aa1 = A2 + A2 > 0
< Jia jJia >= [Aa1 Aa2 ℄ A a1 a2
a2
Dispositivo modificador del SOP

x
J1 J2
Figura 12.4: Dispositivo modi ador del estado de polariza ion. Su representa ion on res-
pe to a ualquier base de des omposi ion es una matriz 2 2.
De imos que dos ve tores son ortogonales si su produ to interno es ero y los dos son
distintos del ve tor nulo. Si la norma de los dos ve tores ortogonales es igual a uno, diremos
que los ve tores son ortonormales. Cualquier par de ve tores ortonormales onstituyen una
base ade uada sobre la que proye tar un estado de polariza ion abitrario, aunque lo habitual
es tomar omo base de referen ia dos estados de polariza ion lineales perpendi ulares entre
s y perpendi ulares a la dire ion de propaga ion. Normalmente los experimentos se realizan
sobre la super ie de una mesa antivibratoria situada en un laboratorio. La dire ion de
propaga ion de la luz, normalmente se aso ia al eje "z" y es paralela a la super ie de la
mesa. El eje "x" (perpendi ular a "z", laro esta) es tambien paralelo a esta super ie,
mientras que el eje "y" es perpendi ular a la mesa. Los ejes "x", "y" y "z" forman una
triedro a dere has (dV = dx f
^ dyf
^ dz
f
).
Otra base de des omposi ion habitual (que sirve para estudiar dispositivos on efe to
giromagneti o) esta formada por los ve tores de norma unidad aso iados a los estados de
polariza ion ir ulares a dere ha e izquierda. Si expresamos estos ve tores on respe to a la

base formada por los estados de polariza ion lineales orientados segun los ejes "x" e "y" nos
resulta:
" # " #
1 1
j
Jid >= p 1j ; jJil >= p
2 2
1
j )< Jid jJil >= 21 [1 + ( j ) ( j )℄ = 0 (12.8)
En la g. f12.4g se ha representado un dispositivo modi ador del SOP. Al a tuar

sobre la onda de entrada jJ in >, produ e un estado de polariza ion a la salida jJ o >. El
omportamiento del dispositivo se des ribe por medio de una matriz uadrada 2 2 [53℄
que denotaremos por medio de T ij on i; j = 1; 2 y que al multipli ar al ve tor jJjin > da
omo resultado el ve tor olumna jJio >= T ij jJjin >, o, es rito de una manera abreviada,
jJ o >= T jJ in >, que des ribe el SOP1 de la luz a la salida. Si en vez de haber un uni o2
dispositivo hay una su esion de ellos T ij (el primero que a tua sobre el haz de entrada), T ij
3
(el segundo), T ij (el ter ero) el estado de polariza ion resultante viene des rito por:
jJ o >= fT 3ij [T 2ij (T 1ij jJ in >)℄g (12.9)
donde es muy importante efe tuar los produ tos en el orden indi ado. En general
las matri es que des riben el omportamiento de los dispositivos modi adores del SOP no
tienen por que ser no singulares y, por tanto, el produ to de estas no disfruta de la propiedad
aso iativa.
12.3. Polarizadores
J IN
x J OUT
Figura 12.5: Polarizador orientado segun el eje "x".
Los polarizadores son normalmente laminas di roi as [53℄{[55℄, es de ir, son disposi-
tivos fabri ados on un material que presenta oe ientes de atenua ion muy distintos (uno
grande y otro peque~no) segun dos dire iones perpendi ulares. Idealmente dejan pasar sin
12.4. RETARDADORES DE ONDA 231
atenua ion alguna la omponente de luz linealmente polarizada segun el eje privilegiado y
absorben toda la luz orrespondiente a la luz linealmente polarizada segun la dire ion per-
pendi ular. Supongamos que el eje de baja atenua ion del polarizador esta alineado segun
la dire ion "x". Si la base de des omposi ion son los estados de polariza ion lineales segun
los ejes "x" e "y" la matriz que des ribe el polarizador es:
" #
= 10 00
pol
Tx (12.10)
El omportamiento del polarizador se ha representado en la g. f12.5g. La uestion

que podemos plantearnos a ontinua ion es que expresion tendra la matriz si los ejes "x" e
"y" estuviese girados un angulo arbitrario on respe to a los del laboratorio [104℄. Esto es
fa il de averiguar. En primer lugar deberamos referir el estado de polariza ion a la entrada,
no on respe to a los ejes del laboratorio, sino on respe to a los ejes girados aso iados al
polarizador. Con respe to a esos ejes, la matriz del polarizador viene dada por (12.10), por lo
que tendramos que multipli ar esta matriz por la que representa el giro (o ambio de base)
antes men ionado. La matriz produ to servira para al ular el estado de polariza ion de la
onda a la salida on respe to a los ejes girados del polarizador. Como queremos referir el
estado de polariza ion a los ejes del laboratorio, tenemos que multipli ar la matriz anterior
por la matriz aso iada a un giro de ejes de valor , on lo que resulta:
0
sin 2 1
pol os sin
!"
1 0
!
os sin
!#
os2
T =
B
=B
sin 2
2 C
C (12.11)
sin os 0 0 sin os os2
A
La matriz orrespondiente al polarizador girado un angulo on respe to a los ejes del

laboratorio es tambien singular. Esto es as porque el dispositivo absorbe toda la poten ia
de la onda linealmente polarizada segun el eje girado grados on respe to al "x". De he ho,
si al ulamos el determianante de la matriz (12.11) omprobamos que vale ero.
12.4. Retardadores de onda

El retardador de onda [106℄ es un dispositivo que tiene dos ejes privilegiados y orto-
gonales entre s llamados eje rapido y eje lento. Si referimos el estado de polariza ion de la
luz entrante a la base onstituida por las dos polariza iones lineales alineadas segun estos
dos ejes, el dispositivo introdu e un retraso de fase en la omponente lenta on respe to a
la rapida de valor ( es el parametro que ara teriza al retardador). En la g. f12.6g se
representa un retardador de onda uyo eje lento esta orientado segon el eje "x". La matriz
de Jones aso iada a este dispositivo es:
" #
j
= e0 0
ret
Tx 1 (12.12)
Si tomamos = resulta que el retardador gira espa ialmente 2 radianes un haz de

luz on polariza ion lineal a 4 , de manera que a la salida se obtiene otro haz de luz linealmente
ī z
ī
y
Figura 12.6: Retardador de onda uyo eje lento esta orientado segun el eje "x".
polarizado a 4 y vi eversa. Si tomamos omo refere ia la rela ion (12.12) y seguimos el

mismo razonamiento del apartado anterior, podemos determinar la matriz aso iada a un
retardador uyo eje lento forma un angulo on respe to al eje "x":
" #" #" #
T = os sin e j 0 os sin =
sin os 0 1 sin os
" #
= sin2 + os2 e j sin os (1 e j ) (12.13)

sin os (1 e j ) os2 + sin2 e j
1-e
-jī -e-jī
Ȇ/2-ī/2
1
Ȇ/2-ī/2
ī
ī/2
Ȇ-ī e -jī
-jī ī/2
-ī
1+e
Figura 12.7: Diagrama fasorial.
Si ahora parti ularizamos para el valor = queda:

4
" #
1 1+e j 1 e j
T 4 = j j (12.14)
2 1 e 1+e
Como la expresion analti a de la matriz (12.14) es dif il de interpretar vamos a

representar los fasores 1, e j , 1 + e j y 1 e j en el plano. Estos fasores se han dibujado
12.4. RETARDADORES DE ONDA 233
en la g. f12.7g y demuestran que los fasores 1 + e j y 1 e j son perpendi ulares entre

s estando el primero retrasado on respe to al segundo. Como ademas resulta evidente que
j1 + e j j = 2 os( 2 ) y j1 e j j = 2 sin( 2 ) resulta que la matriz (12.14) es equivalente a:
" #
T 4 = j os( 2 ) j sin( 2 ) (12.15)

sin( 2 ) os( 2 )
n o 0 0
n = 0
ij n e 0
0 0 n o
x ī=k od(n e± n o)
y
d
Figura 12.8: Prin ipio fsi o de fun ionamiento de un retardador de onda.
Si en (12.15) tomamos = vemos que el dispositivo resultante transforma una onda

linealmente polarizada segun el eje "x" en otra, tambien linealmente polarizada, pero segun
el eje "y" y vi eversa.
Los retardadores de onda se fabri an a partir de medios uniaxiales. Re ordemos
que mu hos solidos ristalinos son materiales anisotropos, es de ir, sus propiedades fsi as
depende de la dire ion en la que se midan. Una de esas propiedades puede ser el ndi e de
refra ion, que en medios anisotropos se des ribe por medio de un tensor de segundo orden
de dimensiones 3 3. En estos materiales los ve tores desplazamiento y ampo ele tri o no
estan, en general, alineados. Para simpli ar el analisis, vamos a suponer que el sistema de
referen ia del laboratorio oin iden on los ejes prin ipales del llamado elipsoide de ndi es
[53℄{[106℄. Con respe to a este sistema de referen ia, la matriz de ndi es es diagonal, on lo
que ne esitamos ono er solo tres ndi es de refra ion distintos nx , ny y nz para des ribir la
propaga ion de ona onda luminosa. Un medio opti amente anisotropo re ibe el nombre de
medio biaxial si los tres ndi e son distintos y el nombre de medio uniaxial si dos ndi es son
iguales (ndi es ordinarios) y otro distinto (ndi e extraordinario) [53℄{[106℄. Normalmente
el ndi e ordinario es menor que el extraordinario.
Si lanzamos un haz de luz polarizada por un medio uniaxial en la dire ion prin ipal
"z", la omponente linealmente polarizada segun el eje ordinario se adelanta en fase on
respe to a la omponente linealmente polarizada segun el eje extraordinario, tal y omo se
muestra en la g. f12.8g. El valor del desfase es + p2 = kÆ d(ne nÆ ) = 2Æ d(ne nÆ ),
donde p es un numero entero. De esta manera, para un valor de deseado, podemos tomar
una longitud d de un valor razonable (y ah es donde entra el tomar un numero p ade uado),
dado que ono emos los valores nÆ y ne de nuestro material ristalino.
12.5. Rotador de Faraday

El efe to Faraday [53℄{[87℄ es un fenomeno que se produ e en medios materiales trans-
parentes on simetra ilndri a en los que apare e una dire ion privilegiada. El motivo es la
presen ia de un ampo maneti o H ~ alineado segun di ha dire ion. Para estudiar la propa-
ga ion de la luz en estos medios, resulta onveniente tomar omo base de des omposi ion los
estados de polariza ion ir ulares a izquierda y dere ha, ya que estos estados de polariza ion
son autove tores on respe to a la propaga ion a traves del medio (un estado de polariza ion
ir ular, sea a dere has o izquierdas, lo sigue siendo despues de atravesar un medio mag-
netoopti o). Se puede demostrar que los ndi es de refra ion vistos por estos dos estados
de polariza ion son distintos (los autovalores son distintos) y los denotaremos nd y ni . Por
tanto, apare e un retardo de fase uyo valor es + p2 = 2Æ (nd ni )d. Dado que la base
formada por los estados de polariza ion ir ulares es po o intuitiva, vamos a ver que o urre
on dos ondas uyos estados de polariza ion son lineales y estan alineados segun los ejes "x"
e "y" del laboratorio uando atraviesan este medio:
Ԧ=45º
z
y
polarizador rotador espejo
Figura 12.9: Apli a ion de un rotador de Faraday.

" # " # " #
Jxi = 1 =1 1 1 1
+
0 2 j 2 j
" # " # " #
0 1 1 1 1
Jyi = = (12.16)
1 2j j 2j j
Si ahora propagamos estos dos ha es luminosos por el medio magnetoopti o nos

resulta, a la salida:
" # " # " #
1 2 1 2
= e j Æ nd d 1j + e j Æ ni d 1j = e j Æ (nd +ni )d os( 2 )

Jxo
2 2 sin( 2 )
" # " # " #
1 j 2Æ nd d 1 1 j 2Æ ni d 1
j Æ (nd +ni )d sin( 2 )
Jyi = e e = e (12.17)
2j j 2j j os( 2 )
Donde 2 + 2p = Æ (nd ni )d. Vemos, pues, que en un medio donde existe efe to
Faraday, un estado de polariza ion lineal que se propaga por su seno sigue siendo lineal pero
12.6. SEPARADORES Y COMBINADORES DE HAZ 235
gira espa ialmente un angulo que podemos ontrolar jando el parametro d . La rela ion que
hay entre el angulo de giro y el espesor del rotador es + 2p = Æ (nd ni )d. Esta rota ion
del plano de polariza ion fue des ubierta por Faraday en 1845. Hay que desta ar que se
trata de un fenomeno no re pro o, es de ir, si detras del rotador de Faraday olo asemos
un espejo, el estado de polariza ion de la onda re ejada, al pasar por el medio dos ve es,
una vez en un sentido y otra en el ontrario, sera lineal pero girado en el espa io un angulo
igual a 2. La matriz de Jones de un rotador de Faraday es:
" #
os() sin()
T = sin() os() (12.18)
En la g. f12.9g se muestra una apli a ion del rotador de Faraday (un aislador de-
pendiente del estado de polariza ion). El fun ionamiento es sen illo: el espejo representado
no debe entenderse omo tal, sino omo un dispositivo que tiene un ierto oe iente de
re exion. La hipoteti a onda re ejada ha pasado dos ve es por el rotador de Faraday, a u-
mulando un giro espa ial de valor , motivo por el que no puede atravesar el polarizador
olo ado a la entrada.
Existen tambien medios materiales que presentan efe to giromagneti o (birrefringen-
ia ir ular [53℄) de manera natural y que se pueden utilizar para fabri ar rotadores [87℄.
A diferen ia de los rotadores de Faraday, los rotadores fabri ados on estos materiales son
re pro os, por lo que no sirven para fabri ar aisladores pero son indispensables en la fabri-
a ion de ir uladores opti os.
12.6. Separadores y ombinadores de haz
Figura 12.10: Prisma de Wollaston.

En te nologa mi roopti a estos dispositivos se fabri an a partir de ubos de mate-
riales uniaxiales. El ubo tiene el eje extraordinario orientado de destintas maneras a ambos
lados de un plano que bise iona el ubo [78℄, tal y omo se muestra en la g. f12.10g. En la
super ie de entrada (separa ion entre el aire y el ubo) no hay ningun ambio de dire ion
en la propaga ion de las dos omponentes linealmente polarizadas, ya que la in iden ia es

normal. Dentro de la primera region del ubo, la omponente on polariza ion verti al "ve"
el ndi e extraordinario (siempre indi amos en el ubo expl itamente la orienta ion del eje
extraordinario) mientras que la omponente on polariza ion horizontal, al ser perpendi ular
al eje extraordinario, "ve" el ndi e ordinario. Al llegar al plano que bise iona el ubo, la
omponente verti al pasa de vibrar paralelamente al eje extraordinario, a ha erlo perpendi-
ularmentea este, por lo que pasa a un medio opti amente menos denso. En onse uen ia
ambia su dire ion de propaga ion, alejandose de la normal al plano bise tor. Con la ompo-
nente horizontal o urre lo ontrario, por lo que tambien ambia su dire ion de propaga ion,
esta vez a er andose a la normal al plano bise tor. De esta manera onseguimos separar el
haz luminoso de entrada en las dos omponentes de polariza ion lineal (horizontal y verti-
al). De izquierda a dere ha, tenemos un separador de ha es pero si invertimos los sentidos
de propaga ion tendremos un ombinador de ha es.
Prisma de Wollaston Prisma de Rochon Prisma de Sernarmont
Figura 12.11: Prismas separadores de haz.

Evidentemente la ongura ion mostrada en la g. f12.10g no es la uni a manera
de separar (o ombinar) un haz en sus dos omponentes linealmente polarizadas. En la g.
f12.11g se muestran, junto al prisma de Wollaston, otras dos ongura iones [78℄.
12.7. Aisladores opti os
Ԧ=45º
z
y
polarizador rotador polarizador a Ȇ/4
Figura 12.12: Aislador dependiente del SOP.

Este es el primero de los dos dispositivos que queramos estudiar. Este omponente
permite que la luz se propague en un sentido, pero impide que lo haga en el ontrario. En

12.8. CIRCULADORES OPTICOS 237
los EDFAs se olo an aisladores en ambos extremos del aislador para evitar que se produz a
una realimenta ion positiva en el ampli ador y se omporte omo un laser. Primero vamos
a ver omo se onstruye un aislador uyo estado de polariza ion de entrada es ono ido y,
despues, omo a partir de este, se puede fabri ar uno para un estado de polariza ion de
entrada arbitrario [84℄.
x DE 45º A -45º
1 1 AISLADOR
DEPENDIENTE
1 -1 DEL SOP
Ȇ
z 1 0
Ȇ T=
1
0 -1 1 1
SÍMBOLO DEL
y -1 1 AISLADOR
-Ȇ/4
x DE -45º A 45º
1 0
Ȇ 0 1 Ȇ
z 0 1 Ȇ/4
Ȇ/4
T=
2 1 0 0 1
Ȇ/4
y 1 0
Figura 12.13: Fun ionamiento de dos retardadores de onda (izquierda). Aislador indepen-
diente del estado de polariza ion (dere ha).
En la g. f12.12g se muestra omo fun iona este dispositivo. Si a la salida del polari-
zador a 4 hay un omponente que introdu e un peque~no oe iente de re exion, el rotador
de Faraday ha e que la luz re ejada llegue al polarizador de entrada, perpendi ularmente al
eje "x", por lo que no puede atravesarlo.
Para omprender el fun ionamiento de un aislador independiente del SOP de la luz de
entrada debemos re ordar, primero, el fun ionamiento de los retardadores de onda. Para el
aso parti ular de = y estando orientado segun el eje "y" el retardador de onda ambia
la polariza ion lineal de entrada de 4 a 4 y vi eversa. Si el eje lento esta orientado a 4
on respe to al eje "x" ha e que si la polariza ion lineal de entrada esta alineada on el eje
"x" pase a estarlo on el eje "y" y vi eversa, tal y omo se muestra en la g. f12.13g. Con
estos elementos y el aislador dependiente del estado de polariza ion podemos onstruir un
aislador independient del SOP de la luz de entrada. Lo uni o que hay que ha er es, primero,
separar el haz luminoso de entrada en sus dos omponentes linealmente polarizadas on un
prisma de Sernamont. La omponente de polariza ion horizontal la transformamos, mediante
un retardador de onda, en una onda de polariza ion verti al. A ontinua ion ha emos pasar
por el aislador dependiente del SOP ambas omponentes, on lo que a la salida tenemos dos
ondas linealmente polarizadas a 4 . Ha emos que una de ellas atraviese otro retardador para
transformarla en una onda de polariza ion lineal a 4 . Por ultimo ombinamos ambos ha es
on otro prisma de Sernamont (girado espa ialmente un angulo 4 ). El aislador resultante se
muestra en la g. f12.13g.
12.8. Cir uladores opti os

Estos omponentes son fundamentales en redes on multiplexa ion en longitud de onda
(WDM) y su fun ionamiento es identi o a los ir uladores que se utilizan en mi roondas: son
dispositivos on tres o uatro puertos, uya fun ion es sa ar por el puerto siguente, y solo por
puerto 4
puerto 2
puerto 1
rotador de rotador
Faraday 45º recíproco 45º
puerto 3
Figura 12.14: Cir ulador opti o.
el puerto siguiente, la se~nal de entrada [84℄. En la g. f12.14g se muestra la implementa ion

en te nologa mi roopti a de un ir ulador opti o de uatro puertos. El smbolo que aparenta
ser un prisma es, en realidad, un dispositivo que deja pasar la omponente de polariza ion
verti al, re ejando la horizontal y uyo prin ipio de fun ionamiento se basa en el denominado
"angulo de Brewster" 2 . El onjunto formado por un rotador de Faraday de 4 y una rotador
re pro o tambien de 4 ha e que, si una onda atraviesa los dispositivos en un sentido (de
izquierda a dere ha en la gura), el plano de polariza ion gire un angulo de 2 , pero si
lo atraviesa en sentido ontrario no modi a el estado de polariza ion. De esta manera se
onsigue el omportamiento no re opro o tpi o de un ir ulador. Ademas de la mi roopti a,
existen otras te nologas de fabri a ion de ir uladores opti os [99℄.
2 Enuna super ie de separa ion entre dos diele tri os, la luz on polariza ion TE ( ampo ele tri o
vibrando paralelamente a la super ie de separa ion) se ve totalmente re ejada si el angulo de in iden ia
toma una valor determinado, llamado angulo de Brewster.

12.8. CIRCULADORES OPTICOS 239
Px1 x Px2
z
ī
y
Figura 12.15: Analizador opti o.
Problema 16: Dado el analizador representado en la g. f12.15g, se pide dedu ir la

intensidad luminosa a la salida en fun ion de la longitud de onda de la luz in idente.
Solu ion: Puesto que el eje lento del retardador de onda forma un angulo de 4 radianes
on respe to a los ejes prin ipales, la matriz de Jones aso iada es:
" #
T = j os( 2 ) j sin( 2 ) (12.19)

sin( 2 ) os( 2 )
Por lo que el analizador viene des rito por el siguiente produ to matri ial:
!" ! !# !
1 0 os( 2 ) j sin( 2 ) 1 0 os 2 0
T= 0 0 j sin( 2 ) os( 2 ) 0 0 = 0 0 (12.20)
La intensidad luminosa a la salida del analizador es:
(ne nÆ )d
I = os2 ( ) = os2 [ ℄ (12.21)
2
n =1,5
o
n =1,7
e
45º
ԧh
45º- ԧ1
ԧ1
ԧ2
ԧ2-45º
ԧv
Figura 12.16: Prisma separador de Wollaston.
Problema 17: Dado el prisma separador de ha es de Wollaston mostrado en la

g. f12.16g determine las dire iones de salida de las omponentes
de polariza ion horizontal y verti al.
Solu ion:
1; 7 sin( 4 ) = 1; 5 sin(2 ) 2 = 53; 263Æ

) )
1; 5 sin( 4 ) = 1; 7 sin(1 ) ) 1 = 38; 603Æ (12.22)
1; 7 sin( 4 1 ) = 1 sin(h ) h = 10; 918Æ

) )
1; 5 sin(2 4 ) = 1 sin(v ) ) v = 12; 449Æ (12.23)
Captulo 13
Filtros opti os
Resumen: En este aptulo vamos a estudiar los ltros opti os pasobanda que se
emplean en sistemas DWDM. Estos ltros pueden ser jos, en uyo aso se fabri an
en te nologa todo bra, o bien sintonizables, en uyo aso se fabri an en te nologa
mi roopti a. Los primeros re iben el nombre de bras de difra ion de Bragg (FBGs)
y se emplean tanto en la sele ion de anales omo en la fabri a ion de ompensa-
dores pasivos de la dispersion. Los segundos son avidades pasivas Fabry{Perot
y se utilizan, tambien, para la sele ion de anales en aquellos asos en los que
el nodo de la red deba tener la posibilidad de sintonizar distintas longitudes de
onda (distintos anales). El estudio de los ltros se va a basar en el formalismo
matri ial de bipuertas, mas on retamente, en la des rip ion de bipuertas mediante
matri es de transmision.
241
242 CAPITULO 13. FILTROS OPTICOS

13.1. Introdu ion
Tx Rx
Ȝi Ȝi
³
ȜȜ...Ȝ...Ȝ
1 2 i n ȜȜ...Ȝ...Ȝ
1 2 i n Ȝi Ȝi
³
ȜȜ...Ȝ...Ȝ
1 2
³
i n
Ȝi Ȝi
³
Ȝi
Rx Tx
ȜȜ...Ȝ...Ȝ
1 2 i n ȜȜ...Ȝ...Ȝ
1 2
³
i n
Figura 13.1: Multiplexor "add & drop" jo (izquierda) y sintonizable (dere ha).
Los ltros opti os paso{banda tienen una importan ia primordial en los sistemas
DWDM. En primer lugar sirven para la implementa ion fsi a de los denominados multi-
plexores "add & drop" [8℄{[84℄, uya mision es extraer la informa ion del anal "i", que
esta soportada por la longitud de onda i , y la sustituirla por otra distinta odi ada en
la misma longitud de onda, que denotamos mediante 0i para indi ar que la informa ion es
distinta a la extraida. Estos multiplexores se onstruyen siempre a partir de ltros pasoban-
da (jos o sintonizables segun el tipo de multiplexor) y ir uladores opti os, tal y omo se
observa en la g. f13.1g.
Si el multiplexor fun iona a una longitud de onda ja, el ltro se suele implementar
mediante una bra de difra ion de Bragg (FBG) [60℄, que no es mas que trozo de bra
monomodo en la que hay una perturba ion longitudinal del ndi e de refra ion del nu leo.
Esta perturba ion periodi a (normalmente senoidal) re eja 1 una determinada longitud de
onda (la longitud de onda de Bragg) y transmite el resto. Los multiplexores "add & drop" jos
se olo an siempre en serie on la bra opti a por la que se propagan los anales multiplexados
en longitud de onda, tal y omo se muestra en la parte izquierda de la g. f13.1g. Este ltro
no es sintonizable, ya que no se puede modi ar el periodo de la perturba ion introdu ida
en la FBG.
Si el multiplexor tiene que ser sintonizable, enton es el ltro se implementa fsi amente
mediante una avidad Fabry{Perot que fun iona en transmision, es de ir, deja pasar una
determinada longitud de onda, re ejando el resto. Los ltros de avidad Fabry{Perot son
sintonizables ya que en ellos se puede modi ar fa ilmente la longitud de la avidad y,
por tanto, la longitud de onda transmitida. Los multiplexores "add & drop" se olo a en
deriva ion, tal y omo se mueastra en la parte de la dere ha de la g. f13.1g.
Otra apli a ion importante de los ltros en sistemas DWDM es la realiza ion fsi a
de ompensadores pasivos de la dispersion [60℄. Estos ltros, que se fabri an en te nologa
1 La inmensa mayora de estos ltros fun ionan en re exion y, muy raramente lo ha en en transmision.

13.2. FILTRO DE CAVIDAD FABRY{PEROT. 243
todo bra (son FBGs), tienen una varia ion lineal del periodo de Bragg, de manera que las
distintas longitudes de onda se re ejan en distintos puntos dentro de la FBG, on lo que se
introdu e un retardo de grupo que depende de la longitud de onda y que puede, por tanto,
ompensar as la dispersion romati a. Es posible, pues, onstruir regeneradores "2R" en el
dominio opti o ( ompensa ion de la atenua ion on ampli adores opti os y de la dispersion
on redes de difra ion de Bragg). Lo uni o que falta para poder implementar un regenerador
"3R" en el dominio opti o es la "resin roniza ion" de los pulsos on el reloj de transmision
(aunque es un ampo donde se esta ha iendo una intensa labor de investiga ion, siendo los
dispositivos basados en SOAs los mas rmes andidatos para realizar esta fun ion [25℄).
13.2. Filtro de avidad Fabry{Perot.

Los ltros de avidad Fabry{Perot los estudiamos en el aptulo o ho donde, utili-
zando el formalismo de matri es de s attering y transmision, llegamos a la on lusion de
que la fun ion de transferen ia en transmision de estos ltros viene des rita por la siguiente
expresion:
(1 R)2
T (f ) := jS21 j 2 = f F SR := Æ (13.1)
2
(1 R) + 4R sin ( F SR )
2 2n2 L
FSR min
EL FILTRO SINTONIZA EL CANAL 1
FSR min
EL FILTRO NO SINTONIZA CANAL ALGUNO
Figura 13.2: Rango espe tral libre (FSR) mnimo del ltro para que el multiplexor "add &
drop" fun ione orre tamente.
Los ltros de avidad Fabry{Perot usados en sistemas de multiplexa ion en longitud

de onda (WDM), no se onstruyen on materiales semi ondu tores omo los vistos en di ho
aptulo ya que los oe ientes de re exion en poten ia de las super ies de entrada y salida
deben ser onsiderablemente mas altos (re ordemos que en las avidades semi ondu toras
los oe ientes de re exion eran del orden de R = 0;3), siendo R = 0;9 un valor tpi o.
Estos ltros presentan oe ientes de transmision en poten ia maximos (para multi-
plos enteros de la fre uen ia F SR, denominada fre uen ia espe tral libre) y mnimos (para

Vc
CRISTAL PIEZOELÉCTRICO
R R
no
CRISTAL PIEZOELÉCTRICO
Figura 13.3: Implementa ion en te nologa todo bra de un ltro de avidad Fabry{Perot
sintonizable.
multiplos semienteros de F SR) alternados. El valor maximo del oe iente de transmision

es la unidad, mientras que el mnimo es Tmin = ( 11+RR )2 . Normalmente hay que tratar las
super ies de entrada y salida del ltro (por ejemplo, on la deposi ion de un material
metali o) para que presenten un oe iente de re exion en poten ia R elevado y que el ltro
sea lo su ientemente sele tivo. Una sele tividad alta esta dire tamente rela ionada on un
oe iente de transmision bajo a las fre uen ias antirresonantes y, por extension, en toda la
banda de re hazo. Es fa il demostrar que la an hura espe tral del ltro viene dada por:
Æ 1 R
F W HM := sin 1 ( p ) (13.2)
n2 L 2 R
Los parametros del ltro de avidad Fabry{Perot, R, F SR y F W HM , deben jarse

de la siguiente manera:
1. Debemos tomar un oe iente de re exion (R) que garanti e que la atenua ion en la
banda de re hazo del ltro sea importante.
2. La an hura espe tral del ltro en la banda de paso (F W HM ) se elige de forma que la
atenua ion sea baja en todo el an ho de banda de la informa ion transmitida (y, por
tanto, no la distorsione), tal y omo se muestra en la g. f13.2g.
3. El rango espe tral libre del ltro (F SR), debe ser superior a un valor mnimo que ga-
rantize que, en las ondi iones mas desfavorables, no sele ionamos un anal indeseado.
En la g. f13.2g hemos onsiderado que el ltro tiene la posibilidad de no sintonizar
ningun anal (por lo que la banda de paso del ltro se entra a la izquierda del pri-
mer anal), y el siguiente lobulo ae a la dere ha del ultimo anal (la e ha en trazo
dis ontinuo indi a que esa portadora no existe).
En la g. f13.3g se muestra una posible realiza ion fsi a de un ltro de avidad

Fabry{Perot sintonizable [72℄. La longitud de la avidad se puede modi ar apli ando una
DE BRAGG EN FIBRAS (FBGS)

13.3. REDES DE DIFRACCION 245
2QRV
Ȝ 6TCPUOKVKXKFCF
(KDTC¬RVKECHQVQTTGHTCEVKXC
4GHNGEVKXKFCF
Ȝ
+PFKEGFGTGHTCEEKxPFGNP}ENGQ
P
Ȝ
\
ȁ
Figura 13.4: Fibras de difra ion de Bragg en re exion.
tension al ristal piezoele tri o. El ristal, al deformarse, modi a la distan ia que separa
las super ies re e tantes de las dos bras monomodo.
13.3. Redes de difra ion de Bragg en bras (FBGs)

Las FBGs son bras opti as monomodo en las que, longitudinalmente, se introdu e
una perturba ion senoidal del ndi e de refra ion. Esta perturba ion se "es ribe" en la bra,
exponiendo al nu leo a una radia ion ultravioleta que vara sinusoidalmente en intensidad
a lo largo del eje de la bra. En las zonas donde la intensidad luminosa de la radia ion
ultravioleta es nula, el ndi e de refra ion del nu leo no sufre ambio alguno 2 , mientras que
en las iluminadas el ndi e de refra ion lo al aumenta de manera propor ional a la poten ia
opti a, as omo al tiempo de exposi ion. Este fenomeno re ibe el nombre de fotosensibilidad
y fue observado por primera vez en 1978 [39℄.
Los pro esos fsi os responsables de la fotosensibilidad del nu leo no estan del todo
estable idos, pero el modelo que uenta on mas a epta ion es el de los entros de olor. En
este modelo, la radia ion ultravioleta desen adena una serie de rea iones fotoqumi as que
modi an las on entra iones de una serie de defe tos opti amente a tivos [7℄. Por defe to,
entendemos ualquier mi roestru tura distinta a la de un tetraedro elemental de sustitu ion,
esto es, en el que el sili io se ha sustituido por germanio 3 (la matriz regular del sli e pare e
no jugar un papel importante en la fotosensibilidad de la bra). Estos defe tos pare en estar
aso iados a de ien ias de oxgeno en los enla es ovalentes del Ge02 . Como los pi os de
absor ion de rea tivos y produ tos se produ en a longitudes de onda diferentes, se produ e
una varia ion del espe tro de absor ion que provo a, en onse uen ia, una varia ion delndi e
de refra ion ya que ambos parametros estan ligadas por medio de las rela iones integrales
de Kramers{Kronig.
En la inmensa mayora de las o asiones, las FBGs se dise~nan para fun ionar en re e-
2 Esto no es del todo ierto. Tras exponer la bra a la radia ion ultravioleta, se produ e un in remento
del ndi e medio (en todos los puntos el mismo) y otro lo al (propor ional a la intensidad luminosa).
3 Re ordemos que el nu leo de la bra tiene unndi e de refra ion mayor que el de la orteza pre isamente
porque parte de losatomos de sili io se sustituyen por atomos de germanio.

xion, tal y omo se muestra en la g. f13.4g. Esto es as porque las fun iones de transferen ia
en transmision son, ne esariamente, de fase mnima [61℄ (es de ir, las ara tersti as de modu-
lo y fase de la fun ion de transferen ia tienen una rela ion biunvo a), lo que impone severas
restri iones a la hora del dise~no de los ltros [94℄.
El analisis de las FBGs (es de ir, dado un perl de varia ion del ndi e, dedu ir la
fun ion de transferen ia orrespondiente) es sen illo [60℄. No hay mas que apli ar el forma-
lismo matri ial visto en el aptulo 8, sustituyendo el perl senoidal por uno re tangular
uyo primer armoni o tenga la misma amplitud que el perl senoidal. Por supuesto, tambien
puede utilizarse el formalismo de modos a oplados. En ambos asos hay que utilizar metodos
numeri os, por lo que en la subse ion siguiente nos vamos a limitar a exponer los resultados
de las simula iones, aunque a onsejamos al le tor que los ompruebe por s mismo realizando
sus propias simula iones.
El problema de la sntesis de las FBGs (dada una fun ion de transferen ia deseada,
determinar el perl de varia ion del ndi e) es algo mas omplejo, aunque tambien esta re-
suelto. No se van a expli ar los algoritmos de sntesis y referimos al le tor interesado a la
bibliografa adjunta [31℄{[79℄{[95℄.
Como ya hemos di ho, las apli a iones fundamentales de las FBGs en omuni a-
iones opti as (en sistemas de multiplexa ion en longitud de onda) son dos: la realiza ion
fsi a de ltros paso banda en re exion y la implementa ion de ompensadores pasivos de la
dispersion.
13.3.1. FBGs para la implmenta ion de ltros
En la g. f13.5g se muestran las ara tersti as de modulo y de retardo de grupo 4

de una red de periodo uniforme [29℄. En la g. f13.6g se han representado los oe ientes
de re exion en poten ia y retardo de grupos de una red de perl apodizado, de perl medio
no onstante [29℄. Por ultimo, en la g. f13.7g se muestran las ara tersti as de modulo y
retardo de fase de una red apodizada on ndi e medio onstante [29℄. Vemos en la g. f13.5g
que hay lobulos se undarios a ambos lados de la fre uen ia entral del ltro. Estos lobulos
apare en por la varia ion brus a que sufre el ndi e a la entrada y la salida de la FBG, lo
que provo a re exiones internas por efe to Fabry{Perot. En la g. f13.6g solo se presentan
lobulos se undarios a la dere ha de la fre uen ia entral y en la ultima (g. f13.7g ) estos
desapare en ompletamente.
En la g. f13.8g se presentan, on los peridos magni ados, la varia iones de ndi e
aso iadas a los tres ltros anteriormente itados.
13.3.2. Compensadores pasivos de la dispersion
Otra apli a ion importante de las redes de disfra ion de Bragg es la fabri a ion
de dispositivos pasivos ompensadores de la dispersion romati a. La dispersion romati a
4 El retardo de grupo es la derivada de la ara tersti a de fase y representa el tiempo que trans urre entre
la in iden ia y la re exion de un paquete de ondas.

−11
x 10
1
0.9 5
0.8
4
0.7
0.6
3
0.5
0.4
2
0.3
0.2
1
0.1
0 0
1.9295 1.93 1.9305 1.931 1.9315 1.932 1.9325 1.9295 1.93 1.9305 1.931 1.9315 1.932 1.9325
14 14
x 10 x 10
Figura 13.5: Red de difra ion de Bragg uniforme. El ndi e de refra ion medio es 1,452, el
periodo de Bragg = 535nm, la amplitud de la perturba ion senoidal es 0.001 y la longitud
de la bra es 4mm. Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
−11
x 10
1
7
0.9
0.8 6
0.7
5
0.6
4
0.5
0.4 3
0.3
2
0.2
1
0.1
0 0
1.929 1.9295 1.93 1.9305 1.931 1.9315 1.932 1.9325 1.933 1.929 1.9295 1.93 1.9305 1.931 1.9315 1.932 1.9325 1.933
14 14
x 10 x 10
Figura 13.6: Red de difra ion de Bragg apodizada on perl de oseno alzado. El ndi e de
refra ion medio es 1,452, el periodo de Bragg = 534;47nm, la amplitud de la perturba ion
senoidal tiene la expresion 0;0005 os2 ( 2 + Lzper ) y la longitud de la bra es Lper = 10mm.
Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
−11
x 10
1
7
0.9
0.8 6
0.7
5
0.6
4
0.5
0.4 3
0.3
2
0.2
1
0.1
0 0
1.929 1.9295 1.93 1.9305 1.931 1.9315 1.932 1.9325 1.933 1.929 1.9295 1.93 1.9305 1.931 1.9315 1.932 1.9325 1.933
14 14
x 10 x 10
Figura 13.7: Red de difra ion de Bragg apodizada on perl de oseno de media ero. El
ndi e de refra ion medio es 1,452, el periodo de Bragg = 534;47nm, la amplitud de la
perturba ion senoidal tiene la expresion 0;0004 + 0;0004 os2 ( 2 + Lzper ) y la longitud de la
bra es Lper = 10mm. Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.

1,5015
1,5014 1,5014
1,501
1,5012 1,5012
1,501 1,501 1,5005
1,5008 1,5008
1,5
1,5006 1,5006
1,4995
1,5004 1,5004
1,499
1,5002 1,5002
1,5 1,5 1,4985

-2 0 2 4 6 8 -4 -2 0 2 4 -4 -2 0 2 4
x x x
Figura 13.8: Perles (no estan a es ala) de las redes de Bragg uniforme (izquierda), apodizada
( entro) y apadizada on valor medio onstante (dere ha).
de la bra por la que se propagan las se~nales opti as, ha e que deteminadas omponentes
espe trales (las que "ven" un ndi e de grupo mas bajo) se adelanten, ya que se propagan
a una velo idad ligeramente mayor. Este efe to se puede ompensar mediante una bra de
difra ion de Bragg en la que el periodo de la perturba ion vara linealmente a lo largo de
la red, de manera que aquellas omponentes que llegan mas tarde (que se han retrasado) se
re ejen al prin ipio del dispositivo, de forma que el ompensador de la dispersion introduz a,
para estas omponentes, una retardo de grupo nulo. Por ontra, las omponentes que mas
se han adelantado (las que han llegado antes), deben re orrer todo el dispositivo antes de
en ontrar la zona donde se umple la ondi ion de Bragg y re ejarse, de manera que se
introdu e una retardo de grupo que ompensa exa tamente el adelanto provo ado por la
dispersion romati a. Esto puede entenderse fa ilmente viendo la g. f13.9g.
Ȝ B1 Ȝ B2 Ȝ B3
ȁ1= n o ȁ2= no ȁ3= no
Retardo de grupo sufrido por Ȝ1
Retardo de grupo sufrido por Ȝ 2
Retardo de grupo sufrido por Ȝ 3
Figura 13.9: Red de difra ion de Bragg on varia ion linel del periodo. Introdu e un retardo
de grupo que es propor ional (o inversamente propor ional si se olo a al reves) a la longitud
de onda que llega al dispositivo. Este dispositivo es un ompensador pasivo de la dispersion
romati a.
Puesto que las bras de difra ion de Bragg fun ionan en re exion, el montaje del
ompensador de la dispersion in luye, ne esariamente, un ir ulador opti o, tal y omo se
observa en la g. f13.10g. Evidentemente, el periodo mnimo de Bragg se orresponde on
la omponente espe tral de menor longitud de onda que llega al ompensador (que estara al
prin ipio o al nal del dispositivo dependiendo de que el signo de la dispersion romati a
sea negativo o positivo), mientras que el periodo maximo se orresponde on la de mayor
longitud de onda. La longitud del ompensador es tal que el tiempo que trans urre en la
ida y vuelta de la omponente espe tral que llega adelantada sea igual al retardo que sufre
la omponente mas lenta. Por supuesto estamos suponiendo que el oe iente de dispersion

Figura 13.10: Compensador pasivo de la dispersion. Consta de un ir ulador y una rede de

difra ion de Bragg on varia ion lineal del periodo.
romati a permane e onstante en todo el an ho de banda de las se~nales opti as transmitidas,

on lo que una varia ion lineal del periodo de Bragg es apaz de ompensar este valor de
dispersion romati a onstante.
−9
x 10
1 4
0.9
3.5
0.8
3
0.7
2.5
0.6
0.5 2
0.4
1.5
0.3
1
0.2
0.5
0.1
0 0
1.924 1.926 1.928 1.93 1.932 1.934 1.936 1.938 1.924 1.926 1.928 1.93 1.932 1.934 1.936 1.938
14 14
x 10 x 10
Figura 13.11: Compensador pasivo de la dispersion. Modulo a la izquierda y retardo de grupo

a la dere ha. Simula ion realizada por Alejandro Carballar Rin on.
A ontinua ion vamos a determinar la fun ion de transferen ia ( oe iente de re exion

y retardo de grupo) de un ompensador pasivo de la dispersion. El an ho de banda de la se~nal
opti a va desde los 192; 6T Hz hasta los 193; 7T Hz . La longitud de la bra es de 100Km y su
4ps . El ndi e de refra i
oe iente de dispersion romati a es D = nmKm on medio de la red de
difra ion es 1; 452, mientras que la amplitud de la perturba ion del ndi e es n = 0;0004.
Realizando los al ulos orrespondientes, resulta que min = 534; 83nm, max = 535; 95nm y
la longitud del ompensador es L = 0; 365m. Las simula iones las vamos a ha er basandonos
en el metodo matri ial des rito en el aptulo 9, onsiderando perles re tangulares uyo
primer armoni o oin ide on la amplitud de la perturba ion senoidal. Los resultados se
muestran en las g. f13.11g.

Problema 18: Se tiene un sistema WDM donde se transmite a las fre uen ias
f1 =192,6THz, f2 =192,7THz, f3 =192,8THz y f4 =192,9THz. Se quiere dise~nar
un ltro de avidad Fabry{Perot para que sele iones la fre uen ia f1 . Variando
la longitud de la avidad, el ltro debe ser apaz de sintonizar ualquier otro anal,
in luyendo el anal nulo (re ejar todas las fre uen ias insidentes). En la banda de
re hazo, se ne esita un Tmin =0,02. El ndi e de refra ion del medio es n=1,5.
Solu ion: Debemos tomar una F SRmin = 500GHz para tener la posibilidad de re ejar
todos los anales, (el periodo de repeti ion de las bandas de paso del ltro es, pre isamente,
la F SR). Puesto que en la banda de re hazo ne esitamos una Tmin = 0;02 resulta:
1 R 2

0; 02 =
1+R
) R = 0; 75
1 debe ser entero. Comprobemoslo:
Para sintonizar el anal f1 = 196; 6T Hz el o iente FfSR
f1
k= = 385; 2
F SR
Este numero no es entero, pero la F SR puede ser mayor que 500GHz, por los que tomamos
k0 = 385 y al ulamos la F SR real:
Æ f
= F SRreal = 1 = 500; 26GHz ) L = 199; 89m
2nL 385
Ya podemos al ular la an hura del ltro:
!
1 R
F W HM = Æ sin 1 p = 46; 15GHz
nL 2 R
Captulo 14
A opladores opti os
Resumen: En este aptulo vamos a des ribir los a opladores opti os.
Los a opladores son dispositivos pasivos que distribuyen una o varias se~nales
opti as de entrada entre varias salidas. Se fabri an tanto en te nologa
integrada omo en te nologa todo bra y tienen un ampo de apli a ion
muy importante en las redes opti as pasivas (redes PON).
251
252 CAPITULO 14. ACOPLADORES OPTICOS

14.1. Prin ipio de fun ionamiento
1 1/2
1/2
1/2
1 1/2
Figura 14.1: A oplador dire ional.
Los a opladores opti os mas utilizados, los denominados a opladores dire ionales, se
fabri an generalmente en te nologa de opti a integrada [65℄{[75℄. Normalmente se emplea
el niobato de litio (NbO3 Li) omo material sustrato sobre el que se realiza un dopado ( on
titanio, por ejemplo) en aquellas regiones uyo ndi e de refra ion se quiere aumentar,
reandose, de esta forma, una estru tura guaonda de geometra planar. En la g. f14.1g
se muestran dos guiaondas (las zonas re tangulares representan las zonas de mayor ndi e)
que se a er an mu ho entre s, de forma que el ampo evanes ente (la zona donde el ampo
ele tromagneti o de re e exponen ialmente) de la onda introdu ida por uno de los puertos,
solapa par ialmente on el nu leo del otro guiaonda. Si estuviesen aislados el uno del otro, Los
dos guiaondas soportaran, a la longitud de onda de trabajo, un uni o modo de propaga ion.
La estru tura mostrada se puede estudiar onsiderando que, al a er arse los dos nu leos,
se produ e una peque~na perturba ion que a opla entre s los fenomenos de propaga ion
que, en ausen ia de di ha perturba ion, seran independientes el uno del otro. Puesto que
hemos de idido, por su relativa omplejidad, no introdu ir el formalismo de modos a oplados
[103℄{[65℄, no vamos a dedu ir las e ua iones resultantes. Si lo hi iesemos y las integrasemos,
omprobaramos que, para una determinada longitud de la zona de a oplo L, se produ ira
una transferen ia total de energa de un guiaonda al otro. Si in rementasemos la zona de
a oplo en otra longitud L, se produ ira el fenomeno inverso a este y el inter ambio se
repetira de manera periodi a si la longitud de la zona de a oplo fuese innita. En la g.
f14.1g, la longitud de a oplo es la ne esaria para que se transera solo la mitad de la poten ia
opti a.
Si ha emos una serie de onsidera iones generales a er a del fun ionamiento del dis-
positivo, podremos dedu ir que su matriz de s attering depende de un uni o parametro [72℄.
En la g. f14.2g hemos representado el a oplador dire ional y hemos enumerado los uatro
puertos que lo onstituyen. Tambien hemos representado una matriz de s attering generi a
14.1. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO 253
a1 a3
1 3
b1 b3
a2 2 4 a4
b2 b4
0 0 S13 S14
0 0 S23 S24
S ij = S31 S32 0 0
S41 S42 0 0
Figura 14.2: Matriz de s attering del a oplador dire ional.
que des ribe su fun ionamiento. Lo uni o que hemos tenido en uenta al es ribirla es que, en
ausen ia de re exiones en los puertos, a partir de una onda que se propaga en un sentido no
se puede generar otra que se propague en sentido ontrario, de ah los eros que apare en en
la matriz. Si tenemos en uenta que el dispositivo es re pro o, deben umplirse las siguientes
rela iones:
S13 = S24
S31 = S42 (14.1)
Si despre iamos las perdidas que se produ en en el a oplador, tenemos que la matriz
de s attering del a oplador dire ional es unitaria, por lo que se veri an las siguientes
igualdades:
+ S S = 1
S13 S13 14 14
=1
S23 S23 + S24 S24
+ S S = 0
S13 S23 14 24
=1
S31 S31 + S41 S41
+ S S = 1
S41 S41 42 42
=0
S31 S41 + S32 S42 (14.2)
De donde dedu imos que la matriz de s attering se puede es ribir omo:

p p
b1 1p pj a1
2 3 2 32 3
0 0
6
6 b2 7
7
6
= 664 p 0 0
p j 1 7
7
6
6 a2 7
7
(14.3)
6
4 b3 7
5 1p pj 0 0 7
5
6
4 a3 7
5
b4 j 1 0 0 a4

Entrada 1 Salida 1
Calor
Entrada 2 Salida 2
Cubierta
Nucleo
(a)
(b)
Figura 14.3: A opladores opti os fabri ados en te nologa de bra. De ampo evanes ente
(izquierda) y bras fusionadas (dere ha)
El parametro real indi a omo se reparte la poten ia entre ada uno de los dos
puertos de salida y tpi amente toma el valor de 0,5. Para al ular la longitud de la region
de a oplo ne esaria para obtener un valor de determinado es ne esario, evidentemente,
resolver la e ua ion de modos a oplados.
Los a opladores opti os se fabri an tambien en te nologa de bra [72℄, tal y omo
muestra la g. f14.3g. El representado a la izquierda ( ada una de las bras soporta un uni o
modo) tiene un oe iente de a oplo variable ya que desplazando lateralmente una bra on
respe to a la otra, el solapamiento entre los dos modos guiados ambia. En el a oplador
representado a la dere ha, los nu leos de las distintas bras estan fundidos por lo que no se
puede variar el oe iente de a oplo.
P1 1 3 P3
P2 2 4 P4
Figura 14.4: Poten ias que salen por los distintos puertos del a oplador dire ional tras
ex itarlo por la entrada "1".
14.2. Parametros ara tersti os

Hasta ahora hemos supuesto que el dispositivo se omporta de manera ideal, es
de ir, que no introdu e perdidas y que no hay propaga ion de ondas ontradire ionales (se
entiende que on los puertos adaptados). En la pra ti a esto no es as por lo que es ne esario

14.2. PARAMETROS CARACTERISTICOS 255
denir una serie de parametros que des riban el omportamiento real de un a oplador opti o.
Tomando omo referen ia la g. f14.4g, denimos [72℄:
1. Constante de a oplo: k := P3P+4P4 que, tpi amente toma el valor 0,5.
2. Perdidas en ex eso: (dB ) := 10 log10 ( P3P+1P4 ) que, tpi amente vale 0,5 dB .
3. Dire tividad: D(dB ) := 10 log10 ( PP21 ) que, tpi amente toma el valor de -50 dB .
4. Perdidas de inser ion: Mi (dB ) := 10 log10 ( PP1i ) i=3, 4 que, tpi amente vale 3,8 dB .
P1 8
1/8Ȉp
i=1 i
P2 3dB 3dB 3dB 8
1/8Ȉp
i=1 i
P3 8
1/8Ȉp
i=1 i
P4 3dB 3dB 3dB 8
1/8Ȉp
i=1 i
P5 8
1/8Ȉp
i=1 i
P6 3dB 3dB 3dB 8
1/8Ȉp
i=1 i
P7 8
1/8Ȉp
i=1 i
P8 3dB 3dB 3dB 8
1/8Ȉp
i=1 i
Figura 14.5: A oplador en estrella 8 8.

14.3. A opladores en estrella

Por a oplador en estrella entendemos un dispositivo opti o pasivo que, a partir de
un onjunto de se~nales de entrada, las ombina y distribuye entre varias salidas [72℄. Nor-
malmente se onstruyen a partir de a opladores dire ionales de onstante de a oplo 0,5.
En la g. f14.5g se muestra una a oplador en estrella 8 8 fabri ado a partir de a opla-
dores dire ionales 2 2. Estos a opladores se utilizan mu ho en redes opti as pasivas [84℄,
ono idas omo redes PON (del ingles "passive opti al networks").
Captulo 15
Multiplexores y onmutadores opti os
Resumen: En este aptulo vamos a des ribir otros dispositivos empleados en las
redes DWDM: los multiplexores (y demultiplexores) y los onmutadores opti os. Los
primeros introdu en (o separan) las distintas longitudes de onda que viajan
simultaneamente por la bra. Los segundos denen el en aminamiento de la informa ion
por la red opti a.
257
258 CAPITULO 15. MULTIPLEXORES Y CONMUTADORES OPTICOS

15.1. Multiplexores y demultiplexores
2R Detalle del círculo de Rowland

R
L+mǻL
L+(m-1)ǻL
.
Ȝ4
Ȝ3 .
Ȝ2 .
Ȝ1 L+2ǻL
Ȝ,Ȝ,Ȝ,Ȝ
1 2 3 4
L+ǻL
L
Esquema del AWG
Figura 15.1: Multiplexor/demultiplexor fabri ado en te nologa mi roopti a (izquierda).

Multiplexor para en aminamiento estati o (dere ha).
Los multiplexores sirven para introdu ir varios anales, ada uno de ellos odi ado
a una longitud de onda distinta, en la misma bra opti a, mientras que los demultiplexores
realizan la fun ion inversa. Este tipo de dispositivos se emplean, evidentemente, en sistemas
DWDM y pueden fabri arse en distintas te nologas. As, por ejemplo, en la g. f15.1g se
representa, a la izquierda, un multiplexor/demultiplexor fabri ado en te nologa mi roopti a
[8℄. Su prin ipio de fun ionamiento se basa en una red de difra ion espa ial en la que el
angulo de difra ion vara de manera importante on respe to a la longitud de onda. Para ello
es ne esario que las perturba iones en la super ie del espejo sean de un tama~no omparable
(o mas peque~nas) a las longitudes de onda de los anales a multiplexar o demultiplexar, ya que
los angulos de difra ion son propor ionales a di , donde d es la longitud de la perturba ion
existente en el espejo.
En los sistemas DWDM se emplean multiplexores mas omplejos para denir tablas
de en aminamiento estati o entre los nodos de la red. En la g. f15.1g se muestra, a la
dere ha, un AWG (del ingles "Arrayed Waveguide Grating") o WGR (tambien del ingles
"Waveguide Grating Router") [8℄{[65℄{[96℄. Como se observa, el AWG esta ompuesto por
un a oplador de entrada, m guiaondas, ada uno de los uales introdu e un retardo onstante
on respe to al anterior (ya que es L metros mas largo que el anterior) y un a oplador
de salida. Los a opladores de entrada y salida son " r ulos de Rowland". El r ulo de
Rowland de la izquierda realiza m opias de la informa ion que de las n bras entrantes. Los
guiaondas introdu en un retardo onstante entre dos entradas onse utivas y, nalmente,
esta informa ion se vuelve a ombinar en el a oplador de salida. Ahora, para ada anal y
longitud de onda, las ondi iones de interferen ia onstru tiva dentro del r ulo de Rowland
de la dere ha no tienen por que darse (y de he ho en general no es as) para la misma bra
que a la entrada.
Una posible tabla de en aminamiento sera la mostada en la g. f15.2g (parte dere-
ha). El dispositivo se trata de un demultiplexor{multiplexor de uatro entradas y uatro
salidas y su fun ionamiento es el siguiente: sa a la longitud de onda 1 por la misma bra

15.2. CONMUTADORES OPTICOS 259
b 3=1/¥2
a =11 D¶
1
E¶=0
3
Ȝ,Ȝ,Ȝ,Ȝ Ȝ,Ȝ,Ȝ,Ȝ
1 1 1 1 1 2 3 4
1 2 3 4 1 2 3 4
2 2 2 2 1 2 3 4
1 2 3 4 2 1 4 3
b =j/¥2 D¶ E¶=j
4
MUX-DMUX
2
4
3 3 3 3 1 2 3 4
1 2 3 4 3 2 1 4
Ȝ,Ȝ,Ȝ,Ȝ Ȝ2
1 2 3 4 Ȝ µ2
4 4 4 4 1 2 3 4
3 4 2 1
1 2 4 3
Ȝ2 2x2 Ȝ2 2x2
1
µ 3 4
Ȝ,Ȝ,Ȝ,Ȝ
2
Figura 15.2: Ejemplo de tabla de en aminamiento de un AWG (izquierda). Multiplexor add

and drop fabri ado on a opladores dire ionales (dere ha).
por la que entra, la longitud de onda 2 por la siguiente siguiente, la informa ion odi ada
en 3 por la bra desplazada dos posi iones y, por ultimo, la longitud de onda 4 por la que
esta desplazada tres posi iones.
Otro tipo de multiplexor, que ya hemos estudiado en un aptulo anterior, es el
multiplexor "add and drop". En la parte dere ha de la g. f15.2g se muestra otra posible
implementa ion de este multiplexor que, basi amente, onsiste en dos a opladores de k =
50 % implementados en opti a integrada [8℄. Ademas, en los guiaondas que one tan los
dos a opladores, se deposita un re e tor de Bragg sintonizado a la longitud de onda que se
quiere sustituir. Para entender su fun ionamiento lo uni o que tenemos que ha er es al ular
la matriz de reparto de dos a opladores olo ados en as ada:
2 p2 p2 32 p2 p 3
b01
2 3
0 0 j 0 0 j 2 2 3 2 3
p2 2 p22 p2 2 p22 1 0
b02
6 7 6 7
6 7
1 6
p0 0p j 7 6
p0 0p j 7 6
0 7 6
0 7
= ( p )2
6 7 6 2 2 7 6 2 2 7 6 7
= 664 7
(15.1)
b03
6 7
6
4
7
5 2
6
6 2
p2 2 jp22 0 0
7
7
6
6
p2
2 jp22 0 0
7
7
6
4 0 7
5 0 7
5
0 4 5 4 5
b4 j2 2 0 0 j 22 2 0 0 0 j
2 2
Vemos que lo que entra por el puerto "1" sale por el "4" desfasado 90Æ . Teniendo en
uenta este resultado, resulta fa il dedu ir que el fun ionamiento de este multiplexor es el
representado en la g. f15.2g.
15.2. Conmutadores opti os

Los onmutadores opti os se utilizan en sistemas DWDM on distintas nalidades.
En fun ion de la apli a ion, los tiempos de onmuta ion han de ser de un determinado orden
de magnitud [8℄{[84℄:
Provision de nuevos enla es. De esta manera podemos re ongurar la red opti a
"o-line", es de ir, uando no esta en uso. En este aso los tiempos de onmuta ion
estan en el rango de 1{10 ms. Suelen fabri arse en te nologa mi roopti a y no son mas
que una matriz de mi roespejos y su onmuta ion onsite en mover (girar) los espejos.
260 CAPITULO 15. MULTIPLEXORES Y CONMUTADORES OPTICOS

Láser
1
V. Control F.O.
C
1 2 3 4
Figura 15.3: Modulador ele troopti o en opti a integrada (izquierda). Conmutador rapido
rossbar (dere ha).
Son relativamente baratos, por lo que pueden fabri arse onmutadores on un numero
muy elevado de entradas y salidas.
Conmuta ion para prote ion. Se realiza uando una bra falla (por rotura, por
ejemplo) y en el able opti o hay bras no usadas (llamadas bras os uras) que son
redundantes. Los tiempos de onmuta ion deben estar en el rango de 1{10s.
Conumuta ion de paquetes opti os. Las redes DWDM tienden a in orporar mul-
tiplexa ion temporal en el dominio opti o (OTDM) on el objeto de implimentar en
el dominio opti o las apas de la red orrespondientes al en aminamiento de la in-
forma ion. Las redes existentes no in luyen esta posibilidad pero se ree que uando
se onsigan fabri ar de manera e iente onversores en longitud de onda (WLCs del
ingles "wavelength onverters") esta te ni a se llevara a la pra ti a. Los tiempos de
onmuta ion estimados son del orden de 1ns.
Moduladores externos. Los lasers que se fabri an en la a tualidad no se pueden
modular por inye ion de orriente por en ima de unos po os Gb/s. Las tasas binarias
de 10 y 40 Gb/s (estandares en sistemas DWDM, al menos la primera) se onsigue
empleando moduladores externos, es de ir, dispositivos que se pueden ha er transpa-
rentes u opa os en fun ion de una tension apli ada. Existen dos tipos de moduladores
externos: moduladores de ele troabsor ion y a opladores por efe to ele troopti o. Los
primeros son dispositivos a base de pozos uanti os, uyo estudio no se aborda en este
libro ya que su prin ipio de fun ionamiento se basa en un efe to uanti o. Los segun-
dos son a opladores por ampo evanes ente en los que se puede variar rapidamente la
longitud efe tiva de a oplo por efe to ele troopti o. Los tiempos de onumuta ion son
del orden de 10ps. En la g. f15.3g se ha representado un modulador de este tipo.
Cuando se ne esitan onmutadores de multiples entradas y salidas on tiempos de
onumuta ion muy ortos, no queda mas remedio que que fabri ar matri es de a opladores
22 que fun ionen por efe to ele troopti o. As, por ejemplo, se muestra en la g. f15.3g
un onmutador de ongura ion " rossbar". Este dispositivo tiene la ventaja de que no se
bloquea nun a y el in onveniente de requerir un numer N 2 de a opladores 22, donde N es
el numero de bras de entrada y de salida.
Captulo 16
Efe tos no lineales
Resumen: En los sistemas DWDM se propagan entenares de anales multiplexados
en longitud de onda, ada uno de los uales transmite una tasa binaria del orden de
algunas de enas de Gb/s. Las distan ias a las que se transmite la informa ion pueden
ser del orden de algunos miles de kilometros (por ejemplo en las omuni a iones
transo eani as). La onjun ion de estos dos he hos: poten ias opti as muy altas
y distan ias re orridas muy elevadas, ha en que sea pre iso tener en uenta las
intera iones no lineales entre los pulsos luminosos. Como regla general, los efe tos
no lineales son pro esos no deseados que degradan la alidad del enla e. En la
bibliografa se dan riterios de dise~no que limitan las poten ias maximas que
se pueden transmitir por ada anal en fun ion de la no linealidad onsiderada. En
este aptulo nos vamos a limitar a enumerar y expli ar el origen fsi o de
estos pro esos.
261
262 CAPITULO 16. EFECTOS NO LINEALES
16.1. Introdu ion

La opti a no lineal estudia los fenomenos en los que las propiedades del medio material
se ven modi adas por la presen ia de una luz muy intensa. Tpi amente solo la luz laser es
lo su ientemente potente omo para produ ir efe tos no lineales.
El sli e es un medio material po o propenso a sufrir este tipo de fenomenos [18℄{[45℄
de manera que en los sistemas donde se transmite un uni o anal y, a menos que se hayan
dise~nado para que propaguen solitones, los efe tos no lineales son po o importantes. La
situa ion es, sin embargo, muy distinta en los sistemas DWDM, donde se propagan entenares
de anales a lo largo de entenares o in luso miles de kilometros. Es la onjun ion de estos
dos fenomenos (poten ias muy elevadas propagandose a lo largo de enormes distan ias) la
que provo a la apari ion de estos fenomenos que, en general, no son deseados y que degradan
las presta iones del enla e [26℄.
.. .
x+Ȗx+Ȧx=-qE(t)/m
2
o
k/2
m
-q
x(t)
k/2
Figura 16.1: Modelo de Lorentz de un atomo.
16.2. Origen mi ros opi o

En el modelo me ani o del atomo representado en la g. f16.1g suponemos que la
fuerza ele tromagneti a que mantiene al ele tron orbitando alrededor del nu leo es F =
kx(t) = m!Æ2 x(t). Esto es ierto siempre que el desplazamiento x(t) del ele tron on
respe to a su posi ion de equilibrio sea peque~no. Si el ampo ele tri o E (t) se ha e muy

16.2. ORIGEN MICROSCOPICO 263
6
V(x)
5
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
x
Figura 16.2: Desvia iones del poten ial respe to al paraboli o.
grande porque la luz es muy intensa, esta hipotesis deja de ser ierta, la fuerza que ejer en
los muelles dejan de ser propor ionales al desplazamiento y ya no derivan, por tanto, del
ampo poten ial paraboli o V (x) = 21 m!Æ2 x2 (t).
En la g. f16.2g se han representado en trazo grueso dos tipos de desvia iones frente
al poten ial paraboli o: la urva asimetri a representa una no linealidad propia de un medio
material sin simetra de inversion (no es el aso del sli e) mientras que la asimetri a es propia
de un medio on simetra de inversion (es el aso del sli e) [18℄. Solo vamos a onsiderar
este ultimo aso.
Para poder estudiar analti amente lo que o urre en presen ia de ampos ele tro-
magneti os intensos debemos modi ar la e ua ion diferen ial de Lorentz e introdu ir un
termino no lineal ad{ho peque~no. La e ua ion resultante es [18℄:
qE (t)
x + x_ + !Æ2x bx3 = (16.1)
m
Si resolvemos la e ua ion diferen ial (16.1) apli ando un metodo perturbativo, llega-
mos a la on lusion de que la polariza ion mi ros opi a provo ada por un ampo ele tri o
in idente senoidal tiene un aspe to pare ido la mostrado en la g. f16.3g. A la hora de
al ular el momento dipolar ma ros opi o no podemos, evidentemente, pasar al dominio
espe tral ya que las e ua iones no son lineales. La polariza ion ma ros opi a la podemos
expresar omo:
Z t Z t Z t Z t
P~ (t) = 1) (t )E~ ( )d + 3) (t 1 ; t 2 ; t 3 )E~ (1 )E~ (2 )E~ (3 )d1 d2 d3
1 1 1 1
P(t) 0,5
t/(2Pif)
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
0
-0,5
-1
Figura 16.3: Momento dipolar mi ros opi o no lineal (exagerado) provo ado por la e ua ion
(16.1).
Ahora vamos a determinar el tensor de sus eptibilidad de ter er orden 3) en una
serie de situa iones que tienen espe ial importan ia para nosotros, puesto que que des riben
fenomenos opti os no lineales que se produ en en los sistemas DWDM.
16.3. Efe to Kerr

Vamos a resolver la e ua ion (16.1) utilizando un metodo perturbativo, ya que asu-
mimos que bx2 !Æ2 [18℄. Vamos a suponer que por la bra se propaga una uni a portadora
uya pulsa ion es mu ho menor que la pulsa ion ara tersti a del os ilador de Lorentz, es
de ir, ! !Æ , por lo que el numero de dipolos en resonan ia es muy redu ido y por tanto el
tiempo medio entre olisiones muy alto (TÆ ' 1). Ademas, para simpli ar las e ua iones
vamos a despre iar el termino de fri ion x_ .
1. Aproxima ion de orden 1. No tenemos en uenta el termino no lineal bx3 on lo que

nos queda:
qE (! ) q=mE (! )
x1 + !Æ2 x1 = os(!t) ) x1 (t) = os(!t) )
m !Æ2 ! 2
Nq 2
1) = (16.2)
dV Æ m(!Æ2 ! 2)
2. Aproxima ion de orden 2. Consideramos la e ua ion ompleta, sustituyendo en el termino
16.3. EFECTO KERR 265
de la dere ha la aproxima ion de orden 1 y resolvemos en x2 :

qE (! )
x2 + !Æ2 x2 = os(!t) + bx31 (16.3)
m
9
qE (! )
x2 + !2x
Æ 2= os(!t) + bx31 >
>
>
m >
>
=
)
q=mE (! ) >
>
>
x1 = os(!t) >
>
!Æ2 ! 2 ;
qE (! ) 3q 3 bE 3 (! ) 3q 3 bE 3 (! )
x2 (t) = os(!t ) os(!t) os(3!t)
m(!Æ2 ! 2) 4m3 (!Æ2 ! 2)4 4m3 (!Æ2 ! 2 )4
(16.4)
Las os ila iones aso iadas al primer termino son las responsables del momento dipolar
lineal. El segundo termino es el responsable de que aparez a un efe to no lineal que
re ibe el nombre de efe to Kerr y que onsiste, tal y omo probaremos mas adelante,
en un ambio en el ndi e de refra ion del medio indu ido por la propia poten ia
opti a que se propaga por la bra. El ter er sumando des ribe la genera ion de un
ter er armoni o (una onda luminosa de pulsa ion triple) que no se produ e realmente
en bras opti as 1 .
Teniendo en ienta que la pulsa ion es mu ho menor que la pulsa ion ara tersti a
del os ilador de Lorentz, es de ir, ! !Æ , resulta que la sus eptibilidad diele tri a y la
polariza ion no lineal aso iadas al efe to Kerr tienen la siguiente expresion:
9
3Nq 4 b
3)K ' dV 4m3 !Æ8
>
>
>
>
=
>
(16.5)
>
PK (! ) = 3)K jE (! )j2E (! )
>
>
;
Lo que realmente nos interesa es al ular la varia ion produ ida en el valor de la
sus eptibilidad diele tri a (o en el ndi e de refra ion) por ausa del efe to Kerr. Teniendo
en uenta2 que la rela ion que hay entre la intensidad luminosa y el ampo ele tri o es
I = jE (2!)j , donde es la impedan ia del medio, resulta [87℄:
9
PK (! ) 23)KI
>
>
= = >
) n(I ) = n + n2 I ; n2 = n2Æ 3)K

>
=
Æ Æ (16.6)
>
> Æ
n2 = 1 + ) = 2nn
>
>
;
1 El motivo es que no se veri a la ondi ion de a uerdo de fase. En el apartado dedi ado al mez lado de
uatro ondas, expli aremos en que onsiste esta ondi ion.
16.4. Fenomenos no lineales aso iados al efe to Kerr

16.4.1. Automodula ion de fase (SPM)
Como onse uen ia del efe to Kerr, un pulso opti o de intensidad luminosa alta que
se propaga por una bra, sufre un pro eso de automudula ion de fase (SPM del ingles "Self
phase modulation"). Aquellas zonas del pulso donde la intensidad luminosa es mayor, "ven"
un in remento lo al del ndi e de refra ion uyo valor es n = n2 I , on lo que sufren un
retardo de fase on respe to a las zonas donde la intensidad es menor. Si la envolvente del
pulso tiene una poten ia opti a P onstante, la se ion transversal de la bra es A y la
longitud de la bra es L, enton es el retardo de fase es el mismo en todos los puntos del
pulso y su valor sera ' = 2n2 PÆLA . Evidentemente esta no es la situa ion habitual en
omuni a iones opti as, ya que la dispersion de la bra suavizara las transi iones de una
envolvente re tangular.
En la g. f16.4g se ha representado un pulso de envolvente Gaussiana, el desfase

a umulado y el hirp indu ido [47℄. Vemos que la automodula ion de fase produ e una dis-
tribu ion no uniforme de las omponentes espe trales a lo largo de la envolvente. En la gura
no se ha simulado el efe to de la dispersion romati a de la bra. Si la tenemos en uenta, el
hirp indu ido ha e que, en la mayor parte de las o asiones, la dispersion romati a distor-
sione mu ho la forma del pulso, por lo que, en general, se debe trabajar on poten ias opti as
lo su ientemente debiles omo para que no haya una automodula ion de fase apre iable.
La automodula ion de fase es, pues, un fenomeno indeseado en los sistemas DWDM que
debe evitarse. Sin embargo, si los sistemas se dise~nan uidadosamente, de manera que los
pulsos tengan una envolvente muy espe ial (las llamadas ondas solitarias o, "solitones") la
SPM ombinada on una dispersion romati a negativa de un valor determinado ha e que
los pulsos se propaguen sin distorsion, es de ir, sin sufrir dispersion alguna [46℄.
En la g. f16.4g vemos que al prin ipio del pulso se a umulan omponentes espe trales
de baja fre uen ia, mientras que al nal estan las omponentes de mayor fre uen ia. En
denitiva, la SPM indu e un oe iente de hirp (CÆ ) negativo en el pulso. Si la dispersion
romati a de la bra es negativa (esta es la situa ion habitual para la mayor parte los
sistemas en ter era ventana) las omponentes espe trales de menor fre uen ia (que van al
prin ipio del pulso) se propagan on menor velo idad que las de mayor fre uen ia (que
van al nal del pulso), por lo que se produ e una " ompresion" del pulso. En el aptulo
2 ya estudiamos un fenomeno pare ido. La diferen ia estriba en que ahora el fenomeno
de ompresion no se produ e por la presen ia de un hirp ini ial en el pulso, sino por la
automodula ion de fase. Esta tenden ia que tiene el pulso a omprimirse puede ompensar
ompletamente la dispersion romati a (que tiende a ensan har el pulso) si la envolvente tiene
una forma muy parti ular: la del "soliton" de primer orden 2 . En la a tualidad existen algunos
sistemas omer iales basados en una varia ion de este prin ipio ono ido omo propaga ion
de solitones on gestion de la dispersion [7℄{[35℄{[46℄.
2 La e ua ion no lineal de S hrodinger, que es la que des ribe la propaga ion de solitones por bras opti as,
puede integrarse apli anso el metodo del s attering inverso [100℄{[108℄.

16.4. FENOMENOS NO LINEALES ASOCIADOS AL EFECTO KERR 267
0,8
0,6
0,4
0,2
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
-0,2 t
-0,4
Figura 16.4: Chirp produ ido en un pulso Gaussiano por la automodula ion de fase. La
envolvente se ha representado en trazo dis ontinuo. El desfase es = 2n 2L
Æ A P (t), mientras
que el hirp (que se ha representado en trazo mas no) es ! = ddt .
16.4.2. Modula ion de fase ruzada (XPM)
La modula ion de fase ruzada (XPM del ingles "Cross phase modulation") apare e,
tambien, omo onse uen ia del efe to Kerr. O urren en sistemas DWDM, en los que se
produ e una varia ion no lineal de la fase en los pulsos de un anal determinado omo
onse uen ia de la poten ia opti a que ir ula por el resto de los anales [6℄. La expresion
de la XPM es [26℄:
2n2 L X
m (t) = [PÆm (t) + 2 PÆi (t)℄ (16.7)
Æ A i6=m
El primer sumando representa la SPM, mientras que el segundo es la XPM. La

situa ion peor se da uando en el resto de los anales se propaga un pulso (es de ir, un "1"
logi o) que solapa totalmente on el pulso que se esta propagando por el anal onsiderado.
En esta situa ion la varia ion de fase produ ida por la modula ion de fase ruzada vale:
2n2 L
m (t) = P (t)(2M 1) (16.8)
Æ A Æi
Evidentemente al evaluar esta expresion hemos sido ex esivamente pesimistas, ya que

hemos supuesto que todos los anales se propagan on igual velo idad. Esto es ierto solo
si la dispersion romati a de la bra es nula. Para redu ir los problemas provo ados por la
XPM se utilizan bras que tiene una dispersion romati a residual de unos 5ps/nmKm y se
toma un espa iamiento entre anales lo su ientemente alto omo para que la velo idad de
propaga ion de los anales adya entes sea onsiderablemente distinta [26℄. De esta manera
se onsiguen paliar los problemas planteados por la modula ion de fase ruzada, ya que los
pulsos se ruzan on velo idades relativas bastante altas. Otra manera de minimizar la XPM
es trabajar on bras de dispersion romati a alta, pero alternando dispersiones positivas on
negativas (iguales en valor absoluto), de manera que las velo idades relativas de propaga ion
de los pulsos anales adya entes son grandes.
16.5. Mez lado de uatro ondas (FWM)

En el apartado anterior determinamos la sus eptibilidad diele tri a de ter er orden
para el aso de una uni a onda in idente. Ahora vamos a onsiderar que se propagan tres
ondas de pulsa iones !1 , !2 y !3 . En este aso nos queda (ahora vamos a representar las
ondas por medio de fasores) [6℄:
1. Aproxima ion de orden 1. No tenemos en uenta el termino no lineal bx3 on lo que
nos queda:
qE (!1 ) ej!1 t + e j!1 t qE (!2 ) ej!2 t + e j!2 t qE (!3 ) ej!2 t + e j!2 t
x1 + !Æ2 x1 =
m 2 m 2 m 2
)
q=mE (!1 ) ej!1 t + e j!1 t q=mE (!2 ) ej!2 t + e j!2 t q=mE (!3 ) ej!3 t + e j!3 t
x1 (t) =
!Æ2 !12 2 !Æ2 !22 2 !Æ2 !32 2
2. Aproxima ion de orden 2. Consideramos la e ua ion ompleta, sustituyendo en el termino
de la dere ha la aproxima ion de orden 1 y resolvemos en x2 :
q X3 e!i t + e !i t qX 3 e!i t + e !i t
x2 + !Æ2x2 = + bx31 =
m i=1 2 m i=1 2
bq 3 X E (!i )E (!j )E (!k ) e!l t + e !l t
8m3 ijk (!Æ2 !i2 )(!Æ2 !j2 )(!Æ2 !k2) 2
)
q X3 E (!i ) e!i t + e !i t
x2 (t) =
m i=1 (!Æ2 !i2) 2
bq 3 X E (!i )E (!j )E (!k ) e!l t + e !l t
(16.9)
8m3 ijk (!Æ2 !i2 )(!Æ2 !j2)(!Æ2 !k2)(!Æ2 !l2 ) 2
El primer termino de esta ultima expresion no nos interesa ya que es el responsable de

la polariza ion lineal. El segundo esta aso iado al mez lado de uatro ondas. La polariza ion
ma ros opi a aso iada ( onsiderando, de nuevo, que el numero de atomos en resonan ia es
peque~no, por lo que TÆ ' 1) tiene la siguiente expresion:
Nbq 4 X E (!i )E (!j )E (!k ) e!l t + e !l t

PF3) (!l ) = (16.10)
8dV m3 ijk (!Æ2 !i2)(!Æ2 !j2 )(!Æ2 !k2 )(!Æ2 !l2 ) 2
16.5. MEZCLADO DE CUATRO ONDAS (FWM) 269
Ȧ=Ȧ+Ȧ-Ȧ
ijk i j k
P
Ȧ1 Ȧ2 Ȧ3
Ȧ 213 Ȧ132 Ȧ 321

Ȧ 123 Ȧ 312 Ȧ231
Ȧ 331
Ȧ 112 Ȧ 223 Ȧ 332 Ȧ 232
Ȧ
Figura 16.5: Se~nales espureas produ idas por el mez lado de uatro ondas.
Evidentemente se tiene que umplir !l = !i !j !k . Como estamos estudiando

omo afe ta el mez lado de uatro ondas (FWM, del ingles "Four wave mixing") a los
sistemas DWM, resulta laro que para que !l aiga dentro del an ho de banda de los anales
transmitidos, se tiene que veri ar que dos de los signos de (16.10) sean positivos y uno
negativo. Como los anales estan equiespa iado, !l tiene la misma pulsa ion que uno de ellos
on lo que el FWM puede introdu ir unas diafonas entre anales muy perjudi iales. Ademas
el numero de se~nales que se produ en por FWM es muy elevado, tal y omo se muestra en
la g. f16.5g.
Supongamos que por la bra se propagan tres anales de pulsa iones !1 , !2 y !3 .
Una onda que se podra generar sera aquella uya pulsa ion fuese !4 = !1 + !2 !3 . Sin
embargo, para que esta onda se pueda propagar por la bra es ne esario que se verique la
siguiente ondi ion:
~k4 = ~k1 + ~k2 ~k3 (16.11)
Esta ondi ion re ibe el nombre de a uerdo de fase y su signi ado fsi o es que se
tiene que onservar el momento total en este pro eso de intera ion entre los uatro fotones
[87℄. La ondi ion !4 = !1 + !2 !3 , a su vez, no representa mas que el prin ipio de
onserva ion de la energa total [87℄. La ondi ion (16.11) se umplira exa tamente en una
bra on dispersion romati a nula, ya que enton es la rela ion entre ~k y ! sera lineal y
puesto que se umple !4 = !1 + !2 !3 , automati a se veri ara la rela ion (16.11). Puesto
que el mez lado de uatro onda puede introdu ir una diafona muy importante, las bras
que se emplean en DWDM (las bras de dispersion plana) tienen una dispersion residual
de unos 5ps/nmKm, aun uando podran fabri arse on una dispersion mu ho mas baja. El
motivo es impedir que se umpla la ondi ion de a uerdo de fase y redu ir, as, el FWM [26℄.
Ȧs
ȦL
v
ȦL Ȧs
n
g fonón
Figura 16.6: S attering de fotones por efe to Raman espontaneo.
16.6. Efe to Raman estimulado (SRS)

Antes de estudiar el efe to Raman estimulado, vamos a des ribir el efe to Raman
espontneo [18℄. Se trata de un pro eso no resonante, lo que quiere de ir que se absorbe
un foton que tiene un energa inferior a la ne esaria para ha er pasar al atomo al estado
ex itado. El foton absorbido y el ele tron pasan a un estado virtual 3 . Cuando el ele tron
vuelve al estado fundamental este, en algunos asos, tiene una energa ligeramente mayor que
antes de produ irse la transi ion, ya que ha absorbido un fonon opti o (los fonones son los
uantos aso iados a las vibra iones de los enla es del material y transportan tanto energa
omo uasiimpulso). Por onsiguiente, el foton emitido tiene una energa ligeramente menor
que la que tena antes de produ irse la transi ion al estado virtual, tal y omo se muestra
en la g. f16.6g.
Si la luz esta generada por un laser y es su ientemente potente se produ e el denomi-

nado s attering Raman estimulado en el que un por entaje importante de la luz se tranforma
en la denominada onda Stokes ( uya pulsa ion es menor que la de la radia ion in idente,
!s < ! ). Ademas, a diferen ia de lo que o urre on el s attering Raman espontaneo, la luz
as produ ida no es isotropi a, sino que se propaga odire ionamente o ontradire ional-
mente on la radia ion que ex ita el pro eso. El motivo por el que se produ e este fenomeno
es que al propagarse por el medio tanto la intensa luz generada por el laser omo la onda
de Stokes, estos dos ha es intera ionan on el medio material estimulando la rea ion de
nuevos fonones opti os, on lo que se produ e una realimenta ion positiva [18℄. El resultado
es que una fra ion importante de la luz laser se puede transformar en la onda de Stokes,
tal omo se muestra en la g. f16.7g.
3 Los estados virtuales no pueden medirse experimentalmente y su tiempo de existen ia viene dado por la
segunda rela ion de in ertidumbre de Heissenberg: E t h.
16.6. EFECTO RAMAN ESTIMULADO (SRS) 271
ȦL
ȦL
ȦV
ȦS
ȦL ȦL
ȦL
ȦV ȦV
Ȧ=Ȧ-Ȧ
S L V Ȧ=Ȧ-Ȧ
S L V
Figura 16.7: Realimenta ion positiva que da lugar al efe to Raman estimulado.
Al efe to Raman se le puede dar una interpreta ion lasi a basada en el modelo de
Lorentz del atomo. Este fenomeno o urre porque los dipolos ele tri os que se indu en en
el medio material depende ligeramente de la distan ia interatomi a. Por tanto, uando los
enla es entre atomos vibran, el momento dipolar indu ido en el medio material se modi a.
El estado "n" ex itado (por las vibra iones del enla e) no es, en realidad, un estado dis reto,
sino que forma una banda, de manera que se puede produ ir transferen ia de energa desde
un !L a todo un ontinuo de valores !s (el an ho de banda es del orden de una de ena de
THz). Aunque el efe to Raman estimulado se puede usar para implementar ampli adores
distribuidos [5℄ inye tando una !L periodi amente a lo largo de la bra, en los sistemas
DWDM puede llegar a ser muy perjudi ial. Esto es debido a que los anales de mayor fre-
uen ia (menor longitud de onda) pueden a tuar omo poten ia opti a que estimule el efe to
Raman ( on lo que se ven atenuados), mientras que los de menor fre uen ia (mayor longitud
de onda) son ampli ados [26℄, tal y omo se muestra en la g. f16.8g. Evidentemente, se
prdu e SRS solo uando los pulsos de los distintos anales solapan. De nuevo, para minimi-
zar el tiempo de solapamiento de los bits, se trabaja on bras que tienen una dispersion
romati a residual onsiderable y on un espa iado amplio entre anales. De todas maneras
el efe to Raman limita la poten ia opti a total que se puede transmitir por la bra.
16.7. Efe to Brillouin estimulado (SBS)

El efe to Brillouin estimulado es pare ido al SRS salvo que los estados vibratorios del
sli e involu rados en este pro eso son a usti os y no opti os [18℄. Por este motivo el an ho
de banda de este fenomeno es muy estre ho y las distorsiones que provo a en los sistemas
DWDM son siempre distorsiones intra anal. La forma de evitar el SBS es impedir que la
poten ia opti a en ada anal supere un determinado valor maximo [7℄.
P
...
Ȝ
Bombeo por efecto Raman estimulado
...
Figura 16.8: Degrada ion en un sistema DWDM por SRS.
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Dispositivos a tivos y omponentes pasivos

Es uela Superior de Ingenieros de Sevilla

o omuni ar errores y/o erratas, onta ten, por

Todas las sugeren ias ser

1. Propaga ion de pulsos por medios dispersivos 7

5. Gana ia opti a de un semi ondu tor 85

10.Re eptores para omuni a iones opti as 171

15.Multiplexores y onmutadores opti os 257

1.1. Introdu ion

Figura 1.2: Modelo me ani o tridimensional del atomo

1.2. Modelo del medio diele tri o

Figura 1.3: Modelo me ani o unidimensional del atomo

En la g. f1.2g se muestra el modelo me ani o del atomo (modelo de Lorentz) [11℄,

1.3. Momentos dipolar mi ros opi o y ma ros opi o

Figura 1.5: Atenua ion y emision espontanea de luz

1.4. Sus eptibilidad diele tri a en medios de dos nive-

Esta resultado debe interpretarse on ierta autela. Evidentemente, el modelo me a-

En las g. f1.8g y f1.9g se muestran el aspe to de la parte real e imaginaria de la

r (! ) = ;r (! ) + j;;r(! ) = 1 + Rf(! )g + j If(! )g

k = kÆ n(! ) = kÆ nr (! ) + jkÆ n (! ) := (! ) + j (2!)

1.5. Sus eptibilidad diele tri a en medios de multiples

Donde la P indi a la parte prin ipal de la integral de Cau hy.

1.6. Propaga ion de pulsos luminosos

(! ) ' Æ + Æ L(! !Æ ) + 2Æ L(! !Æ )2

Por tanto, el pulso propagado a lo largo del anal es:

U (L; t) = F 1 fA~(0;  )e j _ ÆL e j 2Æ L 2 ge Æ L j (!Æ t Æ L)

Vemos, pues, que al ha er el ambio de variable  := ! !Æ , podemos trabajar on la

temporal que sufre el pulso tras re orrer la distan ia L y donde ! es la an hura

Si solo estamos interesados en al ular la dispersion del pulso, podemos ignorar el

 DE UN PULSO DE ENVOLVENTE GAUSSIANA

1. A~(0;  ) no es la transformada de Fourier del pulso luminoso a la entrada del anal. Es

1.7. Propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana

Puesto que la fun ion de transferen ia es:

La transformada de Fourier del pulso propagado es:

= q ÆÆ e 2 e j _ÆL Æ2 + 2j Æ Lexp  22

 DE UN PULSO DE ENVOLVENTE GAUSSIANA

Para poder interpretar que ha o urrido on el pulso despues de propagarse, tenemos

Teniendo en uenta las rela iones anteriores, resulta:

Interpretar esta formula es sen illo, ya que podemos determinar la expresion de la

 (2Æ2 + 2(1 + jCÆ )j Æ L)

Si ahora al ulamos la transformada inversa obtenemos:

Si ahora tenemos en uenta que:

0 200 400 600 800 1000

t02 (1 + jCÆ ) t02 (1 + jCÆ ) (Æ2 CÆ Æ L) j Æ L

0 t02 j [CÆ Æ2 (1 + CÆ2 ) Æ L℄ j 1 Æ L

Viendo de la e ua ion (1.26) es fa il omprender el omportamiento ualitativo de la

Problema 2: Considere la propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana. La

2.1. Introdu ion

En la g. f2.1g se muestra la estru tura optogeometri a de tres tipos de bras: la bra

Figura 2.2: Apertura numeri a de una bra opti a.

n21 n22 (n1 + n2 )(n1 n2 )  2n1 (n1 n2 ) n1 n2

La ultima expresion es aproximadamente ierta debido a que el salto de ndi e adi-

En la misma g. f2.3g, en su parte dere ha, se ha representado tambien el rayo mas

Se puede al ular (aunque no lo haremos) la dispersion intermodal para ada valor

2.3. E ua iones de onda

2.3. ECUACIONES DE ONDA 39

r r E~ ! = j!Æ(r H~ ! ) = !2ÆÆ n2(!)E~ ! = !2 n 22Æ(!) E~ ! = kÆ2 n2 (!)E~ !

E~ ! + kÆ2 n2 (! )E~ ! = 0 (2.8)

Operando de manera analoga on la segunda e ua ion, llegamos a una expresion

E~ ! + kÆ2 n2 (! )E~ ! = 0

rtr = ~ur r + ~u r

Todas las sugeren ias ser

1. Propaga ion de pulsos por medios dispersivos 7

5. Gana ia opti a de un semi ondu tor 85

10.Re eptores para omuni a iones opti as 171

15.Multiplexores y onmutadores opti os 257

1.1. Introdu ion

Figura 1.2: Modelo me ani o tridimensional del atomo

1.2. Modelo del medio diele tri o

Figura 1.3: Modelo me ani o unidimensional del atomo

En la g. f1.2g se muestra el modelo me ani o del atomo (modelo de Lorentz) [11℄,

1.3. Momentos dipolar mi ros opi o y ma ros opi o

Figura 1.5: Atenua ion y emision espontanea de luz

1.4. Sus eptibilidad diele tri a en medios de dos nive-

Esta resultado debe interpretarse on ierta autela. Evidentemente, el modelo me a-

r (! ) = ;r (! ) + j;;r(! ) = 1 + Rf(! )g + j If(! )g

1.5. Sus eptibilidad diele tri a en medios de multiples

1.6. Propaga ion de pulsos luminosos

(! ) ' Æ + Æ L(! !Æ ) + 2Æ L(! !Æ )2

U (L; t) = F 1 fA~(0; )e j _ ÆL e j 2Æ L 2 ge Æ L j (!Æ t Æ L)

Vemos, pues, que al ha er el ambio de variable := ! !Æ , podemos trabajar on la

Si solo estamos interesados en al ular la dispersion del pulso, podemos ignorar el

DE UN PULSO DE ENVOLVENTE GAUSSIANA

1. A~(0; ) no es la transformada de Fourier del pulso luminoso a la entrada del anal. Es

1.7. Propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana

Puesto que la fun ion de transferen ia es:

= q ÆÆ e 2 e j _ÆL Æ2 + 2j Æ Lexp 22

DE UN PULSO DE ENVOLVENTE GAUSSIANA

Para poder interpretar que ha o urrido on el pulso despues de propagarse, tenemos

Interpretar esta formula es sen illo, ya que podemos determinar la expresion de la

(2Æ2 + 2(1 + jCÆ )j Æ L)

t02 (1 + jCÆ ) t02 (1 + jCÆ ) (Æ2 CÆ Æ L) j Æ L

0 t02 j [CÆ Æ2 (1 + CÆ2 )Æ L℄ j 1 Æ L

Viendo de la e ua ion (1.26) es fa il omprender el omportamiento ualitativo de la

Problema 2: Considere la propaga ion de un pulso de envolvente gaussiana. La

2.1. Introdu ion

En la g. f2.1g se muestra la estru tura optogeometri a de tres tipos de bras: la bra

Figura 2.2: Apertura numeri a de una bra opti a.

n21 n22 (n1 + n2 )(n1 n2 ) 2n1 (n1 n2 ) n1 n2

La ultima expresion es aproximadamente ierta debido a que el salto de ndi e adi-

En la misma g. f2.3g, en su parte dere ha, se ha representado tambien el rayo mas

Se puede al ular (aunque no lo haremos) la dispersion intermodal para ada valor

r r E~ ! = j!Æ(r H~ ! ) = !2ÆÆ n2(!)E~ ! = !2 n 22Æ(!) E~ ! = kÆ2 n2 (!)E~ !

Operando de manera analoga on la segunda e ua ion, llegamos a una expresion

rtr = ~ur r + ~u r

En vez de plantear la e ua ion de dispersion por el metodo mas dire to (que es

Teniendo en uenta estas deni iones, nos queda:

F1 (r) = NKl (W r) r a (2.17)

Ez = CKl (W r) R[ejl e j (!)z ℄ ra >

2.4. E ua ion de dispersion

Las omponentes Er , E , Hr y H se al ulan a partir de Ez y Hz utilizando las

f2.9g, resulta un sistema de uatro e ua iones lineales y homogeneas en A, B , C y D que,

Si resolvemos la e ua ion de dispersion de partida (2.20) omprobamos que a medida

2.5. E ua ion de dispersion adimensional

De la expresion anterior dedu imos que la onstante de propaga ion adimensional b

Figura 2.12: Distribu ion transversal de poten ia del modo LP42 .

3.1. Introdu ion

3.2. Mi roestru tura del sli e

3.3. Curva de atenua ion de la bra opti a

El oe iente de atenua ion de una bra se mide indistintamente en unidades naturales

3.4. Dispersion romati a del material

Si ahora tenemos en uenta que = 2 n ( ) y que = 2 Æ resulta:

El ndi e de refra ion de grupo, ng permite al ular la velo idad de un paquete de

3.5. Dispersion romati a de gua

El tiempo medio depropaga i

donde n2g es el ndi e de refra ion de grupo de la orteza y es el salto de ndi e

La forma en la que se dedu e el tiempo medio de propaga ion de un pulso luminoso

Figura 3.8: Componentes de la dispersion romati a de una bra SMF.

multimodo la dispersion intermodal es dominante). Vemos que la dispersion romati a de

Figura 3.10: Cara tersti as dispersivas de algunas bras espe iles.

es puramente histori o ya que se utilizaron en la mayora de los tendidos realizados en la

7 Del ingles "Dispersion shifted single mode ber".

Figura 3.12: Fun ion de densidad de probabilidad de la dispersion de polariza ion.

3.7. Dispersion de polariza ion

Solu ion: La dispersion romati a del material viene dada por:

Solu ion: Cal ulemos primero el salto de ndi e adimensional:

4.1. Introdu ion

Figura 4.2: Estru tura de un laser y su analoga on la de un emisor de ondas RF.

En estas e ua iones N2 representa el numero de atomos que, por unidad de volumen,

la emision espontanea, se produ e el paso de un atomo del estado energeti o superior al

Tambien podemos determinar omo vara on el tiempo la pobla ion atomi a: