Sensores de Presión Piezo Resistores

Holguín V. Juan David, Quintero G. Sebastián, y Henao C. Juan Guillermo

Ingeniería de Materiales,
Universidad de Antioquia
David.holguin@udea.edu.co, sebastian.quintero3@udea.edu.co, jguillermo.henao@udea.edu.co.

Resumen-El cambio de la
resistencia eléctrica en un
material cuando está
sometido a una presión o
estrés mecánico (tensión o
compresión) que a su vez
genera una deformación, es
un fenómeno llamado
piezoresistividad el cuál ha
tenido un gran impacto a
nivel industrial, abarcando
principalmente el área de la
electromecánica. Con
implementación de nuevas
tecnologías e investigaciones
de alta ingeniería, conociendo
los materiales que tengan o
puedan alcanzar estas
propiedades como el silicio
uno de los grandes
semiconductores debido a su
estructura mono cristalina,
pero sobre todo un material
que posee esta propiedad, su
gran abundancia en la
corteza terrestre
aprovecha este material y su
desarrollo en
microelectrónica como los
MEMS (MEMS,
MicroElectromechanical
Systems, por sus siglas en
inglés).
Palabras Clave- piezo
resistivo, silicio,
microelectrónica.
INTRODUCCIÓN
En el siguiente documento se
presentará el funcionamiento
de un sensor piezoresistivo,
su fabricación y sus
principales usos, partiendo
desde su materia prima
principal: El Silicio,
explicando su formación,
cristalografía y Los principales usos de los
esquematizando su
estructura cristalina para
hablar de sus propiedades,
dando paso a los principios
físicos y los fenómenos que
se rigen dentro de estos
sensores aplicados a la
tecnología MEMS como
nueva tecnología en el
desarrollo de sistemas micro
electromecánicos en
circuitos integrados de
características
tridimensionales e inclusive
piezas móviles que pueden
resolver problemas que
incluso un microprocesador
junto con un software no
pueden resolver, esta I. MARCO TEORICO
tecnología junto con IOS
(silicio sobre aislante) que
consta de tres capas de Los MEMS han
evolucionado a tecnologías
silicio en diferentes
presentaciones se mostraran que buscan miniaturizar
sistemas complejos
brevemente en el artículo.
integrando múltiples
funciones en un paquete
pequeño o en un simple
dado. (citaredalyn). El
primer semiconductor
fabricado fue el transistor en
la Bell Laboratories por
Shockley, Bardeen y Brattain
en 1947 (Sosa,2006). Esto
dio como resultado un
avance considerable en el
desarrollo de la tecnología
que brindaría sistemas más
pequeños, rápidos y con bajo
costo debido a las múltiples
técnicas de fabricación
empleadas para la
fabricación de circuitos
se integrados a base de (Si). La
la
eficiencia de los MEMS es
una de las principales
motivaciones detrás del
desarrollo debido a que estos
han demostrado ser rápidos,
eficientes y económicos.
Según Vittorio (2001) el
sensor de presión de silicio
fue el primero de los micro
sensores y el más exitoso.
Además, la disponibilidad
del silicio como materia
prima fomentó el desarrollo
de técnicas de micro
semiconductores cuya
variedad ha crecido para
abarcar mediciones físicas,
químicas y biomédicas.
piezoresistores han
producido medidores de
tensión piezoresistivos cada
vez más complejos, sensores
de presión, acelerómetros y
sensores de fuerza / Semiconductor intrínseco:
desplazamiento, incluidos
muchos productos
comercialmente exitosos.
A. Cristalografía del silicio.
Para estudiar la simetría de
los cristales utilizando
herramientas matemáticas es
necesario idealizarlos, el
cristal se idealiza como un
objeto infinito generado por
una serie de repeticiones que
se hacen periódicas en tres
dimensiones, ocupando todo
un volumen dado, a esta
repetición la llamamos red,
estas generan propiedades en
los materiales incluyendo la
conductividad eléctrica y
térmica, la peizoresistencia,
la piezoelectricidad, el
coeficiente de rigidez etc.
La dependencia de la
orientación de la dirección a
lo largo de la cual se miden
los ejes del cristal se
denomina anisotropía, la
cual tiene una razón con el
apilamiento de los átomos de
un cristal. El silicio
cristalino forma una
estructura diamante-cubica
con enlaces covalentes, estos
átomos tienen muchos
electrones en su nivel más
externo (capa de valencia) y
tienen tendencia a ganar más
electrones que a perderlos.
El silicio posee cuatro
electrones de valencia el cual
le genera 4 enlaces
covalentes, así se coordina
tetraédricamente con
ángulos de 109.5° lo cual le
da su estructura de diamante,
figura 1.
Figura 1. Estructura cubica
tipo diamante del silicio.
El silicio puede usarse como
semiconductor intrínseco o
extrínseco.
cuando se rompe un enlace
queda un electrón libre y un
espacio vacío o hueco, el
cual ocupaba el electrón del
enlace. De esta forma se
obtiene corriente eléctrica
por el movimiento de los
electrones hacia los
potenciales positivos y por el
movimiento de los huecos
hacia los potenciales
negativos.
Semiconductor extrínseco:
esto se logra dopando el
silicio bien sea con un
elemento como donador de
electrones como el fosforo o
un elemento que retire
electrones del silicio y
genere huecos como el boro,
estos se conocen como
semiconductores tipo -n y
semiconductores tipo -p
respectivamente.
Figura 2. semiconductor
B. Sustratos de silicio
Los sustratos de silicio se
pueden conseguir en ambos
tipos de impurificación tipo
p (huecos como potadores de
carga) y tipo n (electrones
como portadores de carga) su
resistividad esta entre los
valores de 10000 Ωcm y
0.0001 Ωcm.
Los sustratos de silicio están
disponibles en obleas
circulares de 100 mm de
diámetro y 525 µm de
espesor, las obleas pulidas en
ambos lados a menudo
usadas en MEMS son
aproximadamente 100 µm
más delgadas que las obleas
estándar.
Grafica 1. Resistividad vs
concentración de esfuerzos.
C. Deformación
La deformación es la
respuesta de un sistema al
esfuerzo aplicado, la
deformación en ingeniería se
define como el cambio en el
tamaño o en la forma de un
cuerpo en la dirección de la
fuerza aplicada dividida por
la longitud inicial del
material, ecuación 1.
Ecuación 1.
D. Silicio como material de
dispositivos MEMS
El silicio tiene un límite
elástico tres veces mayor que
el del acero, sin embargo su
módulo de Young y su
dureza es cercana a la del
cuarzo , para los sensores
esto ofrece una resistencia a
los daños físicos y alta
frecuencia de vibración, la
densidad del silicio es
similar a la del aluminio por
lo que permite que los
dispositivos sean livianos, el
silicio no muestra
prácticamente histéresis
mecánica y su aplicación en
censado se encuentra por
debajo del límite elástico por
lo que se vuelve un material
altamente aplicable a la
detencción de magnitudes
físicas como la fuerza, la
presión etc.
E. Piezoresistividad.
Se denomina como la
mudanza de una resistencia
eléctrica debido a una
deformación o contracción
como resultado de una
presión aplicada.
Figura 3. Representación
gráfica de una resistencia.
Galgas extensiométricas.
Una galga extensiométrica
es un sensor que mide la
deformación, presión basada
en el efecto piezorresistivo,
un esfuerzo que ocasiona
deformación en una galga
producirá una variación en
su resistencia eléctrica, que
se produce por el cambia de
la longitud, cambio
originado en la sección o
cambio originado en
secciones longitudinales de
un material analizado en un
punto determinado.
Figura 4. Galga
extensiométrica.
F. Historia de los MENS
Basado en la teoría de del
desarrollo del silicio como
un material con propiedades
muy importantes en el
desarrollo de la ingeniería y
explicando su
funcionamiento en la
tecnología MENS, nos
remontamos a la historia que
abre paso al desarrollo de los
sensores piezoresistivos, en
el año 1958 Kulite y
Honeywell lograron generar
un desarrollo de galgas
extensiométricas, de silicio.
Una de las aplicaciones más
exitosas de los MENS es el
aprovechamiento de agregar
impurezas en sensores
piezorresistivos para medir
esfuerzos, tensiones y
presión, William Gardner
fue el primero en realizar tal
aprovechamiento en 1961.
En este mismo año Kulite
realizó una integración de
piezorresistores de silicio
dopados en un sustrato
delgado de silicio,
posteriormente en 1962,
Honeyweel; usando una
combinación de técnicas
como grabado isotrópico
húmedo, grabado en seco y
oxidación, fabrico los
primeros diafragmas de
silicio para sensores de
presión.
Para 1974 la Corporacion
Nacional de
Semiconductores (NSC) de
California, Estados Unidos
se enfocó en recrear una
línea extensa de
transductores de presión
como parte esencial de su
desarrollo y parte esencial de
su catálogo. Para 1990 surge
una necesidad de la ciencia,
la industria y la ingeniería
que se basaba no solamente
en la forma cómo se
fabricaban estos
instrumentos sino también
en su eficiencia con relación
a su tamaño, realizando
varias investigaciones y
ensayos de cómo aprovechar
de mejor manera las áreas y
espesores donde que se
requieren para realizar un
sensor, se puede decir que es
una nueva tecnología, puesto
que su investigación y
desarrollo tiene muy pocos
años de investigación, en la
actualidad lo que se busca es
mejorar estos efectos
piezorresistivos
disminuyendo notablemente
el área de trabajo, estos
dispositivos son muy
utilizados en la actualidad en
industrias tales como la
automotriz,
electrodomésticos, la
biotecnología,
telecomunicaciones, etc.
Actualmente los grupos de
investigación se basan
principalmente en el
desarrollo de nuevos
sustratos para desarrollar
sensores de presión, basados
en entornos hostiles, como lo
son la industria automotriz,
aeronáutica ductos
petrolíferos y sistemas
industriales de medición y
control, esta nueva rama de
los MENS es SOI.
G. Sensor piezorresistivo y su
funcionamiento.
Como se ha mencionado, el
efectivo piezorresistivo es el
cambio de la resistencia
eléctrica debido a algún tipo de
presión que se perciba, el
material principal utilizado es
el silicio dado que los
materiales de estructura atómica
monocristalina tienen un efecto
piezorresitivo cien veces mayor
que materiales que tengan una
estructura amorfa. La diferencia
de presión se mide
principalmente por el puente de
Wheatstone.
Figura5. Circuito de
Weatestone.
El circuito tiene como fin
calcular el valor de una
resistencia variable, acorde a
tres resistencias conocidas,
en el caso de los sensores de
presión, se acostumbra a
cambiar algunas de las
resistencias por sensores.
En la fabricación de los
sensores se crea una
membrana que se verá mejor
explicada en la estructura de
un piezorresistor, al someter
esta membrana a presiones,
la podemos esquematizar de
la siguiente manera,
teniendo en cuenta que estas
presiones son aplicadas
sobre áreas longitudinales y
transversas también, se
puede ver de la siguiente
gráfica.
Grafica 2. Membrana
deformada debido a una
diferencia de presiones.
H. Esquema de un sensor de
presión piezorresistivo.
Figura 6. Esquema de un
sensor piezorresistivo.
En el esquema podemos
identificar tres partes
principales que son:
1. Soport impurezas y tener una
e mejora en el coeficiente
piezoresistivo del silicio,
aumentando la sensibilidad
2. Membr para la toma de los datos
ana requeridos.
3. Capa J. Aplicaciones de los
sensible. sensores de presión.
En el soporte se utiliza
generalmente algún metal o El desarrollo de estos
sustrato de vidrio que es sensores, ha permitido una
unida al soporta por medio gran aplicación en varios
de una resina epoxi, la campos de la vida cotidiana
membrana es fabricada de tomando en cuenta factores
forma ansiotropica y la como temperatura o
superficie que es la capa ambientes hostiles. Son
sensible, es una oblea de utilizados en muchos
silicio donde se ubican los procesos industriales donde
piezorresistores. El se pueden destacar ´por
funcionamiento se basa en el
ejemplo: sistemas
flexionamiento de la hidráulicos, equipos de
membrana que entra por compresión, además de
medio del soporte, esta medición de niveles en los
presión genera cambios en
liquidos, también se usan en
las resistencias de la capa mantenimientos de
sensible, cabe aclarar que en máquinas que tengan una
esta capa hay un circuito de operación muy constate para
Weastestone presente, al predecir fallas.
aplicar esta presión se
comporta como un voltaje de Entre los principales
salida. mercados de estos sensores
se destaca la industria
automotriz, principalmente
I. Silicio Sobre Aislante (SOI) utilizados en sistemas de
recirculación de gases,
Es una tecnología de frenos antibloqueo,
fabricación microelectrónica cigüeñales, presión de
donde se sustituye la neumáticos, entre otros.
fabricación de obleas de
silicio monocristalino por En la biomedicina se han
una tecnología de silicio desarrollado para mediciones
sobre oxido de silicio que se oculares, craneales y
pueden evidenciar como dispositivos para medir
funcionamiento de presión sanguínea.
aislamiento dieléctrico que
proporciona reducción de En equipos de sumersión
capacitancias parásitas y marinos también se aplica
mejora escalabilidad de por medio de barómetros de
circuitos integrados. Se
buceo, en el ámbito
puede decir que los circuitos deportivo en calzado de
SOI operan un 50% más amortiguación regulada.
rápido que circuitos con
obleas de silicio
A pesar de ser una
tradicionales. tecnología tan reciente es
una tecnología que permite
La estructura SOI tiene seguirse desarrollando en
como gran ventaja que la varios campos de la
capa activa no hace contacto ingeniería y en beneficio de
directo con el diafragma las necesidades humanas,
debido a una capa de óxido comprendiendo que puede
de silicio que se crea y los tener una gran utilidad ya
separa, donde obtenemos un que el silicio es un material
piezoresistor con bajas
muy abundante sobre la piezoresistividad, la
corteza terrestre. piezoelectricidad y
el don de ser
piezotermico.

K. Referencias El efecto de
piezoresistividad
[1] J. Díaz-Verdejo, "Ejemplo de como se comento en
bibliografía", En Actas de las XI e, documento sirve
Jornadas de Ingeniería
Telemática, vol. 1, n. 1, pp. 1-5, para aumentar la
2013. resistividad de mi
material con ciertas
condiciones
CONCLUSIONES mencionadas, esta
propiedad se puede
El desarrollo de la utilizar en cualquier
arreglo para
ciencia en este caso
aplicada a la aumentar o
disminuir el
electrónica, le ha
permitido a los consumo de voltaje
así mismo podemos
hombres el avance y
la modernización de variar la corriente, a
partir de la ley de
tecnologías que, al
ser aplicadas, estas ohm.
traen un
mejoramiento
notorio en el ámbito
de recursos tiempo
y desempeño, tal es
el caso de los
dispositivos MENS,
dándole un paso
más en su evolución
hacia el bien común
buscado.

El estudio profundo
de los materiales,
brinda una gran
gama de
posibilidades de
usos de estos y el
buen manejo de sus
propiedades y
debilidades,
permiten avanzar
en un objetivo
específico (esto lo
notamos en el
silicio como
material
piezoeléctrico).

La transformación
de un esfuerzo o
presión aplicada en
cualquier material,
puede verse
aprovechada para
aumentar
propiedades de los
materiales o incluso
darle cualidades que
no poseían es el
caso de la