COMPARACIÓN ENTRE LOS DIODOS DE PROPÓSITO GENERAL, DIODOS DE RECUPERACIÓN

RÁPIDA Y DIODOS SCHOTKY.

1. Diodo de propósito general o pequeña señal:

Un diodo semiconductor de estado sólido está constituido en dos partes, integradas por
cristales de silicio (Si) de diferente polaridad. Para obtener dos cristales semiconductores de
polaridad diferente es necesario “doparlos” durante el proceso de producción del diodo,
añadiéndole a la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de
impurezas pertenecientes a átomos de otros elementos químicos (también
semiconductores), pero de valencias diferentes para cada una de las partes que formarán el
diodo, Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de
silicio, los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo
V. Boro, Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

Para fabricar un diodo, primeramente uno de los cristales de silicio se dopa añadiéndole,
como impureza, un elemento químico de valencia +3 (trivalente) como el galio (Ga), al final
del proceso se obtiene un semiconductor “tipo-p”, con polaridad positiva (P), que
presentará defecto o falta de electrones en la última órbita de los átomos de galio añadidos
como impurezas. En esas órbitas se formarán “huecos” en aquellos lugares que debían estar
ocupados por los electrones faltantes.

A continuación, el otro cristal de silicio, que inicialmente es igual al empleado en el proceso

anterior, se dopa también durante el proceso de fabricación del diodo, pero añadiéndole esta
vez impurezas pertenecientes a átomos de otro elemento químico también semiconductor,
pero de valencia +5 (pentavalente), una vez finalizado este otro proceso de dopado se
obtiene un semiconductor “tipo-n”, con polaridad negativa (N), caracterizado por presentar
exceso de electrones libres en la última órbita de los átomos añadidos como impurezas.
[# de referencia de la cita].

Una de las principales características de un diodo de propósito general, o de pequeña

señal, es que en estado de conducción soportan alta caída de tensión con baja caída te
voltaje, en inverso soportan una fuerte tensión negativa de ánodo con pequeñas
corrientes de fuga, como podemos observar en la gráfica.
Cuando está activo, asumimos que es un corto, ya que la caída sobre el mismo siempre
será constante y muy pequeña dentro de condiciones normales, ciertos factores como
la temperatura pueden cambiar drásticamente la curva normalizada, en inverso,
desplazándola hacia derecha, y en directo hacia la izquierda, esta elación se aprecia en
la ecuación de Shockley. [1]
 [# de referencia de la cita]

Para la ecuación de la izquierda:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensión entre

sus extremos.
 IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10−12 𝐴).
 q es la carga del 𝑒 − (electrón).
 T es la temperatura absoluta de la unión
 k es la constante de Boltzmann.
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
 VD es la diferencia de tensión entre sus dos extremos. [2].

Para la gráfica de la derecha:

Otras características, estáticas y dinámicas son:

Estáticas:
1. Polarización en inverso
2. Parámetros de conducción
3. Modelo estático
Dinámicas:

1. Parámetros de encendido
2. Parámetros de apagado
3. Influencia del tiempo de recuperación en inverso o en la conmutación [1*]
La activación del diodo se da cuando se supera un voltaje de umbral entre 0,7 y 2,5 V para un
diodo de silicio, para los diodos de Germanio desde 0,3 V.
El paso de diodo activo a apagado se produce cuando un diodo está conduciendo con una
corriente , la zona de juntura estará saturada de carga, proporcional a la densidad de la misma
que circule por el cuerpo del diodo. Si aplicamos una (corriente en inverso), entonces
forzamos a que se anulen las cargas con velocidad , después que la corriente pase por 0,
habrá cargas que cambien el sentido de conducción y conduzcan en inverso por un instante.
Hasta que llegan al

En inverso, se comporta idealmente como un circuito abierto y presenta una curva característica
de tensión real e ideal, representa que en este estado no conduce, hasta cierto umbral, y que
como se observa, a medida que aumenta el V(-), corrientes de fuga típicas aumentan hasta un
punto, dónde el diodo nuevamente conduce.

Ejemplo de funcionamiento de diodo ideal [3]

Dado que no se tienen condiciones ideales al momento de usar estos dispositivos, este
fenómeno posee una característica dinámica llamada recuperación inversa del diodo, que es
la principal característica que abre la puerta a nuevas topologías y aplicaciones de estos
dispositivos, en principio esto es que cuando el diodo pasa a corte, la corriente
momentáneamente se hace negativa.[4]
Dónde:

(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

corriente hasta llegar al pico negativo.

(tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de corriente hasta que
ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En
la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

(tiempo de recuperación inversa): es la suma de y . Representa el tiempo que

transcurre durante el apagado del diodo, en que la corriente alcanza su valor máximo (-) y
retornar hasta ≈ un 25% de dicho valor esto es alrededor de 25𝜇s para diodos de propósito
general y 5 𝜇s para diodos de FR (Fast- Recovery).

: Se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la

característica de recuperación inversa del diodo.

: Es el pico negativo de la intensidad.

: Es el pico negativo de la intensidad.

: El cambio de la en el tiempo por , que se denomina valor de pico negativo, y

mientras más grande sea, mayor será el ≈ hasta que desaparezca el exceso de cargas. [5]

Normalmente para un diodo de propósito general, el tiempo de recuperación es admisible a

menos de 1KHz, en cambio en uno de recuperación rápida a menos de 600KHz, la señal no
ha presentado aún dicho fenómeno, por lo que la primera diferencia es el rango de frecuencias
al que puede operar cada uno. [6]
 [1]

2. Diodo de Recuperación rápida:

Este dispositivo es ampliamente utilizado en alta frecuencia con corrientes bajas tiene los
mismos atributos que el rectificador de propósito general, salvo que su tiempo de
restablecimiento en inverso es mucho menor, en condiciones de laboratorio de 4, 8, 150, 200,
500ns, el tiempo de cruce, y sobre todo soporta más frecuencia, gracias a que al tener rangos
de voltaje y corriente más reducidos, son ampliamente utilizados, sobretodo en aplicaciones
dónde la velocidad de conmutación tiene importancia crítica. O en aplicaciones que requieren
una amplia resistencia contra sobretensiones

Estos diodos abarcan especificaciones actuales de voltaje desde 50V hasta unos 3KV, y de
menos de un amperio hasta cientos de amperes, [7] son dispositivos auxiliares a los transistores
en el proceso de conversión de corriente continua a corriente alterna. Cada conmutador (GTO,
IGCT o IGBT) requiere de un diodo complementario (p. ej., la "libre circulación" de potencia
reactiva) para permitir el funcionamiento del sistema convertidor de continua a alterna con
cargas inductivas.
Sin embargo, por lo general presentan unas pérdidas en conducción superiores a los Diodos
Rectificadores. [8]
 Curvas características de un diodo de
recuperación rápida. [10]

3. Diodo schottky

A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el diodo schottky tiene
una unión Metal-N.
Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutación, una baja caída de voltaje cuando
están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky está más
cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor común pero tiene algunas características que
hacen imposible su utilización en aplicaciones de potencia.

1. El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido
de la flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de
corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande y supera la
capacidad del diodo Schottky.

2. El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión inversa que tiene
que soportar el diodo sea grande. Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad
de aplicaciones en circuitos de alta velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se
necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo causa
poco gasto de energía. [11].
 [12]

La principal diferencia entre Schottky y diodo de propósito general es que un diodo Schottky se
hace de una unión de metal-semiconductor mientras que un diodo de PG está hecho de
un pn unión de dos semiconductores altamente dopados.

Diodos Schottky se utilizan para aplicaciones de fijación de voltaje, y en situaciones donde la

eficiencia del circuito necesita ser maximizada (ya que tienen la mínima diferencia de potencial a
través de ellos, se disipa menos energía). Por ejemplo, se utilizan en la construcción de células
solares. El símbolo de circuito para un diodo Schottky se muestra a continuación:

En comparación con el diodo de unión PN, tenemos las siguientes tablas:

[13]
 3. Diodos de Silicio y de Carburo de Silicio

La industria de los semiconductores tiene una historia de "más pequeños, más rápidos y más
baratos". Rendimiento y reducir el costo del dispositivo mediante la reducción del tamaño del
empaquetado es esencial para casi todos los tipos de productos semiconductores. Para los
productos energéticos, el rendimiento se mide por una mayor eficiencia y densidad de potencia,
mayor capacidad de manejo de potencia y mayor rango de temperatura de operación. Dichas
mejoras dependen en gran medida de las características deseables de los componentes de
potencia utilizados, tales como conmutación y pérdidas, alta frecuencia de conmutación,
características en un amplio rango de temperatura, temperatura de funcionamiento y alta tensión
de bloqueo. A medida que los componentes de potencia de silicio se aproximan a los límites,
los materiales semiconductores compuestos, tales como carburo de silicio (SiC) y nitruro de
galio (GaN) proporcionan la capacidad de mejorar dramáticamente estos parámetros. Hoy en
día, la necesidad de una mayor eficiencia en los productos finales es más crítica que nunca.
Aunque los productos de energía de silicio continúan viendo mejoras incrementales, los
dispositivos basados en materiales semiconductores compuestos son significativamente
mejores - en un gran número de casos no es posible con sus homólogos de silicio. Esto es cierto
para los componentes más básicos de la electrónica de potencia: diodos y transistores. Los
diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) han estado disponibles durante
más de una década, pero no fueron comercialmente viables hasta hace poco. [14].

Los diodos de potencia de silicio de mayor rendimiento son diodos de barrera Schottky. No sólo
los SBD tienen el tiempo de recuperación inversa más bajo (trr) comparado con los diversos
tipos de recuperación rápida (recuperación rápida epitaxial), recuperación ultrarrápida y diodos
de recuperación súper rápida, también tienen la caída de tensión directa más baja (VF). Ambos
parámetros son esenciales para una alta eficiencia. La Tabla 1 muestra una comparación de la
tensión de ruptura, VF y (trr) para diodos comúnmente disponibles. Mientras que los diodos de
barrera de Schottky tienen la ventaja de bajas pérdidas de avance y pérdidas de conmutación
insignificantes en comparación con otras tecnologías de diodo, el estrecho gap de silicio limita
su uso a una tensión máxima de alrededor de 200 V. Los diodos de silicio que operan por encima
de 200 V tienen VF y Trr mayores.

El carburo de silicio es un semiconductor compuesto con características de potencia superior

al silicio, incluyendo un gap de banda aproximadamente tres veces más grande, un campo de
ruptura dieléctrico 10 veces más alto y un coeficiente térmico tres veces mayor. Estas
características lo hacen ideal para aplicaciones de electrónica de potencia. Los dispositivos de
carburo de silicio tienen mayor tensión de ruptura, temperatura de funcionamiento y
conductividad térmica, así como un tiempo de recuperación más corto y una corriente inversa
menor que los diodos de silicio con voltaje de ruptura comparable. Estas características del
dispositivo equivalen a baja pérdida, conversión de energía de alta eficiencia, disipadores de
calor más pequeños, costos de refrigeración reducidos y firmas de EMI más bajas. El progreso
continuo en la elevación de la temperatura de funcionamiento (250º C +) y la alta tensión de
bloqueo prometen nuevas aplicaciones excitantes tales como impulsión del motor en HEV / EV
y transformadores de estado sólido. SiC ciertamente no es el único material semiconductor
compuesto que se considera para la próxima generación de energía

Los rectificadores Schottky de arseniuro de galio (GaAs) han estado disponibles desde la
década de 1990, pero sólo han encontrado aceptación limitada para las aplicaciones más
exigentes debido a su mayor costo que el silicio. GaAs, el campo de rotura y la conductividad
térmica son menores que el carburo de silicio. Más recientemente, los investigadores están
llevando a cabo, con nitruro de galio (GaN) para aplicaciones en los transistores de potencia.
GaN tiene bandgap similar y constante dieléctrica (por lo tanto, tensión de ruptura comparable)
a SiC. Tiene mayor movilidad de electrones pero sólo ¼ de la conductividad térmica. Esta
tecnología es temprana en su fase de desarrollo / comercialización relativa al SiC. Actualmente
hay muchos más dispositivos y proveedores de SiC. La Figura 1 muestra la reducción de las
pérdidas de conmutación en comparación con los diodos de recuperación rápida basados en la
carga mínima de recuperación inversa (Qrr) de SiC SBD durante el apagado. Con los diodos de
recuperación rápida de silicio, el trr aumenta significativamente con la temperatura como se
muestra en la Figura 2. En contraste, los SBD de SiC mantienen un trr constante
independientemente de la temperatura. Esto permite el funcionamiento de SiC SBD a una
temperatura más alta sin mayores pérdidas de conmutación. Las numerosas ventajas de
rendimiento de SiC SBD pueden resultar en dispositivos de potencia más compactos y más
ligeros con mayor eficiencia. SiC ha demostrado estabilidad a la temperatura en un amplio rango
de operación, como se muestra en la Figura 3. Esto simplifica la conexión en paralelo de
múltiples dispositivos y evita el escape térmico.

Con todos estos beneficios, ¿por qué el SiC no tuvo más impacto en los nuevos productos? Una
razón es la mejora continua de los dispositivos de silicio, que beneficia

Desde tener una infraestructura -proceso, diseño de circuitos, equipos de producción- que ha
sido ajustada por más de cincuenta años. Por el contrario, la tecnología SiC todavía está en su
infancia. El costo más alto de los dispositivos de SiC ha sido una barrera para la mayoría de las
aplicaciones comerciales. Esto se debe en gran parte al hecho de que el SiC es un material
mucho más difícil de procesar que el silicio. Por ejemplo, la implantación iónica costosa se utiliza
para el dopaje debido a la baja velocidad de difusión del SiC. Se lleva a cabo un ataque con
iones reactivos (RIE) con un plasma a base de flúor, seguido por un recocido en la Figura 2. El
tiempo de recuperación inversa de un FRD de silicio puede duplicarse fácilmente con un
aumento de la temperatura de unión de sólo 40ºC. Por el contrario, las SBD de carburo de silicio
son esencialmente planas en este mismo intervalo de temperaturas. Figura 1. Con un diodo de
barrera Schottky SiC (SBD), las pérdidas de conmutación se reducen en 2/3 en comparación
con un diodo de recuperación rápida de silicio (FRD). El Si FRD se utiliza para la comparación
ya que tiene una clasificación de voltaje comparable al SiC SBD.

Estas dificultades de procesamiento aumentan el costo y limitan los tipos de estructuras de

dispositivos que se pueden construir. Como resultado, el costo es alto y la disponibilidad
limitada. Sin embargo, el aumento en el interés y la adopción en muchas aplicaciones se debe
principalmente a:

1. Reducción de los costes de producción;

2. Disponibilidad de transistores de SiC;

3. Un grupo más amplio de proveedores;

4. El aumento de la energía verde en general, y la eficiencia de conversión de energía en

particular, impulsada por la legislación y las demandas del mercado
Referencias:
1. Obtenido:
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.1.Diodos
_potencia.pdf
2. Obtenido de:
http://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html
3. Obtenido de:
4. https://es.wikipedia.org/wiki/Ecuaci%C3%B3n_de_Shockley
5. Obtenido de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
6. Obtenido de:
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_1.htm
7. Obtenido de:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm
8. Obtenido de:
Hart, Daniel, “Electrónica de potencia”, Editorial Prentice Hall, Primera Edición, Madrid,
2001.
9. Obtenido de:
http://www.abb.com/product/db0003db004291/c125739900722305c1256f18003c1401.
aspx?productLanguage=es&country=CO
10. Obtenido de:
http://yzpst-tech.com/product-1-2-5-2-fast-recovery-diode-es/138928
11. Obtenido de:
http://unicrom.com/diodo-schottky/
12. Obtenido de:
http://pediaa.com/difference-between-schottky-and-zener-diode/
13. Obtenido de:
http://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/schottky_diode/characteristics-
specifications-parameters.php
14. Obtenido de:
http://www.rohm.com/documents/11303/41217/ROHM_SiC+Diodes_wp.pdf