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C.I.: 16.218.771 Daniel Eduardo Marcano Díaz C.I.: 19.415.380
C.I.: 16.218.771 Daniel Eduardo Marcano Díaz C.I.: 19.415.380
C.I.: 16.218.771
1. Polarización BJT:
a) Establezca las relaciones entre las gráficas obtenidas en la práctica con las
suministradas por el fabricante (hoja de datos), compárelas y; con ayuda de su
libro de texto y sus clases de teoría, explique el significado eléctrico (parámetros de
redes) de cada una de ellas:
VCC VBE
IB
R1 VBE 0.7V
VB VCC R1 * I B R1 1M W
IC * I B R2 2 K W
VC VCC I C * R2
Variamos el valor de la tensión Vcc para los valores propuestos en la tabla de la parte 1
de la práctica.
Cuando el Voltaje VCC es menor a 0.7 V el transistor esta en estado de CORTE. Una vez
que supera el voltaje de 0.7V mas la caída de voltaje en la resistencia Rb; entonces, éste
pasa al estado ACTIVO.
Tabla de los Valores Teóricos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT NPN (Tabla N°01)
Tabla de los Valores Prácticos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT NPN (Tabla N°02)
Tabla y Gráfica de la relación Vce-Ic:
Tabla de los Valores Prácticos de la relación Vce-Ic del Transistor BJT NPN (Tabla N°03)
Gráfica de los Valores Prácticos de la relación Vce-Ic del Transistor BJT NPN (Gráfico N°1)
Tabla y Gráfica de la relación Vbe-Ic:
Tabla de los Valores Prácticos de la relación Vbe-Ic del Transistor BJT NPN (Tabla N°04)
Gráfica de los Valores Prácticos de la relación Vbe-Ic del Transistor BJT NPN (Gráfico N°2)
Tabla y Gráfica de la relación Ic-(Ic/Ib):
Ic (mA) =Ic/Ib
0,00 0,00
0,00 0,00
0,00 0,00
0,00 0,00
0,00 0,00
0,00 0,00
0,75 227,27
2,00 273,97
3,30 292,04
4,60 300,65
6,00 310,88
Tabla de los Valores Prácticos de la relación Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT NPN (Tabla N°05)
Gráfica de los Valores Prácticos de la relación Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT NPN (Gráfico N°3)
Variamos el valor de la tensión Vcc para los valores propuestos en la tabla de la parte 1
de la práctica.
Cuando el Voltaje Vee es menor a 0.7 V el transistor esta en estado de CORTE. Una vez
que supera el voltaje de 0.7V mas la caída de voltaje en la resistencia Rb; entonces, pasa
al estado ACTIVO.
Tabla de los Valores Teóricos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT PNP (Tabla N°06)
Tabla de los Valores Prácticos de las Tensiones y Corrientes del Transistor BJT PNP (Tabla N°07)
Tabla y Gráfica de la relación Vec-Ic:
Tabla de los Valores Prácticos de la relación Vec-Ic del Transistor BJT PNP (Tabla N°08)
Gráfica de los Valores Prácticos de la relación Vec-Ic del Transistor BJT PNP (Gráfico N°4)
Tabla y Gráfica de la relación Veb-Ic:
Tabla de los Valores Prácticos de la relación Veb-Ic del Transistor BJT PNP (Tabla N°09)
Gráfica de los Valores Prácticos de la relación Veb-Ic del Transistor BJT PNP (Gráfico N°5)
Nota: La curva negra representa la línea de tendencia de los valores de la tabla que
graficamos, aproximada por medio de un polinomio de orden 2.
Tabla y Gráfica de la relación Ic-(Ic/Ib):
Ic (mA) =Ic/Ib
0,00 000,00
0,00 000,00
0,005 55,56
0,015 88,24
0,025 100,00
0,045 109,76
0,415 133,01
1,04 144,04
1,69 148,46
2,38 154,52
3,08 160,91
Tabla de los Valores Prácticos de la relación Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT PNP (Tabla N°10)
Gráfica de los Valores Prácticos de la relación Ic-(Ic/Ib) del Transistor BJT PNP (Gráfico N°6)
Nota: El transistor PNP opera de una manera similar a la del dispositivo NPN. Las
relaciones corriente-voltaje del transistor PNP serán idénticas a las del transistor NPN
excepto en que Vbe se tiene que reemplazar por Veb. Para el transistor NPN, las
corrientes de base y colector entran al transistor; mientras que, la corriente del emisor
sale; siendo esta, igual a la suma de las otras dos. Para el transistor PNP, las corrientes
de base y colector salen del transistor; mientras que, la corriente del emisor entra;
siendo esta, igual a la suma de las otras dos.
La expresión Ic/Ib se conoce como Ganancia de Corriente ideal del Emisor Común (esto
es cuando ro ; que es la resistencia asociada al defecto de Early, no está presente) y se
denota por la letra griega .
Cuando Ic/Ib es muchísimo mayor que 1 (100 o mayor, por ejemplo), la corriente de
base se hace muy pequeña en comparación a las corrientes de colector y emisor; razón
por la cual, se desprecia su valor, quedando la aproximación: I E �I C
2. Variación en la Polarización del BJT:
Teóricos Experimentales
Teóricos Experimentales
Al observar las Tablas N°11 y N°12 podemos notar como; las variaciones de Rpc ,
generan cambios mas bruscos entre los valores experimentales y los teóricos de las
tensiones en el transistor que, las variaciones de Rp1 . Esto significa que el punto de
operación del transistor es mucho más sensible a las variaciones de Rpc que a las
variaciones de Rp1 ; ya que, con solo variar Rpc ; algunas pocas unidades, se generaban
grandes cambios en las tensiones; no obstante, al variar Rp1 ; algunas decenas de
Ohmnios, no se generaban variaciones notables en las tensiones del transistor respecto a
los valores teóricos previamente calculados.
Para el caso en el que variamos la resistencia Rp1 ocurre lo contrario; esto es, cuando la
disminuimos hasta su valor mínimo ( 0KW ), es que el transistor cambia su estado de
operación de Activo a Saturación. Esto ocurre porque la resistencia en la base
(resistencia equivalente de Thévenin en la base vista hacia fuera del transistor)
disminuye al disminuir Rp1 de la siguiente manera:
Una vez logrados los objetivos de esta práctica, sabemos que los transistores
BJT pueden operar en uno de tres modos posibles: Corte (ambas uniones
polarizadas inversamente), Activo (Unión Base-Emisor polarizada directamente
y Unión Base-Colector polarizada inversamente) y Saturación (ambas uniones
polarizadas directamente).