Práctica 1.

Dispositivos no Lineales: diodos semiconductores

Objetivo General: Introducir el concepto de no linealidad en diodos semiconductores, así como familiarizarse con
sus propiedades no lineales y su comparación con un elemento lineal.

Objetivos Específicos:
1. Comprender el significado de no linealidad en componentes de circuito.
2. Construir un circuito a partir del diagrama esquemático.
3. Utilizar el digitalizador de señales con control por computadora.
4. Elaborar las curvas características de elementos lineales y no lineales. 5. Obtener la resistencia de los
elementos.

Nombre y carnet
de los estudiantes
Marco Teórico
La palabra “diodo” tiene relación con la palabra “electrodo”. La
palabra electrodo se utiliza para nombrar un elemento terminal de
un circuito eléctrico. Se puede inferir que la palabra diodo se usa
para un componente eléctrico de dos terminales (“di-” significa
dos, y “-odo” viene del griego “odos”: camino). En efecto, los
diodos de mayor uso actual están formados a partir de dos
materiales semiconductores. Un semiconductor tiene una
resistividad cuyo valor oscila entre los valores de los aislantes y
de los conductores. Los semiconductores se clasifican en
“intrínsecos” y “extrínsecos”.
a. Semiconductores intrínsecos: Supóngase que se tiene un
material con una estructura cristalina perfecta, es decir, los
átomos dispuestos en figuras geométricas regulares que se
repiten en todo el espacio ocupado por el material. Los electrones Figura 1. Diagrama esquemático de parte de la
más alejados del núcleo (llamados electrones de valencia y que configuración cristalina del silicio intrínseco, que
es un átomo tetravalente. Nótese que el
comúnmente participan en el mantenimiento de los enlaces
rompimiento de alguno de los enlaces covalentes
covalentes del cristal) pueden ser excitados de tal manera que se produce lo que se denomina par electrón / hueco.
convierten en electrones de conducción. La figura 1 muestra Al aplicarse un campo eléctrico externo, el
esquemáticamente un diagrama de un material semiconductor electrón podrá alejarse, mientras que el hueco
intrínseco, Silicio en este caso. Si se aplica un campo eléctrico al podrá ser “llenado” por algún otro electrón, lo que
material, tales electrones serán acelerados y transportarán su a su vez produce que el hueco se desplace de
carga a través del semiconductor. sitio.
El espacio
Marco dejado por el electrón, llamado hueco, será entonces
Teórico
ocupado
La palabra por otro electrón
“diodo” cercano.
tiene relación conÉste a su vez
la palabra dejará otroLa
“electrodo”.
hueco
palabraque eventualmente
electrodo se utilizaseráparaocupado
nombrarpor un tercer electrón
un elemento terminal yde
así
un circuito eléctrico. Se puede inferir que la palabra diodo se usaa
7 sucesivamente. En otras palabras, el hueco se desplazará
a lo
lo largo
para largo
un del del
material
material
componente como
como si si
eléctrico fuera
fuera
de una
dos una carga
carga
terminales positiva
positiva
(“di-”libre.
libre.EsEs
significa
bueno recalcar que el rompimiento de los
dos, y “-odo” viene del griego “odos”: camino). En efecto, los enlaces puede darse
por múltiples
diodos de mayor razones, una de
uso actual ellasformados
están la simpleaagitación
partir de térmica
dos de
de
los los
átomos
átomos cuandocuando el cristal
el cristal
se encuentra
se encuentra
materiales semiconductores. Un semiconductor tiene una a temperatura
a temperatura
ambiente.
resistividad cuyo valor oscila entre los valores de los aislantes y
b.
deSemiconductores
los conductores. Los extrínsecos: Los materiales
semiconductores semiconductores
se clasifican en
semiconductores
usualmente
“intrínsecos” contienen usualmente
y “extrínsecos”.impurezas contienen
que afectan
impurezas significativamente
que afectan
significativamente
la
a. resistividad.
Semiconductores En estos
la intrínsecos:
resistividad.
casos seSupóngase
En
hablaestosde casos
semiconductoreshablaun
que se tiene de
semiconductores
extrínsecos.
material con Existen extrínsecos.
una estructurados tipos: Existen
tipo n yperfecta,
cristalina dos
tipo tipos:
p. Aes continuación
tipo n ylos
decir, tipo p.seA
continuación
dará
átomos unadispuestos
explicación
se dará ensobre
una explicación
figuras lo que ocurre
geométricassobre enregulares
lounquesemiconductor
ocurre
que se en un
semiconductor
tipo n. Supóngase tipo que
n. Supóngase
se tiene un que
cristal
se de
tiene
repiten en todo el espacio ocupado por el material. Los electrones silicio,
un cristal
cuyos de átomos
silicio,
son
más cuyos átomos
tetravalentes
alejados del núcleo son(llamados
y contienen tetravalentes
14 electrones y contienen
electrones cada 14 electrones
uno.
de valencia Si dentro
y que Figura 2. Diagrama esquemático de parte de la
cada
del configuración cristalina del silicio con una
comúnmente participan en el mantenimiento de los enlaces que
cristal
uno. se
Si sustituyen
dentro del cristal
algunos se átomos
sustituyen por algunos
otros de átomos
fósforo por
impureza de fósforo, que es un átomo
otrospentavalentes
son de fósforo
covalentes que
del cristal) son
y tienen pentavalentes
pueden 15 ser
electrones y tienen
excitados cada de uno,15manera
tal electrones
el resultado
que se pentavalente. Cuatro de los electrones del fósforo
cada
será
convierten en electrones de conducción. La figura 1 muestra de
un
uno,
cristal
el resultado
con impurezas
será un que
cristal
contienen
con impurezas
un electrón
que más forman enlaces con los de silicio vecinos,
contienen
los necesariosun electrón
esquemáticamente para un formar
más de
loslos
diagrama enlaces
necesarios
de con lospara
un material átomos
formar vecinos,
semiconductor los mientras que el quinto electrón es susceptible de
enlacessecon
según
intrínseco, aprecia
los átomos
Silicio en este
en la figura
vecinos,
caso. 2. Si
Así,
según
seel átomo
se aprecia
aplica unde fósforo
campo en la figura
puede2.
eléctrico al liberarse en la red.
Así, el átomo
perder
material, fácilmente
talesde fósforo
un electrón,
electrones puede
seránelperder
cual afácilmente
acelerados su vez podráun electrón,
y transportarán adquirir suel
cual a asutravés
movilidad
carga vez
dentro podrá
delde adquirir
la red y podrá
semiconductor. movilidaddesplazarse
dentro decasi la red
libremente.
y podrá
desplazarse casi libremente.
Si ahora se considera lo tratado en el apartado anterior sobre semiconductores intrínsecos, el resultado global es el
siguiente: existe una cierta cantidad de huecos proveniente de los rompimientos de los enlaces por agitación
térmica (y su equivalente cantidad de electrones) y una cantidad adicional de electrones provenientes de las
ionizaciones de los átomos de fósforo. Como el número de electrones de conducción resulta mayor que el número
de huecos móviles, se dice que el semiconductor es mayormente negativo en cuanto a sus propiedades de
conducción, o sea, es tipo n. Los electrones en exceso se denominan portadores mayoritarios de carga, y los
huecos portadores minoritarios. Considérese ahora una red cristalina de silicio con impurezas de átomos de boro,
que son trivalentes con 5 electrones. En este caso, el átomo de boro requiere que un electrón del silicio se
desplace hacia él para formar el enlace.
Si esto ocurre, el electrón va a dejar tras de sí un hueco que podrá ser llenado por otro electrón, el cual a su vez
deja otro hueco en el lugar en que se encontraba y así sucesivamente. En otras palabras, se produce un hueco
móvil. El semiconductor tendrá un exceso de huecos (que se pueden considerar como que tienen carga positiva) y
por lo tanto es de tipo p. En este caso los huecos serán los portadores mayoritarios, mientras que los electrones de
conducción (provenientes de los rompimientos de los enlaces) serán los portadores minoritarios. Obsérvese que
tanto en el semiconductor tipo n como en el tipo p hay neutralidad eléctrica.
c. Construcción del diodo por unión pn: Cuando se ponen en contacto las superficies de semiconductores tipo n y
tipo p, los electrones del tipo n cercanos a la interfaz se difunden a través de la superficie de separación hacia el
tipo p, ocupando los huecos presentes. Esto crea en el semiconductor p una capa delgada sobrecargada de
electrones, contiguo a otra capa fina del semiconductor n deficiente de electrones, y por tanto positiva. Se forma de
esta manera un campo eléctrico dirigido del cristal n al cristal p. Este campo, que crea una 8 situación de equilibrio
que actúa como barrera para la difusión de más cargas, se denomina barrera de potencial.
La barrera de potencial es superable. Si se aplica un campo eléctrico externo con sentido opuesto y de magnitud
suficiente para vencer el campo que actúa como barrera, entonces los electrones móviles del semiconductor n
podrán difundirse a través de la superficie de separación, y los huecos también podrán efectuar su movimiento de
p a n.
Obsérvese que si el campo externo aplicado tiene la misma dirección del campo interno, entonces los electrones
móviles tenderán a alejarse de la superficie de separación y no se producirá una corriente significativa a través de
la superficie. Todo lo expuesto hasta el momento se puede resumir de manera práctica en lo siguiente: si se
conecta el lado p de un diodo al polo positivo de una fuente de corriente directa, se puede derribar la barrera de
potencial a partir de cierto voltaje dado y fluirá una corriente de conducción. Si se conecta la fuente con polaridad
opuesta, la barrera se hará mayor (mayor resistencia) y entonces la corriente inversa será muy pequeña. Si se
elabora la gráfica del voltaje aplicado a las terminales del diodo en función de la corriente, no se obtiene una línea
recta. Consecuentemente, la Ley de Ohm: V =RI , donde R es constante, no se satisface. Se dice entonces que el
dispositivo es no óhmico o no lineal. En el estudio de los diodos, es más usual trazar la denominada curva
característica, que es la corriente a través del diodo en función del voltaje. Estas serán las curvas de interés en esta
práctica.
Trabajo previo.
1. Elabore una figura similar a la figura 2 pero para el caso del átomo de boro (trivalente).

2. Haga diagramas que ilustren los conceptos expuestos en la sección c, “Construcción del diodo por unión PN”.
3. Determine el valor de la barrera de potencial para los diodos de silicio y germanio.
Silicio:________________

Germanio:________________

4. Explique al menos tres usos diferentes de los diodos.

5. Mencione los diferentes tipos de diodos.

6. Lea el apéndice A sobre el equipo marca PASCO de laboratorio.

Equipo
1. Fuente de corriente directa.
2. Dos cajas de resistencias.
3. Digitalizador de señales.
4. Dos detectores de voltaje.
5. Diodo rectificador de Silicio y diodo rectificador de Germanio.
Procedimiento:
Debe armar el siguiente circuito

Figura 3. Esquema del circuito para investigar la no linealidad del diodo. V 0 representa el voltaje de la fuente de
voltaje CD, R representa la resistencia de 1000 Ω y el otro símbolo representa el diodo.
Curvas Características y Resistencia Asociada
La primera parte de la práctica se enfoca en obtener las curvas características y la resistencia asociada a los
dispositivos (es decir, las gráficas I en función de Vd ). La corriente en el circuito se calcula del voltaje a través de la
resistencia R de la forma: I= V R / R . El programa se encarga de calcular la corriente directamente. Antes de armar
el circuito, asegúrese que los componentes están en óptimas condiciones, esto es, mida las resistencias que van a
utilizar y también los diodos, soliciten ayuda al profesor para que les explique como hacerlo.
1. Abra el programa Capstone de PASCO y busque el archivo correspondiente a esta práctica. Con ese archivo
usted podrá recopilar los datos obtenidos por el digitalizador en sus dos canales analógicos A y B.
2. Arme el circuito de la figura 3 usando el diodo de silicio y una resistencia R de 1k Ω. Es recomendable utilizar
cables de color rojo o azul cuando se sale del borne positivo de la fuente de voltaje, y utilizar cables de color negro
o verde cuando se retorna a la fuente en su borne negativo.
3. Conecte las puntas de los detectores de voltaje a los extremos del diodo (Canal A) y la resistencia (Canal B),
tome en cuenta la polaridad, rojo es positivo, y negro negativo.
4. No encienda la fuente sino hasta que su profesor haya revisado y lo apruebe.
5. A continuación, encienda la fuente con UN VOLTAJE NULO (perilla de voltaje completamente a la izquierda).
Asegúrese que la perilla de corriente esté a su máximo valor (girada totalmente hacia la derecha).
6. Cuando todo esté preparado, pulse el botón "Grabar (rojo)" (se localiza en la parte inferior izquierda) del
programa PASCO Capstone para iniciar el registro. Aumente el voltaje lentamente hasta que observe que la
corriente alcanza el valor de 0.040 A. NO sobrepase ese valor. Presione el mismo botón rojo para detener el
muestreo. Devuelva el voltaje a CERO.

Vaya a la siguiente página

 0,06

Corriente diodo de silicio (A)

7. En esta pantalla se va a graficar la Resistencia
contra Corriente. Pulse el botón "GRABAR y
0,04
aumente lentamente el voltaje de la fuente hasta
llegar a 0.040 A (indicado en el eje X de la gráfica),
recuerde no sobrepasar este valor. Presione el 0,02
botón DETENER. Gire la perilla de voltaje a la
izquierda para tener voltaje nulo y apague la
fuente. 0,00

Discusion: 0 5 10 15 20 25 30 35
Voltaje, Ch B (V)

Figura 4. Corriente en el circuito en función del voltaje en la fuente

Resistencia diodo silicio (Ω)

6000

4000

2000

0,000 0,005 0,010 0,015 0,020

Corriente diodo de silicio (A)

Figura 5. Resistencia del diodo de silicio en función de la corriente

8. Sustituya ahora el diodo de silicio por el diodo

Corriente diodo de germanio (A)

0,006
de germanio y en la caja de resistencia cambie el
valor de 1 kΩ por un valor de 10 k Ω. Repita el
procedimiento 5, 6 y 7 0,004

Discusion:
0,002

0,000

0 4 8 12 16 20 24
Voltaje, Ch B (V)

Figura 6. Corriente en el circuito en función del voltaje en la fuente

Resistencia diodo germanio (Ω)

3000

2000

1000

0,0000 0,0005 0,0010 0,0015 0,0020

Corriente diodo de germanio (A)

Figura 7. Resistencia del diodo de germanio en función de la corriente

9. Por último, sustituya el diodo de germanio por la

Corriente en la resistencia (A)

0,03
segunda caja de resistencias, seleccione un valor
de 100Ω En la primera caja de resistencias,
seleccione de nuevo el valor de 1 kΩ y repita el 0,02

procedimiento 5, 6 y 7
Discusión 0,01

0,00

0 5 10 15 20 25
Voltaje, Ch B (V)

Figura 8. Corriente en el circuito en función del voltaje en la fuente

110

Resistencia (Ω)
100

90

80

70

0,000 0,005 0,010 0,015 0,020 0,025

Corriente en la resistencia (A)

Figura 9. Resistencia del la caja de resistencias en función de la corriente

10. Para cada curva utilice la herramienta de ajuste ("Fit") que se localiza en el menú vertical a la izquierda, y
escoja el ajuste que se solicitan. Las curvas de resistencia no se deben ajustar.
(i) Para la resistencia de la caja: ajuste lineal.
(ii) Para los diodos: ajuste de exponente natural.
11. Proceda a analizar todos sus resultados, comentando particularmente sobre las diferencias y similitudes entre
los dos diodos para las gráficas I=I(V d) y Rd=Rd(I) . Asimismo, compare sus resultados con el comportamiento de
la resistencia de 100Ω.

Cuestionario
1. ¿Cuál es la diferencia en la curva característica del diodo de silicio con el diodo de germanio?

2. Determine el valor del potencial de barrera para cada uno de los diodos, compare sus resultados con los valores
teóricos.
3. En el caso de la resistencia, ¿cuál es el significado físico de la pendiente de la gráfica? ¿Corresponde al valor
teórico?

4. ¿Cómo varía la resistencia de un diodo en conducción cuando aumenta la corriente aplicada en sus terminales?
¿Qué significa esta variación? ¿Qué ocurre con la resistencia de la caja?