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INFORME 02 (Incompleto) V2
INFORME 02 (Incompleto) V2
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 1
ML 837 A
Docente:
Ing. Huamaní Huamaní Edilberto
Integrantes:
ORELLANA SOLIS JOSÉ 20141204F
MARIN QUISPE EDER 20134514C
CHONG LUNA JOSÉ 20151011F
OCHOA RIVAS DIEGO 20142550E
GONZALES CHAVEZ HANS 20151018K
CUYA HUARAJO GERSON 20152119E
Tema:
TRANSISTOR COMO
AMPLIFICADOR
2018-I
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica
INDICE
OBJETIVOS 02
1.FUNDAMENTO TEÓRICO 03
2.MATERIALES 08
3.PROCEDIMIENTO 09
6.CUESTIONARIO
7.CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
8.BIBLIOGRAFÍA
1. FUNDAMENTO TEORICO:
Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea
su impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo
que es válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo
necesariamente para otro. De todas formas, en todo amplificador existe un
margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente constante
(banda de paso del amplificador). El margen dinámico de un amplificador es la
mayor variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin distorsión a
la salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).
Ampliación
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partirá
del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuración
denominada de emisor común.
2. MATERIALES:
- 01 Fuente de Poder DC
- 01 Multímetro Digital
- 01 Osciloscopio
- 22µF ; 100µF
- 03 Protoboard
4. PROCEDIMIENTO
VR1=______ VR2=_____
2. Trabaje con Vi=10mV (1KHz) aumentando su amplitud hasta obtener (en la pantalla del
osciloscopio) un Vo máximo sin distorsión.
5. DATOS EXPERIMENTALES
Circuito 1:
VR1=8.57 V VR2=2.18 V
Ib=8.57 uA Ic=2.19 mA
Circuito II:
11 24 de abril del 2018
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica
Circuito III:
4.59 V
Vce (medido) Ib (calculado): Ie-Ic 6.71 uA
0.68 V
Vbe (medido) hfe=Ic/Ib 245.902
1.65 mA
Ic (calculado): hfe (medido) 257
Vrc/Rc
1.656 mA
Ie (calculado): hfe (guía) 250
Vrr/Re
10mV
Vi Vo 512 mV
6. SIMULACIONES:
CIRCUITO 1
Vbe=0.69V Vce=4.36 V
β=257.5
CIRCUITO 2
Vbe=0.69V Vce=4.48 V
β=261.7
CIRCUITO 3
Análisis DC
Vbe=0.69V Vce=4.48 V
β=261.7
Análisis AC
Vi=10mV Vo=492 mV
Vo 492
A= = =49.2
Vi 10
Osciloscopio
Vi=10mV Vo=492 mV
Vo 492
A= = =49.2
Vi 10
CUESTIONARIO
1. ¿Diga cuáles serían las causas para la distorsión en la salida?
3. Qué pasaría con A si se cambia RL por uno de mayor valor, por uno de
3,3 Kohm
Vo −hfe
A= = ( Rc|∨RL¿
Vi hie
Conclusiones:
Recomendaciones: