Análisis del Comportamiento de los

Transistores (septiembre 2018)

Almanza Carvajal Cristian, Escudero Corpas Carlos Daniel, Mesa Buelvas Roger David
Corporación Universitaria del Caribe – CECAR
Facultad de ciencias básicas, ingeniería y arquitectura
Programa de Ingeniería de Sistemas
Curso de electrónica básica
Docente a cargo: Romero Garavito Miguel Ángel
Sincelejo, Sucre – Colombia
cristian.almanza@cecar.edu.co, carlos.escudero@cecar.edu.co, roger.mesa@cecar.edu.co

Abstract - During the experimental practice, it was 2 – FORMULAS Y ECUACIONES

possible to analyze the behavior of a transistor, its
functionality, its classification and characteristics, Las fórmulas utilizadas para realizar el
using the 2N3906 and 2N3904 models to determine experimento fueron los siguientes:
the gain of the collector and the emitter.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (1)
Index – Transistor, PNP, NPN, Ohm's law, 𝑅𝑏
Kirchhoff's laws, diode, resistance.
𝐼𝐶
𝛽𝑑𝑐 = (2)
𝐼𝐵
1 – INTRODUCCIÓN 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 (3)

E l contenido de este documento alienta al

lector a conocer de una mejor forma la
implementación de los transistores.
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
3 – MATERIALES Y MÉTODOS
(4)

Los elementos utilizados durante el

Mediante la realización de este informe,
se pretende dentro del marco de esta segunda
práctica estudiar y analizar el comportamiento que
tiene el voltaje y la corriente cuando se tiene
presente un transistor en un circuito y como estos
influye en los dispositivos eléctricos.
El principal objetivo es formar una
capacidad de análisis crítico, de tal manera que
nos ayude a interpretar eficientemente los
resultados obtenidos, utilizando la ley de Ohm y
las leyes de Kirchhoff.
Además, realizar esquemas de conexión
de los transistores NPN y PNP en montajes de
circuitos eléctricos; medir los valores de la caída
de la tensión y corriente eléctrica en circuitos y
determinar experimentalmente la ganancia de un
transistor.
experimento fueron los siguientes:
 Tabla de conexiones protoboard.
 Transistores PNP y NPN.
 Cable de cobre tipo UTP.
 Multímetro digital.
 Resistores variados.
 Potenciómetro.
 Fuente de voltaje.
Los métodos empleados para los análisis
fueron la aplicación de la ley de Ohm y la ley de
Kirchhoff, el procedimiento es el siguiente:
 Primero, se identificaron los
componentes electrónicos y el equipo
requerido para realizar la práctica.
 Segundo, se procedió a la instalación de
los componentes en la placa de
conexiones (protoboard) siguiendo los
modelos de los circuitos presentados en
 la guía, teniendo en cuenta las
conexiones en serie y en paralelo, y el
ajuste de la fuente de voltaje.
 Tercero, se procedió a la toma de
mediciones y registro de las tensiones y
corrientes para cada uno de los modelos
presentados en la guía.
 Cuarto, se midió el voltaje y la ganancia
variando la resistencia de base desde 1kΩ
hasta 10kΩ (escala 1kΩ), mediante el
uso de un potenciómetro, para el primer
montaje.
 Quinto, Se midió la caída de la tensión
entre el colector – tierra y la caída de
tensión entre el emisor – tierra para cada
uno de los diferentes montajes.
 Por último, se realizó un análisis en base
a los resultados obtenidos para llegar a
una serie de conclusiones.
4 – MARCO TEÓRICO
A. Leyes de Kirchhoff:
Son leyes planteadas por el físico Gustav
Kirchhoff en las cuales describe el
comportamiento del voltaje y la corriente en los
circuitos eléctricos. Estas se dividen en ley de
corrientes (LCK) y ley de voltajes (LVK):
o La ley de corrientes de Kirchhoff
establece que, en cualquier nodo, la suma
de las corrientes que entran en ese nodo
es igual a la suma de las corrientes que
salen. De forma equivalente, la suma
algebraica de todas las corrientes que
pasan por ese nodo es igual a cero.
o La ley de voltajes de Kirchhoff establece
que, en un lazo cerrado, la suma de todas
las caídas de tensión es igual a la tensión
suministrada. De forma equivalente, la
suma algebraica de las diferencias de
potencial eléctrico en un lazo es igual a
cero.
B. Ley de Ohm:
Es la relación de corriente medida en
amperios que circula por un conductor, lo cual es
igual a la diferencia de voltaje, entre la resistencia
que se encuentra en ese conductor. Esto quiere
decir que para que exista una corriente eléctrica en
el conductor, debe existir un diferencial de tensión
entre ambos puntos.
En lo siguiente, se describirán los
elementos utilizados durante la práctica y su
funcionamiento:
C. Tabla de conexiones o protoboard:
La tabla de conexiones es un dispositivo
que permite enlazar y acoplar circuitos
electrónicos sin la utilización de soldaduras,
haciendo una conexión fácil y rápida; ideada para
montar circuitos de prueba. Su funcionamiento
consiste en conexiones por columnas y secciones
laterales por filas.
D. Resistencia:
La resistencia es eléctrica es aquella que
se opone al paso de los electrones para desplazarse
a través del conductor. Su unidad de medida en el
Sistema Internacional es el Ohmio, representada
por la letra griega (Ω), descubierta por el físico
alemán George Ohm quien descubrió este
principio.
E. Cables de cobre:
Son utilizados para la conexión de los
elementos electrónicos dentro de la placa de
conexiones (protoboard).
F. Multímetro digital:
Es una herramienta que permite realizar
mediciones de varias magnitudes como son el
voltaje, la resistencia, la capacitancia, intensidad
de la corriente eléctrica y frecuencia.
G. Resistor variable o potenciómetro:
Un potenciómetro es un resistor con un
valor variable, de esta manera, indirectamente, se
puede controlar la intensidad de la corriente que
recorre el circuito. Son utilizados en circuitos de
baja corriente, pero en circuitos con una mayor
corriente se utilizan reóstatos, los cuales pueden
disipar más la potencia. Es un resistor capaz de
introducir corriente en su punto intermedio de su
componente resistivo.
 H. Fuente de voltaje: Figura 1: transistores NPN y PNP. Tomado de:
https://www.infootec.net/wp-
Es un dispositivo capaz de convertir la
content/uploads/2016/12/transistor-diodos.png
corriente alterna en tensiones continuas que
alimenta diferentes elementos del circuito
eléctrico.

I. Transistores:
El transistor es un dispositivo
semiconductor que consta de tres zonas de
dopado. El material con que esté constituido en
cada una de sus capas definirá el tipo de transistor.
Existen dos tipos de transistores: transistor tipo
PNP y transistor tipo NPN. La capa del emisor es
frecuentemente dopada, la base ligeramente y el
colector solo un poco. La capa del centro (o sea la
base) tendrá un menor dopado que las capas Figura 2: esquema de un transistor. Tomado de:
externas, lo mismo ocurre en un transistor de tipo http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans
PNP pero de manera contraria. Esto para reducir _bipolar.htm.
la conductividad, aumentándose la resistencia del
material conformando la base, al limitar el número
de portadores libres. Un transistor es similar a dos
diodos conectados, el transistor consta de dos
uniones: una entre el emisor y la base y la otra
entre la base y el colector. El emisor y la base
forman un diodo, mientras que el colector y la
base forman el segundo diodo. Ambos Figura 3: los tres estados de un transistor. Tomado
denominados diodo emisor y diodo colector. de www.areatecnologica.com
El transistor PNP, la corriente resultante El funcionamiento de los transistores consiste
entra por el por el emisor y sale por el colector. en tres estados: en corte, en saturación y en activo:
En el transistor NPN, la corriente  En activo, deja pasar una corriente
resultante entra por el colector y sale por el variable.
emisor.  En corte, no deja pasar corriente, se tiene
En la figura 1 se muestran los dos tipos una corriente cero.
de  En saturación, deja pasar toda la
transi corriente, por lo tanto se tiene una
stores corriente máxima.
: Obteniendo un funcionamiento como el de
una llave de agua.

 Funcionamiento en corte:

Si no existe una corriente en la base, no

produce un paso fluido de la corriente desde el
emisor hacia el colector, el sistema está en reposo,
es decir no hay corriente, se tiene una corriente
cero.
  Funcionamiento en activo:

Si existe algo de corriente en la base, el

sistema permitirá el paso de corriente del emisor
hacia el colector.

 Funcionamiento en saturación:

Si llega una gran cantidad de corriente

por parte de la base, entonces la corriente del
emisor hacia el colector será la mayor cantidad Figura 4: Montaje 1A. Tomado de
posible de corriente, por mucha corriente que pase Romero Garavito Miguel Ángel.
por la base, la cantidad de corriente que pase del
emisor hacia el colector es siempre la misma, la Tabla 1:
máxima posible que permita el sistema, entonces
Mediciones del montaje 1A.
se tiene una corriente máxima.

Entonces la cantidad de corriente que

colector-
tierra
pase por la base del emisor es la que permite el
R(kΩ) (V) Ib (A) Ic (A) βdc
paso de la corriente del emisor hacia el colector,
actuando la base como un amplificador de la 1 0,0087 0,0093 0,00999 1,078
intensidad de la corriente. 2 0,0125 0,0046 0,00999 2,153
3 0,0168 0,0031 0,00998 3,219
En un transistor, cuando no llega
corriente en la base, no hay paso de corriente entre 4 0,0201 0,0023 0,00998 4,302
el emisor y el colector, funciona como un 5 0,0227 0,0019 0,00998 5,366
interruptor abierto (en corte), y cuando la base 6 0,0245 0,0016 0,00998 6,439
presenta una corriente máxima, su funcionamiento 7 0,0263 0,0013 0,00997 7,496
es la de un interruptor cerrado (saturación). 8 0,0296 0,0012 0,00997 8,595
9 0,0321 0,0010 0,00997 9,680
10 0,0341 0,0009 0,00997 10,709
5 – RESULTADOS

 Montaje 1A:
Grafico 1
Descripción: el montaje 1A funciona
Relación intensidad de la corriente Ib vs voltaje
utilizando una fuente de 10V, un interruptor o
(V)
suiche, una resistencia variable de 10 kΩ, para
variar la cantidad de voltaje que recibe la base del
transistor, una resistencia fija de 1 kΩ y un
transistor tipo PNP, el voltaje del emisor – tierra
Ib (A) vs Voltaje (V)
siempre será 0V, como se muestra en la siguiente 0.01
figura (Figura 2): 0.009
y = 18.267x2 - 1.0566x + 0.0162
0.008
R² = 0.9501
Corriente Ib (A)

0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
0.0000 0.0100 0.0200 0.0300 0.0400
Voltaje (V)
Se muestra la curva característica del 5: Montaje 2A. Por seguridad, se ha modificado el
comportamiento no lineal del transistor cuando se valor de la fuente debido a su alcance, con un
mide la corriente de la base y el voltaje. valor de 22V. Tomado de Romero Garavito
Miguel Ángel.

Tabla 2:

Mediciones del montaje 2A.

Colector - Emisor -
Ic (A) Ie (A) tierra (V) tierra (V)
Grafico 2 0,00322 0,00326 10,35 3,04

Relación intensidad de la corriente Ic vs voltaje

(V)  Montaje 2B:

Descripción: el montaje 2B cuenta con una

Ic (A) vs Voltaje (V) fuente de 15V, cuenta con cuatro resistencias fijas
0.01000 (R1: 10 kΩ, R2: 2.2 kΩ, Rc: 2.7 kΩ y Re: 1
y = -0.0009x + 0.01 kΩ), además cuenta con un transistor del tipo
0.00999 R² = 0.8793 PNP, este circuito puede apreciarse en la siguiente
Corriente Ic (A)

0.00999 figura
(Figura
0.00998 4):
0.00998

0.00997

0.00997
0.0000 0.0200 0.0400
Voltaje (V)

Se muestra la curva característica del

comportamiento no lineal del transistor cuando se
mide la corriente del colector y el voltaje.

 Montaje 2A
Descripción: el montaje 2A cuenta con una
batería de 22 V, cuenta con cuatro resistencias
fijas (R1: 10 kΩ, R2: 2.2 kΩ, Rc: 3.6 kΩ y Re:
1 kΩ), y un transistor tipo PNP, como se muestra
en la siguiente figura (Figura 3):
Figura 6: Montaje 2B, guarda similitud
con el anterior montaje en cuanto a las resistencias
R1, R2 y Re, la fuente es de un voltaje menor a la
del montaje 2A. Tomado de Romero Garavito
Miguel Ángel.
Tabla 3:

Mediciones del montaje 2B.

Ic (A) Ie (A) Colector - tierra (V) Emisor - tierra (V)

0,00201 0,00203 9,74 1,94
F
igura
  Montaje 2C:

Descripción: el circuito 2C cuenta con una

fuente de 10V, igual que en el montaje 2F, cuenta
con cuatro resistores fijos (R1: 330 kΩ, R2: 100
kΩ, Rc: 150 kΩ y Re: 51 kΩ), además cuenta
con un transistor del tipo PNP, este circuito puede
apreciarse en la siguiente figura (Figura 5):

Figura 8: Montaje 2D, no guarda ninguna

similitud con los anteriores montajes en cuanto a
las resistencias y su voltaje de batería, en este
caso, la escala de las resistencias empleadas es el
Ohmio (Ω). Tomado de Romero Garavito Miguel
Ángel.

Tabla 5:

Mediciones del montaje 2.

Colector - Emisor – tierra

Figura 7: Montaje 2C, no guarda ninguna Ic (A) Ie (A) tierra (V) (V)
similitud con los dos montajes anteriores en
0.136 0,138 7,94 0,6
cuanto a los valores de sus componentes. Tomado
de Romero Garavito Miguel Ángel.
 Montaje 2E:
Tabla 4:
Descripción: el circuito 2E, cuenta con una
Mediciones del montaje 2C.
fuente de 12V, cuenta con tres resistores fijos (Rc:
4.7 kΩ, R1: 10 kΩ y Re: 10 kΩ), además cuenta
Ic (A) Ie (A) Colector - tierra(V) Emisor - tierra (V)
con un transistor del tipo PNP, este circuito puede
0,00201 0,00203 6,45 1,42 apreciarse en la siguiente figura (Figura 7):

 Montaje 2D:

Descripción: el circuito 2D cuenta con una

fuente de 12V, igual que en el montaje 2E, cuenta
con cuatro resistores fijos (R1: 150 Ω, R2: 33 Ω,
Rc: 39 Ω y Re: 10Ω), además cuenta con un
transistor del tipo PNP, este circuito puede
apreciarse en la siguiente figura (Figura 6):

Figura 9: el circuito 2E se diferencia del resto,

ya que es el único que posee tres resistencias, y una
conexión negativa de la fuente en el resistor del emisor
del transistor, además posee el mismo voltaje de la
 fuente que el montaje 2C. Tomado de Romero Garavito de la base comienza a disminuir al aumentar la
Miguel Ángel. resistencia, esto es debido, a que la función del
potenciómetro es amplificar o discutir la corriente
Tabla 6:
saliente al manipular la perilla; mientras la
Mediciones del montaje 2E. corriente del colector permanece casi invariable
debido a que se tiene una resistencia fija de 1 kΩ,
Ic (A) Ie (A) Colector - tierra (V) Emisor – tierra (V) además, esta presenta una conexión en serie con la
0,00241 0,0000343 0,0000215 0,0000176 fuente constante de 10 V, por lo tanto, la corriente
del colector se mantendrá de manera casi estable.
 Montaje 2F: Además se presenta que el voltaje del emisor
– tierra va en aumento conforme, ya que este se
Descripción: el montaje 2F se diferencia del
encuentra influenciado por el potenciómetro,
resto, no solo por el valor de sus cuatro resistores,
además, se logra evidenciar que la corriente de la
sino que es el único que posee un transistor del
base del transistor es menor que la corriente del
tipo NPN (modelo 2N3906), mientras que el resto
colector, esto se debe a que la corriente de la base
usa un transistor tipo PNP (modelo 2N3904),
es la que maneja la corriente del colector con una
además posee el mismo voltaje de fuente que el
pequeña cantidad de corriente, de esta manera,
montaje 2C, este circuito puede apreciarse en
dependiendo de la ganancia que se obtiene en beta
la siguiente figura (Figura 8): es posible el manejo de corrientes mayores en la
sección del colector. Reduciendo el por qué la
corriente de colector es mayor que la corriente de
base, se debe a que el colector está más
fuertemente dopado.

Como se vio en el anterior experimento del

análisis y comportamiento de un LED, su curva
característica difiere de la de un conductor, debido
a que los semiconductores son dispositivos no
lineales, lo mismo ocurre en los transistores ya
que también hacen parte de los semiconductores
por lo tanto es de esperarse que ambos presenten
un comportamiento no lineal.
Figura 10: el montaje 2F es diferente al
resto por el uso de un transistor NPN. Tomado de En resumen, este montaje funciona como un
Romero Garavito Miguel Ángel. amplificador, de manera que al aumentar o
disminuir la resistencia del colector influye de
Tabla 7:
manera directa en la ganancia obtenida. Regula el
Mediciones en el montaje 2F. flujo de la corriente o de voltaje, aumentando o
disminuyendo, convirtiendo una corriente pequeña
Colector - tierra Emisor – tierra en una grande.
Ic (A) Ie (A) (V) (V)
0,0011 0,0011 En los montajes de la segunda parte de este
6 4 1,51 6,3 experimento, las variaciones que se realizan en la
resistencia del colector afectará de manera
significativa a la tensión en la salida, de tal
6 – ANÁLISIS
manera que al aumentar la resistencia, la corriente
Para el primer montaje, circuito 1A, se pudo de salida es menor a la corriente de entrada.
observar que al variar la resistencia de la base con
un potenciómetro en escala de 1 kΩ, la corriente Los circuitos de esta segunda parte, presentan
una polarización tal que retribuye a la alteración
que se produce por la corriente del colector y la
ganancia, el voltaje del emisor y la ganancia beta,
que es causado por un aumento de la temperatura
del dispositivo al manejar una cantidad
considerable de voltaje, esto significa que se
producirá un aumento de la corriente en el
colector.
Cuando la corriente del colector aumenta, el
voltaje de la resistencia del emisor también
aumenta, además, el voltaje de la línea separadora
permanece de manera casi invariable en cuanto a
la caída de tensión, produciendo el aumento del
voltaje en la resistencia del emisor incurre en la
disminución del voltaje de la base con el emisor,
mitigando la corriente del emisor, lo cual a su vez
provocará una disminución de la corriente del
colector; observándose que el voltaje del emisor –
tierra es menor que el voltaje colector – tierra.
En cuanto al circuito 2E, la corriente en la
resistencia del colector no dependerá de la
ganancia de beta, lo cual es posible reemplazar
esta resistencia sin que afecte a beta.
En el caso del montaje 2F, el cual presenta un
transistor del tipo NPN, se da un caso contrario en
cuanto que el voltaje del emisor – tierra es mayor
que el voltaje del colector – tierra, esto se debe a
que como en el transistor PNP, el colector es
fuertemente dopado, en el transistor PNP, el
emisor es quien tiene un nivel de dopaje alto,
produciendo un mayor corriente y por ende un
mayor voltaje.
El transistor es un dispositivo de mucha
importancia hoy en día, ya que sus aplicaciones
radican en el control de señales eléctricas, a
continuación se presentan algunas de sus
aplicaciones más relevantes:
 Amplificación señales de radio,
televisión e instrumentación.
 Generación de señal: osciladores,
generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencias.
 Conmutación, actuando de interruptores:
control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas,
modulación por ancho de impulsos
PWM.
 Detección de radiación luminosa: foto
resistores.
 Se usan generalmente en electrónica
analógica y en electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.
 Son empleados en conversores estáticos
de potencia, controles para motores y
llaves de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente
dentro de un circuito cerrado.
 El surgimiento y avance de los
transistores ha sido tal que ha permitido
la miniaturización de las computadoras,
ya que en la actualidad los circuitos
integrados conllevan un gran número de
transistores para controlar las señales,
este avance permite una arquitectura de
construcción de los procesadores a un
tamaño de nanómetros y micrómetros.
7 – Conclusión
Durante el anterior experimento se
pudieron observar los diferentes comportamientos
de la corriente y la tensión y como estos afectaban
el funcionamiento de un transistor, con los
resultados obtenidos y el análisis con base en
estos resultados se pudo llegar a las siguientes
conclusiones:
 Se comprendió de manera experimental
el funcionamiento y comportamiento de
un transistor para diferentes tipos de
voltaje y corriente.
 En términos del transistor tipo NPN, en
el modo activo, cuando existe un voltaje
entre el colector – emisor, el circuito
funcionará como un amplificador de la
intensidad de corriente y de voltaje.
 Variar la corriente de la base definirá el
estado de funcionamiento de un
transistor.
 En cuanto a la simulación del circuito y
la parte teórica deben coincidir o tener
una aproximación, estaría mal si esto no
ocurre. Esto sucede debido a la
resistencia de los componentes y su nivel
de tolerancia, ya que los elementos
físicos no son ideales, mientras que los
dispositivos virtuales si lo son; también
 se debe a la poca exactitud y el nivel de
incertidumbre de las herramientas de
medición, entre otras circunstancias.
 En un transistor tipo NPN, el voltaje del
emisor - tierra será mayor que el voltaje
colector – tierra; con un transistor tipo
PNP ocurre lo contrario, esto debido a su
configuración de zonas de dopaje.
8 – Bibliografía
[1] Romero Garavito Miguel Ángel, Transistores.
[2] Thomas L. Floyd. Dispositivos electrónicos.
Séptima edición. McGraw – Hill. Barcelona,
España. Págs. 164 - 191.
[3] Douglas C. Giancoli. Física para ciencias e
ingeniería con física moderna. Cuarta edición,
volumen 2. Prentice Hall. Atlacomulco, México,
págs. 655 – 656.
Almanza Carvajal Cristian.
Autor. Nacido el 29 de agosto de 1998 en la
ciudad de Sincelejo,Sucre, egresado de la
Institución Educativa Técnico Industrial Antonio
Prieto (IETIAP), bachiller técnico en ensamblé y
mantenimiento de computadores y redes, cursa
estudios de pregrado en la facultad de ciencias
básicas, ingeniería y arquitectura, en el programa
académico de ingeniería de sistemas en la
Corporación Universitaria del Caribe (CECAR),
desde 2016 – 1, se encuentra cursando sexto
semestre. Hasta la fecha no ha definido su
situación militar

[4] Boylestad Robert L. y Nashelsky Louis.

Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. Décima edición. Prentice Hall.
Naucalpan de Juárez, México, págs. 131 – 150.

[5] Serway Raymond A. y Jewett Jhon W, Física

para ciencias e ingeniería. Séptima edición,
volumen 2. Editorial Cengage Learning. Santa Fe,
México, págs. 752, 756, 778.

[6] Tipler Paul A. y Mosca Gene. Física para la

ciencia y la tecnología. Sexta edición, volumen 2.
Editorial Reverté. Barcelona, España, págs. 845 –
860.

[7] Ficha técnica del transistor 2N3904,

www.sparkfun.com:

[8] Ficha técnica del transistor 2N3906,

www.sparkfun.com:

https://www.sparkfun.com/datasheets/Component
s/2N3906.pdf

https://www.sparkfun.com/datasheets/Component
s/2N3904.pdf

[9] Formato estándar IEEE

https://www.ieee.org/conferences/publishing/temp
lates.html