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Instituto Madero – Dipregep N° 5774

Educación Técnica Profesional - Escuela Técnica Secundaria
Ciclo Lectivo 2017 – 2020 Planificación anual

Docente: Gabriel Martínez

Espacio curricular: Aplicación de Electrónica Analógica

Curso: 5to Electrónica Horas semanales: 4 hs

Objetivos:
Se prevé que al finalizar el curso los alumnos hayan adquirido los conocimientos necesarios para:
 Entender el funcionamiento de los sistemas y dispositivos electrónicos primarios;
 Adquirir una visión real y tangible de tales sistemas y dispositivos, en términos de dimensiones,
intensidades de corriente, tensiones, niveles de potencia, etc. así como a las señales más comunes
en la práctica profesional;
 Interpretar las especificaciones electrónicas principales de un producto o sistema determinado,
fomentando la iniciativa para la búsqueda y correcta interpretación de la información y el empleo y
familiarización con las Hojas de Datos y Manuales de componentes y dispositivos;
 Definir funcionalmente un dispositivo o sistema electrónico así como verificar y diseñar
amplificadores con componentes híbridos (discretos e integrados);
 Familiarización con las técnicas y tecnologías de los circuitos integrados lineales, orientados hacia
los que son de uso convencional en los amplificadores operacionales;
 Dominio del proyecto de fuentes de alimentación sencillas en base a filtros con entrada a
condensador y reguladores de lazo abierto.

CONTENIDOS:

Contenidos minimos
a) Señales y fuentes de señal.
b) Transistor bipolar con señales fuertes.
c) Transistor bipolar con señales débiles.
d) Transistor unipolar con señales débiles y fuertes.
e) Tratamiento de Señales y Filtros
f) Amplificador diferencial.
g) Amplificadores multietapas.
h) Fuentes de alimentación.
i) Características de los semiconductores de potencia.
j) Dispositivos de Potencia de Cuatro Capas (Tiristores)
k) Rectificación.

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Primer trimestre:

Introducción:
 Análisis de Circuitos. Métodos de análisis y teoremas de circuitos. Simulación de Circuitos.
Teoremas de Thevenin, Norton, Superposición, Millman, Máxima transferencia de potencia, etc.
Divisores de Tensión y Corriente. Transformación de Fuentes de Corrientes y tensión. Simulación,
mediciones y ensayos prácticos.

Dispositivos semiconductores, y Amplificadores monoetapas:

 Construcción de un DIODO de Silicio cristalino, orientación de las obleas, bandas de energía,
distribución estadística: Silicio intrínseco. Silicio tipo-n y –p. Silicio extrínseco, Intrínseco (Enlaces
Atómicos). Dependencia con la temperatura. Semiconductores ternarios / cuaternarios. Curvas del
Diodo.
 Construcción de un transistor BJT Y MOSFET .Condiciones de polarización. Diagrama de bandas
en equilibrio y condición de operación. Ganancia. Componentes de corriente y distribución de
portadores. Polarización activa directa: Cálculo de las expresiones de corriente (colector, emisor y
base) (drenaje, surtidor y compuerta) y coeficientes de ganancia. Análisis del dopaje y de las
regiones desiertas del dispositivo. Curvas del transistor. Polarización activa inversa: Cálculo de las
expresiones de corriente (colector, emisor y base) (drenaje, surtidor y compuerta) y coeficientes de
ganancia. Análisis del dopaje.
 Diodo semiconductor. Curvas características. Resistencias estática y dinámica. Punto de
Operación. Característica inversa. Diodos Zéner. Componentes estáticas, dinámicas y valores
totales. Lenguaje y simbología. Métodos de superposición y de aproximación segmento lineal.

Los Transistores Con pequeñas Señales y Señales Fuertes (MODELOS DEL TRANSISTOR)
 Revisión del principio de funcionamiento de los transistores unipolares de compuerta aislada tipo
MOSFET-JFET, de refuerzo o canal inducido y de compuerta aislada de vaciamiento o de canal
permanente. Curvas característica de salida y de transferencia. El transistor unipolar como
amplificador. Circuitos de polarización. Análisis de una etapa con señales fuertes. Polarización.
Influencia de la dispersión. Circuito de polarización estabilizada. Conceptos de rectas de carga
estática y dinámica. Excursión simétrica máxima. Verificaciones y Proyectos. Utilización de hojas
de datos de transistores unipolares.
 Revisión del funcionamiento de los transistores bipolares: punto de polarización. Inyección de
señales. Recortes por desplazamiento de Q por dispersión de hFE. Análisis de la polarización sin
uso de curvas. Polarización para ICQ constante. Máxima excursión sin recortes. Uso reiterado de
manuales de transistores bipolares.
 Necesidad de la excursión máxima en relación al rendimiento. Clases de funcionamiento.
Características de alinealidad de los transistores: Distorsión: armónica y de intermodulación.
Diferencia entre etapas de gran señal y etapas de bajo nivel. Significado de señal débil.
 Modelos equivalentes de los transistores unipolares y bipolares operando a bajo nivel. Parámetros
conductancia de los MOSFETS. Parámetros híbridos y su relación con el modelo de Giacoletto.
Modelo híbrido simplificado. Utilización de hojas de datos.

Segundo trimestre:

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Tratamiento de Señales en Tiempo y Frecuencia

 Naturaleza de la información: señales eléctricas, digitales y analógicas. Características de las

señales de audio, video y provenientes de transductores industriales y biomédicos. Tratamiento
analógico: necesidad de la linealidad e inmunidad frente al ruido. Importancia en las etapas de
entrada.
 La amplificación: su necesidad. Mecanismo de la amplificación. Amplificación lineal. Descripción
y características de los componentes activos, necesidad de la polarización.
 Regímenes límites de tensiones, corrientes y temperaturas. Relación entre la tensión de
alimentación y la de ruptura del transistor. Efecto de segunda ruptura.
 Potencias: Potencia entregada por la fuente, potencia de salida y potencia disipada por el transistor.
Rendimiento. Capacidad de disipación de los transistores. Resistencia térmica. Uso de disipadores.
Influencia de la temperatura. Zona de Operación segura. Diferencia entre la tecnología bipolar y la
tecnología MOS. Compensación térmica. Embalamiento térmico bipolar.

Monoetapas de Amplificadores de bajo nivel

 Estudio de las transferencias, resistencia de entrada y resistencia de salida de etapas amplificadoras
unipolares de bajo nivel: configuraciones fuente común, drenaje común y compuerta común en el
rango de frecuencias medias. Resolución de problemas de verificación. Comparación de
características. Simulación con SPICE-PROTEUS. Resolución de problemas de diseño.
 Análisis del comportamiento en frecuencias medias de etapas amplificadores bipolares de bajo
nivel: configuraciones colector común, emisor común y base común. Resolución de problemas de
verificación. Comparación de características. Simulación con SPICE-PROTEUS.
 Empleo de las resistencias de degeneración en emisor y en base: efectos sobre las resistencias de
entrada y salida y sobre las transferencias. Utilización del circuito auto elevador (bootstrap).
 Comparación entre monoetapas de bajo nivel unipolar y bipolar: ventajas y desventajas. Proyectos
abiertos de monoetapas.

Amplificador Diferencial y Fuentes de Corriente

 Amplificador diferencial. Principio de funcionamiento con transistores unipolares y bipolares.
Modos de excitación. Modelo circuital. Ganancia y resistencia de entrada diferencial y de modo
común. Relación de rechazo de modo común.
 Empleo del programa de simulación SPICE-PROTEUS: ejemplos de aplicación utilizando
ordenador.
 Fuentes de corriente: Espejo, Widlar, Cascode y Wilson. Características, ventajas y desventajas de
cada caso. Aplicación para la polarización de amplificadores diferenciales.
 Estudio de la característica de transferencia diferencial: rango dinámico lineal: máxima excitación
de modo diferencial y de modo común para tecnología unipolar y para tecnología bipolar.
Incorporación del efecto de la resistencia de degeneración de emisor.
 Carga Activa: Ventajas y limitaciones: aplicaciones prácticas en la tecnología MOS y bipolar.
 Características de las etapas de entrada de los amplificadores operacionales. Análisis de la primera
etapa de diferentes amplificadores operacionales: CMOS de dos etapas, A741, TL081, etc.

Amplificadores Multietapas y Circuitos Integrados Lineales

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 Técnicas de acoplamiento. Acoplamiento directo. Características de la polarización. Verificación

de multietapas con acoplamiento directo. Uso de transistores efecto de campo y bipolares
combinados. Acoplamiento a RC. Verificación de amplificadores multietapas con acoplamiento a
R.C. Estudio de los circuitos amplificadores D’Arlington y Cascode. Comparación con otras
formas de acoplamiento entre etapas. Análisis de la Segunda Etapa del Amplificador Operacional
A741. Características de los amplificadores operacionales CMOS de dos etapas. Utilización de
fuentes de corriente Cascodo y Cascodo doblado.
 Idealización de las características de ganancia y de resistencia de entrada y salida del amplificador
operacional. Estudio de las aplicaciones como amplificador no inversor y como amplificador
inversor.

Tercer trimestre:

Fuentes De Alimentación
 Fuentes de alimentación de media onda. Fuentes de alimentación de onda completa. Filtros de
zumbido (ripple). Cálculo de fuentes usando las curvas de Schade. Fuentes reguladas usando
diodos Zéner. Fuentes de alimentación reguladas bipolares. Principios físicos de funcionamiento de
componentes semiconductores de cuatro capas: Tiristor, Triac, Diac. Aplicación en la rectificación
controlada: control de velocidad de motores.

Dispositivos de cuatro capas y Rectificadores

 Funcionamiento y características técnicas de dispositivos de cuatro capas: SCR, TRIAC, MCT y

GTO. Manejo de hojas de datos, montajes y cálculo. Tendencias de la técnica.
 Rectificadores con diodos y tiristores. Monofásicos y trifásicos, semi y totalmente controlados, con
carga resistiva e inductiva. Control de fase. Selección de tiristores y diodos. Métodos de cálculo.

Protección de semiconductores, inversores y potencia

 Protección de dispositivos semiconductores. Fuentes de transitorios de tención. Selección de

componentes de protección. Cortocircuitos y sobrecargas de intensidad de corriente. Fusibles de
características ultra rápida. Selección y coordinación de las protecciones.
 Inversores de tiristores. Mac Murray - Bedford paralelo y puente. Armónicos, salida senoidal.
Fuentes de alimentación ininterrumpibles (UPS). Llave estática.
 Transistores de potencia: Bipolares, CMOS, GTR e IGBT. Características y análisis comparativo
entre ellos. Comportamiento en conmutación con carga inductiva. Área de operación segura.
Tiempos de conmutación. Potencia disipada en conmutación. Redes de antisaturación y de
protección.

Reguladores switching y Convertidores

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 Topología de reguladores switching: Buck, Boost, Buck - Boost y Cuk. Análisis de funcionamiento
de los mismos. Cálculo y selección de componentes.
 Convertidores Forward y Fly-Back. Convertidores Push - Pull, Semipuente y Puente. Análisis de
funcionamiento de los mismos. Cálculo y selección de componentes.

Contenidos procedimentales:
 Aplicación de la teoría de los circuitos, y dispositivos electrónicos. Simulación, medición y
ensayos.
 Teoría de los semiconductores y dispositivos de dos capas (pn).
 Manejo de instrumentación electrónica, polímetro, osciloscopio, generador de señales,
fuente de regulable, etc.
 Materias conectivas, teoría de los circuitos 1, electrónica analógica 1, Montaje de los
proyectos electrónicos 1

Contenidos actitudinales:

 Fomentar el desarrollo de toda tarea en un clima de respeto, tolerancia, solidaridad,

compromiso social y pluralidad de ideas, rescatando el concepto de simetría desde el punto
de vista humano-social y las asimetrías y jerarquías desde el dominio del conocimiento;
 La capacidad de reflexión crítica debe conseguirse estableciendo un sistema de prioridades
partiendo de la crítica a las propias actitudes y decisiones, transitando luego por las
correspondientes a su grupo o campo específico para finalmente emprenderlas en otras
esferas en que le corresponda actuar;
 Especialmente ante los cada vez más frecuentes cambios tecnológicos, adquirir la destreza
adecuada para enfrentarlos sin actitudes traumáticas con el convencimiento de incluirlos
como una rutina de actualización permanente impartiendo métodos generales de estudio
que faciliten el autoaprendizaje;
 Específicamente ha de lograrse el dominio de la aplicación de leyes físicas y métodos
generales de la teoría de los circuitos pasivos, extendida a los dispositivos activos así como
la utilización de dichos métodos para el estudio de circuitos y dispositivos con la finalidad
de obtener su perfil de comportamiento;
 El dominio necesario para el empleo de métodos gráficos y semigráficos de resolución así
como la aptitud y habilidad para la aplicación de métodos de aproximaciones sucesivas en
modo de favorecer la creatividad, tanto en la adaptación del saber adquirido a los
propósitos particulares de situaciones que se planteen como al abordaje de tareas de
investigación y la generación de nuevas tecnologías;
 Ejercitar las habilidades dirigidas al trabajo en equipo en laboratorios con componentes e
instrumentos reales y con ordenadores/programas para simulación de actualidad.

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Metodología:
Durante el desarrollo de los diferentes temas se lleva a la práctica el Método de “Resolución de
Problemas”. Efectivamente dentro del grupo de problemas que se han dividido por grupo de Unidades se
incluyen aquellos caracterizados como de “verificación o análisis” en donde por aplicación de técnicas
grupales y mediante la estrategia de Inducción el Docente pasa a la aplicación a un caso típico, interactúa y
dialoga, en tanto que los Alumnos resuelven la aplicación, interactúa con sus pares de grupo. Mediante
otra categoría de Problemas, aquellos que llamamos de “proyecto” a través de la estrategia de Deducción el
Docente presenta un proyecto a resolver, a partir de lo cual se limita a orientar al alumno, interactúa y
dialoga con los mismos y el Alumno resuelve el proyecto, interactúa con sus pares de grupo.

Trabajos prácticos:
 Tp1: Herramientas de Analisis de Circuitos (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp2: Circuitos Thevenin Y Norton (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp3: Circuitos Transistorizados BJT (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp4: Circuitos Transistorizados FET/JFET (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp5: Transistores en C.A (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp6: FET/JFET/BJT en Frecuencia (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp7: Amplificadores Operacionales (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp8: Osciladores y Amp. De Potencia (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp9: Transistores en Conmutacion (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp10: Tiristores TRIAC/DIAC/SCR (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp11: Aplicación Electronica de Potencia (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)
 Tp12: Optoelectronica (Teorico/Practico/Mediciones y Ensayos)

Recursos y bibliografía:

Bibliografia Obligatoria
 SEDRA Y SMITH, (2006) Circuitos Microelectrónicos, Cuarta Edición , México: Mc
Graw Hill Interamericana.
 JOSE MARIA VIRGILI y JUAN MOLNAR, Electrónica Analógica
 TULIC ANTONIO CARLOS. Electrónica Aplicada I y II
 JOSEPH EDMINISTER, CIRCUITOS ELECTRICOS
 PUEYO Y MARCO análisis de CIRCUITOS
 MILLMAN J. y HALKIAS Ch., Electrónica Integrada, Hispano Europea
 BOYLESTAD, ROBERT L.; NASHELSKY, LOUIS. Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos, México: Pearson Educación, 2009.

Bibliografia Complementaria

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 GRAY, P. R. y MEYER R. G. (1984) Analysis and Design of Analog Integrated Circuits.

Estados Unidos, Berkeley: JOHN WILEY & SONS
 SAVANT, C. J.; RODEN, M y CARPENTER, G. (1992) Diseño Electrónico: Circuitos y
Dispositivos, Adison Wesley Iberoamericana.
 Autores: SAVANT, Jr., Martin S. RODEN y Gordon L. CARPENTEREstados Unidos:
ADDISONWESLEY IBEROAMERICANA
 GREBENE, A. B., Analog Integrated Circuit Design, Microelectronics
 Series - VNR Co. Estados Unidos. California: VAN NOSTRAND REINHOLD
COMPANY - Microelectronics Series
 NILSSON, J. W. y RIEDEL, S. A., Introducción a PSpice, Estados Unidos, Delaware:
ADDISONWESLEY IBEROAMERCANA
 SCHILLING, D. I. y BELOVE, Ch.(1973) Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados
España, Barcelona: Editorial: MARCOMBO BOIXAREU EDITORES.
 GUERRA, A. G., BARRIO, C. L., GALAN, J. M. L. y MUÑOZ MERINO, E.,(1975)
Circuitos Electrónicos: Analógicos I, Analógicos II, Cátedra de Electrónica I y II, Madrid:
E.T.S.I. de Telecomunicaciones de Madrid.
 SEDRA Y SMITH, (2006) Circuitos Microelectrónicos, Cuarta Edición , México: Mc
Graw Hill Interamericana.
 MILLMAN J. y HALKIAS Ch., Electronica Integrada, Hispano Europea

Evaluación:

La metodología de evaluación se ha seleccionado con la convicción de que la misma debe cumplir dos
funciones: debe permitir ajustar la ayuda pedagógica a las características individuales de los alumnos y del
contexto mediante aproximaciones sucesivas; y debe permitir determinar el grado en que se han conseguido
las intenciones u objetivos del presente proyecto educativo.
El simple hecho de saber que el alumno ha superado “con éxito” el nivel educativo anterior ofrece pocas
informaciones útiles por lo que el ajuste de la ayuda pedagógica en el nivel inicial en realidad se consigue tras
un período de tanteo y un ajuste intuitivo en función de la experiencia profesional de los docentes a cargo, en
tanto que las dificultades y bloqueos que jalonan el proceso de aprendizaje posterior constituyen la evaluación
formativa que posibilita seleccionar la ayuda pedagógica más adecuada en cada momento.
Las respuestas a las preguntas que lanza el Docente al desarrollar la exposición dialogada permiten evaluar el
“conocer” y “comprender” en tanto que estos mismos objetivos conjuntamente con “aplicar” son apreciados
en todas las actividades de taller que se emprenden en los trabajos prácticos de laboratorio y en la resolución
de problemas de verificación. Asimismo, a través de la valoración de la expresión oral en esas mismas
experiencias se agrega la evaluación del objetivo “sintetizar”.
Los documentos producidos a través de la resolución de problemas de proyecto y de los informes de trabajos
prácticos y monografías a cargo de los alumnos permiten lograr una evaluación integral de todos los objetivos
perseguidos en este proyecto educativo muy especialmente en lo relativo a “sintetizar” y “evaluar”. Las

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evaluaciones parciales consistentes en la resolución de problemas similares a los abordados durante el

desarrollo del curso se constituyen en otro instrumento de comprobación, en este caso interpretada de
manera más formal y dirigida especialmente hacia la evaluación sumativa consistente en medir los resultados
del aprendizaje para cerciorarse de que alcanzan el nivel exigido pero sin descartarlo como instrumento de
control del proceso educativo ya que el éxito o el fracaso en los resultados del aprendizaje de los alumnos es
un indicador del éxito o fracaso del propio proceso educativo para conseguir sus fines.
Si bien esta evaluación sumativa tiene lugar al final de sendos ciclos de un período de estudios y su carácter
formal le atribuye particularidades como instrumento de acreditación, es especialmente interpretada como
práctica para determinar si el nivel de aprendizaje alcanzado por los alumnos a propósito de los determinados
contenidos es suficiente para abordar con garantías de éxito el aprendizaje de otros contenidos relacionados
con los primeros.
El registro de las informaciones obtenidas siguiendo las pautas y procesos de evaluación mencionadas se
concreta en hojas de seguimiento tanto grupales como individuales.

Modalidad (tipo, cantidad, instrumentos)

3 evaluaciones, 1 evaluación de informe de cada Trabajo Practico. Estos instrumentos de evaluación son
devueltos a los alumnos cuando se proporcionan sus resultados, quienes son invitados a analizar las
anotaciones y observaciones que sobre los mismos realiza el docente y que justifican la calificación o nota
recibida.

Requisitos de aprobación
La aprobación tanto del Informe de T.P. como de los tres exámenes con nota igual o superior a 7 en la escala de
0 a 10 habilita aprobar la materia.

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