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Tarea 2
“Preguntas de Repaso”
Matricula: 1669288
Salón: 7222
En el presente documento se pretende dar respuesta a las interrogantes planteadas al final del primer
capítulo, esto por medio de los conocimientos adquiridos tras la lectura del mismo y tomando como
apoyo el libro Electronica de Potencia Muhammad Rashid 3º
CONTENIDO
PREGUNTAS
R.- Son los circuitos que se utilizan para energizar o des energizar algún conducto de
corriente por medio de compuertas o switches, por ejemplo se utilizan en los tiristores de
conmutación forzada para apagarlos.
4.- ¿Cuáles son las condiciones para que conduzca un tiristor?
R.- Cuando se hace pasar una corriente pequeña por la terminal de la compuerta, hacia el
cátodo y que el ánodo tenga mayor potencial que el cátodo.
R.- Cuando la corriente principal baja a cero después de una interrupción externa del
circuito de voltaje principal.
R.- Es cuando un tiristor se apaga o desactiva debido a la naturaleza senoidal del voltaje de
entrada
R.- Se encienden aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se apagan por
aplicación de pulso negativo corto a las compuertas.
R.- Un ETO tiene dos compuertas: una compuerta normal para abertura y una con una serie
de MOSFET para cerrado.
R.- El IGCT se apaga por medio de una tarjeta de circuito activador de compuerta, de varias
capas, que puede suministrar un pulso de abertura de subida rápida,
R.- Es el intervalo de tiempo entre el instante en el que la corriente principal baja a cero
después de una interrupción externa del circuito del voltaje principal, y el instante cuando
el tiristor es capaz de sostener un voltaje principal de respaldo especificado sin encenderse.
14.- ¿Qué es un convertidor?
R.- El valor del voltaje se puede controlar variando el tiempo de conducción de los
transistores.
19.- ¿Cuáles son los pasos que intervienen en el diseño del equipo electrónico de potencia?
20.- ¿Cuáles son los efectos periféricos del equipo electrónico de potencia?
21.- ¿Cuáles con las diferencias en las características de control entre los GTO y los
tiristores?
R.- Los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturación mientras que
los tiristores solo conmutan en dos estados; corte o conducción.
23.- ¿Cuáles con las diferencias en las características de control entre los BJT y los
MOSFET?
R.- En el transistor bipolar (BJT) hay que inyectar una corriente de base para regular la
corriente de colector, mientras que en el MOSFET el control se hace mediante la aplicación
de un voltaje entre puerta y fuente.
27.- ¿Cuáles son las diferencias entre los BJT y los IGBT?
R.- El BJT es impulsado por corriente mientras que el IGBT es impulsado por voltaje.
28.- ¿Cuáles son las diferencias entre los MCT y los GTO?
R.- EL MCT tiene menor tiempo de conmutación que el GTO, además tienen la capacidad
de soportar voltajes unipolares. Aunque el GTO es de mayor potencia y mayor frecuencia y
tienen la capacidad de soportar bipolares y los MCT.
29.- ¿Cuáles son las diferencias entre los SITH y los GTO?
R.- Los GTO soportan voltajes unipolares y bipolares cuando los SITH no pero es de
mayor frecuencia que el GTO.
CONCLUSION
CODIGO DE HONOR
Yo Néstor Pérez Lozano con número de matrícula 1669288 declaro que esta tarea la realice
basado en los valores de honestidad y los estándares de calidad que marca la Universidad
Autónoma de Nuevo León.
BIBLIOGRAFIA