Sesión 7

Fundamentos de dispositivos
semiconductores
Componentes y Circuitos Electrónicos
Isabel Pérez / José A García Souto
www.uc3m.es/portal/page/portal/dpto_tecnologia_electronica/Personal/IsabelPerez
Semiconductores y Diodo de unión
OBJETIVOS

• Conocer los fundamentos de semiconductores

– Semiconductores Intrínsecos. Concepto de Electrón y Hueco.
– Semiconductores Extrínsecos. Concepto de Impureza.
– Semiconductores tipo p y tipo n.
• Entender los fundamentos de una unión p-n
– Unión p-n en Equilibrio. Zona de Carga de Espacio.
– Unión p-n Polarizada (Polarización en Directa, Polarización en
Inversa).
• Interpretar la curva del diodo y relacionarla con
la ecuación del diodo como unión p-n polarizada
UC3M 2009 CCE - Sesión 7 2
 Introducción a la Teoría de
Semiconductores
Teoría de Bandas
Conductor Semiconductor Aislante
E E E
BC
BC
BC
Eo Eo Eo
GAP
BV
BV
BV

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 3

 Teoría de Semiconductores
Semiconductores Intrínsecos. Pares electrón-hueco.
ni2(T)=n·p n=p (intrínseco) σ = 1 / ρ = qe [n ⋅ µ e + p ⋅ µ h ]
Semiconductor
E

BC

Eo
1,1eV

BV

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 4

 Semiconductores Intrínsecos (Si)
- - - T=0ºK (Equilibrio Térmico)
- +4 - - +4 - - +4 -
- - -
Enlace covalente
- - -
- +4 - - +4 - - +4 -
- - -

T > 0ºK
- - -
- +4 - - +4 - - +4 -
- - electrón -
libre (e-) Enlace covalente
- - - roto
+
- +4 - - +4 - - +4 -
hueco libre (h+)
- - -

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 5

Tipos de corriente en un semiconductor
• DIFUSIÓN: Si la concentración de portadores (de electrones , n, y de huecos, p) e es mayor en una
zona que en otra del material, los portadores tienden a moverse de la zona de mayor a la de menor
concentración, dando lugar a una densidad de corriente de difusión (Jd [A/cm2])
dn dp
J d = J dn + J dp = q • Dn • − q • D p •
dx dx
• ARRASTRE: Al aplicar un campo eléctrico E [V/cm2]

+ E -
- - -
- +4 - - +4 - - +4 -
- - - Movimiento e-
Dos tipos de portadores:
-
- - e- y h+
+ +
Movimiento h+
- +4 - - +4 - - +4 -
- - -
J a = J an + J ap = q • n • µ n • E + q • p • µ p E

Corriente
UC3M 2009 CCE - Sesión 7 6
 Semiconductores Extrínsecos.
• Concepto de Impureza (Donante)

TIPO n: Se añaden al semiconductor átomos con un electrón más en la banda de valencia. Ej:
Fósforo (P).

- - -
- +4 - - +4 - - +4 -
- - e- libre - ni2(T) = n·p
n > p (extrínseco tipo n)
- - -
-
- +4 - - +4 - - +5 - e- : portadores mayoritarios
- - - h+ : portadores minoritarios

7
UC3M 2009 CCE - Sesión 7
 Semiconductores Extrínsecos.
• Concepto de Impureza (Aceptadora)

TIPO p: Se añaden al semiconductor átomos con un electrón menos en la banda de valencia.

Ej: Boro (B)

- - -
- +4 - - +4 - - +4 -
ni2(T) = n·p
- - - p > n (extrínseco tipo p)
h+ libre
- - +
h+ : portadores mayoritarios
- +4 - - +4 - - +3 -
- - - e- : portadores minoritarios

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 8

 Semiconductores Tipo p y Tipo n.
SEMICONDUCTOR TIPO n
• Aporta extra de e- portadores mayoritarios (no ~ ND)
• Menos h+ portadores minoritarios (pn = ni2 / ND)
SEMICONDUCTOR TIPO p
• Aporta extra de h+ portadores mayoritarios (po ~ NA)
• Menos e- portadores minoritarios (np = ni2 / NA)
DE LA TEORÍA DE SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
• NA ~ ND → Sc Compensado: Equivalente a intrínseco
• Aumento de T → Aumenta pares e- h+
• T muy alta → Equivalente a intrínseco (ya no son
minoritarios)

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 9

 La Unión p-n.
Resumen de Portadores y Corrientes
• CORRIENTES DE PORTADORES:
– Considerar tanto Mayoritarios como
Minoritarios
– Considerar tanto Electrones como Huecos
• TIPOS DE CORRIENTES:
– DE ARRASTRE: Por acción de un campo
eléctrico (σ)
– DE DIFUSIÓN: Compensa gradiente de
concentración
UC3M 2009 CCE - Sesión 7 10
 Zona de deplexión, vaciamiento o carga de
espaci o (sin portadores libres)

LA UNIÓN p-n
+ -

p -+ n
en equilibrio
0
Densidad de carga (ρ
ρ)

Campo eléctrico (E)

x
Potencial (V)

Potencial de barrera o contacto ( Vγ )

x

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 11

LA UNIÓN pn en polarización directa
Vd vd
nV t
id = I S ( e − 1)
• Elimino la barrera de potencial
+ - • Sobre todo circulan mayoritarios por
difusión (exp), también minoritarios.

+ -

- +
id
p n
LA UNIÓN
LA UNIÓN pn en polarización inversa
Vd
p-n
polarizada
- +

+ - • Mayor barrera de potencial

-+
• Solo circulan minoritarios

p n
id =-Is

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 12

 Contactos

ESTRUCTURA
métalicos

p n
EL DIODO
DE UNIÓN
p-n
Ánodo Cátodo
id
SÍMBOLO

+ vd -
CURVA CARACTERÍSTICA

ENCAPSULADO id vd
nV t
Cátodo
Directa id = I S ( e − 1)
Ánodo
KT
Vt =
-Vruptura
q
vd
Ruptura
0.5V Vγγ = 0.7V (en Si)
Inversa

-Is = Corriente inversa

de saturación (muy
pequeña)

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 13

 Diodos de unión y aplicaciones
OBJETIVOS
• Conocer el funcionamiento básico de un diodo
como componente de un circuito y sus modelos
equivalentes
• Entender los umbrales de conducción y
aplicarlos en el análisis de circuitos con diodos
• Conocer diferentes tipos de circuitos con diodos

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 14

 Diodo Ideal
Aproximaciones curva característica
Circuito Equivalente
id
A C
Cortocircuito
Directa
vd=0
(ON)
id>0
Inversa
vD
(OFF)
Circuito Equivalente

A C
A C
Circuito Abierto A C
ON
id=0 A C
vd<0 OFF A C

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 15

 Ejemplo: Rectificador de ½ onda
v2(t) Tensión Secundario
V2p f = 50Hz
T = 20ms
t[ms]
0
10 20

-V2p

V2(t) > 0
D ON Tensión Salida Función de transferencia

vO(t) vO
f = 50Hz

Vo(t) = V2(t) Vop=V2P T = 20ms

V2(t) < 0 t[ms] v2

0
10 20 0
D OFF

D ON D OFF
Vo(t) = 0 V2(t)>0 V2(t)<0

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 16

 Equivalentes Circuitales del diodo
Aproximaciones curva característica

1ª Aproximación: Diodo Ideal 2ª Aproximación Circuito 3ª Aproximación Circuito

Equivalente Equivalente
id Circuito id id
Equivalente A C rd
A C
A C + - 1/rd
Vγγ + -
< Vγγ
Directa Directa
vd=0 Directa
vd=Vγγ vd=Vγγ+rd.id

id>0 id>0
id>0
vd Vγγ vd Vγγ vd
Inversa Inversa Inversa
Circuito Circuito Circuito
Equivalente Equivalente Equivalente

A C A C A C

id=0 id=0 id=0

vd<0 vd<Vγγ vd<Vγγ

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 17

 CIRCUITOS RECTIFICADORES
v2(t) Tensión Secundario
V2p f = 50Hz
T = 20ms
t[ms]
0
10 20

-V2p
2ª Aproximación

V2(t) > Vγγ

D ON Tensión Salida Función de transferencia

vO(t) vO
f = 50Hz
T = 20ms
Vo(t) = V2(t) -Vγ Vop=V2P- Vγγ

V2(t) < Vγγ t[ms] v2

0
D OFF 10 20
Vγ

D ON D OFF
Vo(t) = 0 V2(t) > Vγγ V2(t) < Vγγ

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 18

 CIRCUITOS RECORTADORES
Función de transferencia
Vo

Vγ

Vi
Vγ
Pendiente =1
Vi > Vγγ
D ON

Vo = Vγ D OFF D ON
v
Tensión Salida vi(t)
Vi < Vγγ
D OFF
Vγ
Vo = Vi
t

vo(t)

UC3M 2009 CCE - Sesión 7 19