El UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un

dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un
dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN.
Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones
elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un
conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando
as una unin PN. Ver el siguiente grfico

Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el

Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la
frmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de
0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe
haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la
barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT
complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las
polaridades de las tensiones al revs
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de
disparo en los SCR. En la figura se muestra un circuito bsico de disparo UJT.
Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2.
Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia
ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y
9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el

capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT

est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC.
Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a
un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a
una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho
menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv,
el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para
activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del
voltaje de alimentacin Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n

Circuito bsico de disparo de un UJT

El PUT
El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia
del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.

El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo
K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se
puedan controlar los valores de R BB y VP que en el UJT son fijos. Los
parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G.

Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K
y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K
es muy pequea.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Del grfico anterior se ve que cuando IG = 0,

n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1 + RB2)

VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] =

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias:
RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas
resistencias estn en el exterior y pueden modificarse.
Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la
tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.
Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A
y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp,
que depende del valor del voltaje en la compuerta G
Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en
conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que I A (corriente
que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje
entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K
Ejemplo: Una aplicacin tpica: Oscilador con PUT

La tensin de puerta est fijada a un valor constante a travs de las

resistencias R1 y R2. Si inicialmente el condensador est descargado, la

tensin del nodo es menor que la de la puerta (V A<VG) y el PUT est cortado.
En estas condiciones, el condensador se carga a travs de R aumentando la
tensin del nodo. Llegar un momento en que la tensin en el nodo sea igual
al de la puerta (VA=VG) y en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga
bruscamente el condensador C produciendo una cada de tensin en la
resistencia Rs. Si R y Rs tienen un valor que impida circular a travs del PUT la
corriente de mantenimiento mnima de conduccin, el dispositivo se cortar y el
condensador se carga nuevamente a travs de R repitindose el proceso.
GTO (Gate Turn-off Thyristor)

Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en
la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por
un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el
estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son
controlados por la corriente en la terminal gate.
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de
apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a
travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece.
Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor IGR, la corriente de
nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a
crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente
menor a 1 microsegundo. Despus de esto, la corriente de nodo vara
lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente
de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en
el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por
ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO
normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para
el apagado.

La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional.

Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y
tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en
que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el
dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente

de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea
hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe
un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada
por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en
inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin
en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del
voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin
de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma.
Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la
corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente
de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La
segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el
mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser
apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper
(conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles
de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados.
A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son
preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las
estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia.